KR20090130368A - 평탄 기판의 표면 개질 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 일반적으로 일-측면의 습식 화학 표면 개질과 특히 평탄 기판의 코팅에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 유리, 금속 또는 플라스틱으로부터 제조되는 박막 태양 전지 또는 모듈을 제조하는 동안에 기판을 예를 들면 카드뮴 황화물 또는 아연 황화물 등의 금속 화합물로 코팅하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
습식, 화학, 표면, 개질, 코팅

Description

평탄 기판의 표면 개질 방법 및 장치{Method and apparatus for the surface modification of flat substrates}
본 발명은 일반적으로 기판 표면들 중 일-측면의(single-sided) 습식 화학 개질에 관한 것으로, 보다 상세하게는 평탄 기판의 일-측면의 습식 화학 코팅에 관한 것이다. 상세하게는, 본 발명은 유리, 금속 또는 플라스틱으로부터 제조된 박막 태양 전지 또는 모듈을 제조하는 과정에서 기판을 금속 화합물, 즉 카드뮴 황화물 또는 아연 황화물 등으로 코팅하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
평탄 표면을 코팅하기 위하여, 다수의 대부분의 다른 방법들 및 장치들이 이 기술분야에서 알려져 있으며, 그의 선택은 코팅될 기판의 조성 또는 구조 뿐만아니라 원하는 코팅의 타입 및 두께에 주로 의존한다. 예를 들어, 전류-매개형(current-mediated) 및 무-전류형(current-free) 침전, 그리고 기상 및 액상 증착으로, 또한 고- 및 저-온 공정으로 나누어질 수 있다. 상세하게는, 태양전지를 제조하는 중에, 캐리어 구조 또는 기판, 즉 유리 플레이트(glass plate) 등의 대개 수개 코팅들이 태양전지에 필요한 안정성 및 원하는 특징들을 제공하기 위해 자리한다. 특히 유망한 방법은 높은 광 흡수에 의해 두드러지는 소위 CIS-층들을 사용한다. 이에 대해, 먼저 0.5 내지 1㎛의 층 두께를 갖고 몰리브덴(Mo)으로부터 얻어 지는, 후면 전극(back contact)과 그 다음 구리-인듐-황화물, 구리-인듐-디셀레나이드(diselenide), 구리-갈륨-황화물 또는 구리-갈륨-디셀레나이드(일반적으로 CI(G)S(Se)로 칭해짐)의 1-2㎛ 박층이 기판상에 일-측면에 적용되며, 그 다음 이후 단계에서 기판의 이 적절히 개질된 측면은 소위 황화물 버퍼 층 즉 카드뮴 황화물(CdS) 또는 아연 황화물(ZnS)등으로 코팅된다. 출발 물질로서, 따로 저장되고 코팅하기 직전에 원하는 관계에서 혼합만 되는 티오우레아(THS, CH4N2S) 및 암모니악(NH4OH) 뿐만아니라, 보통 카드뮴 또는 아연 함유 화합물 및 염들, 즉 카드뮴 또는 아연 황산염 또는 아세트산염이 각각 사용된다. 코팅으로부터 얻어지며 일반적으로 30 내지 90㎚ 그리고 특히 30 내지 60㎚의 두께를 갖는 박 CdS- 또는 ZnS-층은 이전에 퇴적된 CI(G)S(Se)-층에 단단히 들러붙어야 하고 최적의 효율을 달성하기 위하여 그의 구조, 두께 그리고 조성에 관하여 가능한한 균질해야한다. 코팅될 기판들은 전형적으로 1,200㎜의 길이 그리고 600㎜의 폭, 그리고 3㎜의 두께를 가지는 반면에, 전체 코팅들은 나노미터- 내지 마이크로미터 영역의 두께만을 가진다. 하지만 향후, 비용 최적화의 이유로 인해 심지어 보다 큰 기판 면적들이 요구된다.
기판의 표면상 CdS 또는 ZnS의 효과적인 퇴적(침전)은 각각 약 상온 또는 30℃과 약 95℃ 사이에 놓인 일정한 온도 범위 내에서만 일어날 수 있다는 것이 알려져 있다. 처리 조(treatment basin)를 사용하는 습식 화학 코팅 기법들을 적용할 때, 따라서, 욕조(bath) 내 액체의 온도가 전체적으로 그리고 처리될 표면과 접촉 하는 영역 양쪽 모두에서 적당히 제어되어, 원하는 퇴적을 유발하는데 필요한 약 20℃ 내지 30℃의 최소 온도가 도달되도록 주의를 해야하지만, 이 기술분야에서 설명되는 원하지 않는 반응들(예를 들면, 콜로이드의 형성)이 일어나서 코팅 결과를 위험에 처하게 하고 가능하게는 예를 들면 크리닝을 위한 것과 같은 이후 처리 단계들의 필요성 뿐만 아니라 액체의 증가된 소비를 수반하는 방식으로 액체 욕조내 온도가 상승하지 않도록 한다. 이 문제를 다루기 위해, 최신 기술은 예를 들면 코팅될 기판 측면이 더이상 코팅 욕조로 이송되지 않으나 액체로 수동 또는 자동으로 적셔지는 대안을 개발하였다. 최대한 균일, 반응-지원 온도를 생성하기 위하여, 기판은 예를 들면, 코팅되지 않을 하부 측면과 함께 적절히 조절된 물 욕조속으로 이송되고 동일물의 표면상에 놓여진다. 기판이 처리될 그의 표면에 이를 정도로 가열된 후에, 화학 성분들을 포함하는 액체 조성물이 위로부터 기판 표면상에 가해져, 원하는 층의 형성이 유도된다.
따라서, 특히 그러한 장치들은 기술 분야로부터 알려져 있고, 여기서, 기판의 원하는 코팅을 일으키는 액체 조성물이 위로부터 캐리어 구조상으로 일-측면에 가해진다.
하지만, 그러한 장치들은 많은 결점을 지니고 있다. 예를 들면, 원하지 않게도, 상부 측면외에, 기판의 모서리들 역시 처리 액체로 적셔진다. 이에 대해, 처리 액체가 옆면으로 흘러 내리는 것을 피하기 위하여 적절히 복잡하거나 정확한 적용 기술들이 필요하다. 이러한 목적으로, 주위를 봉하는 링들이 보통 사용되는데, 이는 또한 처리 액체가 물 욕조에 들어가서 오염시키지 않는다는 것을 보장 해야 한 다. 게다가, 적용된 액체를 갖는 상부 측면은, 사용자에 대한 위험 뿐만 아니라 기판의 오염을 배제하기 위하여 환경에 맞서 감싸져야 한다. 또한 처리 액체의 정확한 도우싱(dosing)이 언제라도 재현가능하게 보장되어야 하는데, 이는 그렇지 않을 경우 서로다른 층 두께에 귀착되고/또는 서로다르게 전개되어 불균질한 층들에 귀착되기 때문이며, 이로써 예를 들면 나중에 처리되는 생산물의 효율 등의 기능성 특징들이 영향을 받을 수 있다. 가능한한 초과량의 처리 액체는 배출되야하고 재조정되거나 처분되야 한다. 게다가, 물의 온도가 100℃ 보다 현저히 낮아야 하므로 그렇지 않으면 버블 및 스팀의 형성이 증가되기 때문에, 따라서 열 공급의 양을 제한하여, 가열을 위해 물 욕조를 사용할 때, 상대적으로 느린 온도 상승만이 일어난다. 더욱이, 물 욕조의 물에 의해 적셔지는 기판 측면이 처리후 다시 건조되야 하며, 추가의 처리 단계를 필요로 하고 건조로 인한 원하지 않는 물질의 퇴적될 위험성이 있다. 마지막으로 그러한 장치들은 소위 "배치-모드", 즉 배치 방법으로 불-연속적으로 생산하고, 이는 처리량을 제한하고 특히 고 및 최고 분량에 관하여 바람직하지 않다. 특히, 높은 기계적 및 유동적 처리 노력이 이 불-연속적인 처리로부터 생기고, 그에 따라 고 비용 및 처리 시간의 증가에 이르게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 상세하게는 평탄 기판의 코팅과 같은 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법 및 장치를 제공하는 것으로, 이에 의해 최신 기술에 따른 문제점들이 극복된다. 본 발명에 따르면, 상기 방법 및 상기 장치는 최대 균질성을 확보하게 되고, 처리 되지 않을 측면이 처리 지속시간 동안에 가열 액체로 적셔지지 않는 상태에서, 연속 방식, 즉 "인라인"-처리 과정에서 평탄 기판상에 적용될 수 있다. 게다가, 상기 방법은, 기판이 예를 들면 진공 척(vacuum chuck)에 의해 위로부터 파지(把持)되지 않은 상태에서 또는 처리 액체에 의해 적셔지지 않게 보호되지 않는 상태에서 일-측면의 표면 개질 또는 코팅을 가능하게 한다.
상기 목적의 해결책으로, 주된 청구항에 따른 방법 및 청구항 13에 따른 장치가 제공된다. 각각의 종속항들의 요지, 다음의 설명 및 도면은 바람직한 실시예들이다.
본 발명은 처리 조에 존재하는 액체를 사용하여, 예를 들면, 각각의, 유리, 금속 및/또는 플라스틱 플레이트 또는 호일과 같은 예를 들면 본질적으로 평탄 기판의 일-측면의 습식 화학 코팅과 같은 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법에 관한 것으로, 상기 액체의 화학적 성분들은 영구층이 형성되는 기판 표면상으로 적당한 온도 제어에 의해 침전가능(퇴적가능)하다. 본 발명에 따르면, 원하는 층을 형성하는데 필요한 코팅될 기판의 하부 측면의 가열은 처리 액체에 의해 달성되는 것이 아니라 바람직하게는 액체 또는 처리 조의 외부에 위치되고 기판을 필요한 온도로 가열할 수 있는 적어도 하나의 적당한 수단에 의해 달성된다. 본 발명에 따르면, 처리되지 않을 상부 측면이 가열 액체로 처리하는 동안 적셔지지 않는 것이 제공되어서, 상부 측면은 처리 액체와 접촉하지 않고 열 전달하는 또 다른 가열 액체와도 접촉하지 않는다. 본 발명에 따르면 바람직하게는 처리되지 않는 측면의 어떠한 젖음도 일어나지 않기 때문에, 또한 결과적으로 이후에 액체를 제거하거나 처리되지 않을 기판 표면을 건조해야할 필요가 없다. 본 발명에 따르면, 처리하는 동안 기판은 위로부터 파지 되지도 보호 되지도 않는 것이 추가로 제공되어서, 기판은 단지 본 발명에 따른 장치의 적어도 하나의 적당한 지지체 상에 위치하며 이는 예를 들면 진공 척 등의 홀더를 사용하지 않고 행해질 수 있다.
본 발명에 따르면, 원할 경우, 주위 기판 모서리를 포함하는 하부 측면에 대한 개질 또는 코팅이 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 방법은, 유리, 금속 및/또는 플라스틱으로 제조된, 박막 태양 전지 또는 모듈을 생산하는 과정에서 수행되는 것이 특히 바람직하며, 여기서 바람직하게는 수성 처리 액체는 각각의 카드뮴 또는 아연 황산염 또는 아세트산염, 그리고 예를들면 티오우레아(THS, CH4N2S) 등의 황 소스와 예를 들면 암모니악(NH4OH)등의 질소 소스를 포함한다. 가장 바람직하게는, 반응물의 농도가 약 0.1mol/ℓ카드뮴 또는 아연 황산염, 최대 1mol/ℓTHS, 및 약 16mol/ℓ암모니악에 이르는 처리 액체가 사용된다. 그러한 처리 액체들은 이 기술분야에서 알려져 있고 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 용이하게 제공될 수 있다.
하지만, 상기 방법은 이 처리 액체에 한정되지도 이 적용에 한정되지도 않는다. 고체 플레이트 물질의 코팅이외에, 또한 본 발명에 따른 방법은 예를 들면 폴리이미드 또는 스테인레스 강 호일과 같은 연성 롤 또는 호일 물질의 코팅에 사용될 수 있다. 위에서 언급된 물질들 이외에, 예를 들면 Si, Ge, CdTe 또는 또한 전도성 폴리머 등의, 광전지분야에서 보통의 다른 원소 또는 화합물 반도체들에 의해서 뿐만아니라 상호간에 의해서 동일한 층 형성이 고려될 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 따른 방법은 유기 발광 다이오드(OLED)의 제조할 때에도 사용될 수 있다.
본 발명은 언급된 타입의 평탄 기판의 무-전류 및 전류-매개형 코팅 양쪽 모두에 대해 알맞다는 것이 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하지만, 현재로서는 무-전류 코팅이 바람직하다.
최대한 높고 일정한 품질을 갖는 코팅을 이루기 위해, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 처리 액체의 조성 및/또는 온도가 연속적으로 모니터링되며 필요할 경우 재조정된다.
본원에 따라, 예를 들면 센서와 같은 적절히 알맞은 수단이 처리 액체의 조성을 모니터링 하는데 사용되며, 이는 특히 바람직하게 제어 장치에 연결된다. 적용가능할 경우, 이 제어 장치는 처리 액체로의 반응물의 피드-인(feed-in)을 조절한다. 대안으로 또는 추가로, 바람직하게는 처리 지속시간 동안 일정 횟수로 또는 복수의 기판들을 이후에 처리하는 사이에, 반응물들의 각각의 혼합 비 및/또는 농도를 결정하기 위한 샘플들은 액체로부터 취해질 수 있으며, 따라서 결과에 따른 재조정을 가능하게 한다.
처리 액체의 원하는 온도 범위를 모니터링 하기 위해, 예를 들면 특히 적용의 목적으로 제공되는 최대 온도를 유지하기 위해, 또한 예를 들면 센서 등의 적절히 알맞은 수단이 사용될 수 있으며, 이들이 추가의 제어 장치에 연결되는 것이 또한 바람직하며, 그에 의해 예를 들면 냉각된 처리 액체를 갖는 저수 탱크의 밸브들이 제어될 수 있다.
또 하나의 바람직한 실시예에 따르면, 처리하는 동안 처리될 하부 측면을 갖는 기판은 알맞은 이송 수단 상에 위치하고 액체 위로 또는 액체를 통해 연속적으로 이송된다. 특히 바람직하게는, 이송은 오직 기판의 하부-측면만이 처리 액체와 접촉하도록 일어난다. 본 실시예에 따르면, 상기 방법은 비교적 짧은 사이클 시간으로 보다 많은 양을 처리하기 위해 연속적인 "인라인"-제조 과정에서 사용될 수 있다.
상기 방법의 또 하나의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 기판을 가열하기 위한 복수의 가열 수단이 사용되며, 그의 기판으로의 열 전달과 또는 그의 동력(power)은 서로 독립적으로 제어될 수 있다. 이 제어는 각각의 수단의 간단한 온/오프 스위칭에 의해, 상기 기판상에 가해지는 열 또는 동력의 양을 제어하는 것에 의해, 및/또는 알맞은 오리피스 또는 필터를 광 경로(ray path)에 도입하는 것에 의해 달성될 수 있다.
부동의 이송 수단을 갖거나 갖지 않는 정전기 처리의 경우에, 기판의 하부 측면은 그것을 코팅하는 동안 바람직하게는 균일하게 서로 다른 온도로 가열되어, 특히 양호한 코팅 결과가 얻어질 수 있다. 본 발명에 따르면, 처리 지속시간 동안에 기판의 하부 측면에 서로 다른 온도들이 가해질 때, 기판의 코팅은 심지어 최고 품질 요구을 달성할 수 있다는 것이 입증될 수 있으며, 이는 특히 기판의 하부 측면이 처리 초기에 상대적으로 낮은 온도와 처리의 뒤따르는 과정에서 상대적으로 더 높은 온도에 노출될 때, 특히 사실이다. 항상 높은 반응 온도와 비교하여, 이 방식에서, 코팅될 기판 표면에서 보다 우수하고 보다 균질의 증착을 얻게된다. 기판을 연속적으로 이송하는 처리의 경우에, 가열 수단은 바람직하게는 서로 독립적으로 제어되어 코팅될 기판 하부 측면이 액체 위로 또는 액체를 통하여 이송되는 동안 다르게 가열되고 따라서 이송 방향으로 예정된 온도 프로파일을 받거나 경험하게 된다. 이 방식에서, 가열 수단의 각각의 동력은 또한 처리 조의 이송 방향에서 봤을 때, 그것은 상기 조의 각기 다른 위치에 있는 기판으로 또는 기판에서 높은 열량을 다르게 이송하거나 유도하여, 예를 들면 감소된 화력(heat power)이 욕조의 초기에 존재하고 전체 화력이 욕조의 중간 영역에 존재하도록 재조정될 수 있다. 그렇게 할 때, 또한 기판 하부 측면에 대한 서로 다른 온도들의 작용으로부터 얻어지는 전술한 효과는 연속적인 공정으로 얻어질 수 있다. 가열하는 동안 온도 프로파일을 통한 통과는 오직 -가능한 한- 매우 제한된 방식이고 그 다음 오직 적절히 긴 반응 시간으로 이루어질 수 있는, 이 기술분야에서 알려진 장치들과 반대로, 본 발명에 따르면 급격하고 또한 국부적으로 잘 제어가능한 기판으로의 열 전달 또는 기판에서의 열 유도가 각각 발생된다.
기판을 연속적으로 이송하는 경우에, 가열 수단의 제어는, 이송 방향에 수직한 기판의 절단 평면에서, 전술한 온도 프로파일이 기판의 전체 폭에 걸쳐, 그리고 특히, 코팅될 그의 하부-측면의 영역에서 거의 일정한 방식으로 달성되는 것이 특히 바람직하다. 유리하게도, 기판의 하부 측면의 영역에서의 온도 편차는 ±1%이하이어야 한다.
가열 수단을 직접 제어하는 대신에, 이들은 언제라도 일정한 양의 열을 방출할 수 있지만, 열은 오리피스 또는 필터 등의 추가 수단에 의해서 감소될 수 있고/또는 거울 또는 렌즈들에 집중되어, 원하는 열 분포가 코팅될 기판의 표면에서 달성될 수 있다.
또 하나의 실시예에 따르면, 기판을 가열하기 위한 적어도 하나의 가열 수단은 열 복사체, 열 전달 장치, 열 유도체 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 열 복사체는 기판과 직접 접촉하지 않고 열이 기판으로 복사에 의해서만 그리고 바람직하게는 장-파 적외선 영역에서 전달되지만, 고체 이외에 또한 예를 들면 뜨거운 공기 등의 가스를 포함하는 열 전달 장치들은 처리되지 않을 상부 측면과 직접 물리적으로 접촉하고, 이들은 기판으로의 열 전달의 형태로 열을 전달한다. 마지막으로, 열 유도체들은 열을 자체적으로 제공하지 않으나 예를 들면 복사를 통해 일정량의 에너지를 전달하고, 이 일정량의 에너지는 그 다음 기판 내부에서 또는 그의 표면에서 열 에너지로 변환되며, 이로 인해 적절한 흡수체가 기판에 의해 포함되어야만 한다. 따라서 이들 열 유도체들은 그러한 열을 제공하지 않지만, 이들은 전적으로 본 발명에 따른 가열 수단의 군에 속하는데, 이들이 또한 개질되거나 코팅될 기판의 측면에 대해 원하는 가열을 일으키기 때문이다. 따라서, 적어도 하나의 가열 수단의 수, 위치 그리고 제어에 관한 본 발명의 일반적이고 바람직한 설명들은 명백하게 열 유도체에 대해서도 유효하다. 본 발명에 따르면, 열 복사체 및 열 유도체 그리고 이들의 조합이 바람직한데, 특히 복사가 처리될 기판의 하부 측면에 위치한 알맞은 흡수체에 의해 흡수되면, 그리고 기판 몸체의 잔부를 거의 방해받지 않고 통과하면, 오직 이들 수단만이 기판 몸체를 통해 곧바로 기판의 하부 측면의 선택적인 가열을 이루는 가능성을 제공하기 때문이다.
열 복사체 관련하여, 이는 예를 들면, 태양 전지 제조에 사용되는 것처럼, 일-측면이 금속으로 코팅된 유리 기판에 적용된다. 적어도 부분적으로 투명한 기판의 경우에, 또한 그러한 전지 또는 모듈은 기판과 예를 들면 생성될 CdS- 또는 ZnS-층 등의 황화물 층사이에 배열된 금속 층 등의 반사성 및/또는 흡수성 층을 포함하며, 처리되지 않을 측면으로부터 복사되고 적어도 부분적으로 기판 몸체를 관통하는 열 복사의 흡수가 반사성 및/또는 흡수성 층 자체에 의해 초래된다. 동시에, 이 층은 가열되어 열이 필요한 곳에만, 즉 처리될 기판 하부 측면에 직접적으로 열이 제공된다. 동시에, 이 층은 처리 액체로의 열 복사의 관통을 방지하고, 이는 본 발명에 따라 특히 바람직한데, 그렇지 않은 경우 액체 내에서의 열 유도 반응 공정도 직접적으로 기판 표면에서 보다 또 다른 위치에서 발생할 수 있기 때문이다. 열 복사에 대해 투명하지 않은 기판 물질의 경우에, 따라서 위치-특정적 흡수를 사용하는 것은 적용되지 않는다; 여기서, 기판은 전체적으로 가열되야만 한다.
따라서 바람직하게는, 적어도 하나의 열 복사체는 장-파 적외선 복사체, 적외선 레이저 및 마이크로파 장치로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
바람직하게는 적어도 하나의 열 전달 장치는 가열성 플레이트, 실린더, 롤러, 밴드, 매트 및 호일로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
전에 이미 언급한 바처럼, 본 발명에 따르면 증착에 필요한 열은 또한 예를 들면 전자기 유도 등의 유도 수단에 의해 생성되거나 제공될 수 있다. 전자기 유도는 자속의 변화로 인한, 예를 들면 바람직하게는 저-주파수 교류 전류 장의 적용으로 인한 전도성 루프를 따라 전압이 형성되는 것을 의미한다. 이 자속 변화는 자기장 내의 전도성 루프의 위치 또는 형상의 변화에 의해 그리고/또는 자기 장의 세기 또는 정향(orientation)의 변화에 의해 유도될 수 있다. 유도된 전압으로 인해, 전도성 루프의 원하는 가열(와 전류에 의한 유도 가열)에 귀착되는 전류가 흐른다. 본 발명에 따르면, 개질될 기판에 의해 포함되는 전도성 루프는 하나 또는 두개 부분 디자인을 가질 수 있고 임의의 형태를 갖는다; 또한 이는 기판의 완전체를 이루거나 표면에-위치하는 성분일 수 있다. 이러한 방식으로, 본 발명에 따르면 열 유도체들은 순수 금속 기판들의 개질 또는 코팅과 전도성 물질로 전체적으로 또는 부분적으로, 그리고 특히 줄무늬- 또는 점-형상으로 덮힌 표면을 갖는 기판들의 개질 또는 코팅에 대해 사용될 수 있다.
열 유도체들은 열 복사체와 비슷한 이점을 제공하고, 금속 기판이 존재할 때(예를 들면 금속 플레이트 또는 호일), 체적 가열이 발생하는 반면에, 그와 달리 비-전도성 기판 상에 금속 층이 단지 존재할 때, 이 금속 층만이 가열된다. 특히 두번째 경우에, 기판의 잔여 부분과 처리 유체와 접촉하는 금속 층으로부터 얻어지는 2차적 가열을 제쳐 놓으면, 남아 있는 기판 물질의 가열도 처리 액체의 가열도 일어나지 않는다. 하지만, 2차적 가열는 매우 효율적인 열 발생으로 인해 매우 낮다. 게다가, 유도에 의한 열의 발생은 다수의 추가 이점들을 갖는다. 공급될 열의 양은 매우 정확하게 투입될 수 있고, 열은 특히 신속하게 그리고 보다 높은 효율로 공급되고, 또한 주위 물질이 유도 복사에 대해 투명하는 한, 끼워 넣어진 층들이 가열될 수 있다.
바람직하게는 적어도 하나의 열 유도체가 전자기유도 코일 및 전자기 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 측면에 따르면, 본 발명에 따른 방법을 수행하기 위한 장치가 제공된다.
본 발명에 따른 특히, 본질적으로 평탄 기판의 코팅과 같은 일-측면의 습식 화학 표면 개질 장치는 처리 액체의 수용을 위한 적어도 하나의 처리 조, 코팅될 기판 하부 측면을 원하는 층의 형성을 위해 필요한 온도로 가열하기 위한 적어도 하나의 알맞은 가열 수단 및 처리될 측면이 아래를 향하도록 기판을 지지 및 위치시키기 위한 적어도 하나의 수단을 포함하고, 여기서, 상기 장치는 기판이 위로부터 파지되거나 보호될 수 있는 수단을 포함하지 않는다. 바람직하게는 가열하기 위한 적어도 하나의 가열 수단은 열 복사체, 열 전달 장치, 열 유도체 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 이로써 특히 바람직하게는 적어도 하나의 열 복사체가 장-파 적외선 복사체, 적외선 레이저 및 마이크로파 장치로 이루어지는 군으로부터 선택되는 한편, 바람직하게는 적어도 하나의 열 전달 장치는 가열성 플레이트, 실린더, 롤러, 밴드, 매트 및 호일로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 바람직하게는 적어도 하나의 열 유도체는 전자기 유도 코일 및 전자기 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 장치는, 적어도 하나의 열 복사체 또는 열 유도체를 포함하고, 여기서 본 발명에 따르면 또한 적어도 하나의 열 전달 장치가 포함될 수 있다. 물질 또는 과정으로서, 이들 가열 수단들의 조합도 가능하다.
적어도 하나의 가열 수단은 처리 조 또는 처리 액체의 내부 뿐만아니라 외부에도 배열될 수 있다. 하지만, 처리 조 또는 처리 액체의 외부에 배열하는 것이 가열 수단을 보호하는 이유로 바람직하다. 다른 한편으로, 가열 수단을 처리 조 또는 처리 액체의 내부에 배열하는 것이, 예를 들면 가열 수단과 코팅될 기판 하부 측면 사이의 거리를 가능한한 짧게 유지하기 위해서, 또는 기판 물질의 잔여 부분은 열 또는 유도 복사에 대해 불-투명하므로, 코팅될 기판 표면의 배타적인 가열이 가능하지 않기 때문에, 유리할 수 있다. 여기서, 유도체를 사용하는 것이 특히 바람직한데, 또한 유도체가 선택적으로 끼워넣어질 수 있는 처리 액체는 유도적으로 가열성이 아니기 때문이며, 처리 액체의 온도는 처리 액체 내의 가열 수단의 배열에도 불구하고 변하지 않거나 오직 최소한으로 변한다. 본 발명에 따르면, 처리 조 또는 처리 액체 내부에 가열을 위한 적어도 하나의 가열 수단을 위치시키는 경우에, 특히 열 유도체와 같은 그러한 수단만이 사용되는 것이 확보되야만 하고, 그의 활성화는 본질적으로 허용할 수 있는 양을 넘는 처리 액체의 가열에 귀착되지 않거나 본질적으로 기술 분야에서 설명된 바람직하지 않은 반응들(예를 들면, 콜로이드의 형성)의 어느 것도 유도하지 않는다.
바람직한 실시예에 따르면, 처리 조는 기판에 의해 접촉될 수 있는 처리 액체의 표면 면적의 크기가 대략적으로 코팅될 기판의 크기에 해당하는 방식으로 디자인되어, 기판의 전체 표면이 동시에 코팅될 수 있다. 기판이 모서리까지 완전히 (그의 전체 표면상에) 코팅될 경우, 상기 조는 기판 폭 보다 적어도 약간 더 클 수 있다. 대안으로, 기판이 적절한 폭의 경계 영역으로 처리되지 않을 경우, 상기 조는 기판의 폭보다 적어도 약간, 바람직하게는 약 0.8㎝ 더 작을 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 장치는 적어도 하나의 입구를 포함하고, 이를 통해 처리 액체가 바람직하게는 연속적으로 처리조속으로 흐르며, 상기 장치는 적어도 하나의 립(lip)을 포함하고, 이를 넘어 처리 액체가 상기 조로부터 배출될 수 있고 바람직하게는 집수 탱크로 공급될 수 있다. 상기 조로부터의 처리 액체의 서로 다른 방출 속도는 립의 둑(weir) 높이에 따라 이루어진다. 바람직하게는 순환기 펌프가 액체 이송에 사용될 수 있다. 바람직하게는 처리 조의 욕조 깊이는 1㎜ 내지 40㎜일 수 있고 특히 바람직하게는 조정가능할 수 있다. 더욱이, 욕조 깊이는 이송 방향으로 웨지-형(wedge-shaped)으로 상승하게 및/또는 경사지게 제공될 수 있다. 결과적으로, 서로 다르고 적용에 따라 유리한 유동 특성이 처리 조 내부에서 생성될 수 있다. 더욱이, 이들은 펌핑 용량의 증가 또는 감소에 의해 영향을 받을 수 있어, 기판 표면에 바로 근접한 액체의 조성의 바람직하지 않은 변화가 저지될 수 있다. 집수 탱크에서, 바람직하게는 그 안 또는 그 위에서 처리 조가 배열되고, 과도한 처리 액체는 수집되고 특히 바람직하게는 다시 적절한 회로속으로 되돌려 져서, 처리 액체의 최대한 낮은 소비가 달성된다.
바람직한 실시예에 따르면, 상기 장치는 처리 액체의 조성 및/또는 온도를 기록할 수 있고 필요할 경우, 데이타를 이후에 배열되는 제어 장치로 전달할 수 있는 센서를 더 포함하고, 바람직하게는 이 장치는 상기 장치에 의해 포함되거나 기능적으로 동일물에 할당된다. 이 제어 장치는 측정된 실제 값과 저장된 원하는 값(들)을 비교하고, 필요할 경우, 예를 들면 냉각된 처리 액체를 갖는 저수 탱크의 밸브를 제어하는 방식으로 처리 액체의 조성 또는 온도를 조정한다. 바람직한 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 장치는 처리 액체를 혼합하기 위한 적어도 하나의 혼합 수단을 더 포함하고, 이는 추진류(drag flow), 대류, 초음파 및/또는 노즐로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 균질한 결과를 위해, 처리 욕조 내 처리 액체의 조성 및 농도가 기판 표면의 매 위치에서 가능한한 동일할 것이 특히 중요하다. 가능할 경우, 따라서 처리 조로 흐르는 예정된 처리 액체는 철저히 혼합되야만하고, 이는 바람직하게는 적합한 수단의 제공에 의해 달성된다. 욕조 내에서 필요할 수 있는 이 농도 조정은 예를 들면 온도 대류에 의해서, 그리고 바람직하게는 예를 들면 초음파 송신기 및/또는 노즐의 지원에 의해 달성될 수 있고, 이는 특히 바람직하게는 멀티모드에서 본 발명에 따른 알맞은 장치에 존재하며, 유입 액체의 균질한 분포를 확보하게 된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예에 따르면, 기판을 지지하기 위한 적어도 하나의 수단이 처리하는 동안 기판을 이송하기 위한 적어도 하나의 수단으로서 제공된다. 처리하는 동안 기판 이송이 없는 경우에 대해 이미 언급된 바처럼, 이 또는 이들 수단은 이들이 기판을, 기판의 처리될 측면이 아래를 향하게 놓고, 즉 기판이 이송 수단 위에 위치하고 처리 액체 위로 또는 통하여 이송될 수 있는 방식으로 디자인된다. 처리되지 않을 기판의 측면의 어떠한 종류의 보호도 제공되거나 필요하지 않다. 원할 경우, 기판은 기판의 모서리들의 젖음이 적어도 상당히 회피될 정도로 액체보다 위에 높게 위치될 수 있다.
본 발명에 따라 알맞은 적어도 하나의 이송 수단은 이송 롤러, 이송 밴드 및 이송 벨트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것이 특히 바람직하고, 이 수단은 바람직하게는 약 10㎝/min 내지 약 3.0m/min, 그리고 특히 바람직하게는 약 1.2 내지 1.5m/min의 기판의 이송 속력을 제공할 수 있다. 욕조 액체의 혼합은 코팅될 표면의 자연적인 추진류에 의해 추가의 부속물 없이도 달성되거나 적어도 지원될 수 있다. 조 모서리를 양쪽 측면상에서 내미는 기판의 경우에, 이 기판 경계는 바람직하게는 이송 수단을 위한 지지 면적의 역할을 할 수 있다. 이송 밴드 형태의 이송 수단의 특히 바람직한 실시예에 따르면, 또한 동일물은 기판의 주변 모서리 및/또는 상부 측면의 원하지 않는 젖음을 회피하기 위한 밀폐 수단의 역할을 할 수 있다. 게다가, 집수 탱크속으로의 처리 액체의 옆면 흘러 넘침이 이에 의해 회피할 수 있다. 본 발명에 따르면, 처리 액체의 소비는 바람직하게는 변경된 이송 속력에 맞게 립의 둑 높이를 개조하여 조정될 수 있다.
처리하는 동안 기판의 의도된 연속적인 이송의 경우에, 처리 조는 바람직하게는 그의 폭, 즉 그의 이송 방향에 수직한 수평 치수가 대략적으로 코팅될 기판의 폭에 해당하는 방식으로 디자인되어, 기판은 그의 전체 폭에 걸쳐 동시에 코팅될 수 있다. 경계 면적이 처리되지 않기를 원할 가능성이 있는 경우에, 이송이 없는 처리에 대한 위의 설명들이 유사하게 적용된다.
바람직한 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 장치들은 기판을 가열하기 위한 수개의 독립적으로 제어가능한 가열 수단과 동일물의 개별적인 제어를 위한 제어 장치를 더 포함한다. 따라서, 개별적인 제어는, 가열 수단에 노출되는 동안 기판상에 서로 다른 열 또는 동력 공급이 작용하는 영역들의 생성을 허용한다. 기판은 이송하는 동안 이들 영역들을 통과하여, 기판 하부 측면상의 매 위치가 본 발명에 따른 예정된 온도 프로파일을 받거나 경험하게 된다. 하지만, 이송 방향에 수직한 기판의 절단 평면에서, 특히 그의 코팅될 하부 측면에서의 온도 프로파일이 상당히 일정한 것이 확보되야 한다.
바람직한 실시예에 따르면, 기판의 선택적인 단면 가열은 동일물이 처리 액체의 표면 보다 위에 위치될 때에만 달성된다. 이에 대해, 바람직하게는 기판의 위치를 탐지하기 위한 적어도 하나의 수단이 제공될 수 있으며 이는 가열 수단을 표적 제어하는 기능을 하여, 그 보다 아래 또는 위에 기판이 현재 위치된 오직 그러한 가열 수단만이 활성화되도록 하다. 따라서, 덮히지 않은 욕조를 바람직하지 않게 가열하지 않는 것이 이루어질 수 있다. 기판의 위치를 탐지하기 위한 수단은 바람직하게는 기계적인 센서, 광학적인 센서 그리고 이송 장치와 결합된 그러한 것들로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 실제 측정 없이도, 후자는 기판의 예상 위치를 제어부에 보고하고, 그 다음 제어부는 차례로 가열 수단의 적절한 활성화를 일으킨다.
바람직한 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 장치는 처리 액체를 냉각하기 위한 수단을 더 포함한다. 바람직한 실시예에 따르면, 처리 액체는 처리 액체를 기판 표면으로부터의 열 전달에 의해 가열하는 것의 위에서 언급한 바람직하지 않은 효과들을 저지하기 위해 능동적으로 또는 수동적으로 냉각될 수 있다. 처리 액체가 통과하여 흐르게 디자인된 냉각 핀들이, 예를 들면 수동 냉각에 제공될 수 있다. 하지만, 그들의 효율은 주위 온도에 의존하고 따라서 특히 낮은 온도 차에 제한된다. 따라서, 활성 냉각이 바람직하며, 그에 의해 보다 큰 열 량이 처리 액체로 부터 예를 들면 전기적으로 작동될 수 있는 열 교환기에 의해 빼내어 질 수 있다. 이들 열 교환기들은, 처리조로부터 흘러나온 액체가 열교환기를 통해 흐르고 그다음 상기 조로 되돌려지는 액체 회로 내의 방식으로 배열된다. 가장 바람직하게는, 되돌려지고, 냉각된 액체는 먼저 혼합 탱크에 들어가고, 혼합 탱크에서, 필요할 경우, 바람직한 조성의 재조정이 달성되어, 처리조에 질이 적절하게 조절되고 새로운 처리 액체가 공급될 수 있다.
기판상으로 가열하기 위한 가열 수단의 최대한 균일한 효과를 달성하기 위해, 또한 본 발명에 따른 장치는, 또 다른 바람직한 실시예에 따라, 실제 코팅 공정 이전에 정의된 온도로 기판을 가열하는 예비-가열 장치를 더 포함한다. 이에 의해, 예를 들면, 서로 다른 주위 온도들의 영향들이 상당히 보상될 수 있다. 예비-가열 온도는 바람직하게는 위에서 언급된 코팅 공정의 최적 개시 온도에 해당하는 방식으로 조정된다.
본 발명에 따른 장치는 실제 코팅 공정과 필요할 경우 선택적인 예비-가열 공정 이전에 예를 들면 필터 크리닝을 위한 크리닝 단계를 이행하는 것을 가능하게 하는 예비-크리닝 장치를 더 포함할 수 있다.
코팅 후에, 존재 가능한 과도한 처리 액체는 예를 들면 장치에 의해 선택적으로 포함되는 공기 흐름 등의 액체 제거 장치에 의해 기판 표면으로부터 제거될 수 있다.
상기 장치는 헹굼 및/또는 건조 장치를 더 포함할 수 있고, 이에 의해 이전에 설명된 공정 단계들은 기판의 헹굼 및/또는 건조 단계가 뒤 따른다.
궁극적으로, 본 발명에 따른 장치는, 먼저 기판이 코팅될 측면이 위를 향하는 상태에서 코팅으로 보내지고/또는 코팅후에 이 정향으로 이송되게 되면, 턴오버(turnover) 단계를 수행하기 위한 하나 또는 수개의 턴오버 장치들을 더 포함할 수 있다. 이 목적에 사용되는 장치는 기판의 급속하며, 안전하고 손상-없는 전환을 가능하게 해야만 한다.
본 발명에 따른 방법 및 장치는 평탄 기판의 일-측면 습식 화학 코팅에 관하여 예시되었다. 하지만, 본 발명에 따른 방법 및 장치는 일반적으로 본 발명의 본질적인 특징들을 변경함이 없이 평탄 기판의 일-측면 습식 화학 표면 개질에 사용될 수 있다는 것은 분명하다.
도 1은 본 발명에 따른 특히 평탄 기판의 코팅과 같은 일-측면 습식 화학 표면 개질 장치(1)의 주요 특징들을 개략적으로 나타낸다.
도 1에는 부분적으로 처리 조(3) 보다 위에 위치된 평탄 기판 (2)을 나타낸다. 처리 조(3)는 처리 액체(F)로 채워져 있다. 더욱이, 처리 조(3)는 냉각 조(4)에 배열되어 있다. 냉각 조(4)는 냉각 액체(K)로 채워져 있으며, 냉각 액체(K)는 처리 조(3)의 온도가 처리 조(3)로부터 열을 흡수하여 제거하는 원하는 온도에 해당하는 것을 확보한다. 처리 조(3)는 도면에서 얇은 선으로 묘사된 적절한 도관(5)에 의해 혼합 탱크(6)에 연결된다. 이 혼합 탱크는 수개의 저수기(7)에 의해 공급되며, 이에는 처리 액체(F)의 성분들이 존재한다. 냉각 액체(K)는 유동적으로 연결 되는 냉각을 위한 냉각 수단(8)에 의해 원하는 냉각 온도로 유지되고, 냉각 액체(K)는 냉각을 위한 수단(8)과 유동적으로 연결된다. 또한 냉각을 위한 냉각 수단(8)과 혼합 탱크(6)가 유동적으로 연결되어, 혼합 탱크(6)에 존재하는 새로운 처리 액체(F)의 질 조절(tempering)을 가능하게 한다. 과도한 또는 소비된 처리 액체(F)는 처리 조(3)로부터 배출관(9)을 통해 유출될 수 있다.
처리 액체의 레벨의 높이는 처리 조(3)의 립(10b)의 형태의 출구에서 그리고 입구(10A)에 배열된 둑에 의해 조정될 수 있다.
가열 수단(11)은 처리 조(3) 보다 위에 배열되고 따라서 기판(2) 보다 위에 배열된다. 동일물의 작동을 위해 필요한 전기 와이어 등은 명확성의 이유로 도시되지 않았고, 이는 바람직하게는 현재의 제어 또는 조절 장치 등과 처리 액체(F) 또는 냉각 액체(K)의 전달에 필요한 펌프에도 적용된다.
이송 방향(12)으로 기판(2)이 움직일 때, 동일물은 그의 코팅되지 않을 상부 측면으로부터 가열된다. 이에 의해, 파선으로 묘사된 온도 프로파일(13)이 노출 지속 시간과 조사 동력의 수준에 따라 전개된다. 바람직하게는 온도 프로파일은 기판(2)의 전체 폭에 걸쳐 일정하고, 기판 폭은 투영 평면에 수직하게 연장된다.
기판(2)이 통과하는 동안 처리 액체(F)를 더 잘 혼합하고 처리 액체(F)의 표면-근처 부분들이 원하지 않게 기판에 의해 가열될 가능성을 제거하기 위해, 도면에서 초음파 변환기로 제공된 혼합을 위한 수단(14)이 처리 조(3)보다 아래에 배열된다.
도면 부호 목록
1 장치
2 기판
3 처리조
4 냉각조
5 도관
6 혼합 탱크
7 저수기
8 냉각 수단
9 배출관
10A 입구
10B 립
11 가열 수단
12 이송 방향
13 온도 프로파일
14 혼합 수단
F 처리 액체, 액체
K 냉각 액체

Claims (24)

  1. 처리조(3)에 존재하는 액체(F)를 사용하여 상세하게는 평탄 기판(2)의 코팅과 같은 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법으로서, 상기 액체의 화학적 성분들은 영구층이 형성되는 상기 기판의 표면상에 적절한 온도 제어에 의해 침전가능하며, 여기서 원하는 층을 형성하는데 필요한 상기 기판의 코팅될 하부 측면의 가열은 상기 처리 액체에 의해 이루어지는 것이 아니라, 처리되지 않을 상기 기판의 상부 측면을 가열 액체로 처리하는 동안 적시지 않고 또한 상기 기판(2)을 위로부터 파지(把持)하거나 보호하지 않은 상태에서, 상기 기판(2)을 필요한 온도로 가열할 수 있는 적어도 하나의 알맞은 가열 수단(11)에 의해 상기 기판의 하부 측면의 가열이 이루어지는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판(2)은 유리, 금속, 및/또는 플라스틱을 포함하고, 상기 코팅은 박막 태양 전지 또는 모듈을 제조하는 과정에서 수행되고, 상기 처리 액체(F)는 각각의 카드뮴 또는 아연 황산염 또는 아세트산염을 포함하는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리 액체(F)의 조성 및/또는 온도는 연속적으로 모니터링되고 필요할 경우 재조정되는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 처리될 하부 측면을 갖는 상기 기판(2)은 처리하는 동안 이송 수단상에 위치되고, 상기 액체(F) 위로 또는 상기 액체(F)를 통해서 연속적으로 이송되는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판(2)의 수개의 가열 수단(11)이 사용되고, 상기 가열 수단(11)의 동력은 서로 독립적으로 제어될 수 있는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판의 상기 하부 측면은 상기 하부 측면을 코팅하는 동안 균일하게 서로 다른 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 가열 수단(11)은 상기 기판의 코팅될 상기 하부 측면이 상기 액체(F) 위로 또는 상기 액체(F)를 통해 상기 기판이 이송되는 동안 이송 방향(12)으로 예정된 온도 프로파일(13)을 받거나 경험하는 방식으로 서로 독립적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 온도 프로파일(13)은, 상기 이송 방향(12)에 수직한 상기 기판(2)의 절단 평면에서 상당히 일정한 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판(2)의 상기 가열 수단(11)은 열 복사체, 열 전달 장치, 열 유도체 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 열 복사체(들)은 장-파 적외선 복사체, 적외선 레이저 및 마이크로파 장치로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 열 전달 장치(들)은 가열성 플레이트, 실린더, 롤러, 밴드, 매트 및 호일로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 열 유도체(들)은 유도 코일 및 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 방법.
  13. 상세하게는 평탄 기판(2)의 코팅과 같은 일-측면의 습식 화학 표면 개질 장치(1)로서, 처리 액체(F)의 수용을 위한 처리조(3), 원하는 층을 형성하는데 필요 한 온도로 상기 기판의 코팅될 하부 측면을 가열하기 위한 적어도 하나의 알맞은 가열 수단(11), 및 상기 기판의 처리될 측면이 아래를 향하는 상태에서 상기 기판을 지지하고 위치시키기 위한 적어도 하나의 수단을 적어도 포함하고, 상기 장치(1)는 상기 기판을 위로부터 파지(把持)하거나 보호할 수 있는 임의의 수단을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 장치(1).
  14. 제13항에 있어서, 상기 기판(2)에 의해 접촉될 수 있는 상기 처리 액체(F)의 표면 면적의 크기는 대략적으로 상기 기판(2)의 크기에 해당하는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 장치(1).
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 처리 액체(F)가 상기 처리 조(3)로 흐르게되는 적어도 하나의 입구(10A)와, 상기 처리 액체(F)가 상기 처리 조(3)로부터 흘러나가는 적어도 하나의 립(10B)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 장치(1).
  16. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 액체(F)를 혼합하기 위한 적어도 하나의 혼합 수단(14)을 더 포함하고, 상기 혼합 수단(14)은 추진류, 대류, 초음파 및/또는 노즐로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 장치(1).
  17. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판(2)을 지지하기 위한 상기 적어도 하나의 수단은 처리하는 동안 상기 기판의 이송을 위한 적어도 하나의 수단으로서 제공되어, 상기 기판(2)은 상기 기판(2)의 처리될 측면이 아래를 향하는 상태에서 상기 처리 액체(F) 위로 또는 상기 처리 액체(F)를 통하여 이송될 수 있는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 장치(1).
  18. 제17항에 있어서, 상기 이송을 위한 상기 적어도 하나의 수단은 이송 롤러, 이송 밴드 및 이송 밸트로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 상기 이송을 위한 상기 적어도 하나의 수단은 바람직하게는 약 10㎝/min 내지 약 3.0m/min, 그리고 특히 바람직하게는 1.2 내지 1.5m/min의 상기 기판(2)의 이송 속력을 제공할 수 있는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 장치(1).
  19. 제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판(2)을 가열하기 위한 수개의 독립적으로 제어가능한 가열 수단(11)과, 상기 수개의 독립적으로 제어가능한 가열 수단(11)을 개별적으로 제어하기 위한 제어 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 장치(1).
  20. 제13항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판의 위치를 탐지하기 위한 적어도 하나의 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 장치(1).
  21. 제13항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 액체(F)를 냉각 하기 위한 냉각 수단(8)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 장치(1).
  22. 제13항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 예비-가열 장치 및/또는 예비-크리닝 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 장치(1).
  23. 제13항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 헹굼 및/또는 건조 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 장치(1).
  24. 제13항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 또는 수개의 턴오버 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 일-측면의 습식 화학 표면 개질 장치(1).
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