KR20090128301A - Organic light emitting diodde desplay device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광다이오드 표시소자에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting diode display device.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 한다), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 한다) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다. Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. Such flat panel displays include liquid crystal displays (hereinafter referred to as "LCDs"), field emission displays (FEDs), plasma display panels (hereinafter referred to as "PDPs") and electric fields. Light emitting devices; and the like.
PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 경박단소하면서도 대화면화에 가장 유리한 표시장치로 주목받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. TFT LCD(Thin Film Transistor LCD)는 가장 널리 사용되고 있는 평판표시소자이지만 시야각이 좁고 응답속도가 낮은 문제점이 있다. 전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광소자와 유기발광다이오드소자(이하, "OLED"라 함)로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘 도 및 시야각이 큰 장점이 있다. PDP is attracting attention as a display device that is light and small and is most advantageous for large screen because of its simple structure and manufacturing process. However, PDP has low light emission efficiency, low luminance and high power consumption. TFT Film (Thin Film Transistor LCD) is the most widely used flat panel display device, but has a narrow viewing angle and low response speed. Electroluminescent devices are classified into inorganic electroluminescent devices and organic light emitting diode devices (hereinafter referred to as "OLEDs") according to the material of the light emitting layer, and emit light by themselves. They have fast response speed, high luminous efficiency, high brightness, and high viewing angle. There is an advantage.
OLED의 제조공정에는 외부의 수분이나 산소를 차단하여 수명을 보장하기 위하여 금속 캔 혹은 유리캡에 흡습제를 부착한 후 자외선 경화제를 이용하여 OLED 어레이가 형성된 기판과 접착하는 봉지 공정(Encapsulation process)이 필수적이다. Encapsulation process is essential for OLED manufacturing process to attach moisture absorbent to metal can or glass cap to block external moisture or oxygen and to adhere to OLED array substrate using UV curing agent. to be.
이러한 봉지공정에는 1차 패시베이션 공정에서 OLED 어레이가 형성된 기판 상에 다층의 무기물층(multi-Inorganic layer), 혹은 다층의 무기물층 및 유기물층으로 1차 페시베이션층을 형성하고, 2차 패시베이션 공정에서 금속 캔 또는 유리 캡을 OLED 어레이가 형성된 기판과 접착하는 2차 패시베이션층을 형성하고 있다. 따라서, 기존의 봉지공정은 많은 층의 무기물층과 유기물층을 반복하므로 그 박막층의 층수가 많고 두께가 두꺼워지며 공정수와 공정라인 길이가 길어질 수 밖에 없고 플렉서블 디스플레이(Flexible Display)에 적용하기가 어렵다. In this encapsulation process, a primary passivation layer is formed of a multi-inorganic layer, or a multi-layered inorganic layer and an organic layer on a substrate on which an OLED array is formed in a first passivation process, and a metal in a second passivation process. A secondary passivation layer is formed that adheres the can or glass cap to the substrate on which the OLED array is formed. Therefore, the conventional encapsulation process repeats the inorganic layer and the organic layer of many layers, the number of layers of the thin film layer is large, the thickness is thick, the process number and the length of the process line are long and it is difficult to apply to the flexible display.
따라서, 본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출된 발명으로써 봉지물의 구조를 단순화하고 플렉서블 디스플레이에 적용 가능한 유기발광다이오드 표시소자를 제공하는데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display device that can simplify the structure of an encapsulation and be applied to a flexible display.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 유기발광다이오드 및 박막트랜지스터 어레이와, 상기 유기발광다이오드 및 박막트랜지스터 어레이의 상면 및 측면을 감싸는 무기박막을 가지는 제1 기판; 컬러필터들이 형성되는 제2 기판; 및 상기 컬러필터들이 상기 유기발광다이오드 및 박막트랜지스터 어레이와 대향한 상태로 상기 제1 및 제2 기판을 합착하기 위한 제1 및 제2 실런트를 구비한다. In order to achieve the above object, an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention is a first substrate having an organic light emitting diode and a thin film transistor array, and an inorganic thin film surrounding the top and side surfaces of the organic light emitting diode and the thin film transistor array. ; A second substrate on which color filters are formed; And first and second sealants for bonding the first and second substrates with the color filters facing the organic light emitting diode and the thin film transistor array.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 원편광판; 유기발광다이오드 및 박막트랜지스터 어레이와, 상기 유기발광다이오드 및 박막트랜지스터 어레이의 상면 및 측면을 감싸는 무기박막을 가지는 기판; 및 상기 기판과 상기 원편광판을 합착시키기 위한 제1 및 제2 실런트들을 구비한다. An organic light emitting diode display device according to another embodiment of the present invention is a circular polarizing plate; A substrate having an organic light emitting diode and a thin film transistor array and an inorganic thin film surrounding the top and side surfaces of the organic light emitting diode and the thin film transistor array; And first and second sealants for bonding the substrate and the circular polarizer to each other.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 유기발광다이오드 및 박막트랜지스터 어레이와, 상기 유기발광다이오드 및 박막트랜지스터 어레이의 상면 및 측면을 감싸는 제1 무기박막을 가지는 기판; 컬러필터들이 형성되고 상기 컬러필터들 상에 형성되는 제2 무기박막을 가지는 원편광판; 및 상기 제1 및 제2 무기박막이 서로 대향한 상태에서 상기 기판과 상기 원편광판을 합착시키기 위한 제1 및 제2 실런트들을 구비한다. An organic light emitting diode display device according to another embodiment of the present invention includes a substrate having an organic light emitting diode and a thin film transistor array, and a first inorganic thin film surrounding the top and side surfaces of the organic light emitting diode and the thin film transistor array; A circular polarizer having color filters formed thereon and a second inorganic thin film formed on the color filters; And first and second sealants for bonding the substrate and the circular polarizing plate in a state where the first and second inorganic thin films face each other.
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 수분이나 산소 차단 효과의 저하없이 기판들 사이에 형성되는 봉지물의 층을 단순화하여 유연한 재 료 중심으로 봉지물을 구성하여 플렉서블 디스플레이에 적용될 수 있다. The organic light emitting diode display device according to the embodiments of the present invention can be applied to a flexible display by configuring the encapsulation around a flexible material by simplifying a layer of the encapsulation formed between the substrates without degrading moisture or oxygen blocking effects. .
이하, 도 1 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 9.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 유기발광다이오드 및 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 어레이(이하, "OLED & TFT 어레이"라 함)와 그 위에 무기박막(INSL2)이 형성된 제1 기판(SUBS1), 및 제1 및 제2 실런트(SL1, SL2)로 제1 기판(SUBS1)에 합착되고 컬러필터들(Color Filter, CF)이 형성된 제2 기판(SUBS2)를 구비한다. Referring to FIG. 1, an organic light emitting diode display device according to a first exemplary embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode and a thin film transistor (TFT) array (hereinafter, referred to as an "OLED & TFT array") and an organic light emitting diode display device. The first substrate SUBS1 on which the inorganic thin film INSL2 is formed, and the second substrate on which the first and second sealants SL1 and SL2 are bonded to the first substrate SUBS1 and the color filters CF are formed. (SUBS2).
제1 기판(SUBS1)은 유연성을 가지는 얇고 평탄한 금속기판, 유리기판 또는 투명 플라스틱 필름 등으로 제작된다. 이 제1 기판(SUBS1) 상에는 비디오 데이터에 따라 화상을 표시하는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)가 형성된다. OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)는 제2 기판(SUBS2) 쪽으로 빛을 조사하는 탑 에미션 구조의 OLED & TFT 어레이, 양면 디스플레이가 가능한 탑 에미션 및 보텀 에미션 구조의 OLED & TFT 어레이 등으로 구현될 수 있다. The first substrate SUBS1 is made of a thin, flat metal substrate, a glass substrate, or a transparent plastic film having flexibility. On this first substrate SUBS1, an OLED & TFT array (OLED & TFT) for displaying an image in accordance with video data is formed. OLED & TFT array (OLED & TFT) is to be implemented as a top emission OLED and TFT array that emits light toward the second substrate (SUBS2), a top emission capable of double-sided display and an OLED & TFT array of a bottom emission structure, etc. Can be.
OLED & TFT 어레이(OLED&TFT) 상에는 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘옥시 나이트라이드(SiOxNx) 등의 무기박막(INSL2)이 증착된다. 무기박막(INSL2)은 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 상면 및 측면을 감싸므로 실런트들(SL1, SL2)의 아웃개싱(Out gassing)으로 인하여 발생되는 산소가 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)에 침투하는 것을 차단하고 또한, 수분이 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)에 침투하는 것을 차단하여 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 수명을 연장한다. An inorganic thin film (INSL2) such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), and silicon oxy nitride (SiOxNx) is deposited on the OLED & TFT array (OLED & TFT). The inorganic thin film (INSL2) surrounds the top and side surfaces of the OLED & TFT array (OLED & TFT), so that oxygen generated by the outgassing of the sealants SL1 and SL2 penetrates the OLED & TFT array (OLED & TFT). And also prevents moisture from penetrating the OLED & TFT array, thereby extending the life of the OLED & TFT array.
제2 기판(SUBS2) 상에는 폴리이미드 등의 유기물에 안료가 첨가된 R(Red), G(Green) 및 B(Blue) 컬러필터들(CF)이 형성된다. 제2 기판(SUBS2)은 빛이 투과되고 플렉서블 디스플레이에 적합하도록 유연성을 가지는 얇은 유리기판이나 투명 플라스틱 필름 등으로 제작된다. R 컬러필터(CF)는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 R 발광셀에 대향하며, G 컬러필터(CF)는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 G 발광셀에 대향한다. B 컬러필터(CF)는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 B 발광셀에 대향한다. 컬러필터들(CF)은 기존의 유기물인쇄 및 패턴 방법으로 제2 기판(SUBS2) 상에 형성될 수 있다. 이러한 컬러필터들(CF)은 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)로부터의 R, G, B 광의 색순도를 높인다. 또한, 컬러필터들(CF)은 외부로부터 입사되는 자연광을 흡수하여 그 자연광의 반사로 인한 표시영상의 콘트라스트 저하를 줄인다. On the second substrate SUBS2, R (Red), G (Green), and B (Blue) color filters CF in which a pigment is added to an organic material such as polyimide are formed. The second substrate SUBS2 is made of a thin glass substrate, a transparent plastic film, or the like, which is flexible to transmit light and is suitable for a flexible display. The R color filter CF faces the R light emitting cells of the OLED & TFT array (OLED & TFT), and the G color filter CF faces the G light emitting cells of the OLED & TFT array (OLED & TFT). The B color filter CF is opposed to the B light emitting cells of the OLED & TFT array OLED & TFT. The color filters CF may be formed on the second substrate SUBS2 by conventional organic printing and patterning methods. These color filters CF increase the color purity of R, G, and B light from OLED & TFT arrays (OLED & TFT). In addition, the color filters CF absorb natural light incident from the outside to reduce the decrease in contrast of the display image due to the reflection of the natural light.
제2 실런트(SL2)는 제1 실런트(SL1)와 기판들(SUBS1, SUBS2) 사이의 공간에 완전 충진되어 기판들(SUB1, SUB2)의 접착력을 높일 뿐만 아니라, 외부로부터의 충격을 흡수하여 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 물리적 스트레스를 방지하고 외부로부터의 수분이나 산소를 1차적으로 차단하는 베리어 역할을 한다. The second sealant SL2 is completely filled in the space between the first sealant SL1 and the substrates SUBS1 and SUBS2 to increase the adhesion of the substrates SUB1 and SUB2, and also absorbs the impact from the outside to allow the OLED to be absorbed. & TFT array (OLED & TFT) prevents physical stress and acts as a barrier that primarily blocks moisture or oxygen from the outside.
실런트들(SL1, SL2)은 열경화 및/또는 자외선(UV) 경화가 가능하고 투습도가 10g/m2·day 이하를 만족하는 아크릴(Photo acrylate) 계 화합물, 에폭시계 화합물 등의 유기물이 선택될 수 있다. 이 제2 실런트(SL2)는 제1 실런트(SL2)에 비하여 점도가 낮으며 그 점도는 대략 130~150cp 정도이다. Sealants SL1 and SL2 may be selected from organic materials, such as an acrylic compound and an epoxy compound, which may be thermally cured and / or UV curable and have a moisture permeability of 10 g / m 2 · day or less. Can be. The second sealant SL2 has a lower viscosity than the first sealant SL2 and has a viscosity of about 130 to 150 cps.
실런트를 도포하는 방법은 컬러필터들(CF)이 형성된 제2 기판(SUBS2)의 가장자리에 제1 실런트(SL1)를 디스펜싱(dispensing) 방벙으로 도포한 후, 제1 실런트(SL1)에 의해 정의된 공간 내에 제2 실런트(SL2)를 디스펜싱방법으로 도포하여 열경화 및 자외선 경화공정을 거쳐 실런트들(SL1, SL2)을 경화시키는 공정을 포함한다. 제1 실런트(SL1)는 아크릴(Photo acrylate) 계 화합물, 에폭시계 화합물 등의 유기물이며 그 점도는 10,000~100,000cp 정도이다. 제1 및 제2 실런트(SL2)의 점도는 조정비에 따라 조정될 수 있다. The method of applying the sealant is defined by the first sealant SL1 after applying the first sealant SL1 to the edge of the second substrate SUBS2 on which the color filters CF are formed by dispensing. And dispersing the sealants SL1 and SL2 by applying the second sealant SL2 to the dispensing space by a dispensing method through a thermosetting and ultraviolet curing process. The first sealant SL1 is an organic material such as an acryl (Photo acrylate) compound and an epoxy compound, and its viscosity is about 10,000 to 100,000 cps. The viscosity of the first and second sealants SL2 may be adjusted according to the adjustment ratio.
본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)와 무기박막(INSL2)이 형성된 제1 기판(SUBS1)에 컬러필터들(CF)이 형성된 제2 기판(SUBS2)을 제1 실런트(SL1)와 제2 실런트(SL2)로 접착한다. 따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 봉지물의 구조가 단순하고 봉지 공정 수를 줄일 수 있으며, 유연성이 있는 재료로 봉지물을 선택하여 플렉서블 디스플레이에 적합한 구조를 갖는다. The organic light emitting diode display device according to the first exemplary embodiment of the present invention includes a second substrate SUBS2 having color filters CF formed on the first substrate SUBS1 on which the OLED & TFT array OLED & TFT and the inorganic thin film INSL2 are formed. ) Is bonded to the first sealant SL1 and the second sealant SL2. Therefore, the organic light emitting diode display device according to the first exemplary embodiment of the present invention has a simple structure of the encapsulation material and can reduce the number of encapsulation processes, and has a structure suitable for a flexible display by selecting the encapsulation material with a flexible material.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자를 나타내는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자 는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)와 그 위에 무기박막(INSL2)이 형성된 제1 기판(SUBS1), 및 제1 실런트(SL1)와 제2 실런트(SL2)로 제1 기판(SUBS1)에 합착되는 원편광판(Circular Polarizer)(CPOL)을 구비한다. Referring to FIG. 2, the organic light emitting diode display device according to the second embodiment of the present invention includes an OLED & TFT array OLED & TFT and a first substrate SUBS1 having an inorganic thin film INSL2 formed thereon, and a first sealant ( A circular polarizer CPOL bonded to the first substrate SUBS1 by the SL1 and the second sealant SL2 is provided.
제1 기판(SUBS1)은 유연성을 가지는 얇은 유리기판 또는 투명 플라스틱 필름 등으로 제작된다. 이 제1 기판(SUBS1) 상에는 비디오 데이터에 따라 화상을 표시하는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)가 형성된다. OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)는 원편광판(CPOL) 쪽으로 빛을 조사하는 탑 에미션 구조의 OLED & TFT 어레이, 양면 디스플레이가 가능한 탑 에미션 및 보텀 에미션 구조의 OLED & TFT 어레이 등으로 구현될 수 있다. The first substrate SUBS1 is made of a thin glass substrate or a transparent plastic film having flexibility. On this first substrate SUBS1, an OLED & TFT array (OLED & TFT) for displaying an image in accordance with video data is formed. OLED & TFT array (OLED & TFT) can be implemented as a top emission OLED & TFT array that emits light toward the circular polarizer (CPOL), a top emission capable of double-sided display and an OLED & TFT array with a bottom emission structure have.
OLED & TFT 어레이(OLED&TFT) 상에는 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘옥시 나이트라이드(SiOxNx) 등의 무기박막(INSL2)이 증착된다. 무기박막(INSL2)은 실런트들(SL1, SL2)의 아웃개싱으로 인하여 발생되는 산소가 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)에 침투하는 것을 차단하고 또한, 수분이 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)에 침투하는 것을 차단하여 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 수명을 연장한다. An inorganic thin film (INSL2) such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), and silicon oxy nitride (SiOxNx) is deposited on the OLED & TFT array (OLED & TFT). The inorganic thin film INSL2 blocks oxygen generated by the outgassing of the sealants SL1 and SL2 from penetrating into the OLED & TFT array OLED and also prevents moisture from penetrating into the OLED & TFT array OLED & TFT. Blocking, extending the life of OLED & TFT array (OLED & TFT).
원편광판(CPOL)은 공지된 유연성을 가지는 원편광판으로 구현된다. 이 원편광판(CPOL)은 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)와 외부로부터의 자연광에서 원편광만을 투과시킴으로써 자연광의 반사로 인한 표시영상의 콘트라스트 저하를 줄인다.Circular polarizing plate (CPOL) is implemented as a circular polarizing plate having a known flexibility. This circular polarizing plate (CPOL) reduces the contrast deterioration of the display image due to reflection of natural light by transmitting only circularly polarized light in the OLED & TFT array (OLED & TFT) and natural light from the outside.
제2 실런트(SL2)는 제1 실런트(SL1), 제1 기판(SUBS1) 및 원편광판(CPOL) 사이의 공간에 완전 충진되어 제1 기판(SUBS1)과 원편광판(CPOL)의 접착력을 높일 뿐 만 아니라, 외부로부터의 충격을 흡수하여 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 물리적 스트레스를 방지하고 외부로부터의 수분이나 산소를 1차적으로 차단하는 베리어 역할을 한다. 이 제2 실런트(SL2)은 열경화 및/또는 자외선(UV) 경화가 가능한 포토 아크릴계 화합물, 에폭시계 화합물 등의 유기물이 선택될 수 있다. The second sealant SL2 is completely filled in the space between the first sealant SL1, the first substrate SUBS1, and the circular polarizing plate CPOL to increase the adhesion between the first substrate SUBS1 and the circular polarizing plate CPOL. In addition, it absorbs shock from the outside to prevent physical stress of the OLED & TFT array (OLED & TFT) and acts as a barrier that primarily blocks moisture or oxygen from the outside. The second sealant SL2 may be selected from organic materials, such as a photo acrylic compound and an epoxy compound, which may be thermally cured and / or UV curable.
제1 실런트(SL1)는 제2 실런트(SL2)을 차단하는 댐 역할과 함께 기판(SUBS1)과 원편광판(CPOL)을 접착시키는 접착제 역할을 겸한다. The first sealant SL1 serves as an adhesive for bonding the substrate SUBS1 and the circular polarizing plate CPOL together with a dam that blocks the second sealant SL2.
본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)와 무기박막(INSL2)이 형성된 제1 기판(SUBS1)에 원편광판(CPOL)를 제1 실런트(SL1)와 제2 실런트(SL2)로 접착한다. 따라서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 제1 기판(SUBS1)과 대향하는 상판의 구조와 봉지물의 구조를 단순하고 봉지 공정 수를 줄일 수 있으며, 유연성이 있는 재료로 봉지물을 선택하여 플렉서블 디스플레이에 적합한 구조를 갖는다.In the organic light emitting diode display device according to the second embodiment of the present invention, a circular polarizer CPOL is formed on a first substrate SUBS1 on which an OLED & TFT array OLED & TFT and an inorganic thin film INSL2 are formed. It adhere | attaches with 2nd sealant SL2. Therefore, the organic light emitting diode display device according to the second embodiment of the present invention can simplify the structure of the top plate and the encapsulation material facing the first substrate SUBS1, reduce the number of encapsulation processes, and encapsulate with a flexible material. Water is selected to have a structure suitable for flexible displays.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자를 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)와 그 위에 무기박막(INSL2)이 형성된 제1 기판(SUBS1), 및 제1 실런트(SL1)와 제2 실런트(SL2)로 제1 기판(SUBS1)에 합착되고 컬러필터들(CF)이 형성된 원편광판(CPOL)을 구비한다. Referring to FIG. 3, an organic light emitting diode display device according to a third exemplary embodiment of the present invention includes an OLED & TFT array OLED & TFT and a first substrate SUBS1 having an inorganic thin film INSL2 formed thereon, and a first sealant A circular polarizing plate CPOL, which is bonded to the first substrate SUBS1 by the SL1 and the second sealant SL2 and has the color filters CF, is provided.
제1 기판(SUBS1)은 유연성을 가지는 얇은 유리기판 또는 투명 플라스틱 필름 등으로 제작된다. 이 제1 기판(SUBS1) 상에는 비디오 데이터에 따라 화상을 표시 하는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)가 형성된다. OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)는 원편광판(CPOL) 쪽으로 빛을 조사하는 탑 에미션 구조의 OLED & TFT 어레이, 양면 디스플레이가 가능한 탑 에미션 및 보텀 에미션 구조의 OLED & TFT 어레이 등으로 구현될 수 있다. The first substrate SUBS1 is made of a thin glass substrate or a transparent plastic film having flexibility. On this first substrate SUBS1, an OLED & TFT array (OLED & TFT) for displaying an image in accordance with video data is formed. OLED & TFT array (OLED & TFT) can be implemented as a top emission OLED & TFT array that emits light toward the circular polarizer (CPOL), a top emission capable of double-sided display and an OLED & TFT array with a bottom emission structure have.
OLED & TFT 어레이(OLED&TFT) 상에는 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘옥시 나이트라이드(SiOxNx) 등의 무기박막(INSL2)이 증착된다. 무기박막(INSL2)은 제2 실런트(SL2)의 아웃개싱으로 인하여 발생되는 산소가 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)에 침투하는 것을 차단하고 또한, 수분이 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)에 침투하는 것을 차단하여 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 수명을 연장한다. An inorganic thin film (INSL2) such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), and silicon oxy nitride (SiOxNx) is deposited on the OLED & TFT array (OLED & TFT). The inorganic thin film INSL2 blocks oxygen generated by the outgassing of the second sealant SL2 from penetrating into the OLED & TFT array OLED and also prevents moisture from penetrating into the OLED & TFT array OLED & TFT. To extend the life of OLED & TFT arrays.
원편광판(CPOL)은 공지된 유연성을 가지는 원편광판으로 구현된다. 이 원편광판(CPOL)은 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)와 외부로부터의 자연광에서원편광만을 투과시킴으로써 자연광의 반사로 인한 표시영상의 콘트라스트 저하를 줄인다. 이 원편광판(CPOL)에서 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)와 마주보는 면에는 유기물에 안료가 첨가된 R, G 및 B 컬러필터들(CF)이 형성된다. R 컬러필터(CF)는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 R 발광셀에 대향하며, G 컬러필터(CF)는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 G 발광셀에 대향한다. B 컬러필터(CF)는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 B 발광셀에 대향한다. 컬러필터들(CF)은 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)로부터의 R, G, B 광의 색순도를 높인다. 또한, 컬러필터들(CF)은 외부로부터 입사되는 자연광을 흡수하여 그 자연광의 반사로 인한 표시영상의 콘트라 스트 저하를 줄인다. Circular polarizing plate (CPOL) is implemented as a circular polarizing plate having a known flexibility. This circular polarizing plate (CPOL) reduces the contrast deterioration of the display image due to reflection of natural light by transmitting only circularly polarized light in the OLED & TFT array (OLED & TFT) and natural light from the outside. In the circular polarizing plate CPOL, R, G, and B color filters CF, in which a pigment is added to the organic material, are formed on the surface facing the OLED & TFT array (OLED & TFT). The R color filter CF faces the R light emitting cells of the OLED & TFT array (OLED & TFT), and the G color filter CF faces the G light emitting cells of the OLED & TFT array (OLED & TFT). The B color filter CF is opposed to the B light emitting cells of the OLED & TFT array OLED & TFT. The color filters CF increase the color purity of R, G, and B light from OLED & TFT arrays (OLED & TFT). In addition, the color filters CF absorb natural light incident from the outside to reduce the decrease in contrast of the display image due to the reflection of the natural light.
제2 실런트(SL2)은 제1 실런트(SL1), 제1 기판(SUBS1) 및 원편광판(CPOL) 사이의 공간에 완전 충진되어 제1 기판(SUBS1)과 원편광판(CPOL)의 접착력을 높일 뿐만 아니라, 외부로부터의 충격을 흡수하여 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 물리적 스트레스를 방지하고 외부로부터의 수분이나 산소를 1차적으로 차단하는 베리어 역할을 한다. 이 제2 실런트(SL2)는 열경화 및/또는 자외선(UV) 경화가 가능한 아크릴계 화합물, 에폭시계 화합물 등의 유기물이 선택될 수 있다. The second sealant SL2 is completely filled in the space between the first sealant SL1, the first substrate SUBS1, and the circular polarizing plate CPOL to increase the adhesion between the first substrate SUBS1 and the circular polarizing plate CPOL. Rather, it absorbs shock from the outside to prevent physical stress of the OLED & TFT array (OLED & TFT) and acts as a barrier that primarily blocks moisture or oxygen from the outside. The second sealant SL2 may be selected from an organic material such as an acrylic compound and an epoxy compound capable of thermosetting and / or ultraviolet (UV) curing.
제1 실런트(SL1)는 제2 실런트(SL2)를 차단하는 댐 역할과 함께 기판(SUBS1)과 원편광판(CPOL)을 접착시키는 접착제 역할을 겸한다. The first sealant SL1 serves as an adhesive for bonding the substrate SUBS1 and the circular polarizing plate CPOL together with a dam that blocks the second sealant SL2.
본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)와 무기박막(INSL2)이 형성된 제1 기판(SUBS1)에, 컬러필터들(CF)이 형성된 원편광판(CPOL)을 제1 실런트(SL1)와 제2 실런트(SL2)로 접착한다. 따라서, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 봉지물의 구조를 단순하고 봉지 공정 수를 줄일 수 있으며, 유연성이 있는 재료로 봉지물을 선택하여 플렉서블 디스플레이에 적합한 구조를 갖는다.The organic light emitting diode display device according to the third exemplary embodiment of the present invention is a circular polarizing plate (CPOL) in which color filters (CF) are formed on a first substrate (SUBS1) on which an OLED & TFT array (OLED & TFT) and an inorganic thin film (INSL2) are formed. ) Is bonded to the first sealant SL1 and the second sealant SL2. Accordingly, the organic light emitting diode display device according to the third embodiment of the present invention can simplify the structure of the encapsulation material and reduce the number of encapsulation processes, and has a structure suitable for flexible display by selecting the encapsulation material with a flexible material.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자를 나타내는 단면도이다. 4 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display device according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)와 그 위에 제1 무기박막(INSL21)이 형성된 제1 기판(SUBS1), 및 제1 실런트(SL1)와 제2 실런트(SL2)로 제1 기판(SUBS1)에 합착되고 컬러필터들(CF)과 제2 무기박막(INSL22)이 형성된 원편광판(CPOL)을 구비한다. Referring to FIG. 4, an organic light emitting diode display device according to a fourth exemplary embodiment of the present invention includes an OLED & TFT array OLED & TFT and a first substrate SUBS1 having a first inorganic thin film INSL21 formed thereon, and a first substrate. A circular polarizing plate CPOL, which is bonded to the first substrate SUBS1 by the sealant SL1 and the second sealant SL2 and has the color filters CF and the second inorganic thin film INSL22, is provided.
제1 기판(SUBS1)은 유연성을 가지는 얇은 유리기판 또는 투명 플라스틱 필름 등으로 제작된다. 이 제1 기판(SUBS1) 상에는 비디오 데이터에 따라 화상을 표시하는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)가 형성된다. OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)는 원편광판(CPOL) 쪽으로 빛을 조사하는 탑 에미션 구조의 OLED & TFT 어레이, 양면 디스플레이가 가능한 탑 에미션 및 보텀 에미션 구조의 OLED & TFT 어레이 등으로 구현될 수 있다. The first substrate SUBS1 is made of a thin glass substrate or a transparent plastic film having flexibility. On this first substrate SUBS1, an OLED & TFT array (OLED & TFT) for displaying an image in accordance with video data is formed. OLED & TFT array (OLED & TFT) can be implemented as a top emission OLED & TFT array that emits light toward the circular polarizer (CPOL), a top emission capable of double-sided display and an OLED & TFT array with a bottom emission structure have.
OLED & TFT 어레이(OLED&TFT) 상에는 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘옥시 나이트라이드(SiOxNx) 등의 제1 무기박막(INSL21)이 증착된다. 제1 무기박막(INSL21)은 제2 실런트(SL2)의 아웃개싱으로 인하여 발생되는 산소가 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)에 침투하는 것을 차단하고 또한, 수분이 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)에 침투하는 것을 차단하여 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 수명을 연장한다. The first inorganic thin film INSL21 such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), and silicon oxy nitride (SiOxNx) is deposited on the OLED & TFT array OLED & TFT. The first inorganic thin film INSL21 prevents oxygen generated by the outgassing of the second sealant SL2 from penetrating into the OLED & TFT array OLED & TFT and also allows moisture to penetrate the OLED & TFT array OLED & TFT. To extend the life of OLED & TFT arrays (OLED & TFT).
원편광판(CPOL)은 공지된 유연성을 가지는 원편광판으로 구현된다. 이 원편광판(CPOL)은 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)와 외부로부터의 자연광에서원편광만을 투과시킴으로써 자연광의 반사로 인한 표시영상의 콘트라스트 저하를 줄인다. 이 원편광판(CPOL)에서 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)와 마주보는 면에는 유기물에 안료가 첨가된 R, G 및 B 컬러필터들(CF)이 형성되고, 그 컬러필터들(CF)을 덮도록 제2 무기박막(INSL22)이 전면 증착된다. R 컬러필터(CF)는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 R 발광셀에 대향하며, G 컬러필터(CF)는 OLED & TFT 어레 이(OLED&TFT)의 G 발광셀에 대향한다. B 컬러필터(CF)는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 B 발광셀에 대향한다. 컬러필터들(CF)은 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)로부터의 R, G, B 광의 색순도를 높인다. 또한, 컬러필터들(CF)은 외부로부터 입사되는 자연광을 흡수하여 그 자연광의 반사로 인한 표시영상의 콘트라스트 저하를 줄인다. 제2 무기박막(INSL22)은 제1 무기박막(INSL21)과 마찬가지로, 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘옥시 나이트라이드(SiOxNx) 등으로 컬러필터들(CF)과 원편광판(CPOL) 상에 증착된다. 제2 무기박막(INSL22)은 산소와 수분을 차단한다. Circular polarizing plate (CPOL) is implemented as a circular polarizing plate having a known flexibility. This circular polarizing plate (CPOL) reduces the contrast deterioration of the display image due to reflection of natural light by transmitting only circularly polarized light in the OLED & TFT array (OLED & TFT) and natural light from the outside. On the surface of the circular polarizer (CPOL) facing the OLED & TFT array (OLED & TFT), R, G and B color filters (CF) in which a pigment is added to an organic material are formed, and cover the color filters (CF). The second inorganic thin film INSL22 is deposited on the entire surface. The R color filter CF faces the R light emitting cells of the OLED & TFT array (OLED & TFT), and the G color filter CF faces the G light emitting cells of the OLED & TFT array (OLED & TFT). The B color filter CF is opposed to the B light emitting cells of the OLED & TFT array OLED & TFT. The color filters CF increase the color purity of R, G, and B light from OLED & TFT arrays (OLED & TFT). In addition, the color filters CF absorb natural light incident from the outside to reduce the decrease in contrast of the display image due to the reflection of the natural light. Like the first inorganic thin film INSL21, the second inorganic thin film INSL22 is formed of silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), silicon oxy nitride (SiOxNx), and the like. CPOL). The second inorganic thin film INSL22 blocks oxygen and moisture.
제2 실런트(SL2)는 제1 실런트(SL1), 제1 기판(SUBS1) 및 원편광판(CPOL) 사이의 공간에 완전 충진되어 제1 기판(SUBS1)과 원편광판(CPOL)의 접착력을 높일 뿐만 아니라, 외부로부터의 충격을 흡수하여 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 물리적 스트레스를 방지하고 외부로부터의 수분이나 산소를 1차적으로 차단하는 베리어 역할을 한다. 이 제2 실런트(SL2)는 열경화 및/또는 자외선(UV) 경화가 가능한 포토 아크릴계 화합물, 에폭시계 화합물 등의 유기물이 선택될 수 있다. The second sealant SL2 is completely filled in the space between the first sealant SL1, the first substrate SUBS1, and the circular polarizing plate CPOL to increase the adhesion between the first substrate SUBS1 and the circular polarizing plate CPOL. Rather, it absorbs shock from the outside to prevent physical stress of the OLED & TFT array (OLED & TFT) and acts as a barrier that primarily blocks moisture or oxygen from the outside. The second sealant SL2 may be selected from organic materials, such as a photo acrylic compound and an epoxy compound, which may be thermally cured and / or UV curable.
제1 실런트(SL1)는 제2 실런트(SL2)을 차단하는 댐 역할과 함께 제1 기판(SUBS1)과 원편광판(CPOL)을 접착시키는 접착제 역할을 겸한다. The first sealant SL1 serves as an adhesive for bonding the first substrate SUBS1 and the circular polarizing plate CPOL together with a dam that blocks the second sealant SL2.
본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)와 제1 무기박막(INSL21)이 형성된 제1 기판(SUBS1)에, 컬러필터들(CF)과 제2 무기박막(INSL22)이 형성된 원편광판(CPOL)을 제1 실런트(SL1)와 제2 실런트(SL2)로 접착한다. 따라서, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 봉지물의 구조를 단순하고 봉지 공정 수를 줄일 수 있으며, 유연성이 있는 재료로 봉지물을 선택하여 플렉서블 디스플레이에 적합한 구조를 갖는다.The organic light emitting diode display device according to the fourth exemplary embodiment of the present invention is formed on the first substrate SUBS1 on which the OLED & TFT array OLED & TFT and the first inorganic thin film INSL21 are formed, and the color filters CF and the second inorganic material. The circular polarizing plate CPOL on which the thin film INSL22 is formed is bonded to the first sealant SL1 and the second sealant SL2. Therefore, the organic light emitting diode display device according to the fourth embodiment of the present invention can simplify the structure of the encapsulation material and reduce the number of encapsulation processes, and has a structure suitable for flexible display by selecting the encapsulation material with a flexible material.
전술한 실시예들에서 하판과 상판 그리고 그사이에 협지된 OLED & TFT와 봉지물을 합한 총 두께는 플렉서블 디스플레이에 적합하도록 0. 7 mm 이하로 슬림화된다. In the above-described embodiments, the total thickness of the bottom plate, the top plate, and the OLED & TFT and the encapsulation sandwiched therebetween is slimmed down to 0.7 mm or less so as to be suitable for the flexible display.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자를 나타내는 단면도이다. 5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display device according to a fifth exemplary embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)와 그 위에 무기박막(INSL2)이 형성된 제1 기판(SUBS1), 원편광판(CPOL), 원편광판(CPOL) 상에 형성된 베리어층(BAR), 및 제1 기판(SUBS1)과 베리어층(BAR)을 접착하기 위한 제1 및 제2 실런트(SL1, SL2)를 구비한다. Referring to FIG. 5, an organic light emitting diode display device according to a fifth exemplary embodiment of the present invention includes an OLED & TFT array OLED & TFT and a first substrate SUBS1 and a circular polarizer CPOL on which an inorganic thin film INSL2 is formed. And a barrier layer BAR formed on the circular polarizing plate CPOL, and first and second sealants SL1 and SL2 for bonding the first substrate SUBS1 and the barrier layer BAR.
제1 기판(SUBS1)은 유연성을 가지는 얇은 금속기판, 유리기판 또는 투명 플라스틱 필름 등으로 제작된다. 이 제1 기판(SUBS1) 상에는 비디오 데이터에 따라 화상을 표시하는 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)가 형성된다. OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)는 원편광판(CPOL) 쪽으로 빛을 조사하는 탑 에미션 구조의 OLED & TFT 어레이, 양면 디스플레이가 가능한 탑 에미션 및 보텀 에미션 구조의 OLED & TFT 어레이 등으로 구현될 수 있다. The first substrate SUBS1 is made of a thin metal substrate, a glass substrate, or a transparent plastic film having flexibility. On this first substrate SUBS1, an OLED & TFT array (OLED & TFT) for displaying an image in accordance with video data is formed. OLED & TFT array (OLED & TFT) can be implemented as a top emission OLED & TFT array that emits light toward the circular polarizer (CPOL), a top emission capable of double-sided display and an OLED & TFT array with a bottom emission structure have.
OLED & TFT 어레이(OLED&TFT) 상에는 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘옥시 나이트라이드(SiOxNx) 등의 무기박막(INSL2)이 증착된 다. 무기박막(INSL2)은 실런트들(SL1, SL2)의 아웃개싱으로 인하여 발생되는 산소가 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)에 침투하는 것을 차단하고 또한, 수분이 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)에 침투하는 것을 차단하여 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 수명을 연장한다. An inorganic thin film (INSL2) such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), and silicon oxy nitride (SiOxNx) is deposited on the OLED & TFT array (OLED & TFT). The inorganic thin film INSL2 blocks oxygen generated by the outgassing of the sealants SL1 and SL2 from penetrating into the OLED & TFT array OLED and also prevents moisture from penetrating into the OLED & TFT array OLED & TFT. Blocking, extending the life of OLED & TFT array (OLED & TFT).
원편광판(CPOL)은 공지된 유연성을 가지는 원편광판으로 구현된다. 이 원편광판(CPOL)은 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)와 외부로부터의 자연광에서 원편광만을 투과시킴으로써 자연광의 반사로 인한 표시영상의 콘트라스트 저하를 줄인다. 원편광판 필름은 제조공정에서 연신 공정을 겪게 되는데, 이 연신 공정에 의해서 미세한 기공이 혼입될 수 있다. 이러한 원평광판(CPOL)의 미세 기공들을 통해 외부로부터 수분이나 산소가 OLED 쪽으로 침투될 수 있다. OLED는 수분이나 산소에 의해 노출되어 열화될 수 있다. Circular polarizing plate (CPOL) is implemented as a circular polarizing plate having a known flexibility. This circular polarizing plate (CPOL) reduces the contrast deterioration of the display image due to reflection of natural light by transmitting only circularly polarized light in the OLED & TFT array (OLED & TFT) and natural light from the outside. The circular polarizer film undergoes an stretching process in a manufacturing process, and fine pores may be mixed by the stretching process. Moisture or oxygen may penetrate into the OLED from the outside through the micropores of the CPOL. OLEDs can be degraded by exposure to moisture or oxygen.
베리어층(BAR)은 원편광판(CPOL) 상에 1 층 이상으로 적층되는 유기재료층으로 형성되거나 또는 1 층 원편광판(CPOL) 상에 1 층 이상으로 적층되는 무기재료층으로 형성될 수 있다. 또한, 베리어층(BAR)은 1층 이상의 유기재료층과 1층 이상의 무기재료층이 교번되는 형태로 적층될 수도 있다. 베리어층(BAR)으로 적용 가능한 유기재료층은 에폭시 혹은 아크릴 계열의 유기합성수지를 포함할 수 있다. 베리어층(BAR)으로 적용 가능한 무기재료층은 SiNx, SiO2, SiOxNy, SiOxCy, SiOx, Al2O3 중 어느 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다. 베리어층(BAR)으로써 유기재료층과 무기재료층을 교대로 2층 이상 적층하는 경우에, 유기재료층이나 무기재료 층이 원편광판에 접하는 첫번째 층이 될 수 있다. 이러한 베리어층(BAR)은 원편광판(CPOL)을 통해 OLED 쪽으로 침투되는 수분과 산소를 차단하는 역할을 한다. The barrier layer BAR may be formed of an organic material layer stacked on at least one layer on the circular polarizer plate CPOL, or may be formed of an inorganic material layer stacked on at least one layer on the one layer circular polarizer plate CPOL. In addition, the barrier layer BAR may be stacked in such a manner that one or more organic material layers and one or more inorganic material layers are alternated. The organic material layer applicable to the barrier layer (BAR) may include an organic synthetic resin of epoxy or acrylic series. The inorganic material layer applicable to the barrier layer BAR may include any one or two or more of SiN x , SiO 2 , SiO x N y , SiO x C y , SiO x , and Al 2 O 3 . When two or more layers of the organic material layer and the inorganic material layer are alternately stacked as the barrier layer BAR, the organic material layer or the inorganic material layer may be the first layer in contact with the circular polarizing plate. The barrier layer BAR blocks moisture and oxygen that penetrate into the OLED through the circular polarizing plate CPOL.
제2 실런트(SL2)는 제1 실런트(SL1), 제1 기판(SUBS1) 및 원편광판(CPOL) 사이의 공간에 완전 충진되어 제1 기판(SUBS1)과 원편광판(CPOL)의 접착력을 높일 뿐만 아니라, 외부로부터의 충격을 흡수하여 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)의 물리적 스트레스를 방지하고 외부로부터의 수분이나 산소를 1차적으로 차단하는 베리어 역할을 한다. 이 제2 실런트(SL2)은 열경화 및/또는 자외선(UV) 경화가 가능한 포토 아크릴계 화합물, 에폭시계 화합물 등의 유기물이 선택될 수 있다. The second sealant SL2 is completely filled in the space between the first sealant SL1, the first substrate SUBS1, and the circular polarizing plate CPOL to increase the adhesion between the first substrate SUBS1 and the circular polarizing plate CPOL. Rather, it absorbs shock from the outside to prevent physical stress of the OLED & TFT array (OLED & TFT) and acts as a barrier that primarily blocks moisture or oxygen from the outside. The second sealant SL2 may be selected from organic materials, such as a photo acrylic compound and an epoxy compound, which may be thermally cured and / or UV curable.
제1 실런트(SL1)는 제2 실런트(SL2)를 차단하는 댐 역할과 함께 기판(SUBS1)과 원편광판(CPOL)을 접착시키는 접착제 역할을 겸한다. The first sealant SL1 serves as an adhesive for bonding the substrate SUBS1 and the circular polarizing plate CPOL together with a dam that blocks the second sealant SL2.
한편, 제2 기판으로써 베리어층(BAR)이 없는 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylene 2,6-naphthalate, PEN)를 제2 기판(SUBS2)으로 적용한 유기발광다이오드 표시소자에 대하여 고온 고습 환경에서 실험한 결과, 상온 보관시에 1일 이내에 수분침투로 인하여 흡습제의 Ca이 산화되는 현상이 발견되었다. 이에 비하여, 상기 고온 고습 환경 실험에서 시편으로 사용된 제2 기판(SUBS2) 상에 베리어층을 형성한 유기발광다이오드 표시소자에 대하여 다시 고온 고습 환경 실험을 시행한 바에 따르면 수백시간이 경과하여도 제2 기판(SUBS)을 통한 수분침투가 작다는 것을 확인하였다. 이 실험 결과는 도 6 내지 도 8과 같다. On the other hand, an organic light emitting diode display device in which polyethylene 2,6-naphthalate (PEN) without a barrier layer (BAR) is used as the second substrate (SUBS2) as a second substrate was tested in a high temperature and high humidity environment. The phenomenon of oxidizing Ca of the absorbent due to moisture permeation within one day at room temperature storage was found. On the other hand, the organic light emitting diode display device in which the barrier layer was formed on the second substrate SUBS2 used as the specimen in the high temperature and high humidity environment test was again subjected to the high temperature and high humidity environment test. It was confirmed that moisture permeation through the two substrates (SUBS) is small. The experimental results are as shown in FIGS. 6 to 8.
도 6 내지 도 8에서 횡축은 유기발광다이오드 표시소자를 투과하는 빛의 파장(nm)이며, 종축은 유기발광다이오드 표시소자의 광 투과도(%)이다. 투과도는 수 분 침투과 많을수록 흡습제의 Ca이 산화되는 정도에 비례한다. 도 6의 실험에서 사용된 베리어층의 샘플1(BAR#1)은 다수의 무기재료층이 적층된 다층 무기베리어이다. 도 7의 실험에서 사용된 베리어층의 샘플2(BAR#2)는 다수의 무기재료층과 다수의 유기재료층이 교대로 적층된 다층 유/무기베리어이다. 도 8의 실험에서 사용된 베리어층의 샘플3(BAR#3)은 샘플1(BAR#1)과 다른 다층 무기베리어이다. 6 to 8, the horizontal axis represents the wavelength of light passing through the organic light emitting diode display (nm), and the vertical axis represents the light transmittance (%) of the organic light emitting diode display. Permeability is proportional to the moisture penetration and more oxidized to Ca of the absorbent. Sample 1 (BAR # 1) of the barrier layer used in the experiment of FIG. 6 is a multilayer inorganic barrier in which a plurality of inorganic material layers are stacked. Sample 2 (BAR # 2) of the barrier layer used in the experiment of FIG. 7 is a multilayer organic / inorganic barrier in which a plurality of inorganic material layers and a plurality of organic material layers are alternately stacked. Sample 3 (BAR # 3) of the barrier layer used in the experiment of FIG. 8 is a multilayer inorganic barrier different from sample 1 (BAR # 1).
도 6 내지 도 8의 실험 결과에서 예상할 수 있듯이, 원편광(CPOL)에도 베리어층을 형성하면 원편광을 통해 OLED 쪽으로 침투되는 수분과 산소를 차단할 수 있다. As can be expected from the experimental results of FIGS. 6 to 8, forming a barrier layer in circular polarization (CPOL) may block moisture and oxygen penetrating into the OLED through circular polarization.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 제1 및 제2 기판 사이에 채워진 제1 및 제2 실런트들, 무기박막층, 베리어층 등으로 인하여 수분이나 산소가 충분히 차단되므로 별도의 흡습제를 필요하지 않는다. On the other hand, the organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention, since the moisture and oxygen are sufficiently blocked by the first and second sealants, inorganic thin film layer, barrier layer, etc. filled between the first and second substrate, a separate absorbent It is not necessary.
도 9는 도 1 내지 도 5에 도시된 OLED & TFT 어레이의 일예를 상세히 나타내는 단면도이다. 9 is a cross-sectional view illustrating in detail an example of the OLED & TFT array illustrated in FIGS. 1 to 5.
도 9를 참조하면, OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)는 TFT와, 그 TFT에 전기적으로 접속된 OLED를 포함한다. Referring to Fig. 9, an OLED & TFT array (OLED & TFT) includes a TFT and an OLED electrically connected to the TFT.
알루미늄(Al) 등의 게이트 금속이 스퍼터링과 같은 증착방법으로 전면 증착된 후에 포토리소그래피공정(Photolithography)으로 그 게이트 금속을 패터닝하여 TFT의 게이트전극(G)이 형성된다. 게이트라인들에는 스캔펄스가 순차적으로 공급된다. A gate metal such as aluminum (Al) is deposited on the entire surface by a deposition method such as sputtering, and then the gate metal is patterned by photolithography to form the gate electrode G of the TFT. Scan pulses are sequentially supplied to the gate lines.
게이트 금속 패턴이 형성된 제1 기판(SUBS1) 상에는 게이트 금속 패턴을 덮 도록 SiO2, SiNx 등의 무기 절연재료로 게이트 절연막(GI)이 형성된다. 게이트 절연막 위에는 TFT의 게이트전극(G)과 중첩되도록 액티브층(ACT)과 오믹접촉층을 포함한 반도체패턴이 증착 및 패터닝된다. On the first substrate SUBS1 on which the gate metal pattern is formed, a gate insulating layer GI is formed of an inorganic insulating material such as SiO 2 or SiNx so as to cover the gate metal pattern. A semiconductor pattern including an active layer ACT and an ohmic contact layer is deposited and patterned on the gate insulating layer to overlap the gate electrode G of the TFT.
본 발명은 반도체 패턴과 게이트 절연막(GI)에는 SiO2, SiNx 등의 무기 절연재료로 버퍼층(BF)을 형성하고 포토리소그래피 공정을 통해 그 버퍼층(BF)에 TFT의 소스전극(S)과 드레인전극(D)이 접속되는 반도체 패턴의 일부를 노출하기 위한 콘택홀(Contack hole)을 형성한다. 이어서, 본 발명은 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등과 같은 소스/드레인 금속을 버퍼층(BF) 상에 증착한 후에 패터닝하여 TFT의 소스전극(S), TFT의 소스전극(S)에 연결된 고전위 전원전압(VDD)의 공급라인, TFT의 드레인전극(D), TFT의 드레인전극(D)을 형성한다. TFT의 소스전극(S)과 드레인전극(D)은 버퍼층(BF)에 형성된 콘택홀을 통해 반도체층의 오믹접촉층에 접속된다. According to the present invention, a buffer layer BF is formed on a semiconductor pattern and a gate insulating layer GI using inorganic insulating materials such as SiO 2 and SiNx, and a source electrode S and a drain electrode of a TFT are formed on the buffer layer BF through a photolithography process. A contact hole for exposing a part of the semiconductor pattern to which (D) is connected is formed. Subsequently, the present invention deposits a source / drain metal such as chromium (Cr), molybdenum (Mo), copper (Cu), etc. on the buffer layer (BF), and then patternes the source electrode (S) of the TFT and the source electrode (T) of the TFT. A supply line of the high potential power voltage VDD connected to S), a drain electrode D of the TFT, and a drain electrode D of the TFT are formed. The source electrode S and the drain electrode D of the TFT are connected to the ohmic contact layer of the semiconductor layer through a contact hole formed in the buffer layer BF.
본 발명은 무기 절연재료 또는 유기 절연재료를 TFT와 버퍼층 상에 증착하여 패시베이션층(PASSI)을 형성하고 포토리소그래피공정으로 패시베이션층(PASSI)을 패터닝하여 패시베이션층(PASSI)에 TFT의 드레인전극(D)을 노출하기 위한 콘택홀을 형성한다. 이어서, 본 발명은 패시베이션층(PASSI)에 알루미늄(Al), 은(Ag) 등의 금속을 전면 증착하여 반사층(RF)을 형성한다. 반사층(RF)은 패시베이션층(PASSI)의 콘택홀을 통해 TFT의 드레인전극(D)에 접속된다. 이어서, 본 발명은 반사층(RF) 위에는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO), 틴 옥사이드(Tin Oxide : TO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide : ITZO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO) 등에서 선택된 투명 도전막을 전면 증착하고, 포토리소그래피 공정을 이용하여 R 발광셀, G 발광셀 및 B 발광셀 간에 투명 도전막이으로 이루어진 OLED의 애노드전극(AN)과 반사층(RF)이 전기적으로 분리되도록 애노드전극(AN)과 반사층(RF)을 패터닝한다. According to an embodiment of the present invention, an inorganic insulating material or an organic insulating material is deposited on a TFT and a buffer layer to form a passivation layer (PASSI), and the passivation layer (PASSI) is patterned by a photolithography process. To form a contact hole for exposing). Next, the present invention forms a reflective layer RF by depositing a metal such as aluminum (Al) or silver (Ag) on the passivation layer (PASSI). The reflective layer RF is connected to the drain electrode D of the TFT through the contact hole of the passivation layer PASSI. Subsequently, in the present invention, indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium tin zinc oxide (ITZO), and indium zinc oxide (Indium zinc oxide) are formed on the reflective layer RF. : An anode electrode (AN) and a reflective layer (RF) of an OLED composed of a transparent conductive film between an R light emitting cell, a G light emitting cell, and a B light emitting cell are electrically deposited by depositing a transparent conductive film selected from IZO) and the like through a photolithography process. The anode electrode AN and the reflective layer RF are patterned to be separated.
이어서, 본 발명은 R 발광셀, G 발광셀 및 B 발광셀 간의 경계에 무기 절연재료로 이루어진 뱅크패턴(BANK)을 형성하고 OLED를 구성하는 유기화합물층들을 순차적으로 형성한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공주입층(HIL)과 정공수송층(HTL)을 통해 공급된 정공과 전자주입층(EIL)와 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발산하게 한다. 발광층(EML)으로부터 발생되는 가시광으로 화상 또는 영상이 표시된다. Next, the present invention forms a bank pattern BANK made of an inorganic insulating material at the boundary between the R light emitting cell, the G light emitting cell, and the B light emitting cell, and sequentially forms the organic compound layers constituting the OLED. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (Electron injection layer, EIL). When a driving voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, electrons passing through the hole and the electron injection layer (EIL) and the electron transport layer (ETL) supplied through the hole injection layer (HIL) and the hole transport layer (HTL) are emitted from the emission layer (EML). To form an exciton, which causes the light emitting layer EML to emit visible light. An image or an image is displayed with visible light generated from the light emitting layer EML.
이어서, 본 발명은 전자 주입층(EIL) 상에 ITO, TO, IZO, ITZO 등의 투명 도전막 또는 투명 전도성 산화물(Transfer Conductive Oxide) 박막을 형성하여 OLED의 캐소드전극(CAT)을 형성한다. OLED의 캐소드전극(CAT)은 기저전압원(GND)에 접속된다. Next, the present invention forms a transparent conductive film such as ITO, TO, IZO, ITZO, or a transparent conductive oxide thin film on the electron injection layer EIL to form the cathode electrode CAT of the OLED. The cathode electrode CAT of the OLED is connected to the ground voltage source GND.
도 9에서 TFT는 OLED를 구동하는 구동 TFT이며, 게이트라인과 데이터라인의 교차부에 형성된 스위치 TFT와, 구동 TFT의 게이트전극과 소스 TFT의 드레인전극 사이에 형성된 스토리지 커패시터(Cst) 등이 생략되었다. In FIG. 9, the TFT is a driving TFT for driving the OLED, and the switch TFT formed at the intersection of the gate line and the data line, the storage capacitor Cst formed between the gate electrode of the driving TFT and the drain electrode of the source TFT, and the like are omitted. .
도 9에 도시된 OLED & TFT 어레이는 탑 에미션(Top Emission)의 일예로써 OLED로부터 발생된 빛은 캐소드전극(CAT)과 제2 기판(SUBS2)을 통해 외부로 방출된다. 도 9에 도시된 OLED & TFT 어레이에서 반사층(RF)을 제거하거나 반사층(RF)을 빛이 투과될 수 있을 정도로 얇게 형성하면 OLED로부터 발생되는 빛은 양방향 디스플레이로와 같이 제1 및 제2 기판(SUBS1, SUBS2)을 통과하여 양방향으로 진행한다. 한편, 도 1 내지 도 5에서 OLED & TFT 어레이(OLED&TFT)는 도 9에 도시된 구조로 국한되는 것이 아니라 탑 게이트 구조, 유기 TFT 구조 등 공지된 어떠한 구조도 가능하다. In the OLED & TFT array shown in FIG. 9, light emitted from the OLED is emitted to the outside through the cathode electrode CAT and the second substrate SUBS2 as an example of the top emission. In the OLED & TFT array shown in FIG. 9, when the reflective layer RF is removed or the reflective layer RF is formed to be thin enough to transmit light, the light generated from the OLED is transferred to the first and second substrates as in the bidirectional display. Proceed in both directions through SUBS1, SUBS2). Meanwhile, the OLED & TFT array (OLED & TFT) in FIGS. 1 to 5 is not limited to the structure shown in FIG. 9 but may be any known structure such as a top gate structure and an organic TFT structure.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자를 나타내는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자를 나타내는 단면도이다. 4 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display device according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자를 나타내는 단면도이다. 5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display device according to a fifth exemplary embodiment of the present invention.
도 6 내지 도 8은 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN)를 제2 기판으로 사용하고 그 제2 기판에 베리어층을 형성한 유기발광다이오드 표시소자들에 대한 고온 고습 환경의 실험 결과를 나타내는 그래프들이다. 6 to 8 are graphs showing experimental results of a high temperature and high humidity environment of organic light emitting diode display elements using polyethylene naphthalate (PEN) as a second substrate and forming a barrier layer on the second substrate.
도 9는 도 1 내지 도 5에 도시된 OLED & TFT 어레이의 일예를 상세히 나타내는 단면도이다. 9 is a cross-sectional view illustrating in detail an example of the OLED & TFT array illustrated in FIGS. 1 to 5.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>
SUBS1, SUBS2 : 기판 OLED&TFT : OLED & TFT 어레이SUBS1, SUBS2: Substrate OLED & TFT: OLED & TFT Array
CF : 컬러필터 INSL2, INSL21, INSL22 : 무기박막CF: color filter INSL2, INSL21, INSL22: inorganic thin film
CPOL : 원편광판 SL1, SL2 : 실런트CPOL: Circular Polarizer SL1, SL2: Sealant
BAR : 베리어층BAR: Barrier Layer
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103000660A (en) * | 2012-12-12 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | Array substrate and white organic light-emitting diode display device |
| KR101334406B1 (en) * | 2012-01-06 | 2013-11-29 | 주식회사 나래나노텍 | Improved Apparatus and Method of Bonding Substrates |
| CN103715366A (en) * | 2013-12-20 | 2014-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | OLED film packaging structure, OLED device and display apparatus |
| KR101404057B1 (en) * | 2012-06-22 | 2014-06-05 | 주식회사 나래나노텍 | Laminating Device and Method for Apparatus of Bonding Substrates, and Apparatus and Method of Bonding Substrates Having the same |
| KR20140085087A (en) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
| CN104051494A (en) * | 2014-05-28 | 2014-09-17 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | Miniature active matrix type organic light emitting display and manufacturing method thereof |
| CN104681583A (en) * | 2013-11-27 | 2015-06-03 | 乐金显示有限公司 | Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same |
| US9142603B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-09-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same |
| EP2782418A4 (en) * | 2011-11-14 | 2015-11-04 | Konica Minolta Inc | Organic electroluminescent element and planar light-emitting unit |
| KR20200086950A (en) * | 2019-01-10 | 2020-07-20 | 주식회사 엘지화학 | Liquid Crystal Device |
| KR20220058504A (en) * | 2014-11-03 | 2022-05-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same |
| US20230165036A1 (en) * | 2019-12-26 | 2023-05-25 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100478759B1 (en) * | 2002-08-20 | 2005-03-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | The organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same |
| KR100838073B1 (en) * | 2005-12-30 | 2008-06-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light emitting device and manufacturing method thereof |
-
2008
- 2008-08-04 KR KR1020080075987A patent/KR101492630B1/en active IP Right Grant
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2782418A4 (en) * | 2011-11-14 | 2015-11-04 | Konica Minolta Inc | Organic electroluminescent element and planar light-emitting unit |
| US9236583B2 (en) | 2011-11-14 | 2016-01-12 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element and planar light-emitting unit |
| KR101334406B1 (en) * | 2012-01-06 | 2013-11-29 | 주식회사 나래나노텍 | Improved Apparatus and Method of Bonding Substrates |
| KR101404057B1 (en) * | 2012-06-22 | 2014-06-05 | 주식회사 나래나노텍 | Laminating Device and Method for Apparatus of Bonding Substrates, and Apparatus and Method of Bonding Substrates Having the same |
| CN103000660A (en) * | 2012-12-12 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | Array substrate and white organic light-emitting diode display device |
| KR20140085087A (en) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
| CN104681583A (en) * | 2013-11-27 | 2015-06-03 | 乐金显示有限公司 | Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same |
| EP2879197A1 (en) * | 2013-11-27 | 2015-06-03 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same |
| US9203051B2 (en) | 2013-11-27 | 2015-12-01 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus including viscoelastic layer and method for manufacturing the same |
| US9472784B2 (en) | 2013-12-20 | 2016-10-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Packaging structure for OLED having inorganic and organic films with moisture absorbent layers |
| CN103715366A (en) * | 2013-12-20 | 2014-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | OLED film packaging structure, OLED device and display apparatus |
| US9142603B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-09-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same |
| CN104051494A (en) * | 2014-05-28 | 2014-09-17 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | Miniature active matrix type organic light emitting display and manufacturing method thereof |
| KR20220058504A (en) * | 2014-11-03 | 2022-05-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same |
| KR20230117076A (en) * | 2014-11-03 | 2023-08-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same |
| KR20200086950A (en) * | 2019-01-10 | 2020-07-20 | 주식회사 엘지화학 | Liquid Crystal Device |
| US20230165036A1 (en) * | 2019-12-26 | 2023-05-25 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
| US11910638B2 (en) * | 2019-12-26 | 2024-02-20 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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