KR20090124838A - Apparatus and method for transferring substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 이송 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 열처리가 완료된 후 홀더 트랜스퍼 로봇의 암으로부터 가스를 분사하여 글래스 기판의 냉각이 이루어지도록 한 후 글래스 기판과 홀더를 보트로부터 언로딩하는 기판 이송 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate transfer apparatus and method. More particularly, the present invention relates to a substrate transfer apparatus and method for unloading a glass substrate and a holder from a boat after injecting gas from the arm of the holder transfer robot to cool the glass substrate after the heat treatment is completed.
평판 디스플레이 제조시 사용되는 대면적 기판 처리 시스템은 크게 증착 장치와 어닐링 장치로 구분될 수 있다. Large area substrate processing systems used in the manufacture of flat panel displays can be broadly divided into deposition apparatuses and annealing apparatuses.
증착 장치는 평판 디스플레이의 핵심 구성을 이루는 투명 전도층, 절연층, 금속층 또는 실리콘층을 형성하는 단계를 담당하는 장치로서, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)와 같은 화학 증착 장치와 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리 증착 장치가 있다. 또한, 어닐링 장치는 증착 공정 후에 결정화, 상 변화 등을 위해 수반되는 열처리 단계를 담당하는 장치이다. The deposition apparatus is a device that is responsible for forming a transparent conductive layer, an insulating layer, a metal layer, or a silicon layer, which constitute a core component of a flat panel display, such as low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) or plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). There are physical vapor deposition devices such as chemical vapor deposition devices and sputtering. In addition, the annealing device is a device that is responsible for the subsequent heat treatment step for crystallization, phase change, and the like after the deposition process.
예를 들자면, LCD의 경우에 있어서, 대표적인 증착 장치로는 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)의 액티브 물질에 해당하는 비정질 실리콘을 유리 기판 상에 증착하는 실리콘 증착 장치가 있고, 대표적인 어닐링 장치로는 유리 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다. For example, in the case of LCD, a typical deposition apparatus includes a silicon deposition apparatus for depositing amorphous silicon corresponding to an active material of a thin film transistor (TFT) on a glass substrate, and a typical annealing apparatus is There is a silicon crystallization apparatus for crystallizing amorphous silicon deposited on a glass substrate with polysilicon.
일반적으로 증착 공정과 어닐링 공정은 모두 기판을 소정의 온도로 열처리 공정을 수행해야 한다. 이와 같은 열처리 공정을 수행하기 위해서는 기판의 히팅이 가능한 퍼니스(챔버)에 기판을 로딩 및 언로딩하는 공정이 필요하다. In general, both the deposition process and the annealing process require the substrate to be heat treated at a predetermined temperature. In order to perform the heat treatment process, a process of loading and unloading the substrate into a furnace (chamber) capable of heating the substrate is required.
도 1은 글래스 기판의 열처리 장치(1)의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. FIG. 1: is a figure which shows roughly the structure of the
도시한 바와 같이, 열처리 장치(1)는 열처리를 필요로 하는 글래스 기판(10)이 복수개로 탑재되어 있는 카세트(20), 홀더(12)가 탑재되어 있는 홀더 탑재부(40), 카세트(20)에 탑재되어 있는 글래스 기판(10)을 홀더 탑재부(40)의 홀더(12)에 탑재하는 글래스 트랜스퍼 로봇(30), 글래스 기판(10)에 대하여 열처리 공간을 제공하는 챔버(60), 글래스 기판(10)이 탑재된 홀더(12)를 보트(62)에 로딩하는 홀더 트랜스퍼 로봇(50)을 포함하여 이루어진다. As illustrated, the
챔버(60)에는 챔버(60) 내부의 히팅 환경을 조성하기 위해 열을 발생시키는 히터(64)가 설치된다. 글래스 기판(10)과 홀더(12)가 탑재된 상태로 보트(62)는 보트 승강 장치(미도시)에 의해 글래스 기판(10)의 열처리가 이루어지는 챔버(60) 내부로 장입된다. 도 2는 도 1의 a 부분의 상세 도면으로서, 보트(62) 내의 홀더(12) 상에 글래스 기판(10)이 탑재된 상태를 나타내고 있다. 글래스 기판(10)이 홀더(12)에 탑재된 상태에서 챔버(60)에 로딩되는 것은 열처리 공정 진행 도중 글래스 기판(10)이 변형되는 것을 방지하기 위함이다. The
한편, 글래스 기판(10)에 대한 히팅 과정이 완료되면 글래스 기판(10)을 챔버(60)로부터 언로딩하는 과정이 진행된다. 이 과정은 보트(62)가 보트 승강 장치(미도시)를 통하여 챔버(60)로부터 언로딩되는 단계로 시작된다. 그러나, 보트(62)가 챔버(60)로부터 언로딩되면 급격한 온도 변화로 인하여 글래스 기판(10)이 변형되는 즉 글래스 기판(10)의 코너 부근이 홀더(12)로부터 들뜨는 현상이 나타나게 된다. 따라서, 종래에는 글래스 기판(10)이 챔버(60)로부터 언로딩된 후 소정의 온도까지 냉각시켜서 글래스 기판(10)을 원 상태로 복구시킨 후 홀더 트랜스퍼 로봇(50)으로 글래스 기판(10) 및 홀더(12)를 보트(62)로부터 홀더 탑재부(40)로 이송하는 단계를 진행하여 왔다. 이는 변형된 상태로 글래스 기판(12)을 이송할 때 나타날 수 있는 여러가지 문제점을 미연에 방지하기 위함이다.Meanwhile, when the heating process for the
예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화 열처리 과정에서 열처리가 완료된 후 보트가 챔버로부터 언로딩시 글래스 기판의 온도는 대략 500℃이고 홀더 트랜스퍼 로봇을 이용하여 글래스 기판을 이송하기 위해서는 글래스 기판의 온도가 대략 100 내지 200℃까지 냉각되어야 한다. 그러나, 상기 냉각 과정은 최소한 30분 정도의 냉각 시간을 요구하기 때문에 LCD 제조의 생산성을 현저히 저하시키는 문제점이 있었다.For example, when the boat is unloaded from the chamber after the heat treatment is completed in the crystallization heat treatment process of the amorphous silicon, the glass substrate has a temperature of approximately 500 ° C., and the glass substrate has a temperature of approximately 100 to transfer the glass substrate using a holder transfer robot. To 200 ° C. However, since the cooling process requires a cooling time of at least 30 minutes, there is a problem of significantly lowering the productivity of LCD manufacturing.
이에 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 열처리 가 완료된 후 글래스 기판이 탑재되어 있는 홀더를 보트에서 언로딩하기 위해 홀더의 하부에 암을 위치시키되 홀더가 암에 안착되기 전에 암에서 가스를 소정 시간 동안 분사하여 글래스 기판을 빠른 시간 내에 냉각시킴으로써 열처리 공정의 생산성을 현저하게 향상시킬 수 있는 기판 이송 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, after the heat treatment is completed to place the arm on the lower part of the holder to unload the holder on which the glass substrate is mounted in the boat, but before the holder is seated on the arm It is an object of the present invention to provide a substrate transfer apparatus and method which can significantly improve the productivity of a heat treatment process by spraying a gas for a predetermined time and cooling the glass substrate in a short time.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 기판 이송 장치는, 글래스 기판이 안착되는 홀더; 및 상기 글래스 기판 및 상기 홀더가 탑재되는 암 - 상기 암에는 가스 공급로가 형성되어 있음 -; 를 포함하며, 퍼니스에서 열처리가 완료된 후 상기 암의 가스 공급로를 통해 가스를 분사하여 상기 글래스 기판을 냉각시킨 상태에서 상기 암을 이용하여 상기 글래스 기판 및 상기 홀더를 퍼니스로부터 언로딩하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, a substrate transfer apparatus according to the present invention, the holder is a glass substrate is seated; And an arm on which the glass substrate and the holder are mounted, the arm having a gas supply path formed therein; And after the heat treatment in the furnace is completed, unloading the glass substrate and the holder from the furnace using the arm in the state of cooling the glass substrate by injecting gas through the gas supply path of the arm. do.
상기 홀더의 하부면에는 복수개의 안착홈이 형성되어 있고, 상기 암의 상부면에는 상기 안착홈에 대응하는 복수개의 안착 블록이 형성되어 있으며, 상기 홀더 상에 상기 글래스 기판이 안착될 때 상기 안착 블록이 상기 안착홈에 삽입될 수 있다. A plurality of seating grooves are formed on a lower surface of the holder, and a plurality of seating blocks corresponding to the seating grooves are formed on an upper surface of the arm, and the seating block when the glass substrate is seated on the holder. It can be inserted into the seating groove.
상기 가스 공급로의 일단에는 공급되는 가스를 상기 홀더의 하부 전면으로 확산시키는 가스 확산로가 복수개로 형성될 수 있다. One end of the gas supply passage may be provided with a plurality of gas diffusion passages for diffusing the supplied gas to the lower front surface of the holder.
상기 가스는 질소 또는 CDA(Clean Dry Air)일 수 있다. The gas may be nitrogen or clean dry air (CDA).
상기 암의 가스 공급로를 통해 가스를 분사하여 상기 글래스 기판이 냉각됨 에 따라 열처리 과정에서 변형된 글래스 기판이 원 상태로 복구될 수 있다. As the glass substrate is cooled by spraying gas through the gas supply path of the arm, the glass substrate deformed during the heat treatment may be restored to its original state.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 기판 이송 방법은, 퍼니스에서 열처리가 완료된 후 암을 이용하여 글래스 기판을 냉각시킨 상태에서 글래스 기판 및 홀더를 퍼니스로부터 언로딩하는 기판 이송 방법으로서, 상기 암에는 가스 공급로가 형성되어 있고, 상기 가스 공급로를 통해 가스를 분사하여 상기 글래스 기판을 냉각시키며, 상기 글래스 기판 및 상기 홀더가 상기 암에 탑재되어 퍼니스로부터 언로딩되는 것을 특징으로 한다. In addition, the substrate transfer method according to the present invention in order to achieve the above object, as a substrate transfer method for unloading the glass substrate and holder from the furnace in the state in which the glass substrate is cooled by the arm after the heat treatment is completed in the furnace, A gas supply path is formed in the arm, and the gas is injected through the gas supply path to cool the glass substrate, and the glass substrate and the holder are mounted on the arm and unloaded from the furnace.
상기 암의 가스 공급로를 통해 가스를 분사하여 상기 글래스 기판이 냉각됨에 따라 열처리 과정에서 변형된 글래스 기판이 원 상태로 복구될 수 있다. As the glass substrate is cooled by spraying gas through the gas supply path of the arm, the glass substrate deformed during the heat treatment may be restored to its original state.
본 발명에 따르면, 글래스 기판을 열처리한 후 글래스 기판을 보트에서 언 로딩하기 전에 암에서 가스를 분사하여 글래스 기판을 빠른 시간 내에 냉각되게 함으로써 열처리 공정의 생산성을 크게 향상시키는 효과가 있다. According to the present invention, after heat-treating the glass substrate and before unloading the glass substrate from the boat, gas is injected from the arm to cool the glass substrate in a short time, thereby greatly improving the productivity of the heat treatment process.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다. Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치의 구성을 나타내는 평면도이다. 도시한 바와 같이, 암(100)에는 홀더(12)가 탑재되는데, 이때 홀더(12) 상에는 글래스 기판(10)이 안착되어 있다. 3 is a plan view showing the configuration of a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in the drawing, the
도 3을 참조하면, 홀더(12)가 평행하게 형성된 2개의 암(100) 상에 탑재된 상태로 되어 있으나, 암(100)의 형성 개수는 사용자의 필요에 의해 증감될 수 있 고, 암의 폭과 길이도 사용자의 필요에 의해 다양하게 변경될 수 있다. Referring to FIG. 3, although the
홀더(12)는 전체적으로는 평판 형태로 형성되고, 홀더(12)의 소정 위치에는 글래스 기판(10)이 홀더(12) 상에 정확하게 얼라인된 상태로 안착되도록 하는 얼라인 홀(미도시) 등이 형성될 수 있다. The
암(100)에는 가스 공급로(200)가 형성되어 있으며, 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다. The
암(100)의 단부에는 안착된 홀더(12)가 암(100)에 의해 이송되는 도중 외부의 진동에 의해 암(100)에서 홀더(12)가 이탈되는 것을 방지할 수 있도록 이탈 방지턱(300)을 설치할 수 있다. 또한, 암(100)의 단부에는 암(100)이 다른 물체에 필요 이상으로 접근시 이를 경고하여 다른 물체와의 충돌을 미연에 방지할 수 있는 충돌 방지 센서(400)를 설치할 수 있다.At the end of the
도 4는 도 3의 A-A 선의 선단면도로서, 안착 블록이 안착홈에 삽입된 상태를 나타내는 도면이다. 4 is a sectional view taken along the line A-A of FIG. 3, showing a state in which the seating block is inserted into the seating groove.
도시한 바와 같이, 홀더(12)의 하부면에는 소정 간격으로 복수개의 안착홈(140)을 형성하고 암(100)의 상부면에는 복수개의 안착홈(140)이 각각 삽입될 수 있도록 하는 안착 블록(160)을 돌출 형성할 수 있다. 한편, 도 4를 참조하면, 안착 블록(160)의 높이가 안착홈(140)의 깊이 보다 크게 형성되어 있으나 안착 블록(160)이 안착홈(140)에 삽입되어 암(100) 상에 홀더(12)가 안착될 수 있다면 그 반대가 되어도 무방하다. 안착홈(140)과 안착 블록(160)은 안착 블록(160)이 안착홈(140)에 삽입되어 결합될 수 있도록 서로 밀착되는 크기로 형성되는 것이 바람직 하다. 안착홈(140)과 안착 블록(160)의 형상은 특별하게 제한되지는 않지만 양자의 결합 용이성을 고려하면 원형인 것이 바람직하다.As shown, a seating block for forming a plurality of
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치의 암의 구성을 나타내는 평면도이다. 도시한 바와 같이, 암(100)에는 안착 블록(160)과 공기 공급로(200)가 형성되어 있다. 도 5를 참조하면, 안착 블록(160)은 하나의 암(100)에 각각 3개씩 소정의 위치에 형성되어 있는 것으로 되어 있으나 반드시 이에 한정되지 않는다. 5 is a plan view showing the configuration of an arm of the substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown, the
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치의 가스 공급로의 구성을 나타내는 평면도이다. 6 is a plan view showing the configuration of a gas supply passage of a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
도시한 바와 같이, 암(100)의 소정 위치에는 복수개의 가스 공급로(200)가 형성되어 있다. 암(100)의 가스 공급로(200)를 통하여 외부에서 공급된 가스가 글래스 기판의 냉각을 위하여 홀더(12)의 배면에 분사된다. 원활한 가스 공급을 위하여 가스 공급로(200)의 일단에는 가스 공급기(미도시)를 설치할 수 있다. As illustrated, a plurality of
가스 공급로(200)를 통하여 공급되는 가스는 질소(N2) 또는 CDA(Clean Dry Air)인 것이 바람직하다. The gas supplied through the
한편, 가스 공급로(200)를 통하여 분사된 가스가 홀더(12)의 전체 면적을 커버하여 글래스 기판(10)이 균일하게 냉각될 수 있도록 도 7에 도시한 바와 같이 가스 공급로(200)의 단부에는 복수개의 가스 확산로(210)를 형성하는 것이 바람직하다. 도 7을 참조하면, 직사각형의 가스 확산로(210)가 가스 공급로(200)의 단부를 중심으로 90도 간격으로 4개가 설치되어 있으나 가스 확산로의 형상, 개수 및 위치 등은 이에 한정되지 않는다. Meanwhile, as shown in FIG. 7, the gas injected through the
상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치의 동작을 설명하면 다음과 같다. Referring to the operation of the substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention configured as described above are as follows.
우선, 카세트에 저장되어 있는 글래스 기판(10)을 홀더(12) 상에 탑재한 상태에서 암(100)을 이용하여 보트에 로딩한 후 보트를 챔버에 로딩하여 열처리 공정을 진행한다. First, the
이때, 글래스 기판(10)은 홀더(12) 상의 소정 위치에 정확히 얼라인되어 탑재되며 글래스 기판(10)과 홀더(12)의 얼라인 과정에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 암(100)의 안착 블록(160)이 홀더(12)의 안착홈(140)에 삽입됨으로써 암(100)에 글래스 기판(10)이 탑재되어 있는 홀더(12)가 안착되어 암(100)을 이용한 글래스 기판(10)의 원활한 이송이 가능하다. At this time, the
이후, 열처리 공정이 완료되면 글래스 기판(10)을 언로딩하기 위하여 보트를 챔버로부터 언로딩시킨다. 이 과정에서 글래스 기판(10)은 외부 환경에 노출되어 급격한 온도 변화를 겪는다. 예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화 열처리 공정이 완료된 후 글래스 기판은 500℃ 정도의 온도를 갖는 상태에서 챔버로부터 언로딩됨으로써 온도 변화에 따라 글래스 기판의 코너 부근이 들뜨는 현상이 발생한다.Thereafter, when the heat treatment process is completed, the boat is unloaded from the chamber to unload the
다음으로 보트로부터 글래스 기판(10)과 홀더(12)를 언로딩시키기 위하여 도 8에 도시한 바와 같이 암(100)을 이송하고자 하는 홀더(12)의 하측에 위치시킨다. Next, in order to unload the
이때, 본 발명에서는 가스 공급기(미도시)를 동작시켜 암(100)의 가스 공급 로(200)를 통하여 홀더(12)의 배면에 가스가 분사되도록 하여 글래스 기판(10)이 빠르게 냉각되도록 한다. 분사되는 가스는 질소(N2) 또는 CDA(Clean Dry Air)인 것이 바람직하다. At this time, in the present invention, by operating a gas supplier (not shown) to the gas is injected to the back of the
상기와 같이 암(100)에서 분사되는 가스를 이용하여 글래스 기판(10)을 신속하게 냉각시킴에 따라 열처리 과정(언로딩 과정 포함)에서 발생한 글래스 기판(10)의 들뜸 현상 역시 빠르게 해소될 수 있다. 즉, 챔버로부터 언로딩시 500℃ 정도이었던 글래스 기판(10)의 온도가 1 내지 2분 정도의 시간 내에 100 내지 200℃에 도달함으로써 글래스 기판(100)이 들뜸 현상이 없는 원 상태로 복구되어 글래스 기판(10)이 홀더(12) 상에 밀착된 상태에서 암(100)에 안착되어 보트로부터 언로딩될 수 있다.As the
이로써 본 발명은 열처리 공정이 완료된 후 글래스 기판 이송 과정에서 시간이 많이 소요되는 종래의 문제점을 해결함으로써 예를 들어 비정질 실리콘의 결정화 열처리 공정의 생산성을 향상시키고 동시에 LCD나 OLED의 생산성 제고 및 제조 단가 절감을 도모할 수 있는 이점이 있다.Thus, the present invention solves the conventional problem that takes a long time in the glass substrate transfer process after the heat treatment process is completed, for example, to improve the productivity of the crystallization heat treatment process of amorphous silicon, and at the same time improve the productivity of LCD or OLED and reduce the manufacturing cost There is an advantage that can be planned.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다. Although the present invention has been shown and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above embodiments and various modifications made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Modifications and variations are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the invention and the appended claims.
도 1은 종래기술에 따른 열처리 장치의 구성을 나타내는 도면. 1 is a view showing the configuration of a heat treatment apparatus according to the prior art.
도 2은 도 1의 a 부분의 상세도면. FIG. 2 is a detailed view of a portion of FIG. 1; FIG.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치의 구성을 나타내는 평면도. 3 is a plan view showing the configuration of a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 4는 도 3의 A-A 선의 선단면도로서, 안착 블록이 안착홈에 삽입된 상태를 나타내는 도면. 4 is a sectional view taken along the line A-A of Figure 3, showing a state in which the seating block is inserted into the seating groove.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치의 암의 구성을 나타내는 평면도. 5 is a plan view showing the configuration of an arm of the substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치의 가스 공급로의 구성을 나타내는 평면도. 6 is a plan view showing the configuration of a gas supply passage of a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 7은 도 6의 가스 공급로의 단부에 형성된 가스 확산로의 구성을 나타내는 도면. FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of a gas diffusion path formed at an end of the gas supply path of FIG. 6. FIG.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 이송 장치의 동작 상태를 나타내는 도면. 8 is a view showing an operating state of the substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10: 글래스 기판10: glass substrate
12: 홀더12: holder
100: 암100: cancer
140: 안착홈140: seating groove
160: 안착 블록160: seating block
200: 가스 공급로200: gas supply furnace
210: 가스 확산로 210: gas diffusion furnace
300: 이탈 방지턱300: breakaway bump
400: 충돌 방지 센서400: anti-collision sensor
Claims (7)
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KR1020080051264A KR20090124838A (en) | 2008-05-30 | 2008-05-30 | Apparatus and method for transferring substrate |
Applications Claiming Priority (1)
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Family Applications (1)
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2008
- 2008-05-30 KR KR1020080051264A patent/KR20090124838A/en not_active Application Discontinuation
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