KR20090124195A - Protective film composition for dicing a wafer - Google Patents

Protective film composition for dicing a wafer Download PDF

Info

Publication number
KR20090124195A
KR20090124195A KR1020080050261A KR20080050261A KR20090124195A KR 20090124195 A KR20090124195 A KR 20090124195A KR 1020080050261 A KR1020080050261 A KR 1020080050261A KR 20080050261 A KR20080050261 A KR 20080050261A KR 20090124195 A KR20090124195 A KR 20090124195A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
water
protective film
film composition
wafer dicing
wafer
Prior art date
Application number
KR1020080050261A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101539763B1 (en
Inventor
이경호
권기진
성시진
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020080050261A priority Critical patent/KR101539763B1/en
Priority to JP2011511503A priority patent/JP5511799B2/en
Priority to CN200980125936.4A priority patent/CN102077326B/en
Priority to PCT/KR2009/002727 priority patent/WO2009145526A2/en
Priority to TW98117363A priority patent/TWI399402B/en
Publication of KR20090124195A publication Critical patent/KR20090124195A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101539763B1 publication Critical patent/KR101539763B1/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D179/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
    • C09D179/02Polyamines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D139/00Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D139/04Homopolymers or copolymers of monomers containing heterocyclic rings having nitrogen as ring member
    • C09D139/06Homopolymers or copolymers of N-vinyl-pyrrolidones
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/20Diluents or solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40Additives
    • C09D7/60Additives non-macromolecular
    • C09D7/63Additives non-macromolecular organic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

PURPOSE: A protective film composition for dicing a wafer is provided to prevent the generation of thermally crosslinked materials by irradiation of laser during a dicing process, to suppress the lifting of a protective film, and to ensure excellent applicability and storage stability. CONSTITUTION: A protective film composition for dicing a wafer comprises at least one resin selected from polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone; least one resin selected from the group consisting of water-soluble resin and single monomer of alcohols; a watersoluble surface active agent; water or a mixture of water and organic solvent as a solvent. At least one resin and component are included in a weight ratio of 1:9 ~ 7:3.

Description

웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물{Protective film composition for dicing a wafer}Protective film composition for wafer dicing

본 발명은 반도체의 다이싱 공정에 사용되는 열안정성, 도포성, 저장안정성 등이 우수한 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a protective film composition for wafer dicing excellent in thermal stability, coating properties, storage stability, and the like used in a dicing step of a semiconductor.

반도체 소자의 제조공정 중 웨이퍼의 다이싱 공정은 반도체 적층공정이 완료된 이후에, 각각의 나열된 디바이스를 스트리트라고 불리는 경계면을 절삭하여 분리하는 공정으로서, 절삭공정이 끝나면 칩 제조공정에 의해 반도체 제품이 완성된다.The wafer dicing process in the semiconductor device manufacturing process is a process of separating each of the listed devices by cutting a boundary surface called a street after the semiconductor lamination process is completed. The semiconductor product is completed by the chip manufacturing process after the cutting process is completed. do.

이러한 웨이퍼 다이싱 공정은 반도체의 집적화에 따라 스트리트의 간격이 좁아지고 적층물들의 기계적 물성도 취약해지기 때문에 이를 반영하는 방향으로 변화하고 있다. The wafer dicing process is changing in a direction reflecting this because the distance between the streets becomes narrower and the mechanical properties of the stacks become weaker as the semiconductor is integrated.

소자의 집적화도가 높아짐에 따라서 적층물의 가장 윗단에 있는 절연막을 형성하는 주재료인 폴리이미드가 웨이퍼 다이싱 공정중에 깨지거나 손상을 입을 수 있다. 따라서, 웨이퍼 다이싱 공정도 기존에 블레이드에 의해서 웨이퍼를 절단하던 공정에서 레이저를 이용하여 웨이퍼를 타공한 후에 블레이드를 이용하는 공정으로 바뀌어 가고 있으며, 레이저만 이용하여 웨이퍼를 절단하는 공정도 도입되고 있다. 그러나 레이저를 이용하는 레이저 다이싱 공정에서는 레이저의 열에 의해, 흄이 발생하여 비산하게 되는데 이로 인하여 웨이퍼 상부표면이 오염되는 문제가 발생한다.As the degree of integration of devices increases, polyimide, the main material for forming the insulating film on the top of the stack, may be broken or damaged during the wafer dicing process. Therefore, the wafer dicing process is also changed from a process of cutting a wafer by a blade to a process using a blade after drilling a wafer using a laser, and a process of cutting a wafer using only a laser is also introduced. However, in a laser dicing process using a laser, fume is generated and scattered by the heat of the laser, which causes a problem of contamination of the upper surface of the wafer.

이러한 문제를 해결하기 위한 공지기술로는, 웨이퍼의 상부면에 폴리비닐알코올(Poly Vinyl Alcohol), 폴리에틸렌글리콜(Poly Ethylene Glycol), 셀룰로오스(Cellulose) 계통의 수용성 레진을 도포하여 보호막을 형성하고 레이저 광을 조사하는 가공 방법이 개시되어 있다.In order to solve the problem, a known technique is applied to a water-soluble resin of polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, and cellulose based on an upper surface of a wafer to form a protective film and to generate laser light. A processing method for irradiating is disclosed.

그러나, 이러한 기술에 의하더라도 레이저 광의 열에 의해 웨이퍼 절단면에서 실리콘 가스가 발생하면 웨이퍼 보호막에 들뜸 현상이 발생하게 된다. 또한 실리콘 가스와 함께 흄이 발생하여 들뜬 상태의 보호막과 웨이퍼 상부 사이에 쌓이게 되며, 이후에 웨이퍼 보호막을 물로 세척하여도 씻겨 나가지 않아서 결점으로 작용한다. However, even with such a technique, if silicon gas is generated on the wafer cut surface by the heat of laser light, the phenomenon occurs in the wafer protective film. In addition, the fume is generated along with the silicon gas and accumulated between the excited protective film and the upper part of the wafer, and afterwards, even if the wafer protective film is washed with water, it does not wash out, which acts as a defect.

또한, 수용성 레진들은 열 안정성이 떨어지는 단점이 있다. 따라서, 레이저 다이싱 공정시 레이저의 조사를 받게 되면 내부에서 열이 발생하게 되고 이 열에 의해 폴리비닐알콜 같은 수용성 레진의 열분해가 발생한다. 그리고 열분해 도중에 가교가 발생하고, 이러한 열 가교물질은 레이저 다시싱 공정 후에 물에 의한 세척으로 제거되지 않고 웨이퍼 상부 표면에 남아 있게 된다.In addition, water-soluble resins have a disadvantage of poor thermal stability. Therefore, when the laser is irradiated during the laser dicing process, heat is generated inside, and thermal decomposition of water-soluble resin such as polyvinyl alcohol is generated by this heat. Crosslinking occurs during pyrolysis, and the thermally crosslinked material remains on the wafer top surface without being removed by washing with water after the laser ashing process.

현재, 레이저 다이싱 공정은 레이저 조사에 의한 타공 공정 후에 블레이드를 이용하여 웨이퍼를 절삭하는 절삭공정으로 이루어 지는 것이 일반적인데, 블레이드 를 이용한 웨이퍼 절삭 공정시에 웨이퍼 보호막의 경도가 높은 경우, 보호막의 깨짐 현상이 발생하고 이로 인하여 필름의 깨진 틈새에 절삭시 발생하는 이물질들이 끼어 들어가게 된다. 이는 비수용성 물질로서 웨이퍼 기판의 상부에 접착하고 있기 때문에 물에 의한 세정시에 씻겨 나가지 않고 결점으로 작용하게 된다.Currently, the laser dicing process is generally a cutting process of cutting a wafer using a blade after a perforation process by laser irradiation. If the hardness of the wafer protective film is high during the wafer cutting process using the blade, the protective film is broken. Phenomenon occurs, which causes foreign matters generated during cutting into the cracks of the film. This is a water-insoluble material, and because it adheres to the upper portion of the wafer substrate, it acts as a defect without being washed off when washed with water.

또한, 웨이퍼 다이싱용 보호막은 일반적으로 보호막 조성물을 스핀 코팅하여 막을 형성되는데 도포성이 나쁘면 보호막의 안정성이 저하되어 공정마진이 줄어들게 되므로, 보호막 조성물의 제조시 도포성도 중요하게 고려하여야 한다.In addition, the protective film for wafer dicing is generally formed by spin coating the protective film composition, but if the coating property is poor, the stability of the protective film is reduced and the process margin is reduced. Therefore, the coating property in the preparation of the protective film composition should also be considered.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 열 안정성이 우수하여 다이싱 공정 중에 레이저의 조사에 의한 열 가교 물질이 생성되지 않으며, 웨이퍼와 접착력이 우수하여 레이저 다이싱 공정 중에 보호막의 들뜸 현상이 발생하지 않으며, 적절한 경도를 갖는 보호막을 형성함으로써 레이저에 의한 타공 후, 블레이드로 절삭하더라도 보호막이 깨지는 문제가 발생하지 않으며, 도포성 및 저장안정성이 우수한 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the above problems of the prior art, it is excellent in thermal stability, no thermal cross-linking material is generated by the laser irradiation during the dicing process, excellent adhesion with the wafer and protective film during the laser dicing process It does not occur, the protective film having a suitable hardness does not occur, the protective film is not broken even after cutting with a blade after the punching by the laser, and provides a protective film composition for wafer dicing excellent in coating properties and storage stability For the purpose of

본 발명은, 폴리에틸옥사졸린 및 폴리비닐피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상의 레진; 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분; 수용성 계면활성제; 및 용매로서 물 또는 물과 유기용매의 혼합물을 포함하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제공한다.The present invention, at least one resin selected from polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone; At least one component selected from the group consisting of water-soluble resins and single molecules of alcohols; Water-soluble surfactants; And it provides a protective film composition for wafer dicing comprising water or a mixture of water and an organic solvent as a solvent.

본 발명의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물은, 열 안정성이 우수하여 다이싱 공정 중 레이저의 조사에 의한 열 가교 물질이 발생하지 않으며, 웨이퍼와 접착력이 우수하여 레이저 다이싱 공정 중에 보호막의 들뜸 현상으로 인한 결점이 발생하 지 않으며, 적절한 경도를 갖는 보호막을 형성함으로써 절삭시 보호막이 깨지는 문제가 발생하지 않으며, 웨이퍼에 대한 도포성능 및 저장안정성도 우수하기 때문에 집적도가 높아지고 있는 반도체 디바이스의 제조공정 중 다이싱 공정에서 광범위 하게 사용될 수 있다.The protective film composition for wafer dicing of the present invention is excellent in thermal stability, does not generate thermal crosslinking material due to laser irradiation during the dicing process, and has excellent adhesive strength with the wafer, resulting in the lifting of the protective film during the laser dicing process. Does not occur, and a protective film having an appropriate hardness is not formed, so that the protective film is not broken during cutting. In addition, since the coating performance and storage stability of the wafer are excellent, the integration degree is increased in the dicing process of the manufacturing process of a semiconductor device. It can be used extensively.

본 발명은, 폴리에틸옥사졸린 및 폴리비닐피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상의 레진; 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분; 수용성 계면활성제; 및 용매로서 물 또는 물과 유기용매의 혼합물을 포함하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물에 관한 것이다.The present invention, at least one resin selected from polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone; At least one component selected from the group consisting of water-soluble resins and single molecules of alcohols; Water-soluble surfactants; And a protective film composition for wafer dicing comprising water or a mixture of water and an organic solvent as a solvent.

종래에는 폴리비닐알코올(PVA), 폴리에틸렌글리콜(PEG), 셀룰로오스 계열의 레진, 폴리아크릴릭에시드(PAA) 등의 수용성 레진들을 사용하고 있으나 이들 중에 물에 잘 녹게 하는 히드록시기 또는 카르복실릭 에시드기를 갖는 수용성 레진들은 열에 약하거나 열 분해시 가교 부산물을 생성한다. Conventionally, water-soluble resins such as polyvinyl alcohol (PVA), polyethylene glycol (PEG), cellulose-based resins, and polyacrylic acid (PAA) are used, but among them, water-soluble resins having a hydroxyl group or a carboxylic acid group that dissolve well in water. Resins are susceptible to heat or produce crosslinking byproducts upon thermal decomposition.

그러나, 본 발명의 조성물에서 사용하는 수용성 레진인 폴리에틸옥사졸린과 폴리비닐피롤리돈은 열안정성이 우수할 뿐만 아니라 물에 대한 용해성이 우수한 특징을 갖는다.However, polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone, which are water-soluble resins used in the composition of the present invention, have not only excellent thermal stability but also excellent solubility in water.

본 발명의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물은 폴리에틸옥사졸린 또는 폴리에틸옥사졸린과 폴리비닐피롤리돈의 혼합물을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the protective film composition for wafer dicing of this invention contains polyethyloxazoline or the mixture of polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone.

폴리에틸옥사졸린의 일례로서 폴리(2-에틸-2-옥사졸린)은 아쿠아졸이라는 상품명으로 알려져 있는데, 이는 물에 대한 용해성이 좋고 열안정성이 우수하다. 질소 분위기 하에서 온도 상승속도를 10℃/min로 하여 열중량분석기(TGA)에서 중량감소를 측정하면 350℃ 이상에서 중량감소가 나타나기 시작하며 380℃ 부근에서 급격하게 분해가 일어난다. 그러나 분해도중에 가교 부수물을 만들지 않아서 물에 용해되지 않는 디펙(defect)이 생성되지 않는다. As an example of polyethyloxazoline, poly (2-ethyl-2-oxazoline) is known under the trade name Aquazole, which has good solubility in water and excellent thermal stability. When the weight loss is measured in a thermogravimetric analyzer (TGA) at a temperature rising rate of 10 ° C./min under a nitrogen atmosphere, weight loss starts to appear at 350 ° C. or higher, and decomposition occurs rapidly around 380 ° C. However, no crosslinking accompaniment is made during decomposition, so that no defects are formed that do not dissolve in water.

폴리비닐피롤리돈도 물에 대한 용해성이 좋고 열안정성이 우수하다. 질소 분위기 하에서 온도 상승 속도를 10℃/min로 하여 열중량분석기(TGA)에서 중량감소를 측정하면 300℃ 부근에서 중량감소가 나타나기 시작하며 400℃ 부근에서 급격하게 분해가 일어난다. 그러나 분해도중에 가교 부수물을 만들지 않아서 물에 용해되지 않는 디펙이 생성되지 않는다. Polyvinylpyrrolidone also has good solubility in water and excellent thermal stability. When the weight loss is measured in a thermogravimetric analyzer (TGA) at a temperature rising rate of 10 ° C./min under a nitrogen atmosphere, weight loss starts to appear around 300 ° C. and decomposition rapidly occurs around 400 ° C. However, it does not form a crosslinked accompaniment during decomposition, and thus does not produce a defect that does not dissolve in water.

본 발명의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물에서 상기 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분은 보호막의 기판 접착성 향상과 경도 조절을 위하여 사용된다. 상기에서 수용성 레진의 예로는 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌글리콜(PEG), 셀룰로오스, 폴리아크릴릭에시드(PAA) 등을 들 수 있으며, 상기 알코올류의 단분자들의 예로는 모노에틸렌글리콜, 트리스에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 펜타에리스리톨, 트리스메틸프로판올 등을 들 수 있다.In the protective film composition for wafer dicing of the present invention, at least one component selected from the group consisting of single molecules of the above water-soluble resins and alcohols is used for improving substrate adhesion and hardness of the protective film. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyethylene glycol (PEG), cellulose, polyacrylic acid (PAA), and the like. Examples of the single molecules of the alcohols include monoethylene glycol, trisethylene glycol, and tetraethylene. Glycol, pentaerythritol, trismethylpropanol and the like.

상기 폴리비닐알코올(Poly vinyl alcohol)은 수용성 레진으로써 물에 대한 용해성이 좋으며 웨이퍼와의 접착력이 아주 우수하다. 따라서 폴리에틸 옥사졸린과 폴리비닐알코올을 혼합하여 사용하면 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물의 접착력을 향상 시킬 수 있으며, 이로 인하여 레이저 조사 시에 보호막의 들뜸 현상을 방지 할 수 있다. 폴리비닐알코올은 검화도와 분자량에 따라 물에 대한 용해도가 다르며, 용해된 이후에 저장안정성도 다르다. 폴리비닐알코올의 검화도가 100%인 경우에는 물에 대한 용해도가 좋지 못하며 물에 용해된 이후에 겔화가 진행하기 때문에 시간에 따라서 점도가 상승하게 된다. 이 때문에 검화도가 87~90%인 폴리비닐알코올을 사용할 수 있다. 검화도가 87~90%인 폴리비닐알코올은 시간에 따른 점도변화가 없기 때문에 용액제로 사용이 가능하다. 또한 분자량에 따라서도 용해성과 시간에 따른 안정성이 다르게 나타나는데, 중합도가 500~2,000 인 폴리비닐알코올이 용해성과 저장안정성이 우수하다. 따라서, 본 발명에서는 검화도가 87~90%이고 중합도가 500~2,000인 폴리비닐알코올을 사용하는 것이 바람직하다. The polyvinyl alcohol is a water-soluble resin and has good solubility in water and has excellent adhesion to wafers. Therefore, when a mixture of polyethyl oxazoline and polyvinyl alcohol is used, the adhesion of the protective film composition for wafer dicing can be improved, thereby preventing the lifting of the protective film during laser irradiation. Polyvinyl alcohol has different solubility in water according to saponification and molecular weight, and storage stability after dissolution is also different. If the saponification degree of polyvinyl alcohol is 100%, the solubility in water is not good, and since the gelation proceeds after dissolving in water, the viscosity increases with time. For this reason, polyvinyl alcohol whose saponification degree is 87 to 90% can be used. Polyvinyl alcohol with 87% to 90% saponification can be used as a solution because there is no change in viscosity with time. In addition, the solubility and the stability with time appear different depending on the molecular weight, polyvinyl alcohol having a polymerization degree of 500 ~ 2,000 is excellent in solubility and storage stability. Therefore, in this invention, it is preferable to use polyvinyl alcohol whose saponification degree is 87 to 90% and a polymerization degree is 500 to 2,000.

그런데, 폴리비닐알코올은 열안정성이 약하기 때문에 열안정성이 우수한 폴리에틸옥사졸린 또는 폴리비닐피롤리돈과 혼합하여 사용하는 것이 바람직하며, 250℃ 이하에서, 물에 의해 용해 되지 않는 가교 부산물이 생성 되지 않는 범위 내에서 사용이 가능하다.However, since polyvinyl alcohol has poor thermal stability, it is preferable to use polyvinyl alcohol mixed with polyethyloxazoline or polyvinylpyrrolidone having excellent thermal stability, and at 250 ° C or lower, crosslinking by-products which are not dissolved by water are not produced. It can be used within the range.

본 발명의 보호막 조성물에서 상기 폴리에틸옥사졸린 및 폴리비닐피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상의 레진(고형분 기준)과 상기 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분(상기 수용성 레진은 고형분 기준임)은 1:9~7:3의 중량비로 포함되는 것이 바람직하며, 상기와 같은 범위로 포함되는 경우에, 열안정성, 웨이퍼에 대한 접착성, 보호막 경도 등에 있어서 바람직한 물성이 나타난다. In the protective film composition of the present invention, one or more components selected from the group consisting of one or more resins (based on solids) selected from the polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone and the single molecules of the water-soluble resins and alcohols (the The water-soluble resin is based on a solid content) is preferably included in a weight ratio of 1: 9-7: 3, when included in the above range, preferred physical properties in thermal stability, adhesion to the wafer, protective film hardness, etc. appear.

본 발명의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물에서 상기 수용성 계면활성제는 조성물의 도포성을 향상시키고 저장안정성을 높이는 역할을 한다. In the protective film composition for wafer dicing of the present invention, the water-soluble surfactant serves to improve the coating property of the composition and to increase the storage stability.

일반적으로 레이저 다이싱 공정에서 사용하는 보호막 필름의 두께는 1 ㎛ 이상을 사용하기 때문에 보호막 조성물의 도포성이 좋지 않을 경우, 웨이퍼의 중앙과 가장자리의 막두께 차이가 발생하여 공정마진이 줄어들게 된다. 따라서, 본 발명의 보호막 조성물은 수용성의 계면활성제를 첨가함으로써 조성물의 도포성을 향상시키는 것을 특징으로 한다. 상기 수용성 계면활성제로는 예컨대, 폴리에테르 변성 알킬실록산, 폴리에테르 변성 폴리알킬실록산, 폴리에테르 변성 하이드록시 관능기의 폴리디메틸 실록산, 폴리에테르-폴리에스테르 변성 하이드록시 폴리알킬실록산, 비이온성 폴리아크릴계 수용성 계면활성제, 알코올 알콕시레이트, 폴리머릭 플루오르계 수용성 계면활성제 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.In general, since the thickness of the protective film used in the laser dicing process is 1 μm or more, when the coating property of the protective film composition is not good, a difference in the film thickness between the center and the edge of the wafer occurs and the process margin is reduced. Therefore, the protective film composition of this invention improves the coating property of a composition by adding water-soluble surfactant. Examples of the water-soluble surfactant include polyether-modified alkylsiloxanes, polyether-modified polyalkylsiloxanes, polydimethyl siloxanes of polyether-modified hydroxy functional groups, polyether-polyester-modified hydroxy polyalkylsiloxanes, and nonionic polyacrylic-based water-soluble surfactants. Active agents, alcohol alkoxylates, polymeric fluorine-based water-soluble surfactants, and the like, and these may be used alone or in combination of two or more thereof.

또한, 본 발명자들은 상기 수용성 계면활성제가 보호막 조성물에서 분산제 역할도 수행하여 시간에 지남에 따라 보호막 조성물에 겔화가 발생하지 않는 것을 발견하였다. 따라서, 본 발명의 보호막 조성물은 수용성 계면활성제를 포함함으로 써, 도포성의 향상뿐만 아니라 우수한 저장 안정성도 갖게 된다.In addition, the present inventors have found that the water-soluble surfactant also serves as a dispersant in the protective film composition so that gelation does not occur in the protective film composition over time. Therefore, the protective film composition of this invention contains water-soluble surfactant, and it has not only the improvement of applicability | paintability but also the outstanding storage stability.

본 발명의 보호막 조성물에서 상기 수용성 계면활성제는 조성물에 포함되는 레진 성분의 고형분 총중량에 대하여 10~80ppm으로 포함되는 것이 바람직하며, 상기와 같은 범위로 포함되는 경우에, 보호막 조성물의 도포성, 저장안정성 등에서 바람직한 물성이 나타나며, 이 밖에 열안정성, 웨이퍼에 대한 접착성, 보호막 경도 등에 있어서도 바람직하다. In the protective film composition of the present invention, the water-soluble surfactant is preferably included in 10 ~ 80ppm relative to the total weight of the solid content of the resin component contained in the composition, when included in the above range, the coating properties, storage stability of the protective film composition Preferable physical properties are shown, and the like is also preferable in terms of thermal stability, adhesion to wafers, protective film hardness, and the like.

본 발명의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물은 용매로 물을 사용하지만, 보호막 조성물의 막두께의 조절, 도포성 및 저장안정성의 향상을 위하여 유기 용매를 혼합하여 사용 할 수도 있다. 상기 유기용매의 예로는 이소프로필알코올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 알킬카보네이트 계열의 부틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 글리세린카보네이트, 에틸렌카보네이트 등을 들 수 있다. 이러한 유기용매는 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용 할 수 있다. Although the protective film composition for wafer dicing of the present invention uses water as a solvent, an organic solvent may be mixed and used to adjust the film thickness of the protective film composition, and to improve the coating property and storage stability. Examples of the organic solvent include isopropyl alcohol, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), alkyl carbonate-based butylene carbonate, propylene carbonate, glycerin carbonate, ethylene carbonate, and the like. . Such an organic solvent can be used 1 type or in mixture of 2 or more types.

상기 유기 용매 중에서 프로필렌글리콜모노메틸에테르는 물에 대한 혼용성이 우수하여 물과 어떠한 혼합비로도 서로 용해가 되지만 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트는 물 100g에 대해서 16g 이하만 용해되므로 이 범위 내에서 사용하여야 한다. In the organic solvent, propylene glycol monomethyl ether has excellent compatibility with water, so that it can be dissolved with water in any mixing ratio, but propylene glycol monomethyl ether acetate is dissolved in only 16 g or less with respect to 100 g of water. do.

특히, 상기 극성이 높은 알킬카보네이트 계열의 부틸렌카보네이트, 프로필 렌카보네이트, 글리세린카보네이트, 에틸렌카보네이트 등의 유기용매를 혼합하여 사용하는 경우에는 저장안정성과 도포성 향상 면에서 유리한 효과를 나타낸다. In particular, when a mixture of organic solvents such as butylene carbonate, propylene carbonate, glycerin carbonate and ethylene carbonate having a high polarity is used in combination, it has a favorable effect in terms of storage stability and coating property.

상기 에틸렌 카보네이트는 상온에서 고체이나 물에 잘 녹으며, 글리세린카보네이트는 물에 어떠한 혼합비로도 용해가 가능하다. 그러나 부틸렌카보네이트와 프로필렌카보네이트는 물에 대한 용해도가 상온에서 각각 10%, 25% 이하이므로 이 범위 내에서 사용하여야 한다.The ethylene carbonate is well soluble in solid or water at room temperature, glycerin carbonate can be dissolved in water in any mixing ratio. However, butylene carbonate and propylene carbonate should be used within this range because the solubility in water is less than 10% and 25% at room temperature, respectively.

본 발명의 보호막 조성물에서 상기 용매는 전체 조성물 의 점도가 10~100cP가 되도록 조절하여 첨가된다. 보호막 조성물의 점도가 상기 범위 내인 경우에 우수한 도포성을 나타내며, 이 밖에 저장안정성, 웨이퍼 접착성, 보호막의 경도 등에 있어서도 바람직한 물성이 나타난다. In the protective film composition of the present invention, the solvent is added to adjust the viscosity of the total composition to 10 ~ 100 cP. When the viscosity of a protective film composition is in the said range, it shows the outstanding applicability | paintability, In addition, preferable physical property also shows in storage stability, wafer adhesiveness, the hardness of a protective film, etc.

본 발명의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물은 성능을 향상시키기 위하여 당업계에 공지되어 있는 하나 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.The protective film composition for wafer dicing of the present invention may further include one or more additives known in the art to improve performance.

특히, 본 발명의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물은 용액제의 기포생성을 억제하기 위하여 첨가제로서 소포제를 더 포함할 수 있으며, 이러한 소포제로는 폴리실록산, 폴리알킬실록산, 플루오르 실리콘 중합체 등을 들 수 있다. In particular, the protective film composition for wafer dicing of the present invention may further include an antifoaming agent as an additive in order to suppress the foaming of the solution, and such antifoaming agents include polysiloxane, polyalkylsiloxane, fluorosilicone polymer and the like.

본 발명은 또한, 상기의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 사용하여 제조되는 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체 소자는 레이저, 블레이 드 등을 사용하여 웨이퍼를 다이싱하는 경우에도 본 발명에 의한 웨이퍼 다이싱용 보호막에 의하여 완벽하게 보호되며, 상기 보호막의 세척도 용이하므로 디펙(defect)이 없는 상태로 제조되는 것을 특징으로 한다. The present invention also relates to a semiconductor device manufactured using the above protective film composition for wafer dicing. The semiconductor device according to the present invention is completely protected by the wafer dicing protective film according to the present invention even when dicing a wafer using a laser, a blade, etc., and the cleaning of the protective film is also easy, so there is no defect. It is characterized by being manufactured in a state.

이하에서, 본 발명을 실시예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail using examples. However, the following examples are provided to illustrate the present invention, and the present invention is not limited to the following examples and may be variously modified and changed.

실시예Example 1 내지 5 및  1 to 5 and 비교예Comparative example 1 내지 4: 1 to 4: 웨이퍼 wafer 다이싱용For dicing 보호막 조성물의 제조 Preparation of Protective Film Composition

실시예Example 1 One

교반기가 설치되어있는 혼합조에 폴리에틸옥사졸린(상품명 아쿠아졸, 중합도 50) 5g, 폴리비닐알코올(중합도 500, 검화도 87~90%) 5g, 계면활성제(BYK-337, BYK사 제)과 소포제(BYK-025, BYK사제)는 고형분인 폴리에틸옥사졸린과 폴리비닐알코올 함량의 합에 대하여 각각 30ppm씩을 투입하고, 용매로 물을 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조 하였다.5 g of polyethyloxazoline (trade name Aquazol, polymerization degree 50), 5 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 500, saponification degree 87 to 90%), surfactant (BYK-337, manufactured by BYK) and antifoaming agent in a mixing tank equipped with a stirrer (BYK-025, manufactured by BYK Co., Ltd.), 30 ppm each was added to the sum of the solid content of polyethyloxazoline and polyvinyl alcohol, and the solution was added at a temperature of 60 cP while adding water as a solvent. By stirring at a speed of 500rpm for a time to prepare a protective film composition for wafer dicing.

실시예Example 2 2

교반기가 설치되어있는 혼합조에 폴리에틸옥사졸린(상품명 아쿠아졸, 중합 도 50) 3g, 폴리비닐피롤리돈(중합도 1200) 3g, 폴리비닐알코올(중합도 1700, 검화도 87~90%) 4g, 계면활성제(BYK-337, BYK사 제)과 소포제(BYK-025, BYK사제)는 고형분인 폴리에틸옥사졸린, 폴리비닐피롤리돈 및 폴리비닐알코올 함량의 합에 대하여 각각 30ppm씩을 투입하고, 용매로 물을 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조 하였다.3 g of polyethyloxazoline (trade name Aquazol, polymerization degree 50), 3 g of polyvinylpyrrolidone (polymerization degree 1200), 4 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 1700, saponification degree 87 to 90%) in a mixing tank equipped with a stirrer 30 ppm each of the activator (BYK-337, manufactured by BYK) and the antifoaming agent (BYK-025, manufactured by BYK) were added to the sum of the contents of the solid content of polyethyloxazoline, polyvinylpyrrolidone and polyvinyl alcohol. After adding water so that the viscosity of the solution was 60 cP, and stirred at a speed of 500 rpm for 1 hour at room temperature to prepare a protective film composition for wafer dicing.

실시예Example 3 3

교반기가 설치되어있는 혼합조에 폴리에틸옥사졸린(상품명 아쿠아졸, 중합도 50) 2g, 폴리비닐피롤리돈(중합도 1200) 2g, 폴리비닐알코올(중합도 1700, 검화도 87~90%) 6g, 계면활성제(BYK-337, BYK사 제)과 소포제(BYK-025, BYK사제)는 고형분인 폴리에틸옥사졸린, 폴리비닐피롤리돈 및 폴리비닐알코올 함량의 합에 대하여 각각 30ppm씩을 투입하고, 용매로 물을 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조 하였다.2 g of polyethyloxazoline (trade name Aquazol, polymerization degree 50), 2 g of polyvinylpyrrolidone (polymerization degree 1200), 6 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 1700, saponification degree 87 to 90%) in a mixing tank equipped with a stirrer (BYK-337, manufactured by BYK) and the antifoaming agent (BYK-025, manufactured by BYK) are charged 30 ppm each for the sum of the contents of the solid polyethyloxazoline, polyvinylpyrrolidone, and polyvinyl alcohol, and water is used as the solvent. While adding the solution so that the viscosity of the solution is 60cP, and stirred at a speed of 500rpm for 1 hour at room temperature to prepare a protective film composition for wafer dicing.

실시예Example 4 4

교반기가 설치되어있는 혼합조에 폴리에틸옥사졸린(상품명 아쿠아졸, 중합도 500) 7g, 폴리비닐알코올(중합도 500, 검화도 87~90%) 3g, 계면활성제(BYK-337, BYK사 제)과 소포제(BYK-025, BYK사제)는 고형분인 폴리에틸옥사졸린과 폴리비닐알 코올 함량의 합에 대하여 각각 30ppm씩을 투입하고, 용매로 물을 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조 하였다.7 g of polyethyl oxazoline (trade name Aquasol, polymerization degree 500), 3 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 500, saponification degree 87 to 90%), surfactant (BYK-337, manufactured by BYK) and antifoaming agent in a mixing tank equipped with a stirrer (BYK-025, manufactured by BYK Co., Ltd.), 30 ppm each was added to the sum of the solid content of polyethyloxazoline and polyvinyl alcohol as solids, and water was added to the solvent to add the solution to a viscosity of 60 cP, and then at room temperature. A protective film composition for wafer dicing was prepared by stirring at a speed of 500 rpm for 1 hour.

실시예Example 5 5

교반기가 설치되어있는 혼합조에 폴리에틸옥사졸린(상품명 아쿠아졸, 중합도 500) 3g, 폴리비닐알코올(중합도 1700, 검화도 87~90%) 7g, 트리스에틸렌글리콜(TEG) 1g, 부틸렌카보네이트 0.3g, 계면활성제(BYK-337, BYK사 제)과 소포제(BYK-025, BYK사제)는 고형분인 폴리에틸옥사졸린과 폴리비닐알코올 함량의 합에 대하여 각각 30ppm씩을 투입하고, 용매로 물을 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조 하였다.3 g of polyethyloxazoline (trade name Aquazol, polymerization degree 500), 7 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 1700, saponification degree 87 to 90%), 1 g of trisethylene glycol (TEG), 0.3 g of butylene carbonate in a mixing tank equipped with a stirrer , 30 ppm each of the surfactant (BYK-337, manufactured by BYK) and the antifoaming agent (BYK-025, manufactured by BYK) were added to the sum of the content of solid polyoxazoline and polyvinyl alcohol, and water was added as a solvent. After the solution was added to have a viscosity of 60 cP, the protective film composition for wafer dicing was prepared by stirring at a speed of 500 rpm for 1 hour at room temperature.

비교예Comparative example 1 One

교반기가 설치되어있는 혼합조에 폴리비닐알코올(중합도 1700, 검화도 87~90%) 10g 및 용매로 물을 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조 하였다.10 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 1700, saponification degree 87 to 90%) and water were added to the mixing tank equipped with a stirrer to add a solution to a viscosity of 60 cP, followed by stirring at a speed of 500 rpm for 1 hour at room temperature. To prepare a protective film composition for wafer dicing.

비교예Comparative example 2 2

교반기가 설치되어있는 혼합조에 폴리비닐알코올(중합도 1700, 검화도 87~90%) 9g, 폴리에틸렌글리콜(무게평균분자량 700) 1g, BYK-337는 고형분인 폴리비닐알코올과 폴리에틸렌글리콜의 합에 대하여 300ppm을 투입하고, 용매로 물을 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조 하였다.9 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 1700, saponification degree 87 to 90%), 1 g of polyethylene glycol (weight average molecular weight 700) and BYK-337 are 300 ppm with respect to the sum of polyvinyl alcohol and polyethylene glycol as solids Was added, the solution was added with a viscosity of 60 cP while adding water as a solvent, and then stirred at a speed of 500 rpm for 1 hour at room temperature to prepare a protective film composition for wafer dicing.

비교예Comparative example 3 3

교반기가 설치되어있는 혼합조에 폴리비닐알코올(중합도 1700, 검화도 87~90%) 9g, 펜타에리쓰리톨(Pentaerithritol) 1g, BYK-337는 고형분인 폴리비닐알코올과 펜타에리쓰리톨의 합에 대하여 300ppm을 투입하고, 용매로 물과 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 70/30(w/w)의 비율로 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조 하였다.9 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree of 1700, saponification degree of 87 to 90%), 1 g of pentaerithritol, and BYK-337 are added to the sum of polyvinyl alcohol and pentaerythritol as solids. 300 ppm was added, and water and propylene glycol monomethyl ether (PGME) were added at a ratio of 70/30 (w / w) as a solvent to add a viscosity of 60 cP, followed by a rate of 500 rpm for 1 hour at room temperature. It was stirred to prepare a protective film composition for wafer dicing.

비교예Comparative example 4 4

교반기가 설치되어있는 혼합조에 폴리비닐알코올(중합도 1700, 검화도 87~90%) 8g, 폴리에틸렌글리콜(무게평균분자량 700) 1g, 펜타에리쓰리톨 1g, 용매로 물과 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 70/30(w/w)의 비율로 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조 하였다.8 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 1700, saponification degree 87 to 90%), 1 g polyethylene glycol (weight average molecular weight 700), 1 g pentaerythritol, 1 g of solvent, water and propylene glycol monomethyl ether (PGME) ) Was added at a rate of 70/30 (w / w) so that the viscosity of the solution was 60 cP, and then stirred at 500 rpm for 1 hour at room temperature to prepare a protective film composition for wafer dicing.

시험예Test Example 1: 스트립 속도 측정 테스트1: strip speed measurement test

4 인치(inch) 산화 실리콘 기판에 상기 실시예와 비교예의 샘플들을 스핀 코팅하고, 110℃에서 15분간 건조시킨 막두께가 1㎛가 되도록 스핀 속도(rpm)을 조절하여 샘플을 제조하였다. 이들 샘플을 사용하여 DRM 기계에서 물에 스트립되는 속도를 측정하였다. 측정단위는 초당 제거되는 막두께로 표시된다. 시험 결과는 하기의 표 1에 나타내었다.Samples were prepared by spin coating the samples of the Examples and Comparative Examples on a 4 inch silicon oxide substrate and adjusting the spin rate (rpm) so that the film thickness dried at 110 ° C. for 15 minutes was 1 μm. These samples were used to measure the rate of stripping into water on a DRM machine. The unit of measurement is expressed as the film thickness removed per second. The test results are shown in Table 1 below.

◎ : 1000nm/s 이상◎: 1000 nm / s or more

○ : 800 ~ 1000nm/s○: 800 to 1000nm / s

△ : 500 ~ 800nm/s△: 500 to 800 nm / s

× : 500nm/s 이하×: 500 nm / s or less

시험예Test Example 2: 도포성능 측정 테스트2: coating performance measurement test

4 인치(inch) 산화 실리콘 기판에 상기 실시예와 비교예의 샘플들을 스핀 코팅하고, 110℃에서 15분간 건조 시킨 막두께가 1㎛가 되도록 스핀 속도(rpm)을 조절하여 샘플을 제조하였다. 이 후에 웨이퍼의 중앙과 중앙에서 상하좌우 각각 2cm, 4cm 떨어진 지점의 막두께를 측정하여 표준편차를 확인하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물의 도포 성능을 확인 하였다. 시험 결과는 하기의 표 1에 나타내었다.Samples were prepared by spin coating the samples of Examples and Comparative Examples on a 4 inch silicon oxide substrate and adjusting the spin rate (rpm) so that the film thickness was dried at 110 ° C. for 15 minutes to 1 μm. Thereafter, the film thicknesses of 2 cm and 4 cm apart from each other in the center and the center of the wafer were measured, and the standard deviation was confirmed to confirm the coating performance of the protective film composition for wafer dicing. The test results are shown in Table 1 below.

◎ : 1% 이하◎: 1% or less

○ : 1 ~ 2%○: 1 to 2%

△ : 2 ~ 4%△: 2 to 4%

× : 4% 이상×: 4% or more

시험예Test Example 3: 저장 안정성 테스트3: storage stability test

실시예와 비교예의 샘플들을 상온에서 보관하면서 1주일마다 점도 측정과 도포성 측정을 실시 하여 시간에 따른 물성의 변화가 발생하는지를 측정하였다. 시험 결과는 하기의 표 1에 나타내었다.While keeping the samples of the Examples and Comparative Examples at room temperature, the viscosity measurement and coating properties were measured every week to determine whether the change in physical properties over time. The test results are shown in Table 1 below.

◎ : 16주 이상 안정◎: Stable for 16 weeks or more

○ : 12주 이상 안정○: stable for more than 12 weeks

△ : 8주 이상 안정△: stable for more than 8 weeks

× : 8주 미만에서 안정×: stable in less than 8 weeks

시험예Test Example 4: 밀착성 측정 테스트4: adhesion measurement test

4 인치(inch) 산화 실리콘 기판에 상기 실시예와 비교예의 샘플을 스핀 코팅하고, 110℃에서 15분간 건조 시킨 막두께가 1㎛가 되도록 스핀 속도(rpm)을 조절하여 샘플을 제조 한다. 이 후에 JIS K5600-5-6의 실험 방법에 의거하여 크로스컷 테스트(테이핑 테스트)를 진행하였다. 시험 결과는 하기의 표 1에 나타내었다.Samples were prepared by spin coating a sample of the above Examples and Comparative Examples on a 4 inch silicon oxide substrate and adjusting the spin rate (rpm) so that the film thickness dried at 110 ° C. for 15 minutes was 1 μm. Thereafter, a crosscut test (tapping test) was conducted based on the experimental method of JIS K5600-5-6. The test results are shown in Table 1 below.

◎ : 떨어진 격자의 수(0개)◎: Number of fallen grids (0)

○ : 떨어진 격자의 수(1~5개)○: number of grids dropped (1 to 5)

△ : 떨어진 격자의 수(5~10개)△: number of fallen grids (5-10 pieces)

× : 떨어진 격자의 수(10개 이상)×: number of fallen grids (10 or more)

시험예Test Example 5: 연필경도 측정 테스트 5: pencil hardness measurement test

4 인치(inch) 산화 실리콘 기판에 상기 실시예와 비교예의 샘플들을 코팅하고, 110℃에서 15분간 건조 시킨 막두께가 1㎛가 되도록 스핀 속도(rpm)을 조절하여 샘플을 제조하였다. 이 후에 JID D 0202의 실험 방법에 의거하여 연필경도를 측정하였다. 시험 결과는 하기의 표 1에 나타내었다.Samples of Examples and Comparative Examples were coated on a 4 inch silicon oxide substrate, and a sample was prepared by adjusting the spin speed (rpm) so that the film thickness dried at 110 ° C. for 15 minutes was 1 μm. After that, the pencil hardness was measured according to the experimental method of JID D 0202. The test results are shown in Table 1 below.

시험예Test Example 6: 6: 열안정성Thermal stability 테스트 Test

4 인치(inch) 산화 실리콘 기판에 상기 실시예와 비교예의 샘플들을 스핀 코팅한 후, 110℃에서 15분간 건조 시킨 막두께가 1㎛가 되도록 스핀 속도(rpm)를 조절하여 샘플을 제조하였다. 이 후에 열풍건조기에 250℃에서 10분간 방치한 후, 물에 씻겨져 나가는지를 확인하였다. 이는 열에 의해 물에 녹지 않는 열분해 가교물질이 생성되는지를 확인하기 위한 테스트이다. 시험 결과는 하기의 표 1에 나타내었다.After spin coating the samples of Examples and Comparative Examples on a 4 inch silicon oxide substrate, a sample was prepared by adjusting the spin rate (rpm) so that the film thickness dried at 110 ° C. for 15 minutes was 1 μm. Thereafter, the mixture was left at 250 ° C. for 10 minutes in a hot air dryer, and then washed with water. This is a test to check whether pyrolytic crosslinking material that is insoluble in water is generated by heat. The test results are shown in Table 1 below.

◎ : 깨끗하게 스트립 됨◎: Stripped clean

○ : 미세한 파티클 존재○: fine particle present

△ : 스트립 되지 않은 부분이 많음△: many unstriped parts

× : 전혀 스트립 되지 않음× not stripped at all

스트립속도Strip speed 도포성능Coating performance 저장안정성Storage stability 밀착성Adhesion 연필경도Pencil hardness 열안정성Thermal stability 실시예 1Example 1 9H9H 실시예 2Example 2 7H7H 실시예 3Example 3 9H9H 실시예 4Example 4 7H7H 실시예 5Example 5 5H5H 비교예 1Comparative Example 1 ×× 9H9H 비교예 2Comparative Example 2 ×× HH 비교예 3Comparative Example 3 ×× HH 비교예 4Comparative Example 4 ×× HH

Claims (10)

폴리에틸옥사졸린 및 폴리비닐피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상의 레진; 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분; 수용성 계면활성제; 및 용매로서 물 또는 물과 유기용매의 혼합물을 포함하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.At least one resin selected from polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone; At least one component selected from the group consisting of water-soluble resins and single molecules of alcohols; Water-soluble surfactants; And a water or a mixture of water and an organic solvent as a solvent. 청구항 1에 있어서, 상기 폴리에틸옥사졸린 및 폴리비닐피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상의 레진(고형분 기준)과 상기 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분(상기 수용성 레진은 고형분 기준임)은 1:9~7:3의 중량비로 포함되며; 상기 수용성 계면활성제는 조성물에 포함되는 레진 성분의 고형분 총중량에 대하여 10~80ppm으로 포함되며; 상기 용매는 전체 조성물의 점도가 10~100cP가 되는 범위로 포함되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The method according to claim 1, wherein the polyethyloxazoline and at least one component selected from the group consisting of polyvinylpyrrolidone (solid content basis) and the water-soluble resin and a single molecule of alcohols (the water-soluble Resin is based on solids) in a weight ratio of 1: 9-7: 3; The water-soluble surfactant is included in 10 ~ 80ppm relative to the total weight of the solid content of the resin component included in the composition; The solvent is a protective film composition for a wafer dicing, characterized in that included in the range that the viscosity of the entire composition is 10 ~ 100 cP. 청구항 1에 있어서, 상기 폴리에틸옥사졸린 및 폴리비닐피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상의 레진이 폴리에틸옥사졸린인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The protective film composition for wafer dicing according to claim 1, wherein at least one resin selected from polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone is polyethyloxazoline. 청구항 1에 있어서, 상기 수용성 레진이 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌글리 콜(PEG), 셀룰로오스, 및 폴리아크릴릭에시드(PAA)이고, 상기 알코올류의 단분자가 모노에틸렌글리콜, 트리스에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 펜타에리스리톨, 및 트리스메틸프로판올인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The method according to claim 1, wherein the water-soluble resin is polyvinyl alcohol, polyethylene glycol (PEG), cellulose, and polyacrylic acid (PAA), the single molecules of the alcohols are monoethylene glycol, trisethylene glycol, tetraethylene glycol, It is pentaerythritol and trismethyl propanol, The protective film composition for wafer dicing characterized by the above-mentioned. 청구항 1에 있어서, 상기 수용성 계면활성제가 폴리에테르 변성 알킬실록산, 폴리에테르 변성 폴리알킬실록산, 폴리에테르 변성 하이드록시 관능기의 폴리디메틸 실록산, 폴리에테르-폴리에스테르 변성 하이드록시 폴리알킬실록산, 비인온성 폴리아크릴계 수용성 계면활성제, 알코올 알콕시레이트, 및 폴리머릭 플루오르계 수용성 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The method according to claim 1, wherein the water-soluble surfactant is polyether modified alkylsiloxane, polyether modified polyalkylsiloxane, polydimethyl siloxane of polyether modified hydroxy functional group, polyether-polyester modified hydroxy polyalkylsiloxane, non-phosphorous polyacrylic type A water-soluble surfactant, alcohol alkoxylate, and a polymeric fluorine-based water-soluble surfactant, at least one member selected from the group consisting of a protective film composition for wafer dicing. 청구항 1에 있어서, 상기 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분이 폴리비닐알코올이며, 상기 폴리비닐알코올은 검화도가 87~90%이고 중합도가 500~2,000인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The method according to claim 1, wherein at least one component selected from the group consisting of the water-soluble resin and the monomolecule of alcohols is polyvinyl alcohol, and the polyvinyl alcohol has a degree of saponification of 87 to 90% and a degree of polymerization of 500 to 2,000. A protective film composition for wafer dicing characterized by the above-mentioned. 청구항 1에 있어서, 상기 폴리에틸옥사졸린 및 폴리비닐피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상의 레진이 폴리에틸옥사졸린이고, 상기 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분이 검화도가 87~90%이고 중합도가 500~2,000인 폴리비닐알코올인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The method according to claim 1, wherein at least one resin selected from polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone is polyethyloxazoline, and at least one component selected from the group consisting of single molecules of the water-soluble resin and alcohols is A polyvinyl alcohol having a degree of saponification of 87 to 90% and a degree of polymerization of 500 to 2,000, and a protective film composition for wafer dicing. 청구항 1에 있어서, 상기 용매가 물과 유기용매의 혼합물이고, 상기 유기용매가 이소프로필 알코올, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME), 부틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 글리세린카보네이트, 및 에틸렌카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The method of claim 1, wherein the solvent is a mixture of water and an organic solvent, the organic solvent is isopropyl alcohol, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), butylene carbonate, propylene carbonate, A protective film composition for wafer dicing, characterized in that at least one selected from the group consisting of glycerin carbonate and ethylene carbonate. 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서, 상기 유기용매가 부틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 글리세린카보네이트, 및 에틸렌카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The protective film composition for wafer dicing according to claim 7 or 8, wherein the organic solvent is at least one selected from the group consisting of butylene carbonate, propylene carbonate, glycerin carbonate, and ethylene carbonate. 청구항 1의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 사용하여 제조되는 반도체 소자.A semiconductor device manufactured using the protective film composition for wafer dicing of claim 1.
KR1020080050261A 2008-05-29 2008-05-29 Protective film composition for dicing a wafer KR101539763B1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080050261A KR101539763B1 (en) 2008-05-29 2008-05-29 Protective film composition for dicing a wafer
JP2011511503A JP5511799B2 (en) 2008-05-29 2009-05-22 Protective film composition for wafer dicing
CN200980125936.4A CN102077326B (en) 2008-05-29 2009-05-22 Protective film composition for wafer dicing
PCT/KR2009/002727 WO2009145526A2 (en) 2008-05-29 2009-05-22 Protective film composition for wafer dicing
TW98117363A TWI399402B (en) 2008-05-29 2009-05-25 Protective film composition for wafer dicing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080050261A KR101539763B1 (en) 2008-05-29 2008-05-29 Protective film composition for dicing a wafer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090124195A true KR20090124195A (en) 2009-12-03
KR101539763B1 KR101539763B1 (en) 2015-07-27

Family

ID=41686156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080050261A KR101539763B1 (en) 2008-05-29 2008-05-29 Protective film composition for dicing a wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101539763B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140030451A (en) * 2012-08-29 2014-03-12 동우 화인켐 주식회사 Wafer dicing protective film for a laser
WO2018139725A1 (en) * 2017-01-26 2018-08-02 (주)엠티아이 Coating agent composition for wafer protection in laser scribing process

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6023094A (en) * 1998-01-14 2000-02-08 National Semiconductor Corporation Semiconductor wafer having a bottom surface protective coating
JP4571850B2 (en) * 2004-11-12 2010-10-27 東京応化工業株式会社 Protective film agent for laser dicing and wafer processing method using the protective film agent
JP4642436B2 (en) * 2004-11-12 2011-03-02 リンテック株式会社 Marking method and protective film forming and dicing sheet

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140030451A (en) * 2012-08-29 2014-03-12 동우 화인켐 주식회사 Wafer dicing protective film for a laser
WO2018139725A1 (en) * 2017-01-26 2018-08-02 (주)엠티아이 Coating agent composition for wafer protection in laser scribing process

Also Published As

Publication number Publication date
KR101539763B1 (en) 2015-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5511799B2 (en) Protective film composition for wafer dicing
JP6310657B2 (en) Wafer protective film composition for laser dicing
EP2587530A2 (en) Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary bonding arrangement, and thin wafer manufacturing method
TWI551658B (en) Solution for forming protective layer and method for manufacturing and using thereof
CN106459680A (en) Layered body for temporary bonding, method for manufacturing layered body for temporary bonding, and layered body provided with device wafer
JP6533150B2 (en) Protective agent for semiconductor laser dicing and method of manufacturing semiconductor using the same
JP6718174B2 (en) Protective film agent for laser processing
JP2015126063A (en) Resin composition for temporary fixing, resin film for temporary fixing, and resin film sheet for temporary fixing
KR101600088B1 (en) Protective film composition for laser dicing
JPWO2015190478A1 (en) Laminated body for temporary bonding, manufacturing method of laminated body for temporary bonding, and laminated body with device wafer
KR20090124195A (en) Protective film composition for dicing a wafer
TW201323210A (en) Mold-releasing film and method for producing same
KR20090124194A (en) Protective film composition for dicing a wafer
CN1799007A (en) Thinner composition for removing photosensitive resin
CN111454634A (en) Protective liquid and protective film for laser cutting of soft colloid material
US20160215159A1 (en) Protective film composition for laser dicing and use thereof
JP7313584B2 (en) Flux sheet for semiconductor transfer
KR101673589B1 (en) A detergent composition for a glass substrate of flat panel display device
JP6055494B2 (en) Laser dicing method
JP7287066B2 (en) RESIN COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP7275770B2 (en) RESIN COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP2008299222A (en) Composition for forming anti-reflection coating, and method of forming resist pattern using the same
TW202408808A (en) Protective sheet
TWI773170B (en) Method for fabricating semiconductor device chips and protective composition
KR102038056B1 (en) peeling material for stripping protected coating material for dicing process

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant