KR20090124194A - Protective film composition for dicing a wafer - Google Patents

Protective film composition for dicing a wafer Download PDF

Info

Publication number
KR20090124194A
KR20090124194A KR1020080050260A KR20080050260A KR20090124194A KR 20090124194 A KR20090124194 A KR 20090124194A KR 1020080050260 A KR1020080050260 A KR 1020080050260A KR 20080050260 A KR20080050260 A KR 20080050260A KR 20090124194 A KR20090124194 A KR 20090124194A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
protective film
water
film composition
wafer
wafer dicing
Prior art date
Application number
KR1020080050260A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101539762B1 (en
Inventor
이경호
권기진
성시진
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020080050260A priority Critical patent/KR101539762B1/en
Priority to JP2011511503A priority patent/JP5511799B2/en
Priority to CN200980125936.4A priority patent/CN102077326B/en
Priority to PCT/KR2009/002727 priority patent/WO2009145526A2/en
Priority to TW98117363A priority patent/TWI399402B/en
Publication of KR20090124194A publication Critical patent/KR20090124194A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101539762B1 publication Critical patent/KR101539762B1/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D139/00Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D139/04Homopolymers or copolymers of monomers containing heterocyclic rings having nitrogen as ring member
    • C09D139/06Homopolymers or copolymers of N-vinyl-pyrrolidones
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/02Polyamines
    • C08G73/0233Polyamines derived from (poly)oxazolines, (poly)oxazines or having pendant acyl groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D139/00Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D139/04Homopolymers or copolymers of monomers containing heterocyclic rings having nitrogen as ring member
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/20Diluents or solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40Additives
    • C09D7/65Additives macromolecular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/564Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

PURPOSE: A protective film composition for dicing a wafer is provided to prevent thermo-crosslinking materials from being generated by irradiation of laser during a dicing process, and to avoid defects caused by the lifting of a protective film. CONSTITUTION: A protective film composition for dicing a wafer comprises based on the total weight of composition except for solvent, at least one resin 10~70 weight% (solid standard) selected from polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone; at least one component 30~90 weight% (the water-soluble resin is the solid standard) selected from the group consisting of a consisting of a water-soluble resin and a single monomer of alcohols; and water or a mixture of water and organic solvent.

Description

웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물{Protective film composition for dicing a wafer}Protective film composition for wafer dicing

본 발명은 반도체의 다이싱 공정에 사용되는 열안정성이 우수한 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a protective film composition for wafer dicing excellent in thermal stability used in a dicing step of a semiconductor.

반도체 소자의 제조공정 중 웨이퍼의 다이싱 공정은 반도체 적층공정이 완료된 이후에, 각각의 나열된 디바이스를 스트리트라고 불리는 경계면을 절삭하여 분리하는 공정으로서, 절삭공정이 끝나면 칩 제조공정에 의해 반도체 제품이 완성된다.The wafer dicing process in the semiconductor device manufacturing process is a process of separating each of the listed devices by cutting a boundary surface called a street after the semiconductor lamination process is completed. The semiconductor product is completed by the chip manufacturing process after the cutting process is completed. do.

이러한 웨이퍼 다이싱 공정은 반도체의 집적화에 따라 스트리트의 간격이 좁아지고 적층물들의 기계적 물성도 취약해지기 때문에 이를 반영하는 방향으로 변화하고 있다. The wafer dicing process is changing in a direction reflecting this because the distance between the streets becomes narrower and the mechanical properties of the stacks become weaker as the semiconductor is integrated.

소자의 집적화도가 높아짐에 따라서 적층물의 가장 윗단에 있는 절연막을 형성하는 주재료인 폴리이미드가 웨이퍼 다이싱 공정중에 깨지거나 손상을 입을 수 있다. 따라서, 웨이퍼 다이싱 공정도 기존에 블레이드에 의해서 웨이퍼를 절단하던 공정에서 레이저를 이용하여 웨이퍼를 타공한 후에 블레이드를 이용하는 공정으로 바뀌어 가고 있으며, 레이저만 이용하여 웨이퍼를 절단하는 공정도 도입되고 있다. 그러나 레이저를 이용하는 레이저 다이싱 공정에서는 레이저의 열에 의해, 흄이 발생하여 비산하게 되는데 이로 인하여 웨이퍼 상부표면이 오염되는 문제가 발생한다.As the degree of integration of devices increases, polyimide, the main material for forming the insulating film on the top of the stack, may be broken or damaged during the wafer dicing process. Therefore, the wafer dicing process is also changed from a process of cutting a wafer by a blade to a process using a blade after drilling a wafer using a laser, and a process of cutting a wafer using only a laser is also introduced. However, in a laser dicing process using a laser, fume is generated and scattered by the heat of the laser, which causes a problem of contamination of the upper surface of the wafer.

이러한 문제를 해결하기 위한 공지기술로는, 웨이퍼의 상부면에 폴리비닐알코올(Poly Vinyl Alcohol), 폴리에틸렌글리콜(Poly Ethylene Glycol), 셀룰로오스(Cellulose) 계통의 수용성 레진을 도포하여 보호막을 형성하고 레이저 광을 조사하는 가공 방법이 개시되어 있다.In order to solve the problem, a known technique is applied to a water-soluble resin of polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, and cellulose based on an upper surface of a wafer to form a protective film and to generate laser light. A processing method for irradiating is disclosed.

그러나, 이러한 기술에 의하더라도 레이저 광의 열에 의해 웨이퍼 절단면에서 실리콘 가스가 발생하면 웨이퍼 보호막에 들뜸 현상이 발생하게 된다. 또한 실리콘 가스와 함께 흄이 발생하여 들뜬 상태의 보호막과 웨이퍼 상부 사이에 쌓이게 되며, 이후에 웨이퍼 보호막을 물로 세척하여도 씻겨 나가지 않아서 결점으로 작용한다. However, even with such a technique, if silicon gas is generated on the wafer cut surface by the heat of laser light, the phenomenon occurs in the wafer protective film. In addition, the fume is generated along with the silicon gas and accumulated between the excited protective film and the upper part of the wafer, and afterwards, even if the wafer protective film is washed with water, it does not wash out, which acts as a defect.

또한, 수용성 레진들은 열 안정성이 떨어지는 단점이 있다. 따라서, 레이저 다이싱 공정시 레이저의 조사를 받게 되면 내부에서 열이 발생하게 되고 이 열에 의해 폴리비닐알콜 같은 수용성 레진의 열분해가 발생한다. 그리고 열분해 도중에 가교가 발생하고, 이러한 열 가교물질은 레이저 다시싱 공정 후에 물에 의한 세척으로 제거되지 않고 웨이퍼 상부 표면에 남아 있게 된다.In addition, water-soluble resins have a disadvantage of poor thermal stability. Therefore, when the laser is irradiated during the laser dicing process, heat is generated inside, and thermal decomposition of water-soluble resin such as polyvinyl alcohol is generated by this heat. Crosslinking occurs during pyrolysis, and the thermally crosslinked material remains on the wafer top surface without being removed by washing with water after the laser ashing process.

현재, 레이저 다이싱 공정은 레이저 조사에 의한 타공 공정 후에 블레이드를 이용하여 웨이퍼를 절삭하는 절삭공정으로 이루어 지는 것이 일반적인데, 블레이드 를 이용한 웨이퍼 절삭 공정시에 웨이퍼 보호막의 경도가 높은 경우, 보호막의 깨짐 현상이 발생하고 이로 인하여 필름의 깨진 틈새에 절삭시 발생하는 이물질들이 끼어 들어가게 된다. 이는 비수용성 물질로서 웨이퍼 기판의 상부에 접착하고 있기 때문에 물에 의한 세정시에 씻겨 나가지 않고 결점으로 작용하게 된다.Currently, the laser dicing process is generally a cutting process of cutting a wafer using a blade after a perforation process by laser irradiation. If the hardness of the wafer protective film is high during the wafer cutting process using the blade, the protective film is broken. Phenomenon occurs, which causes foreign matters generated during cutting into the cracks of the film. This is a non-aqueous material, and because it adheres to the upper portion of the wafer substrate, it acts as a defect without being washed off when washed with water.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 열 안정성이 우수하여 다이싱 공정 중에 레이저의 조사에 의한 열 가교 물질이 생성되지 않으며, 웨이퍼와 접착력이 우수하여 레이저 다이싱 공정 중에 보호막의 들뜸 현상이 발생하지 않으며, 적절한 경도를 갖는 보호막을 형성함으로써 레이저에 의한 타공 후, 블레이드로 절삭하더라도 보호막이 깨지는 문제가 발생하지 않는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the above problems of the prior art, it is excellent in thermal stability, no thermal cross-linking material is generated by the laser irradiation during the dicing process, excellent adhesion with the wafer and protective film during the laser dicing process It is an object of the present invention to provide a protective film composition for wafer dicing in which no floating phenomenon occurs and the protective film is not broken even after cutting with a blade after drilling with a laser by forming a protective film having an appropriate hardness.

본 발명은, 폴리에틸옥사졸린 및 폴리비닐피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상의 레진; 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분; 및 용매로서 물 또는 물과 유기용매의 혼합물을 포함하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제공한다.The present invention, at least one resin selected from polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone; At least one component selected from the group consisting of water-soluble resins and single molecules of alcohols; And it provides a protective film composition for wafer dicing comprising water or a mixture of water and an organic solvent as a solvent.

본 발명의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물은, 열 안정성이 우수하여 다이싱 공정 중 레이저의 조사에 의한 열 가교 물질이 발생하지 않으며, 웨이퍼와 접착력이 우수하여 레이저 다이싱 공정 중에 보호막의 들뜸 현상으로 인한 결점이 발생하지 않으며, 적절한 경도를 갖는 보호막을 형성함으로써 절삭시 보호막이 깨지는 문 제가 발생하지 않으며, 웨이퍼에 대한 도포성능도 우수하기 때문에 집적도가 높아지고 있는 반도체 디바이스의 제조공정 중 다이싱 공정에서 광범위 하게 사용될 수 있다.The protective film composition for wafer dicing of the present invention is excellent in thermal stability, does not generate thermal crosslinking material due to laser irradiation during the dicing process, and has excellent adhesive strength with the wafer, resulting in the lifting of the protective film during the laser dicing process. Does not occur, and a protective film having an appropriate hardness is not formed, so that the protective film is not broken during cutting, and because the coating performance on the wafer is excellent, it is widely used in the dicing process of the manufacturing process of the semiconductor device which is increasing in density. Can be.

본 발명은, 폴리에틸옥사졸린 및 폴리비닐피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상의 레진; 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분; 및 용매로서 물 또는 물과 유기용매의 혼합물을 포함하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물에 관한 것이다.The present invention, at least one resin selected from polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone; At least one component selected from the group consisting of water-soluble resins and single molecules of alcohols; And a protective film composition for wafer dicing comprising water or a mixture of water and an organic solvent as a solvent.

종래에는 폴리비닐알코올(PVA), 폴리에틸렌글리콜(PEG), 셀룰로오스 계열의 레진, 폴리아크릴릭에시드(PAA) 등의 수용성 레진들을 사용하고 있으나 이들 중에 물에 잘 녹게 하는 히드록시기 또는 카르복실릭 에시드기를 갖는 수용성 레진들은 열에 약하거나 열 분해시 가교 부산물을 생성한다. Conventionally, water-soluble resins such as polyvinyl alcohol (PVA), polyethylene glycol (PEG), cellulose-based resins, and polyacrylic acid (PAA) are used, but among them, water-soluble resins having a hydroxyl group or a carboxylic acid group that dissolve well in water. Resins are susceptible to heat or produce crosslinking byproducts upon thermal decomposition.

그러나, 본 발명의 조성물에서 사용하는 수용성 레진인 폴리에틸옥사졸린과 폴리비닐피롤리돈은 열안정성이 우수할 뿐만 아니라 물에 대한 용해성이 우수한 특징을 갖는다.However, polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone, which are water-soluble resins used in the composition of the present invention, have not only excellent thermal stability but also excellent solubility in water.

본 발명의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물은 폴리에틸옥사졸린 또는 폴리에틸옥사졸린과 폴리비닐피롤리돈의 혼합물을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the protective film composition for wafer dicing of this invention contains polyethyloxazoline or the mixture of polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone.

폴리에틸옥사졸린으로서 폴리(2-에틸-2-옥사졸린)은 아쿠아졸이라는 상품명으로 알려져 있는데, 이는 물에 대한 용해성이 좋고 열안정성이 우수하다. 질소 분위기 하에서 온도 상승속도를 10℃/min로 하여 열중량분석기(TGA)에서 중량감소를 측정하면 350℃ 이상에서 중량감소가 나타나기 시작하며 380℃ 부근에서 급격하게 분해가 일어난다. 그러나 분해도중에 가교 부수물을 만들지 않아서 물에 용해되지 않는 디펙(defect)이 생성되지 않는다. Poly (2-ethyl-2-oxazoline) as the polyethyloxazoline is known under the trade name Aquazole, which has good solubility in water and excellent thermal stability. When the weight loss is measured in a thermogravimetric analyzer (TGA) at a temperature rising rate of 10 ° C./min under a nitrogen atmosphere, weight loss starts to appear at 350 ° C. or higher, and decomposition occurs rapidly around 380 ° C. However, no crosslinking accompaniment is made during decomposition, so that no defects are formed that do not dissolve in water.

폴리비닐피롤리돈도 물에 대한 용해성이 좋고 열안정성이 우수하다. 질소 분위기 하에서 온도 상승 속도를 10℃/min로 하여 열중량분석기(TGA)에서 중량감소를 측정하면 300℃ 부근에서 중량감소가 나타나기 시작하며 400℃ 부근에서 급격하게 분해가 일어난다. 그러나 분해도중에 가교 부수물을 만들지 않아서 물에 용해되지 않는 디펙이 생성되지 않는다. Polyvinylpyrrolidone also has good solubility in water and excellent thermal stability. When the weight loss is measured in a thermogravimetric analyzer (TGA) at a temperature rising rate of 10 ° C./min under a nitrogen atmosphere, weight loss starts to appear around 300 ° C. and decomposition rapidly occurs around 400 ° C. However, it does not form a crosslinked accompaniment during decomposition, and thus does not produce a defect that does not dissolve in water.

본 발명의 보호막 조성물에서 상기 폴리에틸옥사졸린 및 폴리비닐피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상의 레진은 용매를 제외한 조성물 총중량에 대하여 고형분 기준으로 10~70중량%로 포함될 수 있다. 상기와 같은 범위로 포함되는 경우에, 열안정성, 웨이퍼에 대한 접착성, 보호막의 경도 등에 있어서 바람직한 물성이 나타난다. In the protective film composition of the present invention, at least one resin selected from polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone may be included in an amount of 10 to 70% by weight based on the total weight of the composition excluding the solvent. When included in the above range, desirable physical properties are exhibited in thermal stability, adhesion to wafers, hardness of the protective film, and the like.

본 발명의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물에서 상기 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분은 보호막의 기판 접착성 향상과 경도 조절을 위하여 사용된다. 상기에서 수용성 레진의 예로는 폴리비 닐알코올, 폴리에틸렌글리콜(PEG), 셀룰로오스, 폴리아크릴릭에시드(PAA)등을 들 수 있으며, 상기 알코올류의 단분자들의 예로는 모노에틸렌글리콜, 트리스에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 펜타에리스리톨, 트리스메틸프로판올 등을 들 수 있다.In the protective film composition for wafer dicing of the present invention, at least one component selected from the group consisting of single molecules of the above water-soluble resins and alcohols is used for improving substrate adhesion and hardness of the protective film. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyethylene glycol (PEG), cellulose, polyacrylic acid (PAA), and the like. Examples of the single molecules of the alcohols include monoethylene glycol, trisethylene glycol, tetra Ethylene glycol, pentaerythritol, trismethyl propanol, etc. are mentioned.

상기 폴리비닐알코올(Poly vinyl alcohol)은 수용성 레진으로써 물에 대한 용해성이 좋으며 웨이퍼와의 접착력이 아주 우수하다. 따라서 폴리에틸옥사졸린과 폴리비닐알코올을 혼합하여 사용하면 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물의 접착력을 향상 시킬 수 있으며, 이로 인하여 레이저 조사 시에 보호막의 들뜸 현상을 방지 할 수 있다. 폴리비닐알코올은 검화도와 분자량에 따라 물에 대한 용해도가 다르며, 용해된 이후에 저장안정성도 다르다. 폴리비닐알코올의 검화도가 100%인 경우에는 물에 대한 용해도가 좋지 못하며 물에 용해된 이후에 겔화가 진행하기 때문에 시간에 따라서 점도가 상승하게 된다. 이 때문에 검화도가 87~90%인 폴리비닐알코올을 사용할 수 있다. 검화도가 87~90%인 폴리비닐알코올은 시간에 따른 점도변화가 없기 때문에 용액제로 사용이 가능하다. 또한 분자량에 따라서도 용해성과 시간에 따른 안정성이 다르게 나타나는데, 중합도가 500~2,000 인 폴리비닐알코올이 용해성과 저장안정성이 우수하다. 따라서, 본 발명에서는 검화도가 87~90%이고 중합도가 500~2,000인 폴리비닐알코올을 사용하는 것이 바람직하다. The polyvinyl alcohol is a water-soluble resin and has good solubility in water and has excellent adhesion to wafers. Therefore, when a mixture of polyethyloxazoline and polyvinyl alcohol is used, the adhesion of the protective film composition for wafer dicing can be improved, thereby preventing the lifting of the protective film during laser irradiation. Polyvinyl alcohol has different solubility in water according to saponification and molecular weight, and storage stability after dissolution is also different. If the saponification degree of polyvinyl alcohol is 100%, the solubility in water is not good, and since the gelation proceeds after dissolving in water, the viscosity increases with time. For this reason, polyvinyl alcohol whose saponification degree is 87 to 90% can be used. Polyvinyl alcohol with 87% to 90% saponification can be used as a solution because there is no change in viscosity with time. In addition, the solubility and the stability with time appear different depending on the molecular weight, polyvinyl alcohol having a polymerization degree of 500 ~ 2,000 is excellent in solubility and storage stability. Therefore, in this invention, it is preferable to use polyvinyl alcohol whose saponification degree is 87 to 90% and a polymerization degree is 500 to 2,000.

그런데, 폴리비닐알코올은 열안정성이 약하기 때문에 열안정성이 우수한 폴리에틸옥사졸린 또는 폴리비닐피롤리돈과 혼합하여 사용하는 것이 바람직하며, 250℃ 이하에서, 물에 의해 용해 되지 않는 가교 부산물이 생성 되지 않는 범위 내에서 사용이 가능하다.However, since polyvinyl alcohol has poor thermal stability, it is preferable to use polyvinyl alcohol mixed with polyethyloxazoline or polyvinylpyrrolidone having excellent thermal stability, and at 250 ° C or lower, crosslinking by-products which are not dissolved by water are not produced. It can be used within the range.

본 발명의 보호막 조성물에서 상기 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분은 용매를 제외한 조성물 총중량에 대하여 30~90중량%로 포함될 수 있다. 상기에서 수용성 레진은 고형분을 기준으로 한다. 상기와 같은 범위로 포함되는 경우에, 웨이퍼에 대한 접착성, 보호막 경도 등에 있어서 바람직한 물성이 나타난다.In the protective film composition of the present invention, at least one component selected from the group consisting of single molecules of the water-soluble resin and alcohols may be included in an amount of 30 to 90 wt% based on the total weight of the composition excluding the solvent. The water-soluble resin in the above is based on the solid content. When included in the above ranges, desirable physical properties appear in adhesion to the wafer, protective film hardness, and the like.

본 발명의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물은 용매로 물을 사용하지만, 보호막 조성물의 막두께를 높게 하기 위해서, 또는 도포성의 향상을 위하여 유기 용매를 혼합하여 사용 할 수도 있다. 상기 유기용매의 예로는 이소프로필알코올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME) 등을 들 수 있으며, 이러한 유기용매는 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용 할 수도 있다. 상기 유기 용매 중에서 프로필렌글리콜모노메틸에테르가 물에 대한 혼용성이 우수하기 때문에 가장 바람직하게 사용될 수 있다. 프로필렌글리콜모노메틸에테르는 물과 어떠한 혼합비로도 서로 용해가 되지만 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트는 물 100g에 대해서 16g 이하만 용해되는 용해성을 지니기 때문이다. In the protective film composition for wafer dicing of the present invention, water is used as the solvent, but an organic solvent may be mixed and used to increase the film thickness of the protective film composition or to improve applicability. Examples of the organic solvent include isopropyl alcohol, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), and the like, and these organic solvents may be used alone or in combination of two or more thereof. have. Among the organic solvents, propylene glycol monomethyl ether may be most preferably used because of its excellent compatibility with water. This is because propylene glycol monomethyl ether is soluble in water and in any mixing ratio, but propylene glycol monomethyl ether acetate has solubility that only 16 g or less is dissolved in 100 g of water.

본 발명의 보호막 조성물에서 상기 용매는 전체 조성물 의 점도가 10~100cP가 되도록 조절하여 첨가된다. 보호막 조성물의 점도가 상기 범위 내인 경우에 우수한 도포성을 나타내며, 웨이퍼 접착성, 보호막의 경도 등에 있어서도 바람직한 물성이 나타난다. In the protective film composition of the present invention, the solvent is added to adjust the viscosity of the total composition to 10 ~ 100 cP. When the viscosity of a protective film composition is in the said range, it shows the outstanding applicability | paintability, and preferable physical property also appears in wafer adhesiveness, the hardness of a protective film, etc.

본 발명의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물은 성능을 향상시키기 위하여 당업 계에 공지되어 있는 하나 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. The protective film composition for wafer dicing of the present invention may further include one or more additives known in the art for improving performance.

본 발명은 또한, 상기의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 사용하여 제조되는 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체 소자는 레이저, 블레이드 등을 사용하여 웨이퍼를 다이싱하는 경우에도 본 발명에 의한 웨이퍼 다이싱용 보호막에 의하여 완벽하게 보호되며, 상기 보호막의 세척도 용이하므로 디펙(defect)이 없는 상태로 제조되는 것을 특징으로 한다. The present invention also relates to a semiconductor device manufactured using the above protective film composition for wafer dicing. The semiconductor device according to the present invention is completely protected by the wafer dicing protective film according to the present invention even when dicing a wafer using a laser, a blade, etc., and the cleaning of the protective film is also easy, so that there is no defect. Characterized in that manufactured.

이하에서, 본 발명을 실시예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail using examples. However, the following examples are provided to illustrate the present invention, and the present invention is not limited to the following examples and may be variously modified and changed.

실시예Example 1 내지 5 및  1 to 5 and 비교예Comparative example 1 내지 4 : 1 to 4: 웨이퍼 wafer 다이싱용For dicing 보호막 조성물의 제조 Preparation of Protective Film Composition

실시예Example 1 One

교반기가 설치되어 있는 혼합조에 폴리에틸옥사졸린(상품명 아쿠아졸, 중합도 50) 5g, 폴리비닐알코올(중합도 500, 검화도 87~90%) 5g, 및 용매로서 물을 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조하였다.Into a mixing tank equipped with a stirrer, 5 g of polyethyloxazoline (trade name Aquazol, polymerization degree 50), 5 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 500, saponification degree 87 to 90%), and water were added as a solvent and the viscosity of the solution was 60 cP. After the addition, the mixture was stirred at a speed of 500 rpm for 1 hour at room temperature to prepare a protective film composition for wafer dicing.

실시예Example 2 2

교반기가 설치되어 있는 혼합조에 폴리에틸옥사졸린(상품명 아쿠아졸, 중합도 50) 3g, 폴리비닐피롤리돈(중합도 1200) 3g, 폴리비닐알코올(중합도 1700, 검화도 87~90%) 4g, 및 용매로서 물을 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조하였다.3 g of polyethyloxazoline (trade name Aquazol, polymerization degree 50), 3 g of polyvinylpyrrolidone (polymerization degree 1200), 4 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 1700, saponification degree 87 to 90%) and a solvent in a mixing tank equipped with a stirrer The solution was added with a viscosity of 60 cP while adding water, and then stirred at a speed of 500 rpm for 1 hour at room temperature to prepare a protective film composition for wafer dicing.

실시예Example 3 3

교반기가 설치되어 있는 혼합조에 폴리에틸옥사졸린(상품명 아쿠아졸, 중합도 50) 3g, 폴리비닐피롤리돈(중합도 1200) 3g, 폴리비닐알코올(중합도 1700, 검화도 87~90%) 4g, 및 용매로서 물과 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 70/30(w/w)의 비율로 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조하였다.3 g of polyethyloxazoline (trade name Aquazol, polymerization degree 50), 3 g of polyvinylpyrrolidone (polymerization degree 1200), 4 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 1700, saponification degree 87 to 90%) and a solvent in a mixing tank equipped with a stirrer Water and propylene glycol monomethyl ether (PGME) was added at a ratio of 70/30 (w / w) to add a viscosity of 60 cP, followed by stirring at 500 rpm for 1 hour at room temperature for wafer dicing. A protective film composition was prepared.

실시예Example 4 4

교반기가 설치되어 있는 혼합조에 폴리에틸옥사졸린(상품명 아쿠아졸, 중합도 500) 7g, 폴리비닐알코올(중합도 500, 검화도 87~90%) 3g, 및, 용매로서 물과 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 70/30(w/w)의 비율로 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조하였다.7 g of polyethyl oxazoline (trade name Aquazol, polymerization degree 500), 3 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 500, saponification degree 87 to 90%) in a mixing tank equipped with a stirrer, and water and propylene glycol monomethyl ether (PGME) as a solvent. ) Was added at a rate of 70/30 (w / w) so that the viscosity of the solution was 60 cP, and then stirred at a speed of 500 rpm for 1 hour at room temperature to prepare a protective film composition for wafer dicing.

실시예Example 5 5

교반기가 설치되어 있는 혼합조에 폴리에틸옥사졸린(상품명 아쿠아졸, 중합도 500) 3g, 폴리비닐알코올(중합도 1700, 검화도 87~90%) 7g, 및 용매로서 물과 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 70/30(v/v)의 비율로 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조하였다.3 g of polyethyloxazoline (trade name Aquazol, polymerization degree 500), 7 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 1700, saponification degree 87 to 90%) in a mixing tank equipped with a stirrer, and water and propylene glycol monomethyl ether (PGME) as a solvent Was added at a rate of 70/30 (v / v) while adding the solution to have a viscosity of 60 cP, and then stirred at a speed of 500 rpm for 1 hour at room temperature to prepare a protective film composition for wafer dicing.

비교예Comparative example 1 One

교반기가 설치되어 있는 혼합조에 폴리비닐알코올(중합도 1700, 검화도 87~90%) 10g, 및 용매로서 물을 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조하였다.10 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 1700, saponification degree 87 to 90%), and water were added as a solvent to add a viscosity of 60 cP to a mixing tank equipped with a stirrer, and then at a speed of 500 rpm for 1 hour at room temperature. By stirring, a protective film composition for wafer dicing was prepared.

비교예Comparative example 2 2

교반기가 설치되어 있는 혼합조에 폴리비닐알코올(중합도 1700, 검화도 87~90%) 9g, 폴리에틸렌글리콜(무게평균분자량 700) 1g, 및 용매로서 물을 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조하였다.9 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 1700, saponification degree 87 to 90%), 1 g of polyethylene glycol (weight average molecular weight 700), and water were added as a solvent to add a viscosity of 60 cP to a mixing tank equipped with a stirrer. , And stirred at a speed of 500 rpm for 1 hour at room temperature to prepare a protective film composition for wafer dicing.

비교예Comparative example 3 3

교반기가 설치되어 있는 혼합조에 폴리비닐알코올(중합도 1700, 검화도 87~90%) 9g, 펜타에리쓰리톨(Pentaerithritol) 1g, 및 용매로서 물과 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 70/30(v/v)의 비율로 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조하였다.9 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 1700, saponification degree 87 to 90%), 1 g pentaerithritol, and water and propylene glycol monomethyl ether (PGME) as a solvent were mixed in a mixing tank equipped with a stirrer. v / v) was added at a rate of 60 cP while the solution was added at a rate of v / v, and then stirred at a speed of 500 rpm for 1 hour at room temperature to prepare a protective film composition for wafer dicing.

비교예Comparative example 4 4

교반기가 설치되어 있는 혼합조에 폴리비닐알코올(중합도 1700, 검화도 87~90%) 8g, 폴리에틸렌글리콜(무게평균분자량 700) 1g, 펜타에리쓰리톨 1g, 및 용매로서 물과 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)를 70/30(v/v)의 비율로 투입하면서 용액의 점도가 60cP가 되도록 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 제조하였다.8 g of polyvinyl alcohol (polymerization degree 1700, saponification degree 87 to 90%), 1 g polyethylene glycol (weight average molecular weight 700), 1 g pentaerythritol, and water and propylene glycol monomethyl ether ( PGME) was added at a rate of 70/30 (v / v) and added so that the viscosity of the solution was 60 cP, followed by stirring at a speed of 500 rpm for 1 hour at room temperature to prepare a protective film composition for wafer dicing.

시험예Test Example 1: 코팅된 웨이퍼 1: coated wafer 다이싱용For dicing 보호막 조성물의 물에 의한 스트립 속도 측정 테스트 Strip velocity measurement test with water of protective film composition

4 인치(inch) 산화 실리콘 기판에 상기 실시예와 비교예의 샘플을 스핀 코팅한 후, 110℃에서 15분간 건조 시킨 막두께가 1㎛ 가 되도록 스핀 속도(rpm)을 조절하여 샘플을 제조 하였다. 이들 샘플을 DRM 기계에서 물에 스트립되는 속도를 측 정하였다. 측정단위는 초당 제거되는 막두께로 표시된다. 시험 결과는 하기의 표 1에 나타내었다.After spin-coating the sample of Example and Comparative Example on a 4 inch silicon oxide substrate, the sample was prepared by adjusting the spin rate (rpm) so that the film thickness dried at 110 ° C. for 15 minutes was 1 μm. These samples were measured at the rate of stripping into water on a DRM machine. The unit of measurement is expressed as the film thickness removed per second. The test results are shown in Table 1 below.

◎ : 1000nm/s 이상◎: 1000 nm / s or more

○ : 800 ~ 1000nm/s○: 800 to 1000nm / s

△ : 500 ~ 800nm/s△: 500 to 800 nm / s

× : 500nm/s 이하×: 500 nm / s or less

시험예Test Example 2: 웨이퍼 2: wafer 다이싱용For dicing 보호막 조성물의 도포성능 측정 테스트 Coating performance measurement test of protective film composition

4 인치(inch) 산화 실리콘 기판에 상기 실시예와 비교예의 샘플을 스핀 코팅한 후, 110℃에서 15분간 건조 시킨 막두께가 1㎛가 되도록 스핀 속도(rpm)을 조절하여 샘플을 제조 하였다. 이 후에 웨이퍼의 중앙과 중앙에서 상하좌우 각각 2cm, 4cm 떨어진 지점의 막두께를 측정하여 표준편차를 확인하여 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물의 도포 성능을 확인 하였다. 시험 결과는 하기의 표 1에 나타내었다.After spin-coating the sample of Example and Comparative Example on a 4 inch silicon oxide substrate, the sample was prepared by adjusting the spin rate (rpm) so that the film thickness dried at 110 ° C. for 15 minutes was 1 μm. Thereafter, the film thicknesses of 2 cm and 4 cm apart from each other in the center and the center of the wafer were measured, and the standard deviation was confirmed to confirm the coating performance of the protective film composition for wafer dicing. The test results are shown in Table 1 below.

◎ : 1% 이하◎: 1% or less

○ : 1 ~ 2%○: 1 to 2%

△ : 2 ~ 4%△: 2 to 4%

× : 4% 이상×: 4% or more

시험예Test Example 3: 연필경도 측정 테스트3: pencil hardness test

4 인치(inch) 산화 실리콘 기판에 상기 실시예와 비교예의 샘플을 스핀 코팅 한 후, 110℃에서, 15분간 건조 시킨 막두께가 1㎛가 되도록 스핀 속도(rpm)을 조절하여 샘플을 제조하였다. 이 후에 JID D 0202의 실험 방법에 의거하여 연필경도를 측정하였다. 시험 결과는 하기의 표 1에 나타내었다.After spin coating the sample of the Example and Comparative Example on a 4 inch silicon oxide substrate, the sample was prepared by adjusting the spin rate (rpm) so that the film thickness dried at 110 ° C. for 15 minutes was 1 μm. After that, the pencil hardness was measured according to the experimental method of JID D 0202. The test results are shown in Table 1 below.

시험예Test Example 4: 밀착성 측정 테스트4: adhesion measurement test

4 인치(inch) 산화 실리콘 기판에 상기 실시예와 비교예의 샘플을 스핀 코팅한 후, 110℃에서 15분간 건조 시킨 막두께가 1㎛가 되도록 스핀 속도(rpm)를 조절하여 샘플을 제조하였다. 이 후에 JIS K5600-5-6의 실험 방법에 의거하여 크로스컷 테스트(테이핑 테스트)를 진행하였다. 시험 결과는 하기의 표 1에 나타내었다.After spin-coating the sample of Example and Comparative Example on a 4 inch silicon oxide substrate, the sample was prepared by adjusting the spin rate (rpm) so that the film thickness dried at 110 ° C. for 15 minutes was 1 μm. Thereafter, a crosscut test (tapping test) was conducted based on the experimental method of JIS K5600-5-6. The test results are shown in Table 1 below.

◎ : 떨어진 격자의 수(0개)◎: Number of fallen grids (0)

○ : 떨어진 격자의 수(1~5개)○: number of grids dropped (1 to 5)

△ : 떨어진 격자의 수(5~10개)△: number of fallen grids (5-10 pieces)

× : 떨어진 격자의 수(10개 이상)×: number of fallen grids (10 or more)

시험예Test Example 5: 5: 열안정성Thermal stability 테스트 Test

4 인치(inch) 산화 실리콘 기판에 상기 실시예와 비교예의 샘플을 스핀 코팅한 후, 110℃에서 15분간 건조 시킨 막두께가 1㎛가 되도록 스핀 속도(rpm)를 조절하여 샘플을 제조하였다. 이 후에 열풍건조기에 250℃에서 10분간 방치한 후, 물에 씻겨져 나가는지를 확인하였다. 이는 열에 의해 물에 녹지 않는 열분해 가교물질이 생성되는지를 확인하기 위한 테스트이다. 시험 결과는 하기의 표 1에 나타내었다.After spin-coating the sample of Example and Comparative Example on a 4 inch silicon oxide substrate, the sample was prepared by adjusting the spin rate (rpm) so that the film thickness dried at 110 ° C. for 15 minutes was 1 μm. Thereafter, the mixture was left at 250 ° C. for 10 minutes in a hot air dryer, and then washed with water. This is a test to check whether pyrolytic crosslinking material that is insoluble in water is generated by heat. The test results are shown in Table 1 below.

◎ : 깨끗하게 스트립 됨◎: Stripped clean

○ : 미세한 파티클 존재○: fine particle present

△ : 스트립 되지 않은 부분이 많음△: many unstriped parts

× : 전혀 스트립 되지 않음× not stripped at all

스트립속도Strip speed 도포성능Coating performance 연필경도Pencil hardness 밀착성Adhesion 열안정성Thermal stability 실시예 1Example 1 7H7H 실시예 2Example 2 9H9H 실시예 3Example 3 9H9H 실시예 4Example 4 7H7H 실시예 5Example 5 7H7H 비교예 1Comparative Example 1 ×× 9H9H 비교예 2Comparative Example 2 HH ×× 비교예 3Comparative Example 3 HH ×× 비교예 4Comparative Example 4 HH ××

Claims (9)

폴리에틸옥사졸린 및 폴리비닐피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상의 레진; 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분; 및 용매로서 물 또는 물과 유기용매의 혼합물을 포함하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.At least one resin selected from polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone; At least one component selected from the group consisting of water-soluble resins and single molecules of alcohols; And a water or a mixture of water and an organic solvent as a solvent. 청구항 1에 있어서, 용매를 제외한 조성물 총중량에 대하여, 상기 폴리에틸옥사졸린 및 폴리비닐피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상의 레진 10~70중량%(고형분 기준) 및 상기 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분 30~90중량%(상기 수용성 레진은 고형분 기준임)를 포함하며; 전체 조성물의 점도가 10~100cP인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The method according to claim 1, 10 to 70% by weight (based on solids) of the at least one resin selected from the polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone based on the total weight of the composition excluding the solvent and the single molecule of the water-soluble resin and alcohols 30 to 90% by weight of one or more components selected from the group consisting of (the water-soluble resin is based on solids); The viscosity of the whole composition is 10-100 cP, The protective film composition for wafer dicing characterized by the above-mentioned. 청구항 1에 있어서, 상기 폴리에틸옥사졸린 및 폴리비닐피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상의 레진이 폴리에틸옥사졸린인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The protective film composition for wafer dicing according to claim 1, wherein at least one resin selected from polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone is polyethyloxazoline. 청구항 1에 있어서, 상기 수용성 레진이 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌글리콜(PEG), 셀룰로오스, 및 폴리아크릴릭에시드(PAA)이고, 상기 알코올류의 단분자가 모노에틸렌글리콜, 트리스에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 펜타에리스리톨, 및 트리스메틸프로판올인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The method of claim 1, wherein the water-soluble resin is polyvinyl alcohol, polyethylene glycol (PEG), cellulose, and polyacrylic acid (PAA), and the single molecules of the alcohols are monoethylene glycol, trisethylene glycol, tetraethylene glycol, penta. It is erythritol and trismethyl propanol, The protective film composition for wafer dicing characterized by the above-mentioned. 청구항 1에 있어서, 상기 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분이 폴리비닐알코올이며, 상기 폴리비닐알코올은 검화도가 87~90%이고 중합도가 500~2,000인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The method according to claim 1, wherein at least one component selected from the group consisting of the water-soluble resin and the monomolecule of alcohols is polyvinyl alcohol, and the polyvinyl alcohol has a degree of saponification of 87 to 90% and a degree of polymerization of 500 to 2,000. A protective film composition for wafer dicing characterized by the above-mentioned. 청구항 1에 있어서, 상기 폴리에틸옥사졸린 및 폴리비닐피롤리돈 중에서 선택되는 1종 이상의 레진이 폴리에틸옥사졸린이고, 상기 수용성 레진 및 알코올류의 단분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 성분이 검화도가 87~90%이고 중합도가 500~2,000인 폴리비닐알코올인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The method according to claim 1, wherein at least one resin selected from polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone is polyethyloxazoline, and at least one component selected from the group consisting of single molecules of the water-soluble resin and alcohols is A polyvinyl alcohol having a degree of saponification of 87 to 90% and a degree of polymerization of 500 to 2,000, and a protective film composition for wafer dicing. 청구항 1에 있어서, 상기 용매가 물과 유기용매의 혼합물이고, 상기 유기용매가 이소프로필 알코올, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The method of claim 1, wherein the solvent is a mixture of water and an organic solvent, wherein the organic solvent is selected from the group consisting of isopropyl alcohol, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), and propylene glycol monomethyl ether (PGME). A protective film composition for wafer dicing characterized by being at least one species. 청구항 7에 있어서, 상기 유기용매가 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME) 인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물.The protective film composition for wafer dicing according to claim 7, wherein the organic solvent is propylene glycol monomethyl ether (PGME). 청구항 1 내지 청구항 8 중의 어느 한 항의 웨이퍼 다이싱용 보호막 조성물을 사용하여 제조되는 반도체 소자.The semiconductor device manufactured using the protective film composition for wafer dicing of any one of Claims 1-8.
KR1020080050260A 2008-05-29 2008-05-29 Protective film composition for dicing a wafer KR101539762B1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080050260A KR101539762B1 (en) 2008-05-29 2008-05-29 Protective film composition for dicing a wafer
JP2011511503A JP5511799B2 (en) 2008-05-29 2009-05-22 Protective film composition for wafer dicing
CN200980125936.4A CN102077326B (en) 2008-05-29 2009-05-22 Protective film composition for wafer dicing
PCT/KR2009/002727 WO2009145526A2 (en) 2008-05-29 2009-05-22 Protective film composition for wafer dicing
TW98117363A TWI399402B (en) 2008-05-29 2009-05-25 Protective film composition for wafer dicing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080050260A KR101539762B1 (en) 2008-05-29 2008-05-29 Protective film composition for dicing a wafer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090124194A true KR20090124194A (en) 2009-12-03
KR101539762B1 KR101539762B1 (en) 2015-07-27

Family

ID=41686155

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080050260A KR101539762B1 (en) 2008-05-29 2008-05-29 Protective film composition for dicing a wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101539762B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019143203A1 (en) * 2018-01-19 2019-07-25 주식회사 엠티아이 Protective coating agent for dicing process
CN113039628A (en) * 2018-11-15 2021-06-25 东京应化工业株式会社 Protective film forming agent for plasma dicing and method for manufacturing semiconductor chip
WO2024158546A1 (en) * 2023-01-23 2024-08-02 Applied Materials, Inc. A method of forming an aqueous polymer composition

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6023094A (en) * 1998-01-14 2000-02-08 National Semiconductor Corporation Semiconductor wafer having a bottom surface protective coating
JP4571850B2 (en) * 2004-11-12 2010-10-27 東京応化工業株式会社 Protective film agent for laser dicing and wafer processing method using the protective film agent
JP4642436B2 (en) * 2004-11-12 2011-03-02 リンテック株式会社 Marking method and protective film forming and dicing sheet

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019143203A1 (en) * 2018-01-19 2019-07-25 주식회사 엠티아이 Protective coating agent for dicing process
CN113039628A (en) * 2018-11-15 2021-06-25 东京应化工业株式会社 Protective film forming agent for plasma dicing and method for manufacturing semiconductor chip
WO2024158546A1 (en) * 2023-01-23 2024-08-02 Applied Materials, Inc. A method of forming an aqueous polymer composition

Also Published As

Publication number Publication date
KR101539762B1 (en) 2015-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5511799B2 (en) Protective film composition for wafer dicing
CN101523566B (en) bonding method of chips and chips stacking pieces
US6869894B2 (en) Spin-on adhesive for temporary wafer coating and mounting to support wafer thinning and backside processing
TWI589668B (en) Semiconductor processing adhesive tape
JP6533150B2 (en) Protective agent for semiconductor laser dicing and method of manufacturing semiconductor using the same
CN107919315A (en) Chip lamilate and preparation method thereof
JP6533149B2 (en) Protective agent for semiconductor laser dicing and method of manufacturing semiconductor using the same
KR101600088B1 (en) Protective film composition for laser dicing
KR20090124194A (en) Protective film composition for dicing a wafer
KR102537045B1 (en) Laser-debondable composition, laminate thereof, and laser-debonding method
KR101539763B1 (en) Protective film composition for dicing a wafer
CN111454634A (en) Protective liquid and protective film for laser cutting of soft colloid material
JP6055494B2 (en) Laser dicing method
EP3931272B1 (en) Water washable thermal and plasma resistant coating for laser interactive applications
TWM524552U (en) Protective film for laser cutting
TW201706381A (en) Adhesive, bonded object and bonded object manufacturing method
JP7287066B2 (en) RESIN COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP7275770B2 (en) RESIN COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
KR102315983B1 (en) Method for manufacturing semiconductor device chip and composition for protection
KR102367433B1 (en) Protected Organic Coating composition for dicing of Wafer and the Coating Material manufacturing thereof
KR102094404B1 (en) protected coating material for dicing process
JP6862028B2 (en) Protective coating agent for dicing process
KR102038056B1 (en) peeling material for stripping protected coating material for dicing process
JP2010024342A (en) Composition for forming protective film and method for peeling protective film
TW202428448A (en) Protective sheet and method for manufacturing electronic component

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant