KR20090123397A - Apparatus for cleaning wafer - Google Patents

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KR20090123397A
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박종국
이상훈
류창길
전용명
김경현
윤병문
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삼성전자주식회사
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Abstract

PURPOSE: A wafer cleaning device is provided to prevent wafer separation and damage due to the rise of a cleaning solution in a cleaning bath using a wafer separation preventing material closely attaching a plurality of upper sides of the wafers. CONSTITUTION: A cleaning bath(10) receives a cleaning solution cleansing a plurality of wafers(W). A guide(18) includes a plurality of slots receiving the wafers vertically in the bottom of the cleaning bath. A robot arm(20) moves the wafers vertically received in the guide. A plurality of chucks(30) are driven by a robot arm, support both sides of the lower part of the wafer, and grips a plurality of wafers. A wafer separation prevention material(40) closely attaches the plurality of upper sides of the wafers griped by the chucks.

Description

웨이퍼 세정장치{apparatus for cleaning wafer}Wafer cleaning device {apparatus for cleaning wafer}

본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 상세하게는 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼 세정장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a wafer cleaning apparatus for cleaning wafers.

일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼 표면 상부에 여러 가지 기능을 수행하는 박막을 증착하고 이를 패터닝하여 다양한 회로 기하구조를 형성함으로써 제조하게 된다. 이러한 반도체 디바이스를 제조하기 위한 단위 공정은, 크게 반도체 내부로 3B족(예컨대, B) 또는 5B족(예컨대, P 또는 As)의 불순물 이온을 주입하는 불순물 이온주입 공정, 반도체 기판 상에 물질막을 형성하는 박막 증착(deposition)공정, 상기 물질막을 소정의 패턴으로 형성하는 식각 공정, 그리고 웨이퍼 상부에 층간절연막등을 증착한 후에 일괄적으로 웨이퍼 표면을 연마하여 단차를 없애는 평탄화(CMP:Chemical Mechanical Polishing) 공정을 비롯하여 불순물 제거를 위한 웨이퍼 및 챔버 세정 공정등과 같은 여러 단위 공정들로 구분할 수 있다.In general, semiconductor devices are manufactured by depositing and patterning thin films that perform various functions on the wafer surface to form various circuit geometries. The unit process for manufacturing such a semiconductor device is an impurity ion implantation step of injecting impurity ions of Group 3B (eg B) or Group 5B (eg P or As) into the semiconductor, and forming a material film on the semiconductor substrate. A thin film deposition process, an etching process for forming the material film in a predetermined pattern, and a planarization process (CMP: Chemical Mechanical Polishing) to remove the step by polishing the surface of the wafer collectively after depositing an interlayer insulating film on the wafer. The process can be divided into several unit processes such as wafer and chamber cleaning processes for removing impurities.

따라서, 반도체 디바이스를 제조하기 위해서는 상기와 같은 여러 단위 공정 들을 선택적이고도 반복적으로 실시하게 되는데, 이러한 여러 단위 공정을 진행하는 과정에서 많은 오염물질들이 발생하게 된다. 따라서, 본 분야에서는 이러한 오염물질을 제거하기 위한 웨이퍼 세정 공정을 전(pre)/후(post) 공정에 수반하여 필수적으로 실시하고 있다.Accordingly, in order to manufacture a semiconductor device, the above-described various unit processes may be selectively and repeatedly performed. In this process, many contaminants are generated. Therefore, in this field, a wafer cleaning process for removing such contaminants is essentially performed along with a pre / post process.

통상적으로, 웨이퍼 세정 공정은 웨이퍼를 세정하는 세정액이 수용되는 세정조 내에서 다수개의 웨이퍼가 투입된 상태로 이루어진다. 세정조의 바닥에는 다수개의 웨이퍼를 수직으로 다수개의 슬롯에 삽입시켜 홀딩(holding)시키는 웨이퍼 가이드가 형성되어 있다. 세정조의 상부에는 다수개의 웨이퍼를 이동시키는 로봇 암이 형성되어 있으며, 상기 로봇 암에 결합되어 상기 다수개의 웨이퍼를 파지하는 복수개의 척이 형성되어 있다.Typically, the wafer cleaning process is a state in which a plurality of wafers are put in a cleaning tank containing a cleaning liquid for cleaning the wafers. At the bottom of the cleaning bath, a wafer guide is formed to insert and hold a plurality of wafers vertically into a plurality of slots. A robot arm for moving a plurality of wafers is formed at an upper portion of the cleaning tank, and a plurality of chucks coupled to the robot arm to hold the plurality of wafers are formed.

복수개의 척은 서로 마주보면서 다수개의 웨이퍼 하부 외주면을 지지하면서 파지하여 상기 로봇 암으로 하여금 상기 다수개의 웨이퍼를 이동시키도록 할 수 있다. The plurality of chucks may be held while supporting the plurality of wafer outer peripheral surfaces facing each other to cause the robot arm to move the plurality of wafers.

그러나, 종래의 웨이퍼 세정장치는 세정조 내에서 발생되는 버블과 같은 세정액의 상승에 의해 웨이퍼가 복수개의 척으로부터 이탈되어 웨이퍼가 파손될 수 있기 때문에 생산수율이 줄어드는 문제점이 있었다.However, the conventional wafer cleaning apparatus has a problem in that the production yield is reduced because the wafer may be separated from the plurality of chucks by the rise of the cleaning liquid such as bubbles generated in the cleaning tank and the wafer may be broken.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 복수개의 척에 의해 파지되는 웨이퍼가 이탈되어 파손되는 것을 방지하여 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 웨이퍼 세정장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a wafer cleaning apparatus that can increase or maximize the production yield by preventing the wafer held by the plurality of chuck to be separated and broken.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따른 웨이퍼 세정장치는, 다수개의 웨이퍼를 세정하는 세정액을 수용하는 세정조; 상기 세정조의 바닥에서 상기 다수개의 웨이퍼를 수직으로 수납하는 다수개의 슬롯이 형성된 가이드; 상기 가이드에 수직으로 수납되는 상기 다수개의 웨이퍼를 이동시키는 로봇 암; 상기 로봇 암에 의해 구동되며, 상기 다수개의 웨이퍼 하부 양측을 서로 마주보며 지지하여 상기 다수개의 웨이퍼를 파지하는 복수개의 척; 및 상기 복수개의 척에 의해 파지되는 상기 다수개의 웨이퍼 상부를 밀착시키는 웨이퍼 이탈 방지체를 포함함을 특징으로 한다. A wafer cleaning apparatus according to an aspect of the present invention for achieving the above object, the cleaning tank for containing a cleaning liquid for cleaning a plurality of wafers; A guide in which a plurality of slots are formed to vertically receive the plurality of wafers at the bottom of the cleaning tank; A robot arm for moving the plurality of wafers received perpendicularly to the guide; A plurality of chucks driven by the robot arm and holding the plurality of wafers by supporting both sides of the lower sides of the plurality of wafers facing each other; And a wafer escape preventing body for closely contacting the upper portions of the plurality of wafers held by the plurality of chucks.

여기서, 상기 웨이퍼 이탈 방지체는 상기 슬롯에 수직으로 수납되는 상기 다수개의 웨이퍼의 상부를 가로지는 방향으로 형성된 밀착 바를 포함함이 바람직하다.Here, the wafer departure preventing body preferably includes an adhesion bar formed in a direction crossing the top of the plurality of wafers vertically received in the slot.

본 발명에 의하면, 복수개의 척에 의해 파지되는 다수개의 웨이퍼 상부를 밀착시키는 웨이퍼 이탈 방지체를 이용하여 세정조 내에서의 세정액 상승에 의한 웨이퍼 이탈 및 파손을 방지토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, it is possible to prevent wafer detachment and breakage due to the rise of the cleaning liquid in the cleaning tank by using the wafer release prevention body that closely adheres the plurality of wafers held by the plurality of chucks, thereby increasing the production yield. Or you can maximize the effect.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 2 및 도 3은 도 1의 로봇 암 및 웨이퍼 이탈 방지체를 나타내는 사시도 및 측면도이고, 도 4 및 도 5는 도 1의 웨이퍼 이탈 방지체의 밀착 바를 나타내는 단면도 및 측면도이고, 도 6 및 도 7은 도 1의 수직 연결 바를 나타내는 단면도이고, 도 8 내지 도 11은 도 1의 웨이퍼 세정장치의 웨이퍼 이송 과정을 나타내는 측면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, Figures 2 and 3 are a perspective view and a side view showing the robot arm and the wafer departure prevention body of Figure 1, Figures 4 and 5 6 and 7 are cross-sectional views illustrating the vertical connection bar of FIG. 1, and FIGS. 8 to 11 are side views illustrating the wafer transfer process of the wafer cleaning apparatus of FIG. 1. to be.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼 세정장치는 다수개의 웨이퍼(W)를 세정하는 세정액(16)으로 충만되는 세정조(10) 내에서 세정 공정을 수행할 수 있다. 여기서, 다수개의 웨이퍼(W)는 세정조(10)의 바닥에서 가이드(18)에 형성된 다수개의 슬롯(도 8의 19)에 의해 수직으로 세워진 채로 위치되어 있다. 1 to 3, the wafer cleaning apparatus of the present invention may perform the cleaning process in the cleaning tank 10 filled with the cleaning liquid 16 for cleaning the plurality of wafers W. As shown in FIG. Here, the plurality of wafers W are positioned vertically by the plurality of slots (19 in FIG. 8) formed in the guide 18 at the bottom of the cleaning tank 10.

세정조(10)는 세정액(16)을 가두어두는 용기이다. 예컨대, 세정조(10)는 다수개의 웨이퍼(W)를 수용하여 상기 다수개의 웨이퍼(W)가 세정액(16)에 충분히 잠기도록 형성된 메인 세정조(12)와, 상기 메인 세정조(12)에서 넘쳐 흘러내리는 세 정액(16)을 보조적으로 모아두는 보조 세정조(14)를 포함하여 이루어진다. 일반적으로 세정조(10)라 함은 메인 세정조(12)를 의미하며 보조 세정조(14)에서 모아진 세정액(16)이 메인 세정조(12)로 순환 공급되도록 형성되어 있다. 도시되지는 않았지만, 메인 세정조(12)의 바닥에 형성된 가이드(18)의 하부에서 세정액(16)을 내뿜는 복수개의 분사구가 형성된 세정액(16) 순환봉 또는 세정액(16) 순환라인이 형성되어 있다. The cleaning tank 10 is a container for storing the cleaning liquid 16. For example, the cleaning tank 10 may include a plurality of wafers W and a main cleaning tank 12 formed to sufficiently immerse the plurality of wafers W in the cleaning liquid 16, and the main cleaning tank 12. It consists of an auxiliary cleaning tank (14) for auxiliary collecting the three semen 16 overflowing. Generally, the washing tank 10 means the main washing tank 12, and the washing liquid 16 collected from the auxiliary washing tank 14 is circulated and supplied to the main washing tank 12. Although not shown, the cleaning liquid 16 circulation rod or the cleaning liquid 16 circulation line in which a plurality of injection holes for ejecting the cleaning liquid 16 is formed at the bottom of the guide 18 formed at the bottom of the main cleaning tank 12. .

세정액(16)은 세정조(10) 내에 투입되는 다수개의 웨이퍼(W) 표면에 유발된 유기물과 같은 오염 물질을 제거하거나 상기 다수개의 웨이퍼(W)에 형성된 일정두께의 박막을 식각하는 용액으로 이루어진다. 예컨대, 세정액(16)은 황산, 질산, 또는 불산 등과 같은 강산을 포함하며, 상기 강산을 희석시키는 탈이온수를 더 포함할 수도 있다. 세정액(16)을 이용한 세정공정이 완료되면 세정조(10) 바깥으로 다수개의 웨이퍼(W)가 이송된다. The cleaning liquid 16 is formed of a solution for removing contaminants such as organic substances caused on the surfaces of the plurality of wafers W introduced into the cleaning tank 10 or etching a thin film having a predetermined thickness formed on the plurality of wafers W. . For example, the cleaning liquid 16 includes a strong acid such as sulfuric acid, nitric acid, hydrofluoric acid, or the like, and may further include deionized water for diluting the strong acid. When the cleaning process using the cleaning liquid 16 is completed, a plurality of wafers W are transferred to the outside of the cleaning tank 10.

따라서, 해당 세정조(10) 내에서 세정공정이 완료된 다수개의 웨이퍼(W)는 로봇 암(20)에 의해 또 다른 세정조(10) 또는 건조장치로 이송될 수 있다.Therefore, the plurality of wafers W having been cleaned in the cleaning tank 10 may be transferred to another cleaning tank 10 or a drying apparatus by the robot arm 20.

로봇 암(20)은 복수개의 척(30)을 세정조(10) 내에서 삽입하여 다수개의 웨이퍼(W)를 파지토록 할 수 있다. 로봇 암(20)은 복수개의 척(30)을 서로 반대방향으로 회전시키면서 다수개의 웨이퍼(W)를 홀딩시키거나 언홀딩시킬 수 있다. 복수개의 척(30)은 서로 마주보며 가까워지면서 수직으로 세워진 다수개의 웨이퍼(W) 하부 양측을 지지하여 상기 다수개의 웨이퍼(W)를 파지할 수 있다. 예컨대, 복수개의 척(30) 각각은 로봇 암(20)에 고정되는 고정 바(32)와 상기 고정 바(32)의 말단 에서 다수개의 웨이퍼(W)를 받치는 상부 받침대(34) 및 하부 받침대(36)를 포함하여 이루어진다. 상부 받침대(34)와 하부 받침대(36)는 다수개의 웨이퍼(W)의 곡률 반경과 동일 또는 유사한 위치를 갖도록 형성되어 있다. 도시되지는 않았지만, 상부 받침대(34) 및 하부 받침대(36)에는 다수개의 웨이퍼(W) 외주면이 삽입되는 다수개의 홈이 형성되어 있다.The robot arm 20 may insert the plurality of chucks 30 in the cleaning tank 10 to hold the plurality of wafers W. FIG. The robot arm 20 may hold or unhold the plurality of wafers W while rotating the plurality of chucks 30 in opposite directions. The plurality of chucks 30 may hold the plurality of wafers W by supporting both sides of the lower portions of the plurality of wafers W standing vertically while facing each other. For example, each of the plurality of chucks 30 includes a fixing bar 32 fixed to the robot arm 20, and an upper pedestal 34 and a lower pedestal supporting the plurality of wafers W at the ends of the fixing bar 32. 36). The upper pedestal 34 and the lower pedestal 36 are formed to have the same or similar position as the radius of curvature of the plurality of wafers W. As shown in FIG. Although not shown, the upper pedestal 34 and the lower pedestal 36 are provided with a plurality of grooves into which the outer circumferential surfaces of the plurality of wafers W are inserted.

따라서, 복수개의 척(30)은 수직으로 세워진 다수개의 웨이퍼(W) 하부를 받치면서 상부 받침대(34) 및 하부 받침대(36)에 형성된 다수개의 홈으로 상기 다수개의 웨이퍼(W)가 측면으로 쓰러지는 것을 방지함으로서 상기 다수개의 웨이퍼(W)를 홀딩시킬 수 있다.Accordingly, the plurality of chucks 30 are supported by the plurality of grooves formed in the upper pedestal 34 and the lower pedestal 36 while supporting the lower portions of the plurality of wafers W standing vertically. It is possible to hold the plurality of wafers W by preventing them.

복수개의 척(30)에 의해 하부가 지지되는 다수개의 웨이퍼(W) 상단에서 상기 다수개의 웨이퍼(W)를 밀착시키는 웨이퍼 이탈 방지체(40)가 형성되어 있다. 웨이퍼 이탈 방지체(40)는 원판 모양의 다수개의 웨이퍼(W) 상부를 복수개의 척(30) 방향으로 밀착시킴에 따라 웨이퍼(W)가 상부로 튀어 이탈되는 것을 방지토록 할 수 있다. 특히, 웨이퍼 이탈 방지체(40)는 세정액(16)으로 충만된 세정조(10) 내에서 복수개의 척(30)을 이용하여 다수개의 웨이퍼(W)를 홀딩하여 이동시키고자 할 경우, 세정액(16)에서 발생되는 다량의 버블에 의해 웨이퍼(W)가 상승되면서 복수개의 척(30)에서 이탈되어 일측으로 쓰러지는 것을 방지할 수도 있다. 웨이퍼 이탈 방지체(40)는 세정조(10) 내에 수용되는 세정액(16)에 잠기거나 근접되어 질 수 있기 때문에 세정액(16)으로부터 내식성이 우수한 테프론 재질로 코팅처리되어 있다. On the upper end of the plurality of wafers W supported by the plurality of chucks 30, a wafer escape preventing body 40 is formed to closely contact the plurality of wafers W. The wafer detachment prevention body 40 may prevent the wafer W from jumping upward as the upper surface of the plurality of disk-shaped wafers W closely adheres toward the plurality of chucks 30. In particular, when the wafer escape preventing body 40 is to hold and move the plurality of wafers W by using the plurality of chucks 30 in the cleaning tank 10 filled with the cleaning liquid 16, the cleaning liquid ( The wafer W may be lifted by a large amount of bubbles generated at 16 and may be prevented from falling out of the plurality of chucks 30 and falling to one side. Since the anti-wafer release body 40 may be immersed in or close to the cleaning solution 16 contained in the cleaning bath 10, the wafer leaving prevention body 40 is coated with a Teflon material having excellent corrosion resistance from the cleaning solution 16.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치는 웨이퍼 이탈 방지 체(40)를 이용하여 다수개의 웨이퍼(W) 상단을 복수개의 척(30) 방향으로 밀착시킴에 따라 상기 복수개의 척(30)에서 웨이퍼(W)가 이탈되는 것을 방지할 수 있다. Therefore, in the wafer cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention, the plurality of chucks 30 are attached to each other by closely contacting the upper ends of the plurality of wafers W in the direction of the plurality of chucks 30 using the wafer departure preventing body 40. The wafer W can be prevented from escaping.

예컨대, 웨이퍼 이탈 방지체(40)는 다수개의 웨이퍼(W) 상단에 접촉되면서 상기 다수개의 웨이퍼(W)를 하부로 밀착시키는 밀착 바(42)와, 상기 밀착 바(42)를 상기 웨이퍼(W) 상단에 일치되도록 위치시키며 상기 로봇 암(20)에 연결시키는 연결 바(44)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 밀착 바(42)는 다수개의 웨이퍼(W)를 가로지르는 방향으로 형성되어 있다. 예컨대, 밀착 바(42)는 도 4 및 도 5와 같이 다수개의 웨이퍼(W) 외주면과 접촉되면서 상기 다수개의 웨이퍼(W) 외주면과 동일 또는 유사한 곡률 반경을 갖는 굽은 타원 모양의 단면으로 형성되어 있다. 또한, 밀착 바(42)는 다수개의 웨이퍼(W) 상단에 일괄 접촉되어야만 함으로 복수개의 척(30)을 구성하는 상부 받침대(34) 및 하부 받침대(36)와 동일 또는 유사한 길이를 갖도록 형성되어 있다. 도시되지는 않았지만, 밀착 바(42)는 상기 다수개의 웨이퍼(W)의 가장자리가 삽입되는 다수개의 홈을 갖는다. 여기서, 밀착 바(42)의 다수개의 홈은 복수개의 척(30)의 상부 받침대(34) 및 하부 받침대(36)에 형성된 다수개의 홈과 서로 평행하게 형성된다.For example, the wafer detachment prevention body 40 is in contact with the upper end of the plurality of wafers W, the contact bar 42 for closely contacting the plurality of wafers W to the bottom, and the contact bar 42 to the wafer W. And a connecting bar 44 positioned to match the upper end and connected to the robot arm 20. Here, the adhesion bar 42 is formed in the direction crossing the several wafer W. As shown in FIG. For example, the contact bar 42 is formed in a curved elliptical cross section having the same or similar radius of curvature as the plurality of wafers W outer peripheral surfaces while contacting the plurality of wafers W outer peripheral surfaces as shown in FIGS. 4 and 5. . In addition, the adhesion bar 42 is formed to have the same or similar length as the upper pedestal 34 and the lower pedestal 36 constituting the plurality of chucks 30 because they must be collectively contacted with the upper ends of the plurality of wafers W. . Although not shown, the contact bar 42 has a plurality of grooves into which edges of the plurality of wafers W are inserted. Here, the plurality of grooves of the contact bar 42 are formed in parallel with the plurality of grooves formed in the upper pedestal 34 and the lower pedestal 36 of the plurality of chucks 30.

상술한 바와 같이, 연결 바(44)는 밀착 바(42)를 다수개의 웨이퍼(W) 상단 중심에 위치시켜 상기 밀착 바(42)가 상기 다수개의 웨이퍼(W)를 하부로 밀착시키도록 형성되어 있다. 예컨대, 연결 바(44)는 로봇 암(20)의 양측에 거치되는 거치 대(46)와, 상기 거치 대(46)의 중심과 다수개의 웨이퍼(W) 상단 중심에 대응되는 위치에 밀착 바(42)를 위치시키는 복수개의 수직 연결 바(48)를 포함하여 이루어진 다. 여기서, 거치 대(46)는 복수개의 척(30)을 회전시키는 로봇 암(20)의 회전과 무관하게 고정되도록 형성되어 있다. 따라서, 로봇 암(20)과 거치 대(46)가 연결되는 부분은 베어링으로 처리되어도 무방하다. As described above, the connection bar 44 is formed to position the contact bar 42 at the top center of the plurality of wafers W so that the contact bar 42 closely adheres the plurality of wafers W to the bottom. have. For example, the connection bar 44 may be mounted to the cradle 46 mounted on both sides of the robot arm 20, and the contact bar 44 may be disposed at a position corresponding to the center of the cradle 46 and the centers of the upper ends of the plurality of wafers W. And a plurality of vertical connecting bars 48 for positioning 42. Here, the holder 46 is formed to be fixed regardless of the rotation of the robot arm 20 for rotating the plurality of chuck (30). Therefore, the portion where the robot arm 20 and the cradle 46 are connected may be treated with a bearing.

수직 연결 바(48)는 거치 대(46)와 밀착 바(42) 사이에 형성되어 있으며, 상기 밀착 바(42)가 다수개의 웨이퍼(W) 상단을 밀착함에 따라 길이 방향으로 일정 수준의 압착력이 가해진다. 이때, 수직 연결 바(48)가 길이 방향으로 고정되어 있을 경우, 다수개의 웨이퍼(W)를 파손시킬 수도 있다. 따라서, 수직 연결 바(48)는 밀착 바(42)를 수직 방향으로 1차원 구속이동 즉, 상기 밀착 바(42)가 승하강되면서 일정 수준의 압력으로 상기 밀착 바(42)를 가압할 수 있도록 형성되어야만 한다. The vertical connection bar 48 is formed between the holder 46 and the contact bar 42. As the contact bar 42 adheres to the upper ends of the plurality of wafers W, a predetermined level of compressive force is applied in the longitudinal direction. Is applied. In this case, when the vertical connection bar 48 is fixed in the longitudinal direction, the plurality of wafers W may be damaged. Therefore, the vertical connection bar 48 is one-dimensional restrained movement of the contact bar 42 in the vertical direction, that is, as the contact bar 42 is raised and lowered so as to press the contact bar 42 at a predetermined level of pressure. It must be formed.

수직 연결 바(48)는 실린더(50) 또는 폴더(60) 형태로 구분될 수 있다. 먼저, 도 6에 도시된 바와 같이, 실린더(50) 형태 수직 연결 바(48)는 삽입되는 구조물의 수축 팽창에 의해 밀착 바(42)를 수직으로 승하강 시키도록 형성되어 있다. 일반적으로 실린더(50)는 피스톤(54)과 헤드(52)를 포함하여 이루어진다. 헤드(52) 내부에서 피스톤(54)이 이동됨에 따라 밀착 바(42)가 함께 이동될 수 있다. The vertical connection bar 48 may be divided into a cylinder 50 or a folder 60. First, as shown in FIG. 6, the vertical connecting bar 48 in the form of a cylinder 50 is formed to vertically raise and lower the contact bar 42 by contraction and expansion of the inserted structure. In general, the cylinder 50 comprises a piston 54 and a head 52. As the piston 54 moves inside the head 52, the contact bar 42 may move together.

물론, 헤드(52)와 피스톤(54)의 방향이 서로 바뀌어도 무방하다. 이때, 실린더(50)는 밀착 바(42) 자체의 하중에 의해 수직으로 떨어지면서 팽창할 수 있고, 다수개의 웨이퍼(W)가 밀착 바(42)를 밀어 올리면서 수축될 수 있다. 실린더(50)는 수축 및 팽창 거리를 자유로이 조절할 수 있다. 이탈 방지체에서는 수축 거리를 조절할 필요는 없으나 팽창 거리를 조절하고자 할 경우, 실린더(50)의 헤드(52)의 내부로 삽입되는 조절 나사와 같은 거리 조절기(70)를 이용하여 밀착 바(42)의 이동 거리 조절이 가능하도록 할 수 있다.Of course, the directions of the head 52 and the piston 54 may be interchanged with each other. In this case, the cylinder 50 may expand while falling vertically by the load of the contact bar 42 itself, and the plurality of wafers W may be contracted while pushing up the contact bar 42. The cylinder 50 can adjust the contraction and expansion distance freely. The release preventing body does not need to adjust the contraction distance, but if it is desired to adjust the expansion distance, the contact bar 42 by using a distance adjuster 70 such as an adjustment screw inserted into the head 52 of the cylinder 50. It is possible to adjust the moving distance of.

또한, 실린더(50)는 밀착 바(42)의 하중 이외에 일정한 압력을 더 제공할 수 있다. 실린더(50)의 헤드(52) 내부에 여러 가지 물질을 삽입하여 밀착 바(42)의 밀착 압력을 조절토록 할 수 있다. 예컨대, 실린더(50)는 유압 실린더, 공기 실린더, 전기 실린더, 또는 스프링 실린더를 포함하여 이루어질 수 있다. In addition, the cylinder 50 may further provide a constant pressure in addition to the load of the contact bar 42. Various materials may be inserted into the head 52 of the cylinder 50 to adjust the adhesion pressure of the adhesion bar 42. For example, the cylinder 50 may comprise a hydraulic cylinder, an air cylinder, an electric cylinder, or a spring cylinder.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치는 복수개의 척(30)에 의해 지지되는 다수개의 웨이퍼(W) 상부를 소정의 하중으로 밀착시키거나 일정의 압력으로 밀착시키는 실린더(50)를 이용하여 웨이퍼(W)의 이탈을 방지토록 할 수 있다. Therefore, the wafer cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention uses the cylinder 50 to closely contact the upper part of the plurality of wafers W supported by the plurality of chucks 30 with a predetermined load or to a predetermined pressure. This can prevent the wafer W from being separated.

도 7에 도시된 바와 같이, 폴더(60) 형태의 수직 연결 바(48)는 서로 교차되는 구조물이 폴딩되거나 언폴딩되면서 수축 및 팽창을 반복적으로 수행할 수 있다. 폴더(60)는 서로 마주보는 복수개의 수평 리벳(62)이 멀어질 경우 복수개의 수직 리벳(64, 66)이 수축되고, 복수개의 수평 리벳(62)이 가까워질 경우, 복수개의 수직 리벳(64, 66)이 팽창되면서 밀착 바(42)를 승하강 시키도록 형성되어 있다. 따라서, 복수개의 수평 리벳(62)과 복수개의 수직 리벳(64, 66)은 서로 배타적으로 수축과 팽창을 할 수 있다. 여기서, 폴더(60)에 형성된 복수개의 수직 리벳(64, 66) 중 상부 수직 리벳(64)은 거치 대(46)에 결합되며, 하부 수직 리벳(66)은 밀착 바(42)의 상단에 결합된다. As shown in FIG. 7, the vertical connection bar 48 in the form of a folder 60 may repeatedly perform contraction and expansion while the structures crossing each other are folded or unfolded. The folder 60 has a plurality of vertical rivets 64, 66 when the plurality of horizontal rivets 62 facing each other are retracted, and when the plurality of horizontal rivets 62 are close, the plurality of vertical rivets 64 , 66 is formed to raise and lower the contact bar 42 while being expanded. Accordingly, the plurality of horizontal rivets 62 and the plurality of vertical rivets 64 and 66 can contract and expand exclusively with each other. Here, the upper vertical rivet 64 of the plurality of vertical rivets 64 and 66 formed in the folder 60 is coupled to the cradle 46, the lower vertical rivet 66 is coupled to the top of the contact bar 42 do.

마찬가지로, 수평 리벳(62)이 가까워지는 거리를 조절함으로서 밀착 바(42) 의 하강 위치를 결정할 수 있다. 예컨대, 폴더(60)는 수평 리벳(62)과 수직 리벳(64, 66)의 사이 또는 수직 리벳(64, 66) 이상으로 연장되는 부분에 조절 나사와 같은 거리 조절기(70)를 설치하여 수평 리벳(62)의 가까워지는 거리를 제한할 수 있고, 밀착 바(42)가 하강되는 거리를 조절할 수 있다. 폴더(60)는 다수개의 웨이퍼(W)에 밀착 바(42)를 하중으로 밀착시킨다. 반면, 도시되지는 않았지만, 상기 상부 수직 리벳(64)의 상부 또는 하부에서 복수개의 수평 리벳(62)간의 거리를 조절하도록 구동되는 구동 장치에 의해 밀착 바(42)의 수직 이동을 제어할 수도 있다.Similarly, the lowering position of the contact bar 42 can be determined by adjusting the distance at which the horizontal rivets 62 are close. For example, the folder 60 has a horizontal rivet by installing a distance adjuster 70 such as an adjustment screw between the horizontal rivet 62 and the vertical rivets 64 and 66 or in a portion extending beyond the vertical rivets 64 and 66. The approaching distance of 62 can be limited, and the distance by which the close bar 42 descends can be adjusted. The folder 60 closely adheres the contact bars 42 to the plurality of wafers W under load. On the other hand, although not shown, the vertical movement of the contact bar 42 may be controlled by a driving device driven to adjust the distance between the plurality of horizontal rivets 62 at the upper or lower portion of the upper vertical rivet 64. .

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치는 다수개의 웨이퍼(W) 하부를 지지하면서 홀딩하는 복수개의 척(30) 사이에서 상기 다수개의 웨이퍼(W) 상부를 밀착시키는 웨이퍼 이탈 방지체(40)를 이용하여 웨이퍼(W)의 이탈 및 파손을 방지토록 할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.Therefore, the wafer cleaning apparatus according to the embodiment of the present invention, the wafer escape preventing body 40 which closely adheres the upper portions of the plurality of wafers W between the holding and holding the plurality of wafers W. ) Can be used to prevent the separation and damage of the wafer (W) to increase or maximize the production yield.

한편, 밀착 바(42)의 하중에 의해 다수개의 웨이퍼(W)를 밀착시키는 것을 살펴보면 다음과 같다. On the other hand, the adhesion of the plurality of wafers (W) by the load of the adhesion bar 42 is as follows.

도 8에 도시된 바와 같이, 먼저, 세정조(10) 내에서 가이드(18)에 탑재된 다수개의 웨이퍼(W)가 세정공정이 완료되면, 로봇 암(20)에 의해 세정조(10) 내부로 복수개의 척(30)이 삽입된다. 여기서, 로봇 암(20)은 세정조(10) 내부에서 복수개의 척(30) 중심에 다수개의 웨이퍼(W)를 두고, 상기 복수개의 척(30)을 하강시킬 수 있다. 이때, 웨이퍼 이탈 방지체(40)의 수직 연결 바(48)는 다수개의 웨이퍼(W) 상단에 접촉되기 전까지 최대로 팽창되어 있다. As shown in FIG. 8, first, when the cleaning process of the plurality of wafers W mounted on the guide 18 in the cleaning tank 10 is completed, the inside of the cleaning tank 10 is opened by the robot arm 20. A plurality of chucks 30 are inserted into the furnace. Here, the robot arm 20 may have a plurality of wafers W at the center of the plurality of chucks 30 in the cleaning tank 10 and lower the plurality of chucks 30. At this time, the vertical connection bar 48 of the wafer detachment preventing body 40 is fully inflated until it contacts the upper ends of the plurality of wafers W.

도 9에 도시된 바와 같이, 세정조(10) 내부로 삽입되는 복수개의 척(30)은 다수개의 웨이퍼(W) 하부의 외주면 이하 깊이로 삽입된 후, 다수개의 웨이퍼(W)를 지지하도록 서로 가까워진다. 여기서, 로봇 암(20)에 의해 복수개의 척(30)이 하강되면서 밀착 바(42)가 다수개의 웨이퍼(W)의 상단에 접촉된 이후 수직 연결 바(48)가 수축된다. 복수개의 척(30) 하강이 완료되면 수직 연결 바(48)는 최대로 수축되어 있다. As shown in FIG. 9, the plurality of chucks 30 inserted into the cleaning tank 10 are inserted to a depth below the outer circumferential surface of the lower portion of the plurality of wafers W, and then support each of the plurality of wafers W. Getting closer. Here, the plurality of chucks 30 are lowered by the robot arm 20, and the vertical connection bar 48 is contracted after the contact bar 42 contacts the upper ends of the plurality of wafers W. As shown in FIG. When the plurality of chucks 30 is lowered, the vertical connecting bar 48 is contracted to the maximum.

도 10에 도시된 바와 같이, 복수개의 척(30)이 다수개의 웨이퍼(W) 하부를 지지하도록 로봇 암(20)이 설정된 높이로 상승된다. 로봇 암(20)에 의해 복수개의 척(30)이 상승되면서 다수개의 웨이퍼(W)의 하부가 지지되면서 상단에서 웨이퍼 이탈 방지체(40)에 의해 밀착되기 때문에 다수개의 웨이퍼(W)가 쓰러지지 않고 이동되도록 할 수 있다.As shown in FIG. 10, the robot arm 20 is raised to a set height so that the plurality of chucks 30 support the lower portions of the plurality of wafers W. As shown in FIG. As the plurality of chucks 30 are lifted by the robot arm 20, the lower portions of the plurality of wafers W are supported and closely adhered by the wafer detachment preventer 40 from the top, so that the plurality of wafers W do not fall down. Can be moved.

도 11에 도시된 바와 같이, 마지막으로 로봇 암(20)은 다수개의 웨이퍼(W)를 세정조(10) 외부로 이동시켜 후속에서 상기 다수개의 웨이퍼(W) 세정 공정 또는 건조 공정이 이루어지도록 할 수 있다.As shown in FIG. 11, the robot arm 20 finally moves the plurality of wafers W out of the cleaning tank 10 so that the plurality of wafers W cleaning or drying process may be subsequently performed. Can be.

이처럼, 본 발명에서는 복수개의 척(30)에 의해 지지되는 다수개의 웨이퍼(W)의 하단에 대향하여 상단에서 상기 다수개의 웨이퍼(W)를 밀착시키는 웨이퍼 이탈 방지체(40)를 이용하여 상기 다수개의 웨이퍼(W) 이탈을 방지할 수 있는 효과를 기대할 수 있다. As described above, in the present invention, the plurality of wafers are prevented by using the wafer escape preventing body 40 which closely contacts the plurality of wafers W at the upper end of the plurality of wafers W supported by the plurality of chucks 30. The effect of preventing the separation of two wafers W can be expected.

이상, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치를 설명하였다. 그러나, 이는 본 발명의 목적 달성을 위해 제시된 하나의 바람직한 실시예에 불과한 것으로서, 그 구조는 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위 내에서 얼마든지 변경 가능할 것이다. 예를 들면, 본 실시예에서는 웨이퍼 이탈 방지체(40)를 밀착 바(42)와 연결 바(44)로 이루어진 것으로 설명하였으나, 이러한 구조 이외에도 복수개의 척(30)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)의 하부 대향되는 상부에서 상기 웨이퍼(W)를 밀착시키는 구조가 적용될 수 있다.The wafer cleaning apparatus according to the preferred embodiment of the present invention has been described above. However, this is only one preferred embodiment presented for achieving the object of the present invention, the structure may be changed as many as possible without departing from the spirit of the present invention. For example, in the present embodiment, the wafer escape preventing body 40 has been described as being formed of the contact bar 42 and the connection bar 44. In addition to the structure, the wafer W supported by the plurality of chucks 30 is provided. A structure for bringing the wafer W into close contact with the bottom of the top may be applied.

또한, 본 실시예에서는 웨이퍼 이탈 방지체(40)가 테프론 재질로 코팅된 것을 설명하였으나, 세정액(16)에 내식성 또는 내구성을 갖는 어떠한 재질로도 얼마든지 제작될 수 있음은 물론이다.In addition, the present embodiment has been described that the wafer leaving preventing body 40 is coated with a Teflon material, it can be made of any material having any corrosion resistance or durability to the cleaning liquid 16, of course.

상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다.The above description of the embodiments is merely given by way of example with reference to the drawings in order to provide a more thorough understanding of the present invention and should not be construed as limiting the invention. In addition, for those skilled in the art, various changes and modifications may be made without departing from the basic principles of the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치를 개략적으로 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3은 도 1의 로봇 암 및 웨이퍼 이탈 방지체를 나타내는 사시도 및 측면도.2 and 3 are a perspective view and a side view showing the robot arm and the wafer escape prevention body of Figure 1;

도 4 및 도 5는 도 1의 웨이퍼 이탈 방지체의 밀착 바를 나타내는 단면도 및 측면도.4 and 5 are a cross-sectional view and a side view showing the adhesion bar of the wafer escape preventing body of FIG.

도 6 및 도 7은 도 1의 수직 연결 바를 나타내는 단면도들.6 and 7 are cross-sectional views showing the vertical connecting bar of FIG.

도 8 내지 도 11은 도 1의 웨이퍼 세정장치의 웨이퍼 이송 과정을 나타내는 측면도.8 to 11 are side views illustrating a wafer transfer process of the wafer cleaning apparatus of FIG. 1.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10 : 세정조 20 : 로봇 암10: cleaning tank 20: robot arm

30 : 척 40 : 웨이퍼 이탈 방지체30: Chuck 40: Wafer departure prevention body

50 : 실린더 60 : 폴더50: cylinder 60: folder

70 : 거리 조절기70: distance adjuster

Claims (11)

다수개의 웨이퍼를 세정하는 세정액을 수용하는 세정조;A cleaning tank containing a cleaning liquid for cleaning a plurality of wafers; 상기 세정조의 바닥에서 상기 다수개의 웨이퍼를 수직으로 수납하는 다수개의 슬롯이 형성된 가이드;A guide in which a plurality of slots are formed to vertically receive the plurality of wafers at the bottom of the cleaning tank; 상기 가이드에 수직으로 수납되는 상기 다수개의 웨이퍼를 이동시키는 로봇 암;A robot arm for moving the plurality of wafers received perpendicularly to the guide; 상기 로봇 암에 의해 구동되며, 상기 다수개의 웨이퍼 하부 양측을 서로 마주보며 지지하여 상기 다수개의 웨이퍼를 파지하는 복수개의 척; 및A plurality of chucks driven by the robot arm and holding the plurality of wafers by supporting both sides of the lower sides of the plurality of wafers facing each other; And 상기 복수개의 척에 의해 파지되는 상기 다수개의 웨이퍼 상부를 밀착시키는 웨이퍼 이탈 방지체를 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.And a wafer escape preventing body for closely contacting the upper portions of the plurality of wafers held by the plurality of chucks. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 웨이퍼 이탈 방지체는 상기 슬롯에 수직으로 수납되는 상기 다수개의 웨이퍼의 상부를 가로지르는 방향으로 형성된 밀착 바를 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.The wafer escape preventing body includes a contact bar formed in a direction crossing the upper portion of the plurality of wafers vertically received in the slot. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 밀착 바는 상기 다수개의 웨이퍼 외주면과 동일 또는 유사한 모양으로 굽은 타원 모양의 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.And the adhesion bar has an elliptic cross section bent in the same or similar shape to the outer circumferential surface of the plurality of wafers. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 밀착 바는 상기 다수개의 웨이퍼의 가장자리가 삽입되는 다수개의 홈을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.And the adhesion bar has a plurality of grooves into which edges of the plurality of wafers are inserted. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 웨이퍼 이탈 방지체는 상기 로봇 암에 결합되며 상기 밀착 바를 지지하는 연결 바를 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.The wafer escape preventing body is coupled to the robot arm, the wafer cleaning apparatus, characterized in that it comprises a connection bar for supporting the close bar. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 밀착 바 및 상기 연결 바는 테프론 재질로 코팅 처리된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.The close contact bar and the connection bar is a wafer cleaning apparatus, characterized in that the coating treatment of Teflon material. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 연결 바는 로봇 암에 결합되는 거치 대와, 상기 고정 바에서 수직으로 연결되면서 상기 밀착 바를 지지하는 수직 연결 바를 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.The connecting bar includes a cradle coupled to the robot arm, and a vertical connecting bar supporting the close bar while being vertically connected to the fixed bar. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 수직 연결 바는 실린더 또는 폴더를 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.And said vertical connecting bar comprises a cylinder or a folder. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 실린더는 상기 밀착 바를 승하강시키는 유압 실린더, 공기 실린더, 전기 실린더, 또는 스프링 실린더를 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치. And the cylinder includes a hydraulic cylinder, an air cylinder, an electric cylinder, or a spring cylinder for lifting up and down the contact bar. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 폴더는 서로 배타적으로 수축 및 팽창되는 복수개의 수평 리벳과, 복수개의 수직 리벳을 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.And the folder includes a plurality of horizontal rivets and a plurality of vertical rivets that are contracted and expanded exclusively from each other. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 수직 연결 바는 상기 밀착 바의 승하강 범위를 조절하는 조절기를 포함함을 특징으로 하는 웨이퍼 세정장치.The vertical connection bar is a wafer cleaning apparatus, characterized in that it comprises a regulator for adjusting the lifting range of the close contact bar.
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