KR20090121903A - Vacuum processing appartus - Google Patents

Vacuum processing appartus Download PDF

Info

Publication number
KR20090121903A
KR20090121903A KR1020080048056A KR20080048056A KR20090121903A KR 20090121903 A KR20090121903 A KR 20090121903A KR 1020080048056 A KR1020080048056 A KR 1020080048056A KR 20080048056 A KR20080048056 A KR 20080048056A KR 20090121903 A KR20090121903 A KR 20090121903A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cooling jacket
vacuum processing
processing apparatus
cooling
top lid
Prior art date
Application number
KR1020080048056A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101440416B1 (en
Inventor
허현강
김형준
Original Assignee
주식회사 아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아이피에스 filed Critical 주식회사 아이피에스
Priority to KR1020080048056A priority Critical patent/KR101440416B1/en
Publication of KR20090121903A publication Critical patent/KR20090121903A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101440416B1 publication Critical patent/KR101440416B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

PURPOSE: A vacuum processing device is provided to improve cooling performance by installing a cooling jacket in a top lid. CONSTITUTION: A vacuum processing device(100) includes a chamber body(110), a top lid(120), a substrate support, a shower head(200), and cooling jackets(400). The chamber body and the top lid are detachably combined and form the process space for the vacuum process. The substrate support is installed in the chamber body. The shower head is installed in the lower side of the top lid to spray the gas to the process space. The cooling jackets are installed in one outer surface of the chamber body and the top lid and are mutually connected. The inner flow path is formed in the cooling jacket to form one flow path or more.

Description

진공처리장치 {Vacuum processing appartus}Vacuum processing device {Vacuum processing appartus}

본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 상세하게는 진공상태에서 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 기판에 대한 진공처리공정을 수행하는 진공처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly, to a vacuum processing apparatus for performing a vacuum processing process on a substrate such as depositing and etching a surface of a substrate in a vacuum state.

진공처리장치는 밀폐된 처리공간에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성함으로써 지지대 위에 안착된 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 진공처리공정을 수행하는 장치를 말한다.The vacuum processing apparatus refers to an apparatus for performing a vacuum processing process such as depositing and etching a surface of a substrate seated on a support by applying a power to a closed processing space to form a plasma.

이때 상기 진공처리장치는 서로 결합되어 처리공간을 형성하는 탑리드 및 챔버본체와, 탑리드의 하측에 설치되어 진공처리를 위한 가스를 처리공간으로 분사하는 샤워헤드와, 진공처리를 위한 기판을 지지하는 기판지지대를 포함하여 구성된다. At this time, the vacuum processing apparatus supports a top lid and a chamber body coupled to each other to form a processing space, a shower head installed below the top lid to inject gas for vacuum processing into the processing space, and a substrate for vacuum processing. It is configured to include a substrate support.

그리고 상기 진공처리장치는 진공처리공정의 수행을 위하여 기판을 가열하기 위한 히터가 기판지지대에 설치되거나, 샤워헤드의 상측에 결합된다.In the vacuum processing apparatus, a heater for heating the substrate is installed on the substrate support or coupled to the upper side of the shower head to perform the vacuum processing process.

한편 종래의 진공처리장치는 고온을 요하는 고온공정을 수행하는 경우 고온 의 히터를 사용하므로 히터의 상측에 설치되는 샤워헤드가 히터의 복사열에 의하여 온도가 상승되어 변형되는 문제점이 있다.On the other hand, the conventional vacuum processing apparatus uses a high temperature heater when performing a high temperature process requiring a high temperature, there is a problem that the shower head installed on the upper side of the heater is deformed by the temperature is increased by the radiant heat of the heater.

특히 샤워헤드가 지나치게 과열되거나, 더 나아가 샤워헤드의 온도변화가 지나치게 큰 경우 원활한 진공처리의 수행을 저해할 수 있는 문제점이 있다.In particular, when the shower head is excessively overheated, or furthermore, when the temperature change of the shower head is excessively large, there is a problem that may inhibit the smooth vacuuming.

따라서 종래의 진공처리장치는 샤워헤드의 상부에 냉각을 위한 냉각플레이트가 설치되거나, 탑리드의 상면에 냉매가 흐르는 파이프를 설치하고 있다.Therefore, in the conventional vacuum processing apparatus, a cooling plate for cooling is installed on an upper portion of a shower head, or a pipe through which refrigerant flows is installed on an upper surface of the top lid.

그러나 종래의 진공처리장치는 냉각플레이트를 설치하는 경우 그 구조가 복잡하며 제조비용이 증가하는 문제점이 있으며, 탑리드의 상면에 냉매가 흐르는 파이프를 설치하는 경우 구조가 간단하고 설치가 용이하나, 파이프와 탑리드와의 접촉면에 적어 열전달 면적이 작아 냉각효율이 떨어질 뿐만 아니라 샤워헤드에 대한 온도제어가 용이하지 않은 문제점이 있다.However, the conventional vacuum processing apparatus has a problem that the structure is complicated and the manufacturing cost increases when the cooling plate is installed, and the structure is simple and easy to install when the pipe with the refrigerant flowing on the top of the top lid, but the pipe There is a problem in that the heat transfer area is small due to the contact surface with the top lid and the cooling efficiency is reduced, and the temperature control for the shower head is not easy.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여, 쿨링자켓을 탑리드에 설치함으로써 구조가 간단할 뿐만 아니라 설치가 용이한 구조를 가지며 냉각성능을 향상시키는 진공처리장치를 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a vacuum processing apparatus that has a simple structure as well as an easy installation and improves cooling performance by installing a cooling jacket on the top lid to solve the above problems.

본 발명의 다른 목적은 전열유체가 탑리드의 상면과 직접 접촉되고 접촉면적이 증가될 수 있는 진공처리장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus in which the heat transfer fluid is in direct contact with the top surface of the top lid and the contact area can be increased.

본 발명의 또 다른 목적은 진공처리장치를 구성하는 탑리드 및 챔버본체 중 적어도 하나의 외면에 설치되어 탑리드 및 챔버본체 중 적어도 하나의 외면과 전열유체가 직접 접촉되고 접촉면적이 증가될 수 있는 진공처리장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is installed on at least one outer surface of the top lid and the chamber body constituting the vacuum treatment apparatus, the outer surface of at least one of the top lid and the chamber body and the heat transfer fluid can be directly contacted and the contact area can be increased. To provide a vacuum processing apparatus.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와; 상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와; 상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와; 상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치를 개시한다.The present invention was created in order to achieve the object of the present invention as described above, the present invention comprises a chamber body and a top lead detachably coupled to each other to form a processing space for vacuum treatment; A substrate support installed in the chamber body; A shower head installed below the top lid to inject gas into the processing space; Disclosed is a vacuum processing apparatus comprising a plurality of cooling jackets formed on an outer surface of at least one of the chamber body and the top lead and connected to each other to form one or more flow paths.

상기 챔버본체의 외면 또는 탑리드의 상면에 설치될 수 있다.It may be installed on the outer surface of the chamber body or the upper surface of the top lid.

상기 내부유로는 하나 이상의 격판에 의하여 형성될 수 있다.The internal flow path may be formed by one or more diaphragms.

상기 쿨링자켓은 내부에 흐르는 전열유체가 상기 탑리드와 직접 접촉될 수 있도록 상기 탑리드와 결합되는 면이 개방되도록 형성될 수 있다.The cooling jacket may be formed such that the surface coupled with the top lead is opened so that the heat transfer fluid flowing therein may be in direct contact with the top lead.

상기 쿨링자켓들의 유출구는 이웃하는 쿨링자켓의 유입구와 상기 탑리드와 결합되는 면이 개방되도록 형성된 '∩' 형상의 연결부재에 의하여 연결될 수 있으며, 상기 연결부재는 상기 쿨링자켓과 일체로 형성될 수 있다.Outlets of the cooling jacket may be connected by a '∩' shaped connection member formed to open the inlet of the neighboring cooling jacket and the surface coupled with the top lid, the connection member may be formed integrally with the cooling jacket. have.

상기 복수개의 쿨링자켓들은 직렬로 연결되어 하나의 전열유로를 형성할 수 있으며, 상기 복수개의 쿨링자켓들은 2개 이상의 군을 이루고, 각각의 군을 이루는 상기 쿨링자켓들은 직렬로 연결되는 전열유로를 형성할 수 있다.The plurality of cooling jackets may be connected in series to form a heat transfer path, and the plurality of cooling jackets may form two or more groups, and the cooling jackets forming each group may form a heat transfer path connected in series. can do.

상기 쿨링자켓들은 상기 내부유로를 통하여 흐르는 전열유체의 유압에 의한 부풀림을 방지하기 위한 구조보강부가 추가로 형성될 수 있다.The cooling jackets may further include a structural reinforcing part for preventing swelling due to the hydraulic pressure of the heat transfer fluid flowing through the inner passage.

상기 구조보강부는 상기 쿨링자켓의 중앙부분이 상기 탑리드와 결합될 수 있도록 형성된 내부결합부를 포함할 수 있으며, 상기 내부결합부는 상기 쿨링자켓의 중앙부분이 상기 탑리드와 결합될 수 있도록 상하로 관통하여 형성되거나, 측면에서 일부가 절개되어 형성될 수 있다.The structural reinforcing part may include an inner coupling part formed so that the center portion of the cooling jacket is coupled with the top lead, and the inner coupling portion penetrates up and down so that the center portion of the cooling jacket is coupled with the top lead. It may be formed by, or formed by cutting a portion from the side.

또한 상기 구조보강부는 상기 쿨링자켓의 외면에 형성된 하나 이상의 보강부재로 구성될 수 있다.In addition, the structural reinforcing portion may be composed of one or more reinforcing members formed on the outer surface of the cooling jacket.

한편 상기 기판지지대는 다수개의 기판들이 로딩된 트레이를 지지하도록 구성될 수 있다.Meanwhile, the substrate support may be configured to support a tray loaded with a plurality of substrates.

본 발명은 또한 쿨링자켓 내에 다양한 형태의 내부유로를 형성함으로써 열전달 효율을 향상시켜 탑리드를 통한 샤워헤드를 보다 효과적으로 냉각시킬 수 있는 이점이 있다.The present invention also has the advantage of improving the heat transfer efficiency by forming various types of internal flow paths in the cooling jacket to more effectively cool the showerhead through the top lid.

본 발명은 또한 쿨링자켓을 탑리드의 상면에 설치하여 열전달 면적을 확대함으로써 샤웨헤드를 보다 효과적으로 냉각시킬 수 있는 이점이 있다.The present invention also has an advantage that the cooling head can be more effectively cooled by installing a cooling jacket on the top surface of the top lid to enlarge the heat transfer area.

본 발명은 또한 내부유로가 형성된 쿨링자켓을 직렬로 연결된 복수 개의 유로들을 형성함으로써 샤워헤드에 대한 온도제어를 효율적으로 수행할 수 있는 이점이 있다.The present invention also has an advantage that the temperature control of the shower head can be efficiently performed by forming a plurality of flow paths connected in series to the cooling jacket in which the internal flow path is formed.

본 발명은 또한 저면이 개방된 쿨링자켓을 탑리드의 상면에 결합시킴으로써 전열유체가 탑리드에 직접 접촉됨으로써 열전달 효율을 향상시켜 샤워헤드에 대한 냉각 성능을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The present invention also has the advantage that by coupling the cooling jacket with the bottom open to the top surface of the top lid, the heat transfer fluid is in direct contact with the top lid to improve the heat transfer efficiency to improve the cooling performance for the shower head.

본 발명은 또한 진공처리장치의 탑리드 이외에 챔버본체 등에 결합시킴으로써 간단한 구조에 의하여 탑리드 및 챔버본체 중 적어도 어느 하나에 대하여 내부에 설치된 히터 등에 의하여 과열되는 것을 방지하거나 온도제어를 수행할 수 있는 이점이 있다. In another aspect, the present invention is coupled to the chamber body in addition to the top lid of the vacuum processing apparatus to prevent overheating or temperature control of at least one of the top lid and the chamber body by a simple structure. There is this.

이하, 본 발명에 따른 진공처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세 히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the vacuum processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 진공처리장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a vacuum processing apparatus according to the present invention.

본 발명에 따른 진공처리장치(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 서로 탈착가능하게 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(110) 및 탑리드(120)와, 샤워헤드(200), 기판지지대(300) 등을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the vacuum processing apparatus 100 according to the present invention includes a chamber main body 110 and a top lid 120 detachably coupled to each other to form a processing space S, and a shower head 200. ), The substrate support 300 and the like.

본 발명에 따른 진공처리장치(100)는 기판(1)의 표면을 식각하거나, 증착하는 등 진공처리를 수행하기 위한 장치로서, 반도체소자를 제조하기 위한 웨이퍼, 사각형상 등 각형으로 형성되는 LCD 패널용 유리기판, 태양전지용 기판 등의 표면을 진공상태에서 플라즈마를 형성하여 진공처리를 수행한다.Vacuum processing apparatus 100 according to the present invention is a device for performing a vacuum treatment, such as etching or depositing the surface of the substrate 1, an LCD panel formed in a square, such as a wafer, a rectangular shape for manufacturing a semiconductor device Surfaces of glass substrates for solar cells and substrates for solar cells are subjected to vacuum treatment by forming plasma in a vacuum state.

이때 상기 진공처리장치는 기판(1)을 하나씩 진공처리를 수행하거나, 태양전지용 기판과 같이 복수 개의 기판(1)들에 대하여 한번에 진공처리를 수행할 수도 있으며, 특히 복수 개의 기판(1)들은 트레이(2)에 로딩된 상태로 이송될 수 있다.In this case, the vacuum processing apparatus may perform the vacuum treatment on the substrate 1 one by one, or perform the vacuum treatment on the plurality of substrates 1 at a time, such as a solar cell substrate, and in particular, the plurality of substrates 1 may be trays. It can be transported in the state loaded in (2).

상기 진공처리장치(100)는 처리공간(S)으로 가스를 공급하기 위하여 가스공급장치와 연결되는 가스공급관(130) 및 처리공간(S) 내의 배기 및 압력제어를 위하여 진공펌프와 연결되는 배기관(미도시)이 연결된다.The vacuum processing apparatus 100 includes a gas supply pipe 130 connected to a gas supply device for supplying gas to the processing space S, and an exhaust pipe connected to a vacuum pump for exhaust and pressure control in the processing space S. Not shown) is connected.

또한 상기 진공처리장치(100)는 처리공간(S)에 플라즈마를 형성하도록 전원이 인가되는데 전원인가방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.In addition, the vacuum processing apparatus 100 is supplied with power to form a plasma in the processing space (S), but can be configured in various ways according to the power application method.

예를 들면, 탑리드(120) 및 샤워헤드(200)는 RF전원이 인가되고, 기판지지대(300) 내에 전극부재(미도시)를 설치하고 전극부재가 접지될 수 있다.For example, the top lead 120 and the shower head 200 may be applied with RF power, install an electrode member (not shown) in the substrate support 300, and ground the electrode member.

또한 그 반대로 탑리드(120) 및 샤워헤드(200)는 접지되고, 전극부재는 RF전 원이 인가될 수 있다.On the contrary, the top lead 120 and the shower head 200 may be grounded, and RF power may be applied to the electrode member.

또한 탑리드(120) 및 샤워헤드(200)는 물론 전극부재 각각에 서로 다른 주파수를 가지는 RF전원이 인가될 수 있다.In addition, RF power having different frequencies may be applied to each of the top member 120 and the shower head 200 as well as the electrode member.

상기 챔버본체(110)는 상측에 탑리드(120)와 결합되어 처리공간(S)을 형성하도록 구성되며, 측면에는 기판(1)의 입출을 위한 게이트(140)가 형성된다. 이때 상기 게이트(140)는 게이트밸브(미도시)에 의하여 개폐될 수 있으며, 기판(1)의 입출방식에 따라서 일측에만 형성되거나, 서로 대향되는 위치에 한 쌍으로 형성될 수 있다.The chamber body 110 is configured to be coupled to the top lid 120 to form a processing space (S) on the upper side, the gate 140 for entering and exiting the substrate (1) is formed on the side. In this case, the gate 140 may be opened and closed by a gate valve (not shown), and may be formed only on one side or a pair in a position opposite to each other according to an entrance / exit method of the substrate 1.

상기 탑리드(120)는 챔버본체(110)와 탈착가능하게 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 구성으로, 샤워헤드(200)와는 열전달 및 통전이 가능하도록 후술하는 샤워헤드(200)가 하부에 결합될 수 있다.The top lead 120 is configured to be detachably coupled to the chamber body 110 to form a processing space (S), the shower head 200 to be described later to enable heat transfer and energization with the shower head 200 is lower Can be coupled to.

상기 샤워헤드(200)는 가스공급관(130)을 통하여 공급되는 가스를 처리공간(S)으로 분사하는 구성으로서, 가스의 종류 및 수, 분사방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The shower head 200 is a configuration for injecting the gas supplied through the gas supply pipe 130 to the processing space (S), a variety of configurations are possible depending on the type and number of gases, the injection method.

상기 기판지지대(300)는 진공처리의 대상인 기판(1)을 지지하기 위한 구성으로서, 챔버본체(110)에 설치되며 전원인가를 위한 전극부재, 기판(1)의 온도제어를 위한 전열부재 등 다양한 설치물들이 설치될 수 있다.The substrate support 300 is a component for supporting the substrate 1 to be subjected to the vacuum treatment, is installed in the chamber body 110, the electrode member for applying power, the heat transfer member for temperature control of the substrate 1, etc. Fixtures can be installed.

또한 상기 기판지지대(300)는 기판(1)이 직접 안착되거나, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수개의 기판(1)들이 로딩된 트레이(2)가 안착될 수 있다.In addition, the substrate support 300 may be directly seated on the substrate 1, or as shown in Figure 1, the tray 2 is loaded with a plurality of substrates (1) can be seated.

도 2a는 도 1에 설치되는 쿨링자켓을 보여주는 사시도이고, 도 2b는 도 1에 설치되는 쿨링자켓의 다른 예를 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 쿨링자켓의 수평단면도이다.2A is a perspective view illustrating a cooling jacket installed in FIG. 1, FIG. 2B is a perspective view illustrating another example of the cooling jacket installed in FIG. 1, and FIG. 3 is a horizontal cross-sectional view of the cooling jacket of FIG. 2.

한편 상기 진공처리장치(100)는 고온의 히터를 설치하여 고온의 환경을 형성하면서 공정을 수행하는 경우 히터에 의하여 발생되는 열이 샤워헤드(200)로 전달되어 샤워헤드(200)가 열변형되거나 샤워헤드(200)에서의 온도가 불균일하게 형성되어 원활한 공정수행을 저해할 수 있다.On the other hand, when the vacuum processing apparatus 100 performs a process while installing a high temperature heater to form a high temperature environment, heat generated by the heater is transferred to the shower head 200 so that the shower head 200 is thermally deformed. The temperature in the shower head 200 is formed non-uniformly may inhibit smooth process performance.

따라서 상기 샤워헤드(200)가 과열되는 것을 방지하는 한편 그 온도가 일정한 범위 내로 유지할 필요가 있다.Therefore, it is necessary to prevent the showerhead 200 from overheating while keeping the temperature within a certain range.

따라서 상기 탑리드(120)의 상부에는 하나 이상의 유로(L; L1, L2, L3)를 형성하도록 내부유로(P)가 형성된 복수개의 쿨링자켓(400)들이 설치된다. 여기서 상기 내부유로(P)는 후술하는 격판(430) 등에 의하여 지그재그 등 냉각효율을 향상할 수 있도록 다양하게 형성될 수 있다.Therefore, a plurality of cooling jackets 400 in which an inner flow path P is formed to form one or more flow paths L; L1, L2, and L3 are installed on the top lead 120. Here, the internal flow path P may be formed in various ways to improve the cooling efficiency such as zigzag by the diaphragm 430 which will be described later.

상기 쿨링자켓(400)은 탑리드(120)의 상부에 설치되어 내부유로(P)에 전열유체가 흐르도록 구성되어, 탑리드(120)을 냉각하여 탑리드(120)와 결합된 샤워헤드(200)를 간접적으로 냉각하는 등 샤워헤드(200)에 대한 온도제어를 수행하게 된다. 이때 내부유로(P)에 흐르는 전열유체는 물, 냉각제(coolant) 등과 같은 유체가 사용될 수 있다.The cooling jacket 400 is installed on the top of the top lead 120 so that the heat transfer fluid flows through the internal flow path P, and the top head 120 is cooled to combine with the shower head (120) ( Temperature control for the shower head 200 may be performed by indirectly cooling the 200. In this case, the heat transfer fluid flowing in the inner passage P may be a fluid such as water or a coolant.

상기 쿨링자켓(400)은 냉각 등 온도제어의 목적에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 제조 및 설치가 용이하도록 하나 이상의 플레이트부재로 구성될 수 있다. 이때 상기 쿨링자켓(400)은 용접 등에 의하여 탑리드(120)에 결합된다.The cooling jacket 400 may be configured in various ways according to the purpose of temperature control such as cooling, and may be composed of one or more plate members to facilitate manufacturing and installation. At this time, the cooling jacket 400 is coupled to the top lead 120 by welding or the like.

상기 쿨링자켓(400)은 도 2a, 도 2b 및 도 3에 도시된 바와 같이, 열전달 효율을 높이기 위하여 내부에 흐르는 전열유체가 탑리드(120)와 직접 접촉될 수 있도록 탑리드(120)와 결합되는 면이 개방되도록 형성될 수 있다.As shown in FIGS. 2A, 2B, and 3, the cooling jacket 400 is coupled to the top lid 120 so that the heat transfer fluid therein may be in direct contact with the top lid 120 in order to increase heat transfer efficiency. It may be formed so that the surface is opened.

한편 상기 쿨링자켓(400)은 전열유체의 유입을 위한 유입구(410) 및 유출구(420)가 형성되며, 상기 유입구(410) 및 유출구(420)는 이웃하는 쿨링자켓(400)과의 연결 및 내부유로(P)를 고려하여 측면 중 적당한 위치에 형성된다.On the other hand, the cooling jacket 400 is formed with an inlet 410 and an outlet 420 for the inlet of the heat transfer fluid, the inlet 410 and the outlet 420 is connected to the interior of the cooling jacket 400 and the inside In consideration of the flow path P, it is formed in an appropriate position among the side surfaces.

이때 상기 복수개의 쿨링자켓(400)들 중 전열유체의 순환을 위한 전열유체순환장치(미도시)와 연결되는 유입단에 위치된 쿨링자켓(400)과 유출단에 위치된 쿨링자켓(400)은 용접 등에 의한 영향을 고려하여 각각 전열유체순환장치와 상면에서 유입관(401) 및 유출관(402)와 연결되는 것이 바람직하다. At this time, the cooling jacket 400 located at the inlet end and the cooling jacket 400 located at the outlet end of the plurality of cooling jackets 400 are connected to a heat transfer fluid circulation device (not shown) for circulation of the heat fluid. In consideration of the effects of welding, it is preferable that the inlet pipe 401 and the outlet pipe 402 are connected to the electrothermal fluid circulation device and the upper surface, respectively.

따라서 유입단에 위치된 쿨링자켓(400)은 도 2a, 도 2b 및 도 3에 도시된 바와 같이, 유입구(410)가 상면에 형성되고, 유출단에 위치된 쿨링자켓(400)은 그 유출구(420)이 상면에 형성되는 것이 바람직하다.Therefore, as shown in FIGS. 2A, 2B, and 3, the cooling jacket 400 located at the inlet end is formed with an inlet 410 on the upper surface thereof, and the cooling jacket 400 located at the outlet end thereof has an outlet ( 420 is preferably formed on the upper surface.

한편 상기 쿨링자켓(400)은 내부유로(P)를 형성함에 있어서, 하나 이상의 격판(430)에 의하여 형성될 수 있다. 이때 상기 격판(430)은 측벽 및 상측 내벽 등에 용접 등에 의하여 결합된다.Meanwhile, the cooling jacket 400 may be formed by one or more diaphragms 430 in forming the internal flow path P. FIG. At this time, the diaphragm 430 is coupled to the side wall and the upper inner wall by welding or the like.

그리고 상기 격판(430)은 내부유로(P)가 소정의 패턴, 예를 들면 지그재그의 형상을 이루도록 다양하게 설치될 수 있으며, 도 2a, 도 2b 및 도 3에 도시된 바와 같이, 복수 개가 평행하게 배치될 수 있다.In addition, the diaphragm 430 may be installed in various ways such that the inner flow path P forms a predetermined pattern, for example, a zigzag shape. As shown in FIGS. Can be deployed.

상기 쿨링자켓(400)의 유출구(420)는 도 2a, 도 2b 및 도 3에 도시된 바와 같이, 이웃하는 쿨링자켓(400)의 유입구(410)와 탑리드(120)와 결합되는 면이 개방되도록 형성된 '∩' 형상의 연결부재(450)에 의하여 연결될 수 있다.As shown in FIGS. 2A, 2B, and 3, the outlet 420 of the cooling jacket 400 has a surface coupled to the inlet 410 and the top lid 120 of the neighboring cooling jacket 400. It may be connected by a connecting member 450 of the '∩' shape to be formed.

이때 상기 연결부재(450)는 용접 등에 의하여 결합되거나 하나의 부재로 형성되는 등 쿨링자켓(400)과 일체로 형성될 수 있다.In this case, the connection member 450 may be integrally formed with the cooling jacket 400 such as being joined by welding or a single member.

한편 상기 쿨링자켓(400)들은 물 등과 같은 전열유체가 고압으로 유입되며 전열유체의 유압으로 상측으로 부풀려지는 부풀림 현상이 발생될 수 있는바 이를 구조적으로 보강할 필요가 있다.On the other hand, the cooling jacket 400 is a heat transfer fluid such as water is introduced at a high pressure and the bulging phenomenon can be inflated upward by the hydraulic pressure of the heat transfer fluid may need to be reinforced structurally.

따라서 상기 쿨링자켓(400)은 내부유로(P)를 통하여 흐르는 전열유체의 유압에 의한 부풀림을 방지하기 위한 구조보강부가 추가로 형성될 수 있다.Therefore, the cooling jacket 400 may further include a structural reinforcing part for preventing swelling due to the hydraulic pressure of the heat transfer fluid flowing through the internal flow path (P).

상기 구조보강부는 구조상 쿨링자켓(400)의 중앙부분에서 발생되는 것이 일반적이므로, 중앙부분에서 탑리드(200)와의 결합을 위하여 쿨링자켓(400)을 상하로 통하도록 형성되는 내부결합부(460)로 구성될 수 있다. 이때 상기 내부결합부(460)는 내부유로(P)의 패턴에 따라서 위치가 정해진다.Since the structural reinforcing part is generally generated in the center portion of the cooling jacket 400 in structure, the inner coupling portion 460 formed to pass through the cooling jacket 400 up and down for coupling with the top lid 200 at the center portion. It can be configured as. At this time, the inner coupling portion 460 is positioned according to the pattern of the inner passage (P).

상기 내부결합부(460)는 도 2a에 도시된 바와 같이, 상하로 관통하여 형성되거나, 측면에서 일부가 절개된 형태로 형성될 수 있는 등 쿨링자켓(400)의 중앙부분에서 탑리드(200)와 결합될 수 있는 구성은 모두 가능하다.As shown in FIG. 2A, the inner coupling part 460 may be formed to penetrate up and down, or may be formed in a form in which a portion thereof is cut off from the side thereof, and the top lead 200 may be formed at the center of the cooling jacket 400. Any configuration that can be combined with is possible.

상기 쿨링자켓(400)은 관통공(460)의 형성으로 인하여 중앙부분에서 탑리드(200)와 용접 등에 의하여 설치됨으로써 전열유체의 유압에 의한 부풀림이 방지될 수 있게 된다.The cooling jacket 400 is installed by the top lead 200 and the welding in the central portion due to the formation of the through hole 460 to prevent swelling due to the hydraulic pressure of the heat transfer fluid.

또한 상기 구조보강부는 다른예로서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 쿨링자 켓(400)의 외면에 형성되는 하나 이상의 보강부재(470)들로 구성될 수 있다.In addition, the structural reinforcing portion, as another example, as shown in Figure 2b, may be composed of one or more reinforcing members 470 formed on the outer surface of the cooling jacket 400.

상기 구조보강부는 상기와 같은 구성 이외에도 쿨링자켓(400)에 요철을 형성하는 등 다양한 방식에 의하여 구성될 수 있음은 물론이다.The structural reinforcing part may be configured by various methods, such as forming irregularities in the cooling jacket 400 in addition to the above configuration.

한편 상기와 같은 구성을 가지는 복수 개의 쿨링자켓(400)들은 서로 연결되어 샤워헤드(200)의 냉각효율, 온도분포가 균일하지 않은 점 등을 고려하여 여러 가지 유로를 형성할 수 있다.Meanwhile, the plurality of cooling jackets 400 having the above configuration may be connected to each other to form various flow paths in consideration of cooling efficiency of the shower head 200 and nonuniform temperature distribution.

첫 번째 예로서, 상기 복수개의 쿨링자켓(400)들은 도 4a에 도시된 바와 같이, 직렬로 연결되어 하나의 전열유로(L)를 형성하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.As a first example, the plurality of cooling jackets 400 are connected in series, as shown in Figure 4a, characterized in that to form a heat transfer path (L).

두 번째 예로서, 상기 복수개의 쿨링자켓(400)들은 2개 이상의 군을 이루고, 각각의 군을 이루는 쿨링자켓(400)들은 직렬로 연결되는 전열유로(L1, L2, L3)를 형성할 수 있다.As a second example, the plurality of cooling jackets 400 may form two or more groups, and each of the cooling jackets 400 forming each group may form heat transfer paths L1, L2, and L3 connected in series. .

상기와 같이 전열유로가 직렬인 하나의 유로로 형성되지 않고 병렬로 여러 개의 유로들로 구성되는 경우 진공처리장치(100)는 기판(1)에 대응되는 위치에 따라서 온도편차에 대응하는 등 온도제어가 보다 용이하게 할 수 있다.As described above, when the heat transfer paths are not formed as a single flow path in series, but consist of a plurality of flow paths in parallel, the vacuum processing apparatus 100 responds to a temperature deviation according to a position corresponding to the substrate 1. Can be made easier.

한편 상기와 같은 구성을 가지는 과열방지가 필요한 경우 복수개의 쿨링자켓(400)들은 탑리드(200)의 상면 이외에도 탑리드(200) 및 챔버본체(110)의 외면 중 적어도 일부에 설치될 수 있음은 물론이다.On the other hand, when the overheating prevention having the above configuration is required, the plurality of cooling jackets 400 may be installed on at least some of the outer surfaces of the top lid 200 and the chamber body 110 in addition to the top surface of the top lid 200. Of course.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설 명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다. Since the above is merely described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, the scope of the present invention, as is well known, should not be construed as limited to the above embodiments, the present invention described above All of the technical ideas together with the technical idea of the base will be included in the scope of the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 진공처리장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a vacuum processing apparatus according to the present invention.

도 2a는 도 1에 설치되는 쿨링자켓을 보여주는 사시도이다.2A is a perspective view illustrating a cooling jacket installed in FIG. 1.

도 2b는 도 1에 설치되는 쿨링자켓의 다른 예를 보여주는 사시도이다.2B is a perspective view illustrating another example of the cooling jacket installed in FIG. 1.

도 3은 도 2의 쿨링자켓의 수평단면도이다.3 is a horizontal cross-sectional view of the cooling jacket of FIG.

도 4a 및 도 4b는 도 2의 쿨링자켓이 형성하는 전열유로의 예들을 보여주는 평면도이다.4A and 4B are plan views illustrating examples of a heat transfer path formed by the cooling jacket of FIG. 2.

****** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *********** Explanation of symbols for main parts of drawing *****

100 : 진공처리장치 110 : 챔버본체100: vacuum processing device 110: chamber body

120 : 탑리드 200 : 샤워헤드120: top lead 200: shower head

300 : 기판지지대300: substrate support

400 : 쿨링자켓400: cooling jacket

Claims (13)

서로 탈착가능하게 결합되어 진공처리를 위한 처리공간을 형성하는 챔버본체 및 탑리드와; A chamber body and a top lid detachably coupled to each other to form a processing space for vacuum treatment; 상기 챔버본체 내에 설치되는 기판지지대와;A substrate support installed in the chamber body; 상기 처리공간으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드의 하부에 설치되는 샤워헤드와; A shower head installed below the top lid to inject gas into the processing space; 상기 챔버본체 및 상기 탑리드 중 적어도 어느 하나의 외면에 설치되고 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 형성하도록 내부유로가 형성된 복수개의 쿨링자켓들을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.And a plurality of cooling jackets formed on an outer surface of at least one of the chamber body and the top lead and connected to each other to form one or more flow paths. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 탑리드의 상면에 설치된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.Vacuum processing apparatus, characterized in that installed on the top surface of the top lid. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 내부유로는 하나 이상의 격판에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The internal flow passage is characterized in that formed by one or more diaphragm. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 쿨링자켓은 내부에 흐르는 전열유체가 상기 탑리드와 직접 접촉될 수 있도록 상기 탑리드와 결합되는 면이 개방되도록 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The cooling jacket is a vacuum processing apparatus, characterized in that the surface coupled to the top lead is opened so that the heat transfer fluid flowing therein can be in direct contact with the top lead. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 쿨링자켓들의 유출구는 이웃하는 쿨링자켓의 유입구와 상기 탑리드와 결합되는 면이 개방되도록 형성된 '∩' 형상의 연결부재에 의하여 연결되는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The outlet of the cooling jacket is a vacuum processing apparatus, characterized in that connected by the '진공' shape formed to open the surface coupled to the inlet of the neighboring cooling jacket and the top lid. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 연결부재는 상기 쿨링자켓과 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The connecting member is a vacuum processing apparatus, characterized in that formed integrally with the cooling jacket. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 복수개의 쿨링자켓들은 직렬로 연결되어 하나의 전열유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The plurality of cooling jackets are connected in series to form a heat transfer path, characterized in that the vacuum processing apparatus. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 복수개의 쿨링자켓들은 2개 이상의 군을 이루고, 각각의 군을 이루는 상기 쿨링자켓들은 직렬로 연결되는 전열유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The plurality of cooling jackets constitute two or more groups, and each of the cooling jackets forming each group forms a heat transfer path connected in series. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 쿨링자켓들은 상기 내부유로를 통하여 흐르는 전열유체의 유압에 의한 부풀림을 방지하기 위한 구조보강부가 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The cooling jacket is a vacuum processing apparatus, characterized in that the structural reinforcing portion is further formed to prevent swelling due to the hydraulic pressure of the heat transfer fluid flowing through the inner passage. 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9, 상기 구조보강부는 The structural reinforcing part 상기 쿨링자켓의 중앙부분이 상기 탑리드와 결합될 수 있도록 형성된 내부결합부인 것을 특징으로 하는 진공처리장치.And a center portion of the cooling jacket is an inner coupling portion formed to be coupled to the top lid. 청구항 10에 있어서,The method according to claim 10, 상기 내부결합부는 상기 쿨링자켓의 중앙부분이 상기 탑리드와 결합될 수 있도록 상하로 관통하여 형성되거나, 측면에서 일부가 절개되어 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The inner coupling portion is formed by penetrating up and down so that the central portion of the cooling jacket can be combined with the top lead, or a portion formed in the side cut off. 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9, 상기 구조보강부는 상기 쿨링자켓의 외면에 형성된 하나 이상의 보강부재인 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The structural reinforcing unit is a vacuum processing apparatus, characterized in that at least one reinforcing member formed on the outer surface of the cooling jacket. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나의 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 기판지지대는 다수개의 기판들이 로딩된 트레이를 지지하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.The substrate support is a vacuum processing apparatus, characterized in that for supporting a tray loaded with a plurality of substrates.
KR1020080048056A 2008-05-23 2008-05-23 Vacuum processing appartus KR101440416B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080048056A KR101440416B1 (en) 2008-05-23 2008-05-23 Vacuum processing appartus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080048056A KR101440416B1 (en) 2008-05-23 2008-05-23 Vacuum processing appartus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090121903A true KR20090121903A (en) 2009-11-26
KR101440416B1 KR101440416B1 (en) 2014-09-17

Family

ID=41604781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080048056A KR101440416B1 (en) 2008-05-23 2008-05-23 Vacuum processing appartus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101440416B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012039523A1 (en) * 2010-09-20 2012-03-29 에스엔유 프리시젼 주식회사 Monomer cooling trap and monomer evaporation device using same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11180796A (en) * 1997-12-22 1999-07-06 Japan Energy Corp Vapor growth method and vapor growth device for applying the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012039523A1 (en) * 2010-09-20 2012-03-29 에스엔유 프리시젼 주식회사 Monomer cooling trap and monomer evaporation device using same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101440416B1 (en) 2014-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8741065B2 (en) Substrate processing apparatus
US10312062B2 (en) Temperature control system and temperature control method
KR20100103627A (en) Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
TW201518538A (en) Pixelated cooling, temperature controlled substrate support assembly
WO2011094143A2 (en) Apparatus for controlling temperature uniformity of a showerhead
US20160169593A1 (en) Apparatus for controlling temperature uniformity of a substrate
TW201434119A (en) Electrostatic chuck with concentric cooling base
JP2011508436A5 (en)
KR20080112437A (en) Showerhead for depositing thin film on wafer and method for cleaning apparatus for depositing thin film on wafer
KR20090121903A (en) Vacuum processing appartus
KR101220307B1 (en) Susceptor and subtrate treating appratus the same
KR20100030783A (en) Plasma treatment apparatus
KR102671334B1 (en) Apparatus for loading substrate and apparatus for processing substrate
KR20110049988A (en) Substrate processing apparatus
KR102260370B1 (en) Full-area counter-flow heat exchange substrate support
KR101450006B1 (en) Substrate processing apparatus
KR100830126B1 (en) Electrode for Vacuum Processing Apparatus and Vacuum Processing Apparatus having same
KR102154488B1 (en) Cooling module and Substrate supporting unit having the same
KR101994229B1 (en) Substrate process apparatus
TWI710674B (en) Furnace tube and poiy silicon growth method
KR20230155835A (en) Gas injecting device and substrate processing apparatus having the same
KR101503439B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20200097021A (en) Temperature control apparatus
KR102389078B1 (en) Showerhead included in substrate disposition apparatus
KR200379906Y1 (en) A showerhead having a cooling apparatus and a chamber using thereof

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170621

Year of fee payment: 4