KR20090110547A - 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 및 이를 포함하는플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 및 이를 포함하는플라즈마 디스플레이 패널 Download PDF

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Abstract

본 발명은 도전성 분말 및 글라스 프릿 분말을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물에 있어서, 상기 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)은 1.2 내지 2.0㎛이고, 상기 글라스 프릿 분말의 입자직경의 최대값(Dmax)은 5 내지 7㎛인 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물을 제공한다.
플라즈마 디스플레이 패널

Description

플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널{Plasma Display Panel Electrode Composition And Plasma Display Panel Comprising The Same}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)은 전면 기판과 후면 기판에 형성된 각각의 상부 유전체 및 하부 유전체와 전면 기판과 후면 기판 사이에 형성된 격벽(Barrier Rip)이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주방전 기체와 소량의 크세논(Xe)을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다.
따라서, 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외 선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 크게 향상된 화질을 제공하여 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
이러한, 플라즈마 디스플레이 패널 중 전극은 플라즈마 디스플레이 패널의 단자부에서 이방성 도전필름에 의해 TCP(Tape Carrier Package)와 같은 드라이버 IC 패키지와 연결되어 구동된다.
그러나, 플라즈마 디스플레이 패널 전극의 에지부가 들뜨는 에지-컬(edge curl) 현상이 발생하게 되면, 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 시 신호의 왜곡이 발생되는 문제점이 있다.
따라서, 플라즈마 디스플레이 패널의 전기적 신호의 불량이 발생하여 플라즈마 디스플레이 패널의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 전극의 에지-컬 현상을 최소화하며 전극의 치밀성을 향상시키고 전극의 저항이 상승되는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 도전성 분말 및 글라스 프릿 분말을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물에 있어서, 상기 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)은 1.2 내지 2.0㎛이고, 상기 글라스 프릿 분말의 입자직경의 최대값(Dmax)은 5 내지 7㎛일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판, 상기 전면 기판과 대향하는 후면 기판 및 상기 전면 기판 또는 후면 기판 상에 형성된 전극을 포함하고, 상기 전극은 글라스 프릿 분말을 포함하며, 상기 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)은 1.2 내지 2.0㎛이고, 상기 글라스 프릿 분말의 입자직경의 최대값(Dmax)은 5 내지 7㎛일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널은 전극의 에지-컬 현상을 최소화하며 전극의 치밀성을 향상시키고 전극의 저항이 상승되는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공할 수 있는 이점이 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판(101)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 형성된 전면 패널(100)과, 배면을 이루는 후면 기판(111) 상에 전술한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)과 교차 되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 패널(110)이 일정거리를 사이에 두고 나란하게 위치한다.
상기 전면 패널(100)은 방전 공간, 즉 방전 셀(Cell)에서 방전과 방전 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 위치한다. 보다 자세하게는 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(102a, 103a)과 불투명 금속재질로 제작된 버스 전극(102b, 103b)을 포함하는 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 상기 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류 를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 상부 유전체 층(104)에 의해 덮혀진다. 상기 상부 유전체 층(104) 상에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호 층(105)이 위치한다.
상기 후면 패널(110)은 복수 개의 방전 공간 즉, 방전 셀을 구획하기 위한 웰 타입(Well Type) 또는 스트라이프 타입의 오픈형의 폐쇄형 격벽(112)을 포함한다. 또한, 데이터 펄스를 공급하기 위한 다수의 어드레스 전극(113)이 위치한다.
이러한, 격벽(112)에 의해 구획된 복수의 방전 셀 내에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시 광을 방출하는 형광체 층(114), 바람직하게는 적색(Red : R), 녹색(Green : G), 청색(Blue : B) 형광체 층이 위치한다.
그리고, 어드레스 전극(113)과 형광체 층(114) 사이에는 하부 유전체 층(115)이 위치한다.
여기서, 본 발명의 실시 예에 따른 전극은 플라즈마 디스플레이 패널 중 어드레스 전극 또는 버스 전극으로 사용될 수 있다.
도 1에서는 플라즈마 디스플레이 패널의 일례만을 도시하고 설명한 것으로써, 본 발명이 도 1의 구조의 플라즈마 디스플레이 패널에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 1의 플라즈마 디스플레이 패널(100)에는 스캔 전극(102), 서스테인 전극(103), 어드레스 전극(113)이 형성된 것을 도시하고 있지만, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널에서는 스캔 전극(102), 서스테인 전극(103) 또는 어드레스 전극(113) 중 하나 이상이 생략될 수도 있다.
또한, 도 1에서는 방전 셀을 구획하기 위한 격벽(112)이 후면 기판(111) 상 에 형성된 경우만을 도시하고 있지만, 이와는 다르게 격벽(112)이 전면 기판(101) 상에 형성되는 것도 가능하며, 전면 기판(101)과 후면 기판(112)에 각각 형성될 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판과 후면 기판에 위치하는 어드레스 전극 또는 버스 전극을 포함할 수 있다. 상기 어드레스 전극 또는 버스 전극은 도전성 분말, 글라스 프릿 분말 및 바인더를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물에 의해 제조될 수 있다.
이때, 상기 글라스 프릿 분말은 입자직경의 중심값(D50)이 1.2 내지 2.0㎛이고, 상기 글라스 프릿 분말의 입자직경의 최대값(Dmax)이 5 내지 7㎛인 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물을 사용하여 형성되는 것으로 그 외의 다른 사항은 변경 가능한 것이다.
이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물에 대해 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극용 조성물은 도전성 분말, 글라스 프릿 분말 및 바인더를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 도전성 분말을 포함할 수 있다. 도전성 분말은 전극을 구성하는 금속 물질로 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있으며, 이 중 가격이 저렴하고 산화에 의한 도전성의 저하가 발생하지 않는 은(Ag)을 사용할 수 있다.
도전성 분말은 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 60 내지 75 중량부로 포함될 수 있다. 여기서, 도전성 물질의 함량이 60 중량부 이상이면 추후 소성 공정 시 도전막의 선폭이 수축되어 단선되는 것을 방지할 수 있고, 75 중량부 이하이면, 광투과성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 글라스 프릿 분말을 포함할 수 있다. 글라스 프릿 분말은 전극과 기판 사이의 접착력을 부여하는 역할을 할 수 있다.
글라스 프릿 분말은 산화비스무스(Bi2O3), 산화규소(SiO2), 산화붕소(B2O3), 산화알루미늄(Al2O3) 및 산화아연(ZnO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
산화비스무스(Bi2O3) 또는 산화아연(ZnO)는 전극의 내에칭성을 향상시키는 역할을 하며, 글라스 프릿 분말 100 중량부에 대해 각각 산화비스무스(Bi2O3)는 50 내지 65 중량부로 포함될 수 있고, 산화아연(ZnO)은 5 내지 20 중량부로 포함될 수 있다.
산화규소(SiO2)는 전극 조성물의 점도가 감소되는 것을 방지하는 역할을 하 며, 글라스 프릿 분말 100 중량부에 대해 5 내지 15 중량부로 포함될 수 있다.
산화알루미늄(Al2O3)은 화학적 내구성을 향상시키는 역할을 하며, 글라스 프릿 분말 100 중량부에 대해 5 내지 10 중량부로 포함될 수 있다.
산화붕소(B2O3)는 전극의 화학적 내구성을 향상시키는 역할을 하며, 글라스 프릿 분말 100 중량부에 대해 5 내지 20 중량부로 포함될 수 있다.
또한, 글라스 프릿 분말은 산화바륨(BaO) 또는 산화칼슘(CaO) 등을 더 포함할 수 있다.
전술한 글라스 프릿 분말은 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)이 1.2 내지 2.0㎛이고, 글라스 프릿 분말의 입자직경의 최대값(Dmax)이 5 내지 7㎛일 수 있다.
상기 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)이 1.2㎛이상이고 입자직경의 최대값(Dmax)이 5㎛이상이면, 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물이 페이스트 단계에서 노광 감도가 떨어져 현상 공정 후 언더컷이 발생되는 것을 방지하고, 소결 특성이 강해서 소성 공정시 수축율이 심해져 에지-컬이 증가되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
또한, 상기 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)이 2.0㎛를 이하이고 글라스 프릿 분말의 입자직경의 최대값(Dmax)이 7㎛이하이면, 전극 패턴의 직진성을 저하되는 것을 방지하고, 소성 후 전극의 치밀성이 떨어져 추후 단자부 전극이 손 상 또는 탈락되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
상기와 같은, 글라스 프릿 분말은 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다. 여기서, 글라스 프릿 분말이 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 1 중량부 이상이면, 기판과 전극 사이의 접착력을 제공할 수 있고, 글라스 프릿 분말이 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 5 중량부 이하이면, 전극의 도전성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 바인더를 포함할 수 있다.
바인더는 통상적으로 사용하는 아크릴계 수지, 스티렌 수지, 노볼락 수지 또는 폴리에스테르 수지 등을 사용할 수 있다.
또한, 바인더는 광중합성 단량체를 더 포함할 수 있다. 광중합성 단량체는 예를 들어, 2-히드록시 에틸 아크릴레이트, 2-히드록시 프로필 아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 폴리 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 폴리 우레탄 디아크릴레이트, 트리 메틸올 프로판 트리 아크릴레이트, 펜타 에리스리틀 트리 아크릴레이트, 펜타 에리스리틀 테트라 아크릴레이트, 트리 메틸올 프로판 에틸렌 옥사이드 변성 트리 아크릴레이트, 트리 메틸올 프로판 프로필렌 옥사이드 변성 트리 아크릴레이트, 디펜타 에리스리틀 펜타 아크릴레이트, 디펜타 에리스리틀 헥사 아크릴레이트 및 상기 아크릴레이트에 대응하는 메타크릴레이트류일 수 있으며, 프탈산, 아디프산, 말레산, 아타콘산, 숙신산, 트 리멜리트산, 테레프탈산 등의 다염기산과 (모노-, 디-, 트리- 또는 그 이상의)히드록시 알킬 아크릴레이트 등의 상기 나열된 물질 중 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있다.
바인더는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 5 내지 10 중량부로 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 광 개시제를 포함할 수 있다. 광 개시제는 노광 공정 중 라디칼을 발생시키는 물질일 수 있으며, 예를 들어 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르 등의 벤조인 및 벤조인 알킬 에트르류와, 아세토페논, 2,2-디멕톡시-2-페닐 아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐 아세토페논, 1,1-디클로로 아세토페논 등의 아세토페논류와, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노 프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-[4-모르폴리노페닐]-부탄-1-온 등의 아미노아세토페논류와, 2-메틸 안트라퀴논, 2-에틸 안트라퀴논, 2-t-부틸 안트라퀴논, 1-클로로 안트라퀴논 등의 안트라퀴논류와, 2,4-디메틸 티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤, 2-클로로 티오크산톤, 2,4-디이소프로필 티오크산톤 등의 티오크산톤류와, 아세토페논 디메틸 케탈, 벤질 디메틸 케탈 등의 케탈류와, 벤조페논 등의 벤조페논류와, 크크란톤류와,(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-펜틸 포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐 포스핀옥사이드, 2,4,6-트리 메틸 벤조일 디페닐 포스핀옥사이드, 에틸-2,4,6-트리메틸 벤조일 페닐 포스피네이트 등의 포스핀옥사이드류와 퍼옥사이드류일 수 있으며, 이들 중 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있다.
광 개시제는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 용매를 더 포함할 수 있다. 용매로는 바인더 및 광 개시제를 용해시킬 수 있는 물질을 사용할 수 있으며 예를 들어, 에틸카비톨, 부틸카비톨, 에틸카비톨아세테이트, 부틸카비톨아세테이트, 텍사놀, 테르핀유, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콘모노메틸에테르아세테이트, 셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트 및 트리프로필렌글리콜로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 사용할 수 있다.
용매는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 10 내지 30 중량부로 포함될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물은 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로는 산화방지제, 해상도를 향상시키는 자외선 흡광제, 감도를 향상시키는 증감제, 분산성을 향상시키는 분산제 등을 포함할 수 있다. 또한, 인산, 인산에스테르, 카르복실산 함유 화합물 등의 코팅 조성물의 보존성을 향상시키는 중합 금지제 및 폴리에스테로 변성 디메틸폴리실록산, 폴리히드록시카르복실산 아미드, 실리콘계 폴리아크릴레이트 공중합체 또는 불소계 파라핀 화합물 등의 인쇄시 막의 평탄성을 향상시키는 레벨링제를 더 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 상기 조성을 포함하는 플라즈마 디스플 레이 패널 전극용 조성물로 이루어진 전극 및 그 제조방법을 설명한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극은 다음과 같은 제조방법에 의해 제조될 수 있다.
먼저, 도전성 분말, 전술한 조성을 포함하는 글라스 프릿 분말, 바인더 및 광 개시제를 용매에 분산시켜 전극용 조성물을 제조한다. 이때, 상기 분산은 롤 혼련기, 믹서, 호모 믹서, 볼밀, 비드 밀 등의 혼련기를 사용할 수 있다.
상기 제조된 전극용 조성물을 기판 상에 코팅한 후 건조시켜 도전막을 형성한다. 이때, 기판 상에 전극용 조성물을 코팅하는 코팅 공정은 스크린 인쇄법, 롤코터법, 블레이드 코터법 슬릿 코터법, 커튼 코터법, 와이어 코터법 등을 사용할 수 있고, 전극용 조성물을 건조시키는 건조 공정은 50 내지 150도에서 1 내지 30분동안 수행될 수 있다.
이때, 기판 상에 형성된 도전막은 5 내지 30㎛의 두께로 이루어질 수 있다.
다음, 기판 상에 형성된 도전막의 표면에 일정 패턴이 형성된 마스크를 대고 노광한다. 이때, 상기 노광은 가시광선, 자외선, 원자외선 등을 사용할 수 있다.
이어, 상기 노광된 도전막을 현상하여 전극 패턴을 형성한다. 이때, 상기 도전막을 현상하는데 사용할 수 있는 현상액은 수산화리듐, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소이암모늄, 인산수소이칼륨, 인산수소이나트륨, 인산이수소암모늄, 인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨, 규산리튬, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 붕산리튬, 붕산 나트륨 등의 염기를 포함하 는 수용액을 사용할 수 있다.
다음, 기판 상에 형성된 전극 패턴을 소성하여 전극 패턴 내의 도전성 분말 및 글라스 프릿 분말을 제외한 유기물질을 제거하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극을 제조한다.
이때, 상기 전극 패턴을 소성하는 공정은 대기중에서 400 내지 600도에서 10분 내지 3시간 정도 수행할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극의 제조방법에 따른 실시 예를 개시한다. 다만, 하기의 실시 예는 본 발명의 바람직한 일 실시 예일 뿐, 본 발명이 하기의 실시 예에 의해 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
바인더로 아크릴 수지 5g 및 2-히드록시 에틸 아크릴레이트 5g, 용매로 에틸카비톨 20g, 광 개시제로 벤조인 1g을 50도에서 24시간 동안 용해하였다. 그리고, 도전성 분말인 은(Ag) 65g과 전술한 조성을 갖는 글라스 프릿 분말 4g을 혼합한 후 롤 밀을 이용하여 분산하여 페이스트를 제조하였다.
여기서, 상기 글라스 프릿 분말은 입자직경의 중심값(D50)이 1.23㎛이고, 입자직경의 최대값(Dmax)이 5.01㎛인 것을 사용하였다. 상기 제조된 페이스트를 메쉬 필터를 사용하여 필터링한 후 탈포하였다.
그리고, 스크린 인쇄기를 사용하여 유리 기판 상에 상기 제조된 페이스트를 10㎛의 두께와 95㎛의 선폭으로 인쇄한 후, IR 오븐에서 110도로 건조하였다. 그리고, 건조된 기판을 365nm의 UV로 150mJ의 에너지로 노광한 후, 0.3wt%의 탄산나트륨 수용액으로 현상하여 기판 상에 전극 패턴을 형성하였다.
이후 전극 패턴이 형성된 기판을 120도의 온도에서 건조하였고, 대기중에서 560도의 온도로 소성하여 기판 상에 전극을 형성하였다.
<실시예 2>
상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)이 1.51㎛이고, 입자직경의 최대값(Dmax)이 6.6㎛인 글라스 프릿 분말을 사용하였다.
<실시예 3>
상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)이 1.94㎛이고, 입자직경의 최대값(Dmax)이 6.97㎛인 글라스 프릿 분말을 사용하였다.
<비교예 1>
상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심 값(D50)이 0.98㎛이고, 입자직경의 최대값(Dmax)이 4.8㎛인 글라스 프릿 분말을 사용하였다.
<비교예 2>
상기 실시예 1과 동일한 조건하에, 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)이 2.1㎛이고, 입자직경의 최대값(Dmax)이 7.3㎛인 글라스 프릿 분말을 사용하였다.
상기 실시예 1 내지 3과 비교예 1에 따라 제조된 플라즈마 디스플레이 패널 전극의 선폭의 수축율, 두께의 수축율 및 에지-컬 정도를 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)(㎛) 글라스 프릿 분말의 입자직경의 최대값(Dmax)(㎛) 선폭의 수축율(%) 두께의 수축율(%) 에지-컬 정도 (㎛)
비교예 1 0.98 4.8 34.26 43.8 2.4
실시예 1 1.23 5.01 23.5 54.3 1.3
실시예 2 1.51 6.6 16.57 63.49 1.1
실시예 3 1.94 6.97 15.4 62.01 0.8
비교예 2 2.1 7.3 12.5 68 0.2
상기 표 1에서 나타나는 바와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물에 의해 형성된 전극의 선폭의 수축율, 두께의 수축율 및 에지-컬 정도에 대해 살펴보면 다음과 같다.
실시예 1 내지 3에 의해 제조된 전극은 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 중 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)이 1.2 내지 2.0㎛이고, 상기 글라스 프릿 분말의 입자직경의 최대값(Dmax)이 5 내지 7㎛인 글라스 프릿 분말을 사용하였다.
그리고, 비교예 1은 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)이 0.98㎛이고, 글라스 프릿 분말의 입자직경의 최대값(Dmax)이 4.8㎛인 글라스 프릿 분말을 사용하였고, 비교예 2는 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)이 2.1㎛이고 글라스 프릿 분말의 입자직경의 최대값(Dmax)이 7.3㎛인 글라스 프릿 분말을 사용하였다.
상기 표 1에서 나타나는 바와 같이, 실시예 1 내지 3에 의해 제조된 전극은 선폭의 수축율이 15 내지 24% 정도로 나타나고, 두께의 수축율은 54 내지 64% 정도로 나타나고, 에지-컬 정도는 0.8 내지 1.3㎛정도인 것을 알 수 있다.
한편, 비교예 1에 의해 제조된 전극은 선폭의 수축율이 34.26%로 실시예 1 내지 3에 비해 높은 것을 알 수 있고, 두께의 수축율은 43.8%로 실시예 1 내지 3보다 낮은 것을 알 수 있고, 에지-컬 정도는 2.4㎛로 실시예 1 내지 3보다 에지-컬 정도가 큰 것을 알 수 있다.
또한, 비교예 2에 의해 제조된 전극은 선폭의 수축율이 12.5%로 실시예 1 내지 3에 비해 낮은 것을 알 수 있고, 두께의 수축율은 68%로 실시예 1 내지 3에 비해 높은 것을 알 수 있고, 에지-컬 정도는 0.2㎛로 실시예 1 내지 3에 비해 작은 것을 알 수 있다.
여기서, 상기 비교예 1의 경우에는 두께의 수축율이 실시예 1 내지 3에 비해 낮고, 상기 비교예 2의 경우에는 선폭의 수축율이 실시예 1 내지 3에 비해 낮게 나타난다. 그러나, 두께나 선폭의 수축율이 너무 낮으면, 전극 패턴의 치밀성이 저하되고 전극의 저항이 상승하게 되는 원인으로 작용할 수 있다.
또한, 상기 비교예 1의 경우에는 선폭의 수축율이 실시예 1 내지 3에 비해 높고, 상기 비교예 2의 경우에는 두께의 수축율이 실시예 1 내지 3에 비해 높게 나타난다. 그러나, 두께나 선폭의 수축율이 너무 높으면, 전극 패턴의 직진성이 저하되고, 소성체의 잔사가 발생하며, 두께나 선폭이 설계한 것보다 얇게 형성되는 원인으로 작용할 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 실시예 1 내지 3은 에지-컬 정도가 작으면서, 전극 패턴의 치밀성, 전극의 저항, 전극 패턴의 직진성 등을 고려하여 적절한 두께 및 선폭의 수축율을 조절할 수 있는 이점이 있다.
그러므로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 및 이를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널은 신뢰성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공할 수 있는 이점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 도면.

Claims (12)

  1. 도전성 분말 및 글라스 프릿 분말을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물에 있어서,
    상기 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)은 1.2 내지 2.0㎛이고, 상기 글라스 프릿 분말의 입자직경의 최대값(Dmax)은 5 내지 7㎛인 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 글라스 프릿 분말은 산화비스무스(Bi2O3), 산화규소(SiO2), 산화붕소(B2O3), 산화알루미늄(Al2O3) 및 산화아연(ZnO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 글라스 프릿 분말은 상기 글라스 프릿 분말 100 중량부에 대해 각각 50 내지 65 중량부의 산화비스무스(Bi2O3), 5 내지 15 중량부의 산화규소(SiO2), 5 내 지 20 중량부의 산화붕소(B2O3), 5 내지 10 중량부의 산화알루미늄(Al2O3) 및 5 내지 20 중량부의 산화아연(ZnO)을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 조성물은 바인더를 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 바인더는 아크릴계 수지, 스티렌 수지, 노볼락 수지 및 폴리에스테르 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 바인더는 전체 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 5 내지 10 중량부로 포함되는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 글라스 프릿 분말은 전체 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 1 내지 5 중량부로 포함되는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 도전성 분말은 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 또는 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 도전성 분말은 전체 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물 100 중량부에 대해 60 내지 75 중량부로 포함되는 플라즈마 디스플레이 패널 전극용 조성물.
  10. 전면 기판;
    상기 전면 기판과 대향하는 후면 기판; 및
    상기 전면 기판 또는 후면 기판 상에 형성된 전극을 포함하고,
    상기 전극은 글라스 프릿 분말을 포함하며,
    상기 글라스 프릿 분말의 입자직경의 중심값(D50)은 1.2 내지 2.0㎛이고, 상기 글라스 프릿 분말의 입자직경의 최대값(Dmax)은 5 내지 7㎛인 플라즈마 디스플레이 패널.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 글라스 프릿 분말은 산화비스무스(Bi2O3), 산화규소(SiO2), 산화붕소(B2O3), 산화알루미늄(Al2O3) 및 산화아연(ZnO)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 도전성 분말은 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 또는 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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