KR20090107801A - The cathode arc for the plasma chamber and the method for manufacturing the same - Google Patents

The cathode arc for the plasma chamber and the method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20090107801A
KR20090107801A KR1020080033274A KR20080033274A KR20090107801A KR 20090107801 A KR20090107801 A KR 20090107801A KR 1020080033274 A KR1020080033274 A KR 1020080033274A KR 20080033274 A KR20080033274 A KR 20080033274A KR 20090107801 A KR20090107801 A KR 20090107801A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
adhesive
groove
cathode
electrode plate
Prior art date
Application number
KR1020080033274A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100977315B1 (en
Inventor
한순석
Original Assignee
티씨비코리아(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 티씨비코리아(주) filed Critical 티씨비코리아(주)
Priority to KR1020080033274A priority Critical patent/KR100977315B1/en
Publication of KR20090107801A publication Critical patent/KR20090107801A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100977315B1 publication Critical patent/KR100977315B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

PURPOSE: The cathode arc for the plasma chamber and the method for manufacturing the same are provided to improve the thermal conductivity and the electricity between the electrode plate and the electrode ring. CONSTITUTION: The cathode electrode for the plasma chamber comprises as follows. The electrode plate(110) of a silicon material is formed on the disk of constant thickness and is a cathode electrode. The electrode ring(120) of the annular is made of a graphite material and has a diameter corresponding to the external diameter of the electrode plate. The adhesive groove(122) of the groove shape has the constant depth on the lower surface of the electrode ring. The strap groove(124) is formed on the lower surface of the adhesive groove. The elastic strap(130) of the metal material is formed to connect electrode plate and electrode ring. The adhesive adheres the electrode plate on the lower surface of the electrode ring.

Description

플라즈마 챔버용 캐소드 전극 및 그 제조방법{The cathode arc for the plasma chamber and the method for manufacturing the same}The cathode arc for the plasma chamber and the method for manufacturing the same {The cathode arc for the plasma chamber and the method for manufacturing the same}

본 발명은 플라즈마 챔버용 캐소드 전극에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼와 같은 반도체 부품의 식각 공정 또는 증착 공정에 이용되는 플라즈마 챔버의 일측에 설치되는 캐소드 전극의 구조를 개선하여 전기 및 열 전도성이 향상되도록 할 뿐만 아니라 그 수명이 길어질 수 있도록 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a cathode for a plasma chamber, and more particularly, to improve the structure of the cathode electrode installed on one side of the plasma chamber used in the etching process or the deposition process of a semiconductor component such as a wafer to improve the electrical and thermal conductivity The present invention relates to a cathode electrode for a plasma chamber and a method of manufacturing the same, as well as to increase its lifespan.

일반적으로, 플라즈마 챔버(plasma chamber)는 웨이퍼 등의 반도체 부품을 생산하는 과정뿐만 아니라 일반적인 공산품을 제조하는 과정에서 가공 중인 작업대상물(workpiece)에 식각(etching) 또는 플라즈마 화학 증착(plasma chemical vapor deposition) 공정이 수행되도록 하는 데 사용되는 설비들 중의 하나이다.In general, a plasma chamber is used for etching or plasma chemical vapor deposition on a workpiece being processed, not only in the production of semiconductor components such as wafers, but also in the manufacture of general industrial products. One of the facilities used to allow the process to be carried out.

전술한 바와 같은 플라즈마 챔버는 작업 대상물(workpiece)에 따라서 그 구성 및 크기 등이 다양한 형태로 설비되는 것이 일반적인데, 웨이퍼와 같은 반도체 부품에 식각 또는 증착 공정을 수행하는 데 있어서는 도 1 에 도시된 바와 같은 형태의 플라즈마 챔버가 이용된다.As described above, the plasma chamber is generally provided in various shapes and sizes depending on the workpiece. In order to perform an etching or deposition process on a semiconductor component such as a wafer, as shown in FIG. The same type of plasma chamber is used.

도 1 은 대한민국 특허청 등록특허공보 10-299975호에 실린 플라즈마 챔버의 구성을 설명하기 위한 도면으로서, 플라즈마 챔버(10)의 상부 및 하부에는 각각 캐소드 전극(20)과 애노드 전극(30)이 설치된다. 플라즈마 챔버(10)의 챔버(12) 일측에는 챔버 내부의 공기를 빼내기 위한 진공펌프(14)가 설치되는 한편 챔버(10)의 다른 일측에는 챔버 내부로 플루오르, 질소 등의 반응가스를 주입시키기 위한 가스주입구(16)가 설치된다. 또한, 고온 고압의 상태에 노출되는 플라즈마 챔버의 지속적인 냉각을 위해서 캐소드 전극(20)에는 냉각수의 순환이 가능한 냉각수 라인(18)이 구비된다.1 is a view for explaining the configuration of the plasma chamber shown in the Republic of Korea Patent Application Publication No. 10-299975, the cathode electrode 20 and the anode electrode 30 is installed on the upper and lower portions of the plasma chamber 10, respectively . One side of the chamber 12 of the plasma chamber 10 is provided with a vacuum pump 14 for extracting the air inside the chamber, while the other side of the chamber 10 for injecting a reaction gas such as fluorine, nitrogen into the chamber The gas inlet 16 is provided. In addition, the cathode electrode 20 is provided with a coolant line 18 capable of circulating coolant for continuous cooling of the plasma chamber exposed to a high temperature and high pressure state.

따라서, 플라즈마 챔버(10)의 운전이 시작되어 챔버(12)의 내부가 진공 상태가 되도록 하면서 가스주입구(16)를 통해서 플루오르나 질소 등의 반응가스를 주입시킴과 동시에 전원(40)으로부터 캐소드 전극(20) 및 애노드 전극(30)에 고전압이 인가되면, 챔버(12) 내부가 플라즈마 상태에 이르게 된다. 이 과정에서 웨이퍼 등의 작업대상물(50)에는 플라즈마 상태의 반응가스에 의해서 식각 또는 증착 공정에 따른 가공이 이루어지게 된다.Accordingly, the operation of the plasma chamber 10 is started to allow the inside of the chamber 12 to be in a vacuum state, while injecting a reactive gas such as fluorine or nitrogen through the gas inlet 16 and simultaneously supplying the cathode electrode from the power source 40. When a high voltage is applied to the 20 and the anode electrode 30, the inside of the chamber 12 reaches a plasma state. In this process, the workpiece 50 such as a wafer is processed by an etching or deposition process by a reaction gas in a plasma state.

한편, 캐소드 전극(20)은 도 2 에 도시된 바와 같이 다수의 가스통과공(22a)들이 형성된 다공판 구조의 전극판(22) 및 그 전극판(22)이 챔버(12)의 일측에 부착된 상태가 유지될 수 있도록 하기 위한 전극링(24)으로 구분된 형태로 이루어지는 것이 일반적이다.Meanwhile, as shown in FIG. 2, the cathode electrode 20 has an electrode plate 22 having a porous plate structure in which a plurality of gas through holes 22a are formed, and the electrode plate 22 is attached to one side of the chamber 12. It is generally made in a form divided into electrode rings 24 so that the state can be maintained.

전술한 바와 같이 캐소드 전극(20)을 전극판(22)과 전극링(24)으로 구분된 형태로 제작하는 이유는 캐소드 전극(20) 전체를 단일의 실리콘 부재로 제작하였을 경우에 비하여 제작비용이 절감될 수 있기 때문이다. 즉, 캐소드 전극(20)을 실리콘 재질의 단일의 몸체로 제작할 경우 전기 및 열 전도성 등이 우수하기 때문에 애노드 전극과의 사이에서 최적의 플라즈마 상태를 구현할 수 있으나, 그 가공공정이 복잡할 뿐만 아니라 가공시간이 오래 걸리기 때문에 제조단가가 높게 되는 문제점이 있었다. 따라서, 일반적인 캐소드 전극(20)은 전술한 바와 같이 서로 다른 재질로 전극판(22) 및 전극링(24)을 분리 가공한 후에, 별도의 접합과정을 통해서 양 부재를 일체화시키는 공정을 통해서 제작되고 있다.As described above, the reason why the cathode electrode 20 is manufactured in the form of the electrode plate 22 and the electrode ring 24 is higher than that in the case where the entire cathode electrode 20 is made of a single silicon member. This can be reduced. That is, when the cathode electrode 20 is made of a single body made of silicon, it is possible to realize an optimal plasma state between the anode and the electrode because of excellent electrical and thermal conductivity, but the processing is not only complicated but also Since it takes a long time, there was a problem that the manufacturing cost is high. Therefore, the general cathode electrode 20 is manufactured through a process of integrating both members through a separate bonding process after separating and processing the electrode plate 22 and the electrode ring 24 with different materials as described above. have.

전극판(22)과 전극링(24)의 접합을 위해서 전극링(24) 상에는 접착제(26)인 엘라스토머(elastomer, 탄성중합체)가 도포되기 위한 환형상의 공간을 갖는 접착제 그루브(24a)가 형성된다. 즉, 전극판(22)과 전극링(24)을 접착시키는 과정에서 전극링(24) 상에 형성된 접착제 그루브(24a)에는 접착제(26)인 엘라스토머의 도포가 이루어진 상태에서 전극판(22)과 전극링(24)이 포개져 압착이 이루어진다.An adhesive groove 24a having an annular space for applying an elastomer 26, an elastomer 26, is formed on the electrode ring 24 for bonding the electrode plate 22 and the electrode ring 24. . That is, in the process of adhering the electrode plate 22 and the electrode ring 24, the adhesive groove 24a formed on the electrode ring 24 is applied to the electrode plate 22 in a state where an elastomer, which is an adhesive 26, is applied. The electrode ring 24 is folded to form a crimp.

그러나, 종래의 방식으로 캐소드 전극의 전극판과 전극링을 접착시키게 되면 접착제 그루브의 형성에 의해서 전극판과 전극링이 직접 접촉하게 되는 접촉면적이 상대적으로 줄어들 수밖에 없어서 전극판과 전극링 사이의 전기 및 열 전도도가 상대적으로 떨어지게 되는 문제점이 있었다.However, when the electrode plate and the electrode ring of the cathode electrode are bonded in a conventional manner, the contact area between the electrode plate and the electrode ring is inevitably reduced due to the formation of the adhesive groove, so that the electrical space between the electrode plate and the electrode ring can be reduced. And there was a problem that the thermal conductivity is relatively low.

또한, 플라즈마 챔버의 가동 중에 발생되는 미세한 입자(particle)들이 캐소드 전극에 흡착이 이루어져 오염이 발생되었을 경우 이들을 세정하는 과정에서 사용되는 화학 세정제로 인하여 접착제인 엘라스토머의 접착력이 저하되는 등의 문제점이 있었다.In addition, when the particles generated during the operation of the plasma chamber (adsorbed) to the cathode electrode contamination caused by the chemical cleaning agent used in the process of cleaning them, there was a problem such that the adhesive strength of the elastomer, the adhesive is lowered .

본 발명은 전술한 바와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 감안하여 창안된 것으로서, 웨이퍼 등과 같은 반도체 부품의 식각 또는 증착 공정에서 이용되는 플라즈마 챔버에 설치되는 캐소드 전극의 전극판과 전극링을 접착하는 방식을 개선하여 전극판과 전극링 사이의 전기 및 열 전도도가 향상되도록 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극 및 그 제조방법을 제공하는 데 목적이 있다.The present invention was devised in view of the above-mentioned problems of the prior art, and has a method of bonding the electrode plate and the electrode ring of the cathode electrode installed in the plasma chamber used in the etching or deposition process of a semiconductor component such as a wafer. An object of the present invention is to provide a cathode electrode for a plasma chamber and a method of manufacturing the same, which improve the electrical and thermal conductivity between the electrode plate and the electrode ring.

또한, 본 발명의 다른 목적은 캐소드 전극의 전극판과 전극링 사이를 접착시키기 위해 도포되는 접착제인 엘라스트머의 접착력이 화학 세정 과정에서도 저하되지 않도록 하기 위한 플라즈마 챔버용 캐소드 전극 및 그 제조방법을 제공하는 데 목적이 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a cathode electrode for a plasma chamber and a method for manufacturing the same so that the adhesive force of the elastomer, which is an adhesive applied to bond between the electrode plate and the electrode ring of the cathode electrode, does not degrade even in the chemical cleaning process. The purpose is to provide.

전술한 목적을 달성하기 위해 구성되는 본 발명은 다음과 같다.The present invention configured to achieve the above object is as follows.

본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극은 챔버 내부로 공급된 반응가스를 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 인가되는 고주파 전압을 통해 여기된 상태의 플라즈마 상태로 변환시키는 플라즈마 챔버에 있어서, 캐소드 전극은 일정 두께를 갖는 원판 상으로 형성된 실리콘 재질의 전극판; 전극판의 외경에 대응하는 직경을 갖는 환형으로 이루어지되 플라즈마 챔버의 일측에 고정되는 그라파이트 재질의 전극링; 전극링의 하부면 상에 일정 깊이를 갖는 환형의 홈 형상으로 형성된 접착제 그루브; 접착제 그루브의 하부면 상에 접착제 그루브의 깊이보다 깊은 환형의 홈으로 형성된 스트랩 그루브; 스트랩 그루브 내측에 안착설치되어 전극판과 전극링의 전기적인 접촉이 되게 하는 금속 재질의 탄성 스트랩; 및 접착제 그루브에 도포되어 상기 전극링의 하부면 상에 전극판을 접착시키는 접착제를 포함하여 이루어진다.The cathode for a plasma chamber according to the present invention is a plasma chamber for converting a reaction gas supplied into the chamber into a plasma state in an excited state through a high frequency voltage applied between the cathode and the anode electrode, the cathode electrode is a certain thickness An electrode plate of silicon material formed on a disc having a; An electrode ring made of graphite material having an annular shape having a diameter corresponding to the outer diameter of the electrode plate and fixed to one side of the plasma chamber; An adhesive groove formed in an annular groove shape having a predetermined depth on the lower surface of the electrode ring; A strap groove formed on the bottom surface of the adhesive groove with an annular groove deeper than the depth of the adhesive groove; An elastic strap made of metal, which is installed inside the strap groove to make electrical contact between the electrode plate and the electrode ring; And an adhesive applied to the adhesive groove to adhere the electrode plate on the lower surface of the electrode ring.

또한, 본 발명에 따른 기술에서 전극판은 상하방향으로 다수의 작은 가스통과공들이 관통형성되어 외부로부터 공급되는 반응가스가 가스통과공을 통해 상기 캐소드 전극과 애노드 전극 사이로 공급되도록 구성될 수 있다.In addition, in the technique according to the present invention, the electrode plate may be configured such that a plurality of small gas passage holes penetrate in the vertical direction so that the reaction gas supplied from the outside is supplied between the cathode electrode and the anode electrode through the gas passage hole.

그리고 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극에서 탄성 스트랩은 일정 폭을 갖는 스테인레스 박판이 코일 상으로 꼬인 구조로 이루어지는 한편 그 표면에는 주석 도금이 이루어질 수 있다.In the cathode of the plasma chamber according to the present invention, the elastic strap has a structure in which a stainless steel plate having a predetermined width is twisted onto a coil, and tin plating may be formed on the surface thereof.

아울러, 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극에서 접착제는 50℃ 이하의 상온 이상에서 접착이 이루어지되 내열온도가 200 ~ 500℃인 엘라스토머(elastomer, 탄성중합체)로 이루어질 수 있다.In addition, in the cathode electrode for plasma chamber according to the present invention, the adhesive may be formed at an ambient temperature of 50 ° C. or lower, but may be formed of an elastomer having an heat resistance of 200 to 500 ° C.

한편, 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법은 챔버 내부로 공급된 반응가스를 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 인가되는 고주파 전압을 통해 여기된 상태의 플라즈마 상태로 변환시키는 플라즈마 챔버의 캐소드 전극을 제조하는 방법에 있어서, 전극링의 하부에 접착제 그루브를 환형의 홈 형상으로 형성하는 한편 접착제 그루브의 하부 상에 탄성 스트랩이 안착설치되도록 하기 위한 스트랩 그루브를 환형의 홈 형상으로 형성하고, 스트랩 그루브 내측에 금속재질로 된 탄성 스트랩을 안착 설치한 상태에서 접착제인 엘라스토머를 도포한 후 원판형 상으로 된 실리콘 재질의 전극판이 전극링의 하부 측에 부착되도록 하되, 탄성 스트랩을 통해 전극링과 전극판이 전기적으로 접촉되도록 하는 공정으로 이루어진다.On the other hand, the method of manufacturing a cathode for a plasma chamber according to the invention the cathode of the plasma chamber to convert the reaction gas supplied into the chamber into a plasma state of the excited state through a high frequency voltage applied between the cathode and the anode electrode In the manufacturing method of the present invention, an adhesive groove is formed in the annular groove shape at the lower part of the electrode ring, while a strap groove is formed in the annular groove shape so that the elastic strap is seated and installed on the lower part of the adhesive groove. After applying the elastomer, which is an adhesive, with the elastic strap made of metal material on the inside, the electrode plate made of disc-shaped silicon is attached to the lower side of the electrode ring, and the electrode ring and the electrode plate are It consists of a process of making electrical contact.

본 발명에 의해 구성되는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극은 전극판과 전극링이 서로 다른 재질로 이루어져 접착이 이루어지게 되더라도 전극판과 전극링 사이를 접합시키는 접합층 사이에 금속재질로 된 탄성 스트랩이 끼워지기 때문에 전극판과 전극링 사이의 전기 및 열의 전도성이 향상될 수 있는 커다란 장점이 있다.Cathode electrode for plasma chamber constructed by the present invention, even if the electrode plate and the electrode ring is made of a different material and the adhesion is made between the elastic strap made of a metal material between the bonding layer for bonding between the electrode plate and the electrode ring Because of this, there is a great advantage that the electrical and heat conductivity between the electrode plate and the electrode ring can be improved.

또한, 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 전극판과 전극링 사이의 접합층 사이에 끼워진 금속재의 탄성 스트랩이 심의 기능을 하게 되어 캐소드 전극을 화학 약품 등으로 세정하는 과정에서 접착상태가 쉽게 파손되는 것이 방지되는 효과가 있다.In addition, the elastic strap of the metal material sandwiched between the bonding layer between the electrode plate and the electrode ring of the cathode electrode for the plasma chamber serves as a shim to prevent the adhesive state from being easily broken in the process of cleaning the cathode electrode with chemicals or the like. It works.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 구성 및 그 제조방법 등에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration of the cathode electrode for the plasma chamber according to the present invention and the manufacturing method thereof.

도 3 은 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 분해 사시도, 도 4 는 본 발명에 따른 전극링의 저면 사시도, 도 5 는 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 단면도이다.3 is an exploded perspective view of a cathode electrode for a plasma chamber according to the present invention, FIG. 4 is a bottom perspective view of an electrode ring according to the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the cathode electrode for a plasma chamber according to the present invention.

본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극(100)은 종래의 기술을 설명하는 과정에서 이미 설명된 바와 같이 크게 전극판(110)과 전극링(120)으로 그 구성이 이루어진다. 다만, 본 발명에서는 전극판(110)과 전극링(120)을 접합시키는 과 정에서 기존의 기술에서는 적용되지 않았던 탄성 스트랩(130)이 더 추가됨에 따른 구성 및 작용 효과 등에서 큰 차이점을 가진다.The cathode electrode 100 for a plasma chamber according to the present invention is composed of an electrode plate 110 and an electrode ring 120 as described above in the process of describing the prior art. However, in the present invention, in the process of bonding the electrode plate 110 and the electrode ring 120 has a large difference in the configuration and operation effects such as the addition of the elastic strap 130 that was not applied in the existing technology.

도면에 도시된 바와 같이 다공의 원판형상으로 기제작된 전극판(110)을 플라즈마 챔버의 일측에 고정 장착시키기 위해서 제작되는 전극링(120)의 도면상 하부 일측에 탄성 스트랩(130)이 끼워지기 위한 별도의 스트랩 그루브(124)가 환형의 홈으로 형성되는데, 특히 이 스트랩 그루브(124)는 전극판(110)과 전극링(120)이 접합된 상태가 유지되도록 하는 접착제(140)가 도포되는 접착제 그루브(122)의 하부 내측에 마련되는 것이다. 즉, 스트랩 그루브(124)의 깊이는 접착제 그루브(122)의 깊이보다 깊게 형성되는 한편 그 폭은 좁게 형성된다.As shown in the figure, the elastic strap 130 is fitted to one lower side of the drawing of the electrode ring 120 manufactured to fix and mount the electrode plate 110 prefabricated in the shape of a porous plate to one side of the plasma chamber. A separate strap groove 124 is formed as an annular groove, in particular, the strap groove 124 is coated with an adhesive 140 to keep the electrode plate 110 and the electrode ring 120 bonded to each other. It is provided in the lower inner side of the adhesive groove 122. That is, the depth of the strap groove 124 is formed deeper than the depth of the adhesive groove 122, while the width thereof is narrow.

스트랩 그루브(124)에 설치되는 탄성 스트랩(130)은 일정 폭을 갖는 스테인레스 등의 금속재를 박판의 띠형상으로 우선 가공한 후에 일정 피치 간격의 코일 형상으로 말아 제작되는 것이다. 따라서 탄성 스트랩(130)은 금속살(132)과 간극(134)이 연속하여 반복된 구조를 이룬다. 탄성 스트랩(130)의 길이방향뿐만 아니라 원주방향에서 탄성력을 띠도록 이루어져 일반 산업 분야에서 가스켓 스프링 등 다양한 형태로 사용되고 있는 것이다. 또한, 이러한 탄성 스트랩(130)은 코일 스프링 등과 같이 그 길이가 길이방향으로 연속되도록 제작되는데, 본 발명에 적용되는 과정에서는 스트랩 그루브(124)의 원주에 맞춰 그 길이를 절단한 후 양측 끝단을 서로 연결시켜 링 형상을 이루도록 할 수 있다.The elastic strap 130 installed on the strap groove 124 is manufactured by first processing a metal material such as stainless steel having a predetermined width into a strip shape of a thin plate, and then rolling it into a coil shape having a predetermined pitch interval. Therefore, the elastic strap 130 has a structure in which the metal bars 132 and the gap 134 are continuously repeated. The elastic strap 130 has elasticity in the circumferential direction as well as in the longitudinal direction, and is used in various forms such as a gasket spring in a general industrial field. In addition, the elastic strap 130 is manufactured such that the length is continuous in the longitudinal direction, such as a coil spring, in the process applied to the present invention after cutting the length to the circumference of the strap groove 124, both ends of each other It can be connected to form a ring shape.

도 6 은 탄성 스트랩(130)의 일부를 절단하여 직선 상으로 펼친 후 확대 도시한 도면으로서, 전술한 바와 같이 금속살(132)과 간극(134)이 일정 피치 간격으 로 연속되고 있음을 보이고 있다.FIG. 6 is an enlarged view of a portion of the elastic strap 130 cut out and spread out in a straight line. As described above, the metal string 132 and the gap 134 are continuous at a constant pitch interval. .

특히, 탄성 스트랩(130)의 표면은 주석 등으로 도금이 이루어진 것이 본 발명에 적용되었을 경우 더욱 나은 효과를 거둘 수 있다. 일반적으로, 스테인레스 재질의 박판에 도금된 주석은 접촉점에서 쉽게 변형될 수 있기 때문에 계면에서 접촉면적을 더욱 크게 하는 것으로 알려져 있다.In particular, the surface of the elastic strap 130 may have a better effect when the plating is made of tin or the like applied to the present invention. In general, tin plated on a stainless steel sheet is known to make contact area larger at the interface because it can be easily deformed at the contact point.

이러한 탄성 스트랩(130)을 전극판(110)과 전극링(120) 사이를 접착시키는 접착제(140) 사이에 설치하는 주된 이유는 탄성 스트랩(130)의 원주 표면에 전극판(110)과 전극링(120)이 각각 접촉되도록 하여 전극링(120)과 전극판(110) 사이의 전기 및 열 전도도가 더욱 향상될 수 있도록 하기 위한 것이다. 즉, 본 발명에 따른 탄성 스트랩(130)이 설치되지 않았을 경우에는 전극판(110)과 전극링(120) 사이를 접착시키기 위해서 접착제 그루브(122)에 도포되는 접착제(140)에 의해서 전극판(110)과 전극링(120)이 직접 접촉되는 면적이 상대적으로 적어질 수밖에 없지만, 본 발명의 경우와 같이 금속재의 탄성 스트랩(130)이 접착제(140) 사이에 설치되면 전극링(120)과 전극판(110) 사이에서 통전될 수 있는 접촉면적이 그만큼 증대될 수 있는 것이다.The main reason for installing the elastic strap 130 between the electrode plate 110 and the adhesive 140 for bonding between the electrode ring 120 is the electrode plate 110 and the electrode ring on the circumferential surface of the elastic strap 130 The electrical contact and the thermal conductivity between the electrode ring 120 and the electrode plate 110 are to be further improved so that the 120 is in contact with each other. That is, when the elastic strap 130 according to the present invention is not installed, the electrode plate (by the adhesive 140 applied to the adhesive groove 122 to bond between the electrode plate 110 and the electrode ring 120) The area in which the 110 and the electrode ring 120 directly contact are inevitably reduced, but when the elastic strap 130 made of metal is installed between the adhesive 140 as in the case of the present invention, the electrode ring 120 and the electrode The contact area that can be energized between the plates 110 can be increased by that much.

특히, 도 5 에 확대 도시된 부분에서 보이는 바와 같이 탄성 스트랩(130)의 굵기는 스트랩 그루브(122)의 깊이에 비하여 크게 형성되어 전극판(110)과 전극링(120)이 상호 접합되었을 경우 그 가압력에 의해서 찌그러들면서 전기적으로 접촉되는 면적이 더욱 확대되도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 전극판(110)과 전극링(120)이 상호 접합되기 전에는 탄성 스트랩(130)의 단면형상이 원형을 이루게 되 지만, 전극판(110)과 전극링(120)의 상호 접합이 이루어진 후에는 도면에 도시된 바와 같이 탄성 스트랩(130)의 단면형상은 대략 타원형상을 이루게 되는 것이다.In particular, as shown in the enlarged portion of FIG. 5, the thickness of the elastic strap 130 is larger than the depth of the strap groove 122 so that the electrode plate 110 and the electrode ring 120 are bonded to each other. It is desirable to further expand the area in electrical contact by crushing by the pressing force. That is, before the electrode plate 110 and the electrode ring 120 are bonded to each other, the cross-sectional shape of the elastic strap 130 is circular, but after the electrode plate 110 and the electrode ring 120 are bonded to each other. As shown in the figure, the cross-sectional shape of the elastic strap 130 is to form an approximately elliptical shape.

한편, 접착제 그루브(122)에 도포하여 전극링(120)과 전극판(110)를 접착시킬 뿐 아니라 그 접착된 상태가 유지되도록 하기 위한 접착제(140)는 엘라스토머(elastomer, 탄성중합체)로 이루어진다. 접착제(140)인 엘라스토머는 50℃ 이하의 상온 이상에서 접착이 이루어지되 그 내열온도는 200 ~ 500℃ 범위에 있는 것이 선택될 수 있다.On the other hand, the adhesive 140 for applying to the adhesive groove 122 to not only adhere the electrode ring 120 and the electrode plate 110 but also to maintain the bonded state is made of an elastomer (elastomer, elastomer). The adhesive 140 is an elastomer, but the adhesive is made at room temperature of 50 ° C. or lower, but the heat resistance temperature may be selected to be in a range of 200 to 500 ° C.

전극판(110)과 전극링(120)은 종래 기술의 설명에서 이미 설명이 이루어진 범주에서 크게 벗어나지 않는 구조로 이루어질 수 있다. 즉, 전극판(110)은 일정 두께의 실리콘 재질로 이루어진 원판 형상에 상하방향으로 다수의 가스통과공(112)들이 관통된 다공판 구조로 이루어진다. 전극판(110)에 관통형성된 가스통과공(112)들은 플라즈마 챔버 내로 주입된 반응가스 등의 유동통로가 될 수 있다.The electrode plate 110 and the electrode ring 120 may be formed in a structure that does not significantly deviate from the range already described in the description of the prior art. That is, the electrode plate 110 has a porous plate structure in which a plurality of gas passing holes 112 penetrate in a vertical direction in a disk shape made of a silicon material having a predetermined thickness. Gas through holes 112 formed in the electrode plate 110 may be flow paths of a reaction gas injected into the plasma chamber.

또한, 전극링(120)은 전극판(110)을 플라즈마 챔버의 일측에 일정 간격을 고정 및 지지하기 위한 것으로, 전극판(110)의 외경에 대응되는 지름을 갖는 링 형상으로 이루어지며, 도면에 도시된 바와 같이 그 일측의 단면구조는 상단부(120a)와 하단부(120b)가 서로 단차진 형태로 이루어질 수 있다. 특히, 전극링(120)은 종래기술의 경우와 같이 그라파이트(graphite) 재질로 이루어질 수 있다.In addition, the electrode ring 120 is for fixing and supporting a predetermined interval on one side of the plasma chamber, made of a ring shape having a diameter corresponding to the outer diameter of the electrode plate 110, As shown, the cross-sectional structure of one side may be formed in a stepped shape of the upper end portion 120a and the lower end portion 120b. In particular, the electrode ring 120 may be made of a graphite (graphite) material as in the case of the prior art.

도 7a 내지 도 7g 는 본 발명의 일 실시 예에 따라서 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제작과정을 보인 도면들이다.7A to 7G are views illustrating a fabrication process of a cathode electrode for a plasma chamber according to an embodiment of the present invention.

우선, 본 발명에 따른 캐소드 전극(100)을 구성하는 각각의 구성요소들 즉, 전극판(110), 전극링(120), 탄성 스트랩(130) 및 접착제(140)는 각각 별도의 제작과정을 통해 따로 제작되거나 시중에서 공급되는 제품으로 준비된다.First, each of the components constituting the cathode electrode 100 according to the present invention, that is, the electrode plate 110, the electrode ring 120, the elastic strap 130 and the adhesive 140 each have a separate manufacturing process It is prepared separately or as a commercially available product.

이러한 과정들 중에서 전극판(110)에는 도 7a 와 같이 다수의 가스통과공(112)들이 천공될 수 있고, 전극링(120)의 하부면 상에는 도 7b 및 도 7c 에 도시된 바와 같이 접착제 그루브(122) 및 스트랩 그루브(124)가 환형의 홈형상으로 형성된다. 특히, 스트랩 그루브(124)는 접착제 그루브(122)의 깊이보다 더 깊게 형성된다. 단, 전극판(110) 및 전극링(120)은 별도로 제작되는 것이기 때문에 그 제작순서는 중요한 것이 아니며, 전극링(120)의 접착제 그루브(122) 및 스트랩 그루브(124)의 경우에도 그 가공 과정에서의 순서는 바뀔 수 있는 것이다.Among these processes, a plurality of gas through holes 112 may be drilled in the electrode plate 110 as shown in FIG. 7A, and an adhesive groove (as shown in FIGS. 7B and 7C) is formed on the lower surface of the electrode ring 120. 122 and strap groove 124 are formed in an annular groove shape. In particular, the strap groove 124 is formed deeper than the depth of the adhesive groove 122. However, since the electrode plate 110 and the electrode ring 120 are manufactured separately, the manufacturing order is not important, and in the case of the adhesive groove 122 and the strap groove 124 of the electrode ring 120, the processing process thereof is performed. The order in can be changed.

전술한 바와 같은 캐소드 전극(100)을 구성하는 부품들의 준비과정이 끝난 후에는, 각각의 부품들을 접합시키는 과정을 수행하게 된다.After the preparation process of the components constituting the cathode electrode 100 as described above, the process of bonding the respective components is performed.

우선, 도 7d 에 도시된 바와 같이 기제작된 전극링(120)을 작업대(200) 상에 설치하는데, 이 과정에서 접착제 그루브(122) 및 스트랩 그루브(124)가 상부를 향해 개방된 상태가 되도록 하여 탄성 스트랩(130)의 설치 및 접착제(140)의 도포가 용이하도록 한다.First, as shown in FIG. 7D, the pre-fabricated electrode ring 120 is installed on the work table 200. In this process, the adhesive groove 122 and the strap groove 124 are opened upward. In order to facilitate the installation of the elastic strap 130 and the application of the adhesive 140.

그리고, 도 7e 와 같이 상부가 개방된 상태의 스트랩 그루브(124)의 내측에는 기제작된 탄성 스트랩(130)을 안착 설치시키게 된다. 이 과정에서 탄성 스트랩(130)은 링 형상으로 제작된 것이 끼워질 수도 있으며, 길이방향으로 길게 형성된 것을 둥글게 돌려 끼울 수도 있다.Then, as shown in FIG. 7E, the pre-fabricated elastic strap 130 is seated and installed inside the strap groove 124 having the upper portion opened. In this process, the elastic strap 130 may be fitted with a ring shape, or may be inserted by turning a long one formed in the longitudinal direction.

그 후, 도 7f 에서와 같이 접착제 그루브(122)에는 접착제(140)를 균일한 두 께로 도포하게 되는데, 이 과정에서 스트랩 그루브(124)에까지 접착제를 도포하여 탄성 스트랩(130)이 접착제에 파묻힌 상태가 되도록 할 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 7F, the adhesive groove 122 is applied to the adhesive groove 122 at a uniform thickness. In this process, the adhesive is applied to the strap groove 124 so that the elastic strap 130 is buried in the adhesive. Can be

접착제(140)의 도포가 이루어진 후, 작업대(200)에 놓여진 전극링(120)의 상부 측에는 기제작된 전극판(110)을 적층시켜 접착제(140) 및 탄성 스트랩(130)을 사이에 두고 전극판(110)과 전극링(120)의 외곽 부분이 서로 맞대어진 상태가 되도록 한다. 이 과정에서 전극판(110)과 전극링(120) 사이가 가압되는 과정에서 전극링(120)의 측단면 형상은 원형에서 대략 타원형으로 변하게 되면서 전극판(110)과 전극링(120) 사이는 탄성 스트랩(130)을 매개체로 전기적인 접촉이 이루어지게 된다.After the application of the adhesive 140 is made, the electrode plate 110 is placed on the upper side of the electrode ring 120 placed on the work table 200 to laminate the electrode 140 with the adhesive 140 and the elastic strap 130 therebetween The outer portion of the plate 110 and the electrode ring 120 is to be in contact with each other. In this process, the side cross-sectional shape of the electrode ring 120 changes from a circular shape to an elliptical shape while the electrode plate 110 and the electrode ring 120 are pressed, and the electrode plate 110 and the electrode ring 120 are separated from each other. Electrical contact is made via the elastic strap 130.

한편, 전극판(110)과 전극링(120) 사이가 접착제(140)에 의해서 접착되고 그 접착상태가 유지되도록 50℃ 이하의 상온 이상의 온도 조건에서 일정 시간 동안 두어 접착제의 응고가 이루어지도록 한다. 이 과정에서 전극판(110)을 상측에서 하측으로 가압하여 양 부재의 접착이 긴밀히 이루어지도록 할 수 있다.On the other hand, between the electrode plate 110 and the electrode ring 120 is bonded by the adhesive 140 and the adhesive state is maintained for a predetermined time in a temperature condition of 50 ℃ or less at room temperature or more so that the adhesive state is maintained. In this process, the electrode plate 110 may be pressed from the upper side to the lower side so that the adhesion between the two members may be closely performed.

마지막으로, 전술한 바와 같은 과정들을 통해서 전극판(110)과 전극링(120)이 접착되어 이루어진 캐소드 전극(100)은 작업대(200)로부터 분리시켜 캐소드 전극(100)의 제작을 완료한다.Finally, the cathode electrode 100 formed by adhering the electrode plate 110 and the electrode ring 120 through the above-described processes is separated from the work table 200 to complete the manufacture of the cathode electrode 100.

위의 과정을 통해 제작된 캐소드 전극(100)은 플라즈마 챔버 내부의 일측에 애노드 전극과 대응된 위치에 설치된다. 한편, 플라즈마 챔버는 고온 고압의 상태에 노출되어 있을 뿐만 아니라 공정 과정에서 많은 양의 이물질(particle)들에 노출되기 때문에 캐소드 전극 및 애노드 전극은 일정 사용기간이 지나면 교환하거나 세정하여 사용하여야 한다. 그런데, 본 발명에 따른 캐소드 전극(100)은 전극판(110)과 전극링(120) 사이의 접착제(140) 구간에 금속재의 탄성 스트랩(130)이 설치됨으로서 보다 긴밀하고 강한 접합상태가 상대적으로 오래 지속하게 된다. 또한, 본 발명에 따른 캐소드 전극(100)을 화학 약품 등으로 세정하는 과정에서도 전극판(110)과 전극링(120) 사이의 접착제(140)가 쉽게 파손되지 않는 효과가 있게 된다.The cathode electrode 100 produced through the above process is installed at a position corresponding to the anode electrode on one side of the plasma chamber. On the other hand, since the plasma chamber is not only exposed to high temperature and high pressure, but also exposed to a large amount of particles during the process, the cathode electrode and the anode electrode should be replaced or cleaned after a certain period of use. However, in the cathode electrode 100 according to the present invention, the elastic strap 130 made of a metal is installed in the adhesive 140 between the electrode plate 110 and the electrode ring 120, so that a closer and stronger bonding state is relatively obtained. It will last long. In addition, even when the cathode electrode 100 according to the present invention is cleaned with chemicals, the adhesive 140 between the electrode plate 110 and the electrode ring 120 may not be easily damaged.

아울러, 본 발명에 따른 캐소드 전극(100)의 전극판(110)과 전극링(120) 사이에 설치된 탄성 스트랩(130)은 금속재질로 이루어짐에 따라 전극판(110)과 전극링(120) 사이의 전기 및 열 전도성이 크게 향상될 수 있다.In addition, the elastic strap 130 installed between the electrode plate 110 and the electrode ring 120 of the cathode electrode 100 according to the present invention is made of a metal material between the electrode plate 110 and the electrode ring 120 The electrical and thermal conductivity of can be greatly improved.

본 발명은 전술한 실시 예에 국한되지 않고 본 발명의 기술사상이 허용하는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수가 있다.The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the technical idea of the present invention.

도 1 은 종래의 일반적인 플라즈마 챔버의 구성을 설명하기 위한 도면.1 is a view for explaining the configuration of a conventional general plasma chamber.

도 2 는 종래의 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 단면도.2 is a cross-sectional view of a cathode for a conventional plasma chamber.

도 3 은 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 분해 사시도.3 is an exploded perspective view of a cathode electrode for a plasma chamber according to the present invention;

도 4 는 본 발명에 따른 전극링의 저면 사시도.Figure 4 is a bottom perspective view of the electrode ring according to the present invention.

도 5 는 본 발명에 따른 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 단면도.5 is a cross-sectional view of a cathode electrode for a plasma chamber according to the present invention.

도 6 은 본 발명에 따른 탄성 스트랩의 일부를 확대 도시한 도면.6 is an enlarged view of a portion of an elastic strap according to the present invention;

도 7a 내지 도 7g 는 본 발명의 일 실시 예에 따라 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제작과정을 보인 도면.7A to 7G illustrate a manufacturing process of a cathode electrode for a plasma chamber according to an embodiment of the present invention.

[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명][Explanation of symbols on the main parts of the drawings]

100. 캐소드 전극 110. 전극판100. cathode electrode 110. electrode plate

112. 가스통과공 120. 전극링112. Gas through hole 120. Electrode ring

120a. 상단부 120b. 하단부120a. Top 120b. Bottom

122. 접착제 그루브 124. 스트랩 그루브122. Adhesive Groove 124. Strap Groove

130. 탄성 스트랩 132. 금속살130. Elastic Straps

134. 간극 140. 접착제134. Gap 140. Adhesive

200. 작업대200. Workbench

Claims (5)

챔버 내부로 공급된 반응가스를 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 인가되는 고주파 전압을 통해 여기된 상태의 플라즈마 상태로 변환시키는 플라즈마 챔버에 있어서,A plasma chamber for converting a reaction gas supplied into a chamber into a plasma state in an excited state through a high frequency voltage applied between a cathode electrode and an anode electrode, 상기 캐소드 전극은 일정 두께를 갖는 원판 상으로 형성된 실리콘 재질의 전극판;The cathode electrode is an electrode plate of silicon material formed on a disk having a predetermined thickness; 상기 전극판의 외경에 대응하는 직경을 갖는 환형으로 이루어지되 상기 플라즈마 챔버의 일측에 고정되는 그라파이트 재질의 전극링;An electrode ring made of graphite material having an annular shape having a diameter corresponding to an outer diameter of the electrode plate and fixed to one side of the plasma chamber; 상기 전극링의 하부면 상에 일정 깊이를 갖는 환형의 홈 형상으로 형성된 접착제 그루브;An adhesive groove formed in an annular groove shape having a predetermined depth on a lower surface of the electrode ring; 상기 접착제 그루브의 하부면 상에 상기 접착제 그루브의 깊이보다 깊은 환형의 홈으로 형성된 스트랩 그루브;A strap groove formed on the bottom surface of the adhesive groove with an annular groove deeper than the depth of the adhesive groove; 상기 스트랩 그루브 내측에 안착설치되어 상기 전극판과 전극링의 전기적인 접촉이 되게 하는 금속 재질의 탄성 스트랩; 및An elastic strap of metal material which is installed inside the strap groove to make electrical contact between the electrode plate and the electrode ring; And 상기 접착제 그루브에 도포되어 상기 전극링의 하부면 상에 상기 전극판을 접착시키는 접착제를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극.And an adhesive applied to the adhesive groove to adhere the electrode plate on the lower surface of the electrode ring. 제 1 항에 있어서, 상기 전극판은 상하방향으로 다수의 작은 가스통과공들이 관통형성되어 외부로부터 공급되는 반응가스가 상기 가스통과공을 통해 상기 캐소드 전극과 애노드 전극 사이로 공급되도록 한 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극.The method of claim 1, wherein the electrode plate is formed through a plurality of small gas through holes in the vertical direction so that the reaction gas supplied from the outside is supplied between the cathode electrode and the anode electrode through the gas through hole. Cathode electrode for plasma chamber. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 탄성 스트랩은 일정 폭을 갖는 스테인레스 박판이 코일 상으로 꼬인 구조로 이루어지는 한편 그 표면에는 주석 도금이 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극.The cathode of claim 1 or 2, wherein the elastic strap has a structure in which a stainless steel sheet having a predetermined width is twisted onto a coil while tin plating is formed on a surface thereof. 제 3 항에 있어서, 상기 접착제는 50℃ 이하의 상온 이상에서 접착이 이루어지되 내열온도가 200 ~ 500℃인 엘라스토머(elastomer, 탄성중합체)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극.The cathode of claim 3, wherein the adhesive is an elastomer at a temperature of 50 ° C. or lower but an elastomer having a heat resistance of 200 ° C. to 500 ° C. 5. 챔버 내부로 공급된 반응가스를 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 인가되는 고주파 전압을 통해 여기된 상태의 플라즈마 상태로 변환시키는 플라즈마 챔버의 캐소드 전극을 제조하는 방법에 있어서,In the method of manufacturing a cathode electrode of the plasma chamber for converting the reaction gas supplied into the chamber into a plasma state of the excited state through a high frequency voltage applied between the cathode electrode and the anode electrode, 전극링의 하부에 접착제 그루브를 환형의 홈 형상으로 형성하는 한편 상기 접착제 그루브의 하부 상에 탄성 스트랩이 안착설치되도록 하기 위한 스트랩 그루브를 환형의 홈 형상으로 형성하고, 상기 스트랩 그루브 내측에 금속재질로 된 탄성 스트랩을 안착 설치한 상태에서 접착제인 엘라스토머를 도포한 후 원판형상으로 된 실리콘 재질의 전극판이 전극링의 하부측에 부착되도록 하되, 상기 탄성 스트랩 을 통해 전극링과 전극판이 전기적으로 접촉되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버용 캐소드 전극의 제조방법.An adhesive groove is formed in an annular groove shape on the lower part of the electrode ring, and a strap groove is formed in an annular groove shape so that the elastic strap is seated and installed on the lower part of the adhesive groove, and a metal material is formed inside the strap groove. After applying the elastomer which is an adhesive in a state where the elastic strap is installed, the electrode plate made of disc-shaped silicon material is attached to the lower side of the electrode ring, and the electrode ring and the electrode plate are electrically contacted through the elastic strap. Method for producing a cathode electrode for a plasma chamber, characterized in that.
KR1020080033274A 2008-04-10 2008-04-10 The cathode arc for the plasma chamber and the method for manufacturing the same KR100977315B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080033274A KR100977315B1 (en) 2008-04-10 2008-04-10 The cathode arc for the plasma chamber and the method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080033274A KR100977315B1 (en) 2008-04-10 2008-04-10 The cathode arc for the plasma chamber and the method for manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090107801A true KR20090107801A (en) 2009-10-14
KR100977315B1 KR100977315B1 (en) 2010-08-23

Family

ID=41551250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080033274A KR100977315B1 (en) 2008-04-10 2008-04-10 The cathode arc for the plasma chamber and the method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100977315B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200103434A (en) 2019-02-25 2020-09-02 (주)원세미콘 The method of forming micro hole using laser marking and drill

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100283117B1 (en) 1998-10-13 2001-06-01 고석태 Electrode plate assembly of etching facility for manufacturing semiconductor device
US20020127853A1 (en) 2000-12-29 2002-09-12 Hubacek Jerome S. Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
KR200238795Y1 (en) 2001-04-12 2001-10-11 주식회사 기림세미텍 Electrode assembly for etching apparatus
JP3868341B2 (en) 2002-04-22 2007-01-17 日清紡績株式会社 Plasma etching electrode with excellent heat resistance and dry etching apparatus equipped with the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR100977315B1 (en) 2010-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101790265B1 (en) High efficiency electrostatic chuck assembly for semiconductor wafer processing
JP6563438B2 (en) Vacuum process chamber components and manufacturing method
US11781650B2 (en) Edge seal for lower electrode assembly
JP5346018B2 (en) Shower head electrode assembly for plasma processing equipment
US8390980B2 (en) Electrostatic chuck assembly
US20180053674A1 (en) Electrostatic chuck assembly and substrate processing apparatus including the same
JP2010507231A (en) Upper electrode backing member with the function of reducing particles
CN101946315B (en) High efficiency electro-static chucks for semiconductor wafer processing
KR20150056625A (en) Methods for bonding substrates
JP4458995B2 (en) Wafer support member
KR100977315B1 (en) The cathode arc for the plasma chamber and the method for manufacturing the same
US7265962B2 (en) Electrostatic chuck and production method therefor
KR20130051908A (en) Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same
US8343370B2 (en) Method of fabricating a PTFE seal element and a shaft seal assembly therewith
TWI553814B (en) A multilayer element for a plasma reaction chamber and a method for manufacturing the same
KR100978115B1 (en) Mothod for manufacturing a cathode arc for the plasma chamber and a cathode arc for the plasma chamber
JPH10144778A (en) Electrostatic chuck
TW201342461A (en) Stacked assembly for plasma reaction chamber and production method thereof
TWI623246B (en) Electrode element for plasma etching and method of manufacturing same
TWI834307B (en) Lower electrode assembly, plasma processing device and assembly method thereof
CN202054890U (en) Deposition cavity
KR20070097246A (en) Upper electrode assembly for plasma etching
JP5564139B2 (en) Substrate holding apparatus and plasma processing apparatus
US20120012253A1 (en) Plasma shield for electrode
JPH01180982A (en) Plasma cvd device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130716

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140617

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150311

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160804

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170803

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180802

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190808

Year of fee payment: 10