KR20090107528A - 고해상도 광 정보 저장 매체 - Google Patents

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KR20090107528A
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베랑제르 이오
루도비크 뿌피네
베르나르 앙드레
파트리끄 샤통
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꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄
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Abstract

본 발명은 정보의 광학 저장에 관한 것이다. 본 발명은 기록된 정보를 정의하는 기하학적 구성을 갖는 물리적 마크를 갖는 기판 (10), 기판의 마크 상부의 3 개 층들의 적층체, 및 상기 적층체 상부의 투명 보호층을 포함하는 고해상도 광 정보 저장 구조체를 제공하는데, 상기 적층체는 2 개의 ZnS-SiO2 유전체 층 (12, 16) 사이에 제공된 안티몬화 인듐 또는 안티몬화 갈륨 층 (14) 을 포함한다. 판독 레이저의 파장에 의해 허용된 이론적인 판독 해상도보다 높은 해상도 (치수 및 간격) 로 기판에 정보가 사전-기록될 수 있다. 3 개 층 적층체의 거동의 비-선형성은 레이저 전력이 정확하게 선택된 경우 정보를 판독하는 것을 가능하게 한다.
물리적 마크, 중첩물, 투명 보호층, 안티몬화 인듐, 안티몬화 갈륨

Description

고해상도 광 정보 저장 매체{HIGH RESOLUTION OPTICAL INFORMATION STORAGE MEDIUM}
본 발명은 광 정보 기록 (optical information recording) 의 분야에 관한 것이다.
광 디스크에 기록되는 정보의 밀도를 증가시키고자 하는 경우, 이러한 목적은 일반적으로 정보 판독 디바이스의 성능에 의해 제한된다. 기본적인 원리는, 광 디스크에 기록된 물리적 정보는 그 크기가 이 정보를 판독하기 위해 이용되는 광 시스템의 해상도의 한계보다 더 작은 경우 매우 쉽게 판독될 수 없다는 것이다. 통상적으로, 650㎚ 파장 및 0.6 의 개구수의 레드 레이저를 사용하여 판독하는 경우, 일반적으로 0.4 미크론 미만의 크기 또는 한계 0.3 미크론을 갖는 정보를 정확하게 판독할 가망이 없다.
그러나, 그 파장보다 작거나 훨씬 더 작은 물리적 크기를 갖는 정보를 판독하기 위해 소위 수퍼-해상도 방법이 연구되어 왔다. 이러한 방법은 특정 재료의 비선형 광학적 특성에 기초한다. "비선형 특성" 이라는 표현은, 재료의 특정 광학적 특성이, 수신되는 광의 강도에 따라 변화한다는 사실을 의미하는 것으로 파악된다. 일반적으로, 이 변화의 직접적인 원인은 이러한 조명으로 인한 열적 가열이고, 판독 레이저 스폿의 치수보다 작은 치수에 대한 열적, 광학적, 열-광학 적 (thermo-optic) 및/또는 광전자적 (optoelectronic) 영향에 의해 그 재료의 광학적 특성을 국부적으로 변형시키는 것은 판독 레이저 그 자체이다. 특성의 변화로 인해, 이러한 매우 작은 양으로 존재하는 광학적 정보도 검출가능하게 되는 반면에, 이러한 특성의 변화 없이는 검출가능하게 되지 않을 것이다.
발견된 현상은 주로, 사용될 판독 레이저의 2 가지 특성에 기초한다:
- 첫 번째로, 레이저는, 중심부에서는 매우 강하지만 주변부에서는 크게 감소되는 가우시안 (Gaussian) 의 전력 분포 (power distribution) 를 가지지만, (파장 정도의) 극도로 작은 단면을 가지도록 매우 강하게 포커싱되고; 그리고
- 두 번째로, 판독 레이저 전력은, 빔의 중심부에서 단면의 작은 부분에 걸친 전력 밀도가 층의 광학적 특성을 현저하게 변화시키는 반면에, 단면의 이 작은 부분 이외의 전력 밀도가 이 광학적 특성을 현저하게 변화시키지 않도록 선택되고; 광학적 특성은, 이런 변화 없이 판독될 수 없었을 정보의 판독을 허용하기 쉬운 방향으로 변화된다.
예를 들어, 광 디스크상에 형성된 물리적 마크로 이루어지는 비트의 판독이 이 물리적 마크에 바로 레이저 빔의 투과를 요구하는 경우에 광학적 특성의 변화는 광 투과의 증가로 된다. 따라서, 물리적 마크를 향한 빔의 경로에 비선형 층이 개입된다. 광이 층을 통과함에 따라서 그 입사광의 강도가 상기 층을 더욱 투명하게 만들기 때문에 레이저 빔의 중심부는 마크와 같이 멀리 떨어져 있는 층을 통과할 수 있는 반면에, 레이저 빔의 주변부는 그 층을 더욱 투명하게 만들도록 충분히 층의 광학 지수를 변형하지 않기 때문에 통과할 수 없을 것이다. 따라서, 자신의 파장에 의해 허용된 직경보다 훨씬 좁은 직경을 통해서 포커싱 다운된 빔이 사용된 것과 같다.
이러한 원리를 이용하도록 다양한 이론적인 제안들이 제시되었지만, 이들 중 어느 하나의 이론도 산업적인 발전에 공헌하지 않았다. 미국 특허 제5 153 873호는 이러한 이론을 상기시킨다. 미국 특허 제5 381 391호는 비선형 반사 특성을 갖는 필름의 예시를 제공한다. 미국 특허 제5 569 517호는 결정상 변화를 겪는 다양한 재료를 제안한다.
이러한 기술들 중에서 가장 좋은 옵션들을 현재 제시하는 것은, 황화 아연 (ZnS) 실리콘 산화물 (SiO2) 화합물의 2 개의 층들 사이에 끼워진 백금 산화물 (PtOx) 층을 이용하는 것이며, 이러한 전체 조립체는 AgInSbTe 화합물 또는 GeSbTe 화합물의 2 개의 층들 사이에 삽입되고, 또한 이러한 조립체는 다시 황화 아연 (ZnS)/실리콘 산화물 (SiO2) 화합물의 층들 사이에 삽입된다. AgInSbTe 또는 GeSbTe 재료는 강한 레이저 조명의 영향하에서 상 변화를 수반하는 특성을 갖는다. 2003년 9월 Jooho Kim 등에 의한 Applied Physics Letters Vol. 83, No.9 의 "Super-Resolution by elliptical bubble formation with PtOx and AgInSbTe layers" 및 2004 년 Jooho Kim 등에 의한 Japanese Journal of Applied Physics Vol. 43, No.7B 의 "Signal Characteristics of Super-Resolution Near-Field Structure Disc in Blue Laser System" 및 Duseop Yoon 등에 의한 Japanese Journal of Applied Physics 의 "Super-Resolution Read-Only Memory Disc Using Super-Resolution Near-Field Structure Technology" 에서 그 예시를 찾을 수도 있다.
이러한 연구자료에 설명된 구조체는, 층들 사이에 끼워져 한정되는 백금 산화물 팽창 버블 (platinum oxide expansion bubble) 의 생성에 주로 의존한다. 이러한 버블들은 레이저 기입 도중에 형성되고, 심지어 버블들의 크기보다 몇 배 큰 파장의 판독 레이저를 이용한 판독 도중에도 인식될 수 있다.
그러나, 이러한 버블들은 생성하기 어렵고 버블들의 체적을 제어하기는 특히 어렵다. 또한, 판독시에 수퍼-해상도 효과를 얻기 위해 레이저 전력을 조절하는 것은 특히 어렵고, 너무 낮은 레이저 전력은 어떠한 결과도 도출하지 않으며 너무 높은 레이저 전력은 판독 주기의 가능한 횟수를 상당히 감소시킨다.
본 발명은, 판독 신호가 실질적으로 저하되지 않으면서 많은 판독 주기를 행할 수 있고, 합리적인 판독 레이저 전력 레벨을 요구하고, 구현하기 더욱 쉬운 훨씬 간단한 구조체를 제안한다. 본 발명에 따른 구조체는 제어하기 너무 어려운 버블 팽창 형태 (bubble expansion regime) 로 이행할 필요가 없이 특정 재료의 비선형 특성에 직접적으로 의존한다.
본 발명은 고해상도 광 정보 저장 구조체를 제공하는데, 이 구조체는 기록된 정보를 정의하는 기하학적 구성을 갖는 물리적 마크가 제공된 기판, 기판상의 마크 상단 위의 3 개의 층들의 중첩물 (superposition), 및 이 중첩물의 상단 위의 투명 보호층이 포함되는데, 여기서, 중첩물은 황화 아연/실리콘 산화물 (ZnS/SiO2) 화합 물의 2 개의 유전체 층들 사이에 삽입된 안티몬화 인듐 또는 안티몬화 갈륨 층을 포함한다.
이러한 안티몬화물 층 주변의 ZnS/SiO2 층의 존재는, 충분한 신호/잡음비를 갖는 수퍼-해상도 모드로 정보를 판독하기 위해 필요한 판독 레이저 전력을 상당량 감소시키는 것을 가능하게 한다는 것을 발견하였다. 이제, 한편으로는 광학적 특성의 국부적 변화에 의해 수퍼-해상도 효과를 얻기 위해 비교적 높은 전력이 필요하고, 다른 한편으로는 높은 전력은 기록된 정보를 점차적으로 파기하고 (가능한 한 많은 횟수의 판독 주기를 갖는 것이 바람직하지만) 가능한 횟수의 판독 주기를 제한하기 때문에 판독 전력의 문제가 중요하다.
바람직하게, 기판은 폴리카보네이트, 플라스틱 또는 폴리머로 이루어진다.
화합물에서의 안티몬의 원자 비율은 45% 내지 55% 이고, 인듐 또는 갈륨 비율은 45% 와 100% 에 대한 안티몬 비율의 차감치 (balance) 사이이다. In50Sb50 또는 Ga50Sb50 화학량론적 화합물이 매우 적절하지만, 화학량론적으로부터 조금 벗어난 것은 허용가능하다.
InSb 또는 GaSb 층의 두께는 약 10 내지 50 나노미터인 것이 바람직하고, 20 내지 30 나노미터 사이인 것이 최적이다.
ZnS/SiO2 유전체 층들 각각은 20 과 100 나노미터 사이의 두께를 갖는 것이 바람직하고, 50 과 70 나노미터 사이의 두께를 갖는 것이 최적이다. ZnS 와 SiO2 의 원자 비율은 ZnS 85 at %/SiO2 15 at % (85/15 비율) 과 ZnS 70 at %/SiO2 30 at % (70/30 비율) 사이의 범위에서 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명은, 통상적으로 약 400 나노미터의 파장을 갖는 블루 레이저 (blue laser) 를 이용하여 정보를 판독하는데 특히 적용가능하고, 광 디스크에 사전기록된 정보는 100 나노미터 이하의 크기 (폭 및 길이) (즉, 판독 파장보다 4 배 내지 5 배 작은 크기) 를 가질 수 있다. 그러나, 본 발명은 또한 레드 레이저 (red laser) (600 내지 800 나노미터의 파장) 를 이용하여 판독하는데 적용할 수 있는데, 이는, 표준 해상도의 종래의 광 디스크 판독기와의 호환을 허용하기 때문에 큰 이점을 가지고, 동일한 레드-레이저 판독기가 표준 해상도의 정보를 담지 (bearing) 하는 디스크 및 수퍼-해상도 형태의 정보를 담지하는 디스크를 판독할 수도 있다. 이 경우, 광 디스크의 기판상에 기록된 물리적 마크는 200 나노미터 이하의 크기 (길이 및 폭) 를 가질 수도 있다.
본 발명의 다른 특징 및 이점은, 첨부된 도면을 참조하여 주어진 이하의 상세한 설명을 읽으면 명백하게 될 것이다.
도 1 은 본 발명에 따른 광 정보 저장 구조체를 도시한다.
도 2 는, 판독 레이저의 전력의 함수로서, 이 광 정보 저장 구조체에 대해 측정된 반사율 곡선 및 투과율 곡선을 도시한다.
도 3 은 InSb 경우와 GaSb 경우 각각에 대해 판독 레이저의 전력의 함수로서 측정된 2 개의 반사율 곡선을 도시한다.
도 4 는 최소 80 나노미터만큼 서로 이격된 80 나노미터의 최소 크기를 갖는 마크가 수행되는 기판의 원자힘 현미경 뷰 (atomic force microscope view) 를 도시한다.
도 5 는 본 발명에 따른 구조체에서 신호/잡음 비를 나타내는 곡선을 도시한다.
도 6 은 안티몬화 인듐 층의 측면에 접하는 다양한 유전체 물질에 대해 플로팅된 비교 신호/잡음 비 곡선을 도시한다.
도 1 은 본 발명에 따른 광 정보 저장 매체의 일반적인 구조체를 도시한다. 이 구조체는, 광 디스크에 종래에 이용된 유기 재료, 특히 폴리카보네이트인 것이 바람직한 기판 (10) 을 포함한다. 이 기판은, 사실상, 편평한 디스크 (flat disc) 의 형태일 것이고, 통상적으로 정보는 대략 중심 트랙을 따라 디스크에 기록된다. 디스크의 정면에 위치된 화살표 (20) 로 나타난 판독 레이저 빔은 디스크가 회전함에 따라서 정보가 통과되어 구동하는 것을 확인할 것이다.
기판 (10) 은 기록된 정보를 정의하는 물리적 마크를 포함하고, 이 예시에서 물리적 마크는 기판의 상부 표면상에 새겨진 릴리프 (relief) 형태로 이루어져 있다. 릴리프는, 예를 들어, 피트 (pit) 들로 형성되어 있는데, 이 피트의 폭은 기록된 모든 정보에 대해 대략적으로 고정되어 있지만, 정보의 구동 방향에서의 피트의 길이 및 간격은 기록된 정보의 내용을 정의한다. 정보는 이 구조체에 의해 반사된 레이저 빔의 위상을 분석함으로써 판독되고, 그 위상은 각각의 물리적 마크에 의한 통과 (pass) 의 시작점과 종료점에서 변화한다. 피트는 폴리카보 네이트 또는 플라스틱 기판에 압력을 가함으로써, 예를 들어, 매우 고해상도 전자-빔 에칭 툴을 사용하여 생성되는 니켈 주형 (nickel mould) 에 의해, 사전기록될 수도 있다.
물리적 마크들의 폭, 길이 및 간격은, 이들을 판독하는데 이용될 광 판독 시스템의 이론적인 광 해상도 미만일 수도 있다. 통상적으로, 이는, 그 개구수가 0.85 이고, 사전조치가 취해진 경우 해상도의 이론적 물리적 한계가 약 120 나노미터인 포커싱 광학소자 (focusing optic) 와 함께 사용되는 약 400 나노미터 파장의 블루 레이저이다. 여기서, 후술하는 바와 같이, 마크는 80 나노미터 미만의 길이 또는 간격에 의한 해상도로 사전기록될 수도 있다.
종래의 광 디스크의 경우, 릴리프는 간단한 알루미늄 층으로 커버될 수도 있지만, 이 알루미늄 층은 블루 레이저가 80 나노미터의 크기 및 간격을 갖는 마크를 검출하는 것을 허용하지 않을 수도 있다.
본 발명에 따르면, 마크는 ZnS/SiO2 화합물의 유전체 층 (12), 안티몬화 인듐 (InSb) 또는 안티몬화 갈륨 (GaSb) 층 (14) 및 ZnS/SiO2 화합물의 유전체 층 (16) 의 순서로 이루어진 3 중 층으로 커버된다. 이들 모두는 투명 보호층 (18) 으로 커버된다.
InSb 또는 GaSb 층 (14) 은 비선형 광학적 특성을 갖는 층이고, 3 중층 구조체 - 2 개의 ZnS/SiO2 유전체 층들에 의해 측면배치된 (flanked) GaSb 또는 InSb 층 - 의 반사율은 (사실상, 1 제곱 미크론 당 약 7 밀리와트의 전력 밀도에 대응하는) 1 내지 2 밀리와트의 전력을 갖는 레이저 빔에 의해 조사될 때 매우 크게 증가될 수 있다.
도 2 는 405-나노미터 조사 레이저의 전력의 함수로서 기판 + 3 중 층 + 보호층 (18) 구조체의 반사율의 변화 곡선 (상부 곡선 R) 및 투과율 변화 곡선 (하부 곡선 T) 표현으로 도시된다. 하부 ZnS/SiO2 층 (12) 은 70 나노미터의 두께를 갖고, (원자 비율) 20% SiO2 에 대해 약 80% ZnS 를 포함한다. 상부층 (16) 은 동일한 조성물을 가지며 50 나노미터의 두께를 갖는다. 중간층은 20 나노미터의 두께 및 실질적 화학량론적 조성물을 갖는 InSb 로 이루어진다. 이러한 측정 예시는, 중첩 구조체의 반사율이 조사전력 (illumination power) 에 따라서 크게 변화한다는 것을 나타낸다. 그 결과, 약 1.3mW 전력의 판독 레이저를 사용하여, 빔 에너지의 가우시안 분포 (Gaussian distribution) 로 인해, 반사율은 촛점 스폿의 중심과 그 주변 사이에서 상당히 변화될 것이며, 이에 따라, 매우 분명한 수퍼-해상도 효과의 가능성이 있다.
도 3 은, 다른 측정, 즉, 이전 단락에서 정의된 구조체에 대한 반사율 측정과 InSb 가 GaSb 로 대체된 동일한 구조체에 대한 반사율 측정의 비교를 나타낸다. GaSb 의 경우의 결과는, 더욱 높은 판독 전력이 요구되기 때문에 열등하지만, 유용한 전력 범위는 더 크다.
도 4 는, 중첩된 3 개의 층 (12, 14, 16) 의 증착 이전에 기판상에 정보가 사전 기록될 수 있는 방식, 즉, 가변 길이 및 간격의 블라인드 홀 (blind hole) 의 방식을 상기한다. 화살표는 기판이 판독 레이저 아래에서 구동하는 방향을 나타낸다.
도 5 는, 80 nm 의 크기와 80nm 의 간격을 갖는 규칙적인 마크가 기판상에 형성되어 이에 따라 이론적으로 레이저 판독 시스템의 출력 신호의 일정한 주파수를 발생시키는 경우의, 판독 레이저의 전력 함수로서의 CNR (Carrier Noise Ratio) 의 데시벨 측정을 나타낸다. 이들 마크는 전술한 3 중 층에 의해 커버되는데, 20-나노미터 활성층은 InSb 또는 GaSb 이다. 표시하기 위해, 마크들이 본 발명에 따른 3 중 층 이외의 (ROM 광 디스크에서와 같이) 25 내지 40 나노미터의 알루미늄으로 커버되는 경우 CNR 비율은 0 이다 (마크들이 전혀 검출되지 않음). 또한, 곡선들은, 1.3mW 전력에 대해서는 CNR 이 35 dB 에 가까운 반면에 동일한 CNR 을 획득하기 위한 GaSb 에 대한 전력이 2mW 가 되기 때문에, 전력의 관점에서 안티몬화 갈륨 보다는 안티몬화 인듐이 보다 바람직하다는 것을 나타낸다.
도 6 은, 80nm 씩 규칙적으로 이격된 80nm 사전기록 마크를 갖는 3 개의 기판 표본 (마크들은 3 개의 표본에서 서로 동일함) 상에서 이러한 CNR 의 다른 비교 측정을 나타낸다. 좌측의 곡선만이 ZnS/SiO2 화합물의 유전체 층들을 이용하고, 우측의 2 개의 곡선은 유전체로서 실리콘 산화물 SiO2 및 실리콘 질화물 Si3N4 을 각각 사용한다. 여기서, 비-선형 광학적 층은 안티몬화 인듐 InSb 이다. ZnS/SiO2 층을 갖는 본 발명의 경우에, 높은 CNR 을 달성하기 위해서 훨씬 낮은 판독 전력이 요구되는 것을 확인할 수도 있다.
최종적으로, 3 개의 구조체의 판독 거동은 균일한 정보에 복수의 판독 동작을 수행함으로써 경험적으로 연구되어 이에 따라 기록되었으며, 여기서 하나의 구조체는 본 발명의 것이고 다른 구조체들은 유전체 층으로서 SiO2 또는 Si3N4 를 사용한 것이다. SiO2 를 사용하여, 2.74 밀리와트의 전력에 대해 충분한 신호/잡음 비를 갖는 정보를 판독하는 것이 가능했지만, 판독 신호가 34 판독 주기 이후에 저하된다는 것이 관찰되었다. Si3N4 를 사용하면, 2.26 밀리와트의 전력으로 판독하는 것이 가능했지만, 240 판독 주기 이후에 판독 신호의 저하가 관찰되었다. 그러나, 본 발명에 따라서 제안된 ZnS/SiO2 층에 대해서는, 1.66 밀리와트의 전력으로 판독하는 것이 가능했고, 8000 판독 주기 이후에 겨우 신호의 상당한 저하가 관찰되었다. 따라서, 이는, 3 중 층 구조체 아래에 놓여있는 물리적 마크가 판독되어야만 한다는 인지하에서, 반사보다 더욱 유리하다고 고려될 수도 있는 투과율의 증가가 아닌 구조체의 반사율의 수퍼-해상도의 증가에 명백하게 기초하기 때문에, 예상밖의 특성에도 불구하고 시도된 다른 구조체와 비교된 제안된 구조체의 중요성을 제기한다.
실행된 시도들은, 레드 레이저와 마찬가지로 블루 레이저에 대해서도, 본 발명에 따른 구조체의 최적의 층 두께들은 다음과 같다는 것을 증명하였다:
-하부 ZnS/SiO2 층 : 약 50 내지 70 나노미터;
-GaSb 또는 InSb 층 : 약 20 내지 30 나노미터;
-상부 ZnS/SiO2 층 : 약 50 내지 60 나노미터이다.
ZnS/SiO2 화합물에 대한 바람직한 원자 조성은 20% SiO2 에 대해 약 80% ZnS 이다.
층의 증착은 어떠한 문제도 제기하지 않는데 - 이 층들은 유전체의 경우에서와 같이 활성층의 경우에도 동일하게, 문제의 재료를 포함하는 타겟으로부터의 캐소드 스퍼터링에 의해, 또는 플라즈마-강화된 기상 증착에 의해 통상 증착되어 있을 수도 있다.

Claims (13)

  1. 기록된 정보를 정의하는 기하학적 구성의 물리적 마크들이 제공된 기판 (10), 상기 기판 상의 상기 물리적 마크들의 상단 위의 3 개의 층들 (12, 14, 16) 의 중첩물 (superposition), 및 상기 중첩물의 상단 위의 투명 보호층 (18) 을 포함하고,
    상기 중첩물은 2 개의 ZnS/SiO2 유전체 층들 (12, 16) 사이에 개재된 안티몬화 인듐 또는 안티몬화 갈륨 층 (14) 을 포함하는, 고해상도 광 정보 저장 구조체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 안티몬화 인듐 또는 안티몬화 갈륨 층 (14) 에서의 안티몬의 원자 비율은 45% 내지 55% 이고, 인듐 또는 갈륨의 비율은 45% 와 100% 에 대한 상기 안티몬 비율의 차감치 (balance) 사이에 있는 것을 특징으로 하는 고해상도 광 정보 저장 구조체.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 안티몬화 인듐 또는 안티몬화 갈륨 층 (14) 은 화학량론적 InSb 또는 GaSb 층인 것을 특징으로 하는 고해상도 광 정보 저장 구조체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 InSb 또는 GaSb 안티몬화물 층의 두께는 10 나노미터와 50 나노미터 사이인 것을 특징으로 하는 고해상도 광 정보 저장 구조체.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 InSb 또는 GaSb 안티몬화물 층의 두께는 20 나노미터 내지 30 나노미터인 것을 특징으로 하는 고해상도 광 정보 저장 구조체.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 2 개의 ZnS/SiO2 유전체 층들 각각은 20 나노미터와 100 나노미터 사이의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 고해상도 광 정보 저장 구조체.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판 상의 상기 물리적 마크들을 커버하는 하부의 상기 ZnS/SiO2 유전체 층 (12) 은 약 50 나노미터 내지 70 나노미터의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 고해상도 광 정보 저장 구조체.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상부의 상기 ZnS/SiO2 유전체 층 (16) 은 약 50 나노미터 내지 60 나노미터 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 고해상도 광 정보 저장 구조체.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    ZnS 와 SiO2 의 원자 비율은 ZnS 85 at %/SiO2 15 at % (85/15 비율) 와 ZnS 70 at %/SiO2 30at% (70/30 비율) 사이의 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고해상도 광 정보 저장 구조체.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 폴리카보네이트로 이루어진 것을 특징으로 하는 고해상도 광 정보 저장 구조체.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 상에 기록된 상기 물리적 마크들은 스탬핑-새겨진 피트 (stamping-impressed pit) 인 것을 특징으로 하는 고해상도 광 정보 저장 구조체.
  12. 전술한 항 중 어느 한 항에 기재된 고해상도 광 정보 저장 구조체의 블루-레이저 판독기에 의해 수퍼-해상도로 판독되도록 의도된 광 디스크의 제조에의 이용으로서,
    상기 물리적 마크들의 일부는 100 나노미터 미만의 길이 및 폭을 갖는, 고해 상도 광 정보 저장 구조체의 이용.
  13. 전술한 항 중 어느 한 항에 기재된 고해상도 광 정보 저장 구조체의 레드-레이저 판독기에 의해 수퍼-해상도로 판독되도록 의도된 광 디스크의 제조에의 이용으로서,
    상기 물리적 마크들의 일부는 200 나노미터 미만의 길이 및 폭을 갖는, 고해상도 광 정보 저장 구조체의 이용.
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