KR20090104721A - Display apparatus - Google Patents

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KR20090104721A
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sampling
potential
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테츠로 야마모토
카츠히데 우치노
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소니 가부시끼 가이샤
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Abstract

PURPOSE: A display device is provided to suppress brightness change due to the characteristic deviation of a driving transistor or electro-optic device. CONSTITUTION: A driving transistor(121) generates a driving current. An electro-optic device is connected to an output terminal of the driving transistor. A vertical scan unit generates a vertical scan pulse for scanning a pixel circuit vertically. A plurality of vertical scan lines are connected to the vertical scan unit. A horizontal scan unit supplies the image signal to the pixel circuit by synchronizing with the vertical scan. A plurality of horizontal scan lines are connected to the horizontal scan unit. A record scan unit(104) generates a record scan pulse for recording the information by the signal amplitude in the storage capacity(120). A plurality of record scan lines are connected to the record scan unit. The image signal is supplied from the horizontal scan unit to an input terminal of a first sampling transistor(125). A control input terminal of a second sampling transistor is connected to the vertical scan line.

Description

표시 장치{DISPLAY APPARATUS}Display device {DISPLAY APPARATUS}

본 발명은, 표시 소자나 발광 소자로서 기능하는 전기광학 소자를 구비하는 복수의 화소 회로 또는 화소를 포함하는 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 구동 신호의 대소에 의해 휘도가 변화하는 전류 구동형의 전기광학 소자에 의해 형성된 표시 소자와, 화소 단위로 표시 구동을 수행하기 위한 능동 소자를 각각 포함하는 복수의 화소 회로를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device including a plurality of pixel circuits or pixels including an electro-optical element functioning as a display element or a light emitting element. More specifically, the current driving in which the luminance varies with the magnitude of the drive signal The present invention relates to a display device including a display element formed by an electro-optical element of a type and a plurality of pixel circuits each including an active element for performing display driving on a pixel basis.

화소의 표시 소자로서, 인가되는 전압이나 흐르는 전류에 의해 휘도가 변화하는 전기광학 소자를 이용한 표시 장치가 있다. 예를 들면, 인가되는 전압에 의해 휘도가 변화하는 전기광학 소자로서는 액정 표시 소자가 대표예이고, 흐르는 전류에 의해 휘도가 변화하는 전기광학 소자로서는, 유기 일렉트로루미네선스(Organic Electroluminescence, 이하, 유기 EL이라고 약칭한다) 소자가 대표예이다. 후자인 유기 EL 소자를 이용하는 유기 EL 표시 장치는, 화소의 표시 소자로서, 자발광 소자인 전기광학 소자를 이용하는 이른바 자발광형의 표시 장치이다.BACKGROUND ART As a display element of a pixel, there is a display device using an electro-optical element whose luminance is changed by a voltage applied or a flowing current. For example, a liquid crystal display element is a representative example of an electro-optical element whose luminance changes due to an applied voltage, and an organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic) is an electro-optical element whose luminance changes due to a flowing current. An abbreviation is EL). An organic EL display device using the latter organic EL element is a so-called self-luminous display device using an electro-optical element that is a self-luminous element as a display element of a pixel.

유기 EL 소자는 하부 전극과 상부 전극 사이에 유기 정공 수송층이나 유기 발광층을 적층시켜서 이루어지는 유기 박막(유기층)을 마련하여 이루어지고, 유기 박막에 전계를 걸면 발광하는 현상을 이용하며, 유기 EL 소자를 흐르는 전류치를 제어함으로써 발색의 계조를 얻는다.The organic EL element is formed by providing an organic thin film (organic layer) formed by stacking an organic hole transport layer or an organic light emitting layer between a lower electrode and an upper electrode, and utilizes a phenomenon of emitting light when an electric field is applied to the organic thin film, and flows through the organic EL element. The color tone is obtained by controlling the current value.

전기광학 소자로서 유기 EL 소자와 같은 전류 구동형의 소자를 사용하는 유기 EL 표시 장치에 있어서, 보존 용량에 받아들인 입력 화상 신호에 응한 구동 신호(전압 신호)를 구동 트랜지스터에서 전류 신호로 변환하여, 그 구동 전류를 유기 EL 소자에 공급한다.In an organic EL display device using a current-driven element such as an organic EL element as an electro-optical element, a drive signal (voltage signal) in response to an input image signal received in a storage capacitor is converted from a drive transistor to a current signal, The driving current is supplied to the organic EL element.

예를 들면, 유기 EL 소자의 발광 휘도가 불변하기 위해서는, 입력 화상 신호에 응한 구동 전류를 일정하게 하는 것이 중요하다.For example, in order for the luminescence brightness of an organic EL element to be unchanged, it is important to make the drive current consistent with the input image signal constant.

그런데, 프로세스 변동에 의해 전기광학 소자를 구동하는 능동 소자(구동 트랜지스터)의 임계치 전압이나 이동도가 흐트러져 버린다. 또한, 유기 EL 소자 등의 전기광학 소자의 특성이 경시적으로 변동한다. 이와 같은 구동용의 능동 소자의 특성 편차나 전기광학 소자의 특성 변동이 있으면, 정전류 구동 방식이라도, 발광 휘도에 영향을 주게 된다.However, the threshold voltage and the mobility of the active element (drive transistor) for driving the electro-optical element are disturbed by the process variation. In addition, the characteristics of electro-optical elements such as organic EL elements fluctuate over time. If there is such a characteristic variation of the active element for driving or the characteristic variation of the electro-optical element, even the constant current driving method will affect the light emission luminance.

이 때문에, 표시 장치의 화면 전체에 걸쳐서 발광 휘도를 균일하게 제어하기 위해, 각 화소 회로 내에서 상술한 구동용의 능동 소자나 전기광학 소자의 특성 변동에 기인하는 휘도 변동을 보정하기 위한 구조가 여러가지 검토되어 있다.For this reason, in order to uniformly control the luminescence brightness over the entire screen of the display device, various structures for correcting the luminance fluctuations caused by the characteristic fluctuations of the driving active element or the electro-optical element described above in each pixel circuit are various. It is considered.

예를 들면, 일본 특개 제2006-215213(이하, 특허문헌1이라 칭함)에는, 상기 상술된 구조를 채용하는 유기 EL 소자용 화소 회로가 개시되어 있다. 이 화소 회로는, 구동 트랜지스터의 임계치 전압에 편차나 경시변화가 있는 경우에도 구동 전류 를 일정하게 하기 위한 임계치 보정 기능이나, 구동 트랜지스터의 이동도에 편차나 경시변화가 있는 경우에도 구동 전류를 일정하게 하기 위한 이동도 보정 기능이나, 유기 EL 소자의 전류-전압 특성에 경시변화가 있는 경우에도 구동 전류를 일정하게 하기 위한 부트스트랩 기능을 구비하고 있다.For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2006-215213 (hereinafter referred to as Patent Document 1) discloses a pixel circuit for an organic EL element employing the above-described structure. This pixel circuit has a threshold correction function for keeping the drive current constant even when there is a deviation or change over time in the threshold voltage of the drive transistor, or a constant drive current even when there is a deviation or change over time in the mobility of the drive transistor. A mobility correction function for carrying out this function and a bootstrap function for keeping the driving current constant even when there is a change over time in the current-voltage characteristics of the organic EL element are provided.

한편, 저비용화를 고려한 경우, 화소 수를 줄이지 않으면서, 화소 어레이부의 주변부에 마련되는 각종의 주사 회로로부터 인출되는 주사선의 수를 줄이는 것이 생각된다. 이 때에는, 하나의 수평 주사선에 대해 복수열의 화소를 할당하거나, 또는 하나의 수직 주사선에 대해 복수행의 화소를 할당함으로써, 주사 회로로부터 출력된 주사 신호를 복수의 화소에서 공용하게 된다.On the other hand, when cost reduction is taken into consideration, it is conceivable to reduce the number of scanning lines drawn from various scanning circuits provided in the periphery of the pixel array portion without reducing the number of pixels. In this case, a plurality of pixels are assigned to one horizontal scan line or a plurality of rows are assigned to one vertical scan line, so that the scan signal output from the scanning circuit is shared by the plurality of pixels.

화소 어레이부 내에 배선되는 주사선 수를 삭감함으로써, 각 주사선을 구동하기 위한 회로 비용분만큼 저비용화가 가능해진다. 이 때에는, 액정 표시 장치에서 제안되어 있는 화소 수를 줄이는 일 없이 취출 배선의 수를 삭감하는 구조를 채용하는 것이 생각된다. 예를 들면, 수평 주사측에 주목하면, 신호선을 복수 화소에서 공용화함으로써 저비용화를 도모하는 구조를 채용하는 것이 생각된다. 이러한 구조는, 예를들면, 일본 특개 제2006-215322호 공보(이하, 특허문헌2라고 칭함)에 개시되어 있다.By reducing the number of scan lines wired in the pixel array unit, the cost can be reduced by the circuit cost for driving each scan line. At this time, it is conceivable to employ a structure in which the number of the extraction wirings is reduced without reducing the number of pixels proposed in the liquid crystal display device. For example, when attention is paid to the horizontal scanning side, it is conceivable to adopt a structure in which the cost can be reduced by sharing the signal line with a plurality of pixels. Such a structure is disclosed, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 2006-215322 (hereinafter referred to as Patent Document 2).

특허문헌2에 기재된 구조는, 신호선을 인접 화소에서 공용하고, 하나의 화소에 2개의 영상 신호를 입력하여 영상 신호를 재기록하는 방식이다.The structure described in Patent Literature 2 is a system in which signal lines are shared by adjacent pixels, and two video signals are input to one pixel to rewrite the video signal.

그러나, 특허문헌2에 기재된 구조는, 전류를 흘리면서 신호 기록을 행함으로써 이동도 보정을 행하는 구조에는 채용할 수가 없다. 왜냐하면, 영상 신호 전압을 2회 이상 구동 트랜지스터의 게이트에 입력하면, 최초의 영상 신호에 대해 이동도 보정을 행하여 버리고, 2회째 이후에 구동 트랜지스터의 게이트에 입력되는 영상 신호에 대해서는 정상적으로 이동도 보정 동작을 행할 수가 없기 때문이다.However, the structure described in Patent Literature 2 cannot be employed in a structure that performs mobility correction by performing signal recording while flowing a current. When the video signal voltage is input to the gate of the driving transistor two or more times, the mobility correction is performed on the first video signal, and the mobility correction operation is normally performed on the video signal input to the gate of the driving transistor after the second time. This can't be done.

또한, 특허문헌1에 기재된 구조에서는, 보정용의 전위를 공급하는 배선과, 보정용의 스위칭 트랜지스터와, 스위칭 트랜지스터 구동을 위한 스위칭용의 펄스가 필요하게 되어, 구동 트랜지스터 및 샘플링 트랜지스터를 포함하면 5개의 트랜지스터를 사용하는 5TR 구동의 구성을 채택하게 된다. 따라서, 수직 주사선의 수가 많은 등, 화소 회로의 구성이 복잡하다. 화소 회로의 구성 요소가 많기 때문에, 표시 장치의 고정밀화의 장애가 된다. 그 결과, 5TR 구동의 구성으로 인해, 모바일 기기 등의 소형의 전자 기기에서 이용되는 표시 장치에 적용하기가 어렵다.In addition, in the structure described in Patent Literature 1, wiring for supplying a potential for correction, a switching transistor for correction, and a switching pulse for driving the switching transistor are required. The configuration of the 5TR drive that uses is adopted. Therefore, the configuration of the pixel circuit is complicated, such as a large number of vertical scan lines. Since there are many components of the pixel circuit, it becomes an obstacle of high precision of a display apparatus. As a result, due to the configuration of the 5TR drive, it is difficult to apply to display devices used in small electronic devices such as mobile devices.

따라서, 수평 주사계에 주목하여, 제어선이나 제어 신호의 수를 늘리지 않고, 영상 신호선이나 영상 신호를 복수 화소(즉 복수열)에서 공용화할 수가 있는 표시 장치를 제공할 필요가 있다.Therefore, it is necessary to provide a display device that can share a video signal line or a video signal in a plurality of pixels (that is, a plurality of columns) without increasing the number of control lines or control signals, paying attention to the horizontal scanning system.

또한, 화소 회로의 간소화에 의해 표시 장치의 고정밀화를 가능하게 하는 표시 장치를 제공할 필요가 있다.. 또한, 구동 트랜지스터나 전기광학 소자의 특성 편차에 의한 휘도 변화를 억제하면서 화소 회로가 단순화될 수 있는 표시 장치를 제공할 필요가 있다.In addition, it is necessary to provide a display device that enables high precision of the display device by simplifying the pixel circuit. Further, the pixel circuit can be simplified while suppressing the luminance variation caused by the characteristic variation of the driving transistor or the electro-optical element. There is a need to provide a display device that can.

본 발명의 실시예에 따르면, 수평 주사선의 한 예인 영상 신호선을 복수 화소(즉 복수열)에서 공용화하기 위해, 복수의 화소 회로가 행렬형상으로 배치된 화소 어레이부를 포함하는 표시 장치가 제공된다. 화소 회로에서, 전기광학 소자는 구동 트랜지스터에 의해 보존 용량에 보존된 정보에 기초하여 구동 전류를 생성하고, 이 구동 전류를 전기광학 소자로 흘려 발광하게 한다. 화소 어레이부는 구동 전류를 생성하는 구동 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 출력단에 접속된 전기광학 소자, 영상 신호의 신호 진폭에 따른 정보를 보존하는 보존 용량, 및 신호 진폭에 따른 정보를 보존 용량에 기록하는 종속접속된 제 1의 샘플링 트랜지스터 및 제 2의 샘플링 트랜지스터를 포함한다. 또한, 화소 어레이부는, 화소 회로를 수직 주사하기 위한 수직 주사 펄스를 생성하는 수직 주사부와, 상기 수직 주사부에 의한 수직 주사와 동기하여 화소 회로(특히, 제 1의 샘플링 트랜지스터와 제 2의 샘플링 트랜지스터)에 영상 신호를 제공하기 위한 수평 주사부, 및 상기수평 주사부에 접속된 복수의 수평 주사선을 포함한다. 수직 주사부는 적어도 화소 회로를 수직 주사하여 보존 용량에 신호 진폭에 따른 정보를 기록하기 위한 기록 주사 펄스를 생성하는 기록 주사부를 포함하고, 수직 주사선은 기록 주사부에 접속된 복수의 기록 주사선을 포함한다. 수평 주사선 각각은, 복수의 열에 포함된 제 1의 샘플링 트랜지스터의 입력 단자에 수평 주사부로부터의 신호 기록용의 영상 신호가 공통으로 제공되도록 배선된다. 영상 신호가 공통으로 공급되는 복수의 열을 각각 포함하는 조(組) 각각에 속하는 제 2의 샘플링 트랜지스터의 제어 입력단은, 제 2의 샘플링 트랜지스터가 속하는 조 이외의 다른 조의 서로 상이한 행에 대한 수직 주사 펄스가 수직 주사부에서 제 2의 샘플링 트랜지스터의 제어 입력단에 공급되도록 수직 주사선에 접속된다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a display device including a pixel array unit in which a plurality of pixel circuits are arranged in a matrix form in order to share an image signal line, which is an example of a horizontal scanning line, in a plurality of pixels (ie, a plurality of columns) is provided. In the pixel circuit, the electro-optical element generates a drive current based on the information stored in the storage capacitor by the drive transistor, and causes the drive current to flow through the electro-optical element to emit light. The pixel array unit includes a driving transistor for generating a driving current, an electro-optical element connected to an output terminal of the driving transistor, a storage capacitor for storing information according to the signal amplitude of the image signal, and a slave connection for recording information according to the signal amplitude in the storage capacitor. A first sampling transistor and a second sampling transistor. The pixel array unit may further include a vertical scanning unit for generating a vertical scanning pulse for vertically scanning the pixel circuit, and a pixel circuit (particularly, the first sampling transistor and the second sampling) in synchronization with the vertical scanning by the vertical scanning unit. A horizontal scanning unit for providing an image signal to a transistor), and a plurality of horizontal scanning lines connected to the horizontal scanning unit. The vertical scanning unit includes a write scanning unit for vertically scanning at least the pixel circuit to generate a write scanning pulse for recording information according to the signal amplitude in the storage capacitor, and the vertical scanning line includes a plurality of write scanning lines connected to the write scanning unit. . Each of the horizontal scanning lines is wired so that a video signal for signal writing from the horizontal scanning unit is commonly provided to the input terminal of the first sampling transistor included in the plurality of columns. The control input terminal of the second sampling transistor belonging to each of the groups each including a plurality of columns to which the video signal is commonly supplied is used for vertical scanning of different rows of groups other than the group to which the second sampling transistor belongs. A pulse is connected to the vertical scan line so that a pulse is supplied to the control input terminal of the second sampling transistor in the vertical scan portion.

즉, 수평 주사계의 주사선인 영상 신호선이나 영상 신호를 복수열에서 공용하기 위해, 샘플링 트랜지스터는 2단 접속된 트랜지스터를 포함하는 더블게이트 구성으로 형성된다. 그리고, 공용 대상(對象)의 복수열의 영상 신호선은, 영상 신호선측의 더블게이트 구성의 샘플링 트랜지스터의 신호 입력단에 공통으로 접속된다.That is, in order to share a video signal line or a video signal which is a scanning line of a horizontal scanning system in a plurality of columns, the sampling transistor is formed in a double gate configuration including a transistor connected in two stages. The video signal lines of a plurality of columns of the shared object are commonly connected to the signal input terminal of the sampling transistor of the double gate configuration on the video signal line side.

한편, 제 2의 샘플링 트랜지스터는, 제 1 및 제 2의 샘플링 트랜지스터의 조합에 의해, 통상적인 1행마다의 수직 주사와 동기하여, 영상 신호가 구동 트랜지스터의 제어 입력단에 공급되도록, 자체 행이 속하는 공용화된 조를 제외한 다른 조의 각각 다른 행의 동종(同種)이나 이종(異種)의 수직 주사선과 접속하여 둔다. 그와 관련하여, "이종"이라는 것은, 조 내에서 제 2의 샘플링 트랜지스터의 제어 입력단과 접속되는 각 수직 주사선의 전부가 이종인 것을 의미하는 것이 아니고, 조 내의 각 제 2의 샘플링 트랜지스터의 제어 입력단이, 적어도 2종류의 수직 주사선과 접속되어 있는 것을 의미한다.On the other hand, the second sampling transistor belongs to its own row so that the video signal is supplied to the control input terminal of the driving transistor in synchronism with the normal vertical scanning for each row by the combination of the first and second sampling transistors. It is connected to the same or different vertical scan lines of different rows of the other groups except the shared group. In this regard, "heterogeneous" does not mean that all of the vertical scanning lines connected to the control input terminal of the second sampling transistor in the tank are heterogeneous, and that the control input terminal of each second sampling transistor in the tank is different. Means that it is connected with at least two types of vertical scanning lines.

표시 장치에서, 샘플링 트랜지스터는 더블게이트 구조를 가지며, 데블게이트 구조의 샘플링 트랜지스터의 신호 입력단은, 하나의 영상 신호선이 복수열의 화소 회로에 의해 공통으로 사용되도록 공용 대상의 영상 신호선에 공통으로 접속된다. 한편, 제 2의 샘플링 트랜지스터를 제어하기 위한 수직 주사선으로서는, 기존의 수직 주사선으로서, 자체 행이 속하는 공용화된 조를 제외한 다른 조의 각각 다른 행의 동종이나 이종의 수직 주사선을 할당한다.In the display device, the sampling transistor has a double gate structure, and the signal input terminal of the sampling transistor of the debate structure is commonly connected to the common video signal line so that one video signal line is commonly used by a plurality of column pixel circuits. On the other hand, as the vertical scanning line for controlling the second sampling transistor, as the existing vertical scanning line, the same or different vertical scanning lines of different rows of different groups except for the shared group to which the own row belongs are allocated.

이 때문에, 제어선이나 제어 신호의 수를 늘리지 않고, 영상 신호선이나 해당 영상 신호선을 경유하여 화소 회로에 공급되는 영상 신호를 복수열의 화소 회로에서 공용함으로써 저비용화를 도모하는 것이 가능해진다.Therefore, the cost can be reduced by sharing the video signal supplied to the pixel circuit via the video signal line or the video signal line in a plurality of columns without increasing the number of control lines or control signals.

<표시 장치의 전체 개요><Overview of display device>

도 1은, 본 발명에 관한 표시 장치의 한 실시예인 액티브 매트릭스형 표시 장치를 일반적인 구성을 도시한다. 본 실시예에서는, 표시 장치는 액티브 매트릭스형 유기 일렉트로루미네슨스(EL) 표시 장치(이하, "유기 EL 표시 장치"로 약칭)에 적용된다. 유기 EL 표시 장치에서, 유기 EL 소자는 각 화소의 표시 소자, 전기광학 소자 또는 발광 소자로 사용되고, 폴리실리콘 박막 트랜지스터(TFT)가 각 화소의 능동 소자로서 사용된다. 또한, 유기 EL 소자는 박막 트랜지스터가 상부에 형성된 반도체 기판 상에 형성된다. 상기 상술된 이러한 유기 EL 표시 장치는, 반도체 메모리, 미니디스크(MD) 또는 카세트 테이프와 같은 기록 매체를 활용하는 몇몇 다른 전자 기기 또는 휴대형 음악 플레이어에서 표시부로서 활용된다.1 shows a general configuration of an active matrix display device which is one embodiment of a display device according to the present invention. In the present embodiment, the display device is applied to an active matrix organic electroluminescence (EL) display device (hereinafter, abbreviated as "organic EL display device"). In the organic EL display device, the organic EL element is used as a display element, an electro-optical element or a light emitting element of each pixel, and a polysilicon thin film transistor (TFT) is used as an active element of each pixel. In addition, the organic EL element is formed on a semiconductor substrate on which a thin film transistor is formed. Such an organic EL display device described above is utilized as a display portion in some other electronic device or portable music player utilizing a recording medium such as a semiconductor memory, a mini disc (MD) or a cassette tape.

도 1에 도시하는 바와 같이, 유기 EL 표시 장치(1)는, 복수의 표시 소자로서의 유기 EL 소자(도시 생략)를 갖은 화소 회로(화소라고도 칭하여진다)(P)가 표시 애스펙트비인 종횡비가 X : Y(예를 들면 9 : 16)의 유효 영상 영역을 구성하도록 배치된 표시 패널부(100)와, 이 표시 패널부(100)를 구동 제어하는 여러가지의 펄스 신호를 발하는 패널 제어부의 한 예인 구동 신호 생성부(200)와, 영상 신호 처리부(300)를 구비하고 있다. 구동 신호 생성부(200)와 영상 신호 처리부(300)는, 1칩의 IC(Integrated Circuit)에 내장되어 있다.As shown in FIG. 1, the organic EL display device 1 has an aspect ratio in which a pixel circuit (also referred to as a pixel) P having an organic EL element (not shown) as a plurality of display elements has a display aspect ratio X: The drive signal which is an example of the display panel part 100 arrange | positioned so that the effective image area | region of Y (for example, 9:16), and the panel control part which generate | occur | produces various pulse signals which drive-control this display panel part 100 are shown. The generation unit 200 and the video signal processing unit 300 are provided. The drive signal generator 200 and the video signal processor 300 are embedded in a single chip integrated circuit (IC).

예를 들면, 유기 EL 표시 장치가 패널형의 표시 장치로 형성되면, TFT나 전기광학 소자 등의 화소 회로를 구성하는 소자를 행렬형상으로 배치한 화소 어레이부(102)와, 화소 어레이부(102)의 주변에 배치되고, 각 화소 회로(P)를 구동하기 위한 주사선과 접속된 주사부(수평 구동부나 수직 구동부)를 주요부로 하는 제어부(109)와, 제어부(109)를 동작시키기 위한 각종의 신호를 생성하는 구동 신호 생성부(200)나 영상 신호 처리부(300)를 구비하여 장치의 전체가 구성되는 것이 일반적이다.For example, when the organic EL display device is formed of a panel type display device, the pixel array unit 102 and the pixel array unit 102 in which elements constituting pixel circuits such as TFTs and electro-optical elements are arranged in a matrix form; ), The control unit 109 having a scanning unit (horizontal driving unit or vertical driving unit) as a main unit, arranged around the scanning line for driving each pixel circuit P, and various kinds of operations for operating the control unit 109. It is common to include a driving signal generator 200 or an image signal processor 300 for generating a signal to form the whole apparatus.

표시 패널부(100)는, 화소 회로(P)가 n행×m열의 매트릭스형상으로 배열된 화소 어레이부(102)와, 화소 회로(P)를 수직 방향으로 주사하는 수직 주사부의 한 예인 수직 구동부(103)와, 화소 회로(P)를 수평 방향으로 주사하는 수평 주사부의 한 예인 수평 구동부(106)와, 외부 접속용의 단자부 또는 패드부(108) 등이 집적된 형태로 형성되어 있다. 수평 구동부(106)는 수평 실렉터 또는 데이터선 구동부라고도 칭해진다. 즉, 수직 구동부(103)나 수평 구동부(106) 등의 주변 구동 회로가, 상부에 화소 어레이부(102)가 형성된 기판(101) 상에 형성된다.The display panel unit 100 includes a pixel array unit 102 in which pixel circuits P are arranged in a matrix of n rows by m columns, and a vertical driving unit that is an example of a vertical scanning unit that scans the pixel circuits P in a vertical direction. The 103, the horizontal driver 106, which is an example of the horizontal scanning unit for scanning the pixel circuit P in the horizontal direction, and the terminal portion or the pad portion 108 for external connection are formed in an integrated form. The horizontal driver 106 is also called a horizontal selector or data line driver. That is, peripheral drive circuits such as the vertical drive unit 103 and the horizontal drive unit 106 are formed on the substrate 101 on which the pixel array unit 102 is formed.

수직 구동부(103)에서는, 예를 들면, 기록 주사부(기록 스캔 WS ; Write Scan)(104)나 전원 공급 능력을 갖는 전원 스캐너로서 기능하는 구동 주사부(드라 이브 스캔(DS) ; Drive Scan)(105)를 갖는다. 수직 구동부(103)와 수평 구동부(106)로, 신호 전위의 보존 용량에의 기록이나, 임계치 보정 동작이나, 이동도 보정 동작이나, 부트스트랩 동작을 제어하는 제어부(109)가 구성된다.In the vertical drive unit 103, for example, a write scan unit (Write Scan WS) 104 or a drive scan unit (Drive Scan (DS) which functions as a power scanner having a power supply capability). Have 105. The vertical drive unit 103 and the horizontal drive unit 106 constitute a control unit 109 for controlling the recording of the signal potential into the storage capacitance, the threshold correction operation, the mobility correction operation, and the bootstrap operation.

단자부(108)에는, 유기 EL 표시 장치(1)의 외부에 배치된 구동 신호 생성부(200)로부터, 여러가지의 펄스 신호가 공급되도록 되어 있다. 또한 마찬가지로, 영상 신호 처리부(300)로부터 영상 신호(Vsig)가 공급되도록 되어 있다. 컬러 표시 대응의 경우에는, 색별(본 예에서는 R(적), G(녹), B(청)의 3원색)의 영상 신호(Vsig_R, G, B)가 공급된다.Various pulse signals are supplied to the terminal portion 108 from the drive signal generator 200 disposed outside the organic EL display device 1. Similarly, the video signal Vsig is supplied from the video signal processor 300. In the case of the color display correspondence, the video signals Vsig_R, G, and B of three different colors (R (red), G (green), and B (blue) in this example) are supplied.

한 예로서는, 수직 구동용의 펄스 신호로서, 수직 방향의 기록 시작 펄스의 한 예인 시프트 스타트 펄스(SPDS, SPWS)나 수직 주사 클록(CKDS, CKWS) 등 필요한 펄스 신호가 공급된다. 또한, 수평 구동용의 펄스 신호로서, 수평 방향의 기록 시작 펄스의 한 예인 수평 스타트 펄스(SPH)나 수평 주사 클록(CKH) 등 필요한 펄스 신호가 공급된다.As an example, as pulse signals for vertical driving, necessary pulse signals such as shift start pulses SPDS and SPWS, vertical scan clocks CKDS and CKWS, which are examples of recording start pulses in the vertical direction, are supplied. As a pulse signal for horizontal driving, necessary pulse signals such as a horizontal start pulse SPH and a horizontal scan clock CKH, which are examples of recording start pulses in the horizontal direction, are supplied.

화소 어레이부(102)에는, 수직 주사측의 각 주사선(수직 주사선 : 기록 주사선(104WS) 및 전원 공급선(105DSL))과 수평 주사측의 주사선(수평 주사선)인 영상 신호선(데이터선)(106HS)이 형성되어 있다. 수직 주사와 수평 주사의 각 주사선의 교차부부분에는 도시를 하지 않은 유기 EL 소자와 이것을 구동하는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 유기 EL 소자와 박막 트랜지스터의 조합으로 화소 회로(P)를 구성한다.In the pixel array unit 102, each scanning line (vertical scanning line: write scanning line 104WS and power supply line 105DSL) on the vertical scanning side and an image signal line (data line) 106HS which is a scanning line (horizontal scanning line) on the horizontal scanning side Is formed. An organic EL element (not shown) and a thin film transistor (TFT) driving the same are formed at the intersection portion of each scan line in the vertical scan and the horizontal scan. The pixel circuit P is constituted by a combination of an organic EL element and a thin film transistor.

구체적으로는, 매트릭스형상으로 배열된 각 화소 회로(P)에 대해서는, 기록 주사부(104)에 의해 기록 구동 펄스(WS)로 구동된 n행분의 기록 주사선(104WS_1 내지 104WS_n) 및 구동 주사부(105)에 의해 전원 구동 펄스(DSL)로 구동되는 n행분의 전원 공급선(105DSL_1 내지 105DSL_n)이 화소행마다 배선된다.Specifically, for each pixel circuit P arranged in a matrix form, n scan rows 104WS_1 to 104WS_n and a drive scan unit (for n rows driven by the write drive pulse WS by the write scan unit 104). N rows of power supply lines 105DSL_1 to 105DSL_n driven by the power supply driving pulse DSL are wired for each pixel row.

기록 주사부(104) 및 구동 주사부(105)는, 구동 신호 생성부(200)로부터 공급되는 수직 구동계의 펄스 신호에 의거하여, 기록 주사선(104WS) 및 전원 공급선(105DSL)을 통하여 각 화소 회로(P)를 순차적으로 선택한다. 수평 구동부(106)는, 구동 신호 생성부(200)로부터 공급되는 수평 구동계의 펄스 신호에 의거하여, 선택된 화소 회로(P)에 대해 영상 신호선(106HS)을 통하여 영상 신호(Vsig) 내의 소정 전위를 샘플링하여 보존 용량에 기록시킨다.The write scan unit 104 and the drive scan unit 105 each pixel circuit through the write scan line 104WS and the power supply line 105DSL based on the pulse signal of the vertical drive system supplied from the drive signal generator 200. Select (P) sequentially. The horizontal driver 106 applies a predetermined potential in the video signal Vsig to the selected pixel circuit P through the video signal line 106HS based on the pulse signal of the horizontal drive system supplied from the drive signal generator 200. Sampled and recorded in storage capacity.

본 실시예의 유기 EL 표시 장치(1)에서는, 선순차 구동이나 면순차(面順次) 구동 또는 그 밖에의 방식으로의 구동이 가능하게 되어 있고, 예를 들면, 수직 구동부(103)의 기록 주사부(104) 및 구동 주사부(105)는 행 단위로 화소 어레이부(102)를 주사함과 함께, 이에 동기하여 수평 구동부(106)가, 화상 신호를, 1수평 라인분을 동시에, 화소 어레이부(102)에 기록한다.In the organic EL display device 1 of the present embodiment, linear sequential driving, surface sequential driving, or other driving can be performed. For example, the recording scanning unit of the vertical driving unit 103 can be used. The 104 and the driving scanning unit 105 scan the pixel array unit 102 in units of rows, and in parallel with this, the horizontal driving unit 106 simultaneously outputs an image signal for one horizontal line. Record at 102.

수평 구동부(106)는, 예를 들면, 전(全) 열의 영상 신호선(106HS)상에 마련된 도시하지 않은 스위치를 일제히 온 시키는 드라이버 회로를 구비하여 구성되고, 영상 신호 처리부(300)로부터 입력되는 화소 신호를, 수직 구동부(103)에 의해 선택된 행의 1라인분의 모든 화소 회로(P)에 동시에 기록하기 위해, 전 열의 영상 신호선(106HS)상에 마련된 도시를 할사랑한 스위치를 일제히 온 시키고, 드라이버 회로를 경유하여 수평 주사선(영상 신호선(106HS))에 영상 신호(Vsig)(수평 주사 신 호의 한 예)가 공급된다.The horizontal driver 106 includes, for example, a driver circuit that turns on a switch (not shown) provided on all the video signal lines 106HS in a row, and includes pixels input from the video signal processor 300. In order to simultaneously record the signals to all the pixel circuits P for one line of the row selected by the vertical driver 103, all the switches provided on the video signal lines 106HS of all the columns are turned on at the same time, and the driver The video signal Vsig (an example of a horizontal scanning signal) is supplied to the horizontal scanning line (image signal line 106HS) via the circuit.

수직 구동부(103)의 각 부분은, 논리 게이트의 조합(래치도 포함한다)과 드라이버 회로에 의해 구성되고, 논리 게이트에 의해 화소 어레이부(102)의 각 화소 회로(P)를 행 단위로 선택하고, 드라이버 회로를 경유하여 수직 주사선에 수직 주사 신호가 공급된다. 또한, 도 1에서는, 화소 어레이부(102)의 일방측에만 수직 구동부(103)를 배치하는 구성을 나타내고 있지만, 화소 어레이부(102)를 끼우고 좌우 양측에 수직 구동부(103)를 배치하는 구성을 채택할 수도 있다. 마찬가지로, 도 1에서는, 화소 어레이부(102)의 일방측에만 수평 구동부(106)를 배치하는 구성을 나타내고 있지만, 화소 어레이부(102)를 끼우고 상하 양측에 수평 구동부(106)를 배치하는 구성을 채택할 수도 있다.Each portion of the vertical driver 103 is constituted by a combination of logic gates (including latches) and a driver circuit, and the pixel gates select each pixel circuit P of the pixel array unit 102 by a logic gate. The vertical scan signal is supplied to the vertical scan line via the driver circuit. In addition, although the structure which arrange | positions the vertical drive part 103 only to one side of the pixel array part 102 is shown in FIG. 1, the structure which sandwiches the pixel array part 102 and arrange | positions the vertical drive part 103 to both left and right sides is shown. May be adopted. Similarly, although FIG. 1 shows the structure which arrange | positions the horizontal drive part 106 only to one side of the pixel array part 102, the structure which arrange | positions the pixel drive part 102 and arranges the horizontal drive part 106 on both sides of upper and lower sides. May be adopted.

이들 수직 구동부(103)(기록 주사부(104) 및 구동 주사부(105))나 수평 구동부(106)와 수직 주사선(기록 주사선(104WS) 및 전원 공급선(105DSL))이나 수평 주사선(영상 신호선(106HS))의 접속 양태로부터 알 수 있는 바와 같이, 주사 신호를 화소 어레이부(102)의 각 화소 회로(P)에 공급하는데는 주사선이 필요해지고, 단순한 구조에서는, 화소 회로(P)의 수가 증가하면 주사선의 수도 그에 응하여 증가하고, 이 주사선을 구동하는 드라이버 회로도 증가하여 버린다. 도 1에서는 편의적으로, 행마다나 열마다 주사선을 배치한 형태로 나타내고 있지만, 후술하는 본 실시예의 구조에서는, 화소 수를 유지하면서 주사선(특히 영상 신호선(106HS))의 수를 삭감하는 구조를 채택한다.These vertical driving units 103 (write scanning unit 104 and driving scanning unit 105), horizontal driving unit 106, vertical scanning lines (writing scanning line 104WS and power supply line 105DSL), and horizontal scanning lines (image signal lines ( As can be seen from the connection mode of 106HS), scanning lines are required to supply the scanning signals to the pixel circuits P of the pixel array unit 102, and in a simple structure, the number of the pixel circuits P increases. When the number of scanning lines is reduced, the number of scanning lines increases accordingly, and the driver circuit for driving the scanning lines also increases. In Fig. 1, the scan lines are arranged for each row or column for convenience, but the structure of the present embodiment described later adopts a structure in which the number of scan lines (particularly the video signal lines 106HS) is reduced while maintaining the number of pixels. .

<비교예의 화소 회로 : 제 1 예><Pixel Circuit of Comparative Example: First Example>

도 2에 도시하는 바와 같이, 제 1 비교예의 화소 회로(P)는, 기본적으로 p형의 박막 전계효과 트랜지스터(TFT)로 드라이브 트랜지스터가 구성되어 있는 점에 특징을 갖는다. 또한, 도라이브 트랜지스터 외에 주사용으로 2개의 트랜지스터를 사용한 3Tr 구동의 구성을 채택하고 있다.As shown in FIG. 2, the pixel circuit P of the first comparative example is basically characterized in that a drive transistor is composed of a p-type thin film field effect transistor TFT. In addition to the dove transistor, a configuration of 3Tr driving using two transistors for scanning is adopted.

구체적으로는, 제 1 비교예의 화소 회로(P)는, p형의 구동 트랜지스터(121), 액티브(L)의 구동 펄스가 공급되는 p형의 발광 제어 트랜지스터(122), 액티브-H 구동 펄스가 공급되는 n형 트랜지스터(125), 전류가 흐름으로써 발광하는 전기광학 소자(발광 소자)의 한 예인 유기 EL 소자(127), 및 보존 용량(화소용량이라고도 칭하여진다)(120)을 갖는다. 또한, 가장 단순한 회로로서, 발광 제어 트랜지스터(122)를 떼어낸 2Tr 구동의 구성을 채택할 수도 있다. 이 경우, 유기 EL 표시 장치(1)에서는 구동 주사부(105)를 떼어낸 구성을 채택한다.Specifically, the pixel circuit P of the first comparative example includes the p-type driving transistor 121, the p-type light emission control transistor 122 to which the driving pulse of the active L is supplied, and the active-H driving pulse. N-type transistor 125 to be supplied, an organic EL element 127 which is an example of an electro-optical element (light emitting element) that emits light as a current flows, and a storage capacitor (also referred to as a pixel capacitance) 120. In addition, as the simplest circuit, a configuration of 2Tr driving in which the light emission control transistor 122 is removed may be adopted. In this case, the organic EL display device 1 adopts a configuration in which the driving scan unit 105 is removed.

구동 트랜지스터(121)는, 제어 입력 단자인 게이트단에 공급되는 전위에 응한 구동 전류를 유기 EL 소자(127)에 공급하도록 되어 있다. 일반적으로, 유기 EL 소자(127)는 정류성이 있기 때문에 다이오드의 기호로 나타내고 있다. 또한, 유기 EL 소자(127)에는, 기생 용량(Cel)이 존재한다. 도면에서는, 기생 용량(Cel)를 유기 EL 소자(127)와 병렬로 나타낸다.The driving transistor 121 is configured to supply the driving current corresponding to the potential supplied to the gate terminal serving as the control input terminal to the organic EL element 127. In general, the organic EL element 127 is represented by a symbol of a diode because of its rectifying property. In addition, the parasitic capacitance Cel exists in the organic EL element 127. In the figure, the parasitic capacitance Cel is shown in parallel with the organic EL element 127.

샘플링 트랜지스터(125)는, 구동 트랜지스터(121)의 게이트단(제어 입력 단자)측에 마련된 스위칭 트랜지스터이고, 또한, 발광 제어 트랜지스터(122)도 스위칭 트랜지스터이다. 또한, 일반적으로는, 샘플링 트랜지스터(125)는 액티브(L)의 구동 펄스가 공급되는 p형으로 치환할 수도 있다. 발광 제어트랜지스터(122)는 액 티브-H 구동 펄스가 공급되는 n형으로 치환할 수도 있다.The sampling transistor 125 is a switching transistor provided on the gate terminal (control input terminal) side of the driving transistor 121, and the light emission control transistor 122 is also a switching transistor. In general, the sampling transistor 125 may be replaced with a p-type to which a driving pulse of the active (L) is supplied. The emission control transistor 122 may be replaced with an n-type supplied with an active-H driving pulse.

화소 회로(P)는, 수직 주사측의 각 주사선(104WS, 105DS)과 수평 주사측의 주사선인 영상 신호선(106HS)의 교차부에 배치되어 있다. 기록 주사부(104)로부터의 기록 주사선(104WS)은, 샘플링 트랜지스터(125)의 게이트단에 접속되고, 구동 주사부(105)로부터의 구동 주사선(105DS)은 발광 제어 트랜지스터(122)의 게이트단에 접속되어 있다.The pixel circuit P is disposed at the intersection of each of the scanning lines 104WS and 105DS on the vertical scanning side and the video signal line 106HS which is the scanning line on the horizontal scanning side. The write scan line 104WS from the write scan unit 104 is connected to the gate end of the sampling transistor 125, and the drive scan line 105DS from the drive scan unit 105 is connected to the gate end of the light emission control transistor 122. Is connected to.

샘플링 트랜지스터(125)는, 소스단(S)을 신호 입력단으로서 영상 신호선(106HS)에 접속되고, 드레인단(D)을 신호 출력단으로서 구동 트랜지스터(121)의 게이트단(G)에 접속되고, 그 접속점과 제 2 전원 전위(Vc2)(예를 들면 정전원 전압, 제 1 전원 전위(Vc1)와 같아도 좋다) 사이에 보존 용량(120)이 마련되어 있다. 괄호를 써서 나타내는 바와 같이, 샘플링 트랜지스터(125)는, 소스단(S)과 드레인단(D)을 역전시켜서, 드레인단(D)을 신호 입력단으로서 영상 신호선(106HS)에 접속하고, 소스단(S)을 신호 출력단으로서 구동 트랜지스터(121)의 게이트단(G)에 접속할 수도 있다.The sampling transistor 125 is connected to the video signal line 106HS as the source terminal S as the signal input terminal, and to the gate terminal G of the driving transistor 121 as the drain terminal D as the signal output terminal. The storage capacitor 120 is provided between the connection point and the second power source potential Vc2 (for example, may be the same as the electrostatic source voltage or the first power source potential Vc1). As shown in parentheses, the sampling transistor 125 reverses the source terminal S and the drain terminal D, connects the drain terminal D to the video signal line 106HS as a signal input terminal, and connects the source terminal ( S may be connected to the gate terminal G of the driving transistor 121 as a signal output terminal.

구동 트랜지스터(121), 발광 제어 트랜지스터(122), 및 유기 EL 소자(127)는, 제 1 전원 전위(Vc1)(예를 들면 정전원 전압)와 기준 전위의 한 예인 접지 전위(GND) 사이에서, 이 순서로 직렬로 접속되어 있다. 구체적으로는, 구동 트랜지스터(121)는, 소스단(S)이 제 1 전원 전위(Vc1)에 접속되고, 드레인단(D)이 발광 제어 트랜지스터(122)의 소스단(S)에 접속되어 있다. 발광 제어 트랜지스터(122)의 드레인단(D)이, 유기 EL 소자(127)의 애노드단(A)에 접속되고, 유기 EL 소자(127) 의 캐소드단(K)이 전 화소 공통의 캐소드 공통 배선(127K)에 접속되어 있다. 캐소드 공통 배선(127K)은, 한 예로서 접지 전위(GND)가 되고, 이 경우, 캐소드 전위(Vcath)도 접지 전위(GND)가 된다.The driving transistor 121, the light emission control transistor 122, and the organic EL element 127 are disposed between the first power source potential Vc1 (for example, the electrostatic source voltage) and the ground potential GND, which is an example of the reference potential. Are connected in series in this order. Specifically, in the driving transistor 121, the source terminal S is connected to the first power supply potential Vc1, and the drain terminal D is connected to the source terminal S of the light emission control transistor 122. . The drain terminal D of the light emission control transistor 122 is connected to the anode terminal A of the organic EL element 127, and the cathode terminal K of the organic EL element 127 is the cathode common wiring common to all pixels. It is connected to 127K. As an example, the cathode common wiring 127K becomes the ground potential GND, and in this case, the cathode potential Vcath also becomes the ground potential GND.

도 2에 도시한 3Tr 구동이나 도시하지 않은 2Tr 구동의 어느 것에서도, 유기 EL 소자(127)는 전류 발광 소자이기 때문에, 유기 EL 소자(127)에 흐르는 전류량을 컨트롤함으로서 발색의 계조를 얻는다. 이를 위해, 구동 트랜지스터(121)의 게이트단에의 인가 전압을 변화시키고, 보존 용량(120)에 보존되는 게이트-소스 사이 전압(Vgs)을 변화시킴으로써, 유기회 EL 소자(127)에 흐르는 전류치를 컨트롤한다. 이 때에는, 영상 신호선(106HS)으로부터 공급된 영상 신호(Vsig)의 전위(영상 신호선 전위)를 신호 전위로 한다. 또한, 계조를 나타내는 신호 진폭은 △Vin로 한다.In either the 3Tr drive shown in FIG. 2 or the 2Tr drive not shown, since the organic EL element 127 is a current light emitting element, the color tone is obtained by controlling the amount of current flowing through the organic EL element 127. To this end, the current value flowing through the organic EL element 127 is changed by changing the voltage applied to the gate terminal of the driving transistor 121 and changing the gate-source voltage Vgs stored in the storage capacitor 120. Control At this time, the potential (video signal line potential) of the video signal Vsig supplied from the video signal line 106HS is set as the signal potential. In addition, the signal amplitude which shows gray scale is set to (DELTA) Vin.

기록 주사부(104)로부터 액티브-H 기록 구동 펄스(WS)를 공급하여 기록 주사선(104WS)을 선택 상태로 하고, 수평 구동부(106)로부터 영상 신호선(106HS)에 신호 전위를 인가하면, n형 트랜지스터(125)가 도통하고, 신호 전위가 구동 트랜지스터(121)의 게이트단의 전위가 되고, 신호 진폭(△Vin)에 대응하는 정보가 보존 용량(120)에 기록된다. 구동 트랜지스터(121) 및 유기 EL 소자(127)에 흐르는 전류는, 보존 용량(120)에 보존되어 있는 구동 트랜지스터(121)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)에 응한 값이 되고, 유기 EL 소자(127)는 그 전류치에 응한 휘도로 계속 발광한다. 기록 주사선(104WS)을 선택하여 영상 신호선(106HS)에 주어진 영상 신호(Vsig)를 화소 회로(P)의 내부에 전하는 동작을, "기록" 또는 "샘플링"이라고 부른다. 한번 신호의 기록을 행하면, 다음에 재기록될 때까지의 동안, 유기 EL 소 자(127)는 일정한 휘도로 발광을 계속한다.N-type is supplied by supplying the active-H write drive pulse WS from the write scan unit 104 to put the write scan line 104WS in the selected state, and applying a signal potential from the horizontal drive unit 106 to the video signal line 106HS. The transistor 125 is turned on, the signal potential becomes the potential of the gate terminal of the driving transistor 121, and information corresponding to the signal amplitude ΔVin is written in the storage capacitor 120. The current flowing through the driving transistor 121 and the organic EL element 127 becomes a value corresponding to the gate-source voltage Vgs of the driving transistor 121 stored in the storage capacitor 120, and the organic EL element ( 127 continues to emit light at a luminance corresponding to the current value. The operation of selecting the write scan line 104WS and transmitting the video signal Vsig given to the video signal line 106HS into the pixel circuit P is called "write" or "sampling". Once the signal is recorded, the organic EL element 127 continues to emit light at a constant luminance until it is next rewritten.

제 1 비교예의 화소 회로(P)에서는, 구동 트랜지스터(121)의 게이트단에 공급하는 인가 전압를 신호 진폭(△Vin)에 응하여 변화시킴으로써, EL 유기 EL 소자(127)에 흐르는 전류치를 제어하고 있다. 이 때, p형의 구동 트랜지스터(121)의 소스단은 제 1 전원 전위(Vc1)에 접속되어 있고, 이 구동 트랜지스터(121)는 항상 포화 영역에서 동작하고 있다.In the pixel circuit P of the first comparative example, the current value flowing through the EL organic EL element 127 is controlled by changing the applied voltage supplied to the gate terminal of the driving transistor 121 in response to the signal amplitude DELTA Vin. At this time, the source terminal of the p-type driving transistor 121 is connected to the first power source potential Vc1, and the driving transistor 121 is always operating in the saturation region.

<비교예의 화소 회로 : 제 2 예><Pixel Circuit of Comparative Example: Second Example>

다음에, 도 3에 도시된 제 2 실시예의 화소 회로(P)를 설명한다. 도 3을 참조하면, 제 2 비교예의 화소 회로(P)는, 기본적으로 n형의 박막 전계효과 트랜지스터로 드라이브 트랜지스터가 구성되어 있는 점에 특징을 갖는다(후술하는 본 발명의 실시예에서도 마찬가지). p형이 아니라 n형으로 각 트랜지스터를 구성할 수가 있으면, 트랜지스터 작성에 있어서 종래의 어모퍼스 실리콘(a-Si) 프로세스를 이용하는 것이 가능해진다. 이로써, 트랜지스터 기판의 저비용화가 가능해지고, 이와 같은 구성의 화소 회로(P)의 개발이 기대된다.Next, the pixel circuit P of the second embodiment shown in FIG. 3 will be described. Referring to Fig. 3, the pixel circuit P of the second comparative example is characterized in that the drive transistor is basically composed of an n-type thin film field effect transistor (the same applies to the embodiment of the present invention described later). If each transistor can be configured by n type instead of p type, it is possible to use a conventional amorphous silicon (a-Si) process in producing a transistor. As a result, the transistor substrate can be reduced in cost, and the development of the pixel circuit P having such a configuration is expected.

제 2 비교예의 화소 회로(P)는, 기본적으로 n형의 박막 전계효과 트랜지스터로 드라이브 트랜지스터가 구성되어 있는 점에서 후술하는 본 실시예와 같지만, 유기 EL 소자(127)나 구동 트랜지스터(121)의 특성 변동(편차나 경시변화)에 의한 구동 전류(Ids)에 주는 영향을 막기 위한 구동 신호 일정화 회로가 마련되어 있지 않다.The pixel circuit P of the second comparative example is basically the same as the present embodiment described later in that the drive transistor is composed of an n-type thin film field effect transistor, but the organic EL element 127 and the driving transistor 121 A drive signal constant circuit is not provided to prevent the influence on the drive current Ids due to characteristic variations (deviation or change over time).

구체적으로는, 제 2 비교예의 화소 회로(P)는, 제 1 비교예의 화소 회로(P) 에 있어서의 p형의 구동 트랜지스터(121)를 단순히 n형의 구동 트랜지스터(121)로 치환하고, 그 소스단측에 발광 제어 트랜지스터(122)나 유기 EL 소자(127)를 배치한 것이다. 또한, 발광 제어 트랜지스터(122)도 n형으로 치환하고 있다. 물론, 가장 단순한 회로로서, 발광 제어 트랜지스터(122)를 떼어낸 2Tr 구동의 구성을 채택할 수도 있다.Specifically, the pixel circuit P of the second comparative example simply replaces the p-type driving transistor 121 in the pixel circuit P of the first comparative example with the n-type driving transistor 121, and The light emission control transistor 122 and the organic EL element 127 are disposed on the source end side. The light emission control transistor 122 is also replaced with an n type. Of course, as the simplest circuit, a configuration of 2Tr driving in which the light emission control transistor 122 is removed may be adopted.

제 2 비교예의 화소 회로(P)에서는, 발광 제어 트랜지스터를 마련하는지의 여부에 관계없이, 유기 EL 소자(127)를 구동할 때에는, 구동 트랜지스터(121)의 드레인단측이 제 1 전원전위(Vc1)에 접속되고, 소스단이 유기 EL 소자(127)의 애노드단측에 접속된 것으로, 전체로서 소스 폴로워 회로를 형성하도록 되어 있다.In the pixel circuit P of the second comparative example, regardless of whether or not a light emission control transistor is provided, when driving the organic EL element 127, the drain end side of the driving transistor 121 is the first power source potential Vc1. The source terminal is connected to the anode end side of the organic EL element 127 to form a source follower circuit as a whole.

<전기광학 소자의 Iel-Vel 특성의 관계><Relationship of Iel-Vel Characteristics of Electro-optical Device>

일반적으로, 도 4a에 도시하는 바와 같이, 구동 트랜지스터(121)는 드레인-소스 사이 전압에 관계없이 구동 전류(Ids)가 일정하게 되는 포화 영역에서 구동된다. 따라서, 포화 영역에서 동작하는 트랜지스터의 드레인단-소스 사이에 흐르는 전류를 Ids, 이동도를 μ, 채널 폭(게이트 폭)을 W, 채널 길이(게이트 길이)를 L, 게이트 용량(단위 면적당의 게이트 산화막 용량)을 Cox, 트랜지스터의 임계치 전압을 Vth로 하면, 구동 트랜지스터(121)는 하기한 식(1)에 표시한 값을 갖는 정전류원으로 되어 있다. 또한, "^"는 멱승을 나타낸다. 식(1)로부터 분명한 바와 같이, 포화 영역에서는 트랜지스터의 드레인 전류(Ids)는 게이트-소스 사이 전압(Vgs)에 의해 제어되고 정전류원으로서 동작한다.In general, as shown in FIG. 4A, the driving transistor 121 is driven in a saturation region where the driving current Ids is constant regardless of the voltage between the drain and the source. Therefore, the current flowing between the drain terminal and the source of the transistor operating in the saturation region is Ids, the mobility is μ, the channel width (gate width) W, the channel length (gate length) L, the gate capacitance (gate per unit area). When the oxide film capacitance is set to Cox and the threshold voltage of the transistor is Vth, the driving transistor 121 is a constant current source having the value indicated by the following equation (1). In addition, "^" represents power. As is apparent from equation (1), in the saturation region, the drain current Ids of the transistor is controlled by the gate-source voltage Vgs and operates as a constant current source.

Figure 112009018974495-PAT00001
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그런데, 일반적으로 유기 EL 소자를 위시한 전류 구동형의 발광 소자의 I-V 특성은, 도 4b에 도시하는 바와 같이 시간이 경과하면 변화한다. 도 4b에 도시하는 유기 EL 소자로 대표되는 전류 구동형의 발광 소자의 전류-전압(Iel-Vel) 특성에 있어서, 실선으로 도시하는 곡선이 초기 상태시의 특성을 나타내고, 파선으로 도시하는 곡선이 경시변화 후의 특성을 나타내고 있다.By the way, generally, the I-V characteristic of the current-driven light emitting element including the organic EL element changes as time passes. In the current-voltage (Iel-Vel) characteristics of the current-driven light emitting element represented by the organic EL element shown in Fig. 4B, the curve shown by the solid line shows the characteristic at the initial state, and the curve shown by the broken line is shown. The characteristic after a change with time is shown.

예를 들면, 발광 소자의 한 예인 유기 EL 소자(127)에 발광 전류(Iel)가 흐를 때, 그 제 1 전원 전위(Vel)는 일률적으로 결정된다. 그런데, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 발광 기간중에는, 구동 트랜지스터(121)의 구동 전류(Ids)로 결정되는 발광 전류(Iel)가 유기 EL 소자(127)의 애노드단에 흐르고, 그에 의해 유기 EL 소자(127)의 애노드-캐소드 사이 전압(Vel) 분만큼 상승한다.For example, when the luminous current Iel flows through the organic EL element 127 which is one example of the luminous means, the first power source potential Vel is determined uniformly. By the way, as shown in FIG. 4B, during the light emission period, the light emission current Iel determined by the drive current Ids of the drive transistor 121 flows to the anode end of the organic EL element 127, whereby the organic EL The anode-cathode voltage (Vel) of the device 127 rises by a minute.

도 2에 도시한 제 1 비교예의 화소 회로(P)는, 이 유기 EL 소자(127)의 애노드-캐소드 사이 전압(Vel)분의 상승의 영향은 구동 트랜지스터(121)의 드레인단측에 나타나지만, 구동 트랜지스터(121)가 포화 영역에서 동작하는 정전류 구동이기 때문에, 유기 EL 소자(127)에는 정전류(Ids)가 계속 흐르고, 유기 EL 소자(127)의 Iel-Vel 특성이 변화하여도 그 발광 휘도가 경시변화하는 일은 없다.In the pixel circuit P of the first comparative example shown in FIG. 2, the influence of the rise of the voltage between the anode and the cathode of the organic EL element 127 is shown on the drain end side of the driving transistor 121, but driving is performed. Since the transistor 121 is a constant current driving operating in the saturation region, the constant current Ids continues to flow through the organic EL element 127, and its luminescence brightness is maintained over time even if the Iel-Vel characteristic of the organic EL element 127 changes. Nothing changes.

도 3을 참조하면, 제 2 비교예의 화소 회로(P)는, 구동 트랜지스터(121)와, 발광 제어 트랜지스터(122)와, 보존 용량(120)과, 샘플링 트랜지스터(125)를 구비하고, 도 2에 도시한 접속 상태가 된 화소 회로(P)의 구성에서, 전기광학 소자의 한 예인 유기 EL 소자(127)의 전류-전압 특성의 변화를 보정하여 구동 전류를 일정하게 유지하는 구동 신호 일정화 회로가 구성되도록 되어 있는 것이다. 즉, 화소 회로(P)를 영상 신호(Vsig)로 구동할 때, p형의 구동 트랜지스터(121)의 소스단은 제 1 전원 전위(Vc1)에 접속되어 있고, 항상 포화 영역에서 동작하도록 설계되어 있기 때문에, 상기한 식(1)에 의해 정의되는 값의 전류를 공급하는 정전류원으로서 기능한다.Referring to FIG. 3, the pixel circuit P of the second comparative example includes a driving transistor 121, a light emission control transistor 122, a storage capacitor 120, and a sampling transistor 125. In the configuration of the pixel circuit P in the connected state shown in Fig. 1, a drive signal constant circuit for correcting a change in the current-voltage characteristic of the organic EL element 127, which is an example of an electro-optic element, to keep the drive current constant Is to be configured. That is, when driving the pixel circuit P with the image signal Vsig, the source terminal of the p-type driving transistor 121 is connected to the first power source potential Vc1 and is designed to always operate in the saturation region. Therefore, it functions as a constant current source for supplying a current having a value defined by the above expression (1).

또한, 제 1 비교예의 화소 회로(P)에서는, 유기 EL 소자(127)의 Iel-Vel 특성의 경시변화(도 4b)와 함께, 구동 트랜지스터(121)의 드레인단의 전압이 변화하여 가지만, 구동 트랜지스터(121)는, 보존 용량(120)의 부트스트랩 기능에 의해 게이트-소스 사이 전압(Vgs)이 원리적으로는 일정하게 유지되기 때문에, 구동 트랜지스터(121)는 정전류원으로서 동작하고, 그 결과, 유기 EL 소자(127)에는 일정량의 전류가 흐르고, 유기 EL 소자(127)를 일정한 휘도로 발광시킬 수 있고, 발광 휘도는 변화하지 않는다.In the pixel circuit P of the first comparative example, the voltage at the drain terminal of the driving transistor 121 changes while the Iel-Vel characteristic of the organic EL element 127 changes with time (FIG. 4B). Since the gate-source voltage Vgs is kept constant in principle by the bootstrap function of the storage capacitor 120, the transistor 121 operates as a constant current source, and as a result, A certain amount of current flows through the organic EL element 127, and the organic EL element 127 can emit light at a constant luminance, and the emission luminance does not change.

제 2 비교예의 화소 회로(P)에서도, 구동 트랜지스터(121)의 소스단의 전위(소스 전위(Vs))는, 구동 트랜지스터(121)와 유기 EL 소자(127)와의 동작점에서 정해지고, 구동 트랜지스터(121)는 포화 영역에서 구동되기 때문에, 동작점의 소스 전압에 대응한 게이트-소스 사이 전압(Vgs)에 관해, 전술한 식(1)에 규정된 전류치의 구동 전류(Ids)를 흘린다.Also in the pixel circuit P of the second comparative example, the potential (source potential Vs) of the source terminal of the driving transistor 121 is determined at the operating point of the driving transistor 121 and the organic EL element 127, and driving is performed. Since the transistor 121 is driven in the saturation region, the drive current Ids of the current value defined in the above formula (1) flows with respect to the gate-source voltage Vgs corresponding to the source voltage of the operating point.

그런데, 제 1 비교예의 화소 회로(P)의 p형의 구동 트랜지스터(121)를 n형으로 변경한 단순한 회로(제 2 비교예의 화소 회로(P))에서는, 소스단이 유기 EL 소 자(127)측에 접속되어 버린다. 그 결과, 전술한 도 4b에 도시한 바와 같이 경시변화하는 유기 EL 소자(127)의 Iel-Vel 특성에 의해, 같은 발광 전류(Iel)에 대한 애노드-캐소드 사이 전압(Vel)이 Vel1로부터 Vel2로 변화하기 때문에, 구동 트랜지스터(121)의 동작점이 변화하여 버리고, 같은 게이트 전위(Vg)를 인가하여도 구동 트랜지스터(121)의 소스 전위(Vs)는 변화하여 버린다. 이로 인해, 구동 트랜지스터(121)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)은 변화하여 버린다. 상기 식(1)로부터 분명한 바와 같이, 게이트-소스 사이 전압(Vgs)이 변동하면, 예를 들어 게이트 전위(Vg)가 일정하여도 구동 전류(Ids)가 변동하여 버린다. 이 원인에 의한 구동 전류(Ids)의 변동은 화소 회로(P)마다의 발광 휘도의 편차나 경시 변동이 되어 나타난다.By the way, in a simple circuit in which the p-type driving transistor 121 of the pixel circuit P of the first comparative example is changed to n-type (pixel circuit P of the second comparative example), the source terminal is the organic EL element 127. Is connected to the As a result, the anode-cathode voltage Vel for the same emission current Iel is changed from Vel1 to Vel2 by the Iel-Vel characteristic of the organic EL element 127 that changes over time as shown in FIG. 4B. Since the operating point of the driving transistor 121 changes, the source potential Vs of the driving transistor 121 changes even when the same gate potential Vg is applied. As a result, the gate-source voltage Vgs of the driving transistor 121 changes. As apparent from Equation (1), when the gate-source voltage Vgs fluctuates, for example, the drive current Ids fluctuates even if the gate potential Vg is constant. The fluctuation in the drive current Ids due to this cause is caused by the variation in the luminance of the light emission for each pixel circuit P or the variation over time.

이에 대해, 상세는 후술하지만, n형의 구동 트랜지스터(121)를 사용하는 경우에도, 구동 트랜지스터(121)의 소스단의 전위(Vs)의 변동에 게이트단의 전위(Vg)가 연동하도록 하는 부트스트랩 기능을 실현하는 회로 구성 및 구동 타이밍으로 함응로써, 유기 EL 소자(127)의 특성의 경시 변동에 의한 유기 EL 소자(127)의 애노드 전위 변동(즉 구동 트랜지스터(121)의 소스 전위 변동)이 있더라도, 그 변동을 상쇄하도록 게이트 전위(Vg)를 변동시킬 수 있다. 이로써, 화면 휘도의 균일성(유니포미티)를 확보할 수 있다. 부트스트랩 기능에 의해, 유기 EL 소자를 대표로 하는 전류 구동형의 발광 소자의 경시 변동 보정 능력을 향상시킬 수 있다. 물론, 이 부트스트랩 기능은, 발광 시작 시점에서, 유기 EL 소자(127)에 발광 전류(Iel)가 흐르기 시작하고, 그로 인해 애노드-캐소드 사이 전압(Vel)이 안정하게 될 때까지 상승하여 가는 과정에서, 그 애노드-캐소드 사이 전압(Vel)의 변동에 수반하여 구동 트랜지스터(121)의 소스 전위(Vs)가 변동할 때에도 기능한다.On the other hand, although the details will be described later, even when the n-type driving transistor 121 is used, a boot that causes the potential Vg of the gate terminal to cooperate with the variation of the potential Vs of the source terminal of the driving transistor 121. By adapting to the circuit configuration and the driving timing to realize the strap function, the anode potential variation (i.e., the source potential variation of the driving transistor 121) of the organic EL element 127 due to the time-dependent variation of the characteristics of the organic EL element 127 is obtained. Even if it is, the gate potential Vg can be varied to cancel the variation. Thereby, the uniformity (uniformity) of screen brightness can be ensured. The bootstrap function makes it possible to improve the ability to correct fluctuations over time of the current-driven light-emitting element typified by the organic EL element. Of course, this bootstrap function is a process of rising until the light emission current Iel starts to flow in the organic EL element 127 at the start of light emission, and thereby the voltage between the anode and the cathode becomes stable. Also functions when the source potential Vs of the driving transistor 121 fluctuates with the fluctuation of the anode-cathode voltage Vel.

<구동 트랜지스터의 Vgs-Ids 특성의 관계><Relationship between Vgs-Ids Characteristics of Driving Transistors>

또한, 제 1 및 제 2 비교예에서는, 구동 트랜지스터(121)의 특성에 관해서는 특히 문제시하고 있지 않았지만, 화소마다 구동 트랜지스터(121)의 특성이 다르면, 그 영향이구동 트랜지스터(121)에 흐르는 구동 전류(Ids)에 영향을 미친다. 한 예로서는, 식(1)로 부터 알 수 있는 바와 같이, 이동도(μ)나 임계치 전압(Vth)이 화소에 의해 흐트러진 경우나 경시적으로 변화한 경우, 게이트-소스 사이 전압(Vgs)이 같더라도, 구동 트랜지스터(121)에 흐르는 구동 전류(Ids)에 편차나 경시변화가 생기고, 유기 EL 소자(127)의 발광 휘도도 화소마다 변화하여 버리게 된다.In the first and second comparative examples, the characteristics of the driving transistor 121 are not particularly problematic. However, if the characteristics of the driving transistor 121 differ from pixel to pixel, the influence of the driving current flows through the driving transistor 121. Affects (Ids) As an example, as can be seen from equation (1), when the mobility (μ) or the threshold voltage (Vth) is disturbed by the pixel or changes over time, the gate-source voltage (Vgs) is the same. Even if the driving current Ids flows through the driving transistor 121, a deviation or a change with time occurs, and the light emission luminance of the organic EL element 127 also changes for each pixel.

예를 들면, 구동 트랜지스터(121)의 제조 프로세스의 편차에 의해, 화소 회로(P)마다에 임계치 전압(Vth)이나 이동도(μ) 등의 특성 변동이 있다. 구동 트랜지스터(121)를 포화 영역에서 구동하는 경우에도, 이 특성 변동에 의해, 구동 트랜지스터(121)에 동일한 게이트 전위를 주어도, 화소 회로(P)마다 드레인 전류(구동 전류(Ids))가 변동하고, 발광 휘도의 편차가 되어 나타난다.For example, due to variations in the manufacturing process of the driving transistor 121, there are variations in characteristics such as the threshold voltage Vth and the mobility μ for each pixel circuit P. FIG. Even when the driving transistor 121 is driven in the saturation region, even when the driving transistor 121 is supplied with the same gate potential, the drain current (driving current Ids) varies for each pixel circuit P. This is caused by deviation of the light emission luminance.

전술한 바와 같이, 구동 트랜지스터(121)가 포화 영역에서 동작하고 있을 때의 드레인 전류(Ids)는, 상기 식(1)로 표시된다. 구동 트랜지스터(121)의 임계치 전압 편차에 주목한 경우, 상기 식(1)로부터 분명한 바와 같이, 임계치 전압(Vth)이 변동하면, 게이트-소스 사이 전압(Vgs)이 일정하여도 드레인 전류(Ids)가 변동한다. 또한, 구동 트랜지스터(121)의 이동도 편차에 주목한 경우, 상기 식(1)로부 터 분명한 바와 같이, 이동도(μ)가 변동하면, 게이트-소스 사이 전압(Vgs)이 일정하여도 드레인 전류(Ids)가 변동한다.As described above, the drain current Ids when the driving transistor 121 is operating in the saturation region is represented by the above formula (1). When attention is paid to the threshold voltage deviation of the driving transistor 121, as apparent from Equation (1), when the threshold voltage Vth fluctuates, the drain current Ids even when the gate-source voltage Vgs is constant. Fluctuates. In addition, when paying attention to the variation in mobility of the driving transistor 121, as apparent from Equation (1) above, if the mobility μ varies, the drain current is constant even when the gate-source voltage Vgs is constant. (Ids) fluctuates.

이와 같이, 임계치 전압(Vth)이나 이동도(μ)의 차이로 Vgs-Ids 특성에 큰 차이가 나타나게 되면, 같은 신호 진폭(△Vin)을 주어도, 구동 전류(Ids)가 변동하고, 발광 휘도가 달라져 버리고, 화면 휘도의 균일성을 얻을 수가 없다. 이에 대해, 임계치 보정 기능 및 이동도 보정 기능를 실현하는 구동 타이밍(상세는 후술한다)으로 함으로써, 그들의 변동의 영향을 억제할 수 있고, 화면 휘도의 균일성을 확보할 수 있다.As described above, when the difference in the threshold voltage Vth or the mobility μ causes a large difference in the Vgs-Ids characteristic, even when the same signal amplitude ΔVin is applied, the driving current Ids fluctuates and the emission luminance is increased. It becomes different and uniformity of screen brightness cannot be obtained. On the other hand, by setting the drive timing (detailed later) which realizes a threshold correction function and a mobility correction function, the influence of these fluctuations can be suppressed and the uniformity of screen brightness can be ensured.

본 실시예에서 채용하는 임계치 보정 동작 및 이동도 보정 동작에서는, 기록 게인이 이상치인 1이라고 가정한 경우, 발광시의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)이 "△Vin+Vth-△V"로 표시되도록 함으로써, 드레인·소스 사이 전류(Ids)가, 임계치 전압(Vth)의 편차나 변동에 의존하지 않도록 함과 함께, 이동도(μ)의 편차나 변동에 의존하지 않도록 한다. 결과로서, 임계치 전압(Vth)이나 이동도(μ)가 제조 프로세스나 경시에 의해 변동하여도, 구동 전류(Ids)는 변동하지 않고, 유기 EL 소자(127)의 발광 휘도도 변동하지 않는다. 이동도 보정시에는, 큰 이동도(μ1)에 대해서는 이동도 보정 파라미터(△V1)가 커지도록 하는 한편, 작은 이동도(μ2)에 대해서는 이동도 보정 파라미터(△V2)도 작아지도록 부귀환을 걸게 된다. 이러한 의미에서, 이동도 보정 파라미터(△V)를 부귀환량(△V)이라고도 칭한다.In the threshold correction operation and mobility correction operation employed in the present embodiment, when the write gain is assumed to be an abnormal value of 1, the gate-source voltage Vgs at the time of light emission is displayed as "ΔVin + Vth-ΔV". By doing so, the drain-source current Ids does not depend on the variation or variation in the threshold voltage Vth, and does not depend on the variation or variation in the mobility μ. As a result, even if the threshold voltage Vth and the mobility mu fluctuate with the manufacturing process or with time, the driving current Ids does not fluctuate, and the light emission luminance of the organic EL element 127 does not fluctuate. At the time of mobility correction, the negative feedback is performed so that the mobility correction parameter ΔV1 increases for the large mobility μ1, while the mobility correction parameter ΔV2 also decreases for the small mobility μ2. I walk. In this sense, the mobility correction parameter ΔV is also referred to as negative feedback amount ΔV.

<비교예의 화소 회로 : 제 3 예><Pixel Circuit of Comparative Example: Third Example>

제 3 비교예의 화소 회로(P)가 도 5에 도시된다. 도 3에 도시된 제 2 비교예 의 화소 회로(P)에, 유기 EL 소자(127)의 경시변화에 의한 구동 전류 변동을 막는 회로, 즉 부트스트랩 회로를 탑재하고, 또한 구동 트랜지스터(121)의 특성 변동(임계치 전압 편차나 이동도 편차)에 의한 구동 전류 변동을 막는 구동 방식을 채용한 것이 본 실시예의 화소 회로(P)에서 베이스로 하는 도 5에 도시하는 제 3 비교예의 화소 회로(P)이다.The pixel circuit P of the third comparative example is shown in FIG. In the pixel circuit P of the second comparative example shown in Fig. 3, a circuit for preventing the drive current variation due to the aging change of the organic EL element 127, i.e., a bootstrap circuit, is mounted. The pixel circuit P of the third comparative example shown in FIG. 5 based on the pixel circuit P of the present embodiment adopts a driving method which prevents the drive current fluctuation caused by the characteristic variation (threshold voltage variation or mobility variation). to be.

제 3 비교예의 화소 회로(P)는, 제 2 비교예의 화소 회로(P)와 마찬가지로, n형의 구동 트랜지스터(121)를 사용한다. 더하여, 유기 EL 소자의 경시변화에 의한 해당 유기 EL 소자에의 구동 전류(Ids)의 변동을 억제하기 위한 회로, 즉 전기광학 소자의 한 예인 유기 EL 소자의 전류-전압 특성의 변화를 보정하여 구동 전류(Ids)를 일정하게 유지하는 구동 신호 일정화 회로를 구비한 점에 특징을 갖는다. 또한, 유기 EL 소자의 전류-전압 특성에 경시변화가 있는 경우라도 구동 전류를 일정하게 한 기능을 구비한 점에 특징을 갖는다.The pixel circuit P of the third comparative example uses the n-type driving transistor 121 similarly to the pixel circuit P of the second comparative example. In addition, a circuit for suppressing fluctuations in driving currents (Ids) of the organic EL element due to changes in the organic EL element over time, that is, driving by correcting a change in the current-voltage characteristic of the organic EL element as an example of an electro-optical element It is characterized in that it comprises a drive signal constant circuit for keeping the current Ids constant. Further, the present invention is characterized in that it has a function of keeping the driving current constant even when there is a change over time in the current-voltage characteristic of the organic EL element.

즉, 구동 트랜지스터(121) 외에 주사용에 하나의 스위칭 트랜지스터(샘플링 트랜지스터(125))를 사용하는 2TR 구동의 구성을 채택함과 함께, 각 스위칭 트랜지스터를 제어하는 전원 구동 펄스(DSL) 및 기록 구동 펄스(WS)의 온/오프 타이밍(스위칭 타이밍)의 설정에 의해, 유기 EL 소자(127)의 경시변화나 구동 트랜지스터(121)의 특성 변동(예를 들면 임계치 전압이나 이동도 등의 편차나 변동)에 의한 구동 전류(Ids)에 주는 영향을 막는 점에 특징을 갖는다. 2TR 구동의 구성이고, 소자 수나 배선 수가 적기 때문에, 고정밀화가 가능하다.That is, in addition to the driving transistor 121, a 2TR driving configuration using one switching transistor (sampling transistor 125) for scanning is adopted, and a power supply driving pulse DSL and a write driving controlling each switching transistor are employed. By setting the on / off timing (switching timing) of the pulse WS, the variation over time of the organic EL element 127 and the characteristic variation of the driving transistor 121 (for example, a deviation or fluctuation such as a threshold voltage or mobility) It is characterized in that the influence on the driving current (Ids) by () is prevented. Since it is the structure of 2TR drive, and there are few elements and a wiring number, high precision is attained.

도 3에 도시한 제 2 비교예에 대한 구성상의 큰 차이는, 보존 용량(120)의 접속 양태를 변형하여, 유기 EL 소자(127)의 경시변화에 의한 구동 전류 변동을 막는 회로로 하여, 구동 신호 일정화 회로의 한 예인 부트스트랩 회로를 구성하는 점에 있다. 구동 트랜지스터(121)의 특성 변동(예를 들면 임계치 전압이나 이동도 등의 편차나 변동)에 의한 구동 전류(Ids)에 주는 영향을 억제하는 방법으로서는, 각 트랜지스터(121, 125)의 구동 타이밍을 궁리함으로써 대처한다.A large difference in configuration with respect to the second comparative example shown in FIG. 3 is a circuit which modifies the connection mode of the storage capacitor 120 and prevents the drive current fluctuation caused by the change of the organic EL element 127 over time, and drives. One aspect of the signal scheduling circuit is to configure a bootstrap circuit. As a method of suppressing the influence on the drive current Ids caused by the characteristic variation of the driving transistor 121 (for example, deviation or variation in threshold voltage, mobility, etc.), the driving timing of each transistor 121, 125 is determined. Cope by devising

구체적으로는, 제 3 비교예의 화소 회로(P)는, 보존 용량(120), n형의 구동 트랜지스터(121), 및 액티브(H)(하이)의 기록 구동 펄스(WS)가 공급되는 n형 트랜지스터(125), 전류가 흐름으로써 발광하는 전기광학 소자(발광 소자)의 한 예인 유기 EL 소자(127)를 갖는다.Specifically, the pixel circuit P of the third comparative example is the n-type to which the storage capacitor 120, the n-type drive transistor 121, and the write drive pulse WS of the active H (high) are supplied. The transistor 125 has an organic EL element 127, which is an example of an electro-optical element (light emitting element) that emits light as a current flows.

구동 트랜지스터(121)의 게이트단(노드(ND122))과 소스단 사이에 보존 용량(120)이 접속되고, 구동 트랜지스터(121)의 소스단이 직접 유기 EL 소자(127)의 아노드 단에 접속되어 있다. 보존 용량(120)은, 부트스트랩 용량으로서도 기능하도록 되어 있다. 유기 EL 소자(127)의 캐소드단은, 제 1 비교예나 제 2 비교예와 마찬가지로, 전 화소 공통의 캐소드 공통 배선(127K)에 접속되고, 캐소드 전위(Vcath)(예를 들면 접지 전위(GND))가 주어진다.The storage capacitor 120 is connected between the gate terminal (node ND122) and the source terminal of the driving transistor 121, and the source terminal of the driving transistor 121 is directly connected to the anode terminal of the organic EL element 127. It is. The storage capacity 120 also functions as a bootstrap capacity. The cathode end of the organic EL element 127 is connected to the cathode common wiring 127K common to all pixels, similarly to the first comparative example or the second comparative example, and has a cathode potential Vcath (for example, a ground potential GND). ) Is given.

구동 트랜지스터(121)의 드레인단은, 전원 스캐너로서 기능하는 구동 주사부(105)로부터의 전원 공급선(105DSL)에 접속되어 있다. 전원 공급선(105DSL)은, 이 전원 공급선(105DSL) 그 자체가, 구동 트랜지스터(121)에 대한 전원 공급 능력을 구비하는 점에 특징을 갖는다.The drain terminal of the drive transistor 121 is connected to a power supply line 105DSL from the drive scanning section 105 which functions as a power scanner. The power supply line 105DSL is characterized in that the power supply line 105DSL itself has a power supply capability to the drive transistor 121.

구체적으로는, 구동 주사부(105)는, 구동 트랜지스터(121)의 드레인단에 대 해, 각각 전원 전압에 상당하는 고전압측의 제 1 전위(Vcc)와 저전압측의 제 2 전위(Vss) 를 전환하여 공급하는 전원 전압 전환 회로를 구비하고 있다.Specifically, the driving scan unit 105 applies the first potential Vcc on the high voltage side and the second potential Vss on the low voltage side corresponding to the power supply voltage to the drain terminal of the driving transistor 121, respectively. It is provided with the power supply voltage switching circuit which switches and supplies.

제 2 전위(Vss)로서는, 영상 신호선(106HS)에 있어서의 영상 신호(Vsig)의 오프셋 전위(Vofs)(기준 전위라고도 칭한다)보다 충분 낮은 전위로 한다. 구체적으로는, 구동 트랜지스터(121)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)(게이트 전위(Vg)과 소스 전위(Vs)의 차)가 구동 트랜지스터(121)의 임계치 전압(Vth)보다 커지도록, 전원 공급선(105DSL)의 저전위측의 제 2 전위(Vss)를 설정한다. 또한, 오프셋 전위(Vofs)는, 임계치 보정 동작에 앞서는 초기화 동작에 이용함과 함께 영상 신호선(106HS)을 미리 프리차지로 하여 두기 위해서도 이용한다.The second potential Vss is a potential sufficiently lower than the offset potential Vofs (also referred to as a reference potential) of the video signal Vsig in the video signal line 106HS. Specifically, the power supply so that the voltage Vgs (the difference between the gate potential Vg and the source potential Vs) of the driving transistor 121 becomes larger than the threshold voltage Vth of the driving transistor 121. The second potential Vss on the low potential side of the supply line 105DSL is set. The offset potential Vofs is also used for the initialization operation prior to the threshold correction operation and also for preliminary charging of the video signal line 106HS.

샘플링 트랜지스터(125)는, 게이트단이 기록 주사부(104)로부터의 기록 주사선(104WS)에 접속되고, 드레인단이 영상 신호선(106HS)에 접속되고, 소스단이 구동 트랜지스터(121)의 게이트단(노드(ND122))에 접속되어 있다. 그 게이트단에는, 기록 주사부(104)로부터 액티브-H 기록 구동 펄스(WS)가 공급된다.The sampling transistor 125 has a gate terminal connected to the write scanning line 104WS from the write scanning unit 104, a drain terminal connected to the video signal line 106HS, and a source terminal connected to the gate terminal of the driving transistor 121. (Node ND122). The active-H write drive pulse WS is supplied to the gate end thereof from the write scan unit 104.

샘플링 트랜지스터(125)는, 소스단과 드레인단을 역전시킨 접속 양태로 할 수도 있다. 또한, 샘플링 트랜지스터(125)로서는, 디프레션형 및 인핸스먼트형의 어느 것도 사용할 수 있다.The sampling transistor 125 can also be set as the connection mode which inverted the source terminal and the drain terminal. As the sampling transistor 125, either a depression type or an enhancement type can be used.

<화소 회로의 동작 : 제 3 비교예><Operation of the Pixel Circuit: Third Comparative Example>

도 6은, 도 5에 도시한 제 3 비교예의 화소 회로(P)에 관한 제 3 비교예의 구동 타이밍의 기본 예를 설명하는 타이밍 차트이고, 선순차 구동의 경우로 나타내고 있다. 도 6에서는, 시간축을 공통으로 하여, 기록 주사선(104WS)의 전위 변화, 전원 공급선(105DSL)의 전위 변화, 및 영상 신호선(106HS)의 전위 변화를 나타내고 있다. 또한, 이들의 전위 변화와 병행하여, 1행분(도면에서는 1행째)에 관해 구동 트랜지스터(121)의 게이트 전위(Vg) 및 소스 전위(Vs)의 변화도 나타내고 있다.FIG. 6 is a timing chart illustrating a basic example of driving timing of the third comparative example with respect to the pixel circuit P of the third comparative example shown in FIG. 5, and is shown in the case of linear sequential driving. In FIG. 6, the potential change of the recording scan line 104WS, the potential change of the power supply line 105DSL, and the potential change of the video signal line 106HS are shown in common with the time axis. In parallel with these potential changes, the gate potential Vg and the source potential Vs of the driving transistor 121 are also shown for one row (the first row in the drawing).

도 6에 도시하는 구동 타이밍은, 선순차 구동의 경우이고, 기록 구동 펄스(WS), 전원 구동펄스(DSL), 및 영상 신호(Vsig)는, 1행분을 1조(組)로 하여, 각 신호의 타이밍(특히 위상 관계)이 행 단위로 독립하여 제어되고, 행이 바뀌면 1H(H는 수평 주사 기간)분만큼 시프트된다.The driving timing shown in FIG. 6 is a case of the linear sequential driving, and the write drive pulse WS, the power supply drive pulse DSL, and the video signal Vsig each have one row for one set. The timing (especially phase relationship) of the signals is independently controlled in units of rows, and when the rows are changed, they are shifted by 1H (H is a horizontal scanning period).

이하에서는, 설명이나 이해를 용이하게 하기 위해, 특별한 거절이 없는 한, 기록 게인이 1(이상치)이라 가정하고, 보존 용량(120)에 신호 진폭(△Vin)의 정보를, 기록하는, 보존하는, 또는 샘플링하는 등으로 간결하게 기재하여 설명한다. 기록 게인이 1 미만인 경우, 보존 용량(120)에는 신호 진폭(△Vin)의 크기 그 자체가 아니라, 신호 진폭(△Vin)의 크기에 대응하는 게인배(倍)된 정보가 보존되게 된다.In the following description, in order to facilitate explanation and understanding, the recording gain is recorded as 1 (outlier), and the information of the signal amplitude? Vin is recorded in the storage capacitor 120 unless otherwise specified. The description will be briefly described by sampling or sampling. When the recording gain is less than 1, the storage capacitor 120 stores not only the magnitude of the signal amplitude? Vin but the gain-multiplied information corresponding to the magnitude of the signal amplitude? Vin.

그와 관련하여, 신호 진폭(△Vin)에 대응하는 보존 용량(120)에 기록되는 정보의 크기의 비율를, 기록 게인(Ginput)이라고 칭한다. 여기서, 기록 게인(Ginput)은, 구체적으로는, 전기 회로적으로 보존 용량(120)과 병렬로 배치되는 기생 용량을 포함한 전(全)용량(C1)과, 전기 회로적으로 보존 용량(120)과 직렬로 배치되는 전용량(C2)의 용량 직렬 회로에 있어서, 신호 진폭(△Vin)을 용량 직렬 회로에 공급한 때에 용량(C1)에 배분되는 전하량에 관계된다. 식으로 표시하면, g=C1/(C1+C2)로 하면, 기록 게인(Ginput)=C2/(C1+C2)=1-C1/(C1+C2)=1-g가 된다. 이하의 설명에서, "g"가 등장하는 기재는 기록 게인을 고려한 것이다.In this regard, the ratio of the size of the information recorded in the storage capacitor 120 corresponding to the signal amplitude DELTA Vin is referred to as recording gain. Here, specifically, the recording gain is the total capacitance C1 including the parasitic capacitance arranged in parallel with the storage capacitor 120 in an electrical circuit, and the storage capacity 120 in an electrical circuit. In the capacitor series circuit of the dedicated amount C2 disposed in series with the capacitor, it relates to the amount of charge distributed to the capacitor C1 when the signal amplitude? Vin is supplied to the capacitor series circuit. In the expression, when g = C1 / (C1 + C2), recording gain (Ginput) = C2 / (C1 + C2) = 1-C1 / (C1 + C2) = 1-g. In the following description, the description in which "g" appears is taken into account the recording gain.

또한, 설명이나 이해를 용이하게 하기 위해, 특별한 언급이 없는 한, 부트스트랩 게인이 1(이상치)이라고 가정하여 간결하게 기재하고 설명한다. 그와 관련하여, 구동 트랜지스터(121)의 게이트·소스 사이에 보존 용량(120)이 마련되어 있는 경우에, 소스 전위(Vs)의 상승에 대한 게이트 전위(Vg)의 상승률을 부트스트랩 게인(부트스트랩 동작 능력)(Gbst)이라고 칭한다. 여기서, 부트스트랩 게인(Gbst)은, 구체적으로는, 보존 용량(120)의 용량치(Cs), 구동 트랜지스터(121)의 게이트·소스 사이에 형성되는 기생 용량(C121gs)의 용량치(Cgs), 게이트·드레인 사이에 형성되는 기생 용량(C121gd)의 용량치(Cgd), 및 샘플링 트랜지스터(125)의 게이트·소스 사이에 형성되는 기생 용량(C125gs)의 용량치(Cws)에 관계된다. 식으로 표시하면, 부트스트랩 게인(Gbst)=(Cs+Cgs)/(Cs+Cgs+Cgd+Cws)이 된다.In addition, in order to facilitate explanation or understanding, unless otherwise indicated, it is assumed and described simply that the bootstrap gain is 1 (outlier). In this regard, when the storage capacitor 120 is provided between the gate and the source of the driving transistor 121, the rate of increase of the gate potential Vg with respect to the rise of the source potential Vs is obtained by bootstrap gain (bootstrap). Operating capability) (Gbst). Here, the bootstrap gain Gbst is specifically the capacitance value Cs of the storage capacitor 120 and the capacitance value Cgs of the parasitic capacitance C121gs formed between the gate and the source of the driving transistor 121. , The capacitance value Cgd of the parasitic capacitance C121gd formed between the gate and the drain, and the capacitance value Cws of the parasitic capacitance C125gs formed between the gate and the source of the sampling transistor 125. In this case, the bootstrap gain (Gbst) = (Cs + Cgs) / (Cs + Cgs + Cgd + Cws).

또한, 제 3 비교예의 구동 타이밍에서는, 영상 신호(Vsig)가 비(非)유효 기간인 오프셋 전위(Vofs)에 있는 기간을 1수평 기간의 전반부(前半部)로 하고, 유효 기간인 신호 전위(Vin)(=Vofs+△Vin)에 있는 기간을 1수평 기간의 후반부로 한다. 또한, 영상 신호(Vsig)의 유효 기간와 비유효 기간을 합한 1수평 기간마다, 임계치 보정 동작을 복수회(도면에서는 3회)에 걸처서 반복하도록 한다. 그 각 회의 영상 신호(Vsig)의 유효 기간과 비유효 기간의 전환 타이밍(t13V, t15V), 및 기록 구동 펄스(WS)의 액티브와 인액티브의 전환 타이밍(t13W, t15W)에 관해서는, 그 타이밍에, 각 회를 "_" 없음의 참조자(參照子)로 나타냄으로써 구별한다.In the driving timing of the third comparative example, the period in which the video signal Vsig is in the offset potential Vofs which is an invalid period is set as the first half of one horizontal period, and the signal potential that is the effective period ( The period in Vin) (= Vofs + ΔVin) is the second half of the horizontal period. Further, the threshold correction operation is repeated over a plurality of times (three times in the drawing) for each horizontal period in which the valid period and the invalid period of the video signal Vsig are combined. The timings of the switching timings t13V and t15V of the valid period and the invalid period of each video signal Vsig and the active and inactive switching timings t13W and t15W of the write drive pulse WS are the timings. Each time is distinguished by indicating with a reference of "_" absent.

우선, 유기 EL 소자(127)의 발광 기간(B)에서는, 전원 공급선(105DSL)이 제 1 전위(Vcc)이고, 샘플링 트랜지스터(125)가 오프 한 상태이다. 이 때, 구동 트랜 지스터(121)는 포화 영역에서 동작하도록 설정되어 있기 때문에, 유기 EL 소자(127)에 흐르는 구동 전류(Ids)는 구동 트랜지스터(121)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)에 응하여, 식(1)에 표시되는 값을 취한다.First, in the light emission period B of the organic EL element 127, the power supply line 105DSL is at the first potential Vcc and the sampling transistor 125 is turned off. At this time, since the driving transistor 121 is set to operate in the saturation region, the driving current Ids flowing through the organic EL element 127 is in response to the gate-source voltage Vgs of the driving transistor 121. , Takes the value shown in equation (1).

다음에, 비발광 기간에 들어가면, 우선 방전 기간(C)에서는, 전원 공급선(105DSL)을 제 2 전위(Vss)로 전환한다. 이 때, 제 2 전위(Vss)가 유기 EL 소자(127)의 임계치 전압(VthEL)과 캐소드 전위(Vcath)의 합보다도 작은 때, 즉 "Vss<VthEL+Vcath "이면, 유기 EL 소자(127)는 소광하고, 전원 공급선(105DSL)이 구동 트랜지스터(121)의 소스측이 된다. 이 때, 유기 EL 소자(127)의 애노드는 제 2 전위(Vss)로 충전된다.Next, in the non-luminescing period, first, in the discharge period C, the power supply line 105DSL is switched to the second potential Vss. At this time, when the second potential Vss is smaller than the sum of the threshold voltage VthEL and the cathode potential Vcath of the organic EL element 127, that is, "Vss <VthEL + Vcath", the organic EL element 127 Is extinguished, and the power supply line 105DSL becomes the source side of the driving transistor 121. At this time, the anode of the organic EL element 127 is charged to the second potential Vss.

또한, 초기화 기간(D)에서는, 영상 신호선(106HS)이 오프셋 전위(Vofs)가 된 때에 샘플링 트랜지스터(125)를 온 하여 구동 트랜지스터(121)의 게이트 전위를 오프셋 전위(Vofs)로 한다. 이 때, 구동 트랜지스터(121)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)은 "Vofs-Vss"라는 값을 취한다. 이 "Vofs-Vss"가 구동 트랜지스터(121)의 임계치 전압(Vth)보다 크지 않으면 임계치 보정 동작을 행할 수가 없기 때문에, "Vofs-Vss >Vth"로 할 필요가 있다.In the initialization period D, the sampling transistor 125 is turned on when the video signal line 106HS becomes the offset potential Vofs, and the gate potential of the driving transistor 121 is set to the offset potential Vofs. At this time, the gate-source voltage Vgs of the driving transistor 121 takes the value of "Vofs-Vss". If the "Vofs-Vss" is not larger than the threshold voltage Vth of the driving transistor 121, the threshold correction operation cannot be performed. Therefore, it is necessary to set "Vofs-Vss> Vth".

이 후, 제 1 임계치 보정 기간(E)에 들어가면, 전원 공급선(105DSL)을 재차 제 1 전위(Vcc)로 전환한다. 전원 공급선(105DSL)(즉 구동 트랜지스터(121)에의 전원 전압)을 제 1 전위(Vcc)로 함으로써, 유기 EL 소자(127)의 애노드가 구동 트랜지스터(121)의 소스가 되고 구동 트랜지스터(121)로부터 구동 전류(Ids)가 흐른다. 유기 EL 소자(127)의 등가 회로는 다이오드와 용량으로 표시되기 때문에, 유기 EL 소자(127)의 캐소드 전위(Vcath)에 대한 애노드 전위를 Vel로 하였을 때, "Vel≤Vcath+VthEL"인 한, 환언하면, 유기 EL 소자(127)의 리크 전류가 구동 트랜지스터(121)에 흐르는 전류보다도 훨씬 작은 한, 구동 트랜지스터(121)의 구동 전류(Ids)는 보존 용량(120)과 유기 EL 소자(127)의 기생 용량(Cel)를 충전하기 위해 사용된다. 이 때, 유기 EL 소자(127)의 애노드 전위(Vel)는 시간과 함께 상승하여 간다.After that, when the first threshold correction period E is entered, the power supply line 105DSL is switched again to the first potential Vcc. By setting the power supply line 105DSL (that is, the power supply voltage to the driving transistor 121) to the first potential Vcc, the anode of the organic EL element 127 becomes the source of the driving transistor 121 and is driven from the driving transistor 121. The drive current Ids flows. Since the equivalent circuit of the organic EL element 127 is represented by a diode and a capacitance, as long as the anode potential with respect to the cathode potential Vcath of the organic EL element 127 is Vel, " Vel ≦ Vcath + VthEL " In other words, as long as the leakage current of the organic EL element 127 is much smaller than the current flowing through the driving transistor 121, the driving current Ids of the driving transistor 121 is the storage capacitor 120 and the organic EL element 127. It is used to fill the parasitic capacity (Cel) of. At this time, the anode potential Vel of the organic EL element 127 rises with time.

일정 시간 경과 후, 샘플링 트랜지스터(125)를 오프 한다. 이 때, 구동 트랜지스터(121)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)이 임계치 전압(Vth)보다도 크면(즉 임계치 보정이 완료되어 있지 않으면), 구동 트랜지스터(121)의 구동 전류(Ids)는 보존 용량(120)을 수전(受電)하도록 계속 흐르고, 구동 트랜지스터(121)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)은 상승하여 간다. 이 때, 유기 EL 소자(127)에는 역(逆)바이어스가 걸려 있기 때문에, 유기 EL 소자(127)가 발광하는 일은 없다.After a predetermined time elapses, the sampling transistor 125 is turned off. At this time, if the gate-source voltage Vgs of the driving transistor 121 is larger than the threshold voltage Vth (that is, the threshold correction is not completed), the driving current Ids of the driving transistor 121 is a storage capacitor. The gate 120 continues to flow to receive power 120, and the gate-source voltage Vgs of the driving transistor 121 rises. At this time, since the reverse bias is applied to the organic EL element 127, the organic EL element 127 does not emit light.

또한 제 2 임계치 보정 기간(G)에 들어가면, 재차 영상 신호선(106HS)이 오프셋 전위(Vofs)가 된 때에 샘플링 트랜지스터(125)를 온 하여 구동 트랜지스터(121)의 게이트 전위를 오프셋 전위(Vofs)로 하여, 재차 임계치 보정 동작을 시작한다. 이 동작을 반복함으로써, 최종적으로, 구동 트랜지스터(121)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)은 임계치 전압(Vth)이라는 값을 취한다. 이 때 "Vel=Vofs-Vth≤Vcath+VthEL"로 되어 있다.When the second threshold correction period G is entered, the sampling transistor 125 is turned on again when the video signal line 106HS becomes the offset potential Vofs, and the gate potential of the driving transistor 121 is changed to the offset potential Vofs. Then, the threshold correction operation is started again. By repeating this operation, the gate-source voltage Vgs of the driving transistor 121 finally takes the value of the threshold voltage Vth. At this time, " Vel = Vofs-Vth ≦ Vcath + VthEL ".

또한, 이 제 3 비교예의 동작예에서는, 임계치 보정 동작을 반복하여 실행함으로써 확실하게 구동 트랜지스터(121)의 임계치 전압(Vth)에 상당한 전압을 보존 용량(120)에 보존시키기 위해, 1수평 기간을 처리 사이클로 하여서, 임계치 보정 동작을 복수회에 걸쳐서 반복하도록 하고 있지만, 이 반복 동작은 필수가 아니라, 1수평 기간을 처리 사이클으로 하여, 1회만의 임계치 보정 동작을 실행하도록 하여도 좋다.In addition, in the operation example of the third comparative example, one horizontal period is stored in order to ensure that the storage capacitor 120 has a voltage corresponding to the threshold voltage Vth of the driving transistor 121 reliably by repeatedly executing the threshold correction operation. Although the threshold correction operation is repeated a plurality of times as a processing cycle, this repeating operation is not essential, but it is also possible to execute only one threshold correction operation with one horizontal period as the processing cycle.

임계치 보정 동작 종료 후(본 예에서는 제 3 임계치 보정 기간(I)의 후)는, 샘플링 트랜지스터(125)를 오프 하여 기록 및 이동도 보정 준비 기간(J)에 들어간다. 영상 신호선(106HS)이 신호 전위(Vin)(=Vofs+△Vin)가 되었을 때에, 샘플링 트랜지스터(125)를 재차 온 하여 샘플링 기간&이동도 보정 기간(K)에 들어간다. 신호 진폭(△Vin)은 계조에 응한 값이다. 샘플링 트랜지스터(125)의 게이트 전위는 샘플링 트랜지스터(125)를 온 하고 있기 때문에 신호 전위(Vin)(=Vofs+△Vin)가 되지만, 구동 트랜지스터(121)의 드레인단은 제 1 전위(Vcc)이고 구동 전류(Ids)가 흐르기 때문에 소스 전위(Vs)는 시간와 함께 상승하여 간다. 도면에서는, 이 상승분을 △V로 나타내고 있다.After the end of the threshold correction operation (in this example, after the third threshold correction period I), the sampling transistor 125 is turned off to enter the write and mobility correction preparation period J. When the video signal line 106HS becomes the signal potential Vin (= Vofs + ΔVin), the sampling transistor 125 is turned on again to enter the sampling period & mobility correction period K. The signal amplitude ΔVin is a value corresponding to the gray scale. The gate potential of the sampling transistor 125 is the signal potential Vin (= Vofs + ΔVin) since the sampling transistor 125 is turned on, but the drain terminal of the driving transistor 121 is the first potential Vcc and is driven. Since the current Ids flows, the source potential Vs rises with time. In the figure, this increase is indicated by ΔV.

이 때, 소스 전압(Vs)이 유기 EL 소자(127)의 임계치 전압(VthEL)과 캐소드 전위(Vcath)의 합을 넘지 않으면, 환언하면, 유기 EL 소자(127)의 리크 전류가 구동 트랜지스터(121)에 흐르는 전류보다도 훨씬 작으면, 구동 트랜지스터(121)의 구동 전류(Ids)는 보존 용량(120)과 유기 EL 소자(127)의 기생 용량(Cel)를 충전하는데 사용된다.At this time, if the source voltage Vs does not exceed the sum of the threshold voltage VthEL and the cathode potential Vcath of the organic EL element 127, in other words, the leakage current of the organic EL element 127 is the driving transistor 121. If the current is much smaller than the current flowing through the?), The drive current Ids of the drive transistor 121 is used to charge the storage capacitor 120 and the parasitic capacitance Cel of the organic EL element 127.

이 시점에서는, 구동 트랜지스터(121)의 임계치 보정 동작은 완료하고 있기 때문에, 구동 트랜지스터(121)가흘리는 전류는 이동도(μ)를 반영한 것이 된다. 구 체적으로는, 이동도(μ)가 크면, 이 때의 전류량이 크고, 소스 전압의 상승도 빠르다. 역으로 이동도(μ)가 작으면, 전류량이 작고, 소스 전위의 상승은 늦어진다. 이로써, 구동 트랜지스터(121)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)은 이동도(μ)를 반영하여 작아지고, 일정 시간 경과 후에 완전히 이동도(μ)를 보정한 게이트-소스 사이 전압(Vgs)이 된다.At this point in time, since the threshold correction operation of the drive transistor 121 is completed, the current flowing through the drive transistor 121 reflects the mobility μ. Specifically, when the mobility μ is large, the amount of current at this time is large, and the rise of the source voltage is also rapid. Conversely, if the mobility µ is small, the amount of current is small, and the rise of the source potential is slowed down. As a result, the gate-source voltage Vgs of the driving transistor 121 decreases to reflect the mobility μ, and the gate-source voltage Vgs that completely corrects the mobility μ after a predetermined time elapses. do.

이 후에는, 발광 기간(L)에 들어가, 샘플링 트랜지스터(125)를 오프 하여 기록을 종료하고, 유기 EL 소자(127)를 발광시킨다. 보존 용량(120)에 의한 부트스트랩 효과에 의해, 구동 트랜지스터(121)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)은 일정하기 때문에, 구동 트랜지스터(121)는 일정 전류(구동 전류(Ids))를 유기 EL 소자(127)에 흘리고, 유기 EL 소자(127)의 애노드 전위(Vel)는 유기 EL 소자(127)에 구동 전류(Ids)라는 전류가 흐르는 전압(Vx)까지 상승하고, 유기 EL 소자(127)는 발광한다.After this, the light emitting period L is entered, the sampling transistor 125 is turned off, the writing is finished, and the organic EL element 127 is made to emit light. Because of the bootstrap effect by the storage capacitor 120, the gate-source voltage Vgs of the driving transistor 121 is constant, so that the driving transistor 121 generates a constant current (driving current Ids). The anode potential Vel of the organic EL element 127 flows up to the element 127 and rises up to a voltage Vx through which a current called driving current Ids flows in the organic EL element 127. Emits light.

제 3 비교예의 화소 회로(P)에서도, 유기 EL 소자(127)는 발광 시간이 길어지면 그I-V 특성은 변화하여 버린다. 그 때문에, 노드(ND121)의 전위(즉 구동 트랜지스터(121)의 소스 전위(Vs))도 변화한다. 그러나, 구동 트랜지스터(121)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)은 보존 용량(120)에 의한 부트스트랩 효과로 일정치로 유지되어 있기 때문에, 유기 EL 소자(127)에 흐르는 전류는 변화하지 않는다. 따라서, 유기 EL 소자(127)의 I-V 특성이 열화되어도, 유기 EL 소자(127)에는 일정 전류(구동 전류(Ids))가 항상 계속 흐르고, 유기 EL 소자(127)의 휘도가 변화하는 일은 없다.Also in the pixel circuit P of the third comparative example, the organic EL element 127 changes its I-V characteristic when the light emission time becomes long. Therefore, the potential of the node ND121 (that is, the source potential Vs of the driving transistor 121) also changes. However, since the gate-source voltage Vgs of the driving transistor 121 is kept constant due to the bootstrap effect by the storage capacitor 120, the current flowing through the organic EL element 127 does not change. Therefore, even if the I-V characteristic of the organic EL element 127 is deteriorated, a constant current (driving current Ids) always flows through the organic EL element 127, and the luminance of the organic EL element 127 does not change.

여기서, 구동 전류(Ids) 대 게이트 전압(Vgs)의 관계는, 앞서의 트랜지스터 특성을 나타낸 식(1)의 Vgs에 "△Vin-△V+Vth"를 대입함으로써, 식(2-1)과 같이 표시할 수 있다. 그와 관련하여, 기록 게인을 고려한 때에는, 식(1)의 Vgs에 "(1-g)△Vin-△V+Vth"를 대입함으로써, 식(2-2)과 같이 표시할 수 있다. 수식(2-1)이나 식(2-2)(종합하여 식(2)이라고 칭한다)에서, k=(1/2)(W/L)Cox이다.Here, the relationship between the drive current Ids and the gate voltage Vgs is expressed by Equation (2-1) by substituting " ΔVin-ΔV + Vth " Can be displayed together. In this regard, when the recording gain is taken into consideration, it can be expressed as in Expression (2-2) by substituting "(1-g) ΔVin-ΔV + Vth" for Vgs in the formula (1). In formula (2-1) or formula (2-2) (collectively referred to as formula (2)), k = (1/2) (W / L) Cox.

Ids=kμ(Vgs-Vth)^2=kμ(ΔVin-ΔV)^2 …(2-1)Ids = kμ (Vgs-Vth) ^ 2 = kμ (ΔVin-ΔV) ^ 2. (2-1)

Ids=kμ(Vgs-Vth)^2=kμ((1-g)ΔVin-ΔV)^2 …(2-2)Ids = k mu (Vgs-Vth) ^ 2 = k mu ((1-g) ΔVin-ΔV) ^ 2... (2-2)

이 식(2)로부터, 임계치 전압(Vth)의 항이 캔슬되어 있고, 유기 EL 소자(127)에공급되는 구동 전류(Ids)는 구동 트랜지스터(121)의 임계치 전압(Vth)에 의존하지 않는 것을 알 수 있다. 기본적으로 구동 전류(Ids)는 신호 진폭(△Vin)(상세하게는 신호 진폭(△Vin)에 대응하고 보존 용량(120)에 보존되는 샘플링 전압=Vgs)에 의해 정해진다. 환언하면, 유기 EL 소자(127)는 신호 진폭(△Vin)에 응한 휘도로 발광하게 된다.From this equation (2), it is found that the term of the threshold voltage Vth is canceled, and the driving current Ids supplied to the organic EL element 127 does not depend on the threshold voltage Vth of the driving transistor 121. Can be. Basically, the driving current Ids is determined by the signal amplitude DELTA Vin (in detail, the sampling voltage = Vgs corresponding to the signal amplitude DELTA Vin) and stored in the storage capacitor 120. In other words, the organic EL element 127 emits light with luminance corresponding to the signal amplitude DELTA Vin.

그 때, 보존 용량(120)에 보존되는 정보는 소스 전위(Vs)의 상승분(△V)으로 보정되어 있다. 상승분(△V)은 정확하게 식(2)의 계수부에 위치하는 이동도(μ)의 효과를 지우도록 작용한다. 구동 트랜지스터(121)의 이동도(μ)에 대한 보정분(△V)을 보존 용량(120)에 기록되는 신호에 가하는 것이지만, 그 방향은 실제로는 부의 방향이고, 이러한 의미에서, 상승분(△V)은, 이동도 보정 파라미터(△V)나 부귀환량(△V)이라고도 칭한다.At that time, the information stored in the storage capacitor 120 is corrected by the rise ΔV of the source potential Vs. The rise ΔV acts to obviate the effect of the mobility μ located precisely in the counting portion of equation (2). Although the correction amount ΔV for the mobility μ of the driving transistor 121 is applied to the signal written in the storage capacitor 120, the direction is actually a negative direction, and in this sense, the increase amount ΔV Is also referred to as mobility correction parameter? V and negative feedback amount? V.

유기 EL 소자(127)에 흐르는 구동 전류(Ids)는, 구동 트랜지스터(121)의 임 계치 전압(Vth)이나 이동도(μ)의 변동이 상쇄되고, 실질적으로 신호 진폭(△Vin)만에 의존하게 된다. 구동 전류(Ids)는 임계치 전압(Vth)이나 이동도(μ)에 의존하지 않기 때문에, 임계치 전압(Vth)이나 이동도(μ)가 제조 푸로세스에 의해 흐트러지거나 경시변화가 있거나 하여도, 드레인·소스 사이의 구동 전류(Ids)는 변동하지 않고, 유기 EL 소자(127)의 발광 휘도도 변동하지 않는다.The driving current Ids flowing through the organic EL element 127 cancels out variations in the threshold voltage Vth and mobility μ of the driving transistor 121 and substantially depends only on the signal amplitude ΔVin. Done. Since the driving current Ids does not depend on the threshold voltage Vth or the mobility μ, even if the threshold voltage Vth or the mobility μ is disturbed by the manufacturing process or there is a change over time, the drain The driving current Ids between the sources does not change, and the light emission luminance of the organic EL element 127 does not change either.

또한, 구동 트랜지스터(121)의 게이트와 소스 사이에 보존 용량(120)을 접속함으로써, n형의 구동 트랜지스터(121)를 사용하는 경우에도, 구동 트랜지스터(121)의 소스단의 전위(Vs)의 변동에 게이트단의 전위(Vg)가 연동하도록 하는 부트스트랩 기능을 실현하는 회로 구성 및 구동 타이밍으로 하고 있고, 유기 EL 소자(127)의 특성의 경시 변동에 의한 유기 EL 소자(127)의 애노드 전위 변동(즉 구동 트랜지스터(121)의 소스 전위 변동)이 있어도, 그 변동을 상쇄하도록 게이트 전위(Vg)를 변동시킬 수 있다.In addition, by connecting the storage capacitor 120 between the gate and the source of the driving transistor 121, even when the n-type driving transistor 121 is used, the potential Vs of the source terminal of the driving transistor 121 is reduced. A circuit configuration and driving timing for realizing a bootstrap function for allowing the potential Vg of the gate terminal to be linked to the variation, and the anode potential of the organic EL element 127 due to the time-dependent variation of the characteristics of the organic EL element 127. Even if there is a fluctuation (that is, a fluctuation in the source potential of the driving transistor 121), the gate potential Vg can be changed to cancel the fluctuation.

이로써, 유기 EL 소자(127)의 특성의 경시변화의 영향이 완화되고, 화면 휘도의 균일성을 확보할 수 있다. 구동 트랜지스터(121)의 게이트·소스 사이의 보존 용량(120)에 의한 부트스트랩 기능에 의해, 유기 EL 소자를 대표로 하는 전류 구동형의 발광 소자의 경시 변동 보정 능력을 향상시킬 수 있다. 물론, 부트스트랩 기능은, 발광 시작 시점에서, 유기 EL 소자(127)에 발광 전류(Iel)가 흐르기 시작하고, 그로 인해 애노드-캐소드 사이 전압(Vel)이 안정하게 될 때까지 상승하여 가는 과정에서, 그 애노드-캐소드 사이 전압(Vel)의 변동에 수반하여 구동 트랜지스터(121)의 소스 전위(Vs)가 변동할 때에도 기능한다.Thereby, the influence of the time-dependent change of the characteristic of the organic EL element 127 is alleviated, and the uniformity of screen brightness can be ensured. The bootstrap function by the storage capacitor 120 between the gate and the source of the driving transistor 121 can improve the capability of correcting fluctuations over time of the current-driven light-emitting element typified by the organic EL element. Of course, the bootstrap function is in the process of rising until the light emission current Iel starts to flow through the organic EL element 127 at the start of light emission, and thereby the voltage between the anode and the cathode becomes stable. It also functions when the source potential Vs of the driving transistor 121 fluctuates with the fluctuation of the voltage between the anode and the cathode.

이와 같이, 제 3 비교예의 화소 회로(P)(사실상, 후술하는 본 실시예의 화소 회로(P)도 같음) 및 그것을 구동하는 제어부(109)에 의한 구동 타이밍에 의하면, 구동 트랜지스터(121)나 유기 EL 소자(127)의 특성 변동(편차나 경시 변동)이 있은 경우에도, 그들의 변동분을 보정함으로써, 표시 화면상에는 그 영향이 나타나지 않고, 휘도 변화가 없는 고품질의 화상 표시가 가능해진다.Thus, according to the driving timing by the pixel circuit P of the 3rd comparative example (actually the same as the pixel circuit P of this Example mentioned later) and the control part 109 which drives it, the drive transistor 121 and organic Even when there is a characteristic variation (deviation or temporal variation) of the EL element 127, by correcting the variation, the effect does not appear on the display screen and high quality image display without luminance change is possible.

그런데, 임계치 보정 기능이나, 신호 기록 기능이나, 이동도 보정 기능이나, 부트스트랩 기능을 작용시키기 위해서는, 각종의 트랜지스터에의 신호를 스위칭 제어할 필요가 있다. 예를 들면, 도 5에 도시한 제 3 비교예의 화소 회로(P)를 도 6에 도시한 구동 타이밍과 같이 제어하는데는, 샘플링 트랜지스터(125)를 온/오프 제어하거나, 구동 트랜지스터(121)에의 전원 공급을 제 1 전위(Vcc)와 제 2 전위(Vss)로 스위칭 제어하거나, 영상 신호(Vsig)를 오프셋 전위(Vofs)와 신호 전위(Vin)(=Vofs+△Vin)로 스위칭 제어하거나 할 필요가 있다. 이들 신호를 화소 어레이부(102)의 각 화소 회로(P)에 공급하는데는 주사선이 필요해지고, 화소 회로(P)의 수가 증가하면 주사선의 수도 그에 응하여 증가하여 버린다. 이와 같은 관점에서, 화소 수를 유지하면서 주사선의 수를 삭감하는 구조가 요구되고 있다.By the way, in order to operate the threshold correction function, the signal recording function, the mobility correction function, and the bootstrap function, it is necessary to control the switching of signals to various transistors. For example, in order to control the pixel circuit P of the third comparative example shown in FIG. 5 in the same manner as the driving timing shown in FIG. 6, the sampling transistor 125 is turned on or off or the driving transistor 121 is controlled. Switching control of the power supply to the first potential Vcc and the second potential Vss, or switching control of the image signal Vsig to the offset potential Vofs and the signal potential Vin (= Vofs + ΔVin) There is. Scan lines are required to supply these signals to the pixel circuits P of the pixel array unit 102. When the number of pixel circuits P increases, the number of scan lines also increases accordingly. In view of this, there is a demand for a structure in which the number of scanning lines is reduced while maintaining the number of pixels.

전술한 제 3 비교예의 화소 회로(P)를 베이스로 하여 저비용화를 생각하면, 화소 수를 감소하는 일 없이, 화소 어레이부(102)의 주변에 마련되어 있는 제어부(109)(기록 주사부(104), 구동 주사부(105), 수평 구동부(106))로부터 인출되는 주사선의 수를 줄이는 것이 우선 생각된다. 주사선을 삭감함으로써, 그 주사선을 구동하기 위한 회로 비용분만큼 저비용화가 가능해진다.Considering the cost reduction based on the pixel circuit P of the third comparative example described above, the control unit 109 (write scanning unit 104) provided in the periphery of the pixel array unit 102 without reducing the number of pixels. ), It is conceivable to first reduce the number of scanning lines drawn out from the driving scanning unit 105 and the horizontal driving unit 106. By reducing the scanning line, the cost can be reduced by the circuit cost for driving the scanning line.

<비교예 : 제 4 예>Comparative Example: Fourth Example

도 7a는, 도 1에 도시한 유기 EL 표시 장치(1)를 구성하는 본 실시예의 화소 회로(P)에 대한 참조 회로를 설명하는 것이다. 도 7b는, 참조 회로의 구조를 제 3 비교예의 화소 회로(P)에 적용 하는 경우(제 4 비교예라고 칭한다)의 구동 타이밍을 설명하는 타이밍 차트이다. 또한, 도 7a에서는, 3화소분(1행3열)에 관해 나타내고 있다. 이 제 4 비교예는, 저비용화를 고려한 한 양태이다. 그와 관련하여, 도 7a 및 도 7b의 일부는, 특허문헌2의 도 3이나 도 5를 인용하고 있고, 참조 부호 등도 그대로 사용하여 나타내고 있다.FIG. 7A illustrates a reference circuit for the pixel circuit P of the present embodiment constituting the organic EL display device 1 shown in FIG. 1. FIG. 7B is a timing chart illustrating driving timing when the structure of the reference circuit is applied to the pixel circuit P of the third comparative example (called a fourth comparative example). In FIG. 7A, three pixels (one row and three columns) are shown. This fourth comparative example is one embodiment in consideration of cost reduction. In that regard, part of FIG. 7A and FIG. 7B refer to FIG. 3 and FIG. 5 of Patent Literature 2, and reference numerals and the like are also used as they are.

주사선 수를 삭감하여 저비용화를 도모하는 경우에, 수평 구동부(106)측에 주목하면, 영상 신호선(106HS)을 복수 화소에서 공용화하는 것이 생각된다. 그 때에는 액정 표시 장치에서, 신호선을 복수 화소에서 공용화함으로써 저비용화를 도모하는 구조를 채용하는 것이 생각된다. 예를 들면, 특허문헌2에 기재된 구조를 채용하는 것이 생각된다.When the number of scanning lines is reduced and the cost is reduced, attention is paid to the horizontal driver 106 side, and it is conceivable to share the video signal line 106HS in a plurality of pixels. In that case, it is conceivable to employ a structure in which the cost reduction is achieved by sharing the signal line with a plurality of pixels in the liquid crystal display device. For example, it is conceivable to employ the structure described in Patent Document 2.

그러나, 특허문헌2에 기재된 구조는, 신호선을 인접 화소에서 공용하고, 하나의 화소에 2개의 영상 신호를 입력하여 영상 신호를 재기록하는 방식이기 때문에, 전류를 흘리면서 신호 기록을 행하지 않는 방식에 대해서는 유효한 수단이지만, 전류 구동형의 전기광학 소자를 구동할 때에, 전류를 흘리면서 신호 기록을 행함으로써 이동도 보정을 행하는 제 3 비교예에, 단순히 그 구조를 채용할 수가 없다.However, the structure described in Patent Literature 2 is a method of sharing a signal line in adjacent pixels and inputting two video signals to one pixel to rewrite the video signal, which is effective for a method of not performing signal recording while flowing a current. Although it is a means, it cannot simply employ | adopt the structure for the 3rd comparative example which performs mobility correction by performing signal recording while making an electric current drive a current drive type electro-optical element.

왜냐하면, 도 7b에 도시하는 바와 같이, 영상 신호(Vsig)를 2회 이상 구동 트랜지스터(121)의 게이트에 입력하면, 최초의 영상 신호(Vsig)에 대해 이동도 보정을 행하여 버리고, 2회째 이후에 구동 트랜지스터(121)의 게이트에 입력되는 영상 신호(Vsig)에 대해서는 정상적으로 이동도 보정 동작을 행할 수가 없기 때문이다. 이로 인해, 제 3 비교예의 화소 회로(P)에서는 영상 신호선(106HS)을 공용화하기가 어렵고, 저비용화라는 점에서 문제가 있다고 말할 수 있다.This is because, as shown in FIG. 7B, when the video signal Vsig is input to the gate of the driving transistor 121 two or more times, mobility correction is performed on the first video signal Vsig, and after the second time. This is because the mobility correction operation cannot be normally performed on the video signal Vsig input to the gate of the driving transistor 121. For this reason, in the pixel circuit P of the third comparative example, it is difficult to share the video signal line 106HS, and it can be said that there is a problem in terms of cost reduction.

그러면, 본 실시예에서는, 전류 구동형의 전기광학 소자에의 적용에 있어서, 수평 구동부(106)측에 주목하여 영상 신호선(106HS)을 복수 화소에서 공용화할 때에, 전류를 흘리면서 신호 기록을 행함으로써 이동도 보정을 행하는 것도 가능하게 하는 구조를 채택한다. 이하, 이점에 관해 설명한다.Then, in this embodiment, in the application to the current-driven electro-optical element, when the video signal line 106HS is shared by a plurality of pixels by paying attention to the horizontal driver 106 side, signal writing is performed while flowing current. The structure which makes it possible to perform mobility correction is also adopted. The advantages will be described below.

<개선 수법 : 제 1 실시예><Improvement method: First embodiment>

도 8a 내지 도 8c는, 전류 구동형의 전기광학 소자의 한 예인 유기 EL 소자(127)를 구동할 때에, 전류를 흘리면서 신호 기록을 행함으로써 이동도 보정을 행하는 구조를 채택하면서, 수평 주사계의 영상 신호선(106HS)을 복수 화소에서 공용화하는 유기 EL 표시 장치의 제 1 실시예를 설명하는 도면이다. 여기서, 도 8a는, 제 1 실시예의 유기 EL 표시 장치(1)의 16화소(4행4열)분의 화소 회로(P)와 각 주사부(기록 주사부(104), 구동 주사부(105), 수평 구동부(106)) 사이의 각 주사선(기록 주사선(104WS), 전원 공급선(105DSL), 영상 신호선(106HS))의 접속 관계의 개요를 도시하는 도면이다.8A to 8C show a horizontal scanning system, adopting a structure for performing mobility correction by writing a signal while flowing current when driving the organic EL element 127, which is an example of a current-driven electro-optical element. It is a figure explaining the first embodiment of the organic EL display device in which the video signal line 106HS is shared by a plurality of pixels. 8A shows a pixel circuit P corresponding to 16 pixels (4 rows and 4 columns) of the organic EL display device 1 of the first embodiment, each scanning unit (write scanning unit 104, and driving scanning unit 105). And a connection relationship between the scanning lines (the recording scanning line 104WS, the power supply line 105DSL, and the video signal line 106HS) between the horizontal drive unit 106. FIG.

도 8b는, 도 8a의 3화소(1행3열)분의 화소 회로(P)와 각 주사선(기록 주사선(104WS), 전원 공급선(105DSL), 영상 신호선(106HS))의 접속 관계의 상세를 도시 하는 도면이다. 도 8c는, 제 1 실시예의 구동 타이밍을 설명하는 타이밍 차트이고, 선순차 구동의 경우로 나타내고 있다. 설명문중에서 행 번호나 열의 속성을(예를 들면 색종(色種)이나 홀짝(奇偶)의 구별)을 나타내여 설명할 때에는, "_"로 행 번호나 열의 속성의 참조자를 붙여서 나타내는 것도 있다. 후술하는 다른 실시예도 마찬가지이다.FIG. 8B shows details of the connection relationship between the pixel circuit P for the three pixels (one row and three columns) of FIG. 8A and each scan line (the write scan line 104WS, the power supply line 105DSL, and the video signal line 106HS). It is a figure shown. 8C is a timing chart for explaining the driving timing of the first embodiment, and is shown in the case of linear sequential driving. When describing the line number or column attribute (for example, distinguishing between a color variety and an odd number) in the description text, "_" may be referred to by referencing the line number or column attribute. The same applies to other embodiments described later.

후술하는 다른 실시예도 포함하여, 본 실시예는, 수평 주사계의 주사선인 영상 신호선(106HS)이나 영상 신호(Vsig)를 복수 화소에서 공용화함에 있어서, 우선, 샘플링 트랜지스터를 한쪽의 샘플링 트랜지스터(제 1의 샘플링 트랜지스터(125))와다른쪽의 샘플링 트랜지스터(제 2의 샘플링 트랜지스터(625))의 2단(段) 종속접속 구성으로 변경한다. 요컨대, 샘플링 트랜지스터를 더블게이트 구조로 한다는 것이다.In addition to the other embodiments described later, in the present embodiment, when the video signal line 106HS or the video signal Vsig, which is a scanning line of a horizontal scanning system, is shared by a plurality of pixels, first, a sampling transistor is used as one sampling transistor (first first). Is changed to a two-stage cascaded configuration of the sampling transistor 125 of the second transistor and the other sampling transistor (the second sampling transistor 625). In short, the sampling transistor has a double gate structure.

종속접속하고 있는 2개의 샘플링 트랜지스터(125, 625)가 모두 온한 때에 영상 신호선(106HS)으로부터의 영상 신호(Vsig)(오프셋 전위(Vofs)나 신호 전위(Vin))가 구동 트랜지스터(121)의 게이트에 공급되기 때문에, 샘플링 트랜지스터(125, 625)는 AND(논리곱) 기능을 다한다. 따라서, 2개의 샘플링 트랜지스터(125, 625)의 합성이 되는 임계치 보정 준비 펄스나 임계치 보정 펄스에서는 조 내의 R, G, B화소의 샘플링 트랜지스터(125, 625)가 전부 온 하도록, 또한 신호 기록 펄스나 이동도 보정 펄스에서는 색별의 신호 전위(Vin_R, Vin_G, Vin_B)에 응하여 공유화되어 있는 R, G, B 각 열의 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)가 순번대로 온 하도록 설정하면 좋다.When both sampling transistors 125 and 625 are cascaded, the video signal Vsig (offset potential Vofs or signal potential Vin) from the video signal line 106HS becomes the gate of the driving transistor 121. The sampling transistors 125 and 625 fulfill the AND (logical) function because they are supplied to. Therefore, in the threshold correction preparation pulse or the threshold correction pulse that is the combination of the two sampling transistors 125 and 625, the sampling transistors 125 and 625 of the R, G, and B pixels in the tank are turned on, and the signal write pulse or In the mobility correction pulse, the second sampling transistors 625 in each of the R, G, and B columns shared in response to the color signal potentials Vin_R, Vin_G, and Vin_B may be sequentially turned on.

그리고, 각 열의 제 1의 샘플링 트랜지스터(125)의 제어 입력단(게이트)을 톤상적으로 자체 행의 기록 주사선(104WS)에 접속하여 기록 구동 펄스(WS)로 제어하면서, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)에 관해서는, 영상 신호선(106HS)을 공통화하는 조마다, 그 제어 입력단(게이트)을 다른 조(타행(他行))의 각각 다른 행의 동종 또는 이종의 수직 주사선에 접속하고, 예를 들면 타행의 기록 구동 펄스(WS)나 타행의 전원 구동 펄스(DSL)를 샘플링 제어 신호(SC)로서 이용하여 제어하는 점에 특징을 갖는다. 샘플링 트랜지스터(625)의 제어에 기록 주사부(104)나 구동 주사부(105)를 이용하기 때문에, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하는 주사부를 기록 주사부(104) 및 구동 주사부(105)와는 별도로 준비할 필요가 없다는 이점이 있다.The second sampling transistor 625 is connected to the write scanning line 104WS of its own row by controlling the control input terminal (gate) of the first sampling transistor 125 of each column to be tone-like and to be controlled by the write drive pulse WS. ), The control input terminal (gate) is connected to the same or different vertical scanning lines of different rows of each other group (another row) for each group that commons the video signal lines 106HS. A characteristic is that the second write drive pulse WS and the other power supply drive pulse DSL are controlled as the sampling control signal SC. Since the write scanning unit 104 and the driving scanning unit 105 are used for the control of the sampling transistor 625, the scanning unit for controlling the second sampling transistor 625 is controlled by the write scanning unit 104 and the driving scanning unit ( Apart from 105), there is no need to prepare separately.

여기서, 전체 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_all)에서는, 어느 하나의 샘플링 트랜지스터(625)가 표시 처리(본 예에서는 신호 기록이나 이동도 보정)를 위해 온 할 때, 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공용화하고 있는 타색(他色)의 샘플링 트랜지스터(125)도 온 하고 있기 때문에, 타색으로의 표시 처리 동작(본 예에서는 신호 기록이나 이동도 보정)을 금지하기 위해, 타색의 샘플링 트랜지스터(625)가 오프 하도록 타행의 기록 구동 펄스(WS)나 타행의 전원 구동 펄스(DSL)를 설정한다.Here, in the entire sampling period & mobility correction period Q_all, when any one of the sampling transistors 625 is turned on for display processing (signal recording or mobility correction in this example), the video signal Vsig or the image Since the other color sampling transistor 125 which uses the signal line 106HS is also turned on, other color sampling is prohibited in order to prohibit the display processing operation (in this example, signal recording and mobility correction) in other colors. The other write drive pulse WS or the other power supply drive pulse DSL is set so that the transistor 625 is turned off.

또한, 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위해서도 이용되는 타행의 기록 구동펄스(WS)나 타행의 전원 구동 펄스(DSL)는, 각 행에서 극력 같은 천이(遷移) 상태가 되도록 하는, 즉 타행에 있어서의 기록 구동 펄스(WS)나 전원 구동 펄 스(DSL)에 의거한 트랜지스터의 기본적인 온/오프 동작의 상태가 극력 정돈되도록 한다. 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC)에 기록 구동 펄스(WS)나 전원 구동 펄스(DSL)를 이용함으로써, 행에 의해 동작의 언밸런스가 생기지 않도록 하기 위해서다. 이로써, 각 행의 수직 주사선을 제어하기 위한 주사 펄스는, 기준 펄스를 작성하고, 그것을 시프트 레지스터로 1H씩 순차적으로 시프트시키는 일반적인 구조를 적용 가능해진다.In addition, the other write driving pulse WS and the other power supply driving pulse DSL, which are also used to control the sampling transistor 625, are to be in a transition state of the same power in each row, that is, in the other row. The state of the basic on / off operation of the transistor based on the write drive pulse WS or power supply drive pulse DSL is adjusted to the maximum. The write drive pulse WS or the power supply drive pulse DSL is used for the sampling control signal SC for controlling the sampling transistor 625 so as to prevent the operation from being unbalanced by the rows. This makes it possible to apply a general structure in which the scan pulse for controlling the vertical scan line of each row creates a reference pulse and sequentially shifts it by 1H in the shift register.

특히, 후술하는 다른 실시예와의 상위점으로서, 제 1 실시예에서는, 영상 신호선(106HS)을 공통화하는 조마다, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 게이트를 각각 다른 타행의 전원 공급선(105DSL)에 접속하고, 각각 다른 타행의 전원 구동 펄스(DSL)를 이용하여 제어하는 점에 특징을 갖는다. 요컨대, 영상 신호선(106HS)(영상 신호(Vsig))를 공용화하는 대상 열의 수에 관계없이, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 제어 입력단(게이트)을, 타행의 전원 구동 펄스(DSL)만으로 제어하는 점에 특징이 있다. 이로써, 영상 신호선(106HS)을 공용화하는 조마다, 자체 조가 속하는 행 이외에서, 각각 다른다 타행의 전원 구동 펄스(DSL)를 이용하여 다른쪽의 샘플링 트랜지스터(제 2의 샘플링 트랜지스터(625))를 제어함으로써, 수평 구동부(106)로부터 인출되는 주사선(영상 신호선(106HS))의 갯수를 삭감한 것이다.In particular, as a difference from the other embodiments described later, in the first embodiment, the power supply line 105DSL of another row has different gates of the second sampling transistor 625 for each group in which the video signal line 106HS is common. And control by using a different power supply driving pulse DSL. In other words, the control input terminal (gate) of the second sampling transistor 625 is controlled only by the other power supply driving pulse DSL, regardless of the number of columns to be shared by the video signal line 106HS (video signal Vsig). It is characteristic in that it does. Thereby, for each group in which the video signal line 106HS is shared, the other sampling transistor (second sampling transistor 625) is replaced by using a power supply driving pulse DSL of another row except for the row to which the group belongs. By controlling, the number of scanning lines (video signal lines 106HS) drawn out from the horizontal drive section 106 is reduced.

이해를 용이하게 하기 위해, 도 8a 내지 도 8c는 3열분의 영상 신호선(106HS)을 공용화하는 예를 도시하고 있다. 공통화되는 3열분의 전형례로서는, 컬러 표시를 행할 때의 색별, 즉 전형례로서의 R(적), G(녹), B(청)의 부화소(서브픽셀)가 상당한다. 도 8a 및 도 8b는, 이 전형적인 사례인 컬러 표시를 위한 서브 픽셀(R, G, B)용의 3열분에서 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공용화한 경우에서 나타내고 있다.8A to 8C show an example in which three rows of video signal lines 106HS are shared. As a typical three-column example, the color display at the time of color display, that is, the subpixel (subpixel) of R (red), G (green), and B (blue) as a typical example is considerable. 8A and 8B show the case where the video signal Vsig or the video signal line 106HS is shared in three columns for the subpixels R, G, and B for color display, which is a typical example.

수평 방향으로 인접하는 3화소(3칼럼분의 화소 회로(P))에서 영상 신호(Vsig)를 공용하기 위해, 우선, 샘플링 트랜지스터를 제 1의 샘플링 트랜지스터(125)와 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 2단 종속접속 구성으로 하고, 샘플링 트랜지스터를 더블게이트 구조로 한다.In order to share the video signal Vsig in three pixels adjacent to each other in the horizontal direction (pixel circuits P for three columns), first, the sampling transistor is first sampled transistor 125 and second sampled transistor 625. The two-stage cascade connection configuration is used, and the sampling transistor has a double gate structure.

그리고, 도 8a에 도시하는 바와 같이, 제 1의 샘플링 트랜지스터(125)에 대해서는, 톤상적으로 자체 행의 기록 주사선(104WS)에 접속함으로써, 기록 주사부(104)로부터의 기록 구동 펄스(WS)로 제어한다. 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)는, R, G, B화소에서 게이트의 접속되어 있는 전원 공급선(105DSL)의 행이 다르다. 구체적으로는, R화소(화소 회로(P_R))는 N-3행째의 전원 공급선(105DSL_N-3)에, G화소(화소 회로(P_G))에서는 N-2행째의 전원 공급선(105DSL_N-2)에, B화소(화소 회로(P_B))에서는 N-1행째의 전원 공급선(105DSL_N-1)에, 각각 접속되어 있다.As shown in FIG. 8A, for the first sampling transistor 125, the write drive pulse WS from the write scan unit 104 is connected to the write scan line 104WS in its own row in tone form. To control. The second sampling transistor 625 has different rows of power supply lines 105DSL connected to gates in R, G, and B pixels. Specifically, the R pixel (pixel circuit P_R) is connected to the N-3th power supply line 105DSL_N-3, and the G pixel (pixel circuit P_G) is the N-2nd power supply line 105DSL_N-2. In the B pixel (pixel circuit P_B), the power supply line 105DSL_N-1 on the N-1st line is connected to each other.

도 8a 및 도 8b로부터 이해되는 바와 같이, 영상 신호(Vsig)가 공용되는 R, G, B 각 열의 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 게이트를 타조(타행)의 각각 다른 전원 공급선(105DSL)에 접속하기 때문에, 화소 어레이부(102)의 수직 주사의 단부(본 예에서는 최상부)에 관해서는 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하는 전원 공급선(105DSL)이 부족하게 되지만, 그 만큼의 더미의 행을 마련하면 좋다.8A and 8B, the gates of the second sampling transistors 625 in the R, G, and B columns of which the image signals Vsig are shared are connected to different power supply lines 105DSL of the ostrich (the other row). Because of the connection, the power supply line 105DSL for controlling the sampling transistor 625 is insufficient at the end of the vertical scan of the pixel array unit 102 (the uppermost one in this example), but as many dummy rows are provided. Do it.

도 8c에는, 제 1 실시예의 타이밍 차트가 도시되어 있다. 후술하는 다른 실시예도 포함하여, 선순차 구동이고, 전원 구동 펄스(DSL) 및 기록 구동 펄스(WS)나 영상 신호(Vsig)는, 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공통화한 3열분을 1조로 하여 각 신호의 타이밍(특히 위상 관계)이 규정된다. 이하의 설명에서는, R, G, B의 3열에 주목하여 설명한다.8C shows a timing chart of the first embodiment. In addition to the other embodiments described below, the power supply driving pulse DSL, the recording driving pulse WS, and the video signal Vsig are divided into three columns in common with the video signal Vsig and the video signal line 106HS. The timing (particularly the phase relationship) of each signal is defined by using one pair. In the following description, attention will be given to three columns of R, G, and B.

우선, 샘플링 트랜지스터(125)와 샘플링 트랜지스터(625)로 AND(논리곱) 기능을 다하기 때문에, N행째의 R열의 샘플링 트랜지스터(125, 625)에 의해 합성된 제어 신호는 기록 구동 펄스(WS_N)와 전원 구동 펄스(DSL_N-3)의 논리곱이 되고, N행째의 G열의 샘플링 트랜지스터(125, 625)에 의해 합성된 제어 신호는 기록 구동 펄스(WS_N)와 전원 구동 펄스(DSL_N-2)의 논리곱이 되고, N행째의 B열의 샘플링 트랜지스터(125, 625)에 의해 합성된 제어 신호는 기록 구동 펄스(WS_N)와 전원 구동 펄스(DSL_N-1)의 논리곱이 된다.First, since the AND function is performed on the sampling transistor 125 and the sampling transistor 625, the control signal synthesized by the sampling transistors 125 and 625 in the R-th column of the N-th row is the write drive pulse WS_N. And the control signal synthesized by the sampling transistors 125 and 625 in the G-column of the Nth row are the logical product of the write drive pulse WS_N and the power drive pulse DSL_N-2. The control signal synthesized by the sampling transistors 125 and 625 in column B of the N-th row is a logical product of the write drive pulse WS_N and the power drive pulse DSL_N-1.

R, G, B 각 열의 영상 신호(Vsig)에 관해서는, 영상 신호(Vsig)가 비유효 기간인 오프셋 전위(Vofs)에 있는 기간을 1수평 기간의 전반부로 하고, 유효 기간인 신호 전위(Vin)(=Vofs+△Vin)에 있는 기간을 1수평 기간의 후반부로 하고, 신호 전위(Vin)의 기간을 R, G, B용의 계조에 응한 각 신호 전위(Vin_R, Vin_G, Vin_B)로 전환하는 수법을 채택한다. 이에 맞추어서, 기록 구동 펄스(WS)는 각 신호 전위(Vin_R, Vin_G, Vin_B)일 때에 액티브(H)가 되도록 전환한다. 또한, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)에 의한 온/오프 제어가 작용하기 때문에, 전체 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_all)에서 기록 구동 펄스(WS)를 액티브(H)로 하고 있어도 좋다. 이 점은 다른 실시예에서도 마찬가지이다.Regarding the video signal Vsig of each of the R, G, and B columns, the period in which the video signal Vsig is in the offset potential Vofs, which is an invalid period, is taken as the first half of the horizontal period, and the signal potential Vin which is the effective period. The period in which (= Vofs + ΔVin) is the latter half of one horizontal period, and the period of the signal potential Vin is switched to each signal potential (Vin_R, Vin_G, Vin_B) corresponding to the grayscales for R, G, and B. Adopt the technique. In accordance with this, the write drive pulse WS is switched to become active (H) at the signal potentials Vin_R, Vin_G, and Vin_B. In addition, since the on / off control by the second sampling transistor 625 works, the write drive pulse WS may be active H in the entire sampling period & mobility correction period Q_all. This point also applies to other embodiments.

그와 관련하여, 신호 전위(Vin)의 기간에, 차례로(예를 들면 R→G→B의 순서 로) 신호 기록을 행하는 방식으로 하기 때문에, 영상 신호(Vsig)를 합성한 3열분의 신호 기록을 행하기 위해, 영상 신호(Vsig)(상세하게는 신호 전위(Vin)=Vofs+△Vin)를 R화소용의 Vsig_R와 G화소용의 Vsig_G와 B화소용의 Vsig_B로 전환하여 신호 기록을 행할 필요가 있다. 이를 위해서는, 신호 전위(Vin)(=Vofs+△Vin)를 R화소용의 신호 전위(Vin_R)와 G화소용의 신호전위(Vin)와 B화소용의 신호 전위(Vin_B)로 전환하는 것이 되기 때문에, 이 대응을 위해, 예를 들면 수평 구동부(106)에 기억부(예를 들면 라인 메모리)를 구비하도록 하여, Vin_R, Vin_G, Vin_B를 곧바로 전환되도록 하는 것이 좋다.In this regard, since the signal recording is performed in order (for example, in the order of R → G → B) in the period of the signal potential Vin, the signal recording for three columns of the synthesized video signal Vsig is performed. In order to perform the above, it is necessary to switch the video signal Vsig (in detail, the signal potential Vin = Vofs + ΔVin) to Vsig_R for R pixels, Vsig_G for G pixels, and Vsig_B for B pixels to perform signal recording. There is. For this purpose, the signal potential Vin (= Vofs + ΔVin) is switched to the signal potential Vin_R for the R pixel, the signal potential Vin for the G pixel, and the signal potential Vin_B for the B pixel. For this countermeasure, for example, the horizontal drive unit 106 may include a storage unit (for example, a line memory) so that the Vin_R, Vin_G, and Vin_B are switched immediately.

오프셋 전위(Vofs)와 전신호 전위(Vin)의 각 기간의 비율은, 예를 들면 제 3 비교예의 타이밍 차트의 경우와 마찬가지로 대강 50%씩으로 하여도 좋고, R, G, B용의 계조에 응한 각 신호 전위(Vin_R, Vin_G, Vin_B)로 전환하는 점(환언하면 R, G, B 각각의 신호 기록 기간이 좁아지는 점)을 가미하여 신호 전위(Vin)의 기간의 쪽을 넓게 하여도 좋다. 그 만큼 오프셋 전위(Vofs)의 기간이 좁아지고 1H당의 임계치 보정 기간이 좁아지기 때문에, 이 점을 가미하여 임계치 보정 회수를 늘려도 좋다. 이들은 한 예이고, 그 밖의 타이밍을 적용 가능하다.The ratio of the respective periods of the offset potential Vofs and the total signal potential Vin may be set at approximately 50% as in the case of the timing chart of the third comparative example, for example, depending on the gradation for R, G, and B. The period of the signal potential Vin may be widened by taking the point of switching to the signal potentials Vin_R, Vin_G, and Vin_B (in other words, the points in which the signal recording periods of R, G, and B become narrower). Since the period of the offset potential Vofs is narrowed and the threshold correction period per 1H is narrowed by that, the number of threshold corrections may be increased in consideration of this point. These are examples and other timings can be applied.

또한, 전체 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_all)에서는, 타 화소의 샘플링&이동도 보정의 금지도 가미하여, R화소의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_R)에는 G화소와 B화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_G, SC_B)로서도 이용되는 N-2행째 및 N-1행째의 전원 구동 펄스(DSL_N-2, DSL_N-1)를 제 2 전위(Vss)로 하고, 다음에 필요하게 될 때에 제 1 전위(Vcc)로 되돌린다. 마 찬가지로, G화소의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_G)에는 G화소과 B화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_R, SC_B)로서도 이용되는 N-3행째 및 N-1행째의 전원 구동 펄스(DSL_N-3, DSL_1)를 제 2 전위(Vss)로 하고, 다음에 필요하게 될 때에 제 1 전위(Vcc)로 되돌린다. 또한, B화소의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_B)에는 R화소과 G화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_R, SC_G)로서도 이용되는 N-3행째 및 N-2행째의 전원 구동 펄스(DSL_N-3, DSL_2)를 제 2 전위(Vss)로 하고, 다음에 필요하게 될 때에 제 1 전위(Vcc)로 되돌린다. 자체 행의 기록 구동 펄스(WS)와 타행의 전원 구동 펄스(DSL)의 논리곱의 액티브 기간에 색별의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_R, Q_G, Q_B)을 결정하게 된다.In addition, in the entire sampling period & mobility correction period Q_all, the prohibition of sampling and mobility correction of other pixels is added, and the sampling of G pixels and B pixels is performed in the sampling period & mobility correction period Q_R of the R pixel. The power supply driving pulses DSL_N-2 and DSL_N-1 in the N-2nd and N-1st rows, which are also used as the sampling control signals SC_G and SC_B for controlling the transistor 625, are set as the second potential Vss. Next time, it is returned to the first potential Vcc when necessary. Likewise, in the sampling period & mobility correction period (Q_G) of the G pixel, the N-3th row and the N-1 which are also used as the sampling control signals SC_R, SC_B for controlling the sampling transistors 625 of the G pixel and the B pixel. The power supply driving pulses DSL_N-3 and DSL_1 in the row are set to the second potential Vss, and then returned to the first potential Vcc when necessary. In addition, during the sampling period & mobility correction period Q_B of the B pixel, the N-3th row and the N-2nd row which are also used as sampling control signals SC_R and SC_G for controlling the sampling transistors 625 of the R pixel and the G pixel. The power supply driving pulses DSL_N-3 and DSL_2 are set to the second potential Vss, and then returned to the first potential Vcc when necessary. The sampling period & mobility correction period Q_R, Q_G, Q_B for each color is determined in the active period of the logical product of the write drive pulse WS in the own row and the power drive pulse DSL in the other row.

또한, 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위해서도 이용되는 타행의 전원 구동펄스(DSL)는, 각 행에서 극력 같은 천이 상태가 되도록 하는, 즉 타행에 있어서의 전원 구동 펄스(DSL)에 의거한 구동 트랜지스터(121)의 기본적인 전원 라인의 온/오프 동 작의 상태가 극력 정돈되도록 한다. 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC)에 타행의 전원 구동 펄스(DSL)를 이용함으로써, 행에 의해 동작의 언밸런스가 생기지 않도록 하기 위해서다. 이로써, 각 행의 전원 공급선(105DSL)을 제어하기 위한 전원 구동 펄스(DSL)는, 기준 펄스를 작성하고, 그것을 시프트 레지스터로 1H씩 순차적으로 시프트시키는 일반적인 구조를 적용 가능해진다.In addition, the other power supply driving pulse DSL, which is also used to control the sampling transistor 625, causes the transition state of the same power in each row, that is, the driving transistor based on the power supply driving pulse DSL in the other row. The state of the on / off operation of the basic power line of 121 is adjusted to the maximum. In order to prevent unbalance of operation by rows by using another power supply driving pulse DSL for the sampling control signal SC for controlling the sampling transistor 625. Thereby, the general structure which the power supply drive pulse DSL for controlling the power supply line 105DSL of each row produces | generates a reference pulse, and shifts it sequentially by 1H by a shift register can be applied.

여기서, 도 8c에 도시한 타이밍 차트로부터 이해되는 바와 같이, 제 1 실시 예의 경우, 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공용하고 있는 R, G, B 각 열의 화소 사이에서의 식역치 보정 회수가 같아진다. 그와 관련하여, 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공용하고 있는 R, G, B 각 열의 화소 사이에서의 임계치 보정 준비 기간이 달라저 버리지만, 임계치 보정 준비는 구동 트랜지스터(121)의 소스 전압을 제 2 전위(Vss)로 하는 오퍼레이션이기 때문에 문제는 없다.Here, as understood from the timing chart shown in Fig. 8C, in the first embodiment, the threshold value correction between the pixels of each of the R, G, and B columns sharing the video signal Vsig or the video signal line 106HS is used. The frequency is the same. In this regard, the threshold correction preparation period between pixels in each of the R, G, and B columns sharing the video signal Vsig or the video signal line 106HS varies, but the threshold correction preparation is performed by the driving transistor 121. There is no problem because it is an operation of setting the source voltage of to be the second potential Vss.

또한, 제 1 실시예의 구조에서는, 다른 행(본 예에서는 N행째에 대해, N-3행째, N-2행째, N-1행째)의 전원 구동 펄스(DSL)를 제 2 전위(Vss)로 하여(환언하면 구동 트랜지스터(121)에의 전원을 오프로 하여), 신호 전위의 샘플링이나 이동도 보정을 행하는 타이밍을 결정하고 있기 때문에, 자체 행의 전원 구동 펄스(DSL)도 샘플링 기간&이동도 보정 기간의 후에 제 2 전위(Vss)가 되는 기간이 있다. 그러나, 신호 기록 종료 후에 자체 행의 전원 공급선(105DSL)이 제 2 전위(Vss)가 되어도(즉 전원이 오프 하여도), 구동 트랜지스터(121)의 게이트·소스 사이에는 보존 용량(120)이 접속되어 있고 부트스트랩 기능이 작용하여 게이트-소스 사이 전압(Vgs)은 일정하기 때문에, 재차 전원 공급선(105DSL)이 제 1 전위(Vcc)로 되돌아온 때(즉 전원이 온 한 때)에, 유기 EL 소자(127)는 재차 정상적으로 발광할 수 있고, 발광 휘도가 변화하는 일은 없다.Further, in the structure of the first embodiment, the power supply driving pulse DSL of another row (in this example, N-3 rows, N-2 rows, and N-1 rows) is set to the second potential Vss. (In other words, the power supply to the driving transistor 121 is turned off) to determine the timing of sampling or mobility correction of the signal potential, so that the power supply driving pulse DSL of its own row is also corrected for the sampling period & mobility. There is a period which becomes the second potential Vss after the period. However, even when the power supply line 105DSL in its own row becomes the second potential Vss (that is, even when the power supply is turned off) after the signal writing is completed, the storage capacitor 120 is connected between the gate and the source of the driving transistor 121. And the bootstrap function and the gate-source voltage Vgs is constant, the organic EL element again when the power supply line 105DSL returns to the first potential Vcc (that is, when the power is turned on). 127 can emit light normally again, and the light emission luminance does not change.

그와 관련하여, 유기 EL 소자(127)의 발광 기간은, 기본적으로는, 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q) 후의 기록 구동 펄스(WS)를 인액티브로 하는 타이밍(샘플링 트랜지스터(125)의 오프 타이밍)과 전원 라인인 전원 공급선(105DSL)의 제 2 전 위(Vss)로의 전환(전원 오프)으로 결정된다. 본 예에서는, 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q) 후의 기록 구동 펄스(WS)를 인액티브로 한 후에 임계치 준비 기간에 들어가기 때문에 전원 공급선(105DSL)을 제 2 전위(Vss)로 전환하기 전에, 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_all)에서 R, G, B의 각 화소용의 신호 기록이나 이동도 보정을 차례로 전환하여 행하도록 하기 때문에, 전원 구동 펄스(DSL_N-3, DSL_N-2, DSL_N-3)을 일단 제 2 전위(Vss)로 전환하고 있다. 이 때문에, 각 행의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_R), 후에 샘플링 트랜지스터(125)를 오프 한 시점이 발광 시작 타이밍이 되고, 그 후에 임계치 보정 동작으로 들어가기 전의 초기화를 위해 전원 구동 펄스(DSL)를 제 2 전위(Vss)로 전환한 타이밍이 발광 종료 타이밍이 되고, 그중의 전원 구동 펄스(DSL)가 제 2 전위(Vss)의 기간을 제외한 분이 토탈의 발광 기간이 된다.In this regard, the light emission period of the organic EL element 127 is basically a timing in which the write drive pulse WS after the sampling period & mobility correction period Q is made inactive (of the sampling transistor 125). Off timing) and switching to the second potential Vss of the power supply line 105DSL which is the power supply line (power off). In this example, since the threshold preparation period is entered after the write drive pulse WS after the sampling period & mobility correction period Q is inactive, before switching the power supply line 105DSL to the second potential Vss, In the sampling period & mobility correction period Q_all, the signal recording and mobility correction for each pixel of R, G, and B are switched in order, so that the power drive pulses DSL_N-3, DSL_N-2, DSL_N- 3) is once switched to the second potential Vss. For this reason, the sampling period & mobility correction period Q_R of each row, and the time point at which the sampling transistor 125 is turned off later become the light emission start timing, after which the power supply driving pulse DSL for initialization before entering the threshold correction operation. ) Is the end timing of light emission, and the one whose power supply driving pulse DSL excludes the period of the second potential Vss becomes the total light emission period.

도 8c에 도시한 타이밍 차트의 2개의 샘플링 트랜지스터(125, 625)에 의한 합성의 제어 신호의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q)에서의 관계로부터 이해되는 바와 같이, 1H기간의 후반부에서, R, G, B의 각 화소의 발광 시작 타이밍이 순차적으로 시프트한다. 그러나, 그 차이는 적어도 1H기간 내이고, 근소하기 때문에, 각 색의 발광 기간의 차는 문제로 되지 않는다고 생각하여도 좋다. 이 어긋남이 문제가 되는 경우에는, 예를 들면 색별의 신호 전위(Vin_R, Vin_G, Vin_B)를 보정함으로써 대처하면 좋다.As understood from the relationship in the sampling period & mobility correction period Q of the combined control signal by the two sampling transistors 125 and 625 in the timing chart shown in Fig. 8C, in the second half of the 1H period, R The light emission start timings of the pixels G, B are sequentially shifted. However, since the difference is within at least 1H period and is small, the difference in the light emission period of each color may not be considered a problem. When this misalignment becomes a problem, it is good to cope by correcting the signal potentials Vin_R, Vin_G, Vin_B for each color, for example.

제 1 실시예의 구조에서는, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 게이트를 타행의 전원 공급선(105DSL)에 접속하여 타행의 전원 구동 펄스(DSL)로 제어하도록 하 고 있기 때문에, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하는 주사부를 기록 주사부(104) 및 구동 주사부(105)와는 별도로 준비할 필요가 없고 저비용화를 확실하게 실현할 수 있는 이점이 있다. 수직 구동부(103)(스캐너 또는 드라이버)로부터 출력된 제어 신호의 수를 늘리는 일 없이, 또한 외부에 여분의 제어 회로나 제어선을 갖지 않고서 샘플링 트랜지스터(125)에(사실상 샘플링 트랜지스터(625)에도) 영상 신호(Vsig)를 공급하는 주사선인 영상 신호선(106HS)의 갯수를 줄일(본 예에서는 1/3롤 할) 수가 있고 저비용화가 가능해진다.In the structure of the first embodiment, since the gate of the second sampling transistor 625 is connected to the other power supply line 105DSL and controlled by the other power supply driving pulse DSL, the second sampling transistor ( It is not necessary to prepare a scanning portion for controlling the 625 separately from the recording scanning portion 104 and the driving scanning portion 105, and there is an advantage that the cost can be reliably realized. Without increasing the number of control signals output from the vertical driver 103 (scanner or driver), and without having an extra control circuit or control line externally, to the sampling transistor 125 (in fact, also to the sampling transistor 625). The number of video signal lines 106HS, which are scanning lines for supplying the video signal Vsig, can be reduced (1/3 roll in this example), and the cost can be reduced.

또한, 전례(前例)에서는, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 게이트를 3행 전 내지 1행 전의 전원 공급선(105DSL)에 색별로 다르게 접속하도록 하고 있지만, 이것은 한 예에 지나지 않고, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 게이트는, 공용화하고 있는 행을 제외한 타행의 전원 공급선(105DSL)인 한 어느 행의 전원 공급선(105DSL)에 접속하여도 좋다. 단, 공용화하고 있는 부분으로부터 떨어질수록 배선 길이가 길어지고 기록 주사선(104WS)과의 교차가 증가하는 불이익이 생긴다. 예를 들면 배선 저항이 커짐으로서의 타이밍 어긋남이나 교차에 의한 크로스 쇼트가 증가하는 등이 일어날 수 있다. 또한, 화소 어레이부(102)의 수직 주사의 단부에 마련하는 더미의 행 수가 증가한 난점도 있다. 따라서 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 게이트는, 공용화하고 있는 부분의 부근의 전원 공급선(105DSL)에 접속하는 것이 바람직하다.Further, in the previous example, the gate of the second sampling transistor 625 is connected to the power supply line 105DSL before three rows to one row differently by color, but this is only one example. The gate of the sampling transistor 625 may be connected to the power supply line 105DSL of any row as long as it is the power supply line 105DSL of another row except for the shared line. However, the further the distance away from the common part, the longer the wiring length and the disadvantage of increasing the crossing with the write scanning line 104WS. For example, timing misalignment due to large wiring resistance, cross short due to crossover, or the like may occur. There is also a difficulty in that the number of dummy rows provided at the end portion of the vertical scan of the pixel array unit 102 increases. Therefore, it is preferable that the gate of the second sampling transistor 625 be connected to the power supply line 105DSL in the vicinity of the shared portion.

또한, 전례에서는, 영상 신호선(106HS)을 컬러 표시를 위한 서브픽셀(R, G, B)용의 3열분에서 공용화하는 예로 설명하였지만, 이것은 한 예에 지나지 않고, 공 용화의 대상이 되는 영상 신호(Vsig)가 복수열분이면 좋고, 인접하는 3열분이 아니라도 좋다.In the previous example, the video signal line 106HS has been described as an example in which three columns for the subpixels R, G, and B for color display are shared, but this is only one example, and the video signal to be shared is an example. (Vsig) may be plural rows, and not adjacent three rows.

또한, 전례에서는, 이해를 용이하게 하기 위해, 인접하는 R, G, B용의 3열분에서 영상 신호(Vsig)를 공용화하는 예로 설명하였지만, 이것은 한 예에 지나지 않고, 공용화의 대상 수는 임의(k개로 한다)이고, 샘플링 트랜지스터를 더블게이트 구조로 하여, k열분에서 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공용화하도록 하여도 좋다. 이 경우, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)에 관해서는, 공용화의 대상이 되는 행을 제외한 각 다른 행의 전원 공급선(105DSL)에 접속하여 각 다른 행의 전원 구동 펄스(DSL)를 샘플링 제어 신호(SC)에 사용하도록 하면 좋다. 단, 3열의 공용화의 경우와 마찬가지로, 공용화하고 있는 부분으로부터 떨어질수록, 배선 길이가 길어지는, 기록 주사선(104WS)과의 교차가 증가하는, 더미행이 증가하는 등의 불이익이 생긴다.In addition, in the previous example, for the sake of easy understanding, it has been described as an example of sharing the video signal Vsig in three columns for adjacent R, G, and B, but this is only one example, and the number of objects to be shared is arbitrary ( k), and the sampling transistor may have a double gate structure, and the video signal Vsig and the video signal line 106HS may be shared in k columns. In this case, the second sampling transistor 625 is connected to the power supply line 105DSL of each other row except for the row to be shared, and the power supply driving pulse DSL of each other row is applied to the sampling control signal ( SC) can be used. However, similarly to the case of three-column sharing, there is a disadvantage in that the distance from the shared portion increases, the length of the wiring increases, the crossover with the write scanning line 104WS increases, and the dummy row increases.

<개선 수법 : 제 2 실시예><Improvement method: Second embodiment>

도 9a 및 도 9b는, 전류를 흘리면서 신호 기록을 행함으로써 이동도 보정을 행하는 구조를 채택하면서, 수평 주사계의 영상 신호선(106HS)을 복수 화소에서 공용화하는 유기 EL 표시 장치의 제 2 실시예를 설명하는 도면이다. 여기서, 도 9a는, 제 2 실시예의 유기 EL 표시 장치(1)의 3화소(1행3열)분의 화소 회로(P)와 각 주사선(기록 주사선(104WS), 전원 공급선(105DSL), 영상 신호선(106HS))의 접속 관계의 상세를 도시하는 도면이다. 도 9b는, 제 2 실시예의 구동 타이밍을 설명하는 타이밍 차트이고, 선순차 구동의 경우로 나타내고 있다. 이해를 용이하게 하기 위 해, 제 1 실시예와 마찬가지로, 컬러 표시를 위한 서브픽셀(R, G, B)용의 3열분에서 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공용화하는 예로 각 도면은 도시하고 있다.9A and 9B show a second embodiment of an organic EL display device in which the video signal line 106HS of a horizontal scanning system is shared by a plurality of pixels while adopting a structure in which mobility is corrected by writing a signal while passing a current. It is a figure explaining. Here, Fig. 9A shows a pixel circuit P for three pixels (one row and three columns) of the organic EL display device 1 of the second embodiment, each scan line (write scan line 104WS, power supply line 105DSL, and image). It is a figure which shows the detail of the connection relationship of the signal line 106HS. 9B is a timing chart for explaining the driving timing of the second embodiment, and is shown in the case of linear sequential driving. For ease of understanding, as in the first embodiment, an example of sharing the video signal Vsig or the video signal line 106HS in three columns for the subpixels R, G, and B for color display is shown. Is shown.

제 2 실시예에서는, 화소 회로(P) 내의 구체적인 구성은 제 1 실시예와 마찬가지로 샘플링 트랜지스터를 제 1의 샘플링 트랜지스터(125)와 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 종속접속으로 한 더블게이트 구조를 채택한다. 제 1 실시예와의 상위는, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 제어 입력단(게이트)을, 타행의 전원 구동 펄스(DSL)만으로 제어하는 것이 아니고, 타행의 기록 구동 펄스(WS)와 타행의 전원 구동 펄스(DSL)의 조합으로 제어하는 점에 특징이 있다.In the second embodiment, the specific structure in the pixel circuit P has a double gate structure in which the sampling transistor is a slave connection between the first sampling transistor 125 and the second sampling transistor 625, similarly to the first embodiment. Adopt. The difference from the first embodiment is that the control input terminal (gate) of the second sampling transistor 625 is not controlled only by the other power supply driving pulse DSL, but by the other writing driving pulse WS and the other row. It is characterized in that it is controlled by a combination of the power source driving pulses DSL.

즉, 샘플링 트랜지스터(625)의 게이트에 관해, 공용화 열의 한쪽은 공용화 부분을 제외한 다른 행의 기록 주사선(104WS)에 접속하여 다른 행의 기록 구동 펄스(WS)를 샘플링 제어 신호(SC)로서 이용하여 제어함과 함께, 공용화 열의 다른쪽은 공용화 부분을 제외한 다른 행의 전원 공급선(105DSL)에 접속하여 타행의 전원 구동 펄스(DSL)를 샘플링 제어 신호(SC)로서 이용하여 제어하는 점에 특징을 갖는다. 즉, 공용화 부분을 제외한 타행의 기록 구동펄스(WS)와 타행의 전원 구동 펄스(DSL)(공용화 부분에서 각각 다른 행으로 한다)를 이용하여 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어함으로써, 수평 구동부(106)로부터 인출되는 주사선(영상 신호선(106HS))의 갯수를 삭감하여, 영상 신호(Vsig)를 복수 화소에서 공용하는 것이다.That is, with respect to the gate of the sampling transistor 625, one of the shared columns is connected to the write scan line 104WS of the other row except for the shared portion, and the write drive pulse WS of the other row is used as the sampling control signal SC. In addition to the control box, the other side of the shared column is characterized in that it is connected to the power supply line 105DSL of the other row except for the shared portion and controls the other power supply driving pulse DSL as the sampling control signal SC. . That is, the horizontal driving unit is controlled by controlling the second sampling transistor 625 by using the write drive pulse WS of the other row except for the shared portion and the power drive pulse DSL of the other row (different rows in the commonized portion). The number of scanning lines (video signal lines 106HS) drawn out from 106 is reduced, and the video signal Vsig is shared by a plurality of pixels.

수평 방향으로 인접하는 3화소(R, G, B의 3칼럼분의 화소 회로(P))에서 영상 신호선(106HS)에 주는 영상 신호(Vsig)를 공용하기 위해, 우선, 도 8a 내지 도 8c에 도시한 제 1 실시예와 마찬가지로, 샘플링 트랜지스터를 제 1의 샘플링 트랜지스터(125)와 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 2단 종속접속 구성으로 한다. 그리고, 도 9a에 도시하는 바와 같이, 제 1의 샘플링 트랜지스터(125)에 대해서는, R, G, B 다른 3칼럼(3열)분의 화소 회로(P)를 동일한 영상 신호선(106HS)에 접속함으로써, 수평 구동부(106)로부터의 영상 신호(Vsig)로 3열의 화소 회로(P)에 공통으로 영상 신호(Vsig)를 공급한다. 또한, R, G, B 각 열의 제 1의 샘플링 트랜지스터(125)의 제어 입력단(게이트)을 통상과 같이 자체 행의기록 주사선(104WS)에 접속하여 기록 구동 펄스(WS_N)로 제어한다.First of all, in order to share the video signal Vsig given to the video signal line 106HS in the pixel circuit P for three columns R, G, and B adjacent in the horizontal direction, first, in FIGS. 8A to 8C. Similarly to the first embodiment shown, the sampling transistor has a two-stage cascade configuration of the first sampling transistor 125 and the second sampling transistor 625. As shown in Fig. 9A, for the first sampling transistor 125, the pixel circuit P for three columns (three columns) of R, G, and B is connected to the same video signal line 106HS. The image signal Vsig is supplied in common to the pixel circuits P of three columns by the image signal Vsig from the horizontal driver 106. Further, the control input terminal (gate) of the first sampling transistor 125 in each of the R, G, and B columns is connected to the write scan line 104WS in its own row as usual, and controlled by the write drive pulse WS_N.

제 2의 샘플링 트랜지스터(625)는, 공용화 부분의 한쪽의 게이트를 자체 행 이외의 기록 주사선(104WS)에 접속함으로써 타행의 기록 주사선(104WS)으로부터의 기록 구동 펄스(WS)로 제어함과 함께, 공용화 부분의 다른쪽의 게이트를 자체 행 이외의 전원 공급선(105DSL)에 접속함으로써 타행의 구동 주사부(105)로부터의 전원 구동 펄스(DSL)로 제어한다. 이 때, 공용화부분인 R, G, B 각 열의 각 샘플링 트랜지스터(625)는, 각각 다른 행의 기록 구동 펄스(WS)나 전원 구동 펄스(DSL)를 샘플링 제어 신호(SC)로서 사용하도록 한다.The second sampling transistor 625 is connected to the write scan line 104WS other than its own row by connecting one gate of the shared portion to the write drive pulse WS from the write scan line 104WS of the other row. The other gate of the shared portion is connected to a power supply line 105DSL other than its own row to control by the power supply drive pulse DSL from the other driving scan unit 105. At this time, each of the sampling transistors 625 in each of the R, G, and B columns, which are the shared portions, uses the write drive pulses WS and the power drive pulses DSL in different rows as the sampling control signals SC.

예를 들면, N행째의 R, G, B화소에 있어서, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)는, R화소는 N+1행째의 기록 주사선(104WS_N+1)에, G화소에서는 N-3행째의 전원 공급선 105DSL_N-3에, B화소에서는 N+2행째의 기록 주사선(104WS_N+2)에, 각각 접속되어 있다.For example, in the N-th R, G, and B pixels, the second sampling transistor 625 has the R pixel in the N + 1th write scan line 104WS_N + 1, and the G pixel in the N-3th row. The power supply line 105DSL_N-3 is connected to the N + 2th write scan line 104WS_N + 2 in the B pixel.

도 9a로부터 이해되는 바와 같이, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 게이트를 타행의 기록 주사선(104WS)이나 전원 공급선(105DSL)에 접속하기 때문에, 기록 주사선(104WS) 또는 전원 공급선(105DSL)과 교차시킬 필요가 생기다. 또한, 화소 어레이부(102)의 수직 주사의 단부(본 예에서는 최상부나 최하부)에 관해서는 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하는 기록 주사선(104WS)이나 전원 공급선(105DSL)이 부족하게 되지만, 그 만큼의 더미의 행을 마련하면 좋다.As understood from Fig. 9A, since the gate of the second sampling transistor 625 is connected to the other write scan line 104WS or the power supply line 105DSL, it crosses the write scan line 104WS or the power supply line 105DSL. There is a need to. Note that the write scan line 104WS and the power supply line 105DSL for controlling the sampling transistor 625 are insufficient at the end portion (the uppermost portion or the lowermost portion) of the vertical scan of the pixel array unit 102, but as much as that. It is good to arrange a row of piles.

도 9b에 도시하는 제 2 실시예의 타이밍 차트와 같이, 신호 전위(Vin)의 기간을 R, G, B용의 계조에 응한 각 신호 전위(Vin_R, Vin_G, Vin_B)로 전환하고, 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_all)에서는, 색별의 신호 전위(Vin_R, Vin_G, Vin_B)에 응하여 공유화되어 있는 각 열의 샘플링 트랜지스터(625)가 순번대로 온 하도록 설정한다.As shown in the timing chart of the second embodiment shown in Fig. 9B, the period of the signal potential Vin is switched to each of the signal potentials Vin_R, Vin_G, and Vin_B corresponding to the grayscales for R, G, and B, and the sampling period & shift is performed. In the degree correction period Q_all, the sampling transistors 625 of each column which are shared in response to the color-coded signal potentials Vin_R, Vin_G, and Vin_B are sequentially turned on.

또한, 전체 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_all)에서는, 타 화소의 샘플링&이동도 보정의 금지도 가미하여, R화소의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_R)에는, G화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_G)로서도 이용되는 N-3행째의 전원 구동 펄스(DSL_N-3)를 제 2 전위(Vss)로 하고 다음에 필요하게 될 때에 제 1 전위(Vcc)로 되돌리고, B화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_B)로서도 이용되는 N+2행째의 기록 구동 펄스(WS_N+2)를 인액티브(L)에 하고 다음에 필요하게 될 때에 액티브(H)로 한다.In addition, in the entire sampling period & mobility correction period Q_all, the prohibition of sampling & mobility correction of other pixels is added. In the sampling period & mobility correction period Q_R of the R pixel, the sampling transistor of the G pixel ( The N-3th power supply driving pulse DSL_N-3, which is also used as the sampling control signal SC_G for controlling the 625, is set to the second potential Vss and then to the first potential Vcc when it is needed next time. When the N + 2nd write drive pulse WS_N + 2 is used as the inactive L, which is also used as the sampling control signal SC_B for controlling the sampling transistor 625 of the B pixel, Set to active (H).

마찬가지로, G화소의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_G)에는, R화소나 B화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_R, SC_B)로서 도 이용되는 N+1행째나 N+2행째의 기록 구동 펄스(WS_N+1, WS_N+2)를 인액티브(L)에 하고 다음에 필요하게 될 때에 액티브(H)로 한다.Similarly, in the sampling period & mobility correction period Q_G of the G pixel, the N + 1st row and the N used also as the sampling control signals SC_R and SC_B for controlling the sampling transistor 625 of the R pixel and the B pixel. The write driving pulses WS_N + 1 and WS_N + 2 in the + 2nd row are made inactive L and made active H the next time it is needed.

또한, B화소의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_B)에는, R화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_R)로서도 이용되는 N+1행째의 기록 구동 펄스(WS_N+1)를 인액티브(L)로 하고 다음에 필요하게 될 때에 액티브(H)로 하고, G화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_G)로서도 이용되는 N-3행째의 전원 구동 펄스(DSL_N-3)를 제 2 전위(Vss)로 하고 다음에 필요하게 될 때에 제 1 전위(Vcc)로 되돌린다. 자체 행의 기록 구동 펄스(WS)와 타행의 기록 구동펄스(WS)나 전원 구동 펄스(DSL)의 논리곱의 액티브 기간에서 색별의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_R, Q_G, Q_B)을 결정하게 된다.Further, in the sampling period & mobility correction period Q_B of the B pixel, the write drive pulse WS_N + 1 of the N + 1st line which is also used as the sampling control signal SC_R for controlling the sampling transistor 625 of the R pixel. ) Is set to inactive L, becomes active (H) next time, and is used as the N-3th line power supply used as the sampling control signal SC_G for controlling the sampling transistor 625 of the G pixel. The pulse DSL_N-3 is set to the second potential Vss and is returned to the first potential Vcc when it is needed later. The sampling period & mobility correction period (Q_R, Q_G, Q_B) for each color is determined in the active period of the logical product of the write drive pulse WS of the own row and the write drive pulse WS of the other row or the power drive pulse DSL. Done.

또한, 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위해서도 이용되는 타행의 기록 구동펄스(WS)나 전원 구동 펄스(DSL)는, 각 행에서 극력 같은 천이 상태가 되도록 하는, 개공 타행에 있어서의 기록 구동 펄스(WS)에 의거한 샘플링 트랜지스터(125)의 기본적인 온/오프 동작이나 전원 구동 펄스(DSL)에 의거한 구동 트랜지스터(121)의 기본적인 전원 라인의 온/오프 동작의 상태가 극력 정돈되도록 한다. 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC)에 타행의 기록 구동 펄스(WS)나 전원 구동 펄스(DSL)를 이용함으로써, 행에 의해 동작의 언밸런스가 생기지 않도록 하기 위해서다. 이로써, 각 행의 기록 주사선(104WS)을 제어하기 위한 기록 구동 펄스(WS)나 각 행의 전원 공급선(105DSL)을 제어하기 위한 전원 구동 펄스(DSL)는, 기준 펄스를 작성하고, 그것을 시프트 레지스터로 1H씩 순차적으로 시 프트시키는 일반적인 구조를 적용함으로써 생성될 수 있다.In addition, the write drive pulse WS and the power drive pulse DSL of the other row, which are also used to control the sampling transistor 625, make the write drive pulses of the other row in such a way as to be in a transition state of the same power in each row. The state of the on / off operation of the sampling transistor 125 based on WS) and the on / off operation of the basic power supply line of the driving transistor 121 based on the power supply driving pulse DSL are adjusted to the maximum. In order to prevent unbalance of operation by rows by using another write drive pulse WS or power supply drive pulse DSL as the sampling control signal SC for controlling the sampling transistor 625. Thus, the write drive pulse WS for controlling the write scan line 104WS of each row and the power drive pulse DSL for controlling the power supply line 105DSL of each row generate a reference pulse, and the shift register It can be generated by applying a general structure to sequentially shift by 1H.

이와 같이, 제 2 실시예의 구조에서는, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하는 제어 신호의 취급이 제 1 실시예와는 다른 것이지만, 다른 행의 기록 구동 펄스(WS)나 전원 구동 펄스(DSL)를 변화시켜서, 신호 전위의 샘플링이나 이동도 보정을 행한 타이밍를 결정하고 있기 때문에, 자체 행의 전원 구동 펄스(DSL)도 샘플링 기간&이동도 보정 기간의 후에 제 2 전위(Vss)가 되는 기간이 있다. 그러나, 제 1 실시예에서의 설명으로부터 이해되는 바와 같이, 구동 트랜지스터(121)의 게이트·소스 사이에는 보존 용량(120)이 접속되어 있고 부트스트랩 기능이 작용하여 게이트-소스 사이 전압(Vgs)은 일정하기 때문에, 재차 전원 공급선(105DSL)이 제 1 전위(Vcc)로 되돌아온 때(즉 전원이 온 한 때)에 유기 EL 소자(127)는 재차 정상적으로 발광할 수 있다.Thus, in the structure of the second embodiment, the handling of the control signal for controlling the second sampling transistor 625 is different from that of the first embodiment, but the write drive pulses WS and the power drive pulses DSL in different rows are different. ), And the timing at which the sampling or mobility correction of the signal potential is performed is determined, so that the period in which the power supply driving pulse DSL in its own row also becomes the second potential Vss after the sampling period & mobility correction period have. However, as understood from the description in the first embodiment, the storage capacitor 120 is connected between the gate and the source of the driving transistor 121, and the bootstrap function acts so that the gate-source voltage Vgs is Since it is constant, the organic EL element 127 can emit light normally again when the power supply line 105DSL returns to the 1st electric potential Vcc again (namely, when power supply is turned on).

또한, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 한쪽의 게이트를 타행의 기록 주사선(104WS)에 접속하여 타행의 기록 구동 펄스(WS)로 제어함과 함께 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 다른쪽의 게이트를 타행의 전원 공급선(105DSL)에 접속하여 타행의 전원 구동 펄스(DSL)로 제어하도록 하고 있기 때문에, 제 1 실시예와 마찬가지로, 수직 구동부(103)(스캐너 또는 드라이버)로부터 출력되는 제어 신호의 수를 늘리는 일 없이, 또한 외부에 여분의 제어 회로나 제어선을 갖지 않고서, 샘플링 트랜지스터(125)에(사실상 샘플링 트랜지스터(625)에도) 영상 신호(Vsig)를 공급하는 주사선인 영상 신호선(106HS)의 갯수를 줄일(본 예에서는 1/3로 할) 수가 있고 저비용화가 가능해진다.In addition, one gate of the second sampling transistor 625 is connected to the other write scan line 104WS and controlled by another write drive pulse WS, while the other side of the second sampling transistor 625 is controlled. Since the gate is connected to the power supply line 105DSL of the other row and controlled by the power supply driving pulse DSL of the other row, the control signal outputted from the vertical driver 103 (scanner or driver) is similar to that of the first embodiment. The video signal line 106HS, which is a scanning line for supplying the video signal Vsig to the sampling transistor 125 (in fact, also to the sampling transistor 625) without increasing the number and having no extra control circuit or control line externally. Can be reduced (in this example, 1/3), and the cost can be reduced.

또한, 이 제 2 실시예에서도, 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공용하고 있는 R, G, B 각 열의 화소 사이에서의 임계치 보정 회수가 같아진다. 그와 관련하여, 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공용하고 있는 화소 사이에서의 임계치 보정 준비 기간이 달라저 버리지만, 제 1 실시예에서의 설명으로부터 이해되는 바와 같이, 임계치 보정 준비는 구동 트랜지스터(121)의 소스 전압을 제 2 전위(Vss)로 하는 오퍼레이션이기 때문에 문제는 없다.Also in this second embodiment, the number of threshold corrections is equal between the pixels of each of the R, G, and B columns sharing the video signal Vsig and the video signal line 106HS. In this regard, the threshold correction preparation period between pixels sharing the video signal Vsig or the video signal line 106HS varies, but as is understood from the description in the first embodiment, the threshold correction preparation is made. Since the operation is an operation of setting the source voltage of the driving transistor 121 to the second potential Vss, there is no problem.

또한, 제 2 실시예의 구조에서도, 다른 행의 전원 구동 펄스(DSL)를 제 2 전위(Vss)로 하여(환언하면 구동 트랜지스터(121)에의 전원을 오프로 하여), 타 화소의 신호 전위의 샘플링이나 이동도 보정을 행하는 타이밍을 결정하고 있기 때문에, 구체적으로는 R화소 및 B화소의 신호 기록시에 이용되는 N행째에 대해 N-3행째의 전원 구동 펄스(DSL)를 제 2 전위(Vss)로 하여 R화소 및 B화소의 신호 전위의 샘플링이나 이동도 보정을 행하는 타이밍을 결정하고 있기 때문에, 자체 행의 전원 구동 펄스(DSL)도 샘플링 기간&이동도 보정 기간의 후에 제 2 전위(Vss)가 되는 기간이 있다. 그러나, 제 1 실시예에서의 설명으로부터 이해되는 바와 같이, 신호 기록 종료 후에 자체 행의 전원 공급선(105DSL)이 제 2 전위(Vss)가 되어도(즉 전원이 오프 하여도), 구동 트랜지스터(121)의 게이트·소스 사이에는 보존 용량(120)이 접속되어 있고 부트스트랩 기능이 작용하여 게이트-소스 사이 전압(Vgs)은 일정하기 때문에, 재차 전원 공급선(105DSL)이 제 1 전위(Vcc)로 되돌아온 때(즉 전원이 온 한 때)에, 유기 EL 소자(127)는 재차 정상적으로 발광할 수 있고, 발광 휘도가 변화하는 일은 없다.Also in the structure of the second embodiment, the power supply driving pulse DSL of the other row is set to the second potential Vss (in other words, the power supply to the driving transistor 121 is turned off), and the signal potential of other pixels is sampled. In addition, since the timing for performing mobility correction is determined, specifically, the power supply driving pulse DSL of the N-3th row to the Nth row used for the signal recording of the R pixel and the B pixel is applied to the second potential Vss. Since the timing for sampling and mobility correction of the signal potentials of the R pixels and the B pixels is determined, the power supply driving pulse DSL of its own row also has the second potential Vss after the sampling period & mobility correction period. There is a period of time. However, as will be understood from the description in the first embodiment, even when the power supply line 105DSL in its own row becomes the second potential Vss (that is, the power is turned off) after the signal writing ends, the driving transistor 121 When the storage capacitor 120 is connected between the gate and the source of the capacitor and the bootstrap function is applied to the gate-source voltage Vgs is constant, the power supply line 105DSL is returned to the first potential Vcc again. (I.e., when the power supply is turned on), the organic EL element 127 can emit light again normally, and the emission luminance does not change.

<개선 수법 : 제 3 실시예><Improvement method: Third embodiment>

도 10a 및 도 10b는, 전류를 흘리면서 신호 기록을 행함으로써 이동도 보정을 행하는 구조를 채택하면서, 수평 주사계의 영상 신호선(106HS)을 복수 화소에서 공용화하는 유기 EL 표시 장치의 제 3 실시예를 설명하는 도면이다. 여기서, 도 10a는, 제 3 실시예의 유기 EL 표시 장치(1)의 3화소(1행3열)분의 화소 회로(P)와 각 주사선(기록 주사선(104WS), 전원 공급선(105DSL), 영상 신호선(106HS))의 접속 관계의 상세를 도시하는 도면이다. 도 10b는, 제 3 실시예의 구동 타이밍을 설명하는 타이밍 차트이고, 선순차 구동의 경우로 나타내고 있다. 이해를 용이하게 하기 위해, 제 1 및 제 2 실시예와 마찬가지로, 컬러 표시를 위한 서브픽셀(R, G, B)용의 3열분에서 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공용화하는 예로 각 도면은 나타내고 있다.10A and 10B show a third embodiment of an organic EL display device in which the video signal line 106HS of a horizontal scanning system is shared among a plurality of pixels while adopting a structure in which mobility is corrected by writing signals while passing current. It is a figure explaining. 10A shows a pixel circuit P for three pixels (one row and three columns) of the organic EL display device 1 of the third embodiment, each scan line (write scan line 104WS, power supply line 105DSL, and image). It is a figure which shows the detail of the connection relationship of the signal line 106HS. 10B is a timing chart for explaining the driving timing of the third embodiment, and is shown in the case of linear sequential driving. For ease of understanding, as in the first and second embodiments, an example in which the video signal Vsig or the video signal line 106HS is shared in three columns for the subpixels R, G, and B for color display is used. Each figure is shown.

제 3 실시예에서는, 제 2 실시예와 마찬가지로, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 제어 입력단(게이트)을, 타행의 전원 구동 펄스(DSL)만으로 제어하는 것이 아니고, 타행의 기록 구동 펄스(WS)와 타행의 전원 구동 펄스(DSL)의 조합으로 제어하는 점에 특징이 있다. 제 2실시예와의 상위는, 샘플링 제어 신호(SC)로서 이용하는 기록 구동 펄스(WS)와 전원 구동 펄스(DSL)의 조합과 행이 다를 뿐이고, 사실상, 제 2 실시예와 같다고 생각하여도 좋다.In the third embodiment, similarly to the second embodiment, the control input terminal (gate) of the second sampling transistor 625 is not controlled by the other power supply drive pulse DSL, but by the other write drive pulse WS. ) And the other power supply pulse DSL. The difference from the second embodiment is that the combination and rows of the write drive pulse WS and the power drive pulse DSL used as the sampling control signal SC are different from each other, and in fact, may be considered to be the same as the second embodiment. .

예를 들면, N행째의 R, G, B화소에 있어서, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)는, R화소는 N-3행째의 전원 구동 펄스(DSL_N-3)에, G화소에서는 N-2행째의 전원 공급선(105DSL_N-2)에, B화소에서는 N+1행째의 기록 주사선(104WS_N+1)에, 각각 접 속되어 있다.For example, in the N-row R, G, and B pixels, the second sampling transistor 625 has the R pixel in the N-3th power supply driving pulse DSL_N-3, and in the G pixel, N-2. It is connected to the power supply line 105DSL_N-2 of the row, and to the write scanning line 104WS_N + 1 of the N + 1st line in the B pixel, respectively.

도 10a로부터 이해되는 바와 같이, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 게이트를 타행의 기록 주사선(104WS)이나 전원 공급선(105DSL)에 접속하기 때문에, 기록 주사선(104WS) 또는 전원 공급선(105DSL)과 교차시킬 필요가 생기다. 또한, 화소 어레이부(102)의 수직 주사의 단부(본 예에서는 최상부나 최하부)에 관해서는 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하는 기록 주사선(104WS)이나 전원 공급선(105DSL)이 부족한 것이 되지만, 그 만큼의 더미의 행을 마련하면 좋다.As understood from Fig. 10A, since the gate of the second sampling transistor 625 is connected to the other write scan line 104WS or the power supply line 105DSL, it crosses the write scan line 104WS or the power supply line 105DSL. There is a need to. Note that the write scan line 104WS and the power supply line 105DSL for controlling the sampling transistor 625 are insufficient at the end portion (the uppermost or the lowermost portion) of the vertical scan of the pixel array unit 102. It is good to arrange a row of piles.

또한, 제 2 실시예나 제 3 실시예에서도, 제 1 실시예에서 기술한 바와 같이, 공용화되는 기록 구동 펄스(WS)나 기록 주사선(104WS)의 수는 2개로 한정되지 않고, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 게이트를 제어하는 기록 구동 펄스(WS)나 전원 구동 펄스(DSL)의 행의 설정은, 공용화되는 기록 구동 펄스(WS)나 기록 주사선(104WS)의 조가 속하는 행과는 별개의 행이고, 각각 다른 행인 한, 전술한 예로 한정되지 않는다. 단, 3열의 공용화의 경우와 마찬가지로, 공용화하고 있는 부분에서 떨어질 수록, 배선 길이가 길어지는, 기록 주사선(104WS)과의 교차가 증가하는, 더미행이 증가하는, 등의 불이익이 생긴다.Also in the second and third embodiments, as described in the first embodiment, the number of the shared write drive pulses WS and the write scan lines 104WS to be shared is not limited to two, but the second sampling transistor is used. The setting of the row of the write drive pulse WS or the power drive pulse DSL controlling the gate of 625 is a separate row from the row to which the pair of the write drive pulse WS and the write scan line 104WS to be shared belong. As long as each is a different row, it is not limited to the above-mentioned example. However, as in the case of three-column sharing, there is a disadvantage in that, as the distance from the shared portion decreases, the wiring length increases, and the dummy row increases, the intersection with the write scanning line 104WS increases.

도 10b에 도시하는 제 2 실시예의 타이밍 차트와 같이, 제 1 및 제 2 실시예와 마찬가지로, 신호 전위(Vin)의 기간을 R, G, B용의 계조에 응한 각 신호 전위(Vin_R, Vin_G, Vin_B)로 전환하고, 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_all)에서는, 색별의 신호 전위(Vin_R, Vin_G, Vin_B)에 응하여 공유화되어 있는 각 열의 샘플링 트랜지스터(625)가 순번대로 온 하도록 설정한다.As in the timing chart of the second embodiment shown in Fig. 10B, similarly to the first and second embodiments, the signal potentials (Vin_R, Vin_G, Vin_B), and in the sampling period & mobility correction period Q_all, the sampling transistors 625 of each column shared in response to the signal potentials Vin_R, Vin_G, and Vin_B for each color are sequentially turned on.

또한, 전체 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_all)에서는, 타 화소의 샘플링&이동도 보정의 금지도 가미하여, R화소의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_R)에는, G화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_G)로서도 이용되는 N-2행째의 전원 구동 펄스(DSL_N-2)를 제 2 전위(Vss)로 하고 다음에 필요하게 될 때에 제 1 전위(Vcc)로 되돌리고, B화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한샘플링 제어 신호(SC_B)로서도 이용되는 N+1행째의 기록 구동 펄스(WS_N+1)를 인액티브(L)로 하고 다음에 필요하게 될 때에 액티브(H)로 한다.In addition, in the entire sampling period & mobility correction period Q_all, the prohibition of sampling & mobility correction of other pixels is added. In the sampling period & mobility correction period Q_R of the R pixel, the sampling transistor of the G pixel ( The power supply driving pulse DSL_N-2 of the N-2nd line which is also used as the sampling control signal SC_G for controlling the 625 is set to the second potential Vss, and then to the first potential Vcc when it is needed later. When the N + 1st write drive pulse WS_N + 1 is used as the inactive L, which is also used as the sampling control signal SC_B for controlling the sampling transistor 625 of the B pixel, Set to active (H).

마찬가지로, G화소의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_G)에는, R화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_R)로서도 이용되는 N-3행째의 전원 구동 펄스(DSL_N-3)를 제 2 전위(Vss)로 하고 다음에 필요하게 될 때에 제 1 전위(Vcc)로 되돌리고, B화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_B)로서도 이용되는 N+1행째의 기록 구동 펄스(WS)를 인액티브(L)로 하고 다음에 필요하게 될 때에 액티브(H)로 한다.Similarly, in the sampling period & mobility correction period Q_G of the G pixel, the N-3th line power supply driving pulse DSL_N-3 which is also used as the sampling control signal SC_R for controlling the sampling transistor 625 of the R pixel. N + 1st line used as the sampling control signal SC_B for controlling the sampling transistor 625 of the B pixel to return to the first potential Vcc when the next time it is necessary. The write drive pulse WS is set to the inactive L and is made active H the next time it is needed.

또한, B화소의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_B)에는, R화소나 G화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_R, SC_G)로서도 이용되는 N-3행째나 N-2행째의 전원 구동 펄스(DSL_N-3, DSL_N-2)를 제 2 전위(Vss)로 하고 다음에 필요하게 될 때에 제 1 전위(Vcc)로 되돌린다. 자체 행의 기록 구동 펄스(WS)와 타행의 기록 구동 펄스(WS)나 전원 구동 펄스(DSL)의 논리곱의 액티브 기간에서 색별의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_R, Q_G, Q_B)을 결정하게 된다.In addition, in the sampling period & mobility correction period Q_B of the B pixel, the N-3th row and the N− used also as the sampling control signals SC_R and SC_G for controlling the sampling transistor 625 of the R pixel and the G pixel. The second power supply driving pulses DSL_N-3 and DSL_N-2 are set to the second potential Vss and returned to the first potential Vcc when necessary later. The sampling period & mobility correction period (Q_R, Q_G, Q_B) for each color is determined by the active period of the logical product of the write drive pulse WS in the own row and the write drive pulse WS in the other row or the power drive pulse DSL. Done.

또한, 제 2 실시예와 마찬가지로, 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위해 서 도 이용되는 타행의 기록 구동 펄스(WS)나 전원 구동 펄스(DSL)는, 각 행에서 극력 같은 천이 상태가 되도록, 1H씩 시프트시킨 상태로 한다.In addition, similarly to the second embodiment, the other write drive pulse WS or power supply pulse DSL, which is also used to control the sampling transistor 625, is set to 1H so as to be in the same transition state in each row. The state is shifted gradually.

이와 같이, 제 3 실시예의 구조에서는, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 기록 구동 펄스(WS)와 전원 구동 펄스(DSL)의 행의 취급이 제 2 실시예와 다ㅣ르지만, 기본적인 사고방식은 제 2 실시예와 마찬가지이고, 제 2 실시예와 같은 효과를 향수할 수 있다.As described above, in the structure of the third embodiment, the handling of the rows of the write drive pulse WS and the power source drive pulse DSL for controlling the second sampling transistor 625 is different from that of the second embodiment. The basic way of thinking is the same as in the second embodiment, and can enjoy the same effects as in the second embodiment.

그런데, 더블게이트 구조로 한 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하는 샘플링 제어 신호(SC)의 취급에 주목하여 제 1 실시예와 제 2·제 3 실시예를 비교한 경우, 제 1 실시예에서는 어느 것이나 동일한 종류의 제어 신호(상이한 타행의 전원 구동 펄스(DSL))를 샘플링 제어 신호(SC)로서 이용하고 있음에 대해, 제 2·제 3 실시예에서는, 다른 종류의 제어 신호(상이한 타행의 기록 구동 펄스(WS)와 전원 구동 펄스(DSL))를 샘플링 제어 신호(SC)로서 이용하고 있고 하는 차이가 있다.However, when the first embodiment is compared with the second and third embodiments by paying attention to the handling of the sampling control signal SC for controlling the second sampling transistor 625 having the double gate structure, the first embodiment In the second and third embodiments, all use the same type of control signal (different line power drive pulse DSL) as the sampling control signal SC. There is a difference that the write drive pulse WS and the power drive pulse DSL are used as the sampling control signal SC.

동작의 대칭성, 환언하면, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC)의 타이밍의 관점에서는, 동종의 수직 주사 펄스(전원 구동 펄스(DSL))를 사용하는 제 1 실시예의 쪽이 우수하다. 기록 주사선(104WS)과 전원 공급선(105DSL)에서는 부하가 다르고, 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 복수열에서 공용화함에 있어서 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 때문에 이들 이종의 수직 주사 펄스를 사용하면, 그 차이가 화상에 나타날 우려가 있기 때문이다.In terms of the symmetry of the operation, in other words, the timing of the sampling control signal SC for controlling the second sampling transistor 625, the first embodiment uses the same vertical scanning pulse (power supply driving pulse DSL). The courtesy is excellent. The loads are different in the write scan line 104WS and the power supply line 105DSL, and the second sampling transistor 625 is controlled when the video signal Vsig or the video signal line 106HS is shared by a plurality of columns, so that these heterogeneous vertical types are different. This is because the use of the scanning pulse may cause the difference to appear in the image.

<개선 수법 : 제 4 실시예><Improvement method: Fourth embodiment>

도 11a 내지 도 11c는, 전류 구동형의 전기광학 소자의 한 예인 유기 EL 소자(127)를 구동할 때에, 전류를 흘리면서 신호 기록을 행함으로써 이동도 보정을 행하는 구조를 채택하면서, 수평 주사계의 영상 신호선(106HS)을 복수 화소에서 공용화하는 유기 EL 표시 장치의 제 4 실시예를 설명하는 도면이다. 여기서, 도 11a는, 제 4 실시예의 유기 EL 표시 장치(1)의 12화소(3행4열)분의 화소 회로(P)와 각 주사부(기록 주사부(104), 구동 주사부(105), 수평 구동부(106)) 사이의 각 주사선(기록 주사선(104WS), 전원 공급선(105DSL), 영상 신호선(106HS))의 접속 관계의 개요를 도시하는 도면이다. 도 11b는, 도 11a의 4화소(1행4열)분의 화소 회로(P)와 각 주사선(기록 주사선(104WS), 전원 공급선(105DSL), 영상 신호선(106HS))의 접속 관계의 상세를 도시하는 도면이다. 도 11c는, 제 4 실시예의 구동 타이밍을 설명하는 타이밍 차트이고, 선순차 구동의 경우로 나타내고 있다.11A to 11C show a horizontal scanning system, adopting a structure for performing mobility correction by performing signal recording while flowing current when driving the organic EL element 127, which is an example of the current-driven electro-optical element. It is a figure explaining the fourth embodiment of the organic EL display device in which the video signal line 106HS is shared by a plurality of pixels. Here, FIG. 11A shows the pixel circuit P for 12 pixels (3 rows and 4 columns) of the organic EL display device 1 of the fourth embodiment, and each scanning unit (write scanning unit 104 and driving scanning unit 105). And a connection relationship between the scanning lines (the recording scanning line 104WS, the power supply line 105DSL, and the video signal line 106HS) between the horizontal drive unit 106. FIG. FIG. 11B shows details of the connection relationship between the pixel circuit P for the four pixels (one row and four columns) of FIG. 11A and each scan line (the write scan line 104WS, the power supply line 105DSL, and the video signal line 106HS). It is a figure which shows. 11C is a timing chart for explaining the driving timing of the fourth embodiment, and is shown in the case of linear sequential driving.

제 4 실시예에서는, 화소 회로(P) 내의 구체적인 구성은 제 1 내지 제 3 실시예와 마찬가지로 샘플링 트랜지스터를 제 1의 샘플링 트랜지스터(125)와 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 종속접속으로 한 더블게이트 구조를 채택한다. 제 1 내지 제 3 실시예와의 상위는, 영상 신호선(106HS)(영상 신호(Vsig))을 공용화하는 대상 열의 수에 관계없이, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 제어 입력단(게이트)를, 타행의 전원 구동 펄스(DSL)만으로 제어하는 것이 아니고, 타행의 기록 구동 펄스(WS)만으로 제어하는 점에 특징이 있다. 이로써, 영상 신호선(106HS)을 공용화한 조마다, 자체 조가 속하는 행 이외에서, 그들 다른 타행의 기록 구동 펄스(WS) 를 이용하여 다른쪽의 샘플링 트랜지스터(제 2의 샘플링 트랜지스터(625))를 제어함으로써, 수평 구동부(106)로부터 인출되는 주사선(영상 신호선(106HS))의 갯수를 삭감하는 것이다.In the fourth embodiment, the specific configuration in the pixel circuit P is similar to that of the first to third embodiments, in which the sampling transistor is doubled as the cascade connection of the first sampling transistor 125 and the second sampling transistor 625. Adopt gate structure. Different from the first to third embodiments, the control input terminal (gate) of the second sampling transistor 625 is connected regardless of the number of columns to be shared by the video signal line 106HS (video signal Vsig). It is characterized in that it is not controlled only by the other power supply drive pulse DSL, but only by the other write drive pulse WS. Thereby, for each group in which the video signal line 106HS is shared, the other sampling transistor (second sampling transistor 625) is controlled by using the other write drive pulses WS, except for the row to which the group belongs. This reduces the number of scanning lines (video signal lines 106HS) drawn out from the horizontal driver 106.

도 11a 내지 도 11c에서는, 인접하는 2열(홀수열과 짝수열)에서 영상 신호선(106HS)(영상 신호(Vsig))을 공용하는 예로 나타내고 있다. 여기서, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)는, 공용화 부분의 한쪽의 게이트를 자체 행 이외의 기록 주사선(104WS)에 접속함으로써 타행의 기록 주사선(104WS)으로부터의 기록 구동 펄스(WS)로 제어함과 함께, 공용화 부분의 다른쪽의 게이트도 자체 행 이외의 기록 구동 펄스(WS)에 접속함으로써 타행의 기록 주사부(104)로부터의 기록 구동 펄스(WS)로 제어한다. 이 때, 공용화 부분인 2열의 각 샘플링 트랜지스터(625)는, 각각 다른 행의 기록 구동 펄스(WS)를 샘플링 제어 신호(SC)로서 사용하게 한다.11A to 11C show examples of sharing the video signal line 106HS (video signal Vsig) in two adjacent columns (odd and even columns). Here, the second sampling transistor 625 controls the write driving pulse WS from the other write scan line 104WS by connecting one gate of the shared portion to the write scan line 104WS other than its own row. At the same time, the other gate of the shared part is also connected to the write drive pulses WS other than its own row to control the write drive pulses WS from the other write scan unit 104. At this time, each of the sampling transistors 625 in the two columns, which are the shared portions, uses the write drive pulses WS in different rows as the sampling control signal SC.

예를 들면, N행째의 화소 회로(P_o, P_e)에서, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)는, 홀수열의 화소 회로(P_o)는 N+1행째의 기록 주사선(104WS_N+1)에, 짝수열의 화소 회로(P_e)는 N+2행째의 기록 구동 펄스(WS_N+2)에, 각각 접속되어 있다.For example, in the N-th pixel circuits P_o and P_e, the second sampling transistor 625 has an odd-numbered pixel circuit P_o in the N + 1th write scan line 104WS_N + 1 and has even-numbered columns. The pixel circuits P_e are connected to the write drive pulses WS_N + 2 of the N + 2th row, respectively.

도 11a로부터 이해되는 바와 같이, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 게이트를 타행의 기록 주사선(104WS)에 접속하기 때문에, 각 행의 기록 주사선(104WS)을 교차시킬 필요가 생긴다. 또한, 화소 어레이부(102)의 수직 주사의 단부(본 예에서는 최하부)에 관해서는 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하는 기록 주사선(104WS)이 부족한 것이 되지만, 그만큼의 더미의 행을 마련하면 좋다.As understood from FIG. 11A, since the gate of the second sampling transistor 625 is connected to the write scan line 104WS of the other row, it is necessary to cross the write scan line 104WS of each row. Note that the write scanning line 104WS for controlling the sampling transistor 625 is insufficient at the end portion (lowermost portion in this example) of the vertical scanning of the pixel array unit 102, but it is sufficient to provide as many dummy rows.

또한, 제 4 실시예에서도, 제 1 내지 제 3 실시예에서 기술한 바와 같이, 공 용화되는 기록 구동 펄스(WS)나 기록 주사선(104WS)의 수는 2개로 한정되지 않는다. 그 사례는 제 5 실시예에서 나타낸다. 또한, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 게이트를 제어하는 기록 구동 펄스(WS)의 행의 설정은, 공용화되는 기록 구동 펄스(WS)나 기록 주사선(104WS)의 조가 속하는 행과는 별개의 행이고, 각각 다른 행인 한, 전술한 예로 한정되지 않는다. 예를 들면, 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하는 기록 구동 펄스(WS)(기록 주사선(104WS))는, N행째에 대해 N+2행째와 N+3행째와 같이, 공용화되어 있는 해당 행(N행) 이외이면 좋고, N+1행째 이후의 임의의 행의 기록 구동 펄스(WS)를 이용하여도 좋다. 단, 3열의 공용화의 경우와 마찬가지로, 공용화하고 있는 부분에서 떨어질 수록, 배선 길이가 길어지는, 기록 주사선(104WS)의 교차가 증가하는, 더미행이 증가하는, 등의 불이익이 생긴다.Also in the fourth embodiment, as described in the first to third embodiments, the number of the common write drive pulses WS and the write scan lines 104WS is not limited to two. The example is shown in the fifth embodiment. The setting of the row of the write drive pulse WS that controls the gate of the second sampling transistor 625 is a separate row from the row to which the group of the write drive pulse WS and the write scan line 104WS to be shared belong. As long as each is a different row, it is not limited to the above-mentioned example. For example, the write drive pulse WS (write scan line 104WS) that controls the sampling transistor 625 is shared with the corresponding row (N + 2nd and N + 3rd rows) with respect to the Nth row. Row), and the write drive pulse WS of any row after the N + 1st row may be used. However, as in the case of three-column sharing, there is a disadvantage in that, as the distance from the shared portion decreases, the wiring length increases, and the dummy row increases, the intersection of the write scanning lines 104WS increases, and so on.

도 11c에 도시하는 제 4 실시예의 타이밍 차트와 같이, 제 1 내지 제 3 실시예와 마찬가지로, 신호 전위(Vin)의 기간을 각 화소 회로(P_o, P_o)용의 계조에 응한 각 신호 전위(Vin_o, Vin_e)로 전환하고, 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_all)에서는, 화소 회로(P)별의 신호전위(Vin_o, Vin_e)에 응하여 공유화되어 있는 각 열의 샘플링 트랜지스터(625)가 순번대로 온 하도록 설정한다.As in the timing chart of the fourth embodiment shown in Fig. 11C, similarly to the first to third embodiments, the signal potential Vin corresponding to the gray level for the pixel circuits P_o and P_o is applied to the period of the signal potential Vin. , Vin_e), and in the sampling period & mobility correction period Q_all, the sampling transistors 625 of each column shared in response to the signal potentials Vin_o and Vin_e for each pixel circuit P are sequentially turned on. Set it.

또한, 전체 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_all)에서는, 타 화소의 샘플링&이동도 보정의 금지도 가미하여, 홀수열의 화소 회로(P_o)의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_o)에는, 짝수열의 화소 회로(P_e)의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_2)로서도 이용되는 N+2행째의 기록 구동 펄스(WS_N+2)를 인액티브(L)로 하고 다음에 필요하게 될 때에 액티브(H)로 한다. 마 찬가지로, 짝수열의 화소 회로(P_e)의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_e)에는, 홀수열의 화소 회로(P_o)의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_1)로서도 이용되는 N+1행째의 기록 구동 펄스(WS_N+1)를 인액티브(L)로 하고 다음에 필요하게 될 때에 액티브(H)로 한다. 자체 행의 기록 구동 펄스(WS)와 타행의 기록 구동 펄스(WS)의 논리곱의 액티브 기간에서 화소 회로(P)별의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_o, Q_e)을 결정하게 된다.In addition, in the total sampling period & mobility correction period Q_all, the prohibition of sampling & mobility correction of other pixels is also added, and in even-numbered columns, the sampling period & mobility correction period Q_o of the pixel circuit P_o is even. The N + 2th write drive pulse WS_N + 2, which is also used as the sampling control signal SC_2 for controlling the sampling transistor 625 of the pixel circuit P_e in the column, is set to be inactive L, and is subsequently required. Is set to active (H). Likewise, in the sampling period & mobility correction period Q_e of the even-numbered pixel circuits P_e, N used as the sampling control signal SC_1 for controlling the sampling transistor 625 of the odd-numbered pixel circuits P_o. The write drive pulse WS_N + 1 in the + 1st row is set to the inactive L and becomes active (H) the next time it is needed. The sampling period & mobility correction periods Q_o and Q_e for each pixel circuit P are determined in the active period of the logical product of the write drive pulse WS in the own row and the write drive pulse WS in the other row.

또한, 제 1 내지 제 3 실시예와 마찬가지로, 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위해서도 이용되는 타행의 기록 구동 펄스(WS)는, 각 행에서 극력 같은 천이 상태가 되도록, 1H씩 시프트시킨 상태로 한다.In addition, as in the first to third embodiments, the other write drive pulse WS, which is also used to control the sampling transistor 625, is shifted by 1H so as to have a transition state equal to the maximum in each row. .

이와 같이, 제 4 실시예의 구조에서는, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC)의 취급이 제 1 내지 제 3 실시예와 다르고, 영상 신호(Vsig)(영상 신호선(106HS))를 공용화한 조가 속하는 행을 제외한 타행의 기록 구동 펄스(WS)만으로 하고 있지만, 기본적인 사고방식은 제 1 내지 제 3 실시예와 마찬가지이고, 제 1 내지 제 3 실시예와 같은 효과를 향수할 수 있다.Thus, in the structure of the fourth embodiment, the handling of the sampling control signal SC for controlling the second sampling transistor 625 is different from that of the first to third embodiments, and the image signal Vsig (the image signal line ( 106HS)), but the write drive pulse WS of the other row except for the row to which the pair which is shared is made, but the basic way of thinking is the same as in the first to third embodiments, and the same effects as in the first to third embodiments are enjoyed. can do.

예를 들면, 수직 구동부(103)(스캐너 또는 드라이버)로부터 출력되는 제어 신호의 수를 늘리는 일 없이, 또한 외부에 여분의 제어 회로나 제어선을 갖지 않고, 샘플링 트랜지스터(125)에(사실상 샘플링 트랜지스터(625)에도) 영상 신호(Vsig)를 공급하는 주사선인 영상 신호선(106HS)의 갯수를 줄일(본 예에서는 1/2로 할) 수 있고 저비용화가 가능해진다.For example, without increasing the number of control signals output from the vertical driver 103 (scanner or driver), and without having an extra control circuit or control line externally, the sampling transistor 125 (in fact, a sampling transistor). Also at 625, the number of video signal lines 106HS, which are scanning lines for supplying the video signal Vsig, can be reduced (half in this example), and the cost can be reduced.

또한, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신 호(SC)로서, 영상 신호선(106HS)(영상 신호(Vsig))을 공용화하는 대상 열의 수에 관계없이, 타행의 기록 구동 펄스(WS)만을 이용하는 점에서는, 타행의 전원 구동 펄스(DSL)만을 이용하는 제 1 실시예와 같은 효과를 향수할 수 있고, 제 2·제 3 실시예보다도 우수하다.In addition, as the sampling control signal SC for controlling the second sampling transistor 625, another write drive pulse is irrespective of the number of columns to be shared by the video signal line 106HS (video signal Vsig). In terms of using only (WS), the same effects as those in the first embodiment using only the other power supply driving pulse DSL can be enjoyed, and are superior to those in the second and third embodiments.

또한, 이 제 4 실시예에서는(후술하는 제 5 실시예에서도), 영상 신호선(106HS)(영상 신호(Vsig))의 삭감에 있어서, 샘플링 트랜지스터(625)의 게이트를 제어하는 샘플링 제어 신호(SC)로서, 전원 구동 펄스(DSL)를 이용하지 않고 기록 구동 펄스(WS)만을 사용하고 있기 때문에, 전원 공급선(105DSL)의 배선 형태의 영향을 받는 일 없이, 영상 신호선(106HS)(영상 신호(Vsig))을 삭감할 수 있는 이점이 있다. 예를 들면, 전원 구동 펄스(DSL)가 패널에서 공통으로 되어도 적용 가능하고, 보다 저비용화할 수 있다.Further, in this fourth embodiment (even in the fifth embodiment described later), the sampling control signal SC for controlling the gate of the sampling transistor 625 in reducing the video signal line 106HS (video signal Vsig). Since only the write drive pulse WS is used instead of the power drive pulse DSL, the video signal line 106HS (video signal Vsig is not affected by the wiring form of the power supply line 105DSL). There is an advantage that can cut)). For example, even if the power supply driving pulse DSL is common in the panel, it can be applied and the cost can be reduced.

또한, 이 제 4 실시예에서도, 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공용하고 있는 홀수열과 짝수열의 화소 사이에서의 임계치 보정 회수가 같아진다. 그와 관련하여, 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공용하고 있는 홀수열과 짝수열의 화소 사이에서의 임계치 보정 준비 기간(Q_o, Q_e)이 달라저 버리지만, 제 1 내지 제 3 실시예에서의 설명으로부터 이해되는 바와 같이, 임계치 보정 준비는구동 트랜지스터(121)의 소스 전압을 제 2 전위(Vss)로 하는 오퍼레이션이기 때문에 문제는 없다.Also in this fourth embodiment, the number of times of threshold correction between the odd-numbered and even-numbered pixels sharing the video signal Vsig or the video signal line 106HS is the same. In this regard, the threshold correction preparation periods Q_o and Q_e between odd-numbered columns and even-numbered pixels sharing the video signal Vsig or the video signal line 106HS vary, but the first to third embodiments are different. As will be understood from the description in the above, there is no problem because the threshold correction preparation is an operation of making the source voltage of the driving transistor 121 a second potential Vss.

<개선 수법 : 제 5 실시예><Improvement method: fifth embodiment>

도 12a 내지 도 12c는, 전류를 흘리면서 신호 기록을 행함으로써 이동도 보 정을 행하는 구조를 채택하면서, 수평 주사계의 영상 신호선(106HS)을 복수 화소에서 공용화하는 유기 EL 표시 장치의 제 5 실시예를 설명하는 도면이다. 여기서, 도 12a는, 제 5 실시예의 유기 EL 표시 장치(1)의 16화소(4행4열)분의 화소 회로(P)와 각 주사부(기록 주사부(104), 구동 주사부(105), 수평 구동부(106)) 사이의 각 주사선(기록 주사선(104WS), 전원 공급선(105DSL), 영상 신호선(106HS))의 접속 관계의 개요를 도시하는 도면이다. 도 12b는, 도 12a의 3화소(1행3열)분의 화소 회로(P)와 각 주사선(기록 주사선(104WS), 전원 공급선(105DSL), 영상 신호선(106HS))의 접속 관계의 상세를 도시하는 도면이다. 도 P13은, 제 5 실시예의 구동 타이밍을 설명하는 타이밍 차트이고, 선순차 구동의 경우로 나타내고 있다. 이해를 용이하게 하기 위해, 제 1 내지 제 3 실시예와 마찬가지로, 컬러 표시를 위한 서브픽셀(R, G, B)용의 3열분에서 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공용화하는 예로 각 도면은 나타내고 있다.12A to 12C show a fifth embodiment of an organic EL display device in which the video signal line 106HS of a horizontal scanning system is shared among a plurality of pixels while adopting a structure in which mobility is corrected by writing signals while passing current. It is a figure explaining. 12A shows a pixel circuit P for 16 pixels (4 rows and 4 columns) of the organic EL display device 1 of the fifth embodiment, each scanning unit (write scanning unit 104, and driving scanning unit 105). And a connection relationship between the scanning lines (the recording scanning line 104WS, the power supply line 105DSL, and the video signal line 106HS) between the horizontal drive unit 106. FIG. FIG. 12B shows the details of the connection relationship between the pixel circuit P for the three pixels (one row and three columns) of FIG. 12A and each scan line (the write scan line 104WS, the power supply line 105DSL, and the video signal line 106HS). It is a figure which shows. P13 is a timing chart for explaining the driving timing of the fifth embodiment, and is shown in the case of linear sequential driving. For ease of understanding, as in the first to third embodiments, an example in which the image signal Vsig or the image signal line 106HS is shared in three columns for the subpixels R, G, and B for color display is used. Each figure is shown.

제 5 실시예는, 제 1 내지 제 4 실시예와 마찬가지로, 샘플링 트랜지스터를 제 1의 샘플링 트랜지스터(125)와 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 종속접속으로 힌 더블게이트 구조를 채택한다. 그리고, 제 4 실시예와 마찬가지로, 영상 신호선(106HS)(영상 신호(Vsig))을 공용화하는 대상 열의 수에 관계없이, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 제어 입력단(게이트)을, 타행의 전원 구동 펄스(DSL)만으로 제어하는 것이 아니고, 타행의 기록 구동 펄스(WS)만으로 제어함으로써, 수평 구동부(106)로부터 인출되는 주사선(영상 신호선(106HS))의 갯수를 삭감하는 것이다. 제 4 실시예와의 상위는, 공용화하는 열 수가 다른 것뿐이다.The fifth embodiment adopts a double gate structure in which the sampling transistors are cascaded between the first sampling transistor 125 and the second sampling transistor 625, similarly to the first to fourth embodiments. As in the fourth embodiment, the control input terminal (gate) of the second sampling transistor 625 is connected to the other power source regardless of the number of columns to be shared by the video signal line 106HS (video signal Vsig). The number of scan lines (video signal lines 106HS) drawn out from the horizontal drive section 106 is reduced by controlling only the write drive pulses WS of the other row, not controlling only the drive pulses DSL. The only difference from the fourth embodiment is that the number of columns to be shared is different.

수평 방향으로 인접하는 3화소(R, G, B의 3칼럼분의 화소 회로(P))에서 영상 신호선(106HS)에 주는 영상 신호(Vsig)를 공용하기 위해, 우선, 도 8a 내지 도 8c에 도시한 제 1 실시예와 마찬가지로, 샘플링 트랜지스터를 제 1의 샘플링 트랜지스터(125)와 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 2단 종속접속 구성으로 한다. 그리고, 도 12a 및 도 12b에 도시하는 바와 같이, 제 1의 샘플링 트랜지스터(125)에 대해서는, R, G, B별의 3칼럼(3열)분의 화소 회로(P)를 같은 영상 신호선(106HS)에 접속함으로써, 수평 구동부(106)로부터의 영상 신호(Vsig)로 3열의 화소 회로(P)에 공통으로 영상 신호(Vsig)를 공급한다. 또한, R, G, B 각 열의 제 1의 샘플링 트랜지스터(125)의 제어 입력단(게이트)을 통상과 같이 자체 행의 기록 주사선(104WS)에 접속하여 기록 구동 펄스(WS_N)로 제어한다.First of all, in order to share the video signal Vsig given to the video signal line 106HS in the pixel circuit P for three columns R, G, and B adjacent in the horizontal direction, first, in FIGS. 8A to 8C. Similarly to the first embodiment shown, the sampling transistor has a two-stage cascade configuration of the first sampling transistor 125 and the second sampling transistor 625. 12A and 12B, for the first sampling transistor 125, the pixel circuit P for three columns (three columns) for R, G, and B is the same video signal line 106HS. ), The video signal Vsig is supplied in common to the pixel circuits P in the three columns as the video signal Vsig from the horizontal driver 106. Further, the control input terminal (gate) of the first sampling transistor 125 in each of the R, G, and B columns is connected to the write scan line 104WS in its own row as usual, and controlled by the write drive pulse WS_N.

제 2의 샘플링 트랜지스터(625)는, 제 4 실시예와 마찬가지로, 각각 다른 행의 기록 주사선(104WS)에 접속하여, 각각 다른 행의 기록 구동 펄스(WS)를 샘플링 제어 신호(SC)로서 이용하여 제어한다. 예를 들면, N행째의 R, G, B화소에 있어서, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)는, R화소는 N+1행째의 기록 주사선(104WS_N+1)에, G화소에서는 N+2행째의 기록 구동 펄스(WS_N+2)에, B화소에서는 N+3행째의 기록 주사선(104WS_N+3)에, 각각 접속되어 있다.Similarly to the fourth embodiment, the second sampling transistor 625 is connected to the write scanning lines 104WS of the different rows, and uses the write drive pulses WS of the different rows as the sampling control signal SC. To control. For example, in the N-th R, G, and B pixels, the second sampling transistor 625 has the R pixel in the N + 1th write scan line 104WS_N + 1 and in the G pixel in the N + 2th row. Is connected to the write scan pulse WS_N + 2 at the B pixel, and to the write scan line 104WS_N + 3 at the N + 3th line, respectively.

또한, 제 5 실시예에서도, 제 1 내지 제 4 실시예에서 기술한 바와 같이, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)의 게이트를 제어하는 기록 구동 펄스(WS)의 행의 설정은, 공용화되는 기록 구동 펄스(WS)나 기록 주사선(104WS)의 조가 속하는 행과는 별개 행이고, 각각 다른 행인 한, 전술한 예로 한정되지 않는다. 예를 들면, 샘플 링 트랜지스터(625)를 제어하는 기록 구동 펄스(WS)(기록 주사선(104WS))는, N행째에 대해 N+2행째와 N+3행째와 N+4행째와 같이, 공용화되어 있는 해당 행(N행) 이외이면 좋고, N+1행째 이후의 임의의 행의 기록 구동 펄스(WS)를 이용하여도 좋다. 단, 3열의 공용화의 경우와 마찬가지로, 공용화하고 있는 부분에서 떨어질 수록, 배선 길이가 길어지는, 기록 주사선(104WS)의 교차가 증가하는, 더미행이 증가하는, 등의 불이익이 생긴다.Also in the fifth embodiment, as described in the first to fourth embodiments, the setting of the row of the write drive pulses WS for controlling the gate of the second sampling transistor 625 is common to the write drive. The row WS is separate from the row to which the pair of the pulse WS or the recording scan line 104WS belongs, and is not limited to the above-described example as long as they are different rows. For example, the write drive pulse WS (write scan line 104WS) for controlling the sampling transistor 625 is shared, as in the N + 2th row, the N + 3rd row, and the N + 4th row with respect to the Nth row. The write drive pulses WS in any row after the N + 1st row may be used except for the corresponding row (N row). However, as in the case of three-column sharing, there is a disadvantage in that, as the distance from the shared portion decreases, the wiring length increases, and the dummy row increases, the intersection of the write scanning lines 104WS increases, and so on.

도 12c에 도시하는 제 5 실시예의 타이밍 차트와 같이, 신호 전위(Vin)의 기간을 R, G, B용의 계조에 응한 각 신호 전위(Vin_R, Vin_G, Vin_B)로 전환하고, 샘플링기간&이동도 보정 기간(Q_all)에서는, 색별의 신호 전위(Vin_R, Vin_G, Vin_B)에 응하여 공유화 되어 있는 R, G, B 각 열의 샘플링 트랜지스터(625)가 순번대로 온 하도록 설정한다.As shown in the timing chart of the fifth embodiment shown in Fig. 12C, the period of the signal potential Vin is switched to each of the signal potentials Vin_R, Vin_G, and Vin_B corresponding to the grayscales for R, G, and B, and the sampling period & shift is performed. In the degree correction period Q_all, the sampling transistors 625 in each of the R, G, and B columns shared in response to the signal potentials Vin_R, Vin_G, and Vin_B for each color are sequentially turned on.

또한, 전체 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_all)에서는, 타 화소의 샘플링&이동도 보정의 금지도 가미하여, R화소의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_R)에는, G화소나 B화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_G, SC_B)로서도 이용되는 N+2행째나 N+3행째의 기록 구동 펄스(WS_N+2, WS_3)를 인액티브(L)로 하고 다음에 필요하게 될 때에 액티브(H)로 한다. 마찬가지로, G화소의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_G)에는, R화소나 B화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_R, SC_B)로서도 이용되는 N+1행째이나 N+3행째의 기록 구동 펄스(WS_N+1, WS_N+3)를 인액티브(L)에 하고 다음에 필요하게 될 때에 액티브(H)로 한다. B화소의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_B)에는, R화소나 G화소의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC_R, SC_G)로서도 이용되는 N+1행째나 N+2행째의 기록 구동 펄스(WS_N+1, WS_N+2)를 인액티브(L)로 하고 다음에 필요하게 될 때에 액티브(H)로 한다. 자체 행의 기록 구동 펄스(WS)와 타행의 기록 구동 펄스(WS)의 논리곱의 액티브 기간에서 색별의 샘플링 기간&이동도 보정 기간(Q_R, Q_G, Q_B)을 결정하게 된다.In addition, in the entire sampling period & mobility correction period Q_all, the prohibition of sampling & mobility correction of other pixels is added. In the sampling period & mobility correction period Q_R of R pixels, The write drive pulses WS_N + 2 and WS_3 in the N + 2th row or the N + 3rd row, which are also used as the sampling control signals SC_G and SC_B for controlling the sampling transistor 625, are made inactive (L). When it is needed, it is made active (H). Similarly, in the sampling period & mobility correction period Q_G of the G pixel, the N + 1st line or N + used also as the sampling control signals SC_R and SC_B for controlling the sampling transistor 625 of the R pixel or the B pixel. The write driving pulses WS_N + 1 and WS_N + 3 in the third row are made inactive L and made active H the next time it is needed. In the sampling period & mobility correction period Q_B of the B pixel, the N + 1st row or the N + 2nd row also used as the sampling control signals SC_R and SC_G for controlling the sampling transistor 625 of the R pixel and the G pixel. The write drive pulses WS_N + 1 and WS_N + 2 are set to inactive L and made active (H) the next time they are needed. The sampling period & mobility correction periods Q_R, Q_G, and Q_B for each color are determined in the active period of the logical product of the write drive pulse WS in the own row and the write drive pulse WS in the other row.

또한, 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위해서도 이용되는 타행의 기록 구동펄스(WS)는, 각 행에서 극력 같은 천이 상태가 되도록 하는, 즉 타행에 있어서의 기록구동 펄스(WS)에 의거한 샘플링 트랜지스터(125)의 기본적인 온/오프 동작의 상태가 극력 정돈되도록 한다. 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하기 위한 샘플링 제어 신호(SC)에 타행의 기록 구동 펄스(WS)를 이용함으로써, 행에 의해 동작의 언밸런스가 생기지 않도록 하기 위해서고, 각 행의 기록 주사선(104WS)을 제어하기 위한 기록 구동펄스(WS)는, 기준 펄스를 작성하고, 그것을 시프트 레지스터로 1H씩 순차적으로 시프트시키는 일반적인 구조를 적용 가능해진다.The write drive pulse WS of the other row, which is also used to control the sampling transistor 625, is to make the transition state in the same row as that of each row, that is, the sampling transistor based on the write drive pulse WS in the other row. The state of the basic on / off operation of 125 is trimmed to the maximum. By using another write drive pulse WS for the sampling control signal SC for controlling the sampling transistor 625, the write scan line 104WS of each row is prevented from causing unbalance of operation by the rows. The write drive pulse WS for controlling can apply the general structure which produces | generates a reference pulse and shifts it sequentially by 1H by a shift register.

이와 같이, 제 5 실시예의 구조에서는, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)를 제어하는 제어 신호의 취급은 제 4 실시예와 마찬가지로 모든 타행의 기록 구동 펄스(WS)이고, 다른 행의 기록 구동 펄스(WS)를 변화시켜서, 신호 전위의 샘플링이나 이동도 보정을 행하는 타이밍을 결정하고 있기 때문에, 제 4 실시예와 같은 효과를 향수할 수 있다.As described above, in the structure of the fifth embodiment, the handling of the control signal for controlling the second sampling transistor 625 is the write drive pulses WS of all other rows as in the fourth embodiment, and the write drive pulses of the other rows ( Since the timing at which the signal potential is sampled and the mobility correction is determined by changing WS), the same effects as in the fourth embodiment can be enjoyed.

예를 들면, 수직 구동부(103)(스캐너 또는 드라이버)로부터 출력되는 제어 신호의 수를 늘리는 일 없이, 또한 외부에 여분의 제어 회로나 제어선을 갖지 않고 서, 샘플링 트랜지스터(125)에(사실상 샘플링 트랜지스터(625)에도) 영상 신호(Vsig)를 공급하는 주사선인 영상 신호선(106HS)의 갯수를 줄일(본 예에서는 1/3로 할) 수가 있고 저비용화가 가능해진다.For example, without increasing the number of control signals output from the vertical driver 103 (scanner or driver) and without having an extra control circuit or control line externally, the sampling transistor 125 (virtually sampled). In the transistor 625, the number of the video signal lines 106HS, which are the scan lines for supplying the video signals Vsig, can be reduced (in this example, 1/3), and the cost can be reduced.

또한, 제 5 실시예에서도, 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공용하고 있는 R, G, B 각 열의 화소 사이에서의 임계치 보정 회수가 같아진다. 그와 관련하여, 영상 신호(Vsig)나 영상 신호선(106HS)을 공용하고 있는 R, G, B 각 열의 화소 사이에서의 임계치 보정 준비 기간이 달라저 버리지만, 제 1 내지 제 4 실시예에서의 설명으로부터 이해되는 바와 같이, 임계치 보정 준비는 구동 트랜지스터(121)의 소스 전압을 제 2 전위(Vss)로 하는 오퍼레이션이기 때문에 문제는 없다.Also in the fifth embodiment, the number of threshold corrections is equal between the pixels of each of the R, G, and B columns sharing the video signal Vsig and the video signal line 106HS. In this regard, the threshold correction preparation period between the pixels of each of the R, G, and B columns which share the video signal Vsig or the video signal line 106HS varies, but in the first to fourth embodiments, As will be understood from the description, the threshold correction preparation is not a problem because it is an operation of making the source voltage of the driving transistor 121 a second potential Vss.

또한, 전술한 제 1 내지 제 5 실시예에서는, 전류 구동형의 전기광학 소자의 한 예인 유기 EL 소자(127)를 구동할 때에, 구동 트랜지스터(121)로부터 전류를 흘리면서 신호 기록를 행함으로써(즉 보존 용량(120)에 신호 전위(Vin)에 응한 정보를 샘플링하면서) 이동도 보정을 행하는 구조에의 적용례에 있어서, 영상 신호(Vsig)(영상 신호선(106HS))를 복수열에서 공용화하는 구조에 관해 구체적으로 나타냈지만, 그 적용은, 전류를 흘리지 않고서 신호 기록을 행하는 화소 회로, 환언하면, 구동 트랜지스터(121)에 전류를 흘리지 않는 상태에서 보존 용량(120)에의 신호 기록을 완전히 마친 후에 이동도 보정을 행하는(신호 기록과 이동도 보정을 다른 타이밍에 행하는) 방식이나, 구동 트랜지스터(121)에 전류를 흘리지 않는 상태에서 보존 용량(120)에의 신호 기록을 대강 마친 후에, 구동 트랜지스터(121)에 전류를 흘리고 계속해서 이동도 보정에 들어가는 방식에도 적용할 수 있다.Further, in the first to fifth embodiments described above, when driving the organic EL element 127, which is an example of the current-driven electro-optical element, signal writing is performed while flowing a current from the driving transistor 121 (i.e., storage). In an example of application to a structure in which mobility correction is performed on the capacitor 120 while sampling information corresponding to the signal potential Vin, a structure in which the video signal Vsig (video signal line 106HS) is shared in a plurality of columns Although shown concretely, the application is a pixel circuit which writes a signal without flowing a current, in other words, the mobility correction | amendment after completing writing a signal to the storage capacitor 120 completely in the state which does not flow a current in the drive transistor 121, (Signal write and mobility correction are performed at different timings) or signal write to storage capacitor 120 in a state in which no current flows to drive transistor 121. After pro, spilling a current to the driving transistor 121 can be continuously applied to a moving type also enter the calibration.

예를 들면, 특허문헌1에 기재된 5TR 구성의 것에의 적용이 가능하고, 이 경우, 상기 제 1 내지 제 5 실시예에서의 전원 공급선(105DSL)이나 전원 구동펄스(DSL)는, 동 공보에 기재된 트랜지스터(Tr4)의 게이트에 접속되는 주사선(DS)이나 제어 신호(DS)로 치환하고, 기록 주사선(104WS)이나 기록 구동 펄스(WS)는, 동 공보에 기재된 트랜지스터(Tr1)의 게이트에 접속되는 주사선(WS)이나 제어 신호(WS)로 치환하여 적용하면 좋다.For example, it can apply to the thing of the 5TR structure of patent document 1, In this case, the power supply line 105DSL and power supply drive pulse DSL in the said 1st-5th Example are described in the said publication. Substituted by the scan line DS and the control signal DS connected to the gate of the transistor Tr4, the write scan line 104WS and the write drive pulse WS are connected to the gate of the transistor Tr1 described in the publication. It may be applied by replacing with the scanning line WS or the control signal WS.

또한, 전술한 제 1 내지 제 5 실시예는, 2단계로 이동도 보정을 행하면서 신호 기록을 행하는 방식에 대해서도 적용 가능하다.The first to fifth embodiments described above can also be applied to a method of recording a signal while performing mobility correction in two steps.

이상, 본 발명에 관해 실시예를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시예에 기재된 범위로는 한정되지 않는다. 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 상기 실시예에 다양한 변경 또는 개량을 가할 수 있고, 그러한 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.As mentioned above, although this invention was demonstrated using an Example, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said Example. Various changes or improvement can be added to the said Example in the range which does not deviate from the summary of invention, and the form which added such a change or improvement is also included in the technical scope of this invention.

또한, 상기의 실시예는, 클레임(청구항)에 관한 발명을 한정하는 것이 아니고, 또한 실시예중에서 설명되어 있는 특징의 조합의 전부가 발명의 해결 수단에 필수라고는 한하지 않는다. 전술한 실시예에는 여러가지의 단계의 발명이 포함되어 있고, 시작되는 복수의 구성 요건에 있어서의 적절한 조합에 의해 여러가지의 발명을 추출할 수 있다. 실시예에 나타나는 전 구성 요건으로부터 몇개인가의 구성 요건이 삭제되어도, 효과를 얻을 수 있는 한, 이 몇개인가의 구성 요건이 삭제된 구성이 발명으로서 추출될 수 있다.Incidentally, the above embodiment does not limit the invention related to claims (claims), and not all of the combinations of the features described in the embodiments are essential to the solving means of the invention. The above-described embodiments include inventions of various stages, and various inventions can be extracted by appropriate combinations of a plurality of configuration requirements to be started. Even if some of the constituent requirements are deleted from all the constituent requirements shown in the embodiment, a configuration in which some of the constituent requirements are deleted can be extracted as the invention as long as an effect can be obtained.

<화소 회로의 변형예><Modification Example of Pixel Circuit>

예를 들면, 화소 회로(P)의 측면으로부터의 변경이 가능하다. 예를 들면, 회로 이론상은 "이중성의 원리(principle of duality)"가 성립하기 때문에, 화소 회로(P)에 대해서는, 이 관점에서의 변형을 가할 수 있다. 이 경우, 도시를 할애하지만, 우선, 전술한 각 실시예에 나타낸 화소 회로(P)가 n형의 구동 트랜지스터(121)를 이용하여 구성하고 있음에 대해, p형의 구동 트랜지스터(121)를 이용하여 화소 회로(P)를 구성한다. 이에 맞추어서 영상 신호(Vsig)의 오프셋 전위(Vofs)에 대한 신호 진폭(△Vin)의 극성이나 전원 전압의 대소 관계를 역전시키는 등, 이중성의 원리에 따른 변경을 가한다.For example, the change from the side surface of the pixel circuit P is possible. For example, since a "principle of duality" holds true in circuit theory, the pixel circuit P can be modified in this respect. In this case, although shown in the drawing, first, the pixel circuit P shown in each of the above-described embodiments is constructed using the n-type driving transistor 121, so that the p-type driving transistor 121 is used. The pixel circuit P is formed. In accordance with this, a change is made in accordance with the principle of duality, such as reversing the polarity of the signal amplitude DELTA Vin and the magnitude of the power supply voltage with respect to the offset potential Vofs of the video signal Vsig.

예를 들면 "이중성의 원리(principle of duality)"에 따른 변형 상태의 화소 회로(P)에서는, p형의 구동 트랜지스터(이하 p형 구동 트랜지스터(121p)라고 칭한다)의 게이트단과 소스단과 사이에 보존 용량(120)을 접속하고, p형 구동 트랜지스터(121p)의 소스단을 직접 유기 EL 소자(127)의 캐소드단에 접속한다. 유기 EL 소자(127)의 애노드단은 기준 전위로서의 애노드 전위(Vanode)로 한다. 이 애노드 전위(Vanode)는, 기준 전위를 공급하는 전 화소 공통의 기준 전원천(고전위측)에 접속한다. p형 구동 트랜지스터(121p)는, 그 드레인단이 저전압측의 제 1 전위(Vss)에 접속되고, 유기 EL 소자(127)를 발광시키는 구동 전류(Ids)를 흘린다.For example, in the pixel circuit P in the deformed state according to the "principle of duality", it is stored between the gate terminal and the source terminal of the p-type driving transistor (hereinafter referred to as p-type driving transistor 121p). The capacitor 120 is connected, and the source terminal of the p-type driving transistor 121p is directly connected to the cathode terminal of the organic EL element 127. The anode end of the organic EL element 127 is an anode potential (Vanode) as a reference potential. This anode potential (Vanode) is connected to the reference power supply cloth (high potential side) common to all the pixels which supply a reference potential. The p-type driving transistor 121p has its drain terminal connected to the first potential Vss on the low voltage side, and flows a driving current Ids for causing the organic EL element 127 to emit light.

이와 같은 이중성의 원리를 적용하여 구동 트랜지스터(121)를 p형으로 한 변형예의 유기 EL 표시 장치에서도, n형의 구동 트랜지스터(121)로 한 유기 EL 표시 장치와 마찬가지로, 임계치 보정 동작, 이동도 보정 동작, 및 부트스트랩 동작을 실행할 수 있다.In the organic EL display device of the modified example in which the driving transistor 121 is p-type by applying the principle of such duality, the threshold correction operation and mobility correction are performed similarly to the organic EL display device having the n-type driving transistor 121. Operations, and bootstrap operations.

이와 같은 화소 회로(P)를 구동할 때에, 전술한 제 1 내지 제 5 실시예와 같이, 샘플링 트랜지스터를 더블게이트 구조로 하여, 그중의 제 1의 샘플링 트랜지스터(125)를 통상의 기록 구동 펄스(WS)로 주사하면서, 제 2의 샘플링 트랜지스터(625)는, 영상 신호선(106HS)(영상 신호(Vsig))을 공용화하는 자체 행 이외의 기록 구동 펄스(WS)나 전원 구동 펄스(DSL)를 샘플링 제어 신호(SC)로서 이용하여 제어함으로써, 상기 실시예와 마찬가지로, 수직 구동부(103)(스캐너 또는 드라이버)로부터 출력되는 제어 신호의 수를 늘리는 일 없이, 또한 외부에 여분의 제어 회로나 제어선을 갖지 않고서, 샘플링 트랜지스터(125)에(사실상 샘플링 트랜지스터(625)에도) 영상 신호(Vsig)를 공급하는 주사선인 영상 신호선(106HS)의 갯수를 줄인 것일 수 있고 저비용화할 수 있다.When driving such a pixel circuit P, as in the above-described first to fifth embodiments, the sampling transistor has a double gate structure, and the first sampling transistor 125 therein is a normal write drive pulse ( Scanning with WS, the second sampling transistor 625 samples a write drive pulse WS or a power drive pulse DSL other than its own row for sharing the video signal line 106HS (video signal Vsig). By using the control as the control signal SC, similarly to the above-described embodiment, an extra control circuit or control line is externally provided without increasing the number of control signals output from the vertical driver 103 (scanner or driver). The number of video signal lines 106HS, which are scanning lines for supplying the video signal Vsig to the sampling transistor 125 (in fact, also the sampling transistor 625), may be reduced and the cost may be reduced.

또한, 여기서 설명한 화소 회로(P)의 변형예는, 상기 제 1 내지 제 5 실시예에 나타낸 구성에 대해 "이중성의 원리"에 따른 변경을 가한 것이지만, 회로 변경의 수법은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 임계치 보정 동작을 실행함에 있어서, 기록 주사부(104)에서의 주사에 맞추어서 각 수평 주기 내에서 오프셋 전위(Vofs)와 신호 전위(Vin)(=Vofs+△Vin)로 전환하는 영상 신호(Vsig)가 영상 신호선(106HS)에 전달되도록 구동을 행하고, 임계치 보정의 초기화 동작을 위해 구동 트랜지스터(121)의 드레인측(전원 공급측)을 제 1 전위와 제 2 전위로 스위칭 구동을 행하는 것인 한, 2TR 구성인지의 여부는 불문이고 트랜지스터 수가 3개 이상이라도 좋고, 그들 전부에, 샘플링 트랜지스터를 더블게이트화하는 전술한 본 실시예 의 각 개선 수법을 적용하여, 영상 신호선(106HS)(영상 신호(Vsig))의 수를 줄임으로써 저비용화를 도모한다는 본 실시예의 사상을 적용할 수 있다.In addition, although the modification of the pixel circuit P demonstrated here added the change according to "the principle of duality" with respect to the structure shown to the said 1st-5th embodiment, the method of circuit change is not limited to this. . In executing the threshold correction operation, the video signal Vsig which switches between the offset potential Vofs and the signal potential Vin (= Vofs + ΔVin) within each horizontal period in accordance with the scan in the recording scanning unit 104 is performed. 2TR configuration as long as driving is performed to be transmitted to the video signal line 106HS, and switching driving of the drain side (power supply side) of the driving transistor 121 to the first potential and the second potential is performed for the initialization operation of the threshold correction. Regardless of whether it is recognized or not, three or more transistors may be used, and the video signal line 106HS (video signal Vsig) is applied to all of them by applying the above-described improvement methods of the present embodiment to double gate the sampling transistor. The idea of this embodiment can be applied to reduce cost by reducing the number of.

또한, 임계치 보정 동작을 실행함에 있어서, 오프셋 전위(Vofs)와 신호 전위(Vin)를 구동 트랜지스터(121)의 게이트에 공급하는 구조로서는, 상기 실시예의 2TR 구성과 같이 영상 신호(Vsig)로 대처하는 것으로 한하지 않고, 예를 들면, 특허문헌1에 기재와 같이, 다른 트랜지스터를 통하여 공급하는 구조를 채택할 수도 있고, 그들의 변형예에서도, 샘플링 트랜지스터를 더블게이트화하는 전술한 본 실시예의 각 개선 수법을 적용하여, 영상 신호선(106HS)(영상 신호(Vsig))의 수를 줄임으로써 저비용화를 도모한다는 본 실시예의 사상을 적용할 수 있다.Further, in the execution of the threshold correction operation, the structure in which the offset potential Vofs and the signal potential Vin are supplied to the gate of the driving transistor 121 is handled by the video signal Vsig as in the 2TR configuration of the above embodiment. For example, as described in Patent Literature 1, a structure for supplying via other transistors may be adopted, and even in these modifications, each improvement technique of the above-described present embodiment in which the gate of the sampling transistor is double gated is also employed. The idea of this embodiment can be applied by reducing the number of video signal lines 106HS (video signals Vsig) to reduce the cost.

본 발명은 2008년 3월 31일자로 일본특허청에 특허출원된 일본특허원 제2008-89981호를 우선권으로 주장한다.The present invention claims priority of Japanese Patent Application No. 2008-89981 filed with the Japan Patent Office on March 31, 2008.

당업자라면, 하기의 특허청구범위 또는 그 등가의 범위 내에서, 설계상의 필요 또는 다른 요인에 따라, 여러가지 변형예, 조합예, 부분 조합예, 수정예를 실시할 수 있을 것이다.Those skilled in the art will be able to practice various modifications, combinations, partial combinations, and modifications according to design needs or other factors within the scope of the following claims or equivalents thereof.

도 1은 본 발명에 관한 표시 장치의 한 실시예인 액티브 매트릭스형 표시 장치의 구성의 개략을 도시하는 블록도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a block diagram showing an outline of a configuration of an active matrix display device which is one embodiment of a display device according to the present invention.

도 2는 본 실시예의 화소 회로에 대한 제 1 비교예를 도시하는 도면.Fig. 2 is a diagram showing a first comparative example with respect to the pixel circuit of this embodiment.

도 3은 본 실시예의 화소 회로에 대한 제 2 비교예를 도시하는 도면.3 shows a second comparative example with respect to the pixel circuit of this embodiment;

도 4a는 유기 EL 소자나 구동 트랜지스터의 동작점을 설명하는 도면.4A is an explanatory diagram illustrating an operating point of an organic EL element and a driving transistor.

도 4b는 유기 EL 소자나 구동 트랜지스터의 특성 편차가 구동 전류에 주는 영향를 설명하는 도면.4B is an explanatory diagram illustrating the influence of variation in characteristics of an organic EL element or driving transistor on driving current.

도 5는 본 실시예의 화소 회로에 대한 제 4 비교예를 도시하는 도면.5 is a diagram showing a fourth comparative example with respect to the pixel circuit of this embodiment.

도 6은 도 5에 도시한 제 3 비교예의 화소 회로에 관한 제 3 비교예의 구동 타이밍의 기본 예를 설명하는 타이밍 차트.6 is a timing chart for explaining a basic example of driving timing of a third comparative example according to the pixel circuit of the third comparative example shown in FIG. 5;

도 7a는 본 실시예의 화소 회로에 대한 참조 회로를 설명하는 도면.7A is a diagram for explaining a reference circuit with respect to the pixel circuit of this embodiment.

도 7b는 참조 회로의 구조를 제 3 비교예의 화소 회로에 적용하는 제 4 비교예의 구동 타이밍을 설명하는 타이밍 차트.7B is a timing chart illustrating driving timing of a fourth comparative example in which the structure of the reference circuit is applied to the pixel circuit of the third comparative example.

도 8a는 제 1 실시예의 유기 EL 표시 장치의 각 주사선과 화소 회로의 접속 관계의 전체 개요소를 도시하는 도면.Fig. 8A is a diagram showing an overall outline of the connection relationship between the scanning lines and the pixel circuits of the organic EL display device of the first embodiment.

도 8b는 제 1 실시예의 화소 회로와 주사선의 결선 관계의 상세를 도시하는 도면.8B is a diagram showing details of the connection relationship between a pixel circuit and a scanning line in the first embodiment;

도 8c는 제 1 실시예의 구동 타이밍을 설명하는 타이밍 차트.8C is a timing chart for explaining driving timing of the first embodiment.

도 9a는 제 2 실시예의 유기 EL 표시 장치의 각 주사선과 화소 회로의 접속 관계의 전체 개요소를 도시하는 도면.Fig. 9A is a diagram showing an overall outline of the connection relationship between the scanning lines and the pixel circuits of the organic EL display device of the second embodiment.

도 9b는 제 2 실시예의 구동 타이밍을 설명하는 타이밍 차트.9B is a timing chart for explaining the driving timing of the second embodiment.

도 10a는 제 3 실시예의 유기 EL 표시 장치의 각 주사선과 화소 회로의 접속 관계의 전체 개요를 도시하는 도면.Fig. 10A is a diagram showing an overall outline of a connection relationship between scanning lines and pixel circuits of an organic EL display device of a third embodiment.

도 10b는 제 3 실시예의 구동 타이밍을 설명하는 타이밍 차트.10B is a timing chart for explaining driving timing of the third embodiment.

도 11a는 제 4 실시예의 유기 EL 표시 장치의 각 주사선과 화소 회로의 접속 관계의 전체 개요를 도시하는 도면.Fig. 11A is a diagram showing an overall outline of a connection relationship between scanning lines and pixel circuits of an organic EL display device of a fourth embodiment.

도 11b는 제 4 실시예의 화소 회로와 주사선의 결선 관계의 상세를 도시하는 도면.Fig. 11B is a diagram showing details of a connection relationship between a pixel circuit and a scanning line in the fourth embodiment.

도 11c는 제 4 실시예의 구동 타이밍을 설명하는 타이밍 차트.Fig. 11C is a timing chart for explaining driving timing of the fourth embodiment.

도 12a는 제 5 실시예의 유기 EL 표시 장치의 각 주사선과 화소 회로의 접속 관계의 전체 개요를 도시하는 도면.FIG. 12A is a diagram showing an overall outline of a connection relationship between each scanning line and a pixel circuit in the organic EL display device of the fifth embodiment. FIG.

도 12b는 제 5 실시예의 화소 회로와 주사선의 결선 관계의 상세를 도시하는 도면.Fig. 12B is a diagram showing details of the connection relationship between a pixel circuit and a scanning line in the fifth embodiment.

도 12c는 제 5 실시예의 구동 타이밍을 설명하는 타이밍 차트.12C is a timing chart for explaining driving timing of the fifth embodiment.

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

1 : 유기 EL 표시 장치 100 : 표시 패널부1 Organic EL Display 100 Display Panel

101 : 기판 102 : 화소 어레이부101 substrate 102 pixel array portion

103 : 수직 구동부 104 : 기록 주사부103: vertical drive unit 104: recording scanning unit

105 : 구동 주사부 106 : 수평 구동부105: driving scan unit 106: horizontal driving unit

109 : 제어부 120 : 보존 용량109 control unit 120 storage capacity

121 : 구동 트랜지스터 122 : 발광 제어 트랜지스터121: driving transistor 122: light emitting control transistor

125, 625 : 샘플링 트랜지스터125, 625: sampling transistor

127 : 유기 EL 소자(전기광학 소자의 한 예)127: organic EL device (an example of electro-optical device)

200 : 구동 신호 생성부 300 : 영상 신호 처리부200: driving signal generation unit 300: image signal processing unit

Cel : 기생 용량 P : 화소 회로Cel: Parasitic Capacitor P: Pixel Circuit

Claims (14)

구동 전류를 생성하는 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 출력단에 접속된 전기광학 소자, 영상 신호의 신호 진폭에 따른 정보를 보존하는 보존 용량, 및 상기 신호 진폭에 따른 정보를 상기 보존 용량에 기록하는 종속접속된 제 1의 샘플링 트랜지스터 및 제 2의 샘플링 트랜지스터를 각각 포함하며 행렬 형상으로 배치된 복수의 화소 회로와;A driving transistor for generating a driving current, an electro-optical element connected to an output terminal of the driving transistor, a storage capacitor for storing information according to a signal amplitude of an image signal, and a slave connection for recording information according to the signal amplitude in the storage capacitor A plurality of pixel circuits each having a first sampling transistor and a second sampling transistor arranged in a matrix; 상기 화소 회로를 수직 주사하기 위한 수직 주사 펄스를 생성하는 수직 주사부와;A vertical scanning unit generating a vertical scanning pulse for vertically scanning the pixel circuit; 상기 수직 주사부에 접속된 복수의 수직 주사선과;A plurality of vertical scanning lines connected to the vertical scanning unit; 상기 수직 주사부에 의한 수직 주사와 동기하여 상기 화소 회로에 상기 영상 신호를 공급하는 수평 주사부; 및A horizontal scanning unit which supplies the image signal to the pixel circuit in synchronization with the vertical scanning by the vertical scanning unit; And 상기 수평 주사부에 접속된 복수의 수평 주사선을 포함하고,A plurality of horizontal scanning lines connected to the horizontal scanning unit, 상기 수직 주사부는, 적어도 상기 화소 회로를 수직 주사하여 상기 신호 진폭에 따른 정보를 상기 보존 용량에 기록하기 위한 기록 주사 펄스를 생성하는 기록 주사부를 포함하고,The vertical scanning portion includes a writing scanning portion for vertically scanning at least the pixel circuit to generate a write scanning pulse for writing information according to the signal amplitude into the storage capacitor, 상기 수직 주사선은 상기 기록 주사부에 접속된 복수의 기록 주사선을 포함하고,The vertical scanning line includes a plurality of recording scanning lines connected to the recording scanning unit, 상기 수평 주사선 각각은, 복수열에 포함된 상기 제 1의 샘플링 트랜지스터의 입력단에 상기 수평 주사부로부터의 신호 기록용의 상기 영상 신호가 공통으로 공급되도록 배선되어 있고,Each of the horizontal scanning lines is wired so that the video signal for signal writing from the horizontal scanning unit is commonly supplied to an input terminal of the first sampling transistor included in a plurality of columns. 상기 영상 신호가 공통으로 공급되는 상기 복수열을 각각 포함하는 조의 각각에 속하는 상기 제 2의 샘플링 트랜지스터의 제어 입력단은, 상기 제 2의 샘플링 트랜지스터가 속하는 조를 제외한 다른 조의 각각 다른 행에 대한 상기 수직 주사 펄스가 상기 수직 주사부로부터 상기 제 2의 샘플링 트랜지스터의 상기 제어 입력단에 공급되도록 상기 수직 주사선과 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The control input terminal of the second sampling transistor belonging to each of the pairs each including the plurality of columns to which the video signal is commonly supplied has the vertical to the other rows of the other groups except the group to which the second sampling transistor belongs. And a scanning pulse connected to the vertical scanning line such that a scanning pulse is supplied from the vertical scanning unit to the control input terminal of the second sampling transistor. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2의 샘플링 트랜지스터의 제어 입력단은, 상기 다른 조의 각각 다른 행의 동종의 수직 주사용의 상기 수직 주사 펄스가 상기 수직 주사부로부터 공급되도록 동종의 상기 수직 주사선과 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The control input terminal of the second sampling transistor is connected to the vertical scan line of the same type so that the vertical scan pulse for vertical scan of the same row in each of the other sets is supplied from the vertical scan part. Device. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 동종의 수직 주사선은, 상기 기록 주사선인 것을 특징으로 하는 표시 장치.And the vertical scan line of the same kind is the recording scan line. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 수직 주사부는 상기 구동 전류를 상기 전기광학 소자에 공급하기 위해 사용되는 제 1 전위와 상기 제 1 전위와는 다른 제 2 전위를 전환하여 상기 구동 트랜지스터의 전원 공급단에 공급하는 구동 주사부를 포함하고,The vertical scanning unit includes a driving scanning unit for switching the first potential used to supply the driving current to the electro-optical device and a second potential different from the first potential to supply the driving current to the power supply terminal of the driving transistor; , 상기 수직 주사선은, 상기 구동 주사부와 각 행의 상기 구동 트랜지스터의 전원 공급단의 사이에서 연장하는 복수의 전원 공급선을 포함하며,The vertical scanning line includes a plurality of power supply lines extending between the driving scanning unit and a power supply terminal of the driving transistors in each row; 상기 동종의 수직 주사선은, 상기 전원 공급선인 것을 특징으로 하는 표시 장치.The same type of vertical scanning line is the power supply line. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2의 샘플링 트랜지스터의 제어 입력단은, 상기 다른 조의 각각 다른 행의 이종의 수직 주사용의 상기 수직 주사 펄스가 상기 수직 주사부로부터 상기 제 2의 샘플링 트랜지스터의 제어 입력단에 공급되도록 이종의 상기 수직 주사선에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The control input terminal of the second sampling transistor is configured such that the vertical scan pulse for heterogeneous vertical scanning of the different rows of the different sets is supplied from the vertical scan unit to the control input terminal of the second sampling transistor. The display device is connected to the scanning line. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수평 주사부는, 상기 수직 주사부에 의해 상기 수직 주사와 동기하여 각 열용의 영상 신호를 순번대로 전환하고, 상기 영상 신호가 공통으로 공급되는 상기 복수열의 조 각각에 대한 상기 화소 회로에 상기 영상 신호를 공급하며,The horizontal scanning unit sequentially switches the video signal for each column in synchronization with the vertical scanning by the vertical scanning unit, and supplies the video signal to the pixel circuit for each of the plurality of columns in which the video signal is commonly supplied. Supplying 상기 수직 주사부는, 상기 기록 구동 펄스에 의해 상기 제 1의 샘플링 트랜지스터를 수직 주사함과 함께, 상기 영상 신호가 공통으로 공급되는 조 내에서, 상기 영상 신호를 공용한 어느 하나의 열의 표시 처리의 기간에 들어가 영상 신호를 공용한 모든 열의 표시 처리가 완료되기까지의 모든 표시 처리 기간에서는, 상기 제 1의 샘플링 트랜지스터의 도통과 동기하여 상기 제 2의 샘플링 트랜지스터의 어느 하나를 순번대로 도통시킴으로써 상기 표시 처리가 순번대로 이루어지도록, 상기 수직 주사용의 동종 또는 이종의 상기 수직 주사 펄스를 설정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The vertical scanning unit vertically scans the first sampling transistor by the write driving pulse, and performs a display processing of any one column in which the video signal is shared in a group in which the video signal is commonly supplied. In all the display processing periods until the display processing of all the columns sharing the video signal is completed, the display processing is conducted by sequentially conducting any one of the second sampling transistors in synchronization with the conduction of the first sampling transistors. And the vertical scan pulses of the same kind or different kinds for the vertical scan, so as to be sequentially formed. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 수직 주사부는, 상기 모든 표시 처리 기간 내에서, 현재 도통 상태로 제어되고 있는 것을 제외한 복수열의 상기 제 2의 샘플링 트랜지스터의 모두가 오프되도록, 상기 수직 주사용의 동종 또는 이종의 상기 수직 주사 펄스를 설정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The vertical scanning unit is configured to receive the same or different vertical scanning pulses for the vertical scanning such that all of the plurality of rows of the second sampling transistors except for being controlled to the conductive state are turned off within all the display processing periods. A display device, characterized in that the setting. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 수직 주사부는, 상기 제 2의 샘플링 트랜지스터를 순번대로 도통시킴이 필요 없는 수직 주사 기간에서는, 상기 제 1 및 상기 제 2의 샘플링 트랜지스터의 둘 다를 도통시킴으로써, 통상적인 표시 처리가 행하여지도록 상기 수직 주사 펄스를 설정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The vertical scan section conducts both of the first and second sampling transistors in a vertical scan period in which the second sampling transistors do not need to be sequentially turned on, so that the vertical scanning is performed so that normal display processing is performed. A display device characterized by setting a pulse. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 수직 주사부는, 상기 수직 주사 펄스의 변화 상태가 각 행에서 균일하게 되도록 상기 수직 주사 펄스를 설정하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.And the vertical scanning unit sets the vertical scanning pulse so that the change state of the vertical scanning pulse is uniform in each row. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 구동 전류를 일정하게 유지하는 구동 신호 일정화 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.And a drive signal constant circuit for keeping the drive current constant. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 구동 신호 일정화 회로는, 상기 구동 전류를 상기 전기광학 소자에 공급하기 위해 사용되는 제 1 전위에 대응하는 전압이 상기 구동 트랜지스터의 전원 공급단에 공급되며 상기 영상 신호가 기준 전위인 시간대에, 상기 제 1 및 상기 제 2의 샘플링 트랜지스터를 도통시킴으로써 상기 구동 트랜지스터의 임계치 전압에 대응하는 전압을 상기 보존 용량에 보존시키는 임계치 보정 기능을 실현하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The driving signal regularizing circuit may be provided at a time when a voltage corresponding to a first potential used to supply the driving current to the electro-optical element is supplied to a power supply terminal of the driving transistor and the image signal is a reference potential. And a threshold correction function for retaining the voltage corresponding to the threshold voltage of the driving transistor in the storage capacitor by conducting the first and second sampling transistors. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 수직 주사부는, 상기 화소 회로를 수직 주사하여 상기 보존 용량에 상기 신호 진폭에 따른 정보를 기록하기 위한 기록 주사 펄스를 상기 제 1의 샘플링 트랜지스터의 제어 입력단에 공급하는 기록 주사부와, 상기 구동 전류를 상기 전기광학 소자에 공급하기 위해 사용되는 제 1 전위 및 상기 제 1 전위와는 다른 제 2 전위를 전환하여 상기 구동 트랜지스터의 전원 공급단에 공급하는 구동 주사부를 포함하며,The vertical scanning unit vertically scans the pixel circuit and supplies a write scanning pulse for writing information corresponding to the signal amplitude in the storage capacitor to a control input terminal of the first sampling transistor, and the driving current. A driving scan unit for switching the first potential used to supply the second to the electro-optical element and the second potential different from the first potential to supply the power to the power supply terminal of the driving transistor; 상기 수평 주사부는, 기준 전위와 신호 전위로 전환되는 영상 신호를 상기 샘플링 트랜지스터에 공급하고,The horizontal scanning unit supplies an image signal switched to a reference potential and a signal potential to the sampling transistor, 상기 구동 신호 일정화 회로는, 상기 기록 주사부, 상기 수평 구동부, 및 상기 구동 주사부의 제어하에, 상기 제 1 전위에 대응하는 전압이 상기 구동 트랜지스터의 상기 전원 공급단에 공급되고, 영상 신호가 기준 전위인 시간대에, 상기 제 1 및 상기 제 2의 샘플링 트랜지스터를 도통시킴에 의해, 상기 구동 트랜지스터의 임계치 전압에 대응하는 전압을 상기 보존 용량에 보존시키는 임계치 보정 기능을 실현하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.In the driving signal constant circuit, under the control of the write scanning unit, the horizontal driving unit, and the driving scanning unit, a voltage corresponding to the first potential is supplied to the power supply terminal of the driving transistor, and an image signal is referenced. The display device is characterized in that the first and second sampling transistors are turned on at a potential time period to realize a threshold correction function for storing a voltage corresponding to a threshold voltage of the driving transistor in the storage capacitor. . 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 구동 신호 일정화 회로는, 상기 구동 트랜지스터의 이동도에 대한 상기 구동 전류의 의존성을 억제하는 이동도 보정 기능을 실현하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.And the drive signal constant circuit realizes a mobility correction function that suppresses the dependence of the drive current on the mobility of the drive transistor. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 구동 신호 일정화 회로는, 상기 구동 트랜지스터의 임계치 전압에 대응하는 전압을 상기 보존 용량에 보존시키는 임계치 보정 기능 동작 이후에 상기 영상 신호가 신호 전위를 갖는 시간대에서, 상기 제 1 및 상기 제 2의 샘플링 트랜지스터 둘 다를 도통시킴에 의해, 상기 보존 용량에 신호 전위에 따른 정보를 기록할 때에 상기 이동도 보정 기능을 실현하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.The driving signal scheduling circuit is configured to perform the first and second second operation in a time period when the video signal has a signal potential after a threshold correction function of storing a voltage corresponding to a threshold voltage of the driving transistor in the storage capacitor. Both conducting sampling transistors realize the mobility correction function when writing information according to signal potential in the storage capacitor.
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KR20170019030A (en) * 2015-08-10 2017-02-21 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus
CN116052596A (en) * 2023-02-23 2023-05-02 武汉天马微电子有限公司 Display panel, driving method thereof and display device

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