KR20090104578A - Light emitting diode package - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 LED칩이 실장되는 캐비티와 패키지 몸체의 외면 사이에 리드 프레임이 드러나도록 하는 깊이까지 홈부를 형성하고 홈부에 수지가 채워져 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package in which a groove is formed to a depth such that a lead frame is exposed between the cavity in which the LED chip is mounted and the outer surface of the package body and the resin is filled in the groove. will be.
일반적으로, 발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode, 이하 ‘LED'라 함)는 전류 인가에 의해 P-N 반도체 접합(P-N junction)에서 전자와 정공이 만나 빛을 발하는 소자로서, LED는 저전압, 저전류로 연속 발광이 가능하고 소비전력이 작은 이점 등 기존의 광원에 비해 많은 이점을 갖고 있다.In general, a light emitting diode (LED) is a device in which electrons and holes meet and emit light at a PN semiconductor junction by applying an electric current. It has a number of advantages over conventional light sources, such as continuous light emission and low power consumption.
위와 같은 LED는 통상 패키지 구조로 제조되며, 그 중에는, 인쇄회로기판(PCB)에 LED칩을 실장하고, 그 LED칩을 투명의 수지로 봉지한 구조의 LED 패키지가 공지되어 있다. 또한, 인쇄회로기판 대신에 세라믹 또는 PPA(polyphthalamide) 수지재에 의해 지지된 리드 프레임 상에 LED칩이 실장된 구조의 다른 패키지들도 공지되어 있다.Such LEDs are usually manufactured in a package structure, and among them, LED packages having a structure in which an LED chip is mounted on a printed circuit board (PCB) and the LED chip is sealed with a transparent resin are known. In addition, other packages of a structure in which an LED chip is mounted on a lead frame supported by a ceramic or polyphthalamide (PPA) resin material instead of a printed circuit board are also known.
이와 같은 종래의 발광 다이오드 패키지들은 도 1에 도시된 바와 같이 패키 지 몸체(11)의 실장면에 LED칩(14)을 부착하고 와이어(W) 본딩을 한 상태에서 몰딩재(16)를 형성함에 따라 패키지 구조로 완성된다. 한편, 몰딩재(16)를 형성하지 않고 패키지 몸체(11)의 상부에 예를 들어 필름이나 글라스를 덮는 경우도 있다.Such conventional light emitting diode packages are formed by attaching the
그러나, 종래의 발광 다이오드 패키지에서는 발광 다이오드 패키지의 성형 후 리드 프레임(12, 13)을 구성하는 금속과 패키지 몸체(11)를 구성하는 고분자 수지의 열팽창 계수 차이에 의해 발생하는 계면에 의해 상기 패키지 몸체(11)의 외부로 연장 설치된 리드 프레임(12, 13)을 따라 수분이나 산소가 침투하게 된다(화살표로 표시되어 있음). 이와 같이 침투된 수분이나 산소는 LED칩(14)에 악영향을 미치고 배선들의 산화에 의해 효율 저하 및 소비전력 상승 등의 문제가 있다.However, in the conventional light emitting diode package, after the molding of the light emitting diode package, the package body is formed by an interface generated by a difference in thermal expansion coefficient between the metal constituting the
또한, 투광성 수지를 과량으로 포팅할 경우, 패키지 몸체(11) 외부로 몰딩재(16)가 넘치는 불량이 발생하는 문제도 있다. 특히, 실리콘과 같은 몰딩재의 경우 소팅시 몰딩재가 끈적거리면서 붙는 현상이 있어 작업공정이 까다롭다. 그리고, 몰딩재(11)가 경화하면서 부피 수축을 하게 되어, 도 1에서 보듯이 오목한 형태를 가지므로 광효율을 감소시키는 문제도 있다.In addition, when potting the light-transmissive resin in excess, there is also a problem that a defect overflowing the
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 리드 프레임을 구성하는 금속과 패키지 몸체를 구성하는 고분자 수지의 열팽창 계수 차이에 의해 계면이 발생하는 것을 방지할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a light emitting diode package capable of preventing an interface from occurring due to a difference in thermal expansion coefficient between a metal constituting a lead frame and a polymer resin constituting a package body.
이러한 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일측면에 의하면, 캐비티를 갖는 패키지 몸체; 상기 캐비티 바닥면에 일측이 서로 이격되고 다른 측이 상기 패키지의 몸체의 외부로 연장되어 형성된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임; 상기 제1 리드 프레임위에 실장된 LED칩; 및 상기 캐비티와 상기 패키지 몸체의 외면 사이에 형성되는 홈부를 포함하는 발광 다이오드 패키지가 제공된다. 상기 홈부는 상기 패키지 몸체의 상면으로부터 적어도 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임을 드러내는 깊이까지 형성되어 있으며, 상기 홈부를 지나는 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임의 폭보다 넓은 폭을 가진다. 또한, 상기 홈부는 제1 수지가 채워진 후 경화되어 있다.In order to solve this problem, according to an aspect of the present invention, the package body having a cavity; A first lead frame and a second lead frame formed on one side of the cavity and spaced apart from each other and the other side of the cavity bottom surface; An LED chip mounted on the first lead frame; And a groove formed between the cavity and an outer surface of the package body. The groove portion is formed to a depth that exposes the first lead frame and the second lead frame at least from the upper surface of the package body, and has a width wider than the width of the first lead frame and the second lead frame passing through the groove portion. Have The groove portion is cured after the first resin is filled.
상기 제1 수지는 열전도성 물질을 포함할 수 있다.The first resin may include a thermally conductive material.
상기 제1 수지는 열경화성 물질일 수 있다.The first resin may be a thermosetting material.
상기 제1 수지는 상기 패키지 몸체 및 상기 리드 프레임과 접착특성 및 투습 방지기능이 구비된 것일 수 있다.The first resin may be provided with an adhesive property and a moisture permeation prevention function with the package body and the lead frame.
상기 홈부는 상기 패키지 몸체의 좌우에 대칭적으로 형성될 수 있다.The groove may be symmetrically formed on the left and right of the package body.
상기 홈부는 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임의 하면보다 더 깊게 형성될 수 있다.The groove may be formed deeper than a lower surface of the first lead frame and the second lead frame.
상기 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임은, 상기 홈부내에서는 일정 구간 그 폭이 좁아졌다가 다시 넓어진 형상을 가질 수 있다.The first lead frame and the second lead frame may have a shape in which the width of the first lead frame and the second lead frame are narrowed and then widened again.
상기 발광 다이오드 패키지는 상기 캐비티에 액상의 제2 수지가 채워진 후 경화된 몰딩재를 더 포함할 수 있다.The light emitting diode package may further include a molding material cured after the liquid second resin is filled in the cavity.
여기에서, 상기 제1 수지 및 제2 수지는 동일한 수지일 수 있다.Here, the first resin and the second resin may be the same resin.
상기 패키지 몸체는 상기 홈부를 기준으로 하여 상기 캐비티쪽에 형성된 내측벽과, 상기 패키지 몸체의 외벽쪽으로 형성된 외측벽을 포함하며, 상기 내측벽의 높이와 상기 외측벽의 높이가 동일할 수 있다.The package body may include an inner wall formed on the cavity side and an outer wall formed toward the outer wall of the package body with respect to the groove, and the height of the inner wall and the outer wall may be the same.
상기 패키지 몸체는 상기 홈부를 기준으로 하여 상기 캐비티쪽에 형성된 내측벽과, 상기 패키지 몸체의 외벽쪽으로 형성된 외측벽을 포함하며, 상기 내측벽의 적어도 일부의 높이가 상기 외측벽의 높이보다 낮게 형성될 수 있다.The package body may include an inner wall formed on the cavity side and an outer wall formed toward the outer wall of the package body based on the groove, and the height of at least a portion of the inner wall may be lower than the height of the outer wall.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 있어서, 캐비티를 갖는 패키지 몸체와, 상기 캐비티와 상기 패키지 몸체의 외면 사이에 형성되는 홈부와, 상기 캐비티 바닥면에 일측이 서로 이격되고 다른 측이 상기 패키지의 몸체의 외부로 연장되어 형성된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임을 형성하는 단계; 상기 제1 리드 프레임위에 LED칩을 실장하는 단계; 상기 홈부에 제1 수지를 채운후 경화시키는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지 제조 방법이 제공된다. 상기 홈부는 상기 패키지 몸체의 상면으로부터 적어도 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임을 드러내는 깊이까지 형성되며, 상기 홈부를 지나는 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임의 폭보다 넓은 폭을 가진다.According to another aspect of the invention, in the method of manufacturing a light emitting diode package, a package body having a cavity, a groove portion formed between the cavity and the outer surface of the package body, and one side spaced apart from each other on the bottom surface of the cavity Forming a first lead frame and a second lead frame having sides extending out of the body of the package; Mounting an LED chip on the first lead frame; Provided is a method of manufacturing a light emitting diode package including filling and curing the first resin in the groove. The groove portion is formed from a top surface of the package body to a depth at least exposing the first lead frame and the second lead frame, and has a width wider than the width of the first lead frame and the second lead frame passing through the groove portion. .
상기 발광 다이오드 패키지 제조 방법은 상기 캐비티에 상기 제1 수지를 주입하여 채우는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 패키지 몸체는 상기 홈부를 기준으로 하여 상기 캐비티쪽에 형성된 내측벽과, 상기 패키지 몸체의 외벽쪽으로 형성된 외측벽을 포함하며, 상기 내측벽의 적어도 일부의 높이가 상기 외측벽의 높이보 다 낮게 형성될 수 있다. 이때, 상기 캐비티에 주입된 상기 제1 수지가 상기 내측벽의 적어도 일부의 높이를 가지는 부분을 통해 상기 홈부에 흘러들어가서 상기 홈부에 채워질 수 있다.The light emitting diode package manufacturing method may further include a step of filling the cavity by injecting the first resin, wherein the package body has an inner side wall formed on the cavity side with respect to the groove portion, and toward the outer side wall of the package body. It may include a formed outer wall, the height of at least a portion of the inner wall may be formed lower than the height of the outer wall. In this case, the first resin injected into the cavity may flow into the groove through a portion having a height of at least a portion of the inner wall to be filled in the groove.
본 발명의 실시예에 따르면 패키지 몸체의 외면과 패키지 몸체의 캐비티 사이에 리드 프레임을 드러내는 또는 그 이하의 깊이까지 홈부를 형성하고, 그 홈부에 수지를 채워놓음으로써, 홈부에 채워진 수지가 리드 프레임과 패키지 몸체의 바닥면을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 발광 다이오드 패키지의 성형 후 금속과 고분자 수지의 열팽창 계수 차이에 의해 발생하는 계면에 의해 상기 패키지 몸체의 외부로 연장 설치된 리드 프레임을 따라 수분이나 산소가 침투되는 것을 효과적으로 방지하여 발광 다이오드 패키지의 수명을 개선할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a groove portion is formed between the outer surface of the package body and the cavity of the package body to a depth of or below the lead frame, and the resin filled in the groove portion is filled with the lead frame by filling the resin in the groove portion. The bottom surface of the package body can be sealed. Accordingly, after the molding of the LED package, moisture or oxygen can effectively be prevented from penetrating along the lead frame extending out of the package body by the interface generated by the difference in thermal expansion coefficient between the metal and the polymer resin. It can improve the service life.
또한, 패키지 몸체의 상단에 형성된 홈부에 의해 몰딩재 도팅시 몰딩재의 넘침을 방지할 수 있는 효과가 있다. 특히, 몰딩재의 넘침을 방지할 수 있음에 따라 예컨대 실리콘과 같은 저경도 몰딩재의 경우 소팅시 발생하는 작업상의 끈적거리면서 붙는 현상을 해결할 수 있다.In addition, there is an effect that can prevent the overflow of the molding material when the molding material is dotting by the groove formed on the top of the package body. In particular, as the overflow of the molding material can be prevented, for example, in the case of a low-hardness molding material such as silicon, it is possible to solve the sticky and sticking phenomenon occurring during sorting.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면 패키지 몸체와 몰딩재 사이의 접착면적을 증가시킴으로써 계면 박리를 방지할 수 있어, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과도 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention by increasing the adhesive area between the package body and the molding material can prevent the interface peeling, there is an effect that can improve the reliability.
그리고, 본 발명의 실시예에 따르면 캐비티를 둘러싼 채 패키지 몸체의 상면보다 낮은 높이를 갖도록 형성된 홈부에 의해 몰딩재의 경화시 수축을 최소화하여 평평하거나 볼록한 표면을 형성함으로써 광효율을 향상시킬 수 있는 효과도 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention by the groove portion formed to have a lower height than the upper surface of the package body while surrounding the cavity there is an effect that can improve the light efficiency by forming a flat or convex surface by minimizing shrinkage during curing of the molding material. .
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들을 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And, in the drawings, the width, length, thickness, etc. of the components may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(2)의 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(2)의 평면도이다.2 is a cross-sectional view of the
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(2)는 리드 프레임으로 형성되어 외부 전극들에 연결되는 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23) 및 이것과 일체로 성형된 패키지 몸체(21)를 구비한다. 패키지 몸체(21)의 재질은 예컨대, PPA, 세라믹, 액정폴리머(LCP), SPS, PPS 등의 재질로, LED 패키지 내부 구조를 다양하게 설계할 수 있다.2 and 3, a light
상기 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23)은 각각의 일단이 근접하여 대향하도록 배치되며, 타단은 서로 반대방향으로 연장하여 패키지 몸체(21)의 외부로 돌출된다. 도면상에 상기 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23)의 타단이 패키지 몸체(21)의 외부로 돌출되는 것으로 설명하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아닌바 상기 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23)은 패 키지 몸체(21)를 상하로 관통하는 비아(via, 미도시)를 통해 외부 전극에 각각 전기적으로 연결될 수도 있다.The
상기 패키지 몸체(21)는 상기 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23)의 적어도 일부를 둘러싸서 상기 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23)을 고정시킨다. 또한, 상기 패키지 몸체(21)는 상기 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23)을 노출시키는 캐비티(25)를 갖는다. 상기 캐비티(25)의 내측벽(211)의 안쪽면은 LED칩(24)에서 방출된 빛을 외부로 반사하도록 일정한 경사면을 갖는다.The
상기 LED칩(24)은 상기 캐비티(25)의 바닥면에 실장된다. 이때, 도시한 바와 같이, 상기 LED칩(24)은 상기 제1 리드 프레임(22) 상에 도전성 접착제에 의해 부착될 수 있다. 상기 도전성 접착제는 은 에폭시(Ag epoxy)일 수 있다. 이에 더하여, 상기 LED칩(24)은 본딩와이어(W)를 통해 제2 리드 프레임(23)에 접속될 수 있다. 이에 따라, 상기 LED칩(24)은 상기 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23)에 전기적으로 연결된다.The
한편, 상기 패키지 몸체(21)의 외면과 캐비티(25) 사이에는 홈부(212)가 형성된다. 도면에서는 홈부(212)가 패키지 몸체(21)의 좌우에 대칭적으로 형성되어 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 홈부(212)의 위치 및 개수는 패키지 몸체(21)에 설치되는 리드 프레임의 형상, 위치, 개수에 따라 적절하게 변형되어 결정될 수 있다.Meanwhile, a
홈부(212)에 의해 패키지 몸체(21)는 홈부(212)를 기준으로 캐비티(25)쪽의 내측벽(211)과 패키지 몸체(21)의 외면쪽의 외측벽(213)으로 구분될 수 있다. 내측 벽(211)과 외측벽(213)은 동일한 높이로 형성된다. 상기 홈부(212)는 상기 패키지 몸체(21) 형성시 형성될 수 있다. 이러한 상기 홈부(212)는 패키지 몸체(21)의 상면으로부터 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23)이 드러나도록 하는 깊이, 또는 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23)보다 더 아래의 깊이까지 형성된다. 또한 상기 홈부(212)는 제1 리드 프레임(22)에서 홈부(212)를 지나는 부분(22b)과 제2 리드 프레임(23)에서 홈부(212)를 지나는 부분(23b)의 폭보다 큰 폭을 가지는 것이 바람직하다. 홈부(212)의 폭이 제1 리드 프레임(22)의 구간(22b) 및 제2 리드 프레임의 구간(23b)보다 넓게 형성되어 있음에 따라 계면 형성을 최소화하고 투습을 최소화할 수 있다.By the
상기 캐비티(25)에는 액상의 수지, 예컨대 실리콘 수지 또는 에폭시 수지가 채워진 후 경화되어 몰딩재(26)가 형성된다. 상기 몰딩재(26)는 상기 캐비티(25)의 바닥면에 실장된 LED칩(24) 상부를 덮는다. 또한, 몰딩재(26)는 두개의 본딩와이어(W)를 덮을 수 있다. 본 실시예에서 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23)과 LED칩(24)을 연결하기 위한 본딩와이어(W)를 두개의 본딩와이어로 사용하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 몰딩재(26)는 적어도 하나의 형광체(미도시)를 함유할 수 있다. 이러한 형광체는 LED칩(24)에서 방출된 빛의 파장을 변환시키기 위해 채택된다. The
홈부(212)에는 수지가 채워진다. 홈부(212)에 채워지는 수지는 패키지 몸체(21)의 재질과 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23)과 접착력이 우수하고, 투습방지 능력이 있는 고분자 수지가 바람직하다. 즉, 패키지 몸체(21)를 구성 하는 수지는 PPA와 같은 열가소성 수지임에 따라 진행성 불량으로 사용중 리드 프레임의 금속과 열가소성 수지인 PPA와의 열팽창 계수의 차이에 의한 계면 내지 접착성 불량 등이 발생할 수 있다. 따라서, 홈부(212)에 채워지는 수지는 열경화성 수지인 에폭시 수지, 멜라민 수지, 페놀수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지 등을 사용할 수 있다. 바람직하게는 실리콘 수지 내지 우레탄 수지를 사용할 수 있다. 이에 따라, 수지의 기능 그룹(function group)(-OH, -COOH)과 수소 본딩 등을 통하여 접착 특성이 향상되어 계면 발생을 억제할 수 있고 투습 등의 문제점을 개선할 수 있다. 또한 홈부(212)에 채워지는 수지는 열전도성 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 홈부(212)에 채워지는 수지가 열전도성이 뛰어나면 LED칩(24)으로부터 발생된 열이 효과적으로 외부로 방출될 수 있다. 홈부(212)에 채워지는 수지는 예를 들어 고분자 수지를 포팅을 통하여 주입하여 경화하는 방식으로 형성할 수 있다. 홈부(212)에 채워지는 수지는 캐비티(25)에 채워지는 수지와 같은 수지를 사용할 수 도 있고, 서로 다른 수지를 사용할 수 도 있다.The
홈부(212)에 채워지는 수지가 패키지 몸체(21)의 재질과 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23)과 접착력이 우수하고, 투습방지 능력이 있는 고분자 수지임에 따라 홈부(212)내에서 리드 프레임(22b, 23b)과 패키지 몸체의 바닥면을 밀봉할 수 있다. 즉, 발광 다이오드 패키지의 성형 후 리드 프레임(22, 23)을 구성하는 금속과 패키지 몸체(21)를 구성하는 고분자 수지의 열팽창 계수 차이에 의해 발생하는 계면이 효과적으로 밀봉될 수 있다. 이에 따라, 패키지 몸체(21)의 외부로 연장 설치된 리드 프레임(22, 23)을 따라 수분이나 산소가 캐비티(25)안으 로 침투되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.As the resin filled in the
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(2)의 단면도이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(2)의 평면도이다.4 is a cross-sectional view of a light emitting
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(2)는 리드 프레임으로 형성되어 외부 전극들에 연결되는 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23) 및 이것과 일체로 성형된 패키지 몸체(21)를 구비한다. 패키지 몸체(21)의 재질은 예컨대, PPA, 세라믹, 액정폴리머(LCP), SPS, PPS 등의 재질로, LED 패키지 내부 구조를 다양하게 설계할 수 있다.4 and 5, a light emitting
도 4 및 도 5에 도시된 발광 다이오드의 구조는 도 2 및 도 3에 도시된 발광 다이오드 패키지에 형성된 리드 프레임(22, 23)과 동일한 구조를 가지며, 패키지 몸체(21)에 역시 홈부(212)가 형성되어 있다. 도 4 및 도 5에 도시된 상기 홈부(212)도 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 패키지 몸체(21)의 상면으로부터 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23)이 드러나도록 하는 깊이까지 형성된다. 또한 상기 홈부(212)는 제1 리드 프레임(22)에서 홈부(212)를 지나는 부분(22b)과 제2 리드 프레임(23)에서 홈부(212)를 지나는 부분(23b)의 폭보다 큰 폭을 가지도록 형성되어 있다.The structure of the light emitting diode shown in FIGS. 4 and 5 has the same structure as the lead frames 22 and 23 formed in the light emitting diode package shown in FIGS. 2 and 3, and the
다만, 도 2 및 도 3에 도시된 발광 다이오드 패키지에서는 홈부(212)를 기준으로 내측벽(211)이 전체적으로 외측벽(213)과 동일한 높이로 형성되어 있음에 반하여, 도 4 및 도 5에 도시된 발광 다이오드 패키지에서는 홈부(212)를 기준으로 내측벽(211) 중 일부가 외측벽(213)의 높이보다 약간 낮게 형성되어 있다. 즉, 내 측벽(211)의 일부가 오목하게 형성되어 있다. 이에 따라, 캐비티(25)에 액상 수지를 채워서 내측벽(211)에 거의 차면 내측벽(211)이 일부에 오목하게 형성된 부분을 통해 수지가 홈부(212)로 흘러들어갈 수 있다. 캐비티(25)에 액상 수지를 더 채워서 도 4에 도시된 바와 같이 내측벽(211)의 높이를 초과하여 채워질 수 있다.However, in the light emitting diode package illustrated in FIGS. 2 and 3, the
한편, 내측벽(211)의 전체 높이를 외측벽(213)보다 더 낮은 높이로 형성할 수 도 있다. 이러한 경우에도 캐비티(25)에 채워지는 액상 수지가 홈부(212)로 흘러 들어가서 홈부(212)를 채울 수 있다.On the other hand, the entire height of the
따라서, 캐비티(25) 내로의 과다한 액상 수지 주입시 야기되는 수지의 넘침 현상이 방지되며, 이는 상부면이 평평하거나 또는 볼록한 몰딩재(26)를 형성할 수 있는 정도로 액상 수지의 주입 허용량을 늘려줄 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따르면, 수지의 넘침현상 때문에 몰딩재(26)가 오목하게 형성되는 문제점이 발생하는 종래의 기술과 달리, 광효율이 상대적으로 좋은 평평하거나 볼록한 몰딩재(26)의 형성이 가능하다. 물론, 홈부(212)에 채워지는 수지가 홈부(212)내에서 리드 프레임(22b, 23b)과 패키지 몸체의 바닥면을 밀봉할 수 있기 때문에 패키지 몸체(21)의 외부로 연장 설치된 리드 프레임(22, 23)을 따라 수분이나 산소가 캐비티(25)안으로 침투되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.Therefore, overflow of the resin caused when excessive liquid resin is injected into the
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도이다. 도 6에 도시된 발광 다이오드 패키지는 내측벽(211), 홈부(212) 및 외측벽(213)의 구조에 대하여는 도 2 내지 도 5에 도시된 구조와 동일한 구조를 가진다. 다만, 제1 리드 프레임(22) 및 제2 리드 프레임(23)의 구조에 있어서 홈 부(212)를 지나가는 부분(22b, 23b)에 예를 들면 굴곡을 형성하여 일정 구간 그 폭이 좁아졌다가 넓어지는 형상을 가지고 있다. 이에 따라, 수분 또는 산소가 투과되는 길이를 최대한 길게 할 수 있으며, 홈부(212)를 지나가는 리드 프레임의 구간(22b, 23b)이 일정 구간 좁아짐에 따라 패키지 몸체(21)의 외부에 연장되어 노출된 리드 프레임의 연장부(22a, 22a)를 통해 수분이나 산소가 투입되더라도 홈부(212)에 위치하는 리드 프레임의 구간(22b, 23b)에서 효과적으로 차단되어 실질적으로 캐비티(25)내부에 위치하는 리드 프레임의 구간(22c, 22c)까지는 수분이나 산소가 투입될 수 없게 된다.6 is a plan view of a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. The light emitting diode package shown in FIG. 6 has the same structure as that shown in FIGS. 2 to 5 with respect to the structures of the
이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the above described embodiments, and various modifications and changes can be made by those skilled in the art, which are included in the spirit and scope of the present invention as defined in the appended claims.
예를 들어, 이상의 실시예들에서는 패키지 몸체의 캐비티(25)안에 몰딩재(26)가 체워지는 경우에 대하여 설명하였다. 그러나, 캐비티(25)안에 몰딩재(26)를 채우지 않고 예를 들어, 패키지 몸체(21)의 상부를 필름 또는 글라스 등의 부재로 덮는 경우에도, 상술한 바와 같이 캐비티(25)와 패키지 몸체(21)의 외면 사이에 홈부(212)를 형성하고 홈부(21)에 수지를 채움으로써 리드 프레임(22, 23)을 따라 캐비티(25)까지 수분과 산소가 침투하는 것을 효과적으로 차단할 수 있다.For example, in the above embodiments, the case in which the
도 1은 종래기술에 따른 LED 패키지의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an LED package according to the prior art.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.3 is a plan view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.5 is a plan view of a LED package according to another embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.6 is a plan view of a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
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KR20120051270A (en) * | 2010-11-12 | 2012-05-22 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package and method for fabricating the light emitting device pakage |
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KR100665262B1 (en) * | 2005-10-20 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | Light emitting diode package |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101140961B1 (en) * | 2009-10-26 | 2012-05-03 | 삼성전기주식회사 | Package substrate for optical element and Manufacturing method thereof |
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KR20120051270A (en) * | 2010-11-12 | 2012-05-22 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package and method for fabricating the light emitting device pakage |
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