KR20090095915A - 밸브조립체 및 그를 가지는 진공처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공상태에서 식각, 증착 등 진공처리를 수행하는 진공처리장치의 게이트를 개폐하는 밸브조립체 및 그를 가지는 진공처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 진공처리장치의 게이트 측에 결합되어 상기 게이트를 개방 또는 폐쇄시키는 밸브조립체에 있어서, 상기 게이트가 형성된 진공챔버의 일측에 결합되며 결합면에 상기 게이트와 연통되는 슬롯이 형성된 밸브하우징과; 상기 밸브하우징 내부에 구비되며 구동장치의 구동에 의해 상기 슬롯을 개폐시켜 상기 게이트를 개폐하는 실링부재를 포함하는 밸브 하우징을 포함하되, 상기 밸브 하우징에는 밸브 하우징 자체의 온도제어를 위해 상기 밸브 하우징 벽체에 열매체가 흐를 수 있는 하나 이상의 유로가 형성된 특징으로 하는 밸브조립체를 개시한다.
Figure P1020080021144
진공처리, 밸브, 가열, 냉각

Description

밸브조립체 및 그를 가지는 진공처리장치 {Valve Assembly and Vacuum Processing Apparatus having the Same}
본 발명은 진공처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공상태에서 식각, 증착 등 진공처리를 수행하는 진공처리장치의 게이트를 개폐하는 밸브조립체 및 그를 가지는 진공처리장치에 관한 것이다.
진공처리장치는 처리공정을 수행하기 위하여 처리공간이 형성된 진공챔버 내에 전극을 설치하고, 진공상태에서 전극에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성함으로써 전극 위에 안착된 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 처리공정을 수행하는 장치를 말한다.
이러한 진공처리장치는 측면에 기판의 출입을 위한 게이트가 형성되며, 처리공간의 밀폐를 위하여 게이트는 밸브조립체에 의하여 개폐된다.
한편 상기와 같은 진공처리장치는 안정적인 공정 수행을 위하여 압력, 온도 등의 처리조건을 안정적으로 유지할 필요가 있다.
특히 공정 수행을 위한 분위기 조성 및 이물질 제거 등을 위하여 처리공간 내부, 특히 챔버 자체의 온도제어가 필요하다.
특히 챔버의 내측 벽면(이하 "챔버 내벽"이라 한다)의 온도가 낮은 경우 플라즈마 반응에 의하여 발생되는 파티클이 챔버 내벽에 쉽게 부착되는 경향이 있다. 이와 같은 챔버 내벽에 파티클이 부착되어 퇴적되는 경우, 챔버 내벽의 표면적이 변화되어 플라즈마가 불안정하게 형성되어 식각이나 증착 등 진공처리공정이 불안정해지는 문제점이 있다.
한편 챔버에 형성된 게이트를 개폐하는 밸브조립체는 진공챔버의 처리공간에 인접하게 되어 챔버 중 게이트가 형성된 부분의 온도에 영향을 미칠 수 있으므로 진공처리조건에 따라서 밸브조립체의 온도제어도 필요한 경우가 있다.
또한 진공처리공정에서 발생되는 파티클이 밸브조립체 내부로 유입되어 밸브조립체 내부면에 파티클이 퇴적되어 밸브조립체의 밀폐성능을 저하시키는 등의 문제점이 발생될 수 있다.
따라서 종래의 밸브조립체는 그 일부를 구성하는 밸브 하우징의 둘레에 히터와 같은 부재가 부착시켜 밸브 하우징을 가열하였다.
그러나 종래와 같이 밸브 하우징에 히터를 설치하는 경우 고가의 부재인 히터를 추가로 설치하게 되어 그 제조비용이 증가하는 문제점이 있다.
또한 히터가 밸브 하우징의 둘레에 설치됨으로써 정밀한 온도제어가 불가능하여 밸브조립체 전체에 대한 정밀한 온도제어가 용이하지 않은 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 밸브 하우징을 이루는 벽체에 온도제어를 위한 열매체가 순환할 수 있는 유로를 형성하여 밸브 하우징 전체의 균일한 온도제어가 가능한 밸브조립체 및 그를 가지는 진공처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 진공처리장치의 게이트 측에 결합되어 상기 게이트를 개방 또는 폐쇄시키는 밸브조립체에 있어서, 상기 게이트가 형성된 진공챔버의 일측에 결합되며 결합면에 상기 게이트와 연통되는 슬롯이 형성된 밸브하우징과; 상기 밸브하우징 내부에 구비되며 구동장치의 구동에 의해 상기 슬롯을 개폐시켜 상기 게이트를 개폐하는 실링부재를 포함하는 밸브 하우징을 포함하되, 상기 밸브 하우징에는 밸브 하우징 자체의 온도제어를 위해 상기 밸브 하우징 벽체에 열매체가 흐를 수 있는 하나 이상의 유로가 형성된 특징으로 하는 밸브조립체를 개시한다.
상기 밸브 하우징은 열매체공급장치와 연결되어 상기 유로 내로 열매체를 유입시키기 위한 유입구와, 상기 열매체공급장치와 연결되어 상기 유로로부터 열매체를 배출시키기 위한 배출구가 형성될 수 있다.
상기 유로는 상기 진공챔버에 형성된 챔버유로와 연결될 수 있다.
상기 밸브 하우징은 일측 및 타측에 각각 상기 게이트와 연통되는 상기 슬롯 이 형성되며 상하부분이 개방된 하우징본체와; 상기 하우징본체의 개방된 상하부분을 복개하도록 상기 하우징본체와 결합되는 상부커버 및 하부커버를 포함하되, 상기 하우징본체에 상기 유로가 형성될 수 있다.
상기 하우징본체는 복수 개의 부재 또는 일체로 형성될 수 있다.
상기 밸브 하우징은 복수개의 부재로 형성되고, 상기 유로는 상기 복수개의 부재 중 2개 이상의 부재에 형성될 수 있다.
본 발명은 또한 진공처리를 수행하며 일측에 게이트가 형성되고 온도제어를 위한 열매체가 흐르는 챔버유로가 형성된 진공챔버와; 상기 게이트가 형성된 진공챔버의 일측에 결합되며 결합면에 상기 게이트와 연통되는 슬롯이 형성된 밸브하우징과; 상기 밸브하우징 내부에 구비되며 구동장치의 구동에 의해 상기 슬롯을 개폐시켜 상기 게이트를 개폐하는 실링부재를 포함하는 밸브 하우징을 포함하는 밸브조립체를 포함하되, 상기 밸브 하우징에는 온도제어를 위한 열매체가 흐를 수 있는 하나 이상의 유로가 형성될 수 있다.
상기 진공챔버에 형성된 챔버유로와 상기 밸브 하우징에 형성된 유로가 서로 연결될 수 있다.
상기 진공챔버에 형성된 챔버유로와 상기 밸브 하우징에 형성된 유로는 서로 연결되고 하나의 열매체공급장치에 의하여 연결될 수 있다.
본 발명에 따른 밸브조립체 및 그를 가지는 진공처리장치는 밸브 하우징을 이루는 벽체에 열매체가 흐르는 유로를 형성함으로써 히터를 사용하는 종래기술에 비하여 그 제조비용이 절감되는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 밸브조립체 및 그를 가지는 진공처리장치는 밸브 하우징에 형성된 유로를 흐르는 열매체의 온도를 제어함으로써 밸브 하우징의 균일한 온도제어가 용이한 이점이 있다.
본 발명에 따른 밸브조립체 및 그를 가지는 진공처리장치는 밸브 하우징의 온도를 원활하게 제어하여 보다 양호한 진공처리공정 분위기를 조성할 수 있는 이점이 있다.
이하 본 발명에 따른 밸브조립체 및 그를 가지는 진공처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 밸브조립체가 설치된 진공처리장치를 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1에서 'A'부분을 확대한 확대단면도이고, 도 3는 도 1의 진공처리장치에 설치된 밸브 하우징의 일례를 보여주는 사시도이다.
본 발명에 따른 밸브조립체가 설치되는 진공처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 내부에 식각, 증착 등의 진공처리를 위한 처리공간(S)이 형성되며 일측에 진공 처리될 기판(1)이 출입될 수 있는 게이트(150)가 형성된 진공챔버(100)를 포함하여 구성된다.
이때 상기 진공챔버(100)는 밸브조립체(300)를 사이에 두고 반송챔버(200)와 연결될 수 있다. 그리고 반송챔버(200)의 일측에는 로드락챔버 및 다른 진공챔버들이 결합될 수 있으며, 다른 진공챔버들 또는 로드락챔버 및 반송챔버(200) 사이에도 본 발명에 따른 밸브조립체가 설치될 수 있다.
상기 진공챔버(100)는 설계조건 및 디자인에 따라서 다양한 형상 및 구조를 가지도록 제작될 수 있으며, 서로 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 상부하우징(110) 및 하부하우징(120)을 포함하여 구성될 수 있다.
그리고 상기 진공챔버(100) 내에는 처리공간(S) 내에서 플라즈마를 형성하기 위한 상부전극(130) 및 하부전극, 처리공간(S) 내에서 진공처리를 수행할 수 있는 압력조건(진공압)을 유지하기 위한 배기시스템(미도시), 처리공간(S) 내에 공정가스 등을 주입하기 위한 가스공급시스템(미도시)이 설치될 수 있다.
이때 상기 상부전극(130)에는 가스공급시스템에 의하여 공급되는 공정가스등이 처리공간 내로 주입될 수 있도록 샤워헤드와 일체로 형성될 수 있으며, 상기 하부전극은 진공 처리될 기판(1)을 지지하는 기판지지대(140)에 설치될 수 있다.
상기 기판지지대(140)는 진공처리를 위한 기판(1)을 지지하기 위한 구성으로서, 진공챔버(100)의 하측에 설치되며 다수개의 플렌지(170)들에 의하여 지지되어 설치될 수 있다.
그리고 진공처리 후에 기판(1)을 기판지지대(140)로부터 진공챔버(100)의 외부로 배출하거나, 진공 처리될 기판(1)을 외부로부터 기판지지대(140)로 기판(1)을 이송할 수 있도록 진공챔버(100)의 측벽에는 게이트(150)가 형성된다. 이때 게이트(150)의 외측에는 처리공간(S)을 밀폐시킬 수 있도록 게이트(150)를 개폐하기 위 한 밸브조립체(300)가 설치된다.
한편 상기 밸브조립체(300)는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 진공챔버(100)의 게이트(150)를 개방 또는 폐쇄시키는 장치로서, 구동장치(390)의 구동에 의해 게이트(150)를 개폐하는 실링부재(310)와, 실링부재(310)를 둘러싸도록 게이트(150)가 형성된 진공챔버(100)의 일측에 결합되며 내부에 온도제어를 위한 열매체가 흐를 수 있는 유로(340)가 형성된 밸브 하우징(320)을 포함하여 구성된다.
상기 실링부재(310)는 구동장치(390)와 연결되며 그 구동방식에 따라서 다양한 구조 및 형상을 가질 수 있으며, 게이트(150) 쪽을 향하는 면에는 그 주변에 오링과 같은 밀봉부재(311)가 설치될 수 있다.
그리고 상기 구동장치(390)는 밸브 하우징(320)의 외측에 설치되고 실링부재(310)와 연결되어 실링부재(310)가 게이트(150)를 개폐하도록 실링부재(310)를 구동하며, 그 구동방식에 따라서 다양한 구조를 가질 수 있다.
상기 밸브 하우징(320)은 게이트(150)가 형성된 진공챔버(100)의 일측인 결합면에 밀착된 상태에서 실링부재(310)를 감싸도록 구성되며 복수 개의 부재(321, 322, 323)들이 결합되어 구성될 수 있다.
상기 밸브 하우징(320)은 설치되는 위치, 구조 및 형상에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일예로서 도 3에 도시된 바와 같이, 진공챔버(100)와 결합되며 상하부분이 개방되는 하우징본체(321)와, 하우징본체(321)의 개방된 상하부분을 복개하도록 하우징본체(321)와 결합되는 상부커버(322) 및 하부커버(323)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 하우징본체(321)는 진공챔버(100)와 밀봉부재가 개재된 상태 로 밀착결합되며 게이트(150)와 연통되도록 게이트(150)와 대응되는 슬롯(312)이 형성된다. 상기 슬롯(312)은 상기 하우징본체(321)의 일측 및 타측에 각각 형성된다. 이때 상기 상부커버(322) 및 하부커버(323)는 두께가 얇은 부재가 사용되는게 일반적이므로 하우징본체(321)에만 유로가 형성될 수 있으며, 상기 하우징본체(321)은 복수개의 부재로 형성될 수 있다.
또한 상기 밸브 하우징(320)을 구성하는 복수개의 부재(321, 322, 323)들 중 적어도 하나에는 그 내부에 열매체가 흐를 수 있는 하나 이상의 유로(340)가 형성될 수 있다. 또한 다른 실시예에서, 복수 개의 부재(321, 322, 323) 중 적어도 2개의 부재에 유로(340)들이 형성될 수 있으며, 그 유로(340)들은 각각 독립적으로 열매체가 흐르도록 구성되거나 서로 연결되어 하나 이상의 유로를 구성할 수 있다.
도 3은 유로가 하우징본체(321)에만 형성된 경우의 밸브 하우징(320)을 도시한 것이다.
한편 상기 밸브 하우징(320)은 알루미늄, 알루미늄합금, 스테인레스 등 주로 금속부재로 제작되므로 상기 유로(340)는 일반적으로 기계적 가공에 의하여 형성될 수 있다.
즉, 상기 유로(340)는 도 3에 도시된 밸브 하우징(320)의 하우징본체(321)에 미리 설계된 구조의 유로를 이루도록 다수개의 홀(341)들을 드릴과 같은 천공장치로 천공한 후에 열매체가 외부로 누설되지 않도록 밀봉함으로써 형성될 수 있다.
상기 홀(341)들을 밀봉하는 방법으로는 밀봉부재(미도시)를 압입하거나, 밀봉부재를 압입한 후에 용접 등에 의하여 실링하여 마감하거나, 용접 만에 의하여 밀봉하는 등 다양한 방법에 의하여 홀(341)들이 밀봉될 수 있다.
한편 상기 밸브 하우징(320)에는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 외부에 설치된 열매체공급장치(380)와 연결될 수 있다. 이 경우 상기 밸브 하우징(320)에는 유로(340) 내로 열매체를 유입시키기 위한 유입구(348)와, 열매체공급장치(380)와 연결되어 유로(340)로부터 열매체를 배출시키기 위한 배출구(349)가 형성될 수 있다.
이때 상기 열매체공급장치(380)에 의하여 공급되는 열매체는 물, 오일 등 유체는 물론 기체 등 다양한 물질이 사용될 수 있으며, 온도제어의 목적에 따라서 냉각을 위하여 저온의 열매체가 공급되거나 가열을 위하여 고온의 열매체가 공급될 수 있다.
상기와 같은 열매체공급장치(380)와 유입구(348) 및 배출구(349)에 의하여 연결되어 열매체가 유입구(348)를 통하여 유로(340)를 순환한 후에 다시 배출구(349)를 통하여 열매체공급장치(380)로 흐르게 함으로써 밸브조립체의 온도를 제어할 수 있게 된다.
한편 상기와 같은 구성을 가지는 밸브조립체는 챔버와 챔버 사이를 연결하도록 또는 챔버의 일측에만 설치될 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 밸브조립체의 변형례를 보여주는 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 진공챔버(100)에는 처리공간 내부의 온도제어를 위하여 진공챔버(100), 상부하우징(110) 및 하부하우징(120) 중 적어도 하나에 열매체가 흐르는 챔버유로(160)가 형성될 수 있다.
이때 상기 챔버유로(160)와 밸브 하우징(320)에 형성된 유로(340)가 서로 연결되도록 구성될 수 있다. 여기서 상기 챔버유로(160)와 밸브 하우징(320)에 형성된 유로(340)가 서로 연결하는 방법으로는 밸브 하우징(320)과 진공챔버(100)가 결합되는 부분에서 챔버유로(160) 및 유로(340)가 외부로 노출되도록 형성한 후에 오링과 같은 밀봉부재(미도시)를 개재시켜 챔버유로(160) 및 유로(340)가 서로 연통되도록 밸브 하우징(320)과 진공챔버(100)를 서로 밀착시켜 결합하는 방법이 있다.
한편 상기 챔버유로(160)와 밸브 하우징(320)에 형성된 유로(340)가 서로 연결되는 경우 전체로서 하나 또는 복수 개의 유로를 형성할 수 있다.
이때 상기 밸브 하우징(320)에 형성된 유로(340)는 별도로 열매체공급장치에 의하여 열매체가 공급하는 것이 가능하나, 도 4에 도시된 바와 같이, 하나의 열매체공급장치(380)에 의하여 열매체가 공급될 수 있다.
또한 상기 챔버유로(160)와 밸브 하우징(320)에 형성된 유로(340) 중 어느 하나에는 열매체 유입을 위한 유입구가 설치되고 상기 챔버유로(160)와 밸브 하우징(320)에 형성된 유로(340) 중 나머지 하나에는 열매체 배출을 위한 배출구가 설치되어 유입구 및 유출구가 하나의 열매체공급장치(380)에 연결하도록 구성될 수 있다.
한편 상기 챔버유로(190)에 형성된 챔버유로(160)는 밸브 하우징(320)에 형성된 유로(340)와 유사하게 기계적 가공에 의하여 형성되는 등 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설 명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 밸브조립체가 설치된 진공처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1에서 'A'부분을 확대한 확대단면도이다.
도 3는 도 1의 진공처리장치에 설치된 밸브 하우징의 일례를 보여주는 사시도이다.
도 4은 도 1의 진공처리장치의 변형례를 보여주는 단면도이다.
****** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *****
100 : 진공챔버 200 : 반송챔버
300 : 밸브조립체 310 : 실링부재
320 : 밸브 하우징 340 : 유로

Claims (12)

  1. 진공처리장치의 게이트 측에 결합되어 상기 게이트를 개방 또는 폐쇄시키는 밸브조립체에 있어서,
    상기 게이트가 형성된 진공챔버의 일측에 결합되며 결합면에 상기 게이트와 연통되는 슬롯이 형성된 밸브하우징과; 상기 밸브하우징 내부에 구비되며 구동장치의 구동에 의해 상기 슬롯을 개폐시켜 상기 게이트를 개폐하는 실링부재를 포함하는 밸브 하우징을 포함하되,
    상기 밸브 하우징에는 밸브 하우징 자체의 온도제어를 위해 상기 밸브 하우징 벽체에 열매체가 흐를 수 있는 하나 이상의 유로가 형성된 특징으로 하는 밸브조립체.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 밸브 하우징은
    열매체공급장치와 연결되어 상기 유로 내로 열매체를 유입시키기 위한 유입구와,
    상기 열매체공급장치와 연결되어 상기 유로로부터 열매체를 배출시키기 위한 배출구가 형성된 것을 특징으로 하는 밸브조립체.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 유로는 상기 진공챔버에 형성된 챔버유로와 연결된 것을 특징으로 하는 밸브조립체.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 밸브 하우징은
    일측 및 타측에 각각 상기 게이트와 연통되는 상기 슬롯이 형성되며 상하부분이 개방된 하우징본체와; 상기 하우징본체의 개방된 상하부분을 복개하도록 상기 하우징본체와 결합되는 상부커버 및 하부커버를 포함하되,
    상기 하우징본체에 상기 유로가 형성된 것을 특징으로 하는 밸브조립체.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 하우징본체는 복수 개의 부재 또는 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 밸브조립체.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 밸브 하우징은 복수개의 부재로 형성되고, 상기 유로는 상기 복수개의 부재 중 2개 이상의 부재에 형성된 것을 특징으로 하는 밸브조립체.
  7. 진공처리를 수행하며 일측에 게이트가 형성되고 온도제어를 위한 열매체가 흐르는 챔버유로가 형성된 진공챔버와;
    상기 게이트가 형성된 진공챔버의 일측에 결합되며 결합면에 상기 게이트와 연통되는 슬롯이 형성된 밸브하우징과; 상기 밸브하우징 내부에 구비되며 구동장치의 구동에 의해 상기 슬롯을 개폐시켜 상기 게이트를 개폐하는 실링부재를 포함하는 밸브 하우징을 포함하는 밸브조립체를 포함하되,
    상기 밸브 하우징에는 온도제어를 위한 열매체가 흐를 수 있는 하나 이상의 유로가 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 밸브 하우징은
    열매체공급장치와 연결되어 상기 유로 내로 열매체를 유입시키기 위한 유입구와,
    상기 열매체공급장치와 연결되어 상기 유로로부터 열매체를 배출시키기 위한 배출구가 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  9. 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,
    상기 진공챔버에 형성된 챔버유로와 상기 밸브 하우징에 형성된 유로가 서로 연결된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  10. 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,
    상기 밸브 하우징은
    일측 및 타측에 각각 상기 게이트와 연통되는 상기 슬롯이 형성되며 상하부분이 개방된 하우징본체와; 상기 하우징본체의 개방된 상하부분을 복개하도록 상기 하우징본체와 결합되는 상부커버 및 하부커버를 포함하되,
    상기 하우징본체에 상기 유로가 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  11. 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,
    상기 진공챔버는 서로 탈착가능하게 결합되어 밀폐된 처리공간을 형성하는 상부하우징 및 하부하우징을 포함하여 구성되며,
    상기 챔버유로는 상기 하부하우징 및 상기 상부하우징 중 적어도 어느 하나에 형성된 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 진공챔버에 형성된 챔버유로와 상기 밸브 하우징에 형성된 유로는 서로 연결되고 하나의 열매체공급장치에 의하여 연결되는 것을 특징으로 하는 진공처리장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013187623A1 (ko) * 2012-06-14 2013-12-19 에스엔유 프리시젼 주식회사 반도체 박막 제조 시스템
KR101539965B1 (ko) * 2015-05-18 2015-07-29 국방과학연구소 나노유체 제조장치 및 이를 이용한 나노유체 제조방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878392A (ja) * 1994-09-02 1996-03-22 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置及び半導体ウエハの成膜加工方法
KR100426818B1 (ko) * 1999-10-01 2004-04-13 주성엔지니어링(주) 반도체 소자 제조 장치
KR100427816B1 (ko) * 1999-12-15 2004-04-30 주성엔지니어링(주) 반도체 소자 제조장치
JP2005082837A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Shin Meiwa Ind Co Ltd 真空成膜方法、装置、及びそれらを用いて製造されたフィルタ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013187623A1 (ko) * 2012-06-14 2013-12-19 에스엔유 프리시젼 주식회사 반도체 박막 제조 시스템
KR101511630B1 (ko) * 2012-06-14 2015-04-13 에스엔유 프리시젼 주식회사 반도체 박막 제조 시스템
KR101539965B1 (ko) * 2015-05-18 2015-07-29 국방과학연구소 나노유체 제조장치 및 이를 이용한 나노유체 제조방법

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