KR20090093888A - 저철분 함유량을 가진 채 분무된 Ｓｉ－ 또는 Ｓｉ：Ａｌ－타겟 - Google Patents

저철분 함유량을 가진 채 분무된 Ｓｉ－ 또는 Ｓｉ：Ａｌ－타겟

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KR20090093888A
KR20090093888A KR1020090017038A KR20090017038A KR20090093888A KR 20090093888 A KR20090093888 A KR 20090093888A KR 1020090017038 A KR1020090017038 A KR 1020090017038A KR 20090017038 A KR20090017038 A KR 20090017038A KR 20090093888 A KR20090093888 A KR 20090093888A
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sputtering
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KR1020090017038A
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롤란트 트라슬
볼프 프리체
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 스퍼터 타겟이 제공된다. 이 타겟은 실리콘 함유 스퍼터 물질층(104) 및 스퍼터 물질층을 수반하기 위한 캐리어(102)를 포함하고, 이 경우 스퍼터 물질층은 200ppm 미만의 철을 함유한다.

Description

저철분 함유량을 가진 채 분무된 Ｓｉ－ 또는 Ｓｉ：Ａｌ－ 타겟 {SPRAYED Si－ OR Si：Al－ TARGET WITH LOW IRON CONTENT}
본 발명은 스퍼터 타겟 및 특히 실리콘 함유 스퍼터 타겟에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 이는 실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 회전식 스퍼터 타겟에 관한 것이다. 특히, 이는 스퍼터 타겟, 스퍼터링 장치, 스퍼터링 타겟의 이용 및 스퍼터 타겟을 제작하는 방법에 관한 것이다.
현대식 태양 전지는 기판 상에 실리콘 함유층과 같은 다양한 층들을 증착하여 만들어질 수 있다. 태양 전지는 광에너지를 전기 에너지로 변환시키는 소자이다. 태양 전지의 경제적 비용을 평가하기 위한 한가지 방법은 전달된 kW-시간 당 태양 전지 패널의 가격을 계산한다. 따라서, 한편으로는 낮은 비용 생산을 이루는 것이 요구된다. 또한, 다른 한편으로는 태양 전지의 변환 효율이 전력 출력을 증가시키도록 최적화되어야 한다. 태양 전지 제작을 위한 유망한 후보는 실리콘 함유층 또는 실리콘층을 포함한 태양전지이다.
태양 전지 생산을 위한 실리콘 함유층은 화학 기상 증착(CVD) 또는 플라즈마 향상 화학 기상 증착(PECVD)에 의해 종종 증착된다. 그러나, 실리콘 박막(thin film), 실리콘 질화물 박막 또는 다른 실리콘 함유 필름의 스퍼터링은 태양 전지 생산에 대한 비용을 감소시키는데 이용될 수 있다.
스퍼터링 동안 원자들은 예를 들어 높은 에너지 이온과의 충돌에 의해 타겟으로부터 방출된다. 타겟 물질의 원자들은 실리콘 함유층을 생성하도록 기판 상에 증착된다. 종래의 회전식 실리콘 타겟으로부터 실리콘 필름의 스퍼터링은 태양 전지의 좋은 변환 효율을 초래하지 못할 수 있다고 알려져 있다. 따라서, 실리콘 박막을 스퍼터링하기 위한 향상된 타겟에 대한 요구가 있다.
상기 내용에 비추어 볼 때, 독립항 제 1 항에 따른 타겟, 제 12 항에 따른 스퍼터링 장치, 독립항 제 13 항에 따른 스퍼터 타겟의 이용, 및 독립항 제 14 항에 따른 실리콘 함유 타겟을 제작하는 방법이 제공된다.
추가적인 태양, 장점 및 특징은 종속항, 상세한 설명 및 첨부된 도면으로부터 분명하게 나타난다.
일 실시예에 따르면, 실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 스퍼터 타겟이 제공된다. 스퍼터 타겟은 실리콘 함유 스퍼터 물질층 및 스퍼터 물질층을 수반하기 위한 캐리어를 포함하고, 이 경우 스퍼터 물질층은 200ppm 미만의 철을 함유한다.
추가적인 실시예에 따르면, 스퍼터링 장치가 제공된다. 스퍼터링 장치는 실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 스퍼터 타겟을 포함한다. 이 스퍼터 타겟은 실리콘 함유 스퍼터 물질층 및 스퍼터 물질층을 수반하기 위한 캐리어를 포함하고, 이 경우 스퍼터 물질층은 200ppm 미만의 철을 함유한다.
또 다른 실시예에 따르면, 실리콘 함유 필름을 증착하기 위한 스퍼터 타겟의 이용이 제공된다. 스퍼터 타겟은 실리콘 함유 스퍼터 물질층 및 스퍼터 물질층을 수반하기 위한 캐리어를 포함하고, 이 스퍼터 물질층은 200ppm 미만의 철을 함유하며, 스퍼터 타겟은 결정질 태양 전지를 제작하기 위해 기판 상에 실리콘 함유층을 제작하는데 이용된다.
또 다른 실시예에 따르면, 실리콘 함유 스퍼터 타겟을 제작하는 방법이 제공된다. 이 방법은 캐리어를 제공하는 단계; 200ppm 또는 그 미만의 철 함유량을 가진 실리콘 함유 파우더를 제공하는 단계; 및 캐리어 상에 실리콘 함유 물질층을 증착하기 위해 실리콘 함유 파우더를 분무하는 단계를 포함한다.
또한, 실시예들은 각각의 설명된 방법 단계들을 수행하기 위한 장치 부품들을 포함하고 개시된 방법들을 실행하기 위한 장치들에 관한 것이다. 이러한 방법 단계들은 하드웨어 구성요소에 의해, 적절한 소프트웨어에 의한 프로그램된 컴퓨터에 의해, 이 둘의 조합에 의해 또는 다른 방식으로 수행될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 실시예들은 설명된 장치가 작동하는 방법에 관한 것이다. 이 실시예들은 이 장치의 모든 기능을 실행하기 위한 방법 단계들을 포함한다.
당업자에게로의 본 발명의 최적의 모드를 포함한 본 발명의 완전하고 가능한 개시 내용은 첨부된 도면들을 참고로 하여 상세한 설명의 나머지 부분에서 더욱 구체적으로 설명된다.
도 1은 여기서 설명된 실시예에 따른 실리콘 함유 타겟의 개략도를 도시한다.
도 2는 여기서 설명된 추가적인 실시예를 도시하는 추가적인 실리콘 함유 타겟의 개략도를 도시한다.
도 3은 여기서 설명된 실시예에 따른 실리콘 함유 타겟을 제작하기 위한 장치를 도시한다.
도 4는 여기서 설명된 실시예에 따른 실리콘 함유 타겟을 제작하기 위한 방법을 나타내는 흐름도를 도시한다.
본 발명의 다양한 실시예에 대해 더욱 자세하게 참조가 이루어질 것이고, 이러한 실시예들 중 하나 이상이 도면에서 도시된다. 각각의 예는 본 발명의 설명에 의해 제공되고 본 발명을 제한하려는 의도는 아니다. 예를 들면, 일 실시예의 일부로서 설명되거나 또는 도시된 특징들은 또 다른 실시예들을 만들기 위해 다른 실시예들에서 또는 다른 실시예들과 함께 이용될 수 있다. 본 발명은 이러한 개조 및 변경 사항을 포함한다.
실리콘 스퍼터 타겟을 제작하기 위해, 실리콘은 실리콘 물질에서의 크랙 또는 실리콘 입자의 박편화(flaking)를 일반적으로 초래하는 내화 물질(refractory material)인 것이 고려되어야 한다. 특히 이 기술의 회전식 스퍼터 타겟의 상태로부터 박편화 또는 크래킹(cracking)은 스퍼터링 동안 물질 증착의 균일성을 악화시킬 수 있다. 또한, 원하는 타겟 형상을 제공하기 위한 타겟의 형상화는 실리콘과 같은 내화 물질에 대해 어려울 수 있다.
여기서 설명된 실시예에 따르면, 스퍼터링 타겟의 물질층은 캐리어 또는 코어 상에 제공될 수 있고, 이는 마그넷 하우징, 하나 이상의 마그넷, 하나 이상의 폴 피스(pole piece), 냉각 유체 어셈블리, 및/또는 회전식 타겟의 회전을 가능하게 하는 수단을 포함한 튜브일 수 있다. 상이한 실시예에 따르면, 플라즈마 분무, 화염 분무(flame spraying), 아크 분무 또는 이와 유사한 것과 같은 열적 분무 기술이 실행된다.
도 1은 스퍼터된 타겟(100)의 실시예를 도시한다. 스퍼터된 타겟(100)은 전기적 전도체의 코어 또는 캐리어(102)를 포함하고, 이는 일반적으로 비자기성 또는 낮은 자기성 물질일 수 있다. 스퍼터 물질층(104)은 캐리어 상에 제공된다. 이에 의해, 스퍼터된 타겟이 본질적으로 최종 형상이 되도록 제작되고 내화 실리콘 물질의 성형 또는 형상화의 추가적인 단계들은 생략될 수 있다.
여기서 설명된 다른 실시예들과 통합될 수 있는 또 다른 실시예에 따르면, 예를 들면 500ppm 미만 또는 120ppm 미만의 알루미늄, 또는 2 내지 15wt-% 알루미늄인 15wt-% 미만의 알루미늄이 실리콘 함유층(104)에 제공될 수 있다. 예를 들어 캐리어 튜브 형태의 캐리어(102)를 가진 스퍼터된 타겟(100) 및 실리콘 함유 스퍼터 물질층(104)은 예를 들어 실리콘층 또는 Si:Al 층일 수 있고 이에 의해 Si:Al 타겟 또는 실리콘 타겟을 제공한다.
여기서 설명된 다른 실시예들과 통합될 수 있는 상이한 실시예에 따르면, 캐리어(102)는 스테인리스강, 알루미늄, 티타늄, 구리 또는 이의 혼합물과 같은 물질을 포함할 수 있다. 일반적으로, 캐리어 물질은 실리콘 함유 스퍼터 물질층(104)의 열팽창 계수와 동일하거나 또는 유사한 열팽창 계수를 갖도록 이루어진다.
도 2는 스퍼터 타겟의 에지에서 링 형태의 물질부(204)를 추가로 포함할 수 있는 추가적인 실시예를 도시한다. 또 다른 실시예에 따르면, 선택적으로 보호 링(206)이 제공될 수 있다. 보호 링(206)은 스퍼터 타겟의 일단부 또는 일반적으로 양단부에 제공될 수 있다. 이 링은 스퍼터링을 위해 실제적으로 이용되는 스퍼터 타겟의 구역으로부터 약 20mm 또는 10mm 떨어져서 위치할 수 있다. 이 보호 링은 타겟의 핸들링 동안 보호물로서 이용될 수 있고 타겟의 에지부에서 아킹(arcing)을 막는데 이용될 수 있다.
도 1 및 2에 대해 설명된 것처럼, 일반적으로 회전식 스퍼터된 타겟이 제공된다. 그러나, 다른 실시예들에 따르면, 다른 타겟 형상이 유사한 방식으로 제작될 수 있다. 코어 또는 캐리어를 제공하고 코어 또는 캐리어 상에 스퍼터 물질을 분무함에 의해 거의 어떠한 형태의 타겟도 제작될 수 있다. 커팅 등에 의해 내화 물질을 형상화하는 추가적인 단계는 원하는 형상의 코어 또는 캐리어 상에 물질층을 분무함에 의해 생략될 수 있다.
여기서 설명된 다른 실시예들과 통합될 수 있는 추가적인 실시예에 따르면, 층(104)은 예를 들어 15mm와 같은 5mm 내지 20mm의 두께를 가질 수 있다. 또 다른 추가적인 실시예에 따르면, 회전식 타겟의 경우에, 타겟의 길이, 즉 타겟의 회전축을 따른 길이는 예를 들어 4미터와 같이 1미터 내지 5미터의 범위에 있을 수 있다.
상기에서 언급된 것처럼, 스퍼터 물질은 열적 분무 기술과 같은 분무 기술에 의해 코어 상에 제공될 수 있다. 이에 의해 실리콘과 선택적으로 알루미늄, 그리고 이의 혼합물을 함유한 스퍼터 물질의 파우더가 원하는 두께에 이를 때까지 캐리어(102) 상에 분무된다.
예를 들면, 플라즈마 분무는 플라즈마 토크에 의해 생성된 플라즈마 제트로 파우더를 주입함에 의해 증착되는 물질을 제공한다. 플라즈마에서, 물질은 녹아서 스퍼터 타겟의 캐리어 상에 이미 존재하는 물질층 또는 스퍼터된 타겟의 캐리어를 향하게 된다. 녹은 물질은 빠르게 응고되고 타겟 상에 증착되는 스퍼터층을 제공한다.
타겟(100) 상에 스퍼터 물질을 분무하기 위한 장치(300)의 예가 도 3에서 도시된다. 이 장치는 챔버를 비우기 위한 포트(303)를 가진 진공 챔버(302)를 포함한다. 제작되는 타겟(100)은 챔버 내에서 제공된다. 분무 소자(310)는 물질(304)이 타겟 상에 분무될 수 있도록 위치한다. 이에 의해 상이한 실시예에 따르면, 타겟(100)이 회전할 수 있다. 또한, 분무 소자(310) 및/또는 타겟은 타겟의 회전축을 따라 이동될 수 있고 이에 의해 물질(304)의 균일층이 타겟 상에 제공될 수 있다.
분무 소자(310)는 플라즈마 토크(314) 및 파우더 주입 입구(312)를 포함한다. 또한, 플라즈마 토크는 타겟(100)을 향한 제트를 형성하는 캐리어 가스를 위한 입구를 포함한다. 플라즈마 제트로 입구(312)를 통해 파우더를 주입함에 의해, 스퍼터 타겟 상에 증착되는 물질이 플라즈마 제트에서 녹고 증착되는 표면 상으로 안내된다.
여기서 설명된 일정한 실시예들은 실리콘-타겟 또는 Si:Al-타겟을 지칭하고 이는 특히 태양 전지, 디스플레이 등과 같은 반도체 광학 소자와 같은 다른 반도체 소자 또는 태양 전지 생산에 이용될 수 있다. 본 발명자는 이 기술의 실리콘 스퍼터 타겟의 상태로 제작된 태양 전지의 부족한 광 변환 효율은 파우더에서의 불순물에 기초한다는 것을 조사하였다. 특히, 실리콘 물질이 그라인딩될 때 유입될 수 있는 실리콘 파우더에서의 철 함유량은 예를 들어 반사방지층 및/또는 패시베이션(passivatioin) 층의 형태로 실리콘 함유층을 함유한 태양 전지의 광 변환 효율을 악화시킨다. 여기서 설명된 실시예에 따라서 또는 여기서 설명된 실시예를 이용하여 생성될 수 있는 층들은 SiN층, SiON층, SiC층, 비정질 실리콘층, 또는 그 혼합물일 수 있다. 일정한 실시예에 따르면, 이러한 층들은 Si:Al 또는 Si:H층 또는 상응하는 층이 생성될 수 있도록 Al 또는 H를 함유할 수 있다.
따라서, 도 4에서 도시된 것처럼, 저철분을 함유한 실리콘 함유 스퍼터 타겟(low iron content silicon-containing sputter targets)을 가능하게 하는 실시예들이 제공된다. 여기서 설명된 다른 실시예들과 통합될 수 있는 이 실시예들에 따르면, 실리콘 함유 스퍼터 물질에서의 철 함유량은 예를 들어 0ppm 내지 100ppm과 같이 200ppm 미만, 일반적으로 50ppm 미만 또는 30ppm 미만, 예를 들어 0.5ppm 내지 30ppm 또는 10ppm과 같다.
도 4에서 도시된 것처럼, 실리콘은 그라인드 될 수 있고 이에 의해 상기 설명된 층들을 제공하기에 충분히 낮은 철 함유량을 제공한다. 일 실시예에 따르면, 실리콘은 실리콘, 티타늄 이의 혼합물 또는 실리콘계 태양 전지의 광변환 효율에 부정적으로 영향을 미치지 않는 다른 물질로 된 밀링(그라인딩) 성분을 가진 밀(mill)로 그라인드될 수 있다. 이에 의해 밀링 구성요소는 밀링 스톤, 볼 밀에서의 볼, 제트 밀(미세화기(micronizer))에서의 내부 챔버 부분 또는 원하는 파우더로 실리콘을 그라인드 하는데 이용될 수 있는 대응 밀에서의 다른 개별적인 구성요소일 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 실리콘 파우더는 단계(404)에서 그라인드될 수 있다. 단계(404)의 그라인딩 프로세스에 기초하여 실리콘 파우더로 유입될 수 있는 철 함유량은 단계(406) 및 단계(408) 중 어느 하나 이상에서 감소될 수 있다. 따라서, 한편으로는 철이 자기력을 가함에 의해 파우더로부터 추출될 수 있다. 다른 한편으로는 철이 용해될(dissolved) 수 있다. 예를 들면, 철은 염산 또는 묽은 황산에서 용해될 수 있다. 실리콘 파우더는 저철분을 함유한 실리콘 함유 파우더를 제공하기 위해 이 용액으로부터 분리될 수 있다. 단계(410)에서 저철분을 함유한 실리콘 함유 파우더는 스퍼터된 타겟 상에 분무되고 이에 의해 스퍼터 물질층을 제공한다.
여기서 설명된 상이한 실시예들에 따르면, 실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 스퍼터 타겟이 제공된다. 스퍼터 타겟은 실리콘 함유 스퍼터 물질층; 및 상기 스퍼터 물질층을 수반하기 위한 캐리어를 포함할 수 있고, 이 경우 스퍼터 물질층은 200ppm 미만의 철을 함유한다. 예를 들면, 스퍼터 물질층은 예를 들어 10ppm 철과 같이 0.5ppm 내지 30ppm의 철과 같은 0ppm 내지 30ppm의 철 또는 50ppm 미만의 철을 함유할 수 있다. 또 다른 실시예에 따르면, 스퍼터 물질층은 선택적으로 15wt-% 미만의 알루미늄을 함유할 수 있다. 이는 일반적으로 2 내지 15wt-% 알루미늄일 수 있거나 또는 예를 들어 500ppm 미만 혹은 120ppm 미만의 알루미늄일 수도 있다.
여기서 설명된 다른 실시예들과 통합될 수 있는 일정한 실시예들에 따르면, 스퍼터 물질층은 분무된 실리콘 함유층이다. 일반적으로, 스퍼터 물질층은 예를 들어 플라즈마 분무된 실리콘 함유층과 같이 열적으로 분무된 실리콘 함유층일 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로 제공될 수 있는 일정한 구현에 따르면, 스퍼터 물질층은 일반적으로 15mm와 같이 5mm 내지 30mm의 두께를 갖는다.
여기서 설명된 다른 실시예들과 통합될 수 있는 또 다른 실시예들에 따르면, 스퍼터 타겟은 회전식 스퍼터 타겟일 수 있다. 이에 의해 추가적인 선택적인 개조로서, 캐리어는 티타늄, 스테인리스강, 알루미늄, 구리, 또는 이의 혼합물로 이루어진 그룹의 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 예를 들어 튜브와 같은 캐리어 또는 코어는 전기적으로 전도성인 물질, 특히 전기적으로 전도성이 있으며 자기적으로 비전도성인 물질로 이루어질 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 여기서 설명된 실시예에 따른 스퍼터 타겟은 기판 상에서 실리콘 함유층을 스퍼터하기 위한 스퍼터링 장치에 포함될 수 있다. 또 다른 실시예에 따르면, 여기서 설명된 실시예들에 따른 스퍼터 타겟은 결정질 태양 전지의 제작을 위해 기판 상에 실리콘 함유층을 제작하는데 이용될 수 있다.
다른 추가적인 실시예에 따르면, 실리콘 함유 스퍼터 타겟을 제작하는 방법이 제공된다. 이 방법은 캐리어를 제공하는 단계; 200ppm 또는 그 미만이 철 함유량을 가진 실리콘 함유 파우더를 제공하는 단계; 및 캐리어 상에 실리콘 함유 물질층을 증착하기 위해 실리콘 함유 파우더를 분무하는 단계를 포함한다.
본 발명의 변형에 따르면, 실리콘 함유 파우더는 예를 들어 0ppm 내지 30ppm의 철과 같이 30ppm 미만의 철을 함유한다. 또한, 실리콘 함유 파우더는 예를 들어 500ppm 미만 또는 120ppm 미만의 알루미늄과 같은 15wt-% 미만의 알루미늄을 함유하거나, 또는 대안적으로 2 내지 15wt-%의 알루미늄을 함유하는 것이 가능하다.
스퍼터 타겟을 제작하기 위한 방법의 상이한 실시예에 따르면, 분무는 예를 들어 플라즈마 분무와 같은 열적 분무일 수 있다. 일정한 구현에 대해서 이러한 그리고 다른 실시예들은 회전식 스퍼터 타겟인 스퍼터 타겟에 대해 적용될 수 있다.
대안적으로 또는 추가적으로 서로 제공될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 실리콘 함유 파우더는 예를 들어 제트밀 또는 볼 밀과 같은 철이 없는(iron-free) 구성요소로 제작될 수 있고; 실리콘 함유 파우더는 200ppm 또는 그 미만으로 철 함유량을 감소시키기 위해 철 용해제로 처리될 수 있으며; 및/또는 실리콘 함유 파우더는 200ppm 또는 그 미만으로 철 함유량을 감소시키기 위해 자기적으로 처리될 수 있다.
이전의 내용은 본 발명의 실시예들에 관한 것이고, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 발명의 기본 범위로부터 벗어나지 아니한 채 고안될 수 있으며, 그 범위는 이하의 청구항에 의해 결정된다.

Claims (18)

  1. 실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 회전식 스퍼터 타겟으로서,
    실리콘 함유 스퍼터 물질층(104); 및
    상기 스퍼터 물질층을 수반하기 위한 캐리어(102)를 포함하고,
    상기 스퍼터 물질층이 200ppm 미만의 철을 함유하는,
    실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 회전식 스퍼터 타겟.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스퍼터 물질층이 30ppm 미만의 철을 함유하는,
    실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 회전식 스퍼터 타겟.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스퍼터 물질층이 0ppm 내지 20ppm의 철을 함유하는,
    실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 회전식 스퍼터 타겟.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스퍼터 물질층이 15wt-% 미만의 알루미늄을 함유하는,
    실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 회전식 스퍼터 타겟.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스퍼터 물질층이 분무된 실리콘 함유층, 특히 플라즈마 분무된 실리콘 함유층과 같은 열적 분무된 실리콘 함유층인,
    실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 회전식 스퍼터 타겟.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스퍼터 물질층이 5mm 내지 30mm의 두께를 갖는,
    실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 회전식 스퍼터 타겟.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐리어(102)가 티타늄, 스테인리스강, 구리, 알루미늄, 또는 이의 혼합물로 이루어진 그룹의 물질을 포함하는,
    실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 회전식 스퍼터 타겟.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐리어가 전기적으로 전도성인 물질, 특히 전기적으로 전도성이며 자기적으로 비전도성인 물질로 이루어지는,
    실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 회전식 스퍼터 타겟.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐리어가 원통 형상을 갖는,
    실리콘 함유 필름을 스퍼터하기 위한 회전식 스퍼터 타겟.
  10. 기판 상에 실리콘 함유층을 스퍼터하기 위한 스퍼터링 장치로서,
    제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 스퍼터 타겟을 포함하는,
    기판 상에 실리콘 함유층을 스퍼터하기 위한 스퍼터링 장치.
  11. 실리콘 함유 필름을 증착시키기 위해 청구항 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 스퍼터 타겟의 용도로서,
    상기 스퍼터 타겟이 결정질 태양 전지의 제작을 위해 기판 상에 실리콘 함유층을 제작하는데 이용되는,
    스퍼터 타겟의 용도.
  12. 실리콘 함유 회전식 스퍼터 타겟을 제작하는 방법으로서,
    캐리어(102)를 제공하는 단계;
    200ppm 또는 그 미만의 철 함유량을 가진 실리콘 함유 파우더를 제공하는 단계;
    상기 캐리어 상에 실리콘 함유 물질층을 증착시키도록 상기 실리콘 함유 파우더를 분무하는 단계를 포함하는,
    실리콘 함유 회전식 스퍼터 타겟을 제작하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 파우더가 30ppm 미만의 철, 특히 0.5ppm 내지 20ppm의 철을 함유하는,
    실리콘 함유 회전식 스퍼터 타겟을 제작하는 방법.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 분무하는 단계가 열적 분무, 특히 플라즈마 분무 단계인,
    실리콘 함유 회전식 스퍼터 타겟을 제작하는 방법.
  15. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 파우더가 철이 없는 구성요소(iron-free components)로 제작되는,
    실리콘 함유 회전식 스퍼터 타겟을 제작하는 방법.
  16. 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 파우더가 200ppm 또는 그 미만으로 철 함유량을 감소시키기 위해 철 용해제로 처리되는,
    실리콘 함유 회전식 스퍼터 타겟을 제작하는 방법.
  17. 제 12 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 파우더가 200ppm 또는 그 미만으로 철 함유량을 감소시키기 위해 자기적으로 처리되는,
    실리콘 함유 회전식 스퍼터 타겟을 제작하는 방법.
  18. 제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐리어가 상기 실리콘 함유 파우더를 분무하는 단계 이후 상기 타겟의 최종 형상을 제공하도록 이루어진 형상을 갖는,
    실리콘 함유 회전식 스퍼터 타겟을 제작하는 방법.
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