KR20090087680A - 마그네트론 스퍼터링 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 상세하게는 단일 일자형 자석 배열을 가져 제작이 간편하고 사이즈가 큰 기판의 스퍼터링이 가능한 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치는 타겟을 고정하기 위한 타겟 고정부와, 상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 영구 자석부, 상기 타겟에 대향하는 위치에서 기판을 지지하는 기판 지지대와, 플라즈마를 형성하기 위해 상기 타겟에 바이어스 전압을 공급하는 전원장치를 포함하며, 상기 영구 자석부는 하나의 열로 이루어진 자석을 포함하며, 상기 자석 열은 길이 방향으로 좌측과 우측이 N극 또는 S극이 되도록 구성되어, 자석 길이를 늘임으로써 간단한 구조의 스퍼터링 장치로도 큰 사이즈의 기판을 용이하게 스퍼터링할 수 있다.

Description

마그네트론 스퍼터링 장치{MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS}

본 발명은 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 상세하게는 영구 자석부가 하나의 열로 이루어진 자석을 포함하며, 상기 자석 열은 길이 방향으로 좌측과 우측이 N극 또는 S극이 되도록 구성되어 제작이 간편하고 사이즈가 큰 기판의 스퍼터링이 가능한 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것이다.

PVD(Physical Vapor Deposition)이라고 불리는 스퍼터링은 반도체 집적회로 제조시 금속층과 관련 물질들의 층들을 증착하는 가장 일반적인 방법이다. 또한, 스퍼터링은 박막 코팅에서 널리 사용되는 방법으로, 디스플레이, 광학, 내마모 코팅 등 다양한 산업 분야에 이용되고 있다.

종래의 마그네트론 스퍼터링 기술은 기판 면에 대향하는 타겟을 이용하여 기판 위에 막을 형성하는 기술로서 널리 사용되고 있다. 도 1과 도 2는 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치를 도시한다. 마그네트론 스퍼터링 장치는 기판 받침대(pedestal) 상에 기판이 놓여지고, 이 기판 상에 스퍼터 증착할 재료, 통상적으로 금속으로 이루어지는 타깃이 설치되고, 타깃 후면에는 마그네트론이 위치하게 되며, 이들을 밀봉하는 챔버로 이루어진다.

도 2에 도시된 바와 같이 마그네트론 스퍼터링 장치는 타겟 앞편에 전자 및 이온 구속을 위한 자계를 형성시킨다. 예를 들어, 화학적으로 불활성 가스인 아르곤(Ar)이 챔버내로 유입될 때, 타깃과 실드 사이에 적정한 전압이 인가됨으로써 아르곤을 플라즈마화한다. 이 플라즈마는 자계에 의하여 타깃 부근의 영역에서 제한된다. 양으로 이온화된 Ar 이온들이 음으로 대전된 타겟에 충돌하면서 운동량 전달에 의하여 타겟 원자들이나 원자 클러스터들이 타깃으로부터 스퍼터링 된다. 타깃으로부터 스퍼터링된 입자들이 기판 상에 증착됨으로써 타깃 물질의 막을 형성한다.

최근 몇 년간, 웨이퍼의 사이즈는 계속 증가해 왔으며, 보다 큰 웨이퍼 사이즈는 보다 많은 수의 집적 회로 디바이스를 단일 기판 상에서 증가시킨다. 그러나 큰 웨이퍼 사이즈는 스퍼터링 시스템에 대한 보다 많은 요구 사항을 필요로 한다. 예를 들어, 반도체 가공 처리에 사용되는 스퍼터링 시스템의 필요조건중 하나는 전체 기판 표면에 균일한 두께의 층을 증착하는 것이다. 균일성이 떨어지면 디바이스 생산율 및 디바이스 성능의 변동을 초래한다. 보다 큰 기판 사이즈는 상당한 레벨의 균일성 요건 달성을 보다 어렵게 한다. 마찬가지로, 집적 회로 디바이스의 사이즈가 점점 더 작아지기 때문에 스퍼터링된 막의 균일성 수준 역시 보다 높아져야할 것이 요구된다.

하지만, 도 2와 같은 구조를 가진 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치의 경우 사이즈가 큰 기판을 스퍼터링하기 위해서는 타깃 및 자석의 구조 및 배열이 기판에 상응하여 대형화 되여야 한다. 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치에서는 자석 구조 및 배열이 커지면, 그에 따른 장치의 무게가 상당히 증가하게 되고, 장치를 제조하거나 유지 보수하는데 많은 노력이 필요하게 된다. 더욱이 단순히 타깃 및 자석의 구조와 배열을 크게 할 경우 타겟 전면에 형성되는 자계의 균일성이 높지 못하므로 증착균일도가 높지 못하다는 문제점을 가진다.

한편, 직경이 큰 기판을 증착하기 위한 또 다른 방법으로는 도 3에 도시된 바와 같이 자석을 회전시킴으로써 타겟의 효율성을 높이는 기술이 공지되어 있다. 하지만, 이 기술의 경우 여전히 타겟의 침식이 불균일하다는 문제점을 가진다.

또한, 종래의 스퍼터링 장치의 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 타겟의 효율을 높이기 위하여 캐소드의 양쪽 측면에 Fe 박스를 부착하였다. 하지만, 이와 같은 종래의 스퍼터링 장치는 장치가 복잡할 뿐만 아니라 균일한 타겟 침식을 발생시키지 못하였다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 발명으로서, 넓은 영역에 걸쳐 타겟 전면에 형성되는 자계의 균일성을 높임으로써 기판의 증착시 증착균일도를 높일 수 있는 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명은 구조가 간단하여 제조 및 사용이 간편하고, 사용 효율이 높은 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공하는 것이다.

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 마그네트론 스퍼터링 장치는, 타겟을 고정하기 위한 타겟 고정부와, 상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 영구 자석부, 상기 타겟에 대향하는 위치에서 기판을 지지하는 기판 지지대와, 플라즈마를 형성하기 위해 상기 타겟에 바이어스 전압을 공급하는 전원장치를 포함하며, 상기 영구 자석부는 하나의 열로 배치되는 자석열로 구성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 간단한 구조의 자석 배치로 넓은 영역에 걸쳐 스퍼터링이 가능하여, 구조가 간단하여 제조 및 사용이 간편하고, 사용 효율이 높은 스퍼터링 장치를 제공하는 효과를 가진다.

또한, 기판의 증착시 증착균일도를 높일 수 있다.

본 발명은 간단히 자석 길이만을 변경함으로써 사이즈가 큰 기판의 스퍼터링이 가능하기 때문에 장치의 제작이 용이하다.

또한, 본 발명은 자석의 배치구조가 복잡하고 타겟 사용 효율이 낮은 기존의 원형 마그네트론 스퍼터링 소스의 한계를 극복하고, 간단한 자석 열의 배열로 대면적의 기판을 균일하게 코팅할 뿐만 아니라 타겟 전면을 고르게 침식시킴으로써 타겟 사용 효율을 향상시킨다.

또한, 평형 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서도 본 발명에서처럼 길이 방향으로 좌측과 우측이 N극 또는 S극이 되도록 구성된 자석 열을 사용함으로써, 장치의 구조를 간단하게 하고 면적에 걸쳐 균일한 막 형성을 가능하게 한다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 스퍼터링 소스는, 타겟을 고정하기 위한 타겟 고정부와, 상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 영구 자석부를 포함하며, 상기 영구 자석부는 하나의 열로 배치되는 자석열로 구성되어 있다.

여기서 상기 자석열의 좌측과 우측은 각각 N극 또는 S극이 되도록 구성하는 것일 바람직하다.

그리고, 본 발명에 따른 스퍼터링 소스에서는 캐소드의 양쪽 측면에 Fe 박스가 부착되지 않을 수 있다.

또한 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는 타겟을 고정하기 위한 타겟 고정부와, 상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 영구 자석부, 상기 타겟에 대향하는 위치에서 기판을 지지하는 기판 지지대와, 플라즈마를 형성하기 위해 상기 타겟에 바이어스 전압을 공급하는 전원장치를 포함하며, 상기 영구 자석부는 하나의 열로 이루어진 자석을 포함하며, 상기 자석 열은 길이 방향으로 좌측과 우측이 N극 또는 S극이 되 도록 구성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 자석 열은 하나 이상의 자석편이 한 줄로 배열될 수 있다.

본 발명에 따른 자석 열은 기판의 사이즈에 따라 길이, 높이 및 폭을 조정할 수 있다.

본 발명에 따른 원형 마크네트론 스퍼터링 장치는, 원형의 타겟을 고정하고 절연시키는 원형 타겟 장착부, 상기 타겟에 대향하는 위치에 배치되며 상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 영구자석 폐회로를 포함하는 영구자석부, 및 상기 영구자석부를 상기 타겟 표면에 평행한 원형 궤도를 따라 회전시키는 회전부를 포함하고, 상기 영구 자석부는 다수의 자석 열을 포함하며, 상기 다수의 자석 열은 원형 영구 자석부의 원축을 기준으로 서로 동일한 길이를 가진 자석 열이 마주보도록 배치되며, 상기 자석 열은 길이 방향으로 좌측과 우측이 N극 또는 S극이 되도록 구성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 평판 마그네트론 스퍼터링 장치는 타겟을 배치하기 위한 타겟 안치부, 상기 타겟을 냉각하기 위한 냉각부, 상기 타겟의 후면에 상기 타겟과 소정 거리 이격되며 영구자석 폐회로를 가지고 있어 상기 타겟에 자기장을 인가하는 영구 자석부 및 상기 영구자석부를 상기 타겟 표면에 평행한 타원 궤도를 따라 회전시키는 회전부를 포함하며, 상기 영구 자석부는 하나의 열로 이루어진 영구자석 열을 포함하며, 상기 영구자석 열은 길이 방향으로 좌측과 우측이 N극 또는 S극이 되도록 구성되는 것을 특징으로 한다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 스퍼터링 장치를 상세히 설명한다.

도 5는 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치를 도시한다. 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치는 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치와 마찬가지로, 기판 받침대(pedestal)(10) 상에 기판(12)이 놓여지고, 이 기판 상에 스퍼터 증착할 재료, 통상적으로 금속으로 이루어지는 타깃(14)이 설치되고, 타깃 후면에는 자석(30)이 위치하게 되며, 이들을 밀봉하는 챔버로 이루어진다.

다만, 본 발명은 종래 기술의 마그네트론 스퍼터링 장치와는 달리 자석(30)이 1개의 줄로만 구성된다. 또한 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석은 상부와 하부가 S극 또는 N극으로 이루어지지만, 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치의 자석은 좌측 또는 우측이 S극 또는 N으로 이루어진다.

도 5에 도시된 바와 같이 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치 역시 타겟 앞편에 전자 및 이온 구속을 위한 자계를 형성시킨다. 다시 말해, 화학적으로 불활성 가스인 아르곤(Ar)이 챔버내로 유입될 때, 타깃과 실드 사이에 적정한 전압이 인가됨으로써 아르곤을 플라즈마화하고, 양으로 이온화된 Ar 이온들이 음으로 대전된 타겟에 충돌하면서 운동량 전달에 의하여 타겟 원자들이나 원자 클러스터들이 타깃으로부터 스퍼터링된다.

하지만, 본원 발명에서는 종래 기술의 마그네트론 스퍼터링 장치와 달리 한 줄의 자석만을 이용하기 때문에, 자석(30)의 길이를 증가시킴으로써 넓은 영역에 걸쳐 자계를 형성시키는 것이 용이하다. 따라서 스퍼터링 장치의 마그네트론에서 자석 길이만을 증가시킴으로써 사이즈가 큰 기판을 용이하게 스퍼터링할 수 있다.

도 6은 본 발명에 따른 마그네트론의 개략적인 구조를 도시한다. 본 발명의 마그네트론은 캐소드(31)상에 한 줄의 자석(30)이 배치되는 구조를 가진다. 본 발명에 따른 마그네트론에서 자석의 극성은 도 5에 도시된 바와 같이, 자석의 길이 방향에서 좌측은 N극이고 우측은 S극이다. 반대로 우측은 N극이고 좌측은 S극으로 구성할 수 있다.

본 발명의 마그네트론에서 자석(30)은 하나의 긴 자석으로 이루어지거나, 여러 개의 자석편으로 이루어질 수 있다. 도 6은 여러 개의 자석편을 이용하여 구성한 마그네트론의 실시예를 도시한다. 상기 자석편의 사이즈는 스퍼터링이 이루어지는 기판의 사이즈에 대응하여 조절될 수 있다. 도 7a는 3개의 자석편을 이용한 스퍼터링 소스의 예이고, 도 7b는 2개의 자석편을 이용한 스퍼터링 소스이고, 도 7c는 1개의 자석편을 이용한 스퍼터링 소스의 예를 도시한다. 바람직하게, 상기 자석편 하나의 길이는 약 40 내지 60mm이고, 높이는 약 15 내지 25mm이고, 폭은 약 5 내지 15mm일 수 있다.

도 8은 본 발명에 따른 스퍼터링 장치를 이용하여 마그네트론 방전을 형성한 것을 도시하는 사진이다. 본 실시예에서는 사각형 캐소드에 자석을 배치하였으며, 사용된 자석의 길이는 30 내지 200mm(바람직하게 약 100mm)이고, 높이는 5 내지 50mm(바람직하게 약 20mm)이며, 폭은 약 5 내지 20mm(바람직하게 약 10mm)이다.

또한, 자석은 NdFeB 막대자석을 사용하였다. 스퍼터링 장치에는 스퍼터링 가스로서 아르곤 가스를 주입하였고, 압력은 0.3 내지 15Pa(바람직하게 0.5Pa)를 유지하였다. 또한 직류 방전 전류는 0.5 내지 4A(바람직하게 약 1A)를 인가하였다. 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 일자형 자석 배열만을 가진 스퍼터링 장 치는 낮은 압력에서도 스퍼터링을 발생시키기에 충분한 마그네트론 방전이 발생함을 알 수 있다.

상술한 바와 같이, 일자형 자석 배치를 이용한 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는 간단한 구조로 스퍼터링을 발생시키기에 충분한 마그네트론 방전이 형성된다. 본 발명에 따른 일자형 자석 구조의 스퍼터링 소스는 사각형 구조의 캐소드뿐만 아니라 원형 캐소드에서도 적용이 가능하다. 또한, 사용되는 자석의 사이즈는 스퍼터링 대상에 따라 길이, 높이 및 폭을 조정한다. 또한 일자형 자석의 사이즈에 따라 스퍼터링 가스 압력, 인가 전원 등을 조정하여 최적의 스퍼터링 조건을 유지한다.

도 9은 도 7과 같은 일자형 자석 배치를 여러개 배치하여 원형 마그네트론 스퍼터링 장치에 이용한 실시예를 도시한다. 도 9에 도시된 바와 같이, 영구자석부(30)상에는 다수의 영구자석 열(31)이 배열되며, 상기 영구자석 열(31)은 길이 방향으로 좌측과 우측이 N극 또는 S극이 되도록 구성된다. 상기 다수의 영구자석 열(31)중 각각의 영구자석 열은 원형 영구 자석부의 원축을 기준으로 서로 동일한 길이를 가진 자석 열이 마주보고 배치되도록 구성된다. 상기 영구자석부(30)는 자성체인 철에 니켈 도금을 한 폐회로 장착부일 수 있다.

상기 영구자석부는 영구자석(31) 폐회로 구성시 균일한 대칭 자장을 형성하고 기판 전류 밀도를 제어하도록 설계되어 있다. 도시되지는 않았지만, 영구자석부와 대향하여 타겟이 배치되며, 영구자석부(30)가 회전함에 따라 영구자석 열(31)의 폐회로에 의하여 영구 자석 폐회로에 대응하는 위치의 타겟 표면에 방전트랙이 형 성되고, 이에 의하여 기판의 표면에 막이 형성되게 된다.

본 발명의 경우, 타겟 및 기판의 사이즈에 따라 영구자석부상에서 영구자석 열(31)의 길이 및 배열을 조절하면 사이즈가 큰 기판의 경우에도 용이하게 적용할 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 경우 영구자석부(30)에 영구자석 열(31)을 배치할 때, 간단히 영구자석 열(31)의 길이를 크게 하면 사이즈가 큰 기판에 이용할 수 있다.

또한, 영구자석부(30)에서 영구자석 열(31)의 위치 조절이 용이하므로 영구자석 열의 위치를 조절하므로써 타겟 전면에 균일한 방전 트랙을 형성시키고 타겟 전면이 균일하게 침식되게 하며, 이에 따라 대면적 균일 코팅이 가능하게 한다.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치의 부분 단면도이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 마그네트론 스퍼터링 장치에는 막 형성을 위한 음극 타겟(12)이 설치, 고정되고, 절연성 재질을 포함하는 타겟 안치부(14)와, 타겟(12)의 뒤편에 배치되고, 타겟(12)을 냉각하기 위한 냉각부(16)와 냉각부(16)의 하부에서 타겟과 소정 거리 이격되어 다수의 영구자석 폐회로를 형성하는 영구자석 폐회로부(20)와, 영구자석 폐회로를 형성하는 영구자석 폐회로부(20)를 타겟(12) 표면에 수직한 타원 궤도를 따라 일 방향으로 운동시키는 회전부(30)를 포함한다.

도 10에는 또한 영구자석 폐회로부(20)의 단위 자장 폐회로를 도시한다. 단위 자장 폐회로는 도 10에서 각각 a, b, c로 표시하였다. 상기 도면을 참조하면, 각각의 단위 연구자석 폐회로(21)는 중앙에 하나의 열로 이루어진 영구자석부를 포함한다.

상기 영구자석부는 도 7a 내지 7c에 도시된 바와 같이, 하나의 열로 이루어진 자석을 포함하며, 상기 자석 열은 길이 방향으로 좌측과 우측이 N극 또는 S극이 되도록 구성되며, 상기 자석 열은 하나 이상의 자석 편으로 이루어질 수 있다.

즉, 도 10a처럼 하나의 자석으로 이루어질 수 있고 또한 도 10b 및 10c에 도시된 바와 같이 2개 또는 3개의 자석편으로 이루어질 수 있다. 이와 같은 본 발명에서, 기판에 박막을 형성하는 동안, 영구자석 폐회로부(20)의 다수의 단위 영구자석 폐회로(21)는 예를 들어 모터로부터 구동력을 받는 회전부(30)의 회전 운동에 따라 함께 회전한다. 단위 영구자석 폐회로(21)의 회전운동에 따라 단위 영구자석 폐회로(21)에 의하여 대응하는 타겟 표면의 위치에 방전 트랙이 타겟 표면 전체에 균일하게 형성되어, 타겟 전면이 균일하게 침식되고, 그 결과 기판의 표면에는 균일한 막이 형성된다.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 실시예를 설명한 것이며, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 변경실시 가능한 범위까지 본 발명의 범위에 있다고 할 것이다.

도 1은 종래의 마그네트론 스퍼터링 소스의 구조를 개략적으로 도시한 사시도,

도 2는 도 1의 'A-A'선에 따른 선단면도,

도 3은 종래 자석 회로 회전식 스퍼터링 장치의 개략도,

도 4는 Fe 박스가 캐소드의 양쪽 측면에 부착되는 종래의 스퍼터링 소스의 개략도,

도 5는 본 발명에 따른 스퍼터링 장치의 개략도,

도 6은 본 발명에 따른 스퍼터링 소스의 개략적인 구조를 나타내는 도면,

도 7은 여러 가지 실시예에 따른 본 발명의 스퍼터링 소스의 구조를 개략적으로 도시한 도면,

도 8은 본 발명의 스퍼터링 장치를 이용하여 형성한 마그네트론 방전을 도시하는 사진,

도 9는 본 발명에 따른 원형 마크네트론 스퍼터링 장치의 일 실시예를 도시한 평면도,

도 10은 본 발명에 따른 평판 마그네트론 스퍼터링 장치의 일 실시예를 도시한 측면도이다.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

10: 기판 지지대 12: 기판

14: 타겟 30: 자석

31: 마그네트론

Claims (18)

1. 타겟을 고정하기 위한 타겟 고정부와, 상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 영구 자석부, 상기 타겟에 대향하는 위치에서 기판을 지지하는 기판 지지대와, 플라즈마를 형성하기 위해 상기 타겟에 바이어스 전압을 공급하는 전원장치를 포함하며,

   상기 영구 자석부는 하나의 열로 이루어진 자석을 포함하며, 상기 자석 열은 길이 방향으로 좌측과 우측이 N극 또는 S극이 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
2. 제 1항에 있어서, 상기 자석열은 다수의 자석편으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
3. 타겟을 고정하기 위한 타겟 고정부와, 상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 영구 자석부를 포함하며,

   상기 영구 자석부는 하나의 열로 이루어진 자석을 포함하며, 상기 자석 열은 길이 방향으로 좌측과 우측이 N극 또는 S극이 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 소스.
4. 제 3항에 있어서, 상기 자석열은 다수의 자석편으로 이루어지는 것을 특징으 로 하는 스퍼터링 소스.
5. 제 3항에 있어서, 상기 자석열 및 자석편의 사이즈는 스퍼터링되는 기판의 사이즈에 따라 조정되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 소스.
6. 제 3항 내지 5항중 어느 한항에 있어서, 상기 자석열의 길이는 30 내지 200mm이며, 높이는 5 내지 50mm이며, 폭은 5 내지 20mm인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 소스.
7. 원형의 타겟을 고정하고 절연시키는 원형 타겟 장착부, 상기 타겟에 대향하는 위치에 배치되며 상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 영구자석 폐회로를 포함하는 영구자석부, 및 상기 영구자석부를 상기 타겟 표면에 평행한 원형 궤도를 따라 회전시키는 회전부를 포함하는 원형 마크네트론 스퍼터링 장치에 있어서,

   상기 영구 자석부는 다수의 자석 열을 포함하며, 상기 다수의 자석 열은 원형 영구 자석부의 원축을 기준으로 서로 동일한 길이를 가진 자석 열이 마주보도록 배치되며, 상기 자석 열은 길이 방향으로 좌측과 우측이 N극 또는 S극이 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 원형 마크네트론 스퍼터링 장치.
8. 제 7항에 있어서, 상기 자석열은 다수의 자석편으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 원형 마크네트론 스퍼터링 장치.
9. 제 7항에 있어서, 상기 자석열 및 자석편의 사이즈는 스퍼터링되는 기판의 사이즈에 따라 조정되는 것을 특징으로 하는 원형 마크네트론 스퍼터링 장치.
10. 제 7항 내지 9항중 어느 한항에 있어서, 상기 자석열의 길이는 30 내지 200mm이며, 높이는 5 내지 50mm이며, 폭은 5 내지 20mm인 것을 특징으로 하는 원형 마크네트론 스퍼터링 장치.
11. 타겟을 배치하기 위한 타겟 안치부, 상기 타겟을 냉각하기 위한 냉각부, 상기 타겟의 후면에 상기 타겟과 소정 거리 이격되며 영구자석 폐회로를 가지고 있어 상기 타겟에 자기장을 인가하는 영구 자석부 및 상기 영구자석부를 상기 타겟 표면에 평행한 타원 궤도를 따라 회전시키는 회전부를 포함하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서,

    상기 영구 자석부는 하나의 열로 이루어진 영구자석 열을 포함하며, 상기 영구자석 열은 길이 방향으로 좌측과 우측이 N극 또는 S극이 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치.
12. 제 11항에 있어서, 상기 자석열은 다수의 자석편으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치.
13. 제 11항에 있어서, 상기 자석열 및 자석편의 사이즈는 스퍼터링되는 기판의 사이즈에 따라 조정되는 것을 특징으로 하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치.
14. 제 11항 내지 14항중 어느 한항에 있어서, 상기 자석열의 길이는 30 내지 200mm이며, 높이는 5 내지 50mm이며, 폭은 5 내지 20mm인 것을 특징으로 하는 평판 마그네트론 스퍼터링 장치.
15. 타겟을 고정하기 위한 타겟 고정부와, 상기 타겟에 자기장을 인가하기 위한 영구 자석부, 상기 타겟에 대향하는 위치에서 기판을 지지하는 기판 지지대와, 플라즈마를 형성하기 위해 상기 타겟에 바이어스 전압을 공급하는 전원장치를 포함하며,

    상기 영구 자석부는 하나의 열로 배치되는 자석열로 구성되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
16. 제 15항에 있어서, 상기 자석열은 다수의 자석편으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
17. 제 16항에 있어서, 상기 자석열 및 자석편의 사이즈는 스퍼터링되는 기판의 사이즈에 따라 조정되는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
18. 제 15항 내지 17항중 어느 한항에 있어서, 상기 자석열의 길이는 30 내지 200mm이며, 높이는 5 내지 50mm이며, 폭은 5 내지 20mm인 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.

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