KR20090085772A - 복수의 절연층들이 적층된 발광 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

복수의 절연층들이 적층된 발광 다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 차례대로 형성된 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층; 상기 제 2 도전형 반도체층에 교번하여 적층되며 상기 제 2 도전형 반도체층의 일부가 드러나도록 오픈된 영역들을 가지는 굴절율이 서로 다른 둘 이상의 절연층들; 상기 절연층들중의 최외층에 형성된 본딩 금속층; 상기 본딩 금속층에 형성된 기판; 상기 절연층들의 오픈된 영역들을 통해 상기 제 2 도전형 반도체층과 상기 본딩 금속층 사이에 형성된 오믹 전극들을 포함하는 발광 다이오드를 제공한다.
반도체층, DBR, 반사율, 반사층, 오믹전극, 다이오드

Description

복수의 절연층들이 적층된 발광 다이오드 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE WITH A PLURALITY OF INSULATOR LAYERS AND FABRICATION METHOD OF THE SAME}
본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 서로 다른 굴절율을 가진 복수의 절연층들이 교번하여 적층된 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 갖고 있어, 최근 청색 및 자외선 영역의 발광소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다. 특히, 질화갈륨(GaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.
이러한 III족 원소의 질화물 반도체층, 특히 GaN은 그것을 성장시킬 수 있는 동종의 기판을 제작하는 것이 어려워, 유사한 결정 구조를 갖는 이종 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장된다. 이종기판으로는 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire) 기판이 주로 사용된다. 그러나, 사파이어는 전기적으로 부도체이므로, 발광 다이오드 구조를 제한하며, 기계적 화학적으로 매우 안정하여 절단 및 형상화(shaping) 등의 가공이 어렵고, 열전도율이 낮다. 이에 따라, 최근에는 사파이어와 같은 이종기판 상에 질화물 반도체층들을 성장시킨 후, 이종기판을 분리하여 수직형 구조의 발광 다이오드를 제조하는 기술이 연구되고 있다.
도 1은 종래기술에 따른 수직형 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 수직형 발광 다이오드는 도전성 기판(31)을 포함한다. 도전성 기판(31) 상에 제 1 도전형 반도체층(15), 활성층(17) 및 제 2 도전형 반도체층(19)을 포함하는 화합물 반도체층들이 위치한다. 또한, 화합물 반도체층들과 도전성 기판(31) 사이에 오믹전극(21), 금속반사층(23), 확산방지층(25) 및 본딩 금속층(27)이 개재된다.
화합물 반도체층들은 일반적으로 사파이어 기판과 같은 희생기판(도시하지 않음) 상에 금속유기화학기상증착법 등을 사용하여 성장된다. 그 후, 화합물 반도체층들 상에 오믹전극(21), 금속반사층(23), 확산방지층(25) 및 본딩 금속층(27)이 형성되고, 도전성 기판(31)이 부착된다. 이어서, 레이저 리프트 오프(laser lift-off) 기술 등을 사용하여 희생기판이 화합물 반도체층들로부터 분리되고, 제 1 도전형 반도체층(15)이 노출된다. 그 후, 노출된 제 1 도전형 반도체층(15) 상에 전극 패드(17)가 형성된다. 이에 따라, 열방출 성능이 우수한 도전성 기판(31)을 채 택함으로써, 발광 다이오드의 발광 효율을 개선할 수 있으며, 수직형 구조를 갖는 도 1의 발광 다이오드가 제공될 수 있다.
이러한 수직형 발광 다이오드는 일반적으로 발광 효율을 향상시키기 위해 도전성 기판(31)으로 향하는 광을 반사시키기 위해 금속반사층(23)을 채택하고 있다
그러나, 오믹전극(21)위에 금속반사층(23)을 형성한 후 옴점촉 혹은 도전성 기판(31)의 본딩을 위해 200℃ 이상의 온도로 열처리를 가한다. 이때, 금속반사층(23)은 열처리중에 산화되어 광반사율이 저하되어 광출력이 감소되는 문제점이 있다.
또한, 종래의 금속 반사막의 경우, 자외선 영역에서 80% 이상의 반사도를 갖는 물질이 없기 때문에 자외선 발광 다이오드의 제작시 광손실이 발생하는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 과제는, 발광 다이오드에서 열처리에 의해 반사층이 손상되지 않게 하여 발광 다이오드에서의 발광효율을 개선시키는데 있다.
아울러, 본 발명의 다른 과제는 자외선 영역에서도 광효율이 뛰어난 발광 다이오드를 제공하는데 있다.
이러한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 의하면, 차례대로 형성된 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층; 상기 제 2 도전형 반도체층 에 교번하여 적층되며 상기 제 2 도전형 반도체층의 일부가 드러나도록 오픈된 영역들을 가지는 굴절율이 서로 다른 둘 이상의 절연층들; 상기 절연층들중의 최외층에 형성된 본딩 금속층; 상기 본딩 금속층에 형성된 기판; 상기 절연층들의 오픈된 영역들을 통해 상기 제 2 도전형 반도체층과 상기 본딩 금속층 사이에 형성된 오믹 전극들을 포함하는 발광 다이오드가 제공된다.
바람직하게는, 상기 절연층들은, 질화물 계열 절연층, 산화물 계열 절연층, 황 계열 절연층 중에서 선택된 적어도 두 개의 절연층들이 교번하여 적층된다.
바람직하게는, 상기 절연층들은, 서로 다른 둘 이상의 절연층들이 반복적으로 교번하여 복수의 층으로 적층된다.
바람직하게는, 상기 절연층들은, 아일랜드들의 행렬 패턴 또는 복수개의 라인들 또는 망상 패턴으로 식각되어 있다.
바람직하게는, 상기 발광 다이오드는 상기 제 1 도전형 반도체층 위에 형성된 전극 패드를 더 포함하고; 상기 본딩 기판은 도전성 기판이다.
바람직하게는, 상기 발광 다이오드는 상기 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층은 그 일부가 식각되어 상기 절연층들 및 상기 오믹 전극들의 일부가 노출되고, 상기 제 1 도전형 반도체층의 상부 및 상기 노출된 적어도 하나의 상기 오믹 전극들위에 각각 전극 패드가 형성되어 있으며, 상기 본딩 기판은 절연성 기판이다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 희생기판위에 차례로 형성된 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층 상에 굴절율이 서로 다른 둘 이상의 절연 층들을 교번하여 적층하는 단계; 상기 제2 도전형 반도체층이 드러나도록 상기 적층된 절연층들을 부분적으로 패터닝 식각하여 상기 절연층들에 오픈된 영역들을 형성하는 단계; 상기 절연층들의 오픈된 영역들에 상기 제 2 도전형 반도체층과 접촉하는 오믹 전극들을 형성하는 단계; 상기 절연층들 및 오믹 전극들 위에 본딩 금속을 개재하여 본딩 기판을 형성하는 단계; 상기 희생기판을 분리하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 적층 단계는, 질화물 계열 절연층, 산화물 계열 절연층, 황 계열 절연층 중에서 선택된 적어도 두 개의 절연층들을 교번하여 적층한다.
바람직하게는, 상기 적층 단계는, 서로 다른 둘 이상의 절연층들을 반복적으로 교번하여 복수의 층으로 적층한다.
바람직하게는, 상기 패터닝 식각 단계는, 상기 적층된 절연층들을 포토리소그라피를 이용하여 아일랜드들의 행렬 패턴 또는 복수개의 라인들 또는 망상 패턴으로 식각한다.
바람직하게는, 상기 제 1 도전형 반도체층 위에 전극 패드를 형성하는 단계를 더 포함하고; 상기 본딩 기판은 도전성 기판이다.
바람직하게는, 상기 방법은, 상기 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층의 일부를 식각하여 상기 절연층들 및 상기 오믹 전극들의 일부를 노출시키는 단계; 상기 제 1 도전형 반도체층 및 상기 노출된 상기 오믹 전극들의 일부에 각각 전극 패드를 형성하는 단계를 더 포함하고; 상기 본딩 기판은 절연성 기판이다.
본 발명에 의하면, 발광 다이오드에서 본딩 기판과 반도체층사이에 서로 다른 굴절율을 가지는 복수의 절연층들이 적층되어 DBR(Distributed Bragg Reflector)을 형성하고 절연층들을 부분적으로 패터닝하여 오픈 영역들을 형성하고 그 오픈 영역들에 오믹 전극을 패턴 증착함으로써, 본딩 기판의 본딩을 위한 열처에 의해 상기 절연층의 광반사율이 손상되지 않음으로 인해 활성층에서 발생되어 본딩 기판쪽으로 진행하는 광을 상기 절연층들에서 효율적으로 반사시킬 수 있다.
또한, DBR로서 작용하는 복수의 절연층들로 인해 파장에 무관하게 95% 이상의 광반사율을 획득할 수 있음에 따라 자외선 영역에서의 활용도를 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본딩 기판(71) 상에 제 1 도전형 반도체층(55), 활성 층(57) 및 제 2 도전형 반도체층(59)을 포함하는 화합물 반도체층들이 위치한다. 본 실시예에서 본딩 기판(71)은 도전성 기판으로서 Si, GaAs, GaP, AlGaINP, Ge, SiSe, GaN, AlInGaN 또는 InGaN 등의 기판이나, Al, Zn, Ag, W, Ti, Ni, Au, Mo, Pt, Pd, Cu, Cr 또는 Fe의 단일 금속 또는 이들의 합금 기판일 수 있다. 한편, 화합물 반도체층들은 III-N 계열의 화합물 반도체층들이고, 제 1 도전형 및 제 2 도전형은 N형 및 P형, 또는 P형 및 N형을 나타낸다.
화합물 반도체층들과 본딩 기판(71) 사이에 복수의 절연층들(60)이 형성된다. 절연층들(60)은 서로 다른 굴절률을 가지는 둘 이상의 절연층이 교번하여 적층되어 형성된다.
절연층들(60)은 질화물 계열 절연층(Si3N4), 산화물 계열 절연층(SiO2, TiO2, ZrO2, Ta2O5, SrO), 황 계열 절연층(ZnS)중에서 선택된 적어도 두 개이상의 절연층들이 서로 교번하여 적층되어 이루어질 수 있다. 예를 들어 절연층들(60)은 도시된 바와 같이 SiO2층과 Si3N4층이 교번하여 적층될 수 있다. 도면에서는 편의상 3개의 절연층들로 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 필요에 따라 SiO2층과 Si3N4층이 반복적으로 교번하여 복수의 층으로 적층될 수 있다.
절연층들(60)은 제 2 도전형 반도체층(59)위에 굴절율이 서로 다른 둘 이상의 절연층을 교번하여 복수의 층으로 적층한 다음, 포토리소그라피 기술을 이용하여 적층된 절연층을 패터닝 식각하여 오픈 영역들을 형성하고, 그 오픈된 영역들에 오믹 전극들(65)을 증착하여 중간 중간에 오믹 전극들(65)이 형성되게 하였다.
절연층들(60)은 굴절율이 서로 다른 둘 이상의 절연층이 교번하여 다수층으로 적층되어 생성됨에 따라 DBR(Distributed Bragg Reflector)의 기능을 수행하여 반사율을 높임으로써 활성층(57)에서 발생된 광이 본딩 기판(71)으로 진행해올 때 효과적으로 광을 반사시키는 역할을 한다.
DBR(Distributed Bragg Reflector)은 발광 기능, 광 검출 기능, 광 변조 기능 등을 포함하는 각종 발광소자에서 높은 반사율을 필요로 하는 경우에 사용되고 있다. DBR(Distributed Bragg Reflector)은 굴절율이 서로 다른 2 종류의 매질을 교대로 적층하여, 그 굴절율의 차이를 이용하여 광을 반사하는 반사경이다.
오믹 전극들(65)은 제 2 도전형 반도체층(59)에 오믹접촉된다. 오믹 전극들(65)은 전류분산을 위해 제 2 도전형 반도체층(59)의 넓은 면에 걸쳐 분포하는 것이 바람직하며, 오믹 전극들(65)은 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh) 또는 니켈(Ni)로 형성될 수 있으며, 이들 중 적어도 하나를 포함하는 금속물질로 형성될 수 있다. 오믹 전극들(65)은 도전성 투명 전극(ITO, ZnO, SnO, NiO)이 사용될 수 도 있다.
절연층들(60)내에 패턴 증착되어 형성된 오믹 전극들(65)은 아일랜드들의 행렬 패턴, 복수개의 라인들 또는 망상 패턴 등 다양한 형상의 패턴일 수 있다. 절연층들(60)이 부분적으로 패터닝되어 형성된 오픈 영역들에 채워진 오믹 전극들(65)은 절연층들(60)의 전체 면적중 오믹 전극들(65)이 차지하는 면적 비율이 약 10%에 근접한 그 이하나 그 이상이 전류 확산 특성 및 광반사율을 고려할 때 적합하다.
한편, 절연층들(60)과 본딩 기판(71) 사이에 본딩 금속층(67)이 개재될 수 있으며, 본딩 금속층(67)은 본딩 기판(71)과의 접착력을 향상시켜 본딩 기판(71)이 절연층들(60)로부터 분리되는 것을 방지한다.
한편, 본딩 기판(71)에 대향하여 화합물 반도체층들의 상부면에 전극패드(73)가 위치한다. 전극패드(73)는 제 1 도전형 반도체층(55)에 오믹접촉될 수 있으며, 이와 달리 전극패드(73)와 화합물 반도체층들 사이에 오믹전극(도시하지 않음)이 개재될 수 있다. 또한, 전극 패드(73)로부터 연장된 연장부(도시하지 않음)들이 화합물 반도체층들 상에 위치할 수 있다. 연장부들은 화합물 반도체층들내로 유입되는 전류를 넓게 분산시키기 위해 채택될 수 있다.
종래의 수직형 발광 다이오드는 금속반사층(도 1의 23)이 본딩 금속층을 이용한 본딩 기판의 접합을 위한 열처리시에 산화되어 광반사율이 떨어진다. 이에 반해, 본 발명의 실시예에 따르면, 별도의 금속 반사층을 구비하지 않고도 절연층들(60)에서 반사기능을 수행함에 따라 본딩 기판(71)의 본딩시 열처리에 의해 반사층의 반사도가 떨어지던 문제점을 해결할 수 있다.
도 3 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 희생기판(51) 상에 화합물 반도체층들이 형성된다. 희생기판(51)은 사파이어 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 이종기판일 수 있다. 한편, 화합물 반도체층들은 제 1 도전형 반도체층(55), 활성층(57) 및 제 2 도전형 반도체층(59)을 포함한다. 화합물 반도체층들은 III-N 계열의 화 합물 반도체층들로, 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정에 의해 성장될 수 있다. 제 1 도전형 및 제 2 도전형은 N형 및 P형, 또는 P형 및 N형을 나타낸다.
한편, 화합물 반도체층들을 형성하기 전, 버퍼층(53)이 형성될 수 있다. 버퍼층(53)은 희생기판(51)과 화합물 반도체층들의 격자 부정합을 완화하기 위해 채택되며, 일반적으로 질화갈륨 계열의 물질층일 수 있다.
도 4를 참조하면, 제 2 도전형 반도체층(59)상에 굴절률이 서로 다른 절연층들(60)을 차례대로 적층한다. 본 실시예에서는 DBR의 형성을 위해 제 1 절연층으로서 SiO2층을 적층한다. 적층되는 SiO2층의 두께는 10Å 이상이 바람직하다. 제 1 절연층으로서 제 2 도전형 반도체층(59)위에 SiO2층이 적층되면 SiO2층위에 제 2 절연층으로서 Si3N4층을 적층한다. 적층되는 Si3N4층의 두께는 10Å 이상이 바람직하다. 제 2 절연층으로서 Si3N4층이 적층되면 다시 절연층으로서 SiO2와 Si3N4를 교번하여 다수 층으로 적층한다. 절연층들(61)을 형성하는 SiO2와 Si3N4이 교번하여 적층되는 횟수는 파장에 맞는 반사율을 고려하여 최적의 횟수로 결정된다. 일반적으로, DBR을 형성하는 절연층들이 적층되는 횟수가 많아질 수록 반사율이 증가되는데, 적층되는 횟수와 반사율의 증가 정도를 고려하여 최적의 횟수를 선택하면 된다. 각 절연층의 두께(t)는 무반사조건을 만족하는 nλ/4로서 결정되며, 여기에서 n은 절연층의 굴절율이고 λ는 광의 파장이다.
도 5를 참조하면, SiO2층과 Si3N4층을 교번하여 적층한 후 포토리소그라피 기술을 이용하여 제 2 도전형 반도체층(59)이 드러나도록 적층된 절연층들(60)을 부분적으로 패터닝 식각하여 오픈 영역들(63)을 형성한다. 이때, 상기 절연층들(60)은 아일랜드들의 행렬 패턴 또는 복수개의 라인들 또는 망상 패턴으로 식각되어 오픈 영역들(63)이 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 절연층들(60)에 오픈 영역들(63)을 형성한 후, 도금 또는 증착 기술 등을 사용하여 절연층들(60)의 오픈된 영역들(63)에 오믹 전극들(65)을 형성한다. 오믹 전극들(65)은 제 2 도전형 반도체층(59)과 오믹접촉하는 물질을 포함하며, 제 2 도전형 반도체층(59)이 P형 반도체인 경우, 오믹 전극들(65)은 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh) 또는 니켈(Ni)을 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 또는 오믹 전극들(65)은 도전성 투명 전극(ITO, ZnO, SnO, NiO)이 사용될 수 도 있다. 아울러 오믹전극들(65)은 제 2 도전형 반도체층(59)과 오믹접촉하도록 일반적으로 열처리되나, 오믹전극들(65)이 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh) 또는 니켈(Ni)로 형성됨으로써 열처리는 생략될 수 있다.
도 7을 참조하면, 오믹 전극들(65) 및 절연층들(60)상에 본딩 기판(71)이 형성된다. 본 실시예에서 본딩 기판(71)은 도전성 기판으로서, Si, GaAs, GaP, AlGaINP, Ge, SiSe, GaN, AlInGaN 또는 InGaN 등의 기판이나, Al, Zn, Ag, W, Ti, Ni, Au, Mo, Pt, Pd, Cu, Cr 또는 Fe의 단일 금속 또는 이들의 합금 기판을 화합물 반도체층들 상에 부착하여 형성될 수 있다. 이때, 본딩 기판(71)은 본딩 금속 층(67)을 통해 오믹 전극들(65) 및 절연층들(60)상에 본딩될 수 있다. 한편, 본딩 기판(71)은 도금기술을 사용하여 형성될 수 있다. 즉, 오믹 전극들(65) 및 절연층들(60)상에 Cu 또는 Ni 등의 금속을 도금함으로써 도전성의 본딩 기판(71)이 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 희생기판(51)이 화합물 반도체층들로부터 분리된다. 희생기판(51)은 레이저 리프트 오프(LLO) 기술 또는 다른 기계적 방법이나 화학적 방법에 의해 분리될 수 있다. 이때, 버퍼층(53)도 함께 제거되어 제 1 도전형 반도체층(55)이 노출된다.
이어서, 전극패드(도 2의 73)가 제 1 도전형 반도체층(55) 상에 형성된다. 전극패드(73)는 제 1 도전형 반도체층(55)에 오믹콘택된다. 또한, 전극패드(73)를 형성하는 동안, 전극패드(73)에서 연장된 연장부들(도시하지 않음)이 함께 형성될 수 있다. 이에 따라, 도 2의 수직형 발광 다이오드가 제조된다.
한편, 전극패드(73)를 형성하기 전, 제 1 도전형 반도체층(55) 상에 오믹전극(도시하지 않음)이 형성될 수도 있다. 오믹전극이 제 1 도전형 반도체층(55)에 오믹접촉되고, 전극패드(73)는 오믹전극에 전기적으로 접속된다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 9를 참조하면, 도 2에 도시된 발광 다이오드와 그 구성 및 동작이 거의 같으며, 다만, 도 2에서는 본딩 기판(71)이 도전성 기판이었지만, 도 9에서는 절연성 기판(81)을 사용하며, 그에 따라 도 2에서는 도전성의 본딩 기판(71)을 통해 전 원이 공급되었지만, 도 9에서는 제 1 도전형 반도체층(55a), 활성층(57a), 제 2 도전형 반도체층(59a)의 일부가 식각되어 절연층들(60) 및 오믹 전극들(65)의 일부가 드러나 있으며, 제 1 도전형 반도체층(55a) 및 상기 드러나 있는 오믹 전극들(65)에 전극 패드들(75, 77)이 형성되어 있다.
이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.
도 1은 종래기술에 따른 수직형 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도.
도 3 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도.

Claims (12)

  1. 차례대로 형성된 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층;
    상기 제 2 도전형 반도체층에 교번하여 적층되며 상기 제 2 도전형 반도체층의 일부가 드러나도록 오픈된 영역들을 가지는 굴절율이 서로 다른 둘 이상의 절연층들;
    상기 절연층들중의 최외층에 형성된 본딩 금속층;
    상기 본딩 금속층에 형성된 기판;
    상기 절연층들의 오픈된 영역들을 통해 상기 제 2 도전형 반도체층과 상기 본딩 금속층 사이에 형성된 오믹 전극들을 포함하는 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층들은,
    질화물 계열 절연층, 산화물 계열 절연층, 황 계열 절연층 중에서 선택된 적어도 두 개의 절연층들이 교번하여 적층된 발광 다이오드.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층들은,
    서로 다른 둘 이상의 절연층들이 반복적으로 교번하여 복수의 층으로 적층된 발광 다이오드.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층들은,
    아일랜드들의 행렬 패턴 또는 복수개의 라인들 또는 망상 패턴으로 식각되어 있는 발광 다이오드.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 도전형 반도체층 위에 형성된 전극 패드를 더 포함하고;
    상기 본딩 기판은 도전성 기판인 발광 다이오드.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층은 그 일부가 식각되어 상기 절연층들 및 상기 오믹 전극들의 일부가 노출되고,
    상기 제 1 도전형 반도체층의 상부 및 상기 노출된 적어도 하나의 상기 오믹 전극들위에 각각 전극 패드가 형성되어 있으며,
    상기 본딩 기판은 절연성 기판인 발광 다이오드.
  7. 희생기판위에 차례로 형성된 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층 상에 굴절율이 서로 다른 둘 이상의 절연층들을 교번하여 적층하는 단계;
    상기 제2 도전형 반도체층이 드러나도록 상기 적층된 절연층들을 부분적으로 패터닝 식각하여 상기 절연층들에 오픈된 영역들을 형성하는 단계;
    상기 절연층들의 오픈된 영역들에 상기 제 2 도전형 반도체층과 접촉하는 오믹 전극들을 형성하는 단계;
    상기 절연층들 및 오믹 전극들 위에 본딩 금속을 개재하여 본딩 기판을 형성하는 단계;
    상기 희생기판을 분리하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 적층 단계는,
    질화물 계열 절연층, 산화물 계열 절연층, 황 계열 절연층 중에서 선택된 적어도 두 개의 절연층들을 교번하여 적층하는 발광 다이오드 제조방법.
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 적층 단계는,
    서로 다른 둘 이상의 절연층들을 반복적으로 교번하여 복수의 층으로 적층하는 발광 다이오드 제조방법.
  10. 청구항 7에 있어서, 상기 패터닝 식각 단계는,
    상기 적층된 절연층들을 포토리소그라피를 이용하여 아일랜드들의 행렬 패턴 또는 복수개의 라인들 또는 망상 패턴으로 식각하는 발광 다이오드 제조방법.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 제 1 도전형 반도체층 위에 전극 패드를 형성하는 단계를 더 포함하고;
    상기 본딩 기판은 도전성 기판인 발광 다이오드 제조 방법.
  12. 청구항 7에 있어서,
    상기 제 1 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 도전형 반도체층의 일부를 식각하여 상기 절연층들 및 상기 오믹 전극들의 일부를 노출시키는 단계;
    상기 제 1 도전형 반도체층 및 상기 노출된 상기 오믹 전극들의 일부에 각각 전극 패드를 형성하는 단계를 더 포함하고;
    상기 본딩 기판은 절연성 기판인 발광 다이오드 제조 방법.
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