KR20090084834A - 고휘도 방전 램프에 전력을 공급하는 회로 - Google Patents

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워런 피. 모스코위츠
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오스람 실바니아 인코포레이티드
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Abstract

고휘도 방전 램프(10)에 전력을 공급하는 회로(200)는 제 1 및 제 2 입력 단자들(202, 204), 제 1 및 제 2 출력 단자들(206, 208), 제 1 및 제 2 인버터 스위치들(SW1, SW2), 트랜스포머(240), 제 1 및 제 2 벅 커패시터들(CBUCK1, CBUCK2), 제 1 및 제 2 로우-사이드 커패시터들(CLOWSIDE1, CLOWSIDE2), 점화기(216) 및 다이오드 서브회로(250, 260)를 포함한다. 트랜스포머(240)는 1차 권선(242) 및 2차 권선(244)을 포함한다. 회로(200)의 동작 동안에, 1차 권선(242)은 벅 인덕터로서 기능하는 반면, 2차 권선(244)은 램프 시동 단계 동안, 그리고 램프(10)의 안정-상태 전력 공급 동안 개선된 저주파수 개방 회로 전압(OCV)을 제공하기 위하여 다이오드 서브회로(250, 260)와 관련하여 동작한다. 회로(200)는 또한 넌-제로 평균값을 갖는 램프 전류를 허용한다. 회로(200)는 비교적 낮은 커패시턴스 값을 갖는 제 1 및 제 2 로우-사이드 커패시터들(CLOWSIDE1, CLOWSIDE2)로 구현가능하다.

Description

고휘도 방전 램프에 전력을 공급하는 회로{CIRCUIT FOR POWERING A HIGH INTENSITY DISCHARGE LAMP}
본 발명은 방전 램프들에 전력을 공급하기 위한 회로들에 대한 일반 주제에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 고휘도 방전 램프에 전력을 공급하기 위한 회로에 관한 것이다.
고휘도 방전(HID) 램프들에 전력을 공급하기 위한 회로들의 설계에서의 최근의 다수 노력들은 부품 수 최소화에 의한 비용 절감에 초점이 맞추어져 있다. 이러한 선상에 있는 기존의 한 가지 접근법은 도 1에 기술된다. 회로(100)에서, 종래의 풀-브리지 인버터(full-bridge inverter)는 하프-브리지 인버터(half-bridge inverter)(SW1, SW2)에 의해 대체된다. 회로(100)는 2개의 제거된 인버터 트랜지스터들을 기능적으로 대체하는 한 쌍의 로우-사이드 커패시터들(CLOWSIDE1, CLOWSIDE2)을 포함한다. 부가하여, 종래의 벅 레귤레이터(buck regulator)는 보통 입력 전압(VRAIL)의 전력 레벨을 조정하기 위해 사용되고 그에 의해 램프에 제공된 전력을 조정하는데, 이러한 종래의 벅 레귤레이터는 펄스-폭-변조(PWM) 시퀀스로 인버터 스위치들(SW1, SW2)을 구동함으로써 (별개의 회로이기보다는 오히려) 회로(100)에 효과적으로 통합되고, 상기 펄스-폭-변조(PWM) 시퀀스는 회로(100)가 램프에 공급된 여기의 극성 및 전력 레벨 양자 모두를 제어하게 한다.
비록 회로(100)는 본 기술 분야에서 상당한 진전을 나타내는 것처럼 보이지만, 몇 가지 한계들을 갖는 것으로 알려져 있다.
회로(100)의 첫 번째 한계는 종래의 하프-브리지에 의해 제공된 최대 전압(즉, 소위 "개방 회로 전압" 또는 OCV)이 입력 전압(VRAIL)의 주어진 값에 대하여, 종래의 풀-브리지에 의해 제공된 단지 절반이기 때문에, 회로(100)가 램프의 성공적인 시동을 보장하기에 충분히 높은 OCV를 생성하기 위하여, 공진 또는 준-공진(quasi-resonant) 시동과 같은 혁신적인 시동 방법들을 요구한다는 점이다. 그러한 혁신적인 시동 방법은 반드시 높은 주파수 동작을 요구한다.
회로(100)의 두 번째 한계는 로우-사이드 커패시터들(CLOWSIDE1, CLOWSIDE2)이 단지 매우 짧은 시간 동안만 주어진 극성의 램프 전류 흐름을 지지할 수 있다는 사실에 기인한다.
전술한 첫 번째 한계와 두 번째 한계의 결과로서, 회로(100)는 램프의 시동 단계 동안 그리고/또는 램프의 안정-상태 전력 공급 동안 램프의 저주파수(예를 들어, 1헤르쯔) 여기를 제공할 수 있는 능력을 주지 못한다. 소정의 선행기술의 설계들은 가능한 스퍼터링 및/또는 램프 전도(lamp conduction)의 손실을 최소화하면서 램프 전극들의 가열을 촉진하기 위하여 시동 단계 동안 저주파수(예를 들어, 1 헤르쯔 정도) 구형파(square wave) 여기를 사용하여 선례가 되는 성능을 보여주었 다. 시동 단계 동안, 저주파수 또는 직류 전류(DC) 여기를 사용하는 것은 고주파수 여기를 사용하는 것보다 선호되는 것으로 믿어져 왔다. 그 이유는 램프 전극들 양자 모두 유효한 열이온 방출기(thermionic emitter)가 되기에 충분히 뜨거워질 때까지 램프 극성의 전환(즉, 반전)은 다루기 힘든 일이며, 그래서 시동 단계 동안 더 적은 수의 전환(즉, 저주파수 여기)이 더 낫기 때문이다.
회로(100)의 세 번째 한계는 램프 전류가 제로 평균값(즉, DC 성분 아님)을 갖도록 동작하는 것으로 제한된다는 것이다. 예를 들어, 일정한 전력에서 동작하는 비대칭(예를 들어, 수직 배향) 램프들에 대한 소정의 애플리케이션들에 대하여, 넌-제로 평균(즉, DC) 값을 갖는 램프 전류를 제공하는 것이 바람직하다. 회로(100)는 그러한 동작 타입을 제공할 수 없다.
회로의 네 번째 한계는 로우-사이드 커패시터들(CLOWSIDE1, CLOWSIDE2)이 상대적으로 큰 값(예를 들어, 68 마이크로패럿(microfarad))의 전해질 커패시터를 요구하고, 그러한 커패시터들은 비싸고 대형이며 신뢰성 문제가 있는 경향이 있다(특히, HID 안정기들 내부에서 전형적으로 직면하는 고온 동작 환경에서 그러함). 큰 값의 로우-사이드 커패시터들의 부가적인 부정적 결과는 AC 전력이 회로에 처음 인가될 때 발생하는 큰 돌입 전류이다. CLOWSIDE1, CLOWSIDE2의 직렬 결합은 전형적으로 VRAIL을 제공하는 프론트-엔드 회로소자(예를 들어, 전파 정류기 회로(full-wave rectifier circuit) 및 역률 교정 DC-대-DC 컨버터(power factor correcting DC-to-DC converter), 예를 들어, 부스트 컨버터(boost converter) 또는 벅 컨버 터(buck converter)의 결합)를 위한 소위 벅 커패시터(bulk capacitor)들로서 제 2 기능을 제공한다. 회로에 AC 전력을 인가할 때, 전형적인 프론트-엔드 회로소자는 벅 커패시터(들)가 AC 전원에 의해 공급된 전압의 피크 값으로 급속히 충전되게 만든다. 이러한 급속 충전은 잠재적으로 큰 돌입 전류(이것은 AC 전원의 전압의 순시값(instantaneous value)이 피크 값에 있거나 그 근처에 있는 동안 AC 전력이 처음 인가될 때 특히 큼)를 야기한다. 큰 돌입 전류들은 일반적으로 매우 바람직스럽지 못한 것으로 인정되고, 수많은 난이점들(예를 들어, 배선의 문제점들, 부품 결함들, 조정들에 비순응, 돌입 전류를 제한하기 위한 추가 회로소자의 필요성 등)의 원인이 된다.
그리하여, 회로(100)의 많은 이점들을 보유하면서 시동 단계 동안 그리고 램프의 안정-상태 전력 공급 동안 램프의 저주파수 여기를 제공하는 회로에 대한 필요성이 존재한다. 넌-제로 평균 전류를 가진 램프에 전력을 공급할 수 있는 능력을 제공하는 회로에 대한 필요성이 추가로 존재한다. 회로의 장기적 신뢰성을 향상시키고 회로의 피크 돌입 전류를 상당히 감소시키면서, 보다 비용 효율적이고 공간 효율적인 방식으로 로우-사이드 커패시터들이 구현될 수 있는 회로에 대한 필요성이 추가로 존재한다. 이러한 속성들을 가진 회로는 선행기술에 비해 상당한 개선을 나타낼 것이다.
도 1은 선행기술에 따라 HID 램프에 전력을 공급하기 위한 회로의 전기적 다 이어그램이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 HID 램프에 전력을 공급하기 위한 회로의 전기적 다이어그램이다.
도 2는 고휘도 방전(HID) 램프(10)에 공급을 공급하기 위한 회로(200)를 도시한다. 회로(200)는 제 1 및 제 2 입력 단자들(202, 204), 제 1 및 제 2 출력 단자들(206, 208), 제 1 및 제 2 인버터 스위치들(SW1, SW2), 제 1 및 제 2 벅 커패시터들(CBUCK1, CBUCK2), 제 1 및 제 2 로우-사이드 커패시터들(CLOWSIDE1, CLOWSIDE2), 1차 권선(242)을 갖는 벅 인덕터(buck inductor)(트랜스포머(240)의 1차 권선(242)으로도 언급됨) 및 점화기(ignitor)(216)를 포함한다. 부가적으로, 그리고 도 1에 도시된 선행기술 회로(100)와 구별되어, 회로(200)는 다이오드 서브회로(즉, 제 1 및 제 2 다이오드들(250, 260)) 및 트랜스포머(240)의 2차 권선(244)을 더 포함한다. 이하에서 더 상세히 기술되는 바와 같이, 부가적으로 존재하는 다이오드들(250, 260) 및 2차 권선(244)은 회로(200)에 선행기술 회로(100)에 비해 다수의 현저한 동작 중 이점들 및 비용 이점들을 제공한다.
회로(200)의 바람직한 구조 및 동작과 관련한 추가적인 세부 사항들이 이제 도 2를 참조하여 이하와 같이 기술된다.
제 1 및 제 2 입력 단자들(202, 204)은 전형적으로 적합한 정류 및/또는 DC-대-DC 컨버터 회로소자에 의해 제공되는, 실질적으로 직류(DC)인 레일 전압(VRAIL)의 소스를 받아들이도록 의도된다. 전형적으로, VRAIL은 수백 볼트 정도의 크기를 갖도록 선택된다(예를 들어, 360 볼트가 통상적으로 선택되는 값이다). 제 1 및 제 2 출력 단자들(206, 208)은 HID 램프(10)로의 결합을 위해 의도된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 인버터 스위치들(SW1, SW2)은 하프-브리지 구성에 결합된다. 보다 상세하게, 제 1 인버터 스위치(SW1)는 제 1 입력 단자(202)와 제 1 노드(210) 사이에 결합되는 반면, 제 2 인버터 스위치(SW2)는 제 1 노드(210)와 회로 접지(20) 사이에 결합되고, 회로 접지(20)는 제 2 입력 단자(204)에 결합된다. 인버터 스위치들(SW1, SW2)은 전형적으로 적절한 전력 트랜지스터들(즉, 바이폴라 접합 트랜지스터들 또는 전계-효과 트랜지스터들)에 의해 구현되고, 적절한 드라이버 회로(본 명세서에서 도시되거나 기술되지 않음)에 의해 구동된다(즉, 제어된 방식으로 턴 온 및 턴 오프됨).
제 1 벅 커패시터(CBUCK1)는 제 1 입력 단자(202)와 제 2 노드(212) 사이에 결합된다. 제 2 벅 커패시터(CBUCK2)는 제 2 노드(212)와 회로 접지(20) 사이에 결합된다. 제 1 로우-사이드 커패시터(CLOWSIDE1)는 제 1 입력 단자(202) 및 제 3 노드(214) 사이에 결합된다(제 3 노드(214)는 제 2 출력 단자(208)에 결합됨). 제 2 로우-사이드 커패시터(CLOWSIDE2)는 제 3 노드(214)와 회로 접지(20) 사이에 결합된다.
바람직한 실시예에서, CLOWSIDE1 및 CLOWSIDE2는 각각 제 1 커패시턴스를 갖고, CBUCK1 및 CBUCK2는 각각 제 2 커패시턴스를 가지며, 제 1 커패시턴스 및 제 2 커패시턴스는 같은 차수의 크기(on the same order of magnitude)이다. 일 실시예에서, 제 1 커패시턴스 및 제 2 커패시턴스는 거의 동일하다. 예를 들어, 도 1은 각각의 CBUCK1, CBUCK2, CLOWSIDE1 및 CLOWSIDE2에 대하여 47 나노패럿의 바람직한 값을 나타낸다(괄호로, 각각의 커패시터에 대한 참조부호 아래에).
중요하게, 회로(200)의 CLOWSIDE1 및 CLOWSIDE2는 회로(100)의 CLOWSIDE1 및 CLOWSIDE2를 구현하기 위해 전형적으로 요구되는 커패시턴스(예를 들어, 68 마이크로패럿)보다 적어도 수개 차수 낮은 크기를 갖는 커패시턴스(예를 들어, 47 나노패럿)에 의해 구현되고, 이것을 가능하게 하는 회로(200)의 동작 속성들이 여기서 더 상세히 설명될 것이다. 임의의 경우에, 당업자는 CLOWSIDE1 및 CLOWSIDE2에 대하여 훨씬 더 작게 요구되는 커패시턴스가 선행기술 회로(100)에 비해 회로(200)에 상당한 이점들(재료 비용, 물리적 크기, 장기적 신뢰성 및 온도 저항성(temperature tolerance))을 가져옴을 이해할 것이다. 보다 상세하게, 회로(100)에서, CLOWSIDE1 및 CLOWSIDE2는 전해질 커패시터들(예를 들어, 68 마이크로패럿)을 요구하는데, 그러한 전해질 커패시터들은 비용이 비싸고 물리적으로 크며 신뢰성 문제들(HID 램프용 안정기들에 통상적인 비교적 고온 조건들에서의 동작에 의해 더 악화됨)을 갖기 쉬우며 큰 돌입 전류들을 야기한다. 대조적으로, 회로(200)에서 CLOWSIDE1 및 CLOWSIDE2는 박막 타입 커 패시터들(예를 들어, 47 나노패럿)에 의해 구현될 수 있는데, 이러한 박막 타입 커패시터들은 선행기술 회로(100)에 의해 요구되는 전해질 커패시터들보다 비용이 더 적게 들고 물리적으로 더 작으며 훨씬 더 적은 신뢰성 문제들을 갖는 경향이 있다. 게다가, 비교적 낮은 값(예를 들어, 47 나노패럿)을 갖는 커패시터들에 의해 CLOWSIDE1 및 CLOWSIDE2를 구현하는 것은 AC 전력의 처음 인가 시 직면하는 피크 돌입 전류들을 극적으로 감소시키는 부가적인 이점을 제공한다.
점화기(216)는 당업자에게 널리 알려진 다수의 적절한 점화기 장치들 중 임의의 것으로 구현할 수 있는데, 그러한 점화기(216)는 제 2 노드(212)와 제 1 출력 단자(206) 사이에 결합된다. 회로(200)의 동작 동안에, 점화기(216)는 HID 램프(10)를 점화하기 위하여 제 1 및 제 2 출력 단자들(206, 208) 사이에 적절히 높은 전압(예를 들어, 수천 볼트 정도)을 생성한다.
다이오드 서브회로는 제 1 및 제 2 입력 단자들(202, 204) 사이에 결합되고, 바람직하게 제 1 다이오드(250)와 제 2 다이오드(260)의 직렬 결합에 의해 구현된다. 제 1 다이오드(250)는 제 4 노드(218)에 결합된 애노드(252), 및 제 1 입력 단자(202)에 결합된 캐소드(254)를 갖는다. 제 2 다이오드(260)는 회로 접지(20)에 결합된 애노드(262), 및 제 4 노드(218)에 결합된 캐소드를 갖는다.
트랜스포머(240) 내에서, 2차 권선(244)은 벅 인덕터(즉, 1차 권선)(242)에 자기적으로 결합된다. 2차 권선(244)은 다이오드 서브회로(즉, 제 4 노드(218)를 경유한 다이오드들(250, 260))와 제 3 노드(214) 사이에 전기적으로 결합된다.
회로(200)의 동작 동안에, 추가로 존재하는 다이오드들(250, 260) 및 2차 권선(244)의 효과는 1차 권선(242) 및 2차 권선(244)이 동일한 와이어 권선수를 가질 때 제 2 출력 단자(208)("램프 로우(lamp low)" 또는 "LL" 단자로도 언급됨)에서의 전압을 VRAIL - VBUCK(여기서, VBUCK는 제 2 노드(212)에서의 전압으로 정의됨)와 동일하게 하는 방식으로 제어한다. 결과적으로, 회로(200)는 본질적으로 풀-브리지 장치(4개의 인버터 스위치 요구함)처럼 거동하면서, 2개의 추가적인 인버터 스위치, 풀-브리지를 구동하기 위해 요구되는 보다 광대한/복잡한 회로소자 등을 필요로 하지 않는다.
회로(200)는 이하와 같이 회로(100)에 대한 2가지 현저한 동작 중 이점들을 제공한다.
(1) 저주파수 파형을 사용하여 램프를 시동 및/또는 동작시킬 수 있는 능력
(2) 넌-제로 평균 전류로 램프를 동작시킬 수 있는 능력
선행기술 회로(100)와 달리, 회로(200)는 "개방 회로 전압(open circuit voltage; OCV)"을 생성하는데, 상기 개방 회로 전압은 풀-브리지 장치(종래의 하프-브리지 장치의 OCV의 두 배를 제공함)에 의해 제공되는 개방 회로 전압과 대등하다. 그리하여, 회로(100)와 달리, 회로(200)는 램프의 성공적인 시동을 보장하기에 충분한 "개방 회로 전압(OCV)"을 생성하기 위하여 고주파수 공진 또는 준-공진 동작(즉, 벅 인덕터 및 벅 커패시터들의 자연 공진 주파수, 또는 그것의 일부에서 또는 그 근처에서 인버터 스위치들을 고주파수 스위칭하는 것)에 의존할 필요가 없 다.
선행기술 회로(100)에서, 로우-사이드 커패시터들은 적절한 램프 동작이 유지될 수 있는 지점을 너머 선 램프 로우(lamp low) 또는 LL 단자(노드(114))의 전위의 현저한 변화없이는 매우 짧은 시간 동안(대부분 로우-사이드 커패시터들의 커패시턴스 값에 의해 영향 받음)에만 주어진 극성의 램프 전류 흐름을 지지할 수 있다. 결과적으로, 선행기술 회로(100)는 램프의 저주파수 여기를 지지할 수 없고, 부가하여 제로 평균 전류로 램프를 동작시키는 것에 제한된다. 반대로, 회로(200)에서, 램프 로우 또는 LL 단자(노드(214))의 전위는 상기 회로에 의해 능동적으로 제어된다. 따라서, 선행기술 회로(100)와 달리, 회로(200)는 저주파수 여기를 사용하여 시동 단계 동안 램프를 적절히 구동할 수 있다(이것은 램프 시동 프로세스에 유리하고, 그리하여 램프의 유용한 동작 수명에 유리한 것으로 믿어짐). 게다가, 회로(200)는 저주파수 여기를 사용하는 램프의 안정-상태 전력 공급을 허용하고, 또한 넌-제로 평균 전류로 램프에 안정-상태 전력 공급하는 것을 도모한다[예를 들어, 일정 전력에서 동작하는 비대칭(예를 들어, 수직 배향) 램프들에 대해 바람직함].
선행기술 회로(100)에서, "램프 로우" 단자(108)에서의 전압은 CLOWSIDE1 및 CLOWSIDE2의 커패시턴스에 반비례하여 변화함이 관찰되었다. 반대로, 회로(200)에서, "램프 로우" 단자(208)에서의 전압은 주로 인버터의 동작에 의해 제어되고(즉, 앞서 설명한 대로 VRAIL - VBUCK과 동일하도록), 그리하여 CLOWSIDE1 및 CLOWSIDE2의 커패시턴 스에 의해 거의 영향을 받지 않는다. 결과적으로(앞서 논의된 바와 같이), 회로(200)의 CLOWSIDE1 및 CLOWSIDE2는 회로(100)에 요구되는 것보다 훨씬 더 작은 커패시턴스로 구현될 수 있고, 이러한 점은 재료 비용, 크기, 신뢰성 및 피크 돌입 전류의 관점에서 현저한 이점들을 제공한다.
일 실시예에서, 1차 권선(242) 및 2차 권선(244)은 약하게 결합된다. 약한 결합(loose coupling)은 불완전 자기 결합(imperfect magnetic coupling)으로서 언급되는데, "램프 로우" 단자(208)에서의 전압에 존재하는 파동(ripple)을 필터링(감소)하는데 유용한 소위 누설 인덕턴스(본질적으로 1차 권선(242)에 직렬로 있는 추가 인덕턴스로서 거동)를 부가하는 효과를 갖는다.
또 다른 실시예에서, 1차 권선(242) 및 2차 권선(244)은 동일하지 않은 와이어 권선수를 갖는다. 노드(212)에서의 전압(노드(212)에서 전압은 VBUCK와 동일함)에 대한 "램프 로우" 단자(208)에서의 전압 이탈의 크기를 증가 또는 감소시키기 위하여 1차 및 2차 권선들(242, 244)에 대해 동일하지 않은 권선수를 갖는 것이 바람직할 수도 있다.
본 발명은 특정 바람직한 실시예들을 참조하여 기술되었지만, 여러 수정예들 및 변형예들이 본 발명의 신규한 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 당업자에 의해 구성될 수 있다.

Claims (17)

  1. 고휘도 방전(HID) 램프에 전력을 공급하기 위한 회로로서,
    실질적으로 직류(DC)인 전압의 소스를 받아들이기 위한 제 1 및 제 2 입력 단자들;
    HID 램프에 결합하도록 적응된 제 1 및 제 2 출력 단자들;
    상기 제 1 입력 단자와 제 1 노드 사이에 결합된 제 1 인버터 스위치;
    상기 제 1 노드와 회로 접지 사이에 결합된 제 2 인버터 스위치 - 여기서, 회로 접지는 상기 제 2 입력 단자에 결합됨 -;
    상기 제 1 노드와 제 2 노드 사이에 결합된 벅 인덕터(buck inductor);
    상기 제 1 입력 단자와 상기 제 2 노드 사이에 결합된 제 1 벅 커패시터;
    상기 제 2 노드와 회로 접지 사이에 결합된 제 2 벅 커패시터;
    상기 제 1 입력 단자와 제 3 노드 사이에 결합된 제 1 로우-사이드(low-side) 커패시터 - 여기서, 상기 제 3 노드는 상기 제 2 출력 단자에 결합됨 -;
    상기 제 3 노드와 회로 접지 사이에 결합된 제 2 로우-사이드 커패시터; 및
    상기 제 2 노드와 상기 제 1 출력 단자 사이에 결합된 점화기;
    를 포함하고
    상기 제 1 및 제 2 입력 단자들 사이에 결합된 다이오드 서브회로; 및
    상기 벅 인덕터에 자기적으로 결합되고, 상기 다이오드 서브회로와 상기 제 3 노드 사이에 결합된 2차 권선;
    을 더 포함하는,
    전력 공급 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다이오드 서브회로는 2개 다이오드들의 직렬 결합을 포함하는,
    전력 공급 회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다이오드 서브회로는,
    제 4 노드에 결합된 애노드 및 상기 제 1 입력 단자에 결합된 캐소드를 가진 제 1 다이오드; 및
    회로 접지에 결합된 애노드 및 상기 제 4 노드에 결합된 캐소드를 가진 제 2 다이오드;
    를 포함하는,
    전력 공급 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 2차 권선은 상기 제 4 노드에서 상기 다이오드 서브회로에 결합되는,
    전력 공급 회로.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 로우-사이드 커패시터들은 각각 약 68 마이크로패럿보다 적어도 수개 차수 낮은 크기의 커패시턴스를 갖는,
    전력 공급 회로.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 로우-사이드 커패시터들은 각각 제 1 커패시턴스를 갖고,
    상기 제 1 및 제 2 벅 커패시터들은 각각 제 2 커패시턴스를 가지며,
    상기 제 1 커패시턴스와 상기 제 2 커패시턴스는 동일 차수의 크기를 갖는,
    전력 공급 회로.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제 1 커패시턴스와 제 2 커패시턴스는 대략 동일한,
    전력 공급 회로.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 로우-사이드 커패시터들은 각각 약 47 나노패럿 정도의 커패시턴스를 갖는,
    전력 공급 회로.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 벅 인덕터 및 상기 2차 권선은 약하게 결합되는,
    전력 공급 회로.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 벅 인덕터와 상기 2차 권선은 동일하지 않은 와이어 권선수를 갖는,
    전력 공급 회로.
  11. 고휘도 방전(HID) 램프에 전력을 공급하기 위한 회로로서,
    상기 회로는,
    실질적으로 직류(DC)인 전압(VRAIL)의 소스를 받아들이기 위한 제 1 및 제 2 입력 단자들(202, 204);
    HID 램프(10)에 결합하도록 적응된 제 1 및 제 2 출력 단자들(206, 208);
    상기 제 1 입력 단자(202)와 제 1 노드(210) 사이에 결합된 제 1 인버터 스위치(SW1);
    상기 제 1 노드(210)와 회로 접지(20) 사이에 결합된 제 2 인버터 스위치(SW2) - 여기서, 회로 접지(20)는 상기 제 2 입력 단자(204)에 결합됨 -;
    상기 제 1 입력 단자(202)와 제 2 노드(212) 사이에 결합된 제 1 벅 커패시터(CBUCK1);
    상기 제 2 노드(212)와 회로 접지(20) 사이에 결합된 제 2 벅 커패시터(CBUCK2);
    상기 제 1 입력 단자(202)와 제 3 노드(214) 사이에 결합된 제 1 로우-사이드 커패시터(CLOWSIDE1) - 여기서, 상기 제 3 노드(214)는 상기 제 2 출력 단자(208)에 결합됨 -;
    상기 제 3 노드(214)와 회로 접지(20) 사이에 결합된 제 2 로우-사이드 커패시터(CLOWSIDE2);
    상기 제 2 노드(212)와 상기 제 1 출력 단자(206) 사이에 결합된 점화기(216);
    제 4 노드(218)에 결합된 애노드(252) 및 상기 제 1 입력 단자(202)에 결합된 캐소드(254)를 가진 제 1 다이오드(250); 및
    회로 접지(20)에 결합된 애노드(262) 및 상기 제 4 노드(218)에 결합된 캐소드(264)를 가진 제 2 다이오드(260);
    트랜스포머(240);
    를 포함하고,
    상기 트랜스포머(240)는,
    상기 제 1 노드(210)와 상기 제 2 노드(212) 사이에 결합된 1차 권선(242); 및
    상기 제 4 노드(218)와 상기 제 3 노드(214) 사이에 결합된 2차 권선;
    을 포함하는,
    전력 공급 회로.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 로우-사이드 커패시터들(CLOWSIDE1, CLOWSIDE2)은 각각 약 68 마이크로패럿보다 적어도 수개 차수 낮은 크기의 커패시턴스를 갖는,
    전력 공급 회로.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 로우-사이드 커패시터들(CLOWSIDE1, CLOWSIDE2)의 커패시턴스는 약 47 나노패럿 정도인,
    전력 공급 회로.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 로우-사이드 커패시터들(CLOWSIDE1, CLOWSIDE2)은 각각 제 1 커패시턴스를 갖고,
    상기 제 1 및 제 2 벅 커패시터들(CBUCK1, CBUCK2)은 각각 제 2 커패시턴스를 가지며,
    상기 제 1 커패시턴스와 상기 제 2 커패시턴스는 동일 차수의 크기를 갖는,
    전력 공급 회로.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제 1 커패시턴스와 제 2 커패시턴스는 대략 동일한,
    전력 공급 회로.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 트랜스포머(240)의 상기 1차 및 2차 권선들(242, 244)은 약하게 결합되는,
    전력 공급 회로.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 트랜스포머(240)의 상기 1차 및 2차 권선들(242, 244)은 동일하지 않은 와이어 권선수를 갖는,
    전력 공급 회로.
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