KR20090083202A - Led package and back light unit using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 엘이디 패키지 및 이를 이용한 백라이트 유니트에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상방 및 측방으로의 광 방출이 가능한 엘이디 패키지 및 이를 이용한 백라이트 유니트에 관한 것이다.The present invention relates to an LED package and a backlight unit using the same, and more particularly, to an LED package capable of emitting light upward and to the side and a backlight unit using the same.
발광다이오드(light emission diode, 이하, LED라 함)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다. 현재, 이와 같은 반도체 소자가 전자부품에 패키지형태로 많이 채택되고 있다.A light emitting diode (hereinafter, referred to as an LED) is a semiconductor device capable of realizing various colors by configuring a light emitting source by changing compound semiconductor materials such as GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, and AlGaInP. Say. At present, many such semiconductor devices have been adopted in the form of packages in electronic components.
이와 같이 구성된 LED 패키지의 현재 응용(application) 동향은 전자기기의 단순 인디케이터(indicator)에서 모바일 폰의 플래쉬 램프를 거쳐 간접조명/LCD TV의 백라이트 유니트로 진행되고 있으며, 더 나아가서는 직접조명으로 진행될 가능성이 높다.The current application trend of the LED package configured as described above is progressing from the simple indicator of the electronic device to the backlight unit of the indirect lighting / LCD TV through the flash lamp of the mobile phone, and furthermore, the possibility of the direct lighting. This is high.
통상적으로, 평판형 표시장치 등에 채용되는 백라이트 유니트는 광원(램프)(예컨대, LED 패키지)의 위치에 따라 에지형(edge type방식 또는 side view방식 이라고 함)과 직하형(direct type방식 또는 top view방식이라고 함)으로 크게 구분된다. Typically, a backlight unit employed in a flat panel display or the like has edge type (called edge type or side view type) and direct type (direct type or top view) depending on the position of a light source (lamp) (eg, LED package). Method).
통상적으로, 에지형 백라이트 유니트는 도광판의 측면에 램프 유닛(예컨대, 엘이디 패키지)이 설치되는 구조이고, 직하형 백라이트 유니트는 확산판의 하부면에 하나 이상의 램프 유닛(예컨대, 엘이디 패키지)을 일렬로 배열시켜 평판형 표시장치에 전면적으로 광을 조사하는 구조이다. In general, an edge type backlight unit has a structure in which a lamp unit (eg, an LED package) is installed at a side surface of the light guide plate, and a direct backlight unit has one or more lamp units (eg, an LED package) in a line on a lower surface of the diffuser plate. It is arranged to irradiate light on the entire flat panel display.
평판형 표시장치에 직하형 백라이트 유니트를 직접 설치하는 경우에는 각각의 화소별로 하나씩의 엘이디 패키지를 설치해야 되므로, 매우 많은 수의 엘이디 패키지를 사용해야 된다는 문제가 있다.In case of installing the direct type backlight unit directly on the flat panel display device, one LED package must be installed for each pixel, and thus, a large number of LED packages must be used.
그에 따라, 도 1 및 도 2에서와 같이 바(bar) 타입의 베이스 기판(10)의 상면에 한 쌍의 에지형(side view)의 엘이디 패키지(12a, 12b)를 일렬로 복수개 배치한 백라이트 유니트가 사용된다. 이와 같은 에지형의 엘이디 패키지(즉, 반사판을 갖춘 엘이디 패키지)는 많이 제안된 상태이다.Accordingly, as shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of backlight units including a pair of side
도 1 및 도 2의 백라이트 유니트의 경우, 좌측의 엘이디 패키지(12a)는 좌측 방향으로의 광 방출만을 행하게 설치되고, 우측의 엘이디 패키지(12b)는 우측 방향으로의 광 방출만을 행하게 설치된다. 즉, 베이스 기판(10)의 상면으로는 광 방출이 이루어지지 않고 베이스 기판(10)의 좌측 방향 및 우측 방향으로의 광 방출만이 이루어진다. 다시 말해서, 도 1 및 도 2의 백라이트 유니트는 에지형의 엘이디 패키지를 사용한 것이다.In the case of the backlight unit of Figs. 1 and 2, the
도 1 및 도 2에서와 같은 백라이트 유니트는 빛이 좌우로만 퍼져서 화면을 전체적으로 비추게 되므로 직하형 백라이트 유니트에 비해 적은 수의 엘이디 패키지를 사용한다.The backlight unit as shown in FIGS. 1 and 2 uses fewer LED packages than the direct-type backlight unit because light spreads only from side to side to illuminate the entire screen.
그러나, 도 1 및 도 2의 백라이트 유니트는 엘이디 패키지(12a, 12b)의 상면으로의 광 방출이 이루어지지 않으므로 정면에서 바라보았을 경우 베이스 기판(10)의 장축을 따라 음영(암(暗)부라고도 함)이 발생한 것처럼 보인다. 이는 화질을 저하시킬 뿐만 아니라 시각적으로도 좋지 않고 제품의 신뢰성을 떨어뜨리게 된다. However, the backlight unit of FIGS. 1 and 2 does not emit light to the upper surfaces of the
또한, 도 1 및 도 2의 백라이트 유니트는 렌즈를 사용하지 않을 경우 대부분 대략 60도 ~ 80도 정도의 지향각을 얻게 된다. 그래서, 지향각을 대략 120도 정도로 넓히기 위해 반구 형상의 렌즈를 부수적으로 설치하였다. 이 경우, 원하는 지향각을 얻을 수 있을 정도의 정교한 렌즈를 제작해야 되는데, 정교하게 렌즈를 제작하는 것이 매우 어렵다. 그리고, 렌즈를 제작하였다고 하더라도 렌즈를 엘이디 패키지의 전면(즉, 상면)에 정확하게 부착시키는 것이 어렵다. 렌즈를 엘이디 패키지의 전면에 부착시켰다고 하더라도 정확한 제위치에 부착되지 않은 경우에는 원하는 지향각을 얻을 수 없게 된다.In addition, in the backlight unit of FIGS. 1 and 2, a direction angle of about 60 degrees to about 80 degrees is obtained when most of the backlight units are not used. Thus, hemispherical lenses were additionally installed to widen the orientation angle to approximately 120 degrees. In this case, it is necessary to fabricate a lens that is sophisticated enough to obtain a desired orientation angle, and it is very difficult to manufacture the lens precisely. And even if the lens is manufactured, it is difficult to accurately attach the lens to the front surface (ie, the upper surface) of the LED package. Even if the lens is attached to the front of the LED package, it will not be able to achieve the desired orientation angle if it is not attached in the correct position.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 음영이 발생되지 않게 하고 넓은 지향각을 얻을 수 있도록 한 엘이디 패키지를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to provide an LED package in which a shadow is generated and a wide direct angle can be obtained.
본 발명의 다른 목적은 그러한 엘이디 패키지를 채용한 백라이트 유니트를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a backlight unit employing such an LED package.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 엘이디 패키지는, 상면에 패턴 전극이 형성된 기판; 기판의 상면에 탑재된 발광소자; 및 기판의 상면에 탑재되되, 발광소자의 상방 및 측방을 덮어, 발광소자에서 방출된 광을 상방 및 측방으로 방출시키는 형광체 블록을 포함한다.In order to achieve the above object, the LED package according to a preferred embodiment of the present invention, the substrate on which the pattern electrode is formed; A light emitting device mounted on an upper surface of the substrate; And a phosphor block mounted on the upper surface of the substrate and covering the upper and side sides of the light emitting element to emit the light emitted from the light emitting element upward and side.
패턴 전극의 사이즈는 기판의 상면의 사이즈에 비해 작다.The size of the pattern electrode is smaller than the size of the upper surface of the substrate.
기판의 저면에는 솔더 패드가 형성되고, 솔더 패드는 스루 홀을 통해 패턴 전극과 연결된다.Solder pads are formed on the bottom of the substrate, and the solder pads are connected to the pattern electrodes through the through holes.
기판의 측부에는 솔더 패드와 연결된 보조 솔더 패드가 형성된다.An auxiliary solder pad connected to the solder pad is formed at the side of the substrate.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 백라이트 유니트는, 앞서 기재한 구성상의 특징을 갖는 엘이디 패키지가 하나 이상으로 배열된다.On the other hand, in the backlight unit according to the embodiment of the present invention, one or more LED packages having the above-described configuration features are arranged.
이러한 구성의 본 발명에 따르면 하기와 같은 효과가 있다.According to the present invention of such a configuration has the following effects.
1) 본 발명의 실시예의 엘이디 패키지는 발광소자의 광을 형광체 블록을 통해 상방 및 측방으로 방출시키므로 종래의 에지형(side view) 엘이디 패키지 및 직하형 엘이디 패키지에 비해 지향각이 넓다. 그리고, 본 발명의 실시예의 엘이디 패키지는 반사판을 사용하지 않으므로 종래의 에지형 엘이디 패키지 및 직하형 엘이디 패키지에 비해 구조가 간단하다.1) Since the LED package of the embodiment of the present invention emits light of the light emitting device upward and laterally through the phosphor block, the orientation angle is wider than that of the conventional side view LED package and the direct LED package. In addition, since the LED package of the embodiment of the present invention does not use a reflecting plate, the structure is simpler than that of the conventional edge type LED package and the direct type LED package.
2) 본 발명의 실시예의 엘이디 패키지는 패턴 전극의 사이즈를 기판의 상면의 사이즈에 비해 작게 함으로써, 형광체 블록과 기판의 결합을 위한 공정(예컨대, 오븐 큐어링 등)을 수행함에 따라 발생되는 계면분리를 최소화시키는 효과가 있다. 2) In the LED package according to the embodiment of the present invention, the size of the pattern electrode is smaller than the size of the upper surface of the substrate, so that the interface separation generated by performing a process for bonding the phosphor block and the substrate (eg, oven curing, etc.). Minimize the effect.
3) 본 발명의 실시예의 엘이디 패키지는 솔더 패드를 기판의 저면에 형성시킴으로써 엘이디 패키지의 표면실장이 가능하다. 3) In the LED package according to the embodiment of the present invention, the solder package is formed on the bottom surface of the substrate to allow surface mounting of the LED package.
4) 본 발명의 실시예의 엘이디 패키지는 솔더 패드의 납땜이 어려울 경우 보조 솔더 패드를 납땜하여도 되므로, 납땜의 용이성을 제공함과 더불어 엘이디 패키지의 표면실장을 도와준다. 4) In the LED package of the embodiment of the present invention, if the solder pad is difficult to solder, the secondary solder pad may be soldered, thereby providing ease of soldering and helping surface mounting of the LED package.
5) 본 발명의 실시예의 백라이트 유니트는 측방 및 상방으로의 광 방출이 가능한 엘이디 패키지를 하나씩 일렬로 배열시킴으로써, 종래에 비해 적은 수의 엘이디 패키지를 사용하고서도 베이스 기판에 음영(암부)이 발생하지 않게 된다. 이는 화질 및 제품의 신뢰성을 향상시킨다. 5) The backlight unit according to the embodiment of the present invention arranges LED packages capable of emitting light to the side and upward one by one, so that shadows (dark areas) do not occur on the base substrate even though fewer LED packages are used than in the prior art. do. This improves image quality and product reliability.
6) 본 발명의 실시예의 백라이트 유니트는 엘이디 패키지가 모든 방향으로 발광하므로 종래의 CCFL(냉음극 형광램프)과 같은 면광원의 효과를 얻을 수 있게 된다.6) In the backlight unit of the embodiment of the present invention, since the LED package emits light in all directions, it is possible to obtain the effect of a surface light source such as a conventional CCFL (cold cathode fluorescent lamp).
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지 및 이를 이용한 백라이트 유니트에 대하여 설명하면 다음과 같다. 이하에서는 엘이디 패키를 세라믹 패키지, 플라스틱 패키지, 리드 프레임 타입 패키지, 플라스틱 + 리드 프레임 타입 패키지 등 모든 SMD 타입 패키지인 것으로 가정하고 설명한다.Hereinafter, an LED package and a backlight unit using the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, it is assumed that the LED package is any SMD type package such as a ceramic package, a plastic package, a lead frame type package, and a plastic + lead frame type package.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 구성을 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 도 5의 결합상태도이다.3 to 5 are views for explaining the configuration of the LED package according to an embodiment of the present invention, Figure 6 is a coupling state diagram of FIG.
본 발명의 실시예의 엘이디 패키지는 기판(20), 형광체 블록(30), 및 엘이디 칩(40)을 포함한다.The LED package of the embodiment of the present invention includes the
기판(20)은 엘이디 칩(40)(발광소자)을 고밀도로 실장할 수 있으면 어느 것이나 가능하다. 예를 들어, 기판(20)의 재질로는 알루미나(alumina), 수정(quartz), 칼슘지르코네이트(calcium zirconate), 감람석(forsterite), SiC, 흑연, 용융실리카(fusedsilica), 뮬라이트(mullite), 근청석(cordierite), 지르코니아(zirconia), 베릴리아(beryllia), 및 질화알루미늄(aluminum nitride), LTCC(low temperature co-fired ceramic), 플라스틱, 바리스터 등이 가능하다. 바람직하게는, ZnO계열의 바리스터 재료를 사용하여 제조함이 가장 좋다. 왜냐하면 ZnO계열의 바리스터가 열전도율이 높기 때문이다. ZnO를 주성분으로 하는 바리스터 재료로 제조하게 되면 바리스터로서의 기능을 수행할 뿐만 아니라 바리스터 자체의 높은 열전도성으로 인해 엘이디 패키지의 온도를 신속하게 낮출 수 있게 된다. 본 발명의 실시예에서는 기판(20)의 재질을 세라믹으로 가정한다. 세라믹은 그 위에 금속 도체 배선 패턴을 형성하여 소성공정을 통해 적층형 세라믹 패키지(multi-layer ceramic package; MLP)로 사용이 가능하다. The board |
기판(20)의 상면에는 패턴 전극(22, 24)이 형성된다. 패턴 전극은 상호 이격된 캐소드 전극(22)과 애노드 전극(24)으로 이루어진다. 예를 들어 패턴 전극(22, 24)은 온(Ag)으로 도금한 리드 프레임과 같은 형태를 취한다. 애노드 전극(24)은 기판(20)상에서 엘이디 칩 실장영역(즉, 기판의 상면 중앙부)에 형성된 캐소드 전극(22)과 전기적인 절연을 위해 이격되게 형성된다.
도면에서는 기판(20)의 평면 형상을 직사각형으로 하였으나, 정사각형이어도 무방하다. 기판(20)의 평면 형상이 정사각형이라면 형광체 블록(30)의 평면 형상도 정사각형일 것이다. 실험을 통해 확인해 본 결과, 평면 형상을 정사각형으로 하였을 경우가 직사각형으로 하였을 경우에 비해 대체적으로 지향각이 큼을 알 수 있었다.Although the planar shape of the board |
패턴 전극(22, 24)의 사이즈(길이, 폭)는 기판(20)의 상면의 사이즈(길이, 폭)에 비해 작게 한다. 이는 추후에 형광체 블록(30)과 기판(20)의 결합을 위한 공정(예컨대, 오븐 큐어링 등)을 수행함에 따라 발생되는 계면분리를 최소화하기 위해서이다. 즉, 패턴 전극(22, 24)의 테두리가 기판(20)의 상면에서 인접한 측면으로 노출된 경우에는 형광체 블록(30)과 기판(20)의 결합을 위한 공정에 의해 계면분리가 발생할 소지가 많다. 그래서, 각각의 캐소드 전극(22)과 애노드 전극(24)의 테두리 부분을 소정치 제거함으로써 계면분리를 최소화할 수 있게 된다. The size (length and width) of the
기판(20)의 저면에는 솔더 패드(26, 28)가 형성된다. 솔더 패드(26)와 솔더 패드(28)는 각각 이격된다. 솔더 패드(26)는 기판(20)을 관통하는 스루 홀(25)(through hole)을 통해 기판 상면의 캐소드 전극(22)과 연결된다. 솔더 패드(28)는 기판(20)을 관통하는 스루 홀(25)을 통해 기판 상면의 애노드 전극(24)과 연결된다. 솔더 패드(26, 28)에 의해 완성된 엘이디 패키지의 표면실장이 가능하다.
한편, 기판(20)의 측부에는 솔더 패드(26, 28)와 각각 연결되는 보조 솔더 패드(23)가 형성된다. 보조 솔더 패드(23)는 추가적인 사항으로서, 필요에 따라 없어도 된다. 보조 솔더 패드(23)는 Ag, AgPd, Au 등이 코팅된 것으로 한다. AgPd의 경우 Pd의 비율은 기판(20)의 재료와의 물성을 고려하여 선택된다. Ag, AgPd, Au를 사용하는 이유는 솔더와의 반응이 우수하기 때문이다. 각각의 조건 등을 고려하여 보조 솔더 패드(23)의 코팅재질을 결정하면 된다. Ag, AgPd, Au 등을 코팅하는 방법으로는 Ag, AgPd, Au 등의 도전성 재질을 미세 분말로 만들어 유기 바인더와 혼합하여 페이스트화한 후에 스크린을 이용하여 기판(20)의 일측부 하부의 홈의 벽면에 코팅하는 방법을 일반적으로 사용하면 된다. 상기 설명한 코팅 방법 이외로 코팅가능한 방법이 있다면 채용가능하다. 보조 솔더 패드(23)가 각각의 홈에 완전히 채워지게 되면 얇게 코팅된 것에 비해 단품을 위한 절단(sawing)시 보조 솔더 패드(23)가 떨어져 나갈 가능성이 높기 때문에 얇게 코팅하게 된다. 물론, 엘이디 패키지의 표면실장후 리플로우 공정에서 발생될 수 있는 박리를 방지하기 위한 인쇄(또는 도금)공정을 추가로 행하여도 된다. Meanwhile,
따라서, 엘이디 패키지를 직하형(top view방식)으로 실장시키게 되면(즉, 도 6과 같은 상태로 실장) 기판(20)의 저면의 솔더 패드(26, 28)가 하부의 PCB기판(도시 생략)에 납 등으로 접합된다. 물론, 이때, 솔더 패드(26, 28)의 납땜이 어려울 경우 보조 솔더 패드(23)를 납땜하여도 된다. 즉, 보조 솔더 패드(23)는 납땜의 용이성을 제공한다. Therefore, when the LED package is mounted in a top view (ie, mounted as shown in FIG. 6), the
엘이디 칩(40)이 패턴 전극(예컨대, 캐소드 전극(22))상에 탑재된다. 엘이디 칩(40)은 와이어(42)를 통해 애노드 전극(24)에 전기적으로 연결된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 엘이디 칩(40)과 엘이디 칩(40)이 실장되는 캐소드 전극(22) 사이는 절연물질에 의해 절연되어 있다. 물론, 필요에 따라서는 애노드 전극을 캐소드 전극으로 하고 캐소드 전극을 애노드 전극으로 교체할 수도 있는데, 이 경우에는 구동전원 인가방식을 반대로 하면 된다.The
엘이디 칩(40)이 탑재된 기판(20)의 상면에는 형광체 블록(30)이 적층된다. 형광체 블록(30)은 형광체(예컨대, yellow phosphor) 및 실리콘(또는 에폭시)이 소정의 배합비율에 따라 배합된 것이다. 엘이디 칩(40)에서의 광이 형광체 블록(30)을 통과하여 백색광을 표현할 수 있도록 형광체의 배합 정도가 조절됨은 당연하다.The
본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지는 별도의 반사판을 구비하지 않는다. 그에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지는 도 7에서와 같이 좌우 측면(a방향; 측방)으로의 발광 및 상면(b방향; 상방)으로의 발광이 가능하다. 그리고, 도 7에서 엘이디 패키지(50)의 장축을 X축이라고 하고 단축을 Y축이라고 설정 하고, X축과 Y축의 광도를 비교하여 보면 하기의 표 1과 같다.The LED package according to the embodiment of the present invention does not have a separate reflector. Accordingly, the LED package according to the embodiment of the present invention is capable of emitting light to the left and right side (a direction; side) and to the top surface (b direction; upward) as shown in FIG. In addition, in FIG. 7, the long axis of the
< 표 1 ><Table 1>
즉, 상방 발광에 의한 광도("0.578")를 100% 라고 한다면 측방 발광에 의한 광도("0.256")는 상방 발광에 의한 광도의 44% 정도이다. 다시 말해서, 상방 발광 대비 측방 발광의 광도가 대략 50% 이다.That is, if the luminous intensity ("0.578") by the upper emission is 100%, the luminous intensity ("0.256") by the side emission is about 44% of the luminous intensity by the upper emission. In other words, the luminous intensity of side light emission relative to top light emission is approximately 50%.
한편, X축을 기준으로 한 지향각 및 Y축을 기준으로 한 지향각을 살펴보면, 도 8의 배광곡선과 같다. X축(단축) 지향각은 도 8의 (a)에서와 같이 대략 160도 ~ 170도 정도이고, Y축(장축) 지향각은 도 8의 (b)에서와 같이 대략 140도 ~ 145도 정도이다.On the other hand, looking at the orientation angle based on the X-axis and the orientation angle based on the Y-axis, as shown in the light distribution curve of FIG. The X-axis (short axis) orientation angle is about 160 degrees to 170 degrees as in FIG. 8A, and the Y-axis (long axis) orientation angle is about 140 degrees to 145 degrees as in FIG. to be.
본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지는 반사판을 구비하지 않으므로, 엘이디 칩(40)에서의 광이 형광체 블록(30)을 통해 넓게 퍼지면서 방출된다. 그래서, 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지는 종래의 에지형 또는 직하형 엘이디 패키지의 지향각에 비해 큰 지향각을 갖는다.Since the LED package according to the embodiment of the present invention does not have a reflecting plate, light from the
상술한 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지에 대한 제조공정에 대해서는 별도로 설명하지 않았다. 본 발명의 실시예의 엘이디 패키지는 예를 들어, 원판의 기판에 리드 프레임판을 얹힌 후에 엘이디 칩을 탑재한다. 그 후에, 엘이디 칩을 와이어 본딩하고 나서 원판의 형광체 블록판을 몰딩방식 등으로 얹힌 후에 소잉(sawing) 기계로 소잉하여 도 6과 같은 단품의 엘이디 패키지를 완성시킨다. 이러한 제조공정에 대해서는 별도의 도면을 제시하지 않았지만, 동종업계에 종사하는 자라면 앞서 설명한 구조를 근거로 주지의 기술을 이용하여 충분히 제조할 수 있다.The manufacturing process for the LED package according to the embodiment of the present invention described above has not been described separately. In the LED package according to the embodiment of the present invention, the LED chip is mounted after, for example, the lead frame plate is placed on the substrate of the original plate. Thereafter, after the LED chip is wire bonded, the phosphor block plate of the original plate is placed in a molding method or the like, and then sawed by a sawing machine to complete the single package LED package as shown in FIG. Although no separate drawings have been presented for such a manufacturing process, those skilled in the same industry can fully manufacture using known techniques based on the structure described above.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지가 채용된 백라이트 유니트를 나타낸 도면이다. 9 is a diagram illustrating a backlight unit employing an LED package according to an exemplary embodiment of the present invention.
상술한 바와 같은 구성의 엘이디 패키지(즉, 측방 및 상방으로의 발광이 가능한 엘이디 패키지)는 백라이트 유니트에 채용가능하다. 즉, 복수개의 엘이디 패키지(50)가 바 타입의 베이스 기판(10)에 상호 소정 간격으로 이격되어 하나씩 일렬로 배치된다.The LED package having the above-described configuration (that is, the LED package capable of emitting light in the side and upward) can be employed in the backlight unit. That is, the plurality of
물론, 필요에 따라서는 한 쌍의 엘이디 패키지(50)를 하나의 그룹으로 하여 도 2와 같이 일렬로 배치시켜도 무방하다.Of course, if necessary, the pair of
도 9와 같이 베이스 기판(10)상에 엘이디 패키지(50)(즉, 측방 및 상방으로의 발광이 가능한 엘이디 패키지)를 설치하게 되면, 종래(도 2)에 비해 적은 수의 엘이디 패키지를 사용하게 된다. 또한, 측방 및 상방으로의 발광이 이루어져서 베이스 기판(10)의 장축을 따라 음영(암(暗)부라고도 함)이 발생하지 않게 된다. 이 는 종래와 비교하여 화질을 향상시킬 뿐만 아니라 시각적으로도 좋고 제품의 신뢰성을 향상시키게 된다. When the LED package 50 (that is, the LED package capable of emitting light to the side and upward) is installed on the
한편, 본 발명은 상술한 실시예로만 한정되는 것이 아니라 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 수정 및 변형하여 실시할 수 있고, 그러한 수정 및 변형이 가해진 기술사상 역시 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다.On the other hand, the present invention is not limited only to the above-described embodiment, but can be modified and modified within the scope not departing from the gist of the present invention, the technical idea to which such modifications and variations are also applied to the claims Must see
도 1 및 도 2는 일반적인 백라이트 유니트의 구성을 설명하기 위한 도면이다.1 and 2 are views for explaining the configuration of a general backlight unit.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 구성을 설명하기 위한 도면이다.3 to 5 are views for explaining the configuration of the LED package according to an embodiment of the present invention.
도 6은 도 5의 결합상태도이다.6 is a state diagram of FIG.
도 7은 본 발명의 실시예예에 따른 엘이디 패키지의 발광 방향을 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining a light emitting direction of the LED package according to an embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지의 지향각을 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining the orientation angle of the LED package according to an embodiment of the present invention.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 엘이디 패키지가 채용된 백라이트 유니트를 나타낸 도면이다.9 is a diagram illustrating a backlight unit employing an LED package according to an exemplary embodiment of the present invention.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>
20 : 기판 22, 24 : 패턴 전극20:
23 : 보조 솔더 패드 25 : 스루 홀23: secondary solder pad 25: through hole
26, 28 : 솔더 패드 30 : 형광체 블록26, 28: solder pad 30: phosphor block
40 : 엘이디 칩 42 : 와이어40: LED chip 42: wire
50 : 엘이디 패키지50: LED package
Claims (5)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080009216A KR20090083202A (en) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | Led package and back light unit using the same |
PCT/KR2009/000363 WO2009096685A2 (en) | 2008-01-29 | 2009-01-23 | Led package, and a production method therefor, and a device using the led package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080009216A KR20090083202A (en) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | Led package and back light unit using the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090083202A true KR20090083202A (en) | 2009-08-03 |
Family
ID=41204179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080009216A KR20090083202A (en) | 2008-01-29 | 2008-01-29 | Led package and back light unit using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20090083202A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019221508A1 (en) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 서울반도체 주식회사 | Light-emitting diode, light-emitting diode module, and display device having same |
CN112687782A (en) * | 2020-12-28 | 2021-04-20 | 厦门天马微电子有限公司 | Display panel, preparation method thereof and display device |
US11355685B2 (en) | 2018-05-18 | 2022-06-07 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode, light emitting diode module, and display device having the light emitting diode module |
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2008
- 2008-01-29 KR KR1020080009216A patent/KR20090083202A/en not_active Application Discontinuation
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