KR20090080944A - 금속 표면의 화학적 보호 방법 - Google Patents
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Abstract
금속 표면 상의 보호층 형성 방법은 다음 단계들을 포함한다: 산소 함유층을 갖는 금속 물질을 제공하는 단계; 적어도 두 화합물들을 금속 물질의 산소 함유 층에 적용하는 단계, 여기서 적용된 제 1 화합물은 분자적으로 대형인 화합물임; 및 적어도 제 2 화합물을 금속 물질의 산소 함유층에 적용하는 단계, 여기서 제 2 화합물은 분자적으로 소형임.
Description
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 2006년 9월 19일자로 출원된 미국 특허 출원 제 11/532,945 호의 우선권을 주장하며, 이의 내용은 본 명세서에 참조 병합되어 있다.
본 발명의 분야
본 발명은 금속 표면의 화학적 보호 방법에 관한 것이다.
본 발명의 배경기술
금속 애노드, 캐소드 및 고체 또는 용매-함유 전해질을 포함하는 전기화학 전지(electrochemical cell)가 이 기술분야에 공지되어 있다. 이러한 배터리들은 반복된 충전 및 방전 사이클들에 대한 한계를 가지고 그리고 이들의 초기 충전 및 방전 용량과 비교할 때 반복된 사이클에서 이들의 충전 및 방전 용량이 저하될 수 있다. 따라서, 높은 초기 용량을 가지고 그리고 반복된 충전 및 방전 사이클들 상에서 이러한 용량을 유지하는 배터리의 개선된 제조 방법에 대한 이 기술분야에서의 필요성이 존재한다.
전기화학 전지들과 관련된 다른 문제는 반복된 충전 및 방전 사이클에 걸쳐 덴드라이트(dendrite)가 발생되는 것이다. 덴드라이트는 전기화학 전지가 충전될 때 애노드 상에서 형성될 수 있다. 덴드라이트는 반복된 사이클들에 걸쳐 성장될 수 있고 그리고 배터리의 충전 및 방전을 허용하지 않는 단락(short circuit) 또는 배터리 성능 감소에 이르게 한다. 따라서, 개선된 사이클 수명을 갖는 배터리 및 전극의 제조 방법에 대한 이 기술분야에서의 필요성이 존재한다.
본 발명의 간단한 설명
금속 표면 상의 보호층 형성 방법은 다음 단계들을 포함한다: 산소 함유 층을 갖는 금속 물질을 제공하는 단계; 적어도 두 화합물들을 금속 물질의 산소 함유층에 적용하는 단계, 여기서 적용된 제 1 화합물이 분자적으로 대형인 화합물임; 그리고 적어도 제 2 화합물을 금속 물질의 산소 함유 층에 적용하는 단계, 여기서 제 2 화합물은 분자적으로 소형임.
도면의 간단한 설명
도 1은 임피던스 시험(impedance testing)을 위한 실험 장치의 도식도(graphical depiction of an experimental setup)이고;
도 2는 금속 표면에 적용된 다양한 규소 함유 전구체들에 대한 저항의 플롯이고;
도 3은 금속 표면에 적용된 다양한 인 함유 전구체들에 대한 저항의 플롯이고;
도 4는 제 1의 분자적으로 대형인 화합물을 적용하고 그리고 이어서 제 2의 분자적으로 소형인 화합물을 적용하는 2 단계 방법의 도식도이고;
도 5는 금속 표면에 적용된 다양한 붕소 함유 전구체들에 대한 저항의 플롯이고;
도 6은 제 1의 분자적으로 대형인 화합물을 적용하고 그리고 이어서 제 2의 분자적으로 소형인 화합물을 적용하는 방법을 사용하는 다양한 샘플들에 대한 저항의 플롯이다.
바람직한 실시형태의 상세한 설명
본 명세서에 사용된 바와 같은 전기화학 전지라는 용어는 애노드, 캐소드 및 둘 사이에 개재되어 있는(interposed) 이온-전도성 전해질을 갖는 디바이스(device)를 나타낸다. 전기화학 전지는 배터리, 커패시터(capacitor) 또는 다른 이러한 디바이스일 수 있다. 배터리는 일차 또는 이차 케미스트리(chemistry)로 될 수 있다. 배터리는 고체 전해질 또는 액체 전해질을 가질 수 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같은 애노드라는 용어는 전극을 나타내며, 이는 방전 사이클동안 산화된다(oxidize).
산소 함유 층을 갖는 금속 물질을 포함하는 애노드를 갖는 전기화학 전지가 개시되어 있다. 애노드 금속 물질은 주기율표에 지시된 바와 같은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이 될 수 있다. 금속 물질의 비-제한적 예에는 다음이 포함된다: 리튬, 알루미늄, 나트륨 및 마그네슘. 본 발명의 바람직한 측면에서 금속 물질은 리튬이다.
산소 함유 층은 금속 물질을 대기에 노출시킴으로써 형성될 수 있거나 또는 이와 달리 금속 물질 상에 형성될 수 있다. 전기화학 전지는 또한 캐소드를 포함하며, 이는 어떤 적합한 물질로 형성될 수 있다. 전해질은 애노드 및 캐소드 사이에 개재되고 그리고 고체 전해질, 액체 전해질 및 겔 중합체 전해질을 포함하는 어떤 적합한 형태가 될 수 있으며, 이는 용매 및 염으로 팽창된(swollen) 중합체 매트릭스이다. 고체 전해질은 중합체-타입, 무기층 또는 이 둘의 혼합물일 수 있다. 중합체 전해질의 예에는 PEO-계, 및 PEG 계 중합체가 포함된다. 무기 전해질은 술파이드 유리, 포스파이드 유리, 옥사이드 유리 및 이의 혼합물로 이루어질 수 있다. 액체 전해질의 예에는 용해된 금속-이온 염을 갖는 카보네이트 용매, 예를 들어 에틸렌 카본/디에틸 카보네이트(EC/DEC) 중의 1 M LiPF6가 포함된다.
전기화학 전지의 애노드는 D 또는 P 블럭 전구체를 산소 함유 층과 반응시킴으로써 상부에 형성된 화학적으로 결합된 보호층을 포함한다. D 또는 P 블럭 전구체라는 용어는 주기율표의 D 또는 P 블럭의 원소들을 갖는 화합물을 포함한다. D 또는 P 블럭 원소들의 예에는 몇개만 예로 들자면 인, 붕소, 규소, 티탄, 몰리브덴, 탄탈, 바나듐이 포함된다. D 또는 P 블럭 전구체는 유기-금속 화합물이 될 수 있다. 유기-금속 화합물에 예에는 다음이 포함된다: 상부에 결합된 유기 치환체를 갖는 금속-간 화합물, 합금 및 금속. 본 발명의 바람직한 측면에서, D 또는 P 블럭 전구체는 규소, 붕소 또는 인을 포함할 수 있다. D 또는 P 블럭 전구체는 금속 물 질의 산소 함유 층과 반응하여 보호층을 형성한다.
일실시형태에서, D 또는 P 블럭 전구체는 할로겐 작용기(functionality)를 포함할 수 있다. 전구체는 다음 식 : AR1R2X 의 화학적 화합물이 될 수 있다, 여기서 A는 인 또는 붕소로부터 선택되고, X는 할로겐 또는 할로겐 함유 화합물이고, 그리고 R1은 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 또는 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기로부터 선택되고, R2는 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 또는 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기로부터 선택된다.
할로겐은 염소, 브롬, 플루오르, 및 요오드일 수 있다. 알킬, 알콕시 및 방향족기는 플루오르화되거나 또는 부분적으로 플루오르화될 수 있다.
알킬기는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, 2차-부틸, 3차-부틸, 3차-펜틸, 이소-옥틸, 3차-옥틸, 2-에틸헥실(2-ethyhexyl), 노닐, 데실, 운데실, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 1-메틸사이클로펜틸, 1-메틸사이클로헥실, 1-메틸사이클로헥실, 및 1-메틸-4-이소프로필사이클로헥실이며, 기재되지 않은 다른 알킬기가 본 발명에 사용될 수 있다. 알킬기는 또한 작용기화될 수 있다. 적합한 작용기에는 다음이 포함된다: 에테르, 술파이드, 술폭사이드.
방향족기는 페닐기, 파라, 메타 또는 오르도 위치에 알킬 치환체를 갖는 페닐기, 및 폴리방향족(polyaromatic) 화합물일 수 있다. 적합한 폴리방향족 화합물 의 비-제한적 예에는 나프탈렌 유도체가 포함된다.
본 발명의 또다른 실시형태에서, D 또는 P 블럭 전구체는 다음 식: AR1R2R3R4X 의 화학적 화합물이 될 수 있다, 여기서 A는 인이고, X는 할로겐 또는 할로겐 함유 화합물이고, 그리고 R1은 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기, 또는 산소로부터 선택되고, R2는 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기, 또는 산소로부터 선택되고, R3은 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기, 또는 산소로부터 선택되고, R4는 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기, 또는 산소로부터 선택된다.
화합물이 이중 결합된 산소 또는 다른 이중 결합된 치환체를 포함하는 경우, R 기의 수는 총 4 미만일 수 있다.
앞서 기재된 실시형태에서와 같이, 할로겐, 알킬, 알콕시 및 방향족 기들의 설명은 동일하고 그리고 반복되지 않는다.
본 발명의 또다른 실시형태에서, D 또는 P 블럭 전구체는 다음 식: SiR1R2R3X 의 화학적 화합물이 될 수 있다, 여기서 X는 할로겐 또는 할로겐 함유 화합물이고, 그리고 R1은 수소, 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 또는 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기로부터 선택되고, R2는 수소, 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 또는 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기로부터 선택되고, R3은 수소, 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 또는 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기로부터 선택된다.
앞서 기재된 실시형태에서와 같이, 할로겐, 알킬, 알콕시 및 방향족 기들의 설명은 동일하고 그리고 반복되지 않는다.
산소 함유 층을 갖는 금속 표면의 보호 방법은 적어도 두 화합물들을 금속 물질의 산소 함유 층에 적용하는 단계를 포함한다. 이 방법은 금속 표면의 산소 함유 층에 적용되는 복수의 화합물들을 포함할 수 있거나 또는 두 화합물들을 포함할 수 있으며, 이하에서 보다 상세히 설명되는 바와 같다. 복수의 화합물들이 금속 물질의 산소 함유층에 적용될 때, 복수의 화합물들 중 제 1의 화합물은 분자적으로 대형이고 그리고 이어서 적용되는 화합물들은 분자적으로 소형이다. 다른 측면에서, 복수의 화합물들 각각은 앞서 적용된 화합물보다 분자적으로 소형이 될 수 있다.
두 화합물이 금속 물질의 산소 함유 층에 적용될 때, 적용된 제 1 화합물은 분자적으로 대형인 화합물이고; 그리고 제 2 화합물은 분자적으로 소형이다. 한 측면에서, 제 2 화합물은 제 1 화합물보다 작은 입체 장애(steric hindrance)를 갖는다.
적어도 두 화합물들은 상기 약술된 바와 같은 D 또는 P 블럭 전구체들일 수 있다. 한 측면에서, 제 1 화합물은 분자적으로 대형인 화합물이 될 수 있다. 분자적으로 대형인 화합물은 7 내지 20개의 탄소를 가질 수 있다. 제 2 화합물은 1 내지 10개의 탄소 및 한 측면에서 1 내지 6개의 탄소를 갖는 분자적으로 소형인 화합물이 될 수 있다. 보다 대형인 화합물의 적용에 이어 보다 소형인 화합물의 적용을 조합하면, 보호될 금속 물질의 표면 영역(surface area)의 조밀한 보호범위(dense coverage)가 준비될 수 있고, 보다 균일한 고체 전해질 계면이 제공된다. 제 1 및 제 2 화합물들은 동일한 D 또는 P 블럭 원소들을 가질 수 있거나 또는 상이한 D 또는 P 블럭 원소들을 가질 수 있다. 한 측면에서, 화합물들 중 적어도 하나가, 얻어지는 고체 전해질 계면의 소수성을 증가시킬 수 있다.
제 1 및 제 2 화합물들은 액체 또는 증기로서 산소 함유 층을 갖는 금속에 적용될 수 있다. 액체로서 적용될 때, 제 1 화합물은, 액체를 금속의 표면에 디핑(dipping), 스프레이, 코팅 또는 다른 방법으로 적용하고 그리고 제 1 화합물을 산소 함유층과 반응시킴으로써 적용될 수 있다. 이어서, 제 1 화합물은, 제 2 화합물을 적용하고 그리고 이를 산소 함유층과 반응시키기 전에 건조될 수 있다. 부가적으로, 어떤 적당한 증기 증착(vapor deposition) 기술이 사용될 수도 있다. 예를 들어, 금속은 증기화된 제 1 화합물을 함유하는 용기 내에 위치될 수 있다. 증기는 산소 함유층과 반응하면서 금속을 둘러싼다. 제 2 화합물은 또한 유사하게 적용될 수 있다. 다양한 압력 및 온도가 제 1 및 제 2 화합물의 성질에 기초하여 사용될 수 있다.
실시예
실시예 섹션에 상세히 기재된 실험에서, 리튬 금속 스트립이 표 1에 기재된 것과 같은 다양한 제 1 및 제 2 화합물들에 노출되었다. 제 1 및 제 2 화합물들의 다양한 조합이, 이하의 실시예에 상세히 기재된 바와 같이, 그리고 이하의 참조 도면에 도시된 바와 같이 사용되었다. 리튬 스트립은 제 1 또는 제 2 화합물들을 포함하는 불활성 대기 중에 실온에서 밀봉된 플라스크 내에 위치되었다. 스트립들은, 제 1 및 제 2 화합물이 리튬 상의 금속 산소 함유층과 반응하여 보호층을 형성하기에 적합한 기간동안 제 1 화합물에, 그 후 제 2 화합물에 노출되었다. 다양한 샘플들의 저항을 결정하기 위한 임피던스 시험들을 포함하여 다양한 분석 절차들이 실시되었다.
표 1
실시예 1
상기 절차에 따라, 리튬 금속의 미처리된 샘플 및 클로로트리메틸 실란, 클로로디메틸펜에틸 실란으로 처리된 샘플들 및 클로로디메틸펜에틸실란의 제 1 화합물에 이어서 클로로트리메틸 실란의 제 2 화합물로 처리된 샘플을 임피던스 시험을 사용하여 분석하여 저항을 제공하였다. 임피던스 시험을 리튬의 다양한 처리된 샘 플들 및 기준물질로서 미처리된 리튬 상에서 실시하였다. 사용된 실험 장치(setup)를 도 1에 도시한다. 다양한 샘플들을 상기된 절차를 사용하여 형성하였다. 리튬 샘플들을 실험 장치에서 시험하였고, 샘플은 양극(positive electrode) 위치에 위치되었다. 임피던스 값들은 다양한 샘플들의 저항을 계산하기 위해 사용되었고, 이는 다양한 샘플들에 대해 도 2에 나타낸다. 도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 모든 처리된 샘플들에 대한 저항은 미처리된 기준물질보다 낮다. 그러나, 제 1의 분자적으로 대형인 화합물 이어서 제 2의 분자적으로 소형인 화합물을 적용하는 2 단계 방법을 사용하여 형성된 샘플에서 가장 낮은 저항이 얻어진다. 보다 낮은 저항 금속 물질이 전기화학 전지에서 전극으로 사용하기에 바람직하다.
실시예 2
다음을 포함하는 인계 전구체를 갖는 제 1 및 제 2 화합물을 사용하여 실시예 1과 유사한 실험을 실시하였다: 클로로디에틸포스핀(CDEP), 클로로디이소프로필포스핀(CDIPP), P-클로로디페닐포스핀(PCDPP), 및 디메틸포스피닉 클로라이드(dimethylphosphinic chloride)(DMPC). 앞서 기재된 실시예에서와 같이, 샘플을 상기된 절차를 사용하여 형성하였고, 그리고 임피던스 시험을 실시하여 도 3에 도시된 저항 값들을 얻었다. 앞선 실시예들에서와 같이, 처리된 샘플들은 모두 기준물질보다 낮은 저항을 가졌다. PCDPP의 제 1 화합물에 이어 CDIPP의 제 2 화합물을 적용하는 2 단계 방법으로 제조된 샘플에서 가장 낮은 저항이 얻어졌다. 2 단계 방법을 사용하여 제조된 샘플의 도식도를 도 4에 나타낸다. 두 화합물의 표면 적용범위는 분자적으로 대형인 화합물 단독보다 크다는 것을 알 수 있다. 분자적으로 대 형인 PCDPP는 표면의 일부분을 채우고, 반면에 분자적으로 소형인 화합물은 대형 분자 화합물 단독에 의해 커버될 수 없는 표면의 다른 부분을 채운다. 이런 방식으로, 보다 큰 표면 영역을 커버할 수 있다.
실시예 3
브로모디메틸보란(BDMB)을 포함하는, 붕소계 전구체를 갖는 제 1 화합물, 및 P-클로로디페닐포스핀(PCDPP)을 포함하는 D 또는 P 블럭계 전구체를 갖는 제 2 화합물을 사용하여 앞선 실시예에서와 유사한 실험을 실시하였다. 앞서 기재된 실시예에서와 같이, 샘플들을 상기된 절차들을 사용하여 형성하였고, 그리고 임피던스 시험을 실시하여 도 5에 도시된 저항 값들을 얻었다. 앞선 실시예들에서와 같이, 처리된 샘플들은 모두 기준물질보다 낮은 저항을 가졌다. PCDPP의 제 1 화합물에 이어 BDMB의 제 2 화합물을 적용하는 2 단계 방법으로 제조된 샘플에서 가장 낮은 저항이 얻어졌다.
다양한 조합의 샘플들을 표 1에 기재된 물질들에 대해 상기된 절차 및 시험 계획에 따라 제조하였다. 물질의 다양한 저항을 도 6에 도시한다. 도 6에서 알 수 있는 바와 같이, 모든 처리된 샘플들은 기준물질보다 낮은 저항을 가졌다. 제 1의 분자적으로 대형인 화합물 및 이어서 제 2의 분자적으로 소형인 화합물을 적용하는 2 단계 방법으로 처리된 샘플들은 가장 낮은 저항값들을 생산하였다. 부가적으로, 2 단계 방법을 사용하여 형성됨 샘플들 중에서, 동일한 D 또는 P 블럭 원소를 갖는 샘플들은 가장 낮은 저항 값들을 보였다.
본 발명은 예시적인 방식으로 기재되었다. 사용된 용어는, 단어의 본질에 있 어서 제한하기보다는 서술하도록 의도되는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명의 많은 변형 및 변화가 상기 교시내용의 견지에서 가능하다. 따라서, 이하 특허청구범위 내에서, 본 발명은 구체적으로 기재된 것 이외에도 실시될 수 있다.
Claims (36)
- 다음 단계들을 포함하는 금속 표면 보호 방법:산소 함유 층을 갖는 금속 물질을 제공하는 단계;적어도 두 화합물들을 금속 물질의 산소 함유 층에 적용하는 단계, 여기서 적용된 제 1 화합물은 분자적으로 대형인 화합물이고; 그리고 적어도 제 2 화합물은 분자적으로 소형인 화합물임.
- 제 1 항에 있어서,복수의 화합물들이 금속 물질의 산소 함유 층에 적용되고, 여기서 복수의 화합물들 중 제 1 화합물은 분자적으로 대형이고 그리고 이어서 적용된 화합물들은 분자적으로 소형인 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 복수의 화합물들 각각은 앞서 적용된 화합물보다 분자적으로 소형인 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 1 항에 있어서,두 화합물들이 금속 표면의 산소 함유 층에 적용되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 적어도 제 2 화합물을 적용하기 전에 제 1 화합물을 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 적어도 두 화합물들은 액체로서 적용되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 적어도 두 화합물들은 증기로서 적용되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 분자적으로 대형인 화합물은 7 내지 20개의 탄소들을 갖는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 분자적으로 소형인 화합물은 1 내지 10개의 탄소들을 갖는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 적어도 두 화합물들은 D 또는 P 블럭 전구체들인 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 화합물들은 동일한 D 또는 P 블럭 원소들을 갖는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 화합물들은 상이한 D 또는 P 블럭 원소들을 갖는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 금속 물질은 알칼리 금속, 및 알칼리 토금속으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 금속 물질은 리튬을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 D 또는 P 블럭 전구체는 다음 식 : AR1R2X 의 화학적 화합물을 포함하고, 여기서 A는 인 또는 붕소로부터 선택되고, X는 할로겐 또는 할로겐 함유 화합물이고, 그리고 R1은 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 또는 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기로부터 선택되고, R2는 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 또는 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 할로겐은 염소, 브롬, 플루오르, 및 요오드로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 알킬기, 알콕시기 및 방향족기는 플루오르화되거나 또는 부분적으로 플루오르화될 수 있는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 알킬기는 작용기화되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 알킬기는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, 2차-부틸, 3차-부틸, 3차-펜틸, 이소-옥틸, 3차-옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, 데실, 운데실, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 1-메틸사이클로펜틸, 1-메틸사이클로헥실, 1-메틸사이클로헥실, 및 1-메틸-4-이소프로필사이클로헥실로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 방향족기는 페닐기, 파라, 메타 또는 오르도 위치에 알킬 치환체를 갖는 페닐기, 및 폴리방향족 화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 알킬 및 알콕시기는 사이클릭인 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 D 또는 P 블럭 전구체는 다음 식: AR1R2R3R4X 의 화학적 화합물을 포함하고, 여기서 A는 인이고, X는 할로겐 또는 할로겐 함유 화합물이고, 그리고 R1은 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기, 또는 산소로부터 선택되고, R2는 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기, 또는 산소로부터 선택되고, R3은 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기, 또는 산소로부터 선택되고, R4는 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기, 또는 산소로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 할로겐은 염소, 브롬, 플루오르, 및 요오드로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 알킬기, 알콕시기 및 방향족기는 플루오르화되거나 또는 부분적으로 플 루오르화되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 알킬기는 작용기화되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 알킬기는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, 2차-부틸, 3차-부틸, 3차-펜틸, 이소-옥틸, 3차-옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, 데실, 운데실, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 1-메틸사이클로펜틸, 1-메틸사이클로헥실, 1-메틸사이클로헥실, 및 1-메틸-4-이소프로필사이클로헥실로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 알킬 및 알콕시기는 사이클릭인 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 D 또는 P 블럭 전구체는 다음 식: SiR1R2R3X 의 화학적 화합물을 포함하고, 여기서 X는 할로겐 또는 할로겐 함유 화합물이고, 그리고 R1은 수소, 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 또는 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기로부터 선택되고, R2는 수소, 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 또는 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기로부터 선택되고, R3은 수소, 할로겐, 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 알킬기, 1 내지 20 개의 탄소를 함유하는 알콕시기, 또는 1 내지 20 개의 탄소를 갖는 방향족기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 할로겐은 염소, 브롬, 플루오르, 및 요오드로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 알킬, 알콕시 및 방향족기는 플루오르화되거나 또는 부분적으로 플루오르화되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 알킬기는 작용기화되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 알킬기는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, 2차-부틸, 3차-부틸, 3차-펜틸, 이소-옥틸, 3차-옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, 데실, 운데실, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 1-메틸사이클로펜틸, 1-메틸사이클로헥실, 1-메틸사이클로헥실, 및 1-메틸-4-이소프로필사이클로헥실로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 알킬 및 알콕시기는 사이클릭인 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 적어도 두 화합물들 중 제 2 화합물은 제 1 화합물보다 작은 입체 장애를 갖는 것을 특징으로 하는 금속 표면 보호 방법.
- 다음의 단계들을 포함하는 금속 표면 보호 방법:산소 함유 층을 갖는 금속 물질을 제공하는 단계;제 1 화합물을 금속 물질의 산소 함유 층에 적용하는 단계, 여기서 상기 제 1 화합물은 분자적으로 대형인 화합물임;제 2 화합물을 금속 물질의 산소 함유 층에 적용하는 단계, 여기서 적용된 제 2 화합물은 분자적으로 소형인 화합물임.
- 다음 단계들을 포함하는 전극 형성 방법:산소 함유층을 갖는 금속 전극을 제공하는 단계;제 1 화합물을 전극의 산소 함유층에 적용하는 단계, 여기서 적용된 제 1 화합물은 분자적으로 대형인 화합물임;제 2 화합물을 전극의 산소 함유층에 적용하는 단계, 여기서 적용된 제 2 화합물은 분자적으로 소형인 화합물임.
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