KR20090077274A - Method for fabricating selar cell having semiconductor wafer substrate with nano texturing structure - Google Patents
Method for fabricating selar cell having semiconductor wafer substrate with nano texturing structure Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090077274A KR20090077274A KR1020080003122A KR20080003122A KR20090077274A KR 20090077274 A KR20090077274 A KR 20090077274A KR 1020080003122 A KR1020080003122 A KR 1020080003122A KR 20080003122 A KR20080003122 A KR 20080003122A KR 20090077274 A KR20090077274 A KR 20090077274A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- nano
- wafer substrate
- silicon wafer
- solar cell
- metal particles
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 3
- 241001312297 Selar Species 0.000 title 1
- 229920003365 Selar® Polymers 0.000 title 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 64
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 58
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 벌크형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 벌크형 태양전지에 포함되는 실리콘 웨이퍼 기판 상에 나노 텍스쳐링(texturing) 구조를 형성하는 방법에 있어서, 금속 나노 입자를 촉매로 하는 에칭법을 이용하여 상기 나노 텍스쳐링 구조를 형성함으로써 우수한 특성을 갖는 반사방지막을 손쉽게 얻을 수 있는 벌크형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a bulk solar cell. More specifically, in a method of forming a nano texturing structure on a silicon wafer substrate included in a bulk solar cell, the nano texturing structure is formed by using an etching method using metal nanoparticles as a catalyst. The present invention relates to a method of manufacturing a bulk solar cell that can easily obtain an antireflection film.
태양전지는 포토다이오드의 일종으로 태양광을 직접 전력으로 전환시키는 목적에 이용되고 있어, 대체 에너지원으로서 지상에서는 물론이고 우주개발을 위해서도 그 이용이 점차 확대되어가고 있어 전력용 전자소자로서 매우 중요하다. 그 구조도 p-n 접합형, 쇼트키 배리어형 및 이종(異種)반도체의 접합으로 이루어지는 것 등이 있으며, 소재로서는 실리콘·갈륨비소 등의 결정체, 기타 각종 반도체가 광범 위하게 이용되고 있다. 특히 근래에 와서는 다결정(多結晶) 실리콘이나 비정질(非晶質) 실리콘을 이용한 태양전지의 개발과 실용화가 크게 각광을 받고 있다. Solar cells are a kind of photodiode and are used for converting sunlight directly into electric power. As the alternative energy source, the use of solar cells is gradually expanding not only on the ground but also for space development. . The structure also includes a p-n junction type, a Schottky barrier type and a hetero semiconductor, and the like. Crystals such as silicon gallium arsenide and other various semiconductors are widely used. In particular, in recent years, the development and practical use of solar cells using polycrystalline silicon or amorphous silicon has attracted much attention.
그러나 높은 광전변환효율과 품질특성 때문에 단결정의 실리콘 웨이퍼를 기반으로하는 벌크형 태양전지가 상용화되고 있는 실정이다.However, due to the high photoelectric conversion efficiency and quality characteristics, bulk solar cells based on single crystal silicon wafers are commercially available.
일반적으로 실리콘 결정계(crystalline) 태양전지는 실리콘 웨이퍼를 출발 원료로 한다. 실리콘 웨이퍼는 고순도로 정제된 실리콘을 고온으로 가열하여 결정으로 성장된 잉곳을 만들고 이를 절단 및 연마를 통해 대형의 결정판 형태의 웨이퍼 기판을 만든다. 결정은 원자가 규칙적으로 배열된 물질을 의미한다.Generally, silicon crystalline solar cells use a silicon wafer as a starting material. The silicon wafer is heated to a high temperature of purified silicon to make an ingot grown into crystals, which are then cut and polished to form a large crystal plate wafer substrate. Crystal means a substance in which atoms are arranged regularly.
종래의 태양전지를 제조하기 위한 웨이퍼의 처리 방법 중 가장 중요한 처리는 기판 표면의 텍스처링(texturing), 즉 조직화이다. 이러한 텍스처링의 목적은 빛을 받는 태양전지의 전면부에서의 반사율을 감소시키고, 태양전지 내에서 빛의 통과 길이를 길게 함으로써 태양전지 내부로 빛이 흡수되도록 하여 효율을 향상시키고자 하는 것이다. 한편, 기판 상에 광학 박막을 형성시켜 반사방지막으로서의 기능을 하게 할 수도 있다. The most important treatment of wafers for manufacturing conventional solar cells is texturing, or organization, of the substrate surface. The purpose of this texturing is to reduce the reflectance at the front side of the solar cell receiving the light, and to improve the efficiency by allowing light to be absorbed into the solar cell by lengthening the light passage length in the solar cell. On the other hand, an optical thin film may be formed on the substrate to function as an antireflection film.
텍스처링된 종래의 태양전지용 웨이퍼 기판의 표면을 확대한 단면도는 도 1a에 도시하였다. 텍스처링한 후의 표면은 피라미드 구조를 가지므로 옆면에서 관찰할 때 정삼각형의 형상을 가진다. An enlarged cross-sectional view of a textured solar cell wafer substrate is shown in FIG. 1A. The surface after texturing has a pyramidal structure, so it has an equilateral triangle shape when viewed from the side.
종래 기술에 의하면, 경면 연마처리(Polishing)된 웨이퍼 표면은 입사되는 태양 빛의 30% 내지 50% 정도를 반사시키고, 표면을 피라미드 형태로 조직화(texturing)시키면 입사되는 태양광의 10% 내지 20% 정도를 반사하게 되어 반사 율이 현저하게 줄어든다. 또한, 조직화시킨 표면에 반사방지막(anti-reflection, AR)을 증착시키면 반사율을 약 5% 내지 10%까지 감소시킬 수 있는 것으로 알려져 있다.According to the prior art, the mirror polished wafer surface reflects about 30% to 50% of the incident solar light, and when the surface is textured in a pyramid form, about 10% to 20% of the incident sunlight By reflecting the reflectance is significantly reduced. In addition, it is known that depositing an anti-reflection film (AR) on a textured surface can reduce the reflectance by about 5% to 10%.
그러나, 상기 반사율은 태양광의 주요 흡수 파장대역인 500nm 내지 1000nm 에서관찰된 평균값으로서, 태양광 파장범위의 낮은 파장영역인 300nm 내지 400nm에서는 비교적 높은 반사도를 가지며, 반사방지막의 증착 이후라야만 비로소 상대적으로 더 낮은 반사도를 갖게 되는 문제점을 가지고 있다. 따라서, 모든 태양광의 파장영역에서 균일하게 낮은 반사율을 갖는 기판 표면을 형성하고자 하는 연구가 진행되었고, 그 결과 나노 구조를 갖는 나노 텍스쳐링 구조가 형성된 실리콘 웨이퍼 기판을 포함하는 벌크형 태양전지가 개발되었다.However, the reflectance is an average value observed at 500 nm to 1000 nm, which is the main absorption wavelength band of sunlight, and has a relatively high reflectivity at 300 nm to 400 nm, which is a low wavelength region of the solar wavelength range, and is relatively more after deposition of an antireflection film. There is a problem of having low reflectivity. Therefore, studies have been made to form a substrate surface having a uniformly low reflectance in the wavelength range of all solar light, and as a result, a bulk solar cell including a silicon wafer substrate having a nanotextured structure having a nanostructure has been developed.
이러한 나노 텍스처링 구조를 갖는 종래 태양전지용 실리콘 웨이퍼 기판의 표면을 확대한 이미지는 도 1과 같다. 도 1을 참조하면 조직화된 웨이퍼 기판 상에는 피라미드 형태의 나노 구조가 형성되어 있음을 알 수 있다. An enlarged image of a surface of a silicon wafer substrate for a conventional solar cell having such a nano texturing structure is shown in FIG. 1. Referring to FIG. 1, it can be seen that a pyramidal nano structure is formed on an organized wafer substrate.
이러한 나노 텍스쳐링 구조로 형성되는 반사방지막은 넓은 파장영역 및 넓은 입사각 범위에서 반사 방지막으로서의 기능을 수행한다. 종래에는 이러한 나노 텍스쳐링 구조를 형성하기 위해 진공 중에서 염소(Cl) 기체 또는 플루오르화 황(SF6)을 이용하여 반응성 이온 에칭(RIE; Reactive Ion Etching)을 수행하거나, 실리콘 웨이퍼 기판 표면에 금속을 매우 얇게 증착 한 후 습식에칭을 수행하였다.The anti-reflection film formed of such a nano texturing structure functions as an anti-reflection film in a wide wavelength region and a wide incidence angle range. Conventionally, reactive ion etching (RIE) is performed by using chlorine (Cl) gas or sulfur fluoride (SF 6 ) in vacuum to form such a nano texturing structure, or a metal on the surface of a silicon wafer substrate is very highly formed. After thin deposition, wet etching was performed.
그러나, 상기 방법 중 반응성 이온 에칭법을 이용하는 방법은 복잡하고 값비 싼 장비를 필요로 하는 진공 공정이 필수적이라는 문제가 있다. 한편, 습식 에칭을 이용하는 방법은 금속과 에칭액과의 촉매반응으로 실리콘을 에칭하여 나노 텍스쳐링 구조를 형성하는 방식으로 반응성 이온 에칭(RIE)을 이용하는 방식보다 공정상 간단하다는 장점이 있다. 그러나, 이 방법 또는 진공 장비를 사용하여야 하는 문제가 있다. However, the method using the reactive ion etching method of the above method has a problem that a vacuum process that requires complicated and expensive equipment is essential. On the other hand, the method using the wet etching has the advantage that the process is simpler than the method using the reactive ion etching (RIE) to form a nano-texturing structure by etching the silicon by the catalytic reaction of the metal and the etching solution. However, there is a problem of using this method or vacuum equipment.
따라서, 진공 장비 등을 사용하지 않기 위하여 실리콘에 전기 도금 방식을 이용하여 금속을 얇게 도금한 후 이를 에칭하여 위와 같은 방법으로 나노 텍스쳐링 구조를 형성시키기도 한다.Therefore, in order not to use a vacuum equipment or the like, the metal may be thinly plated by using an electroplating method and then etched to form a nano texturing structure.
한편, 실리콘 웨이퍼 기판 표면에 나노 텍스쳐링 구조를 형성시키는 또 다른 방법으로는 황 가스 분위기에서 실리콘 웨이퍼 기판 표면에 엑시머 레이저를 조사함으로써 나노 텍스쳐링 구조를 형성하는 방법이 있다. Meanwhile, another method of forming the nano texturing structure on the surface of the silicon wafer substrate is a method of forming the nano texturing structure by irradiating an excimer laser on the surface of the silicon wafer substrate in a sulfur gas atmosphere.
또한, 나노 텍스쳐링 구조가 아닌 복수 개의 홀로 이루어지는 다공성 구조를 실리콘 웨이퍼 기판에 형성시킴으로써 반사방지막을 형성하기도 한다. 그러나, 이 방법은 기판 표면에 다공성 구조를 형성시키기 위해 전기분해장치 등 복잡한 장치를 이용한 공정을 필요로 한다는 문제가 있다.In addition, an anti-reflection film may be formed by forming a porous structure composed of a plurality of holes instead of a nano texturing structure on a silicon wafer substrate. However, this method has a problem in that it requires a process using a complex device such as an electrolysis device to form a porous structure on the substrate surface.
따라서, 간단한 공정만으로도 우수한 특성을 가지는 텍스쳐링 구조를 형성시킬 수 있는 기술에 대한 개발이 필요하다. Therefore, there is a need for the development of a technique capable of forming a texturing structure having excellent characteristics with a simple process.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 진공공정 등의 필요없이 간소화된 공정만으로 실리콘 웨이퍼 기판 표면에 우수한 반사방지 특성을 갖는 나노 텍스쳐링 구조를 형성시킬 수 있는 벌크형 태양전지의 제조방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다. The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, a bulk solar cell that can form a nano-texturing structure having excellent anti-reflection characteristics on the surface of the silicon wafer substrate by a simplified process without the need for a vacuum process, etc. Its purpose is to provide a method of manufacture.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 실리콘 웨이퍼 기판을 포함하는 벌크형 태양전지의 제조방법에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼 기판 표면에 나노크기의 패턴을 갖는 나노 텍스쳐링(texturing) 구조를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 나노 텍스쳐링 구조 형성 단계는 금속을 촉매로 하는 에칭법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 벌크형 태양전지의 제조방법이 제공된다. According to an embodiment of the present invention for achieving the above object, in the method of manufacturing a bulk solar cell comprising a silicon wafer substrate, a nano texturing structure having a nano-sized pattern on the surface of the silicon wafer substrate Including the step of forming, the step of forming the nano-texturing structure is provided a method of manufacturing a bulk solar cell, characterized in that performed by an etching method using a metal catalyst.
상기 나노 텍스쳐링 구조 형성 단계는, 나노 금속 입자가 혼합되어 있는 용액을 상기 실리콘 웨이퍼 기판 상에 분산시키는 단계, 에칭액을 사용하여 상기 나노 금속 입자가 분산된 실리콘 웨이퍼 기판을 에칭하는 단계, 및 상기 나노 금속 입자를 제거하는 단계를 포함할 수 있다. The forming of the nano texturing structure may include dispersing a solution containing nano metal particles on the silicon wafer substrate, etching the silicon wafer substrate on which the nano metal particles are dispersed using an etchant, and the nano metal. Removing the particles.
상기 나노 금속 입자의 입경은 20nm 내지 200nm로 하는 것이 바람직하다. It is preferable that the particle diameter of the said nano metal particle shall be 20 nm-200 nm.
상기 나노 금속 입자는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 주석(Sn) 중 적어도 하나로 하는 것이 바람직하다. The nano metal particles are preferably at least one of gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), palladium (Pd), and tin (Sn).
상기 에칭액은 플루오르화 수소(HF)와 과산화수소수(H2O2)의 혼합용액인 것이 바람직하다. The etching solution is preferably a mixed solution of hydrogen fluoride (HF) and hydrogen peroxide solution (H 2 O 2 ).
상기 플루오르화 수소(HF)와 과산화수소수(H2O2)의 혼합비는 10:1로 하는 것이 바람직하다. The mixing ratio of hydrogen fluoride (HF) and hydrogen peroxide solution (H 2 O 2 ) is preferably set to 10: 1.
상기 용액에서 상기 나노 금속 입자의 농도는 1000ppm 내지 100000ppm 으로 하는 것이 바람직하다. The concentration of the nano metal particles in the solution is preferably set to 1000ppm to 100000ppm.
상기 나노 금속 입자가 혼합되어 있는 용액을 분산시키는 단계는, 스프레이법(spraying), 스핀코팅법(spin coating), 디핑법(dipping) 중 어느 하나에 의해 수행될 수 있다. Dispersing the solution in which the nano metal particles are mixed may be performed by any one of spraying, spin coating, and dipping.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 벌크형 태양전지는 상기의 제조방법으로 제조되고 실리콘 웨이퍼 기판 표면에 나노크기의 패턴을 갖는 나노 텍스쳐링(texturing) 구조를 포함할 수 있다.The bulk solar cell of the present invention for achieving the above object may include a nano texturing structure manufactured by the above manufacturing method and having a nano-sized pattern on the surface of the silicon wafer substrate.
본 발명에 따르면, 진공공정 등의 복잡한 공정의 필요없이 간소화된 공정만으로 실리콘 웨이퍼 기판 표면에 우수한 반사방지 특성을 갖는 나노 텍스쳐링 구조를 형성시킬 수 있다. According to the present invention, a nano texturing structure having excellent antireflection characteristics can be formed on a surface of a silicon wafer substrate by a simplified process without the need for complicated processes such as a vacuum process.
이하, 첨부되는 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태들을 상세하게 설명하도록 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 태양전지용 실리콘 웨이퍼 기판의 표면을 전자현미경으로 관찰한 이미지이다. 2 is an image of the surface of the silicon wafer substrate for solar cells according to one embodiment of the present invention observed with an electron microscope.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실리콘 웨이퍼 기판의 표면은 나노 패턴으로 이루어지는 나노 텍스쳐링 구조를 갖는다.Referring to FIG. 2, the surface of the silicon wafer substrate of the present invention has a nano texturing structure consisting of nano patterns.
상기 나노 텍스쳐링 구조는 나노크기의 패턴으로 이루어져 있다. 즉, 실리콘 웨이퍼 기판 상부에 나노 크기의 패턴들이 조직화되어 있는 구조이다. 나노 텍스쳐링 구조에 의하면 반사방지막(anti-refletion; AR)을 사용하는 것과 다른 특징을 얻을 수 있다. 즉, 반사방지막을 사용하면 특정 파장 대역에서만 반사방지의 효과를 얻을 수 있는 반면 나노 텍스쳐링 구조에 의하면 넓은 파장영역에서 균일하게 반사방지의 효과를 얻을 수 있다.The nano texturing structure consists of a nanoscale pattern. In other words, nanoscale patterns are organized on the silicon wafer substrate. The nano texturing structure provides a different feature than the use of anti-refletion (AR). That is, by using the antireflection film, the antireflection effect can be obtained only in a specific wavelength band, while the nano texturing structure can achieve the antireflection effect uniformly in a wide wavelength region.
나노 패턴의 크기는 태양전지의 반사방지막으로서의 기능을 최대한 달성할 수 있는 범위 내에서 선택될 수 있다. 즉, 패턴의 크기가 너무 크면 반사율이 저하될 수 있고, 반대로 패턴의 크기가 너무 작으면 반사가 방지되어 태양전지로 흡수되는 광량이 미미해지기 때문에, 그 크기를 적절하게 선택하여야 한다. The size of the nanopattern may be selected within a range capable of maximally achieving a function as an antireflection film of a solar cell. That is, if the size of the pattern is too large, the reflectance may be lowered. On the contrary, if the size of the pattern is too small, the reflection is prevented and the amount of light absorbed by the solar cell is insignificant. Therefore, the size should be appropriately selected.
이하, 본 발명의 태양전지용 실리콘 웨이퍼 기판의 나노 텍스쳐링 구조를 형성하는 방법에 대해 설명하기로 한다. 도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일 실시형태에 따른 나노 텍스쳐링 구조를 갖는 실리콘 웨이퍼 기판을 포함하는 태양전지를 제조하는 과정을 설명하는 공정도이다. Hereinafter, a method of forming a nano texturing structure of a silicon wafer substrate for a solar cell of the present invention will be described. 3A to 3F are process diagrams illustrating a process of manufacturing a solar cell including a silicon wafer substrate having a nano texturing structure according to an embodiment of the present invention.
먼저, 도 3a에 도시되는 바와 같은 실리콘 웨이퍼 기판(110) 표면에 잔류하는 네이티브 옥사이드(native oxide; 120)를 제거한다. 실리콘 웨이퍼 기판(110)의 표면에는 실리콘 웨이퍼 기판(110)의 제조 과정에서 형성되거나, 대기 중의 노출 등에 따라 형성되는 네이티브 옥사이드(120)가 잔류하게 되는데 나노 텍스쳐링 구조를 형성하기 전에 이러한 이물질을 제거해주어야 한다. 실리콘 웨이퍼 기판(110)을 플루오르화 수소(HF) 혼합용액에 담금으로써 일어나는 화학 반응에 의해 상기와 같은 네이티브 옥사이드(120)가 제거될 수 있다.First, the
그 후, 도 3b에 도시되는 바와 같이, 네이티브 옥사이드(120)가 제거된 실리콘 웨이퍼 기판(110) 상에 나노 금속 입자(135)가 분산되어 있는 수용액(130)을 도포하고 건조시킨다. 후에 나노 금속 입자(135)가 형성되어 있지 않은 부분의 실리콘 웨이퍼 기판(110)이 에칭됨으로써 나노 텍스쳐링 구조가 형성된다. 상기 수용액(130)에는 나노 금속 입자(135)가 약 1000ppm 내지 100000ppm 의 농도로 고르게 분산되어 있을 수 있다. 한편, 나노 금속 입자(135)의 입경은 형성하고자 하는 나노 텍스쳐링 구조의 패턴의 형태에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 나노 금속 입자(135)의 입경이 너무 크면 나노 텍스쳐링 구조에 포함되는 패턴 간의 거리가 지나치게 멀어지게 되고, 입경이 너무 작으면 패턴이 너무 조밀하게 형성될 수 있으므로, 적절한 범위 내에서 선택될 수 있다. 일례로서 나노 금속 입자(135)의 입경을 20nm 내지 200nm 의 범위 내에서 선택할 수 있다. 한편, 나노 금속 입자의 구성 물질은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 주석(Sn) 등으로 할 수 있다. 일례로서, 약 100nm의 입경을 갖는 은(Ag)을 나노 금속 입자(135)로 선택할 수 있다.Thereafter, as illustrated in FIG. 3B, the
한편, 나노 금속 입자(135)가 혼합되어 있는 수용액(130)을 실리콘 웨이퍼 기판(110) 상에 도포하는 데에는 스프레이법(spraying), 스핀코팅법(spin coating), 디핑법(dipping) 등이 이용될 수 있다. 스프레이법은 수용액(130)을 실리콘 웨이퍼 기판(110) 상에 고르게 분사하는 방식이고, 스핀코팅법은 실리콘 웨이퍼 기판(110) 상에 수용액(130)을 떨어뜨린 후 이를 회전시켜 수용액(130)이 원심력에 의해 실리콘 웨이퍼 기판(110) 상에 코팅될 수 있도록 하는 방식이며, 디핑법은 실리콘 웨이퍼 기판(110)을 수용액(130)에 담가 코팅을 하는 방식이다. 이러한 방식으로 나노 금속 입자(135)가 분산되어 있는 수용액(130)이 실리콘 웨이퍼 기판(110) 상에 도포되면, 열처리 등을 통하여 이를 건조시켜 실리콘 웨이퍼 기판(110) 상에 나노 금속 입자(135)만이 남을 수 있도록 한다. Meanwhile, spraying, spin coating, dipping, and the like are used to apply the
다음으로, 실리콘 웨이퍼 기판(110)을 에칭액에 담궈 에칭(etching)한다. 상기 에칭액으로는 플루오르화 수소(HF)와 과산화수소수(H2O2)가 혼합되어 있는 용액을 사용할 수 있다. 본래는 플루오르화 수소(HF)와 과산화수소수(H2O2)가 혼합되어 있는 용액만으로는 실리콘 웨이퍼 기판(110)을 에칭시킬 수 없으나, 기판(110) 상에 분산되어 있는 나노 금속 입자(135)가 촉매로 작용하여 나노 금속 입자(135)들 사이의 공간에 노출되어 있는 실리콘 웨이퍼 기판(110)이 에칭될 수 있는 것이다. 플루오르화 수소(HF)와 과산화수소수(H2O2)의 혼합비는 10:1 정도로 하는 것이 바람직하다. 도 3c는 이러한 방법에 의해 에칭된 실리콘 웨이퍼 기판(110)의 단면 구조를 나타낸다. 나노 금속 입자(135)들 사이의 공간에 노출된 실리콘 웨이퍼 기 판(110)이 에칭됨으로써 나노 패턴으로 형성되는 나노 텍스쳐링 구조가 형성되게 되는 것이다. Next, the
에칭이 완료되면 순수(pure water)를 이용하여 실리콘 웨이퍼 기판(110)을 세척한 후에 금속 에칭을 수행하여 나노 금속 입자(135)를 제거한다. 도 3d는 에칭에 의해 나노 금속 입자(135)가 제거된 실리콘 웨이퍼 기판(110)의 모습을 나타낸다. 이렇게 함으로써 표면에 나노 텍스쳐링 구조가 형성된 실리콘 웨이퍼 기판(110)이 얻어질 수 있다. After the etching is completed, the
그 후, 도 3e에 도시되는 바와 같이, 상기 나노 텍스쳐링 구조가 형성된 제1전도성(예를 들면, p형)을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판(110)에 제2전도성(예를 들면, n형)을 갖는 물질을 확산시켜 p-n 접합을 형성하고, 표면에 패시베이션 층(passivation; 150)을 형성한다. 패시베이션 층(150)은 실리콘 웨이퍼 기판(110)을 부동태화시켜 표면 결함을 최소화하기 위한 것이다. 패시베이션 층(150)은 실리콘 웨이퍼 기판(110)의 표면을 산화시킴으로써 형성될 수 있다. 즉, 상기 산화 반응에 의해 안정한 물질인 실리콘 산화물(SiOx)이 실리콘 웨이퍼 기판(110) 표면에 형성됨으로써 패시베이션 층(150)이 형성될 수 있다. 한편, 실리콘 질화물(SiNx) 등의 물질을 상기 실리콘 웨이퍼 기판(110) 표면에 증착함으로써 패시베이션 층(150)을 형성시킬 수도 있다.Thereafter, as shown in FIG. 3E, the
다음으로, 도 3f에 도시되는 바와 같이, 상기 패시베이션 층(150)이 형성된 실리콘 웨이퍼 기판(110) 상에 전극(170)을 형성시킴으로써 태양전지가 완성된다. 전극(170)은 통상의 인쇄법(printing) 등에 의해 형성될 수 있다. Next, as shown in FIG. 3F, the solar cell is completed by forming the
이러한 방법에 의하면, 진공공정 또는 전기분해공정 등을 사용하지 않고도 실리콘 웨이퍼 기판에 나노 텍스쳐링 구조를 형성할 수 있으며, 이에 따라 나노 텍스쳐링 구조 형성에 필요한 작업 공수를 간소화할 수 있고, 제조 원가가 절감될 수 있다.According to this method, a nano texturing structure can be formed on a silicon wafer substrate without using a vacuum process or an electrolysis process, thereby simplifying the labor required for forming the nano texturing structure and reducing manufacturing costs. Can be.
또한, 값비싼 장비 또는 복잡한 공정 없이도 나노 텍스쳐링 구조와 같은 우수한 특성의 반사방지막을 얻을 수 있다.In addition, it is possible to obtain an antireflection film having excellent properties such as a nano texturing structure without expensive equipment or complicated processes.
도 1은 종래 태양전지용 실리콘 웨이퍼 기판 표면에 형성된 나노 텍스쳐링 구조를 전자현미경으로 관찰한 이미지이다. 1 is an electron microscope image of a nano texturing structure formed on a surface of a silicon wafer substrate for a conventional solar cell.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 태양전지용 실리콘 웨이퍼 기판의 표면을 전자현미경으로 관찰한 이미지이다. 2 is an image of the surface of the silicon wafer substrate for solar cells according to one embodiment of the present invention observed with an electron microscope.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일 실시형태에 따른 태양전지용 실리콘 웨이퍼 기판을 포함하는 벌크형 태양전지의 제조과정을 설명하는 공정도이다. 3A to 3F are process diagrams illustrating a manufacturing process of a bulk solar cell including a silicon wafer substrate for a solar cell according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
110: 기판 120: 네이티브 옥사이드110: substrate 120: native oxide
130: 나노 금속 입자가 혼합된 수용액 135: 금속 나노 입자130: aqueous solution mixed with nano metal particles 135: metal nano particles
150: 패시베이션 층 170: 전극150
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080003122A KR101387715B1 (en) | 2008-01-10 | 2008-01-10 | Method for fabricating selar cell having semiconductor wafer substrate with nano texturing structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080003122A KR101387715B1 (en) | 2008-01-10 | 2008-01-10 | Method for fabricating selar cell having semiconductor wafer substrate with nano texturing structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090077274A true KR20090077274A (en) | 2009-07-15 |
| KR101387715B1 KR101387715B1 (en) | 2014-04-22 |
Family
ID=41335788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080003122A KR101387715B1 (en) | 2008-01-10 | 2008-01-10 | Method for fabricating selar cell having semiconductor wafer substrate with nano texturing structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101387715B1 (en) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101045163B1 (en) * | 2010-06-07 | 2011-06-30 | 인하대학교 산학협력단 | Method for fabricating silicon antireflection film using metal nano particle |
| KR101159278B1 (en) * | 2009-07-23 | 2012-06-22 | 주식회사 효성 | Solar cell having a Moth-eye surface structure and method for manufacturing thereof |
| KR20120069708A (en) * | 2009-09-17 | 2012-06-28 | 사이오닉스, 아이엔씨. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| KR101230059B1 (en) * | 2010-10-07 | 2013-02-05 | 한국표준과학연구원 | Method for manufacturing porous layers using patterned substrate and Board manufactured by the same |
| KR101372461B1 (en) * | 2012-07-26 | 2014-03-12 | 성균관대학교산학협력단 | Anti-reflection coating, method for preparing the same, and solar cell using the same |
| KR101401887B1 (en) * | 2012-11-27 | 2014-05-30 | 한국생산기술연구원 | Solar cell and manufacturing method for the solar cell |
| KR101403285B1 (en) * | 2012-06-27 | 2014-06-03 | 주식회사 포스코 | Solar cell substrate having execellent efficiency and method for manufacturing thereof |
| KR101510709B1 (en) * | 2013-07-25 | 2015-04-10 | 한국생산기술연구원 | Silicon wafer of mixed structure using wet etching process and preparing thereof |
| US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9762830B2 (en) | 2013-02-15 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High dynamic range CMOS image sensor having anti-blooming properties and associated methods |
| US9761739B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High speed photosensitive devices and associated methods |
| US9905599B2 (en) | 2012-03-22 | 2018-02-27 | Sionyx, Llc | Pixel isolation elements, devices and associated methods |
| US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
| US10229951B2 (en) | 2010-04-21 | 2019-03-12 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US10269861B2 (en) | 2011-06-09 | 2019-04-23 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| US10347682B2 (en) | 2013-06-29 | 2019-07-09 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
| US10361083B2 (en) | 2004-09-24 | 2019-07-23 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| US10374109B2 (en) | 2001-05-25 | 2019-08-06 | President And Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
| US10468547B2 (en) | 2013-07-25 | 2019-11-05 | Korea Institute Of Industrial Technology | Silicon wafer having complex structure, fabrication method therefor and solar cell using same |
| KR20210067387A (en) * | 2019-11-29 | 2021-06-08 | 한국과학기술연구원 | Method of texturing a silicon wafer with quasi-random nanostructures and the silicon wafer manufactured by the method, and a solar cell comprising the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3598373B2 (en) | 2001-09-03 | 2004-12-08 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | Nanostructures joined and regularly arranged on a substrate and a method for producing the same |
-
2008
- 2008-01-10 KR KR1020080003122A patent/KR101387715B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10374109B2 (en) | 2001-05-25 | 2019-08-06 | President And Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
| US10361083B2 (en) | 2004-09-24 | 2019-07-23 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| US10741399B2 (en) | 2004-09-24 | 2020-08-11 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| KR101159278B1 (en) * | 2009-07-23 | 2012-06-22 | 주식회사 효성 | Solar cell having a Moth-eye surface structure and method for manufacturing thereof |
| KR20180098687A (en) * | 2009-09-17 | 2018-09-04 | 사이오닉스, 엘엘씨 | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| KR20210035920A (en) * | 2009-09-17 | 2021-04-01 | 사이오닉스, 엘엘씨 | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| KR20120069708A (en) * | 2009-09-17 | 2012-06-28 | 사이오닉스, 아이엔씨. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| KR20200036037A (en) * | 2009-09-17 | 2020-04-06 | 사이오닉스, 엘엘씨 | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US10361232B2 (en) | 2009-09-17 | 2019-07-23 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US10229951B2 (en) | 2010-04-21 | 2019-03-12 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| KR101045163B1 (en) * | 2010-06-07 | 2011-06-30 | 인하대학교 산학협력단 | Method for fabricating silicon antireflection film using metal nano particle |
| US9761739B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High speed photosensitive devices and associated methods |
| US10505054B2 (en) | 2010-06-18 | 2019-12-10 | Sionyx, Llc | High speed photosensitive devices and associated methods |
| KR101230059B1 (en) * | 2010-10-07 | 2013-02-05 | 한국표준과학연구원 | Method for manufacturing porous layers using patterned substrate and Board manufactured by the same |
| US10269861B2 (en) | 2011-06-09 | 2019-04-23 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| US10224359B2 (en) | 2012-03-22 | 2019-03-05 | Sionyx, Llc | Pixel isolation elements, devices and associated methods |
| US9905599B2 (en) | 2012-03-22 | 2018-02-27 | Sionyx, Llc | Pixel isolation elements, devices and associated methods |
| KR101403285B1 (en) * | 2012-06-27 | 2014-06-03 | 주식회사 포스코 | Solar cell substrate having execellent efficiency and method for manufacturing thereof |
| KR101372461B1 (en) * | 2012-07-26 | 2014-03-12 | 성균관대학교산학협력단 | Anti-reflection coating, method for preparing the same, and solar cell using the same |
| KR101401887B1 (en) * | 2012-11-27 | 2014-05-30 | 한국생산기술연구원 | Solar cell and manufacturing method for the solar cell |
| US9762830B2 (en) | 2013-02-15 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High dynamic range CMOS image sensor having anti-blooming properties and associated methods |
| US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
| US10347682B2 (en) | 2013-06-29 | 2019-07-09 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
| US11069737B2 (en) | 2013-06-29 | 2021-07-20 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
| US10468547B2 (en) | 2013-07-25 | 2019-11-05 | Korea Institute Of Industrial Technology | Silicon wafer having complex structure, fabrication method therefor and solar cell using same |
| KR101510709B1 (en) * | 2013-07-25 | 2015-04-10 | 한국생산기술연구원 | Silicon wafer of mixed structure using wet etching process and preparing thereof |
| KR20210067387A (en) * | 2019-11-29 | 2021-06-08 | 한국과학기술연구원 | Method of texturing a silicon wafer with quasi-random nanostructures and the silicon wafer manufactured by the method, and a solar cell comprising the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101387715B1 (en) | 2014-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101387715B1 (en) | Method for fabricating selar cell having semiconductor wafer substrate with nano texturing structure | |
| US20220123158A1 (en) | Efficient black silicon photovoltaic devices with enhanced blue response | |
| Toor et al. | Efficient nanostructured ‘black’silicon solar cell by copper‐catalyzed metal‐assisted etching | |
| Chen et al. | MACE nano-texture process applicable for both single-and multi-crystalline diamond-wire sawn Si solar cells | |
| US8815104B2 (en) | Copper-assisted, anti-reflection etching of silicon surfaces | |
| Salman | Effect of surface texturing processes on the performance of crystalline silicon solar cell | |
| WO2012157179A1 (en) | Method for manufacturing wafer for solar cell, method for manufacturing solar cell, and method for manufacturing solar cell module | |
| JP5866477B2 (en) | Copper assisted anti-reflective etching of silicon surfaces | |
| TW201228010A (en) | Method, process and fabrication technology for high-efficiency low-cost crystalline silicon solar cells | |
| Es et al. | An alternative metal-assisted etching route for texturing silicon wafers for solar cell applications | |
| Tang et al. | Cu-assisted chemical etching of bulk c-Si: A rapid and novel method to obtain 45 μm ultrathin flexible c-Si solar cells with asymmetric front and back light trapping structures | |
| EP4014259A1 (en) | Perovskite/silicon tandem photovoltaic device | |
| KR101383940B1 (en) | Silicon solar cell and Method thereof | |
| Hsu et al. | Nanostructured pyramidal black silicon with ultra-low reflectance and high passivation | |
| US9236509B2 (en) | Solar cells with patterned antireflective surfaces | |
| Baytemir et al. | Enhanced metal assisted etching method for high aspect ratio microstructures: Applications in silicon micropillar array solar cells | |
| Füchsel et al. | Black silicon photovoltaics | |
| Omar et al. | Surface morphological and optical properties of flexible black silicon fabricated by metal-assisted chemical etching | |
| KR101401887B1 (en) | Solar cell and manufacturing method for the solar cell | |
| KR101731497B1 (en) | Method for texturing of semiconductor substrate, semiconductor substrate manufactured by the method and solar cell comprising the same | |
| Fallahazad et al. | Porous pyramidal silicon structures for improved light sensing performance | |
| Srivastava et al. | Silicon nanowire arrays based “black silicon” solar cells | |
| JP5724718B2 (en) | Method for producing solar cell wafer, method for producing solar cell, and method for producing solar cell module | |
| Huo et al. | Metal‐Assisted Chemical Etching of Silicon: Origin, Mechanism, and Black Silicon Solar Cell Applications | |
| Chaoui et al. | Contribution of the photoluminescence effect of the stain etched porous silicon in improvement of screen printed silicon solar cell performance |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170324 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |