KR20090076131A - Apparatus for fabricating semiconductor device - Google Patents

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KR20090076131A
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박형진
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주식회사 하이닉스반도체
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Abstract

An apparatus for fabricating semiconductor device is provided, which prevents the fault of adsorption to the wafer by forming the magnetic field and centrifugal force. The robot arm(12) fixes the wafer(10). In the bass(14), wafer is chemically reacted with the process solution. The first metal electrode(16a) is inserted into the robot arm. The second metal electrode(16b) is inserted into the bass. Voltage is applied to the first metal electrode and the second metal electrode. The first metal electrode is formed outside the robot arm in the round vertical line shape.

Description

반도체 소자 제조 장치{Apparatus for fabricating semiconductor device}Apparatus for fabricating semiconductor device

본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 습식 배스 내 처리 용액에 존재하는 불순물이 배스 내에 전계, 자기장, 원심력 등을 형성하여 웨이퍼에 흡착하는 불량을 방지할 수 있는 반도체 소자 제조 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to an apparatus for manufacturing a semiconductor device, in which impurities present in a treatment solution in a wet bath form an electric field, a magnetic field, and a centrifugal force in the bath to prevent defects from adsorbing onto a wafer. It is about.

반도체 소자의 고집적화에 따라 웨이퍼를 처리하는 처리 기술과 웨이퍼를 처리하는 처리 장치의 중요성이 증대하고 있다. 웨이퍼 처리 장치의 불순물에 의해 오염되는 조그마한 오염도 반도체 소자의 신뢰성에 큰 영향을 미치게 되어 웨이퍼의 처리 효과가 줄어들고, 칩의 치명적인 불량을 유발할 수도 있다. BACKGROUND ART With the increasing integration of semiconductor devices, the importance of processing technologies for processing wafers and processing devices for processing wafers is increasing. Small contamination, which is contaminated by impurities in the wafer processing apparatus, also has a great influence on the reliability of the semiconductor device, thereby reducing the processing effect of the wafer and causing a fatal defect of the chip.

반도체 제조 공정에서 습식으로 웨이퍼를 처리하는 공정에는 식각 공정과 세정 공정 등이 있다. 식각 공정에서 사용되는 웨이퍼 처리 장치는 처리조에 화학 양품인 처리 용액을 채운 후에 웨이퍼를 넣고 일정 시간 동안 화학 반응이 일어나게 하는 방법을 주로 사용한다. 세정 공정에서 사용되는 습식 반도체 처리 장치는 처 리조 바닥으로 처리 용액이 유입되어 처리조를 흘러 넘치는 처리 용액이 외부 탱크(또는 배스(bath))에서 배출되거나 재순환하도록 하는 방법을 주로 사용한다.In the semiconductor manufacturing process, wafers are wet-processed and etched and cleaned. The wafer processing apparatus used in the etching process mainly uses a method in which a chemical reaction occurs for a predetermined time after the wafer is filled with a chemical solution in a processing tank. The wet semiconductor processing apparatus used in the cleaning process mainly uses a method in which the treatment solution flows into the bottom of the treatment tank so that the treatment solution flowing through the treatment tank is discharged or recycled from an external tank (or bath).

습식 웨이퍼 처리 장치는 처리조에 화학 약품인 처리 용액을 공급하거나 배출하는 파이프들과 온도 또는 유량을 제어하기 위한 각종 제어 수단들이 결합하여 구현된다. The wet wafer processing apparatus is implemented by combining pipes for supplying or discharging a chemical treatment solution to a processing tank and various control means for controlling temperature or flow rate.

현재 60nm 이하 DRAM의 셀 커패시터는 실린더형(cylinder type)의 구조를 갖는다. 실리더형 구조를 갖는 셀 커패시터를 형성하는 방법은 산화막을 희생층으로 사용하여 수직형 홀을 형성한 후 홀의 내부 측벽에 금속 전극 물질(TiN)을 증착한다. 이후 불산 용액(HF solution)을 이용하여 산화막을 습식 웨이퍼 처리 장치에서 딥 아웃(dip out) 공정을 통해 제거하여 하부 전극인 금속 전극(TiN)만 남긴다.Currently, cell capacitors of DRAMs of 60 nm or less have a cylinder type structure. In the method of forming a cell capacitor having a cylinder type structure, a vertical hole is formed using an oxide layer as a sacrificial layer, and then a metal electrode material TiN is deposited on the inner sidewall of the hole. Thereafter, the oxide layer is removed using a hydrofluoric acid solution (HF solution) through a dip out process in the wet wafer processing apparatus, thereby leaving only the metal electrode TiN, which is a lower electrode.

일반적인 딥 아웃 공정은 웨이퍼를 플랫 존(flat zone), 즉, 웨이퍼의 아래 방향을 기준으로 90도 경사(tilt)를 주어 불산 용액에 담근다. 이때, 불산 용액과의 화학 반응에 의해 산화막이 제거되면서 웨이퍼 최외곽 부위에 존재하는 불순물들(impurities)(예를 들어 금속성 물질(metallic material), 탄소(carbon) 등)이 불산 용액에 녹아 상당수 존재하게 된다. 여기서, 불순물들 중 금속성 물질은 Ti, Si, TiN 등을 포함하고, 비금속성 물질은 O, TixOx 등을 포함하고, 기타 불순물은 H, F, SixFx, NH4 등을 포함한다. A typical dip out process dips a wafer into a hydrofluoric acid solution in a flat zone, ie, tilted 90 degrees relative to the downward direction of the wafer. At this time, as the oxide film is removed by a chemical reaction with the hydrofluoric acid solution, impurities (for example, metallic material, carbon, etc.) existing in the outermost portion of the wafer are dissolved in the hydrofluoric acid solution and present. Done. Here, among the impurities, the metallic material includes Ti, Si, TiN, and the like, the nonmetallic material includes O, TixOx, and the like, and the other impurities include H, F, SixFx, NH4, and the like.

따라서, 딥 아웃 공정을 완료하고 웨이퍼를 불산 용액에서 꺼내는 순간 불산 용액 내에 존재하는 불순물들이 반 데르 발스 힘(van der vaals' force)에 의해 웨이퍼의 표면에 흡착되고 후속 세정 공정에서도 제거되지 않고 남아 불량을 일으켜 수율을 감소시키는 문제점이 있다.Therefore, as soon as the dip out process is completed and the wafer is removed from the hydrofluoric acid solution, impurities present in the hydrofluoric acid solution are adsorbed to the surface of the wafer by van der vaals' force and remain unremoved in subsequent cleaning processes. There is a problem to reduce the yield by causing.

본 발명은 습식 배스 내 처리 용액에 존재하는 불순물이 배스 내에 전계, 자기장, 원심력 등을 형성하여 웨이퍼에 흡착하는 불량을 방지할 수 있는 반도체 소자 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a semiconductor device manufacturing apparatus capable of preventing a defect in an impurity present in a treatment solution in a wet bath from forming an electric field, a magnetic field, a centrifugal force, or the like in a bath to prevent a defect from adsorbing onto a wafer.

본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는Semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention

웨이퍼를 고정하는 로봇 팔;A robotic arm holding the wafer;

상기 웨이퍼가 처리 용액과 화학 반응하는 배스;A bath in which the wafer chemically reacts with the processing solution;

상기 로봇 팔에 삽입되는 제 1 금속 전극; 및A first metal electrode inserted into the robot arm; And

상기 배스 내부에 삽입되는 제 2 금속 전극을 포함하고,A second metal electrode inserted into the bath;

상기 제 1 금속 전극 및 상기 제 2 금속 전극에 전압을 인가하는 것을 특징으로 한다.The voltage is applied to the first metal electrode and the second metal electrode.

또한, 상기 제 1 금속 전극은 상기 로봇 팔 외부에 슬롯(slot) 별로 둥근 수직 실선 모양으로 형성하고,In addition, the first metal electrode is formed in a vertical solid round shape for each slot (slot) outside the robot arm,

상기 제 1 금속 전극은 상기 로봇 팔 외부에 그리드(grid) 모양으로 형성하고,The first metal electrode is formed in a grid shape on the outside of the robot arm,

상기 제 1 금속 전극 및 상기 제 2 금속 전극에 인가하는 상기 전압은 교류 전압(AC)이고,The voltage applied to the first metal electrode and the second metal electrode is an alternating voltage (AC),

상기 제 2 금속 전극은 상기 배스 내부 측벽에 그리드(grid) 모양으로 형성하고,The second metal electrode is formed in a grid shape on the inner side wall of the bath,

상기 배스 내부 하부에 형성되는 제 3 금속 전극을 더 포함하고,Further comprising a third metal electrode formed in the lower portion of the bath,

상기 제 3 금속 전극은 그리드 모양으로 형성하고,The third metal electrode is formed in a grid shape,

상기 제 1 금속 전극, 상기 제 2 금속 전극 및 상기 제 3 금속 전극은 백금으로 형성하고,The first metal electrode, the second metal electrode and the third metal electrode are formed of platinum,

상기 제 1 금속 전극 및 상기 제 2 금속 전극에 도금 형태로 흡착된 불순물들을 세정 공정을 통해 제거하는 것을 특징으로 한다.The impurities adsorbed in the form of plating on the first metal electrode and the second metal electrode are removed by a cleaning process.

한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는 On the other hand, the semiconductor device manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention

웨이퍼를 고정하는 로봇 팔;A robotic arm holding the wafer;

상기 웨이퍼가 처리 용액과 화학 반응하는 배스; 및A bath in which the wafer chemically reacts with the processing solution; And

상기 배스에 삽입되는 자성 물질을 포함한다.Magnetic material inserted into the bath.

상기 자성 물질은 상기 배스 외부에 부착되는 것을 특징으로 한다.The magnetic material is characterized in that attached to the outside of the bath.

한편, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치는On the other hand, the semiconductor device manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention

웨이퍼를 고정하는 로봇 팔;A robotic arm holding the wafer;

상기 웨이퍼가 처리 용액과 화학 반응하는 배스; 및A bath in which the wafer chemically reacts with the processing solution; And

상기 배스를 회전하는 회전 장치를 포함한다.And a rotating device for rotating the bath.

상기 배스 상부에 상기 처리 용액이 흘러 넘치는 것을 방지하는 차단 수단을 더 포함하고,And blocking means for preventing the treatment solution from flowing over the bath,

상기 배스를 상기 회전 장치에 고정하는 고정 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.And a fixing device for fixing the bath to the rotating device.

본 발명은 습식 배스 내 처리 용액에 존재하는 불순물이 배스 내에 전계, 자기장, 원심력 등을 형성하여 웨이퍼에 흡착하는 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect that impurities present in the treatment solution in the wet bath form an electric field, a magnetic field, a centrifugal force, and the like in the bath to prevent defects from adsorbing onto the wafer.

또한, 본 발명은 기존의 웨이퍼 처리 장치에 금속 전극, 자성 물질, 회전장치 등을 추가하기 때문에 새로운 장비를 위한 투자가 필요없이 웨이퍼 불량을 감소시켜 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, since the present invention adds a metal electrode, a magnetic material, a rotating device, etc. to the existing wafer processing apparatus, there is an effect of improving the yield by reducing wafer defects without the need for investment in new equipment.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 본 발명의 기술적 사상이 철저하고 완전하게 개시되고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되기 위해 제공되는 것이다. 또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the spirit of the present invention is thoroughly and completely disclosed, and the spirit of the present invention to those skilled in the art will be fully delivered. Also, like reference numerals denote like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치를 나타낸 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 반도체 소자 제조 장치는 웨이퍼(10)를 고정하는 로봇 팔(robot arm)(12) 및 웨이퍼가 화학 반응하는 처리 용액이 담겨있는 배스(14)를 포함한다. 여기서, 로봇 팔(12) 외부 및 내부 배스(14) 측벽에 각각 금속 전극(16a, 16b)을 형성하고, 일정 전압(DC 또는 AC)을 인가하여 로봇 팔(12)과 내부 배스(14) 사이에 전계(electric field)를 형성한다. Referring to FIG. 1, a semiconductor device manufacturing apparatus includes a robot arm 12 for fixing a wafer 10 and a bath 14 containing a processing solution in which a wafer is chemically reacted. Here, metal electrodes 16a and 16b are formed on the sidewalls of the robot arm 12 outside and the inner bath 14, respectively, and a constant voltage (DC or AC) is applied to the robot arm 12 and the inner bath 14. To form an electric field.

예를 들어 실린더형 커패시터를 형성하기 위한 공정인 저장 전극 풀 딥 아웃(Storage Node full dip out) 공정은 배스(14)에 불산 용액(HF, NH4F)을 채우고 웨이퍼를 담가 화학 반응을 일으킨 후에 BOE 또는 BHF(Bufferd HF) 용액을 사용한 화학 반응에 의해 희생 산화막을 제거하여 하부 전극(TiN)을 형성한다.For example, a storage node full dip out process, which is a process for forming a cylindrical capacitor, fills the bath 14 with hydrofluoric acid solutions (HF, NH4F) and soaks the wafer to produce a chemical reaction followed by a BOE or The sacrificial oxide film is removed by a chemical reaction using a buffered HF (BHF) solution to form a lower electrode TiN.

이때, 배스(14) 내부에는 파티클(particle) 입자들이 이온 상태로 녹아 있는 여러 가지 불순물들(impurities)이 존재한다. 이러한 불순물들은 전계 또는 전기장이 존재하는 공간에서 전하의 성질에 따라 전계 또는 전기장의 방향으로 이동한다.At this time, there are various impurities in which particle particles are dissolved in an ionic state in the bath 14. These impurities move in the direction of the electric or electric field depending on the nature of the charge in the space in which the electric or electric field is present.

즉, 불산 용액(HF) 내에 녹아 있는 실리콘(Si) 원자와 불화수소(HF)의 불화(F) 원자가 결합한 불화 실리콘(SixF) 분자는 음(-)의 전하가 있기 때문에 양(+)의 전압이 인가되는 금속 전극 부위로 이동하고, 금속성 불순물(TixOx, TixNx 등)은 불완전한 상태의 극성이 있으므로 로봇 팔(12) 또는 내부 배스(14)에 형성된 금속 전극 부위로 이동하여 전자를 잃거나 얻어 금속 전극의 표면에 티타늄(Ti) 원자가 전기 도금 형태로 흡착된다. That is, the silicon fluoride (SixF) molecules in which silicon (Si) atoms dissolved in the hydrofluoric acid solution (HF) and the fluorine (F) atoms of hydrogen fluoride (HF) are bonded have a negative charge and thus have a positive voltage. The metal impurity (TixOx, TixNx, etc.) is moved to the metal electrode portion to be applied, and since the impurity has an incomplete polarity, it moves to the metal electrode portion formed on the robot arm 12 or the inner bath 14 to lose or obtain electrons. Titanium (Ti) atoms are adsorbed on the surface of the electrode in the form of electroplating.

여기서, 금속 전극(16a, 16b)은 백금으로 형성하여 반영구적으로 사용 가능하고, 금속 전극(16a, 16b)에 도금 형태로 흡착된 불순물들은 후속 세정 공정을 통 해 제거할 수 있다.Here, the metal electrodes 16a and 16b may be formed of platinum and used semi-permanently, and impurities adsorbed in the plating form on the metal electrodes 16a and 16b may be removed through a subsequent cleaning process.

로봇 팔(12) 외부의 금속 전극(16a)은 웨이퍼(10)의 슬롯(slot) 별로 둥근 수직 실선 모양으로 형성하고, 내부 배스(14) 측벽의 금속 전극(16b)은 백금으로 그리드(grid) 모양으로 형성한다. 여기서, 금속 전극(16a, 16b)의 형태는 그리드 모양으로 한정되지 않고, 필요에 따라 다양한 형태로 형성할 수 있다. The metal electrode 16a on the outside of the robot arm 12 is formed in a vertical solid round shape for each slot of the wafer 10, and the metal electrode 16b on the side wall of the inner bath 14 is made of platinum. To shape. Here, the shapes of the metal electrodes 16a and 16b are not limited to the grid shape, and may be formed in various shapes as necessary.

또한, 필요에 따라 내부 배스(14) 바닥에도 금속 전극을 형성할 수 있고, 로봇 팔(12) 자체를 백금을 이용하여 형성할 수 있다.In addition, a metal electrode can be formed on the bottom of the inner bath 14 as needed, and the robot arm 12 itself can be formed using platinum.

한편, 로봇 팔(12) 외부의 금속 전극(16a)을 그리드 모양으로 형성하고, 교류(AC) 전압을 인가하면 불산 용액 내에 존재하는 불순물들이 로봇 팔(12)과 배스(14) 측벽의 금속 전극들(16a, 16b) 사이로 이동하여 모이게 할 수 있다.On the other hand, when the metal electrode 16a outside the robot arm 12 is formed in a grid shape and an alternating current (AC) voltage is applied, impurities present in the hydrofluoric acid solution may cause metal electrodes on the sidewalls of the robot arm 12 and the bath 14. It may move between the fields 16a and 16b to gather.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치를 나타낸 개념도로써, 배스(22) 외부에 자성 물질(magnetron bar)(24)을 설치하여 배스(22) 내에 자기장을 형성하여 처리 용액에 존재하는 불순물들이 배스(22) 측벽으로 이동하게 할 수 있다. 이러한 경우 현재 사용하고 있는 웨이퍼 처리 장치의 변형 없이 추가로 배스(22) 외부에 자성 물질(24)을 설치하기 때문에 새로운 웨이퍼 처리 장치를 별도로 제작할 필요가 없다.2 is a conceptual view illustrating a semiconductor device manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention, in which a magnetic field is installed outside the bath 22 to form a magnetic field in the bath 22 to form a treatment solution. Impurities present can cause migration to the bath 22 sidewalls. In this case, since the magnetic material 24 is additionally installed outside the bath 22 without deformation of the wafer processing apparatus currently used, a new wafer processing apparatus does not need to be manufactured separately.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치를 나타낸 개념도로써, 배스(32) 자체를 회전시켜 원심력에 의해 불순물들이 배스(32) 측벽으로 이동하게 할 수 있다. 여기서, 웨이퍼 처리 장치가 배스(32)를 회전시킬 수 있는 회전 장치(34)를 구비하고, 회전 시 처리 용액이 흘러넘치지 않도록 배스(32) 상부를 차단하는 차단 수단과 회전 시 배스(32)를 고정하는 고정 장치가 추가로 필요하다.3 is a conceptual diagram illustrating a semiconductor device manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention, in which the impurities may move to the side wall of the bath 32 by centrifugal force by rotating the bath 32 itself. Here, the wafer processing apparatus includes a rotating device 34 capable of rotating the bath 32, and the blocking means for blocking the upper part of the bath 32 so that the processing solution does not overflow during the rotation, and the bath 32 during rotation. An additional fixing device is required.

상기한 실시예에서는 습식 식각 장비를 예를 들어 설명하였지만, 이에 한정되는 것이 아니라 다른 장비, 예를 들어 세정 장비에도 적용가능하다. In the above-described embodiment, the wet etching equipment has been described as an example, but the present invention is not limited thereto and may be applied to other equipment, for example, cleaning equipment.

상기한 바와 같은 본 발명은 습식 배스 내 처리 용액에 존재하는 불순물이 배스 내에 전계, 자기장, 원심력 등을 형성하여 웨이퍼에 흡착하는 불량을 방지할 수 있는 기술을 개시한다. The present invention as described above discloses a technique capable of preventing a defect in the impurity present in the treatment solution in the wet bath to form an electric field, a magnetic field, a centrifugal force, etc. in the bath to prevent defects adsorbed on the wafer.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. In addition, a preferred embodiment of the present invention is for the purpose of illustration, those skilled in the art will be able to various modifications, changes, substitutions and additions through the spirit and scope of the appended claims, such modifications and changes are the following claims It should be seen as belonging to a range.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치를 나타낸 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating a semiconductor device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치를 나타낸 개념도이다.2 is a conceptual diagram illustrating a semiconductor device manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장치를 나타낸 개념도이다.3 is a conceptual diagram illustrating a semiconductor device manufacturing apparatus according to still another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10: 웨이퍼10: wafer

12: 로봇 팔12: robot arm

14, 22, 32: 배스14, 22, 32: Bath

16a, 16b: 금속 전극16a, 16b: metal electrode

24: 자성 물질24: magnetic material

34: 회전 장치34: rotating device

Claims (14)

웨이퍼를 고정하는 로봇 팔;A robotic arm holding the wafer; 상기 웨이퍼가 처리 용액과 화학 반응하는 배스;A bath in which the wafer chemically reacts with the processing solution; 상기 로봇 팔에 삽입되는 제 1 금속 전극; 및A first metal electrode inserted into the robot arm; And 상기 배스 내부에 삽입되는 제 2 금속 전극을 포함하고,A second metal electrode inserted into the bath; 상기 제 1 금속 전극 및 상기 제 2 금속 전극에 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.And applying a voltage to the first metal electrode and the second metal electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 금속 전극은 상기 로봇 팔 외부에 슬롯(slot) 별로 둥근 수직 실선 모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.The first metal electrode is a semiconductor device manufacturing apparatus, characterized in that formed in the vertical solid round shape for each slot (slot) on the outside of the robot arm. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 금속 전극은 상기 로봇 팔 외부에 그리드(grid) 모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.The first metal electrode is a semiconductor device manufacturing apparatus, characterized in that formed in a grid (grid) shape outside the robot arm. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제 1 금속 전극 및 상기 제 2 금속 전극에 인가하는 상기 전압은 교류 전압(AC)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.And said voltage applied to said first metal electrode and said second metal electrode is an alternating voltage (AC). 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 금속 전극은 상기 배스 내부 측벽에 그리드(grid) 모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.And the second metal electrode is formed in a grid shape on an inner sidewall of the bath. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 배스 내부 하부에 형성되는 제 3 금속 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.And a third metal electrode formed under the bath. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 3 금속 전극은 그리드 모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.And the third metal electrode is formed in a grid shape. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 1 금속 전극, 상기 제 2 금속 전극 및 상기 제 3 금속 전극은 백금으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.And the first metal electrode, the second metal electrode and the third metal electrode are made of platinum. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 금속 전극 및 상기 제 2 금속 전극에 도금 형태로 흡착된 불순물들을 세정 공정을 통해 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.And removing impurities adsorbed on the first metal electrode and the second metal electrode in a plating form through a cleaning process. 웨이퍼를 고정하는 로봇 팔;A robotic arm holding the wafer; 상기 웨이퍼가 처리 용액과 화학 반응하는 배스; 및A bath in which the wafer chemically reacts with the processing solution; And 상기 배스에 삽입되는 자성 물질을 포함하는 반도체 소자 제조 장치.Semiconductor device manufacturing apparatus comprising a magnetic material inserted into the bath. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 자성 물질은 상기 배스 외부에 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.And the magnetic material is attached to the outside of the bath. 웨이퍼를 고정하는 로봇 팔;A robotic arm holding the wafer; 상기 웨이퍼가 처리 용액과 화학 반응하는 배스; 및A bath in which the wafer chemically reacts with the processing solution; And 상기 배스를 회전하는 회전 장치를 포함하는 반도체 소자 제조 장치.A semiconductor device manufacturing apparatus comprising a rotating device for rotating the bath. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 배스 상부에 상기 처리 용액이 흘러 넘치는 것을 방지하는 차단 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.And a blocking means for preventing the processing solution from flowing over the bath. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 배스를 상기 회전 장치에 고정하는 고정 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.And a fixing device for fixing the bath to the rotating device.
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