KR20090069856A - Wafer bumping template manufactured by glass forming and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

A wafer bumping template manufactured by glass forming and manufacturing method thereof are provided to improve fine cavities by manufacturing the cavities at the same time with a mold as glass forming. A template forms a solder pump and is transferred an electrode while including a plurality of cavities(11) formed on one side of a material for a flat board. The cavities are formed by pressing a mold having protrusions(21) by a certain pressure while the material for the flat board which is heated by a temperature within a certain range. The flat board material comprises one among glass, quartz, film, ceramics and metal. The mold is the metal material having a melting point higher than that of the flat board material.

Description

유리성형을 이용하여 제조한 웨이퍼 범핑용 템플릿 및 그 제조 방법{Wafer Bumping Template Manufactured by Glass Forming and Manufacturing Method Thereof} Wafer Bumping Template Manufactured by Glass Forming and Manufacturing Method Thereof}

본 발명은 웨이퍼 범핑용 템플릿(template) 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 캐비티(cavity) 형상의 돌기들을 가지는 몰드(mold: 금형 틀)를 이용하여 유리 표면을 고온 가압하여 필요한 캐비티들을 한꺼번에 가공함으로써, 최근 사이즈가 줄어들고 있는 미세한 캐비티들까지도 균일하게 형성되고 캐비티면이 깨끗한 면을 갖도록 제조된 웨이퍼 범핑용 템플릿 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a template for wafer bumping and a method of manufacturing the same, and more particularly, to processing required cavities by pressing a glass surface at a high temperature using a mold having cavity-shaped protrusions. Thus, the present invention relates to a wafer bumping template and a method of manufacturing the same, which are formed to have uniform surfaces even in the fine cavities that have recently been reduced in size and have a clean surface.

일반적으로 유리 기판에 캐비티들을 가공한 템플릿을 이용하여 웨이퍼 범핑 공정을 수행한다. 외부 리드(outer lead)와 연결된 기판 상의 내부 리드와 와이어 본딩(wire bonding)으로 연결하는 경우에 공간 활용에 제약이 크므로, 템플릿의 캐비티들에 솔더 범프들을 만들고 이를 칩 단위 또는 웨이퍼 단위의 전극 패드들에 전이하는 웨이퍼 범핑 공정을 수행하고 솔더 범프들이 전이된 칩을 기판 상의 내부 리드와 연결시켜 플립 칩(flip chop) 형태로 패키징을 수행한다. Generally, a wafer bumping process is performed using a template obtained by processing cavities on a glass substrate. Since space is limited when wire bonding with internal leads on the substrate connected to the outer leads, solder bumps are created in the cavities of the template and the chip pad or wafer electrode pads are used. The wafer bumping process is performed to transfer the solder bumps, and the solder bumps are connected to the internal leads on the substrate, thereby packaging in the form of flip chips.

이와 같은 웨이퍼 범핑을 위하여 일반적으로 유리 등의 재질에 캐비티를 가 공하여 템플릿을 제작한다. 예를 들어, 템플릿 재료 상에 캐비티가 형성될 위치에 대한 포토 마스킹 공정을 수행하고 습식 식각 용액을 이용하여 캐비티가 형성되도록 함으로써 웨이퍼 범핑용 템플릿을 제조할 수 있다. 그러나, 이와 같은 일반적인 템플릿 제조 공정을 이용할 경우에 둥근 형태의 캐비티를 형성할 수 있는 데, 이와 같이 형성된 캐비티들은 공정 환경에 따라 균일성이 좋지 않을 수 있으며 캐비티 면도 상당히 거칠 수가 있다. 예를 들어, 일반적인 습식 식각 공정에 기반한 템플릿 제조 방법에서는, 포토 레지스트(photo resisit)와 같은 감광막의 도포 상태, 마스크 상에서의 노광 공정, 습식 식각 용액 내에서의 화학 작용 등이 불균일할 수 있고, 이에 따라 위와 같이 캐비티의 형성이 불균일 할 수 있고 그 면이 깨끗하지 못할 수 있다. For such wafer bumping, a template is generally manufactured by processing a cavity in a material such as glass. For example, a template for wafer bumping can be prepared by performing a photo masking process for the location where the cavity is to be formed on the template material and allowing the cavity to be formed using a wet etching solution. However, when using such a general template manufacturing process, it is possible to form a cavity having a rounded shape. The cavities thus formed may not have good uniformity depending on the process environment, and the cavity may be considerably rough. For example, in a template manufacturing method based on a general wet etching process, a coating state of a photoresist such as a photoresist, an exposure process on a mask, a chemical action in a wet etching solution, and the like may be uneven. As a result, the cavity may be uneven and its surface may not be clean.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 미세한 캐비티들까지도 균일하게 형성될 수 있도록 하고 캐비티면이 깨끗한 면을 갖도록 하기 위하여, 캐비티 형상의 돌기들을 가지는 몰드(금형 틀)를 이용하여 유리 표면을 고온 가압하여 필요한 캐비티들을 한꺼번에 가공하여 제조한 웨이퍼 범핑용 템플릿 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, the object of the present invention, in order to be evenly formed even the fine cavities and to have a clean surface of the cavity surface, the cavity-shaped projections The eggplant is to provide a template for wafer bumping and a method of manufacturing the same, which are manufactured by processing the required cavities at once by hot pressing the glass surface using a mold (mold mold).

먼저, 본 발명의 주요 특징을 요약하면, 상기한 바와 같은 기술적 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일면에 따라 솔더 범프를 형성하여 전극에 전이하기 위한 템플릿은, 평판 재질의 한쪽 면에 형성한 복수의 캐비티들을 포함하고, 상기 복수의 캐비티들은 상기 평판 재질이 일정 온도 범위로 가열된 상태에서 상기 복수의 캐비티들과 대응되는 돌기들을 가지는 몰드를 상기 평판 재질에 일정 압력으로 가압하여 형성된 것을 특징으로 한다.First, to summarize the main features of the present invention, a template for forming a solder bump in accordance with one aspect of the present invention for realizing the technical problem as described above and transferred to the electrode, a plurality of templates formed on one side of the plate material And a plurality of cavities, wherein the plurality of cavities are formed by pressing a mold having protrusions corresponding to the plurality of cavities to a predetermined pressure in a state in which the flat material is heated to a predetermined temperature range.

상기 평판 재질은, 유리, 석영, 필름, 세라믹, 및 금속 중 어느 하나일 수 있다.The flat plate material may be any one of glass, quartz, film, ceramic, and metal.

상기 몰드는, 상기 평판 재질 보다 녹는점이 높은 금속 재질일 수 있다.The mold may be a metal material having a higher melting point than the flat plate material.

상기 복수의 캐비티들은, 상기 몰드에 의하여 각 캐비티 면 아래로 형성된 적어도 하나 이상의 고정홈을 포함할 수 있다.The plurality of cavities may include at least one fixing groove formed under each cavity surface by the mold.

솔더 범프 형성 시에 상기 캐비티 이외에 상기 고정홈에 침투된 액체 상태의 솔더 범프 형성 물질이 고형화되어, 상기 적어도 하나 이상의 고정홈이 상기 캐비티에 고형화된 솔더 범프의 지지력을 강화할 수 있다.When the solder bumps are formed, the liquid solder bump forming material penetrated into the fixing grooves may be solidified in addition to the cavity, so that the at least one fixing groove may strengthen the holding force of the solder bumps solidified in the cavity.

또한, 본 발명의 다른 일면에 따라 솔더 범프를 형성하여 전극에 전이하기 위한 템플릿을 제조하는 방법은, 평판 재질을 일정 온도 범위로 가열하는 단계; 및 복수의 돌기들을 가지는 몰드를 상기 가열된 평판 재질에 일정 압력으로 가압하여 상기 평판 재질의 한쪽 면에 복수의 캐비티들을 형성하는 단계를 포함한다.In addition, according to another aspect of the present invention, a method for manufacturing a template for forming a solder bump and transitioning to an electrode includes heating a flat plate material to a predetermined temperature range; And pressing a mold having a plurality of protrusions at a predetermined pressure to the heated plate material to form a plurality of cavities on one side of the plate material.

상기 형성하는 단계 후에, 상기 복수의 캐비티들을 습식 또는 건식 식각하는 단계를 더 포함할 수 있다.After the forming, the method may further include wet or dry etching the plurality of cavities.

그리고, 본 발명의 또 다른 일면에 따라 솔더 범프를 형성하여 전극에 전이하기 위한 템플릿을 제조하는 방법은, 평판 재질의 대상체에 형성될 캐비티와 동일 한 형상의 복수의 돌기들을 구비한 몰드를 일정 온도 범위로 가열하는 단계; 및 상기 몰드를 상기 대상체의 일측 면에 일정 압력으로 가압하여 복수의 캐비티들을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 형성하는 단계 후에, 상기 복수의 캐비티들을 습식 또는 건식 식각하는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, according to another aspect of the present invention, a method for manufacturing a template for forming solder bumps and transferring them to an electrode may include: forming a mold having a plurality of protrusions having the same shape as a cavity to be formed on an object of a flat material; Heating to a range; And pressing the mold to one side of the object at a predetermined pressure to form a plurality of cavities. After the forming, the method may further include wet or dry etching the plurality of cavities.

본 발명에 따른 웨이퍼 범핑용 템플릿 및 그 제조 방법에 따르면, 캐비티 형상의 돌기들을 가지는 몰드(금형 틀)를 이용하여 유리 표면을 고온 가압하여 필요한 캐비티들을 한꺼번에 가공하여 제조함으로써, 최근의 미세한 캐비티들까지도 균일하게 형성될 수 있도록 하고 캐비티면이 깨끗한 면을 갖도록 할 수 있다.According to the wafer bumping template according to the present invention and a method for manufacturing the same, by using a mold (cavity mold) having cavity-shaped protrusions, the glass surface is hot pressed to manufacture necessary cavities at once, thereby manufacturing even the finest cavities. It can be made uniform and the cavity surface has a clean surface.

이하에서는 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 이하에서 설명될 실시예 및 도면은 본 발명의 기술사상의 범위를 제한하거나 한정하는 의미로 해석될 수는 없다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings and the contents described in the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention. However, embodiments and drawings to be described below are not to be construed as limiting or limiting the scope of the technical idea of the present invention. Like reference numerals in the drawings denote like elements.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따라 솔더 범프를 형성하여 전극에 전이하기 위한 웨이퍼 범핑용 템플릿(10)을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a view for explaining a method of manufacturing a wafer bumping template 10 for forming solder bumps and transferring them to electrodes according to one embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 먼저, 투명 또는 불투명에 상관없이 평판 형태의 템플릿(10) 재료를 준비한다. 템플릿(10) 재료는 웨이퍼 범핑 공정 중에 열변형도가 5% 이하인 것이 바람직하며, 예를 들어, Soda-lime Glass, Eagle200, Quartz, Boro 계열 Glass, 내열성 필름 등 어느 정도 투명도가 있는 재질의 것 뿐만아니라, 세라믹 계열, 금속 등 불투명 재질의 것도 모두 가능하다. 템플릿(10) 재료는 웨이퍼 범핑 대상인 웨이퍼에 적절히 범핑할 수 있는 모양, 예를 들어, 원형, 타원형, 사각형 등의 평판 형태로 준비될 수 있다.Referring to FIG. 1, first, a template 10 material in the form of a plate is prepared, regardless of whether it is transparent or opaque. The material of the template 10 is preferably 5% or less in thermal deformation during the wafer bumping process. For example, the template 10 may be formed of a material having a certain degree of transparency such as Soda-lime Glass, Eagle200, Quartz, Boro-based glass, and a heat resistant film. In addition, opaque materials such as ceramics and metals can be used. The template 10 material may be prepared in the form of a plate capable of properly bumping the wafer to be the wafer bumping object, for example, a round, elliptical, square, or the like.

다음에, 준비된 템플릿(10) 재료의 한쪽 면에 복수의 캐비티들(11)을 성형 방식으로 형성하기 위하여, 먼저, 템플릿(10) 재료를 일정 온도 범위로 가열한다. 템플릿(10) 재료가 가열되어 표면이 적절히 용융된 상태에서 몰드(20)를 가열된 템플릿(10) 재료에 일정 압력으로 가압하여 복수의 캐비티들(11)을 형성할 수 있다. 몰드(20)는 템플릿(10) 재료 보다 녹는점이 높은 금속 재질일 수 있고, 도 2와 같이 캐비티들(11)과 대응되는 위치에 캐비티(11)와 같은 형상의 해당 돌기들(21)을 가진다. 이때, 캐비티들(11)의 폭 또는 지름은 70~90 마이크로미터 정도일 수 있는데, 최근 점점 그 사이즈가 작아지는 추세이고 50 마이크로미터 이하가 요구되는 경우도 있다. Next, in order to form a plurality of cavities 11 on one side of the prepared template 10 material, the template 10 material is first heated to a predetermined temperature range. In a state where the template 10 material is heated to properly melt the surface, the mold 20 may be pressed against the heated template 10 material at a predetermined pressure to form the plurality of cavities 11. The mold 20 may be a metal material having a higher melting point than the material of the template 10, and have corresponding protrusions 21 having the same shape as the cavity 11 at positions corresponding to the cavities 11 as shown in FIG. 2. . In this case, the width or diameter of the cavities 11 may be about 70 ~ 90 micrometers, the size of the cavities in recent years is becoming smaller and 50 micrometers or less may be required.

여기서, 몰드(20)로 템플릿(10) 재료에 가압하기 전에, 템플릿(10) 재료는 적절한 온도로 가열되어야 하고, 템플릿(10) 재료의 표면만 일시적으로 용융 상태 만드는 것이 바람직하다. 이를 위하여 템플릿(10) 재료의 가열은 면발광식 소정 히터를 이용할 수 있다. 이외에도 템플릿(10) 재료는 필라멘트나 기타 온도 조절이 가능한 다양한 가열 장치가 이용될 수 있다. Here, before pressurizing the template 10 material with the mold 20, the template 10 material should be heated to an appropriate temperature and it is desirable to temporarily melt only the surface of the template 10 material. To this end, heating of the template 10 material may use a surface emitting predetermined heater. In addition, the template 10 material may be a filament or other various heating devices capable of temperature control.

템플릿(10) 재료가 너무 높은 온도로 가열되는 경우에, 몰드(20)와의 압착 후에 템플릿(10) 재료가 몰드(20)에 붙어 올라 가면서 캐비티(11) 표면이 거칠어질 수가 있으므로, 템플릿(10) 재료는 적절한 온도 범위, 예를 들어, 유리의 경우에 550~650 oC 정도로 가열하는 것이 바람직하다. 이와 같은 온도 범위에서 몰드(20)와 템플릿(10) 재료가 압착되어 캐비티들(11)이 형성된 후에는, 몰드(20)를 템플릿(10) 재료로부터 분리하고 템플릿(10) 재료를 서서히 냉각시켜야 한다. In the case where the template 10 material is heated to a temperature that is too high, the surface of the cavity 11 may become rough as the template 10 material sticks to the mold 20 after pressing with the mold 20, thereby causing the template 10 to become rough. The material is preferably heated to an appropriate temperature range, for example 550-650 ° C. in the case of glass. After the mold 20 and template 10 material is compressed in such a temperature range to form the cavities 11, the mold 20 must be separated from the template 10 material and the template 10 material cooled slowly. do.

몰드(20)와 템플릿(10) 재료의 압착 방식은 다양하게 이루어질 수 있다. 예를 들어, 소정 스테이지에 지지되어 있는 몰드(20)를 템플릿(10) 재료 쪽으로 서서히 내리면서 가압할 수 있다. 또는 몰드(20)를 고정하고 템플릿(10) 재료를 위로 서서히 올리면서 템플릿(10) 재료에 가압할 수도 있다. 이외에도, 진공척과 유사한 방식으로 몰드(20)에 복수의 홀들(hole)을 마련하고, 공기를 상기 홀들로 흡입함으로써 템플릿(10) 재료가 올라오게 할 수 있으며, 기타 다양한 가압 방식이 사용될 수 있다. The pressing method of the material of the mold 20 and the template 10 may be various. For example, the mold 20 supported on the predetermined stage may be pressed while gradually lowering toward the template 10 material. Alternatively, the mold 20 may be fixed and pressurized against the template 10 material while slowly raising the template 10 material upward. In addition, the template 10 material may be raised by providing a plurality of holes in the mold 20 in a manner similar to a vacuum chuck, and sucking air into the holes, and various other pressurization methods may be used.

이와 같은 방법으로 제조된 템플릿(10)의 캐비티들(11)은 몰드(20)의 돌기들(21)을 둥근형으로 하는 경우에, 도 3과 같이 캐비티 모양을 둥근형으로 형성할 수 있다. 이외에도, 몰드(20)의 돌기들(21)을 다각형, 예를들어, 사각 기둥, 오각 기둥 등으로 하는 경우에, 도 4와 같이 템플릿(10)에 성형되는 캐비티 모양을 해당 다각형으로 형성할 수 있다. The cavities 11 of the template 10 manufactured in this way may have a cavity shape as shown in FIG. 3 when the protrusions 21 of the mold 20 are rounded. In addition, when the protrusions 21 of the mold 20 are polygonal, for example, square pillars, pentagonal pillars, or the like, the cavity shape formed on the template 10 may be formed as the polygons as shown in FIG. 4. have.

위에서, 몰드(20)와 템플릿(10) 재료를 압착하여 가압하기 전에 몰드(20)도 템플릿(10) 재료와 같은 온도 범위로 가열하여도 된다. 템플릿(10) 재료만을 가열하는 것보다는 몰드(20)도 같이 가열함으로써, 템플릿(10) 재료와의 온도 차이로 인하여 재료의 변형 등이 발생하는 것을 방지할 수 있을 것이다.Above, the mold 20 may also be heated to the same temperature range as the template 10 material before pressing and pressing the mold 20 and template 10 material. By heating the mold 20 together rather than heating only the material of the template 10, it may be possible to prevent deformation of the material and the like due to a temperature difference from the material of the template 10.

또한, 위와 같이, 템플릿(10) 재료를 가열하지 않고, 몰드(20) 만을 가열한 후 몰드(20)와 템플릿(10) 재료를 압착하여 캐비티(11)를 형성할 수도 있다. 즉, 몰드(20)를 템플릿(10) 재료가 용융될 수 있는 정도의 온도 범위, 예를 들어, 550~650 oC 정도로 가열한 후, 가열된 몰드(20)를 템플릿(10) 재료의 한쪽 면에 일정 압력으로 가압하여 복수의 캐비티들(11)을 형성할 수 있다. In addition, as described above, the cavity 11 may be formed by pressing only the mold 20 and the template 10 material after heating the mold 20 without heating the material of the template 10. That is, the mold 20 is heated to a temperature range in which the template 10 material can be melted, for example, about 550 to 650 ° C., and then the heated mold 20 is heated on one side of the template 10 material. The plurality of cavities 11 may be formed by pressing the surface at a predetermined pressure.

또한, 몰드(20)의 돌기들(21) 끝에 다른 적어도 하나 이상의 작은 돌기들을 마련하는 경우에, 도 5 및 도 6과 같이 캐비티 모양을 각 캐비티 면 아래로 필요한 수만큼의 고정홈(groove)을 형성할 수도 있다. 여기서, 각 캐비티 면 아래로 형성된 고정홈들은, 솔더 범프 형성 시에 캐비티(11) 이외에 고정홈에 침투된 액체 상태의 솔더 범프 형성 물질이 고형화되는 경우에, 고정홈이 캐비티(11)에 고형화된 솔더 범프의 지지력을 강화하여 이탈을 방지할 수 있도록 한다. 각 캐비티 면 아래로 형성되는 고정홈들의 모양도, 몰드(20)에 마련된 작은 돌기들의 모양을 따르게 되며 둥근형, 사각형태 등 다양한 형태로 자유롭게 할 수 있다. In addition, in the case of providing at least one or more other small protrusions at the ends of the protrusions 21 of the mold 20, as shown in FIGS. 5 and 6, as many cavity grooves as necessary are formed under each cavity surface. It may be formed. Here, the fixing grooves formed under each cavity surface are solidified in the cavity 11 when the liquid solder bump forming material penetrated into the fixing grooves other than the cavity 11 solidifies at the time of forming the solder bumps. Strengthen the support of the solder bumps to prevent breakout. The shape of the fixing grooves formed below the surface of each cavity also follows the shape of the small protrusions provided in the mold 20, and can be freely formed in various forms such as round and square.

이외에도, 위와 같이 캐비티들(11)이 형성된 후에, 한 번 더 습식 또는 건식 식각하는 것도 가능하다. 기존 습식 식각 방식에 의하여 형성된 캐비티 면보다 본 발명에 따라 몰드(20)를 이용하여 성형 방식으로 형성된 캐비티 면이 더욱 깨끗하고, 균일하지만, 좀더 균일하고 깨끗한 캐비티 면을 얻기 위하여, HF, KOH 등의 식각 용액을 이용하여 한 번 더 습식 식각하거나, 기상 식각, 플라즈마 식각, 이온 식각 방법 등에 의하여 한 번 더 건식 식각할 수 있을 것이다. 습식 또는 건식 식 각을 위하여, 캐비티(11) 이외의 영역을 포토 레지스트 등 감광막을 도포한 후 진행할 수도 있다. In addition, after the cavities 11 are formed as described above, it is also possible to wet or dry etch one more time. In order to obtain a more clean, uniform, but more uniform and clean cavity surface, the cavity surface formed by the molding method according to the present invention than the cavity surface formed by the conventional wet etching method, etching of HF, KOH, etc. The solution may be wet etched once more using the solution, or may be dry etched once more by gas phase etching, plasma etching, or ion etching. For wet or dry etching, a region other than the cavity 11 may be applied after applying a photoresist film such as a photoresist.

이와 같이 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 템플릿(10)은 도 7과 같이 웨이퍼 범핑을 위하여 사용될 수 있다. 웨이퍼 범핑을 위하여, 먼저, 다양한 방법으로 캐비티(11)에 Au, Ag/Sn 등의 재질을 용융하여 액체 상태의 솔더 범프 형성 물질을 채운 후 고형화시킴으로써, 반도체 웨이퍼(30)의 전극 패드(31)에 대응되는 위치들에 솔더 범프(또는 솔더 볼)(12)을 형성할 수 있다. 이후 템플릿(10)은 소정 기구에 결합되고 장착되어 웨이퍼(30) 위까지 이송되고 소정의 얼라인 마크를 정렬시킨 후, 템플릿에 열을 가하여 솔더 범프(12)가 웨이퍼(30)의 전극 패드(31)로 전이되도록 한다. As such, the template 10 manufactured according to an embodiment of the present invention may be used for wafer bumping as shown in FIG. 7. For wafer bumping, first, the electrode pad 31 of the semiconductor wafer 30 is melted by melting a material such as Au, Ag / Sn, etc. in the cavity 11 in various ways to fill a solid solder bump forming material and then solidifying the wafer 11. Solder bumps (or solder balls) 12 may be formed at positions corresponding to the solder bumps 12. The template 10 is then coupled to a predetermined instrument, mounted, transported onto the wafer 30 and aligned with a predetermined alignment mark, and then heat is applied to the template to allow the solder bumps 12 to form the electrode pads of the wafer 30. 31).

이와 같은 웨이퍼 범핑 공정에서, 일반적으로, 반도체 웨이퍼(30)에 솔더 범프들(12)을 전이하기 전에 전극 패드(31) 위에 UBM(Under Bump Metallurgy) 물질층을 형성할 수 있다. UBM 물질층은 전극 패드들(31) 및 솔더 범프들(12)과 접착력이 좋으며, 전기 저항이 작고, 솔더 범프들(12)의 확산이 효과적으로 방지될 수 있는 물질로 이루어지며, Cr, W, Cu, Ti 등 금속 물질층의 조합 또는 합금층으로 이루어질 수 있다. In such a wafer bumping process, in general, an under bump metallurgy (UBM) material layer may be formed on the electrode pad 31 before the solder bumps 12 are transferred to the semiconductor wafer 30. The UBM material layer is made of a material having good adhesion with the electrode pads 31 and the solder bumps 12, the electrical resistance is small, and the diffusion of the solder bumps 12 can be effectively prevented, and Cr, W, It may be made of a combination of metal material layers such as Cu, Ti, or an alloy layer.

이와 같이 본 발명에 따른 웨이퍼 펌핑용 템플릿(10)은, 평판 재질의 한쪽 면에 형성한 복수의 캐비티들(11)을 포함하고, 복수의 캐비티들(11)은 해당 평판 재질이 일정 온도 범위로 가열된 상태에서 복수의 캐비티들(11)과 대응되는 돌기들(21)을 가지는 몰드(20)를 해당 평판 재질에 일정 압력으로 가압함으로써, 제조 될 수 있다. 이에 따라, 최근의 미세한 캐비티들까지도 균일하게 형성될 수 있으며, 캐비티면이 깨끗한 템플릿(10)을 용이하게 제조할 수 있다.As described above, the wafer pumping template 10 according to the present invention includes a plurality of cavities 11 formed on one side of a flat plate material, and the plurality of cavities 11 have a flat plate material at a predetermined temperature range. In the heated state, the mold 20 having the protrusions 21 corresponding to the plurality of cavities 11 may be manufactured by pressing the flat plate material at a predetermined pressure. Accordingly, even the recent fine cavities can be uniformly formed, and the template 10 having a clean cavity surface can be easily manufactured.

본 발명에 따른 장치 및 방법은 본 발명의 기술적 사상의 범위 안에서 다양한 형태의 변형 및 응용이 가능하다. 결국, 상기 실시예들과 도면들은 본 발명의 내용을 상세히 설명하기 위한 목적일 뿐, 발명의 기술적 사상의 범위를 한정하고자 하는 것이 아니므로, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 뿐만 아니라 그와 균등한 범위를 포함하여 판단되어야 한다.Apparatus and method according to the present invention can be modified and applied in various forms within the scope of the technical idea of the present invention. After all, the embodiments and drawings are merely for the purpose of describing the details of the invention, and are not intended to limit the scope of the technical idea of the invention, the scope of the present invention is not limited to the claims to be described later and It should be judged to include an even range.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 범핑용 템플릿을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a method for manufacturing a wafer bumping template according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 유리 성형용 몰드를 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining a glass molding mold according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 템플릿의 일례이다.3 is an example of a template manufactured according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 템플릿의 다른 예이다.4 is another example of a template manufactured according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 템플릿의 또 다른 예이다.5 is another example of a template manufactured according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 템플릿의 또 다른 예이다.6 is another example of a template manufactured according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 템플릿을 이용한 웨이퍼 범핑 방법을 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining a wafer bumping method using a template manufactured according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

템플릿:10Template: 10

캐비티:11Cavity: 11

솔더 범프:12Solder Bump: 12

몰드:20Mold: 20

돌기:21Turning: 21

반도체 웨이퍼:30Semiconductor Wafer: 30

전극 패드:31Electrode Pads: 31

Claims (10)

솔더 범프를 형성하여 전극에 전이하기 위한 템플릿에 있어서, In the template for forming a solder bump and transition to the electrode, 평판 재질의 한쪽 면에 형성한 복수의 캐비티들을 포함하고,It includes a plurality of cavities formed on one side of the plate material, 상기 복수의 캐비티들은 상기 평판 재질이 일정 온도 범위로 가열된 상태에서 상기 복수의 캐비티들과 대응되는 돌기들을 가지는 몰드를 상기 평판 재질에 일정 압력으로 가압하여 형성된 것을 특징으로 하는 템플릿.And the plurality of cavities are formed by pressing a mold having protrusions corresponding to the plurality of cavities to a predetermined pressure in a state in which the flat material is heated to a predetermined temperature range. 제1항에 있어서, 상기 평판 재질은,The method of claim 1, wherein the flat plate material, 유리, 석영, 필름, 세라믹, 및 금속 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 템플릿.A template comprising any one of glass, quartz, film, ceramic, and metal. 제1항에 있어서, 상기 몰드는,The method of claim 1, wherein the mold, 상기 평판 재질 보다 녹는점이 높은 금속 재질인 것을 특징으로 하는 템플릿.Template characterized in that the metal material having a higher melting point than the flat plate material. 제1항에 있어서, 상기 복수의 캐비티들은,The method of claim 1, wherein the plurality of cavities, 상기 몰드에 의하여 각 캐비티 면 아래로 형성된 적어도 하나 이상의 고정홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 템플릿.And at least one fixing groove formed under each cavity surface by the mold. 제4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 솔더 범프 형성 시에 상기 캐비티 이외에 상기 고정홈에 침투된 액체 상태의 솔더 범프 형성 물질이 고형화되어, When the solder bumps are formed, the liquid solder bump forming material penetrated into the fixing grooves in addition to the cavity is solidified, 상기 적어도 하나 이상의 고정홈이 상기 캐비티에 고형화된 솔더 범프의 지지력을 강화하는 것을 특징으로 하는 템플릿.And the at least one fixing groove enhances the bearing capacity of the solder bumps solidified in the cavity. 솔더 범프를 형성하여 전극에 전이하기 위한 템플릿을 제조하는 방법에 있어서, In the method for manufacturing a template for forming a solder bump and transition to an electrode, 평판 재질을 일정 온도 범위로 가열하는 단계; 및Heating the plate material to a predetermined temperature range; And 복수의 돌기들을 가지는 몰드를 상기 가열된 평판 재질에 일정 압력으로 가압하여 상기 평판 재질의 한쪽 면에 복수의 캐비티들을 형성하는 단계Pressing a mold having a plurality of protrusions to a predetermined pressure on the heated plate material to form a plurality of cavities on one side of the plate material; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 템플릿 제조 방법.Template manufacturing method comprising a. 제6항에 있어서, 상기 형성하는 단계 후에,The method of claim 6, wherein after the forming step, 상기 복수의 캐비티들을 습식 또는 건식 식각하는 단계Wet or dry etching the plurality of cavities 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 템플릿 제조 방법.Template manufacturing method characterized in that it further comprises. 제6항에 있어서, 상기 가열하는 단계 후에,The method of claim 6, wherein after the heating step, 상기 몰드를 가열하는 단계Heating the mold 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 템플릿 제조 방법.Template manufacturing method characterized in that it further comprises. 솔더 범프를 형성하여 전극에 전이하기 위한 템플릿을 제조하는 방법에 있어서, In the method for manufacturing a template for forming a solder bump and transition to an electrode, 평판 재질의 대상체에 형성될 캐비티와 동일한 형상의 복수의 돌기들을 구비한 몰드를 일정 온도 범위로 가열하는 단계; 및Heating a mold having a plurality of protrusions having the same shape as a cavity to be formed on an object of a flat material to a predetermined temperature range; And 상기 몰드를 상기 대상체의 일측 면에 일정 압력으로 가압하여 복수의 캐비티들을 형성하는 단계Pressing the mold to one side of the object at a predetermined pressure to form a plurality of cavities 를 포함하는 것을 특징으로 하는 템플릿 제조 방법.Template manufacturing method comprising a. 제9항에 있어서, 상기 형성하는 단계 후에,The method of claim 9, wherein after the forming step, 상기 복수의 캐비티들을 습식 또는 건식 식각하는 단계Wet or dry etching the plurality of cavities 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 템플릿 제조 방법.Template manufacturing method characterized in that it further comprises.
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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0182422B1 (en) * 1994-06-14 1999-04-15 정몽원 Metal mask for soldering of flip chip ic and its manufacturing method
US5872051A (en) * 1995-08-02 1999-02-16 International Business Machines Corporation Process for transferring material to semiconductor chip conductive pads using a transfer substrate
KR20070105040A (en) * 2006-04-25 2007-10-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Resist composition, method of fabricating resist pattern using the same and array substrate fabricated using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108461409A (en) * 2018-03-29 2018-08-28 中国电子科技集团公司第四十三研究所 A kind of CCGA devices plant column device and method

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