KR20090068058A - 반도체 제조설비의 배기압력조절장치 - Google Patents

반도체 제조설비의 배기압력조절장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090068058A
KR20090068058A KR1020070135922A KR20070135922A KR20090068058A KR 20090068058 A KR20090068058 A KR 20090068058A KR 1020070135922 A KR1020070135922 A KR 1020070135922A KR 20070135922 A KR20070135922 A KR 20070135922A KR 20090068058 A KR20090068058 A KR 20090068058A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
process chamber
exhaust
pressure
line
gas
Prior art date
Application number
KR1020070135922A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100934794B1 (ko
Inventor
서승수
Original Assignee
주식회사 동부하이텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동부하이텍 filed Critical 주식회사 동부하이텍
Priority to KR1020070135922A priority Critical patent/KR100934794B1/ko
Publication of KR20090068058A publication Critical patent/KR20090068058A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100934794B1 publication Critical patent/KR100934794B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 공정챔버 내부의 압력을 조절하는 밴트라인에서 공정진행 후 생성된 부산물이 역류되어 공정챔버를 오염시키는 것을 방지할 수 있는 반도체 제조설비의 배기압력조절장치에 관한 것이다.
이를 실현하기 위한 본 발명은 공정챔버 내부의 반응가스를 흡입하는 진공펌프와, 상기 공정챔버와 진공펌프 사이에 연결된 배기라인과, 상기 배기라인에 바이패스 방식으로 연결되는 밴트라인을 포함하는 반도체 제조설비의 배기압력조절장치에 있어서, 상기 배기라인에 설치되어 상기 공정챔버 내부의 압력을 측정하는 압력감지센서; 상기 밴트라인에 설치되어 배기되는 반응가스의 유속을 가속시키는 밴츄리관; 상기 밴츄리관에 가스를 공급하는 가스공급부; 상기 압력감지센서에 의해 측정된 압력과 기준치를 비교한 뒤 상기 가스공급부를 제어하여 상기 밴츄리관에 공급하는 가스의 양을 조절하는 컨트롤부; 를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
반도체, 배기가스, 압력조절, 밴트라인, 밴츄리

Description

반도체 제조설비의 배기압력조절장치{Exhaust gas pressure control apparatus for semiconductor equipment}
본 발명은 반도체 제조설비의 배기압력조절장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정챔버 내부의 압력을 조절하는 밴트라인에서 공정진행 후 생성된 부산물이 역류되어 공정챔버를 오염시키는 것을 방지할 수 있는 반도체 제조설비의 배기압력조절장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정 중에서 웨이퍼 상에 산화막을 성장시키거나 전기적인 특성을 가지도록 하기 위하여 붕소나 인 등의 불순물을 활성화 및 안정화시키기 위한 어닐링 처리 등을 하는 공정을 확산공정(diffusion process)이라 한다.
이러한 확산공정이 이루어지는 설비에서는 공급되는 가스상태의 불순물과 배기되는 가스의 양을 조절하여 공정챔버 내부의 압력이 항상 일정하게 유지되도록 조절되어야 한다. 이 경우 수평형은 물론이고, 수직형 공정챔버에서 확산이 이루어지는 동안 공정챔버 내부의 압력변화는 확산층의 두께 등과 같은 공정특성을 결정짓는 중요한 요소로 작용한다.
도 1은 종래의 반도체 제조설비의 배기시스템을 보여주는 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 공정챔버(100)의 일측에는 배기라인(110)이 연결된다. 상기 배기라인(110) 상에는 진공펌프(130)가 설치되어 공정챔버(100) 내부의 공정환경을 진공상태로 유지시킨다. 또한, 상기 진공펌프(130)는 배기라인(110)을 통해 공정챔버(100) 내의 공정진행 후 생성된 반응가스를 흡입하게 되는데, 이때 상기 공정챔버(100) 내의 반응가스는 진공펌프(130)에 의해 스크러버(scrubber)(150)로 유입된 후 배기덕트(170)를 통하여 외부로 배기된다.
한편, 상기 배기라인(110)상에는 밴트밸브(200)가 설치된 밴트라인(vent line)(210)이 바이패스 방식으로 설치되는데, 이는 공정 중에 지속적으로 유입되는 공정가스에 의해 공정챔버(100) 내부의 압력이 상승함에 따라 압력하강용으로 설치되는 것이다.
그러나 상기와 같은 종래의 밴트라인(210)은 지속적인 사용에 따라 파우더에 의한 막힘 현상이 발생하게 되고, 상기 진공펌프(130)에 의해 흡입되던 반응가스가 역류되어 공정챔버(100) 내부로 유입되면서 오염원(particle source)로 작용하게 되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 공정챔버 내부의 압력을 조절하는 밴트라인에서 공정진행 후 생성된 부산물이 역류되어 공정챔버를 오염시키는 것을 방지할 수 있는 반도체 제조설비의 배기압력조절장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 공정챔버 내부의 압력을 일정하게 유지시킬 수 있도록 한 반도체 제조설비의 배기압력조절장치를 제공하는데 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 반도체 제조설비의 배기압력조절장치는, 공정챔버 내부의 반응가스를 흡입하는 진공펌프와, 상기 공정챔버와 진공펌프 사이에 연결된 배기라인과, 상기 배기라인에 바이패스 방식으로 연결되는 밴트라인을 포함하는 반도체 제조설비의 배기압력조절장치에 있어서, 상기 배기라인에 설치되어 상기 공정챔버 내부의 압력을 측정하는 압력감지센서; 상기 밴트라인에 설치되어 배기되는 반응가스의 유속을 가속시키는 밴츄리관; 상기 밴츄리관에 가스를 공급하는 가스공급부; 상기 압력감지센서에 의해 측정된 압력과 기준치를 비교한 뒤 상기 가스공급부를 제어하여 상기 밴츄리관에 공급하는 가스의 양을 조절하는 컨트롤부; 를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
이 경우 상기 가스공급부에서 공급되는 가스는 질소(N2)인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 밴트라인에는 공정챔버에서 배기되는 반응가스의 역류를 방지할 수 있도록 체크밸브가 설치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 제조설비의 배기압력조절장치는, 공정챔버 내부의 압력을 조절하는 밴트라인에서 부산물이 역류되어 공정챔버를 오염시키는 것을 방지할 수 있고, 공정챔버 내부의 압력을 일정하게 유지시킬 수 있는 장점이 있다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 배기시스템을 보여주는 개략적인 구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 배기압력조절장치를 보여주는 구성도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명은 공정챔버(10) 내부의 공정환경을 진공상태로 유지시킴과 동시에 상기 공정챔버(10) 내부의 반응가스를 흡입하는 진공펌프(13)와, 상기 공정챔버(10)와 진공펌프(13) 사이에 연결된 배기라인(11)과, 상기 진공펌프(13)에 의해 배기되는 반응가스를 처리하는 스크러버(15)와, 상기 스크러버(15)를 통과한 반응가스를 외부로 배기시키는 배기덕트(17) 및 상기 배기라인(11)에 바이패스 방식으로 연결되는 밴트라인(21)의 구성은 종래의 기술과 동일하므로 설명의 중복을 피하기 위하여 상세한 설명은 생략하고, 새로이 부가되는 구성 부재들의 동작을 중심으로 하여 상세히 설명한다.
이 경우 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 배기압력조절장치(30)는 압력감 지센서(12), 밴츄리관(31), 가스공급부(33), 컨트롤부(35)를 포함하여 구성된다.
상기 압력감지센서(12)는 배기라인(11)의 초입부에 설치되어 공정챔버(10) 내의 압력을 측정하게 된다.
상기 밴츄리관(31)은 배기라인(11)상에 바이패스 방식으로 설치된 밴트라인(21)상에 설치된다. 상기 밴츄리관(31)은 몸체중간부의 직경이 점차 축소되도록 형성되어 밴트라인(21)을 통해 배기되는 반응가스의 유속을 가속시켜주는 역할을 한다.
또한, 상기 밴츄리관(31)의 중간부에는 가스공급부(33)가 연결된다. 이 경우 상기 가스공급부(33)는 밴츄리관(31)에 질소(N2)를 공급해줌으로써 밴트라인(21)을 통해 배기되는 반응가스의 유속을 조절할 수 있게 된다.
상기 컨트롤부(35)는 압력감지센서(12)에 의해 측정된 압력과 기준치를 비교하여 가스공급부(33)를 제어함으로써 밴츄리관(31)에 공급되는 질소의 양을 조절하게 된다. 일례로, 상기 밴트라인(21)을 통하여 배기되는 반응가스의 유속이 느린 경우에 상기 반응가스의 역류현상을 방지할 수 있도록 밴츄리관(31)에 공급되는 질소의 양을 늘려 유속을 가속시키고, 반대로 상기 밴트라인(21)을 통하여 배기되는 반응가스의 유속이 빠른 경우에는 밴츄리관(31)에 공급되는 질소의 양을 줄여준다. 따라서, 상기 밴트라인(21)을 통해 배기되는 반응가스의 양을 일정하게 조절할 수 있게 된다.
도 4는 본 발명에 따른 배기압력조절장치의 다른 실시예를 보여주는 도면으로, 상기 밴트라인(21)에는 공정챔버(10)에서 배기되는 반응가스의 역류를 방지하 는 수단으로 체크밸브(32)가 더 설치될 수 있다.
이와 같은 구성의 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 배기압력조절장치의 작용을 도 5를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 상기 압력감지센서(12)에서는 공정챔버(10) 내의 압력을 실시간으로 측정하게 된다.
이 경우 상기 압력감지센서(12)에서 측정된 압력이 기준치 이상인 경우 컨트롤부(35)에서는 밴트밸브(20)를 온(On)상태로 전환하여 밴트라인(21)을 통해 공정챔버(10)내의 반응가스를 배기시켜줌으로써 압력을 하강시켜주게 된다.
이때, 상기 컨트롤부(35)에서는 밴트라인(21)을 통해 배기되는 반응가스의 유속이 일정하게 유지될 수 있도록 가스공급부(33)를 제어하여 밴츄리관(31)에 공급되는 질소의 양을 늘리거나 줄여주게 된다. 따라서, 상기 밴트라인(21)을 통해 배기되는 반응가스의 양을 일정하게 유지시켜줌과 아울러 반응가스의 역류현상을 방지하게 된다.
이와 같은 과정을 통하여 공정챔버(10) 내의 압력이 기준치 이하로 떨어지게 되면 상기 컨트롤부(35)에서는 밴트밸브(20)를 오프(Off)상태로 전환시키게 된다.
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않으며 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능함은 물론이다.
도 1은 종래의 반도체 제조설비의 배기시스템을 보여주는 개략적인 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 배기시스템을 보여주는 개략적인 구성도,
도 3은 본 발명에 따른 배기압력조절장치를 보여주는 구성도,
도 4는 본 발명에 따른 배기압력조절장치의 다른 실시예를 보여주는 구성도,
도 5는 본 발명에 따른 배기압력조절과정을 보여주는 순서도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 공정챔버 11 : 배기라인
12 : 압력감지센서 13 : 진공펌프
15 : 스크러버 17 : 배기덕트
20 : 밴트밸브 21 : 밴트라인
30 : 배기압력조절장치 31 : 밴츄리관
33 : 가스공급부 35 : 컨트롤부

Claims (3)

  1. 공정챔버 내부의 반응가스를 흡입하는 진공펌프와, 상기 공정챔버와 진공펌프 사이에 연결된 배기라인과, 상기 배기라인에 바이패스 방식으로 연결되는 밴트라인을 포함하는 반도체 제조설비의 배기압력조절장치에 있어서,
    상기 배기라인에 설치되어 상기 공정챔버 내부의 압력을 측정하는 압력감지센서;
    상기 밴트라인에 설치되어 배기되는 반응가스의 유속을 가속시키는 밴츄리관;
    상기 밴츄리관에 가스를 공급하는 가스공급부;
    상기 압력감지센서에 의해 측정된 압력과 기준치를 비교한 뒤 상기 가스공급부를 제어하여 상기 밴츄리관에 공급하는 가스의 양을 조절하는 컨트롤부;
    를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기압력조절장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 가스공급부에서 공급되는 가스는 질소(N2)인 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기압력조절장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 밴트라인에는 공정챔버에서 배기되는 반응가스의 역류를 방지할 수 있도록 체크밸브가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 배기압력조절장치.
KR1020070135922A 2007-12-22 2007-12-22 반도체 제조설비의 배기압력조절장치 KR100934794B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070135922A KR100934794B1 (ko) 2007-12-22 2007-12-22 반도체 제조설비의 배기압력조절장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070135922A KR100934794B1 (ko) 2007-12-22 2007-12-22 반도체 제조설비의 배기압력조절장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090068058A true KR20090068058A (ko) 2009-06-25
KR100934794B1 KR100934794B1 (ko) 2009-12-31

Family

ID=40995711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070135922A KR100934794B1 (ko) 2007-12-22 2007-12-22 반도체 제조설비의 배기압력조절장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100934794B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021145716A1 (ko) * 2020-01-17 2021-07-22 주식회사 한국에이티아이 센서 유입 가스 흐름 안정화 시스템
KR20210093148A (ko) * 2020-01-17 2021-07-27 주식회사 한국에이티아이 센서 유입 가스 흐름 안정화 시스템
CN114300386A (zh) * 2021-12-17 2022-04-08 北京北方华创微电子装备有限公司 一种反应腔室尾气压力控制装置及半导体工艺设备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980045854A (ko) * 1996-12-11 1998-09-15 문정환 반도체 웨이퍼 제조용 종형 확산로의 배기압력 조절장치
KR19990030007U (ko) * 1997-12-29 1999-07-26 구본준 반도체 웨이퍼 확산장비의 배기압력조절장치
KR20000019931A (ko) * 1998-09-16 2000-04-15 윤종용 반도체장치 제조용 가스공급장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021145716A1 (ko) * 2020-01-17 2021-07-22 주식회사 한국에이티아이 센서 유입 가스 흐름 안정화 시스템
KR20210093148A (ko) * 2020-01-17 2021-07-27 주식회사 한국에이티아이 센서 유입 가스 흐름 안정화 시스템
CN114300386A (zh) * 2021-12-17 2022-04-08 北京北方华创微电子装备有限公司 一种反应腔室尾气压力控制装置及半导体工艺设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR100934794B1 (ko) 2009-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101685833B1 (ko) 기판 처리 장치, 가스 정류부, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
US9523150B2 (en) Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device and computer-readable recording medium
US10332766B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate transfer method
US20140318457A1 (en) Method of cleaning film forming apparatus and film forming apparatus
TW201919093A (zh) 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置、及電腦可讀取記錄媒體
AU2012364053B2 (en) Coal deactivation treatment device
CN110528085B (zh) 一种控制源瓶压力的控制装置及方法
TW201526083A (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
KR101594930B1 (ko) 기판 처리 장치 및 배기관 클리닝 방법
KR100934794B1 (ko) 반도체 제조설비의 배기압력조절장치
US10312079B2 (en) Etching method
US8029874B2 (en) Plasma processing apparatus and method for venting the same to atmosphere
US20160083843A1 (en) Substrate processing apparatus
US20220333238A1 (en) Method for controlling a processing system
US20140290752A1 (en) Processing method and processing apparatus
KR101236696B1 (ko) 기판처리장치
JP4368932B2 (ja) プラズマドーピング処理装置及び方法
KR20130124998A (ko) 벤트 라인의 가스 유량을 자동으로 조절하는 유기금속 화학증착장치
KR100621799B1 (ko) 반도체 공정 챔버의 압력 조절 시스템
KR200478113Y1 (ko) 벤트 라인의 가스 유량을 자동으로 조절하는 유기금속 화학증착장치
US11270895B2 (en) Gas introduction structure, treatment apparatus, and treatment method
KR100209746B1 (ko) 산화막 성장장비
TW202214047A (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
KR20060084875A (ko) 반도체 확산 설비의 벤트 시스템에 적용되는 체크 밸브 장치
KR20070043527A (ko) 반도체 제조설비의 배기장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee