KR20090055349A - 플라스마를 이용한 박막 증착 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (19)
- 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치에 있어서:박막 증착 공정이 진행되는 수직형 공정튜브;상기 공정 튜브의 내부에 위치되며, 다수의 웨이퍼들이 적재되는 보우트;상기 공정튜브와 상기 보우트 사이에 위치되며, 외부로부터 제공받은 공정가스를 웨이퍼들로 제공하기 위한 가스 공급부재;상기 가스 공급부재 내부에 설치되며, 상기 공정가스를 플라즈마 상태로 만들기 위한 플라즈마 발생부재를 포함하되,상기 가스 공급부재는상기 공정튜브의 내측벽으로 이격되도록 설치되는, 그리고 내부에 상기 공정튜브 외부로부터 공정가스를 공급받아 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 공간 및 상기 플라즈마 발생 공간의 외측에 제공되어 상기 플라즈마 발생 공간으로부터 플라즈마화된 공정가스를 유입받아 웨이퍼들로 공급하는 가스 공급 공간을 가지는 격벽을 포함하고,상기 플라즈마 발생부재는상기 플라즈마 발생 공간에 설치되고 웨이퍼들에 증착된 박막의 소스가 되는 금속으로 이루어지는 타겟; 및상기 타겟에 플라즈마 발생에 필요한 파워를 인가하는 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제1항에 있어서,상기 격벽은,상기 보우트와 마주하는 일면의 중심을 상하로 가로지르는 선을 기준으로 일측영역에 형성되어 상기 가스 공급 공간으로 유입된 플라즈마화된 공정가스를 상기 웨이퍼들로 공급하는 관통공들을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제2항에 있어서,상기 플라즈마 발생부재는상기 플라즈마 발생 공간에 설치되고 웨이퍼들에 증착된 박막의 소스가 되는 금속으로 이루어지는 타겟; 및상기 타겟에 플라즈마 발생에 필요한 파워를 인가하는 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제2항에 있어서,상기 플라즈마 발생부재는상기 격벽에 의해 제공되는 상기 플라즈마 발생 공간에 설치되는 전극; 및상기 전극으로 플라즈마 발생에 필요한 파워를 인가하는 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제4항에 있어서,상기 전극은웨이퍼들에 증착된 박막의 소스가 되는 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제4항에 있어서,상기 플라즈마 발생부재는상기 플라즈마 발생 공간에 설치되고 웨이퍼들에 증착되는 박막의 소스가 되는 금속으로 이루어지는 타겟을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 전극은판, 원기둥 그리고 코일 형상중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제3항 또는 제4항에 있어서,상기 박막 증착 장치는상기 가스 공급부재의 플라즈마 발생공간으로 공정가스를 공급하는 가스공급 부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제3항 또는 제4항에 있어서,상기 가스 공급부재는상기 보우트와 대응되게 수직하게 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제3항 또는 제4항에 있어서,상기 가스 공급부재는,복수개가 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제10항에 있어서,상기 가스 공급부재는,상기 보우트를 기준으로 서로 대향되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제4항에 있어서,상기 공정가스는,불소가스 및 염소가스 중 어느 하나를 포함하고,상기 전극 및 타겟의 재질은,구리, 티타늄, 몰리브덴, 그리고 탄탈륨으로 이루어진 그룹 중에서 선택적으로 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 공정튜브는 박막증착 공정을 위한 밀폐된 공간을 제공하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치에 있어서:박막 증착 공정이 진행되는 수직형 공정튜브;상기 공정 튜브의 내부에 위치되며, 다수의 웨이퍼들이 적재되는 보우트;상기 공정 튜브와 상기 보우트 사이에 배치되며, 웨이퍼들로 제공될 공정가스를 플라즈마 상태로 만들기 위한 플라즈마 발생부를 포함하되;상기 플라즈마 발생부는상기 공정튜브의 내측벽으로 이격되도록 설치되는, 그리고 내부에 상기 공정튜브 외부로부터 공정가스를 공급받아 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 공간 및 상기 플라즈마 발생 공간의 외측에 제공되어 상기 플라즈마 발생 공간으로부터 플라즈마화된 공정가스를 유입받아 웨이퍼들로 공급하는 가스 공급 공간을 가지는 격벽; 및상기 플라즈마 발생 공간에 설치되며, 상기 공정가스를 플라즈마 상태로 만들기 위한 플라즈마 발생부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제14항에 있어서,상기 플라즈마 발생부재는상기 플라즈마 발생 공간에 설치되는 전극;상기 전극으로 플라즈마 발생에 필요한 파워를 인가하는 전원; 및상기 플라즈마 발생 공간에 설치되며, 웨이퍼들에 증착된 박막의 소스가 되는 금속으로 이루어지는 타겟을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제14항에 있어서,상기 플라즈마 발생부재는상기 플라즈마 발생 공간에 설치되는 전극 및 상기 전극으로 플라즈마 발생에 필요한 파워를 인가하는 전원을 포함하되,상기 전극은웨이퍼들에 증착된 박막의 소스가 되는 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제14항 또는 제15항에 있어서,상기 플라즈마 발생부는,복수개가 상기 보우트를 기준으로 서로 대향되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제16항에 있어서,상기 전극은판, 원기둥 그리고 코일 형상 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 공정가스는불소가스 및 염소가스 중 어느 하나를 포함하고,상기 전극 및 상기 타겟의 재질은구리, 티타늄, 몰리브덴, 그리고 탄탈륨으로 이루어진 그룹 중에서 선택적으로 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 박막 증착 장치.
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