KR20090052091A - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20090052091A
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배범진
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Abstract

본 발명은 이차전자 방출 특성을 높여 방출 전압을 낮추고, 방전을 제어하여 효율을 높일 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법{Plasma display panel and Method for fabricating in thereof}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 상부 기판과 하부 기판 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다.
고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 상부 기판(100) 및 배면을 이루는 후면 글라스(111) 상에 전술한 복수의 유지전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 하부 기판(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.
상부 기판(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(a)과 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 상부 유전체층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호막(105)이 형성된다.
하부 기판(110)은 복수개의 방전 공간 즉, 방전셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입(또는 웰 타입)의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽(112)에 대해 평행하게 배치된다. 하부 기판(110)의 상측면에는 어드레스 방전시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.
이와 같은 구조를 갖는 종래 PDP는 크게 유리기판 제조 공정, 상부 기판 제조 공정, 하부 기판 제조 공정, 조립 공정을 거쳐 형성된다. 특히, PDP 제조 공정 중 패널의 제조 공정을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 상부 기판(100)의 제조 공정은 상부 기판(100)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 형성되는 제조 공정과 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)의 방전전류를 제한하며, 전극쌍 간을 절연시켜주는 상부 유전체층이 형성되는 제조 공정, 유전체층 상면에 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(Mgo)을 증착한 보호막이 형성되는 제조 공정을 거치게 된다.
또한, 하부 기판(110)의 제조 공정은 하부 기판(110)에 어드레스 전극(113)이 형성되는 제조 공정과 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층이 형성되는 제조 공정, 유전체층 상면에 방전셀을 구획하는 격벽(112)이 형성되는 제조 공정, 격벽(112)에 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 형광체층이 형성되는 제조 공정을 거치게 된다.
도 2는 전술한 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 기판(100) 제조 방법을 도시한 것이다.
도시된 바와 같이, 상부 기판(100)인 유리를 가공하는 단계와, 그 상부 기판(100) 상에 방전 유지 전극(102, 103)을 형성하는 단계와, 상기 방전유지 전극(102, 103) 상에 상부 유전체층(104)을 형성하는 단계와, 상기 상부 유전체층(104) 상에 실링(sealing)을 하고, 산화마그네슘(MgO) 보호막(105)을 형성하는 단계로 이루어진다.
상기 방전유지 전극(102, 103)은 상부 기판(100) 상에 투명전극인 두 전극(102a, 103a)을 형성하는 단계와, 상기 형성된 두 전극(102a, 103a)의 일부분 상 에 보조 전극인 버스전극(102b, 103b)을 형성하는 단계로 이루어진다.
이러한 단계로 이루어진 상부 기판(100)에서의 제조 방법을 설명하면, 상부 기판(100) 상에 투명 전극(102a, 103a)을 스퍼터링(sputtering)이나 진공증착 등의 방법을 이용하여 형성하고, 그 투명전극 상에 Cr/Cu/Cr로 이루어진 버스전극(102b, 103b)을 스퍼터링 방식에 의해 형성한다.
상기 투명 전극(102a, 103a)과 버스전극(102b, 103b)으로 형성된 방전유지 전극(102, 103) 상에 스크린 인쇄법을 이용하여 상부 유전체층(104)을 형성하고, 그 상부 유전체층(104) 상에 실링을 한다.
그 다음 상기 상부 유전체층(105) 표면에 보호막(105)을 형성하는데, 이 보호막(105)은 통상 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지고, 이 산화마그네슘은 E-beam 또는 액상 산화마그네슘을 도포 또는 코팅하여 약 500㎚ 정도로 증착한다.
하지만, 전술한 종래 E-beam 또는 산화마그네슘(MgO)만으로 형성된 보호막(105)은 이차전자 방출계수를 어느 정도 높일 수 있으나 그에 한계가 있고, 또한 PDP의 높은 구동전압과 낮은 효율 등의 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 이차전자 방출 특성을 높여 방출 전압을 낮추고, 방전을 제어하여 효율을 높일 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 반사휘도를 저감시켜 명실 콘트라스트 향상을 위한 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 적어도 하나의 전극과, 상기 전극 상에 형성된 유전체 층과, 상기 유전체 층 상에 형성되고 산화마그네슘(MgO)이 포함된 제1 층 및 상기 제1 층 상에 형성되고 단결정의 산화마그네슘 파우더가 포함된 제2 층으로 이루어진 보호막을 구비하는 제1 기판과; 격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 합착되며, 적어도 하나의 어드레스 전극과 형광체 층을 구비하는 제2 기판;을 포함하고, 상기 보호막 제2 층의 산화마그네슘 파우더에는 Pr(Praseodymium)과, Eu(Europium)과, Co(Cobalt)와, Cr(Chromium)과, Mn(Manganese)와, Tm(Thulium)과, Sm(Samarium) 중 적어도 하나가 도핑된 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나는 상기 산화마그네슘 파우더의 Mg에 대해 5 내지 20 mol%을 가지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제2 층에 포함된 산화마그네슘 파우더는 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나 도핑된 것에 의해 착색되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 착색된 산화마그네슘 파우더는 백색(White) 대비 반사율 90% 미만의 색상으로 착색되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 착색된 산화마그네슘 파우더는 상기 제1 층 상의 소정 부분에 군집 형태로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 형광체 층에는 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나가 도핑되어 착색된 상기 산화마그네슘 파우더를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 격벽내에는 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나가 도핑되어 착색된 상기 산화마그네슘 파우더를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 제1 기판상에 투명 전극과 상부 유전체층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 상부 유전체층 상에 산화마그네슘을 포함한 제1 보호막을 형성하는 단계와; 상기 제1 보호막 상에 단결정의 산화마그네슘 파우더가 포함된 제2 보호막을 형성하는 단계와; 어드레스 전극이 형성된 제2 기판과 상기 제1 기판을 합착하는 단계;를 포함하되, 상기 제2 보호막의 산화마그네슘 파우더에는 Pr(Praseodymium)과, Eu(Europium)과, Co(Cobalt)와, Cr(Chromium)과, Mn(Manganese)와, Tm(Thulium)과, Sm(Samarium) 중 적어도 하나가 도핑된 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 제2 보호막 형성 단계는 분산제와 단결정의 산화마그네슘 파우더 및 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나를 혼합하는 단계와; 상기 혼합된 물질을 상기 제1 보호막 상에 스프레이 방식으로 산포 및 건조하는 단계;를 포함하여 이루어진다.
이때, 상기 혼합 단계는 상기 산화마그네슘 파우더와 상기 제1 보호막간의 접착력을 높히기 위한 가교재를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나는 상기 산화마그네슘 파우더의 Mg에 대해 5 내지 20 mol%을 가지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나가 도핑되어 착색된 상기 산화마그네슘 파우더를 포함한 격벽을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 상기 제2 기판에 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나가 도핑되어 착색된 상기 산화마그네슘 파우더를 포함한 형광체 층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진다.
상기에서 설명한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법의 효과를 설명하면 다음과 같다.
첫째, 플라즈마 디스플레이 패널의 구동시에 방전 공간에 노출된 보호막, 형 광체 층 및 격벽에서의 이차전자 방출 특성이 향상되는 효과가 있다.
둘째, 플라즈마 디스플레이 패널의 이차전자 방출 특성이 향상되어, 방전 개시전압이 낮고 방전 지연 시간이 단축되며, 반사휘도를 저감시켜 명실 콘트라스트가 향상되는 효과가 있다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
이하, 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 설명된다.
첨부된 도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타냈으며, 도면에 나타난 각 층간의 두께 비가 실제 두께 비를 나타내는 것은 아니다.
한편, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 형성 또는 위치한다고 할 때, 이는 다른 부분의 바로 위에 형성되어 직접 접촉하는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 존재하는 경우도 포함하는 것을 이해하여야 한다.
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 일 실시예 구조도이다.
도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 전면기판(170) 상에 일방향으로 통상 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 스캔 전극과 서스테인 전극(180a, 180b)과 통상 금속 재료로 이루어지는 버스전극(180a', 180b')이 형성된다. 그리고, 스캔 전극과 서스테인 전극 및 버스전극을 덮으면서 전면기판(170) 상에 유전체(190)와 보호막이 순차적으로 형성되어 이루어진다.
전면기판(170)은 디스플레이 기판용 글라스의 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 형성된다.
여기서, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 또는 SnO2 등을, 스퍼터링(sputtering)에 의한 포토에칭(photoetching)법 또는 CVD에 의한 리프트 오프(lift-off)법 등으로 형성된 것이다.
그리고, 버스 전극(180a', 180b')은 은(Ag) 등을 포함하여 이루어진다. 또한, 스캔 전극과 서스테인 전극에는 블랙 매트릭스가 형성될 수 있는데, 저융점 유리와 흑색 안료 등을 포함하여 이루어진다.
그리고, 스캔 전극과 서스테인 전극 및 버스전극이 형성된 전면 기판(170) 상에는, 유전체(190)가 형성된다. 여기서, 유전체(190)는 투명한 저융점 유리를 포함하여 이루어지며, 구체적인 조성은 후술한다. 그리고, 상판 유전층(190) 상에는 산화 마그네슘 등으로 이루어진 보호막이 형성되어, 방전시 (+) 이온의 충격으로부터 유전체를 보호하고, 2차 전자 방출을 증가시키기도 한다. 이하에서 보호막을 상세히 설명한다.
본 실시예에 따른 보호막은, 산화마그네슘 박막을 포함하여 이루어지는 제1 층(195a)과, 상기 제1 층 상에 형성되고 단결정의 산화마그네슘 파우더가 포함된 제2 층(195b)을 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 제 1 층(195a) 상의 일부분에, 단결정의 MgO 나노 파우더가 포함된 파티클이 일종의 군집 형태로 제 2 보호막(195b)를 이루어, 전체적으로 보호막의 표면이 평탄하지 않고 울퉁불퉁한 형상을 이루게 된다.
따라서, 플라즈마 디스플레이 패널의 가스 방전시에 전면기판(170)과 배면기판(110)의 전자적인 상호 작용으로 인하여 이차전자의 방출량이 증가하고, 방전개시전압을 낮출 수 있으므로, 결과적으로 방전효율을 높이고 지터(jitter)를 감소시킨다.
그러나, 상기 단결정의 산화마그네슘 파우더는 백색으로서, 플라즈마 디스플레이 패널의 가스 방전시에 반사 휘도가 커져서 명실 콘트라스트가 저하되는 문제점이 있을 수 있다.
따라서, 본 발명은 상기 제2 층(195b)내에 Pr(Praseodymium)과, Eu(Europium)과, Co(Cobalt)와, Cr(Chromium)과, Mn(Manganese)와, Tm(Thulium)과, Sm(Samarium)등의 금속 이온 중 적어도 하나를 일정량 도핑시켜, 상기 제2 층(195b)내의 단결정 산화마그네슘 파우더가 상기 도핑된 금속 이온에 의해 착색되도록 한다. 이때, 도면 부호 195c는 상기 제2 층(195b)내의 산화마그네슘 파우더가 상기 금속 이온에 의해 착색된 상태를 나타내고 있다. 본 발명은 상기 금속 이온의 종류를 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm로 한정하는 것은 아니고, 백색(White) 대비 반사율 90% 미만의 색상을 가지는 금속 이온은 모두 포함될 수 있다.
상기와 같이, 본 발명은 상기 금속 이온들을 통해 상기 산화마그네슘 파우더 를 소정 색상으로 착색함으로써, 기존의 백색의 산화마그네슘 파우더보다 방전 특성을 향상시키고 반사 휘도를 저감시켜 명실 콘트라스트를 향상시킬 수 있는 것이다. 상기와 같은 상기 제2 층(195b)내의 산화마그네슘 파우더 및 상기 제2 층(195b)내에 도핑되는 금속 이온에 대한 설명은 이하 상세히 후술한다.
한편, 배면기판(110)의 일면에는 상기 서스테인 전극쌍과 교차하는 방향을 따라 어드레스 전극(120)이 형성되고, 이 어드레스 전극(120)을 덮으면서 배면기판(110)의 전면에 백색 유전층(130)이 형성된다.
백색 유전층(130)은 인쇄법 또는 필름 라미네이팅(laminating) 방법에 의하여 도포된 후, 소성 공정을 통하여 완성된다.
그리고, 백색 유전층(130) 위로 각 어드레스 전극(120) 사이에 배치되도록 격벽(140)이 형성된다. 이때, 격벽(140)은 스트라이프형(stripe-type), 웰형(well-type), 또는 델타형(delta-type)일 수 있다.
여기서, 격벽(140) 상에는 블랙 탑(145a)이 형성될 수 있다. 그리고, 각각의 격벽(140) 사이에 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 형광체 층(150a, 150b, 150c)이 형성된다. 배면기판(110) 상의 어드레스 전극(120)과 전면기판(110) 상의 서스테인 전극쌍이 교차하는 지점이 각각 방전셀을 구성하는 부분이 된다.
여기서, 현재 방전 공간에 노출된 면은 상기 전면기판(170)의 보호막과, 상기 격벽(140) 및 형광체 층(150a, 150b, 150c)이 있다.
따라서, 상기 격벽(140)과 형광체 층(150a, 150b, 150c)도 상기 전면기판(170)의 보호막에서와 같이, 상술한 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm등 의 금속 이온이 일정량 도핑되어 착색된 단결정의 산화마그네슘 파우더를 포함함으로써, 반사 휘도를 저감시켜 명실 콘트라스트를 향상시킬 수 있다. 이하 도면을 참조하여 실시예 별로 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 공정에 대해 상세히 설명한다.
<제1 실시예>
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면기판 제조 공정을 나타낸 제1 실시예 단면도이다.
본 발명의 제1 실시예는 상술한 보호막의 제2 층(195b) 즉, 제2 보호막(195b)내에 Pr(Praseodymium)과, Eu(Europium)과, Co(Cobalt)와, Cr(Chromium)과, Mn(Manganese)와, Tm(Thulium)과, Sm(Samarium)등의 금속 이온 중 적어도 하나를 일정량 도핑시켜, 상기 제2 보호막(195b)내의 단결정 산화마그네슘 파우더가 상기 도핑된 금속 이온에 의해 착색되도록 함으로써, 반사 휘도를 저감시켜 명실 콘트라스트를 향상시키는데 있다.
이하, 도 4a 내지 도 4d를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면기판 제조 공정을 상세히 설명한다.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이 전면기판(170) 상에 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)과 버스 전극(180a', 180b')을 형성한다.
여기서, 전면기판(170)은 디스플레이 기판용 글래스 또는 소다라임 유리를 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning)하여 제조된다.
그리고, 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)은 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링(sputtering)에 의한 포토에칭(photoetching)법과, 이온 도금법(Ion Plating) 및 진공 증착법등을 이용하여 형성하거나 또는 SnO2를 CVD에 의한 리프트 오프(lift-off)법으로 형성할 수 있다. 상기 ITO(Indium Tin Oxide)를 포토에칭법을 이용하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성할 경우 ITO를 전면기판(170) 상에 증착하고, 상기 증착된 ITO 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성한다. 또한, 상기 SnO2를 리프트 오프법을 이용하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성할 경우 전면기판(170) 상에 포토레지스트를 도포한 후, 상기 도포된 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한다. 이후 상기 현상 공정을 거친 후에 SnO2를 증착한 후 상기 포토레지스트를 박리하여 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)을 형성한다. 또한, 상기 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b)에는 블랙 매트릭스가 형성될 수 있는데, 저융점 유리와 흑색 안료 등을 포함하여 이루어진다.
상기 버스 전극(180a', 180b')은 은(Ag)을 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법등을 이용하여 형성하거나 또는 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 스퍼터링에 의한 포토에칭법을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 버 스 전극버스 전극(180a', 180b')을 형성할 경우 스크린 마스크를 통해 은(Ag)등의 도전성 물질 페이스트를 전면기판(170) 상에 인쇄한 후, 건조 및 소성하여 형성한다. 또한, 감광성 페이스트법을 이용하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성할 경우 감광성 은(Ag)을 전면기판(170) 상에 인쇄 및 코팅한 후 건조한다. 이후, 상기 코팅된 은(Ag) 위에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 다시 건조 및 소성하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성한다. 상기 포토에칭법을 이용하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성할 경우 상기 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 전면기판(170) 상에 증착하고, 상기 증착된 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 버스 전극(180a', 180b')을 형성한다.
이어서, 도 4b에 도시된 바와 같이 스캔 전극(180a)과 서스테인 전극(180b) 및 버스 전극(180a', 180b')이 형성된 전면기판(170) 상에 상판 유전체 층(190)을 형성한다. 상기 상판 유전체 층(190)은 저융점 글라스 페이스트를 스크린 인쇄법, 코터(coater)법 및 그린 시트를 라미네이팅하는 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 코터법은 롤(Roll) 또는 슬럿(Slot)의 두가지 방식 중 어느 하나의 방식을 이용할 수 있다.
이어서, 도 4c에 도시된 바와 같이 상판 유전체 층(190) 상에 보호막을 증착 한다. 여기서, 본 발명에 따른 보호막은 제1 보호막(195a)과 제2 보호막(195b)로 이루어진다. 제1 보호막(195a)은 상판 유전체 층(190) 상에 형성된다. 그리고, 실리콘(Si) 등의 도펀트를 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 보호막(195a)은 화학적 기상 증착(CVD)법, 전자빔(E-beam)법, 이온 도금(Ion-plating)법, 졸겔법 및 스퍼터링법 등으로 형성될 수 있다. 이때, 제1 보호막(195a) 내에 실리콘이 도핑되면 어드레스 기간의 지터 값이 줄어들게 되나, 실리콘의 함유량이 일정 값 이상으로 커지면 지터 값이 증가될 수 있다. 따라서, 실리콘은 지터 값이 최소화되는 범위로 도핑되는 것이 바람직하며, 최적 함량으로 보호막 내에 20 내지 500 ppm(parts per million)의 비율로 포함되는 것이 바람직하다. 그리고, 지터 값을 줄이기 위하여 실리콘 대신 다른 물질을 도펀트로 사용할 수도 있을 것이다.
그리고, 제1 보호막(195a) 상에는 도시된 바와 같이 제2 보호막(195b)이 형성된다.
여기서, 제2 보호막(195b)은 단결정의 산화마그네슘 파우더를 포함하여 이루어진다. 이때, 제2 보호막(195b) 내에서 단결정의 산화마그네슘 파우더는 크기가 5 내지 100 마이크로 미터이다. 여기서, '크기'는 결정이 구의 형상이면 지름을 의미하고, 육면체의 형상이면 한 변의 길이를 의미한다. 상기 단결정은 결정 전체가 일정한 결정축을 따라 규칙적으로 생성된 고체를 의미하며, 배향이 서로 다른 조그만 단결정들의 집합인 다결정과 구분된다.
본 발명은 상기 제2 보호막(195b)내에 Pr(Praseodymium)과, Eu(Europium)과, Co(Cobalt)와, Cr(Chromium)과, Mn(Manganese)와, Tm(Thulium)과, Sm(Samarium)등 의 금속 이온 중 적어도 하나를 일정량 도핑시켜, 상기 제2 보호막(195b)내의 단결정 산화마그네슘 파우더가 상기 도핑된 금속 이온에 의해 착색되도록 한다.
이때, 상기 산화마그네슘 파우더에 상기 Pr을 도핑하면 상기 제2 보호막(195b)의 색상은 흑갈색이 되고, 상기 Eu를 도핑하면 연한 적색이 되고, 상기 Co 또는 Cr을 도핑하면 청색이 되고, 상기 Mn을 도핑하면 갈색이 되고, 상기 Tm을 도핑하면 회색이 되고, 상기 Sm을 도핑하면 연한 적색이 된다.
도면 부호 195c는 상기와 같이 제2 보호막(195b)내의 산화마그네슘 파우더가 상기 금속 이온에 의해 착색된 상태를 나타내고 있다.
이하, 상기 산화마그네슘 파우더와 상기 금속 이온을 포함한 제2 보호막(195b)의 형성 과정에 대해 상세히 설명한다.
먼저, 도 4c에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나와, 분산제 및 단결정의 산화마그네슘 파우더를 혼합한다. 그 다음으로, 상기 혼합된 물질을 상기 제1 보호막(195a) 상에 스프레이 방식으로 산포한 후 건조하여 상기 제2 보호막(195b)을 형성한다.
이때, 상기 단결정의 산화마그네슘 파우더와 상기 제1 보호막(195a)간의 접착력을 높히기 위해 TiO등의 가교재가 상기 혼합된 물질에 더 혼합될 수도 있다.
또한, 상기 산화마그네슘 파우더는 1 내지 30 중량%을 가지고, 상기 분산제는 70 내지 99 중량%로 혼합될 수 있다.
또한, 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나는 상기 산화마그네슘 파우더의 Mg에 대해 5 내지 20 mol%로 도핑된다.
또한, 상기 분산제는 아크릴(acryl), 에폭시(epoxy), 우레탄(urethane), 아크릴 우레탄(acrylic urethane), 알키드(alkyd), 폴리아미드 폴리머(poly amid polymer), PCA(Poly Carboxylic Acid) 또는 이들의 혼합물을 사용한다.
이하, 표 1을 참조하여 제2 보호막(195b) 내에 본 발명에 따른 금속 이온들을 도핑 시 나타나는 방전전압 및 반사율에 대해 설명한다.
함량(mol) 5% 10% 15% 20%
1. Mn 250V 88% 256V 82% 272V 80% 261V 80%
2. Pr 260V 91% 257V 72% 265V 70% 267V 67%
3. Eu 275V 97% 271V 93% 273V 93% 277V 94%
4. Co 280V 90% 277V 78% 275V 66% 275V 62%
5. Cr 290V 86% 280V 81% 284V 70% 280V 64%
6. Sm 290V 98% 289V 97% 288V 95% 288V 93%
7. Tm 283V 99% 284V 97% 284V 96% 285V 96%
No doping 285V, 100%
표 1을 참조하면, 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 각각을 제2 보호막(195b) 내에 5%, 10%, 15%, 20% 도핑했을 때의 방전전압(V) 및 반사율(%)을 나타내고 있다. 이때, 상기 도핑량은 상기 제2 보호막(195b)의 산화마그네슘 파우더 중량 100% 에 대한 도핑량이다.
상기와 같이, Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 각각을 제2 보호막(195b)에 도핑시켜, 상기 제2 보호막(195b)내의 단결정 산화마그네슘 파우더가 상기 도핑된 금속 이온에 의해 착색됨으로써, 반사율이 낮아짐에 따라 명실 콘트라스트를 향상되는 것을 알 수 있고, 상기 도핑량에 따라 방전 전압도 낮아지는 것을 알 수 있다.
<제2 실시예>
도 5a 내지 도 5g는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 배면기판 제조 공정을 나타낸 제2 실시예 단면도이다.
본 발명의 제2 실시예는 상술한 제2 보호막(195b) 이외에도 방전 공간에 노출된 격벽(140) 및 형광체 층(150)내에 Pr(Praseodymium)과, Eu(Europium)과, Co(Cobalt)와, Cr(Chromium)과, Mn(Manganese)와, Tm(Thulium)과, Sm(Samarium)등의 금속 이온 중 적어도 하나가 도핑되어 착색된 단결정의 산화마그네슘 파우더를 포함하여 형성함으로써, 반사 휘도를 저감시켜 명실 콘트라스트를 향상시키는데 있다.
이하, 도 5a 내지 도 5g를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 배면기판 제조 공정을 상세히 설명한다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 배면기판(110) 상에 어드레스 전극(120)을 형성한다. 여기서, 배면 기판(110)은 디스플레이 기판용 글래스 또는 소다리임 유리를 밀링(milling) 또는 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 형성한다.
상기 어드레스 전극(120)은 은(Ag)을 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법등을 이용하여 형성하거나 또는 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 스퍼터링에 의한 포토에칭법을 이용하여 형성할 수 있다. 즉, 상기 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성할 경우 스크린 마스크를 통해 은(Ag)등의 도전성 물질 페이스트를 상기 배면기판(110) 상에 인쇄한 후, 건조 및 소성하여 형성한다. 또한, 감광성 페이스트법을 이용하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성할 경우 감광성 은(Ag)을 배면기판(110) 상에 인쇄 및 코팅한 후 건조한다. 이후, 상기 코팅된 은(Ag) 위에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 다시 건조 및 소성하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성한다. 또한, 상기 포토에칭법을 이용하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성할 경우 상기 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 상기 배면기판(110) 상에 증착하고, 상기 증착된 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 어드레스 전극(120)을 형성한다.
그리고, 도 5b에 도시된 바와 같이, 어드레스 전극(120)이 형성된 배면기판(110) 상에 백색의 하판 유전체 층(130)를 형성한다.
상기 하판 유전체 층(130)은 저융점 유리와 TiO2 등의 충진재(Filler)를 스크린 인쇄법, 코터(coater)법 및 라미네이트에 의한 그린 시트법을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 코터법은 롤(Roll) 또는 슬럿(Slot)의 두가지 방식 중 어느 하나의 방식을 이용할 수 있다.
이어서, 도 5c 내지 5f에 도시된 바와 각각의 방전 셀을 구분하기 위한 격벽을 형성한다.
이때, 본 발명에 따른 격벽 재료(140a)는 50 내지 80 중량%의 모상 유리와, 15 내지 30 중량%의 필러, 및 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나가 도핑된 5 내지 20 중량%의 단결정의 산화마그네슘 파우더를 포함하여 이루어진다. 이때, 모상 유리는 PbO와 SiO2와 B2O3 및 Al2O3를 포함하여 이루어지고, 충진재는 TiO2 및 Al2O3를 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나는 상기 산화마그네슘 파우더의 Mg에 대해 5 내지 20 mol%을 가진다.
상기와 같은, 격벽 재료(140a)에 비히클(바인더 및/또는 솔벤트 포함)를 혼합하여 본 발명에 따른 격벽 제조용 페이스트를 만든 후, 상기 격벽 제조용 페이스트를 상기 하판 유전체층(130) 상에 도포한 후, 일정 시간 동안 건조시킨다.
이후, 상기 도포 및 건조 과정을 반복적으로 수행하여 일정한 두께(예를 들면, 150-200㎛)로 만들고, 상기 격벽 재료(140a) 상에 블랙 탑 재료(145a)를 도포한다. 여기서, 블랙 탑 재료(145a)는, 솔벤트와 무기 파우더 및 첨가제를 포함하여 이루어진다. 그리고, 무기 파우더는 글래스 프릿과 블랙 안료를 포함하여 이루어진다. 이어서, 격벽 재료(140a)와 블랙 탑 재료(145a)를 패터닝하여, 격벽(140)과 블랙 탑(145)을 형성한다.
이때, 상기 패터닝 공정은 마스크(155)를 씌우고 노광한 후, 현상하여 수행된다. 즉, 어드레스 전극과 대응되는 부분에 마스크(155)를 위치시키고 노광하면, 현상 및 소성 공정 후에는 빛을 조사받은 부분만이 남아서 상기 격벽(140)과 블랙 탑(145)을 형성한다. 여기서, 블랙 탑 재료에 포토 레지스트(photoresist) 성분을 포함하면, 격벽 및 블랙 탑 재료의 패터닝을 용이하게 수행할 수 있다. 또한, 블랙 탑 재료와 격벽 재료를 함께 소성하면, 격벽 재료 내의 모상 유리는 블랙 탑 재료 내의 무기 파우더 등과 결합력이 증대되어 내구성의 강화를 기대할 수 있다.
상기와 같이, 본 발명의 제2 실시예는 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나가 도핑되어 착색된 단결정 산화마그네슘 파우더를 상기 격벽 재료(140a) 내에 포함하여 상기 격벽(140)을 형성함으로써, 방전효율을 높이고 지터(jitter)를 감소시킨다. 또한, 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm에 의해 착색된 상기 산화마그네슘 파우더가 상기 격벽(140)내에 포함되어 있어서, 반사 휘도를 저감시켜 명실 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
그 다음으로, 도 5g에 도시된 바와 같이, 상기 하판 유전체 층(130) 중 방전 공간에 접하는 면과, 상기 격벽(140)의 측면에 형광체(150a, 150b, 150c)를 도포하여 형광체 층(150)을 형성한다. 즉, 상기 형광체층(250)은 각각의 방전 셀에 따라 R,G,B의 형광체가 차례로 도포되는데, 스크린 인쇄법이나 감광성 페이스트법으로 도포된다.
이때, 본 발명에 따른 형광체(150a, 150b, 150c)는 80 내지 95 중량%의 각각의 적색, 녹색 및 청색 형광 물질과, 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나가 도핑되어 착색된 5 내지 20 중량%의 단결정의 산화마그네슘 파우더를 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 적색(R) 형광 물질로 (Y, Gd)BO3:Eu3+ 을 사용하고, 녹색(G) 형광 물질로는 Zn2SiO4:Mn2+ 을 사용하고, 청색(B) 형광 물질로는 BaMgAl10O17:Eu2+ 를 많이 사용한다. 또한, 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나는 상기 산화마그네슘 파우더의 Mg에 대해 5 내지 20 mol%을 가진다.
상기와 같이, 본 발명의 제2 실시예는 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나가 도핑되어 착색된 단결정 산화마그네슘 파우더를 상기 형광체(150a, 150b, 150c) 내에 포함하여 상기 형광체 층(150)을 형성함으로써, 방전효율을 높이고 지터(jitter)를 감소시킨다. 또한, 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm에 의해 착색된 상기 산화마그네슘 파우더가 상기 형광체 층(150)내에 포함되어 있어서, 반사 휘도를 저감시켜 명실 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
그리고, 상기 제1 실시예에 완성한 전면기판(170)을 상기 격벽(140)을 사이에 두고 상기 배면기판(110)과 접합하고 실링하고, 내부의 불순물 등을 배기한 후, 상기 격벽(140)내의 방전 셀에 Xe+Ne 또는 Xe+He 또는 Xe+Ne+He의 방전 가스(160)를 주입한 후 봉입하면, 상기 도 3과 같은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널이 완성된다. 이때, 상기 Xe을 8 내지 30 중량%으로 상기 방전가스(160)에 첨가함으로써, 방전 안정화 효과를 높인다.
상기와 같이 완성된 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면에는 전면 필터가 구비되는데, 상기 전면 필터는 전자파(EMI, Electro Magnetic Interference; 이하 'EMI'로 약칭함)와, 근적외선(Near Infrared Rays; 이하 'NIR'로 약칭함)을 차폐하고 색보정 및 외부에서 입사되는 빛의 반사를 방지하는 역할 등을 한다.
상기와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널이 완성되면, 배면기판(110) 상의 어드레스 전극(120)과 전면기판(170) 상의 스캔 전극과 서스테인 전극(180a, 180b)과 통상 금속 재료로 이루어지는 버스전극(180a', 180b')이 교차하는 지점이 각각 방전 셀을 구성하는 부분이 된다.
이때, 어드레스 전극(120)과 상기 스캔 전극과 서스테인 전극(180a, 180b) 사이에 어드레스 전압을 인가하여 어드레스 방전을 행함으로써, 방전이 일어난 셀에 벽 전압을 형성하고 다시 유지 전압을 인가함으로써 벽 전압이 형성된 셀에 유지 방전을 발생시킨다.
상기 유지 방전에 의해 발생하는 진공 자외선이 해당 형광체를 여기 및 발광시킴으로써 투명한 전면기판(170)을 통하여 가시광이 방출되어 플라즈마 디스플레이 패널의 화면이 구현된다.
이상, 본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다. 예를 들면, 본 기술분야의 당업자에게는 전술한 실시예들을 서로 조합하여 사용하는 것도 매우 용이할 것이다. 따라서, 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 기판 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 일 실시예 구조도이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면기판 제조 공정을 나타낸 제1 실시예 단면도이다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 배면기판 제조 공정을 나타낸 제2 실시예 단면도이다.
<도면의 주요 보호에 대한 설명>
110 : 배면기판 120 : 어드레스 전극
130 : 하판 유전체 층 140a : 격벽 재료
140 : 격벽 145a : 블랙 탑 재료
145 : 블랙 탑 150a, 150b, 150c : 형광체
160 : 방전 가스 170 : 전면기판
180a : 스캔 전극 180b : 서스테인 전극
180a', 180b' : 버스 전극 190 : 상판 유전체
195a : 제 1 보호막 195b : 제 2 보호막

Claims (13)

  1. 적어도 하나의 전극과, 상기 전극 상에 형성된 유전체 층과, 상기 유전체 층 상에 형성되고 산화마그네슘(MgO)이 포함된 제1 층 및 상기 제1 층 상에 형성되고 단결정의 산화마그네슘 파우더가 포함된 제2 층으로 이루어진 보호막을 구비하는 제1 기판; 및
    격벽을 사이에 두고 상기 제1 기판과 합착되며, 적어도 하나의 어드레스 전극과 형광체 층을 구비하는 제2 기판;을 포함하고,
    상기 보호막 제2 층의 산화마그네슘 파우더에는 Pr(Praseodymium)과, Eu(Europium)과, Co(Cobalt)와, Cr(Chromium)과, Mn(Manganese)와, Tm(Thulium)과, Sm(Samarium) 중 적어도 하나가 도핑된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나는 상기 산화마그네슘 파우더의 Mg에 대해 5 내지 20 mol%을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 층에 포함된 산화마그네슘 파우더는 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나 도핑된 것에 의해 착색되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 착색된 산화마그네슘 파우더는 백색(White) 대비 반사율 90% 미만의 색상으로 착색되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 착색된 산화마그네슘 파우더는 상기 제1 층 상의 소정 부분에 군집 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 형광체 층에는 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나가 도핑되어 착색된 상기 산화마그네슘 파우더를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 격벽내에는 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나가 도핑되어 착색된 상기 산화마그네슘 파우더를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제1 기판상에 투명 전극과 상부 유전체층을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 상부 유전체층 상에 산화마그네슘을 포함한 제1 보호막을 형성하는 단계;
    상기 제1 보호막 상에 단결정의 산화마그네슘 파우더가 포함된 제2 보호막을 형성하는 단계; 및
    어드레스 전극이 형성된 제2 기판과 상기 제1 기판을 합착하는 단계;를 포함하되,
    상기 제2 보호막의 산화마그네슘 파우더에는 Pr(Praseodymium)과, Eu(Europium)과, Co(Cobalt)와, Cr(Chromium)과, Mn(Manganese)와, Tm(Thulium)과, Sm(Samarium) 중 적어도 하나가 도핑된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 제2 보호막 형성 단계는,
    분산제와 단결정의 산화마그네슘 파우더 및 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나를 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합된 물질을 상기 제1 보호막 상에 스프레이 방식으로 산포 및 건조하는 단계;를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 혼합 단계는, 상기 산화마그네슘 파우더와 상기 제1 보호막간의 접착력을 높히기 위한 가교재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나는 상기 산화마그네슘 파우더의 Mg에 대해 5 내지 20 mol%을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나가 도핑되어 착색된 상기 산화마그네슘 파우더를 포함한 격벽을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  13. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 기판에 상기 Pr과, Eu과, Co와, Cr과, Mn와, Tm과, Sm 중 적어도 하나가 도핑되어 착색된 상기 산화마그네슘 파우더를 포함한 형광체 층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
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