KR20090051355A - Growth method of non-polar gan on si substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법에 관한 것으로 실리콘 기판의 (1 -1 0)면 위에 산화막층 및 포토레지스트층을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하고, 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 트렌치를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 트렌치의 측면에 질화갈륨(GaN)을 성장하는 단계를 포함한다.The present invention relates to a non-polarization gallium nitride (GaN) growth method using a silicon substrate comprising the step of sequentially depositing an oxide layer and a photoresist layer on the (1 -1 0) surface of the silicon substrate, the photoresist layer Patterning a trench to form a trench, and growing gallium nitride (GaN) on a side surface of the trench.

본 발명에 의하면, 사파이어 기판 대신에 가격이 싼 실리콘 기판을 이용하여 무분극 질화갈륨(GaN)을 얻을 수 있기 때문에, 상기 무분극 질화갈륨을 사용하여 광소자를 제작할 때, 제작 단가를 절감할 수 있다.According to the present invention, since a polarized gallium nitride (GaN) can be obtained by using a low-cost silicon substrate instead of a sapphire substrate, manufacturing cost can be reduced when fabricating an optical device using the polarized gallium nitride. .

실리콘 기판, 무분극, 질화갈륨(GaN) Silicon Substrate, Polarized, Gallium Nitride (GaN)

Description

실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(ＧａＮ) 성장 방법{Growth method of non-polar GaN on Si substrate}Non-polarization gallium nitride growth method using a silicon substrate {Growth method of non-polar GaN on Si substrate}

본 발명은 무분극 질화갈륨(GaN) 면을 가진 광소자를 제작할 경우에 가격이 싼 실리콘 기판을 사용하여 제작 단가를 낮출 수 있는 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nonpolarized gallium nitride (GaN) growth method using a silicon substrate that can reduce the manufacturing cost using a low-cost silicon substrate when manufacturing an optical device having a nonpolarized gallium nitride (GaN) surface.

현재 질화갈륨(GaN) 기반의 광소자 구조는 사파이어 기판의 (0001)면 위에 광소자의 구조를 성장하는데, 이 경우 내재적인 전계효과(piezo electric effect) 때문에 내부양자 효율이 떨어지는 문제가 발생한다. Currently, a gallium nitride (GaN) based optical device structure grows the optical device structure on the (0001) surface of a sapphire substrate. In this case, the internal quantum efficiency decreases due to the intrinsic field effect (piezo electric effect).

그래서, 이를 개선하기 위한 방법으로 전계 효과가 없어지는 결정면, 도 1a의 a-평면 또는 m-평면의 상부에 광소자 구조를 만드는 방법이 시도되고 있으며, 그 중 가장 많이 사용되는 방법이 사파이어 기판의 r-평면의 기판 위에 질화갈륨 에피(도 1b)를 성장하는 방법을 통해 무분극인 a-평면 질화갈륨(GaN)을 포함하는 광소자를 구현한다.Therefore, as a method for improving this, a method of making an optical device structure on a crystal plane where an electric field effect disappears, an a-plane or an m-plane of FIG. 1A has been attempted, and the most commonly used method is the sapphire substrate. By growing a gallium nitride epitaxial (Fig. 1b) on the r-plane substrate to implement an optical device containing a-plane gallium nitride (GaN) that is polarized.

그러나, 사파이어 기판을 사용하여 무분극 질화갈륨을 포함하는 광소자를 구현하는 경우에는 내부양자 효율이 증가하기는 하지만 사파이어 기판의 재료비가 비싸기 때문에 최종적인 광소자의 제작 단가가 비싸지는 문제점이 있다.However, in the case of implementing an optical device including polarized gallium nitride using a sapphire substrate, although the internal quantum efficiency increases, the material cost of the sapphire substrate is high, resulting in a high manufacturing cost of the final optical device.

따라서, 제작 단가가 저렴하면서도 공정이 쉽고, 내재적인 전계 효과가 없는 기판의 필요성이 요구된다.Therefore, there is a need for a substrate having a low manufacturing cost, easy processing, and no inherent electric field effect.

본 발명은 종래 기술의 불편함을 해결하기 위하여 사파이어 기판에 비해 가격이 저렴한 실리콘 기판을 사용하여 소자 제작의 원가 절감 및 실리콘의 대면적 기판을 사용하여 생산량을 증가함과 동시에 에피 성장을 통해 내부양자효율을 향상시켜 무분극 질화갈륨(GAN)이 성장된 광소자의 효율을 향상시킨 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법을 제공하는 데에 목적이 있다.In order to solve the inconveniences of the prior art, the present invention uses a silicon substrate that is less expensive than a sapphire substrate to reduce the cost of device fabrication and increase the output using a large-area substrate of silicon, while simultaneously growing the internal quantum through epitaxial growth. An object of the present invention is to provide a non-polarized gallium nitride (GaN) growth method using a silicon substrate which improves the efficiency and improves the efficiency of an optical device in which non-polarized gallium nitride (GAN) is grown.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법에 있어서, 사파이어 기판에 비해 저렴하여 공정이 잘 알려진 실리콘 기판의 특정방향의 면에 질화갈륨(GaN)을 수평성장 및 수직성장시킨다.In order to achieve the above object, in the polarized gallium nitride (GaN) growth method using the silicon substrate of the present invention, gallium nitride (GaN) is horizontally placed on a surface of a specific direction of a silicon substrate, which is cheaper than a sapphire substrate and is well known. Growth and vertical growth.

본 발명은 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장하는 방법으로 실리콘 기판의 (1 -1 0)면 위에 산화막층 및 포토레지스트층을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하고, 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 트렌치를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 트렌치의 측면에 질화갈륨(GaN)을 성장하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.The present invention includes a step of sequentially depositing an oxide layer and a photoresist layer on the (1 -1 0) surface of the silicon substrate by a method of growing polarized gallium nitride (GaN) using a silicon substrate, the photoresist layer Patterning a trench to form a trench, and preferably growing gallium nitride (GaN) on a side surface of the trench.

본 발명에서 상기 트렌치를 형성하는 단계는 (1 1 -2)방향으로 마스크를 이용하여 포토 공정 및 에칭 공정을 통해 형성하는 것이 바람직하다.In the present invention, the forming of the trench is preferably performed through a photo process and an etching process using a mask in the (1 1 -2) direction.

본 발명에서 상기 트렌츠의 측면은 (1 1 1) 방향과 (-1 -1 -1)방향인 것이 바람직하다.In the present invention, the side surface of the trench is preferably in the (1 1 1) direction and the (-1 -1 -1) direction.

본 발명에서 상기 산화막층은 이산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을으로 이루어지는 것이 바람직하다.In the present invention, the oxide layer is preferably made of silicon dioxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x ).

본 발명에서 상기 질화갈륨(GaN)을 성장하는 단계는 화학적 성장법에 의해 선택적으로 질화갈륨(GaN)을 성장하는 것이 바람직하다.In the present invention, the step of growing the gallium nitride (GaN) is preferably grown by the gallium nitride (GaN) selectively by the chemical growth method.

본 발명에 의하면 고가의 사파이어 기판 대신에 가격이 싸고 공정이 잘 알려진 실리콘 기판을 사용함에 따라 원가가 절감되는 효과가 있다.According to the present invention, a cost is reduced by using a silicon substrate having a low cost and a well-known process instead of an expensive sapphire substrate.

또한, 실리콘 기판을 사용하여 광소자를 제작하는 공정에서 상기 실리콘 기판은 대면적 기판이 상용화되어 있어서 대면적 기판에 의한 생산량이 증가하는 효과가 있다. In addition, in the process of fabricating an optical device using a silicon substrate, the silicon substrate has an effect that a large area substrate is commercialized, thereby increasing the yield of the large area substrate.

그리고, 무분극 에피의 특성상 내부 양자효율을 획기적으로 높일 수 있기 때문에 질화갈륨 기반의 광소자(LED, LD 등)의 성능이 향상되는 효과가 있다.In addition, since the internal quantum efficiency can be dramatically increased due to the characteristics of the polarized epi, the performance of gallium nitride-based optical devices (LED, LD, etc.) is improved.

본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 하기의 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들 에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하며, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.Preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In adding reference numerals to the components of the following drawings, it is determined that the same components as possible, even if displayed on the other drawings as possible, and unnecessarily obscure the subject matter of the present invention Detailed descriptions of well-known functions and configurations will be omitted.

도 2a 내지 도 2e 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법을 나타낸 도면이다.2A to 2E illustrate a method of growing polarized gallium nitride (GaN) using a silicon substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2a 를 참조하면, 실리콘 기판(200)의 (1 -1 0)면의 상부에 산화막층(210) 및 포토레지스트층(220)를 순차적으로 적층하며, 상기 산화막층(210)은 이산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 사용할 수 있다.Referring to FIG. 2A, the oxide layer 210 and the photoresist layer 220 are sequentially stacked on the (1 −1 0) surface of the silicon substrate 200, and the oxide layer 210 is formed of silicon dioxide ( SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x ) may be used.

도 2b 를 참조하면, 상기 도 2a에 의해 형성된 포토레지스트층(220) 상부에 마스크 물질을 이용하여 포토 공정 및 에칭 공정을 통해 트렌치(230) 모양을 형성한다.Referring to FIG. 2B, a trench 230 is formed on the photoresist layer 220 formed by FIG. 2A by using a mask material through a photo process and an etching process.

상기 마스크 물질은 (1 1 -2)방향의 띠(stripe) 모양으로 형성하며, 상기 트렌치(230)의 측면이 (1 1 1) 방향과 (-1 -1 -1)방향을 갖도록 한다.The mask material is formed in a stripe shape in a (1 1 -2) direction, and the side surface of the trench 230 has a (1 1 1) direction and a (-1 -1 -1) direction.

도 2c 를 참조하면, 상기에서 형성된 트렌치(230) 모양의 실리콘 기판(200)의 상부에 기상 에피텍셔(Hydride Vapor Phase Epitaxy; HVPE) 또는 금속 유기 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 등의 화학적 박막 성장법을 사용하여 선택적으로 질화갈륨(GaN)(240)을 성장시킨다. Referring to FIG. 2C, a vapor deposition (Hydride Vapor Phase Epitaxy) or metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), etc., is formed on the trench 230 shaped silicon substrate 200. A gallium nitride (GaN) 240 is selectively grown using a chemical thin film growth method.

상기 질화갈륨(GaN)(240)은 결정성장의 특성 때문에 상기 실리콘 기판(200) 의 트렌치(230) 부분의 측면인 (1 1 1)면 및 (-1 -1 -1)면에 선택적으로 성장되며, 상기 트렌치(230) 부분의 상부에 형성된 산화막층(210)에는 성장되지 않는다.The gallium nitride (GaN) 240 is selectively grown on (1 1 1) and (-1 -1 -1) planes, which are side surfaces of the trench 230 of the silicon substrate 200 due to the characteristics of crystal growth. It is not grown on the oxide layer 210 formed on the trench 230.

이에 따라 상기 질화갈륨(GaN)(240)은 트렌치(230) 형상의 (1 1 1)면 및 (-1 -1 -1)면의 양면에서 수평으로 성장되며, 상기 양면에서 수평으로 성장한 상기 질화갈륨(GaN)(240)이 하나의 질화갈륨(GaN)(240)으로 합쳐지게 된다.Accordingly, the gallium nitride (GaN) 240 is horizontally grown on both sides of the (1 1 1) plane and the (-1 -1 -1) plane of the trench 230 shape, and the nitride is grown horizontally on both sides. Gallium (GaN) 240 is combined into one gallium nitride (GaN) 240.

도 2c 를 참조하면, 상기 수평성장에 따른 질화갈륨(GaN)(240)은 상기 실리콘 기판(200)의 포토 공정 및 에칭 공정에 의해 형성된 트렌치(230)의 내부를 모두 채워 평편한 상부를 갖게 된다. Referring to FIG. 2C, the gallium nitride (GaN) 240 according to the horizontal growth fills the inside of the trench 230 formed by the photo process and the etching process of the silicon substrate 200 to have a flat top. .

도 2d 를 참조하면, 상기 질화갈륨(GaN)(240)은 계속 성장하여 산화막층(210)이 형성되지 않은 부분으로 수직성장을 한다.Referring to FIG. 2D, the gallium nitride (GaN) 240 continues to grow to vertically grow to a portion where the oxide layer 210 is not formed.

도 2e 를 참조하면, 상기 수직성장을 이룬 질화갈륨(GaN)(2140)은 다시 수평성장에 의해 양 옆으로 수직성장을 이룬 질화갈륨(GaN)(240)끼리 합해져서 상부가 평평한 평면을 이루는 하나의 질화갈륨(GaN)(240)을 형성한다.Referring to FIG. 2E, the vertically grown gallium nitride (GaN) 2140 is formed by adding horizontally grown gallium nitride (GaN) 240 to both sides by horizontal growth to form a flat plane on the top. Gallium nitride (GaN) 240 is formed.

상기 도 2c 내지 도 2e 의 수평성장 및 수직성장은 성장온도, 주입개스의 조절, 성장 압력 및 성장 방법 등의 성장조건을 변화하여 수평성장 또는 수직성장 중 한가지를 우세하게 조절하여 원하는 무분극 질화갈륨(GaN)을 형성할 수 있다. The horizontal growth and vertical growth of FIGS. 2C to 2E vary the growth conditions such as growth temperature, injection gas control, growth pressure, and growth method to predominantly control either horizontal growth or vertical growth, thereby desired gallium nitride-free gallium nitride. (GaN) can be formed.

상기의 방법에 의해 형성된 질화갈륨(GaN)(240)은 실리콘 기판(200)의 m-평면(1 0 -1 0) 면의 무분극 질화갈륨(GaN) 박막을 형성한다.The gallium nitride (GaN) 240 formed by the above method forms an unpolarized gallium nitride (GaN) thin film on the m-plane (1 0 -1 0) plane of the silicon substrate 200.

본 발명에 의하면 사파이어 기판에 비하여 값이 저렴하고 공정이 잘 알려진 실리콘 기판을 이용하여 무분극 질화갈륨(GaN) 박막을 형성하는 것으로 실리콘 기 판의 상부에 무분극 질화갈륨(GaV) 에피를 성장하기 위하여 특정방향의 실리콘 기판(1 0 -1 0)을 사용하며, 수평성장 및 수직성장을 제어하기 위하여 에피성장을 사용한다.According to the present invention, a polarized gallium nitride (GaN) thin film is formed by using a silicon substrate which is inexpensive and well known in comparison to a sapphire substrate. In order to use the silicon substrate 1 0 -10 in a specific direction, epi growth is used to control horizontal and vertical growth.

상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, it has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, but those skilled in the art various modifications and changes of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

도 1a 는 종래의 6방계 결정면을 나타낸 도면.1A is a view showing a conventional six-direction crystal plane.

도 1b 는 사파이어 r-평면의 상부에 성장된 질화갈륨의 결정 모양을 나타낸 도면.FIG. 1B shows the crystal shape of gallium nitride grown on top of the sapphire r-plane. FIG.

도 2a 내지 도 2f 는 본 발명의 일 실시 예에 따른 실리콘 기판을 이용한 분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법을 나타낸 도면.2A to 2F illustrate a method of growing polarized gallium nitride (GaN) using a silicon substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>               <Description of the symbols for the main parts of the drawings>

200 : 실리콘 기판 210 : 산화막층200: silicon substrate 210: oxide layer

220 : 포토레지스트층 230 : 트렌치220: photoresist layer 230: trench

240 : 질화갈륨(GaN)240: gallium nitride (GaN)

Claims (5)

실리콘 기판의 (1 -1 0)면 위에 산화막층 및 포토레지스트층을 순차적으로 적층하는 단계;Sequentially depositing an oxide layer and a photoresist layer on the (1 -1 0) surface of the silicon substrate; 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 트렌치를 형성하는 단계; 및Patterning the photoresist layer to form a trench; And 상기 트렌치의 측면에 질화갈륨(GaN)을 성장하는 단계를 포함하는 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법.Method for growing polarized gallium nitride (GaN) using a silicon substrate comprising the step of growing gallium nitride (GaN) on the side of the trench. 제 1 항에 있어서, 상기 트렌치를 형성하는 단계는,The method of claim 1, wherein the forming of the trench comprises: (1 1 -2)방향으로 마스크를 이용하여 포토 공정 및 에칭 공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법.A polarized gallium nitride (GaN) growth method using a silicon substrate, which is formed by a photo process and an etching process using a mask in the (1 1 -2) direction. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 트렌츠의 측면은 (1 1 1) 방향과 (-1 -1 -1)방향인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법.The side surface of the trench is a (1 1 1) direction and (-1 -1 -1) direction, characterized in that the non-polarization gallium nitride (GaN) growth method using a silicon substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 산화막층은 The method of claim 1, wherein the oxide layer 이산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법.A method of growing polarized gallium nitride (GaN) using a silicon substrate, characterized in that consisting of silicon dioxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x ). 제 1 항에 있어서, 상기 질화갈륨(GaN)을 성장하는 단계는,The method of claim 1, wherein the growing of gallium nitride (GaN), 화학적 성장법에 의해 선택적으로 질화갈륨(GaN)을 성장하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판을 이용한 무분극 질화갈륨(GaN) 성장 방법.A method of growing polarized gallium nitride (GaN) using a silicon substrate, characterized by selectively growing gallium nitride (GaN) by a chemical growth method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102214557A (en) * 2011-04-28 2011-10-12 中山大学 Preparation method for semi-polar non-polar GaN self-support substrate
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