KR20090043797A - Dielectric composition for plasma display panel and plasma display panel using the same and method for fabricating the same - Google Patents

Dielectric composition for plasma display panel and plasma display panel using the same and method for fabricating the same Download PDF

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강동원
문원석
윤원기
권태인
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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 Pb을 함유하지 않은 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a dielectric composition for a plasma display panel that does not contain Pb, a plasma display panel using the same, and a method of manufacturing the plasma display panel using the same.

본 발명에 따르면, Pb을 사용하지 않기 때문에 환경 규제로부터도 자유롭고, 단가가 비교적 저렴하여 플라즈마 디스플레이 패널의 가격 경쟁력을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, since Pb is not used, it is also free from environmental regulations, and the unit price is relatively low, thereby greatly improving the price competitiveness of the plasma display panel.

Description

플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법{Dielectric composition for plasma display panel and Plasma display panel using the same and Method for fabricating the same}Dielectric composition for plasma display panel and plasma display panel using the same and method for manufacturing plasma display panel using the same {Dielectric composition for plasma display panel and Plasma display panel using the same and Method for fabricating the same}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 및 그와 같은 유전체 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display panel, and more particularly to a plasma display panel dielectric composition and a plasma display panel and a manufacturing method using the dielectric composition.

멀티 미디어 시대의 도래와 함께 더 세밀하고, 더 크고, 더욱 자연색에 가까운 색을 표현해줄 수 있는 디스플레이 장치의 등장이 요구되고 있다. 그런데, 40인치 이상의 큰 화면을 구성하기에는 현재의 CRT(Cathode Ray Tube)는 한계가 있어서, LCD(Liquid Crystal Display)나 PDP(Plasma Display Panel) 및 프로젝션 TV(Television) 등이 고화질 영상의 분야로 용도확대를 위해 급속도로 발전하고 있다.With the advent of the multimedia era, display devices that can express more detailed, larger, and more natural colors are required. However, the current CRT (Cathode Ray Tube) has a limit to compose a large screen of 40 inches or more, and the LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), and projection TV (Television) are used for high definition video. It is rapidly developing for expansion.

플라즈마 디스플레이 패널은 플라즈마 방전을 이용하여 화상을 표시하는 전자 장치로서, PDP의 방전 공간에 배치된 전극에 소정의 전압을 인가하여 이들 사이 에서 플라즈마 방전이 일어나도록 하고, 이 플라즈마 방전 시 발생되는 진공자외선(VUV)에 의해 소정의 패턴으로 형성된 형광체층을 여기시켜 화상을 형성한다.A plasma display panel is an electronic device that displays an image by using plasma discharge. The plasma display panel applies a predetermined voltage to an electrode disposed in the discharge space of the PDP so that plasma discharge occurs between them, and vacuum ultraviolet rays generated during the plasma discharge. The phosphor layer formed in a predetermined pattern by (VUV) is excited to form an image.

여기서, 플라즈마 디스플레이 패널은 상부 기판 및 하부 기판으로서 PD-200의 고왜점 유리가 사용되고 있지만 소다-라임 유리(Soda-Lime Glass)의 사용이 적극적으로 고려되고 있다.Here, although the high distortion glass of the PD-200 is used as the upper substrate and the lower substrate, the use of soda-lime glass has been actively considered.

왜냐하면, 소다-라임 유리가 PD-200에 비해 약 1/6 배로 저렴하기 때문에 단가 면에서 유리하기 때문이다. 따라서, 전체적인 플라즈마 디스플레이 패널의 가격 경쟁력을 향상시키기 위하여 소다-라임 유리 기판의 사용에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.This is because soda-lime glass is about 1/6 times cheaper than PD-200, which is advantageous in terms of unit cost. Therefore, studies on the use of soda-lime glass substrates have been actively conducted to improve the price competitiveness of the overall plasma display panel.

그러나, 상기 상부 기판 또는 하부 기판상에 유전층을 형성하기 위해서는 현재 납(Pb)을 함유한 재료가 사용된다. 하지만, Pb으로 인한 환경오염 등의 문제가 대두되면서 Pb을 함유한 재료에 대한 규제가 나날이 강화되고 있는 실정이다.However, in order to form a dielectric layer on the upper substrate or the lower substrate, a material containing lead (Pb) is currently used. However, as problems such as environmental pollution due to Pb are emerging, regulations on Pb-containing materials are being reinforced day by day.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, Pb을 함유하지 않은 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a dielectric composition for a plasma display panel that does not contain Pb, a plasma display panel using the same, and a method of manufacturing the plasma display panel using the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물은, 5 내지 45 중량%의 ZnO과; 0 내지 55 중량%의 B2O3과; 5 내지 30 중량%의 SiO2와; 2 내지 20 중량%의 Al2O3와; 0 내지 3 중량%의 Bi2O3;를 포함하여 이루어진다.Dielectric composition for a plasma display panel according to the present invention for achieving the above object, 5 to 45% by weight of ZnO; 0-55% B 2 O 3 ; 5 to 30 weight percent SiO 2 ; 2 to 20 weight percent of Al 2 O 3 ; 0 to 3 wt% Bi 2 O 3 ;

이때, 상기 유전체 조성물은 0 내지 5 중량%의 BaO과; 0 내지 15 중량%의 K2O5과; 0 내지 15 중량%의 Na2O와; 1 내지 20 중량%의 Li2O와; 0 내지 10 중량%의 R2O; 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 유전체 조성물은 CoO, CuO, Cr2O3, MnO, FeO 및 NiO 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 유전체 조성물은 TiO2, MgO, SrO, CaO, 및 P2O5 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 유전체 조성물은 CeO2, Er2O3, Nd2O3 및 Pr2O3 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어진다.In this case, the dielectric composition is 0 to 5% by weight of BaO; 0-15% by weight of K 2 O 5 ; 0-15% Na 2 O; 1 to 20% by weight of Li 2 O; 0-10% by weight of R 2 O; It further comprises at least one of. In addition, the dielectric composition further comprises at least one of CoO, CuO, Cr 2 O 3 , MnO, FeO and NiO. In addition, the dielectric composition further comprises at least one of TiO 2 , MgO, SrO, CaO, and P 2 O 5 . In addition, the dielectric composition further comprises at least one of CeO 2 , Er 2 O 3 , Nd 2 O 3, and Pr 2 O 3 .

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 투명 전극 및 버스 전극이 형성된 기판과; 상기 전극들을 덮도록 상기 기판상에 형성된 유전층을 포함하되, 상기 유전층은 5 내지 45 중량%의 ZnO과, 0 내지 55 중량%의 B2O3와, 5 내지 30 중량%의 SiO2와, 2 내지 20 중량%의 Al2O3와, 0 내지 3 중량%의 Bi2O3를 포함하여 이루어진다.In addition, the plasma display panel according to an embodiment of the present invention, the substrate and the transparent electrode and the bus electrode is formed; A dielectric layer formed on the substrate to cover the electrodes, wherein the dielectric layer comprises 5 to 45 wt% ZnO, 0 to 55 wt% B 2 O 3 , 5 to 30 wt% SiO 2 , 2 To 20 wt% Al 2 O 3 and 0 to 3 wt% Bi 2 O 3 .

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 기판과; 상기 기판상에 형성된 격벽을 포함하되, 상기 격벽은 5 내지 45 중량%의 ZnO과, 0 내지 55 중량%의 B2O3와, 5 내지 30 중량%의 SiO2와, 2 내지 20 중량%의 Al2O3와, 0 내지 3 중량%의 Bi2O3를 포함하여 이루어진다.In addition, a plasma display panel according to another embodiment of the present invention, the substrate; A partition formed on the substrate, wherein the partition comprises 5 to 45 wt% ZnO, 0 to 55 wt% B 2 O 3 , 5 to 30 wt% SiO 2 , and 2 to 20 wt% Al 2 O 3 and 0 to 3 wt% of Bi 2 O 3 .

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 어드레스 전극이 형성된 기판과; 상기 기판상에 형성된 백색 유전층을 포함하되, 상기 백색 유전층은 5 내지 45 중량%의 ZnO과, 0 내지 55 중량%의 B2O3와, 5 내지 30 중량%의 SiO2와, 2 내지 20 중량%의 Al2O3와, 0 내지 3 중량%의 Bi2O3를 포함하여 이루어진다.In addition, a plasma display panel according to another embodiment of the present invention, the substrate is formed with an address electrode; A white dielectric layer formed on the substrate, wherein the white dielectric layer comprises 5 to 45 wt% ZnO, 0 to 55 wt% B 2 O 3 , 5 to 30 wt% SiO 2 , and 2 to 20 wt% % Al 2 O 3 and 0 to 3 wt% Bi 2 O 3 .

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 5 내지 45 중량%의 ZnO과, 0 내지 55 중량%의 B2O3와, 5 내지 30 중량%의 SiO2와, 2 내지 20 중량%의 Al2O3와, 0 내지 3 중량%의 Bi2O3의 혼합물과, 비히클(Vehicle)이 포함된 유전층 재료를 준비하는 단계와; 상기 유전층 재료를 투명 전극 및 버스 전극이 형성된 기판상에 도포하는 단계와; 상기 유전층 재료를 소성하는 단계를 포함하여 이루어진다.In addition, the manufacturing method of the plasma display panel according to the embodiment of the present invention, 5 to 45% by weight of ZnO, 0 to 55% by weight of B 2 O 3 , 5 to 30% by weight of SiO 2 , 2 Preparing a dielectric layer material comprising a mixture of 20 wt% Al 2 O 3 , 0 wt% 3 wt% Bi 2 O 3 , and a vehicle; Applying said dielectric layer material onto a substrate on which transparent and bus electrodes are formed; Firing the dielectric layer material.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 5 내지 45 중량%의 ZnO과, 0 내지 55 중량%의 B2O3와, 5 내지 30 중량%의 SiO2와, 2 내지 20 중량%의 Al2O3와, 0 내지 3 중량%의 Bi2O3의 혼합물과, 비히클(Vehicle)이 포함된 격벽 재료를 준비하는 단계와; 상기 격벽 재료를 어드레스 전극이 형성된 기판상에 도포하는 단계와; 상기 격벽 재료를 소성하는 단계를 포함하여 이루어진다.In addition, the manufacturing method of the plasma display panel according to another embodiment of the present invention, 5 to 45% by weight of ZnO, 0 to 55% by weight of B 2 O 3 , 5 to 30% by weight of SiO 2 , 2 Preparing a barrier material comprising a mixture of 20 wt% to 20 wt% Al 2 O 3 , 0 wt% to 3 wt% Bi 2 O 3 , and a vehicle; Applying the barrier material onto a substrate on which an address electrode is formed; Firing the barrier material.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 5 내지 45 중량%의 ZnO과, 0 내지 55 중량%의 B2O3와, 5 내지 30 중량%의 SiO2와, 2 내지 20 중량%의 Al2O3와, 0 내지 3 중량%의 Bi2O3의 혼합물과, 비히클(Vehicle)이 포함된 백색 유전층 재료를 준비하는 단계와; 상기 백색 유전층 재료를 어드레스 전극이 형성된 기판상에 도포하는 단계와; 상기 백색 유전층 재료를 소성하는 단계를 포함하여 이루어진다.In addition, the manufacturing method of the plasma display panel according to another embodiment of the present invention, 5 to 45% by weight of ZnO, 0 to 55% by weight of B 2 O 3 , 5 to 30% by weight of SiO 2 , Preparing a white dielectric layer material comprising a mixture of 2 to 20 wt% Al 2 O 3 , 0 to 3 wt% Bi 2 O 3 , and a vehicle; Applying the white dielectric layer material onto a substrate having an address electrode formed thereon; Firing the white dielectric layer material.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, Pb을 사용하지 않기 때문에 환경 규제로부터도 자유롭고, 단가가 비교적 저렴하여 플라즈마 디스플레이 패널의 가격 경쟁력을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있 다.The dielectric composition for plasma display panel according to the present invention, the plasma display panel using the same, and the method of manufacturing the plasma display panel using the same are free from environmental regulations because they do not use Pb, and the unit price is relatively low, so that the price competitiveness of the plasma display panel The effect can be greatly improved.

본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 설명된다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention, in which the above object can be specifically realized, are described with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타냈으며, 도면에 나타난 각 층간의 두께 비가 실제 두께 비를 나타내는 것은 아니다.In the accompanying drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity.

한편, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 형성 또는 위치한다고 할 때, 이는 다른 부분의 바로 위에 형성되어 직접 접촉하는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 존재하는 경우도 포함하는 것을 이해하여야 한다.On the other hand, when a part such as a layer, film, region, plate, etc. is formed or positioned on another part, it is formed directly on the other part and not only in direct contact but also when another part exists in the middle thereof. It should also be understood to include.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 일 실시예 구조도이다.1 is a structural diagram showing an embodiment of a plasma display panel according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 과정을 나타낸 일 실시예 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a plasma display panel according to the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 디스플레이 기판용 글라스를 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 상부 기판(110)을 형성한다(S211).1 and 2, the upper substrate 110 is formed through a process such as milling and cleaning the glass for a display substrate (S211).

이후, 상기 형성된 상부 기판(110)상에 한 쌍의 유지 전극으로 이루어지는 투명 전극(120)을 형성한다.Thereafter, a transparent electrode 120 including a pair of sustain electrodes is formed on the formed upper substrate 110.

즉, 상기 투명 전극(120)은 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링(sputtering)에 의한 포토에칭(photoetching)법과, 이온 도금법(Ion Plating) 및 진공 증착법등을 이용하여 형성하거나 또는 SnO2를 CVD에 의한 리프트 오프(lift-off)법으로 형성할 수 있다.That is, the transparent electrode 120 is formed by photoetching by sputtering ITO (Indium Tin Oxide), ion plating (Ion Plating) and vacuum deposition, or by using SnO 2 in CVD It can be formed by a lift-off method.

상기 ITO(Indium Tin Oxide)를 포토에칭법을 이용하여 상기 투명 전극(120)을 형성할 경우 ITO를 상부 기판(110) 상에 증착하고, 상기 증착된 ITO 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 투명 전극(120)을 형성한다.When indium tin oxide (ITO) is formed using the photoetching method, ITO is deposited on the upper substrate 110, and a photoresist is applied and dried on the deposited ITO. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the transparent electrode 120.

또한, 상기 SnO2를 리프트 오프법을 이용하여 상기 투명 전극(120)을 형성할 경우 상부 기판(110) 상에 포토레지스트를 도포한 후, 상기 도포된 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한다. 이후 상기 현상 공정을 거친 후에 SnO2를 증착한 후 상기 포토레지스트를 박리하여 상기 투명 전극(120)을 형성한다.In addition, when using the SnO 2 to a lift-off method to form the transparent electrode 120 and then a photoresist is applied onto the upper substrate 110, the coating of photo photomask having a predetermined pattern on the resist Put it on and irradiate it with light. After the exposure process, the uncured portion is developed. Thereafter, after the development process, SnO 2 is deposited and the photoresist is peeled off to form the transparent electrode 120.

또한, 상기 투명 전극(120)에는 블랙 매트릭스가 형성될 수 있는데, 저융점 유리와 흑색 안료 등을 포함하여 이루어진다.In addition, a black matrix may be formed on the transparent electrode 120, and includes a low melting glass and a black pigment.

또한, 상기 투명 전극의 저항값을 낮추기 위해 버스 전극(130)을 형성한다(S212).In addition, the bus electrode 130 is formed to lower the resistance of the transparent electrode (S212).

상기 버스 전극(130)은 은(Ag)을 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법등을 이용하여 형성하거나 또는 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 스퍼터링에 의한 포토에칭법을 이용하여 형성할 수 있다.The bus electrode 130 may be formed of silver (Ag) using a screen printing method, a photosensitive paste method, or the like, or Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr using a photoetching method by sputtering. .

상기 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 버스 전극(130)을 형성할 경우 스크린 마스크를 통해 은(Ag)등의 도전성 물질 페이스트를 상부 기판(110) 상에 인쇄한 후, 건조 및 소성하여 형성한다.When the bus electrode 130 is formed using the screen printing method, a conductive material paste such as silver (Ag) is printed on the upper substrate 110 through a screen mask, and then dried and baked.

또한, 감광성 페이스트법을 이용하여 상기 버스 전극(130)을 형성할 경우 감광성 은(Ag)을 상부 기판(110) 상에 인쇄 및 코팅한 후 건조한다. 이후, 상기 코팅된 은(Ag) 위에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 다시 건조 및 소성하여 상기 버스 전극(130)을 형성한다.In addition, when the bus electrode 130 is formed using the photosensitive paste method, photosensitive silver (Ag) is printed and coated on the upper substrate 110 and dried. Subsequently, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the coated silver and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then dried and baked again to form the bus electrode 130.

상기 포토에칭법을 이용하여 상기 버스 전극(130)을 형성할 경우 상기 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 상기 상부 기판(110) 상에 증착하고, 상기 증착된 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 버스 전극(130)을 형성한다.When the bus electrode 130 is formed using the photoetching method, the Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr is deposited on the upper substrate 110, and the deposited Cr / Cu / Cr or The photoresist is applied and dried on Cr / Al / Cr. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the bus electrode 130.

상기와 같이 투명 전극(120)과 버스 전극(130)이 형성된 상부 기판(110) 상에 상판 유전층(140)을 형성한다(S214).As described above, the upper dielectric layer 140 is formed on the upper substrate 110 on which the transparent electrode 120 and the bus electrode 130 are formed (S214).

이때, 상기 상판 유전층(140)은 저융점 글라스 페이스트를 스크린 인쇄법, 코터(coater)법 및 그린 시트를 라미네이팅하는 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 코터법은 롤(Roll) 또는 슬럿(Slot)의 두가지 방식 중 어느 하나의 방식을 이용할 수 있다.In this case, the upper dielectric layer 140 may be formed by using a screen printing method, a coater method, and a lamination method of a low melting glass paste. The coater method may use any one of two methods, a roll or a slot.

상기 상판 유전층(140)은 투명한 저융점 유리를 포함하여 이루어지며, 상판 유전층(140)의 형성 과정을 도 3을 참조하여 보다 구체적으로 상세하게 설명한다.The upper dielectric layer 140 includes transparent low melting glass, and the formation process of the upper dielectric layer 140 will be described in more detail with reference to FIG. 3.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 유전층 제조 과정을 나타낸 일 실시예 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a dielectric layer of a plasma display panel according to the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 먼저 5 내지 45 중량%의 ZnO와, 0 내지 55 중량%의 B2O3와, 5 내지 30 중량%의 SiO2와, 2 내지 20 중량%의 Al2O3과, 0 내지 3 중량% Bi2O3의 혼합한다(S301).As shown in FIG. 3, firstly 5 to 45 wt% ZnO, 0 to 55 wt% B 2 O 3 , 5 to 30 wt% SiO 2 , and 2 to 20 wt% Al 2 O 3 And 0 to 3% by weight of Bi 2 O 3 are mixed (S301).

상기 ZnO는 상기 전면 기판(110) 글라스의 열 팽창성을 억제하며, 상기 글라스의 융점을 낮추는데 필수적인 성분으로써, 5 내지 45 중량%의 함량을 갖는 것이 바람직한데, 이는 5 중량% 미만이면 유전층 조성물의 내수성이 저하되고, 45 중량%를 초과하면 유리 형성 능력이 저하되기 때문이다.The ZnO suppresses thermal expansion of the glass of the front substrate 110 and is an essential component for lowering the melting point of the glass, and preferably has a content of 5 to 45% by weight, which is less than 5% by weight of the dielectric layer composition. This is because the glass forming ability is lowered when the content is lowered and exceeds 45% by weight.

B2O3는 유리 형성 능력을 향상시키기 위한 것으로 0 내지 55 중량%의 함량을 갖는 것이 바람직한데, 이는 B2O3가 유전층 조성물의 유리화 온도를 높이기 때문에 55 중량%를 초과할 경우 상기 유전층 조성물의 유리화 온도를 원하는 범위로 낮추기 어렵게 되고, 조성물의 내수성이 저하된다.B 2 O 3 is to improve the glass forming ability is preferably having a content of 0 to 55% by weight, when the B 2 O 3 exceeds 55% by weight to increase the vitrification temperature of the dielectric layer composition of the dielectric layer composition It is difficult to lower the vitrification temperature in the desired range, and the water resistance of the composition is lowered.

SiO2 및 Al2O3는 상기 글라스의 유리화 온도를 증가시키지만 상기 글라스의 안전성 향상에 도움이 되며, 상기 글라스의 구조 결합을 더욱 강하게한다.SiO 2 and Al 2 O 3 increase the vitrification temperature of the glass but help to improve the safety of the glass, and further strengthen the structural bonding of the glass.

상기 SiO2는 5 내지 30 중량%의 함량을 갖고, 상기 Al2O3는 2 내지 20 중량%의 함량을 갖는 것이 바람직하다.The SiO 2 has a content of 5 to 30% by weight, it is preferable that the Al 2 O 3 has a content of 2 to 20% by weight.

상기 Bi2O3는 본 발명에 따른 유전층 조성물을 이용하여 상판 유전층(140)을 제조 시, 상기 상판 유전층(140)의 내에칭성 향상 및 저유전율 특성을 가지도록 하기 위해 상기 유전층 조성물에 0 내지 3 중량%이 함유된다. 이때, 상기 Bi2O3는 상기 유전층 조성물에 많이 첨가될수록 제조 비용이 상승되므로, 3 중량% 이하로 첨가하는 것이 바람직하다.When Bi 2 O 3 is manufactured using the dielectric layer composition according to the present invention, the dielectric layer composition may have 0 to 0 to improve the etching resistance and low dielectric constant of the upper dielectric layer 140. 3 weight percent. At this time, the Bi 2 O 3 is added to the dielectric layer composition, so the manufacturing cost is increased, it is preferably added at 3% by weight or less.

또한, 상기 S301 단계의 유전체 조성물에는 0 내지 5 중량%의 BaO 및 0 내지 15 중량%의 K2O5가 더 혼합될 수 있다.In addition, the dielectric composition of step S301 may be further mixed with 0 to 5% by weight of BaO and 0 to 15% by weight of K 2 O 5 .

상기 K2O5는 상기 유전체 조성물의 소성 온도를 낮추기 위한 첨가제이다.The K 2 O 5 is an additive for lowering the firing temperature of the dielectric composition.

또한, 상기 S301 단계의 유전체 조성물에는 0 내지 15 중량%의 Na2O 및 1 내지 20 중량%의 함량을 갖는 Li2O가 더 혼합될 수 있다.In addition, the dielectric composition of step S301 may be further mixed with Li 2 O having a content of 0 to 15% by weight of Na 2 O and 1 to 20% by weight.

상기 Na2O 또는 Li2O는 망목수식의 역할을 하면서 비가교 산소를 증가시키므로 유전체 조성물의 유리화 온도를 낮추는 기능을 한다.The Na 2 O or Li 2 O increases the non-crosslinked oxygen while acting as a network formula, thereby lowering the vitrification temperature of the dielectric composition.

또한, 상기 S100 단계의 유전체 조성물에는 0 내지 20 중량%의 함량을 갖는 R2O가 더 혼합될 수 있다.In addition, the dielectric composition of step S100 may be further mixed with R 2 O having a content of 0 to 20% by weight.

상기 R2O는 유리화 온도 및 열팽창 계수의 조절 및 소성 온도를 낮추기 위한 첨가제이다.The R 2 O is an additive for controlling the vitrification temperature and the coefficient of thermal expansion and lowering the firing temperature.

또한, 상기 S301 단계의 유전체 조성물에는 TiO2, MgO, SrO, CaO, 또는 P2O5를 소량 첨가함으로써 유리화 온도 및 열팽창 계수를 미세하게 조정할 수 있다.In addition, the vitrification temperature and the coefficient of thermal expansion can be finely adjusted by adding a small amount of TiO 2 , MgO, SrO, CaO, or P 2 O 5 to the dielectric composition of step S301.

상기 열팽창 계수의 미세 조정은 소다-라임 유리 기판의 열팽창 계수와 매칭시킴으로써 온도 변화에 따른 뒤틀림을 방지하기 위한 것이다.The fine adjustment of the coefficient of thermal expansion is to prevent distortion due to temperature change by matching the coefficient of thermal expansion of the soda-lime glass substrate.

상기 S301 단계의 유전체 조성물에는 전이원소 산화물인 CoO, CuO, Cr2O3, MnO, FeO, 또는 NiO 및/또는 희토류 원소 산화물인 CeO2, Er2O3, Nd2O3, 또는 Pr2O3를 소량 첨가함으로써 유전층의 착색과 전극 반응성을 억제할 수 있다.The dielectric composition of step S301 includes a transition element oxide CoO, CuO, Cr 2 O 3 , MnO, FeO, or NiO and / or rare earth element oxides CeO 2 , Er 2 O 3 , Nd 2 O 3 , or Pr 2 O By adding a small amount of 3 , coloring of the dielectric layer and electrode reactivity can be suppressed.

상기와 같이 S301 단계에서 혼합된 유전층 조성물을 도가니에서 용융시키고(S302), 상기 용융된 유전층 조성물의 유리를 냉각시켜 얇은 플레이트 형상으로 형성시키고, 상기 형성된 플레이트 형상을 분쇄하여 유리 분말을 얻는다(S303).As described above, the dielectric layer composition mixed in step S301 is melted in a crucible (S302), the glass of the molten dielectric layer composition is cooled to form a thin plate shape, and the formed plate shape is pulverized to obtain glass powder (S303). .

상기와 같이 얻어진 유리 분말을 비히클(vehicle)과 혼합하여 페이스트(paste)를 만들고(S304), 상기 페이스트를 이용하여 통상의 인쇄법에 의해 상부 기판(110) 상에 상판 유전층(140)을 형성한다(S305). 이때, 상기 비히클은 바인터 및 솔벤트등의 용매를 포함한다.The glass powder obtained as described above is mixed with a vehicle to form a paste (S304), and the upper dielectric layer 140 is formed on the upper substrate 110 by a conventional printing method using the paste. (S305). In this case, the vehicle includes a solvent such as a binder and a solvent.

한편, 상기 페이스트를 기초로 하여 필름(dry film)을 제조하고 이를 라미네 이팅(laminating)함으로써 상기 상부 기판(110) 상에 상판 유전층(140)을 형성할 수도 있다. 이렇게 상판 유전층(140)이 형성되면 570 내지 600℃에서 소성 공정을 거침으로써 상판 유전층(140) 형성을 마무리하게 된다(S306).Meanwhile, the upper dielectric layer 140 may be formed on the upper substrate 110 by manufacturing a dry film based on the paste and laminating it. When the top dielectric layer 140 is formed as described above, the top dielectric layer 140 is finished by firing at 570 to 600 ° C. (S306).

상술한 조성과 공정으로 형성된 상판 유전층(140) 상에 MgO 등을 이용하여 보호막(150)을 보호막(150)을 형성한다(S215).The protective film 150 is formed on the upper dielectric layer 140 formed by the above-described composition and process using MgO or the like (S215).

상기 보호막(150)은 산화마그네슘인 MgO를 전자빔(Electron Beam) 증착법, 스퍼터링법, 이온 도금법(Ion Plating), 스크린 인쇄법 등을 이용하여 형성할 수 있다.The protective film 150 may be formed of MgO, which is magnesium oxide, by using an electron beam deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a screen printing method, or the like.

또한, 디스플레이 기판용 글라스를 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 하부 기판(210)을 형성한다(S221).In addition, the lower substrate 210 is formed through a process such as milling and cleaning the glass for display substrate (S221).

이후, 하부 기판(210)의 일면에는 상기 표시 전극(120, 130)과 교차하는 방향을 따라 어드레스 전극(220)이 형성된다(S222).Thereafter, an address electrode 220 is formed on one surface of the lower substrate 210 along a direction crossing the display electrodes 120 and 130 (S222).

상기 어드레스 전극(220)은 은(Ag)을 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법등을 이용하여 형성하거나 또는 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 스퍼터링에 의한 포토에칭법을 이용하여 형성할 수 있다.The address electrode 220 may be formed of silver (Ag) using a screen printing method, a photosensitive paste method, or the like, or Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr using photoetching method by sputtering. .

상기 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 어드레스 전극(220)을 형성할 경우 스크린 마스크를 통해 은(Ag)등의 도전성 물질 페이스트를 상기 하부 기판(210) 상에 인쇄한 후, 건조 및 소성하여 형성한다.When the address electrode 220 is formed using the screen printing method, a conductive material paste such as silver (Ag) is printed on the lower substrate 210 through a screen mask, and then dried and baked.

또한, 감광성 페이스트법을 이용하여 상기 어드레스 전극(220)을 형성할 경우 감광성 은(Ag)을 하부 기판(210) 상에 인쇄 및 코팅한 후 건조한다. 이후, 상기 코팅된 은(Ag) 위에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 다시 건조 및 소성하여 상기 어드레스 전극(220)을 형성한다.In addition, when the address electrode 220 is formed using the photosensitive paste method, photosensitive silver (Ag) is printed and coated on the lower substrate 210 and then dried. Subsequently, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the coated silver and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then dried and baked again to form the address electrode 220.

상기 포토에칭법을 이용하여 상기 어드레스 전극(220)을 형성할 경우 상기 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 상기 하부 기판(210) 상에 증착하고, 상기 증착된 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 어드레스 전극(220)을 형성한다.When the address electrode 220 is formed using the photoetching method, the Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr is deposited on the lower substrate 210, and the deposited Cr / Cu / Cr or The photoresist is applied and dried on Cr / Al / Cr. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the address electrode 220.

이후, 상기와 같이 형성된 어드레스 전극(220) 상에 백색의 하판 유전층(230)을 형성한다(S223).Thereafter, a white lower dielectric layer 230 is formed on the address electrode 220 formed as described above (S223).

여기서, 하판 유전층(230)은 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도를 증가시키기 위하여 백색을 나타내는 것이 바람직하다.Here, the lower dielectric layer 230 may be white in order to increase the luminance of the plasma display panel.

또한, 상기 백색의 하판 유전층(230)은 상기 상판 유전층(140)을 위한 본 발명에 따른 유전층 조성물의 조성 및 조성비를 갖는 모상 유리를 이용하여 제조되는 것이 바람직하다.In addition, the white lower plate dielectric layer 230 is preferably manufactured using a mother glass having a composition and composition ratio of the dielectric layer composition according to the present invention for the upper plate dielectric layer 140.

상기와 같은 하판 유전층(230)은 본 발명에 따른 유전층 조성물을 스크린 인쇄법, 코터(coater)법 및 라미네이트에 의한 그린 시트법을 이용하여 형성한 후 소성하여 제조할 수 있다. 이때, 상기 코터법은 롤(Roll) 또는 슬럿(Slot)의 두가지 방식 중 어느 하나의 방식을 이용할 수 있다.The lower plate dielectric layer 230 as described above may be manufactured by baking the dielectric layer composition according to the present invention using a screen printing method, a coater method, and a green sheet method using a laminate. In this case, the coater method may use any one of two methods, a roll or a slot.

이후, 상기와 같이 형성된 하판 유전층(230) 위로 각각의 어드레스 전극(220) 사이에 배치되도록 격벽(240)을 형성한다(S224).Thereafter, the partition wall 240 is formed on the lower dielectric layer 230 formed as described above to be disposed between the address electrodes 220 (S224).

이때, 상기 격벽(240)도 상기와 같이 본 발명의 상판 유전층(140)을 위한 본 발명에 따른 유전층 조성물의 조성 및 조성비를 갖는 모상 유리로 하여 제조되는 것이 바람직하다.At this time, the partition wall 240 is also preferably made of a matrix glass having the composition and composition ratio of the dielectric layer composition according to the present invention for the top dielectric layer 140 of the present invention as described above.

격벽(36)의 재료는, 상기 본 발명에 따른 유전층 조성물의 조성 및 조성비를 갖는 모상 유리와 충진재(filer)를 포함하여 이루어진다.The material of the partition 36 comprises the base glass and the filler which have the composition and composition ratio of the dielectric layer composition which concerns on the said invention.

즉, 상기 격벽(240)은 상기와 같은 충진재(Filler)가 혼합된 모상 유리를 스크린 인쇄법, 샌드 블라스팅법, 감광성 페이스트법, 감광성 페이스트법, 직접 에칭법 등을 이용하여 형성할 수 있다.That is, the partition wall 240 may be formed by using a screen printing method, a sand blasting method, a photosensitive paste method, a photosensitive paste method, a direct etching method and the like to mix the filler (Filler) as described above.

즉, 상기 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 격벽(240)을 형성할 경우, 상기 하판 유전층(230) 상에 상기 충진재(Filler)가 혼합된 모상 유리를 스크린 마스크를 통해 소정 횟수만큼 반복 인쇄한 후, 건조 및 소성하여 상기 격벽(240)을 형성한다.That is, when the partition wall 240 is formed by using the screen printing method, after repeatedly printing the mother glass mixed with the filler on the lower plate dielectric layer 230 a predetermined number of times through a screen mask, The partition wall 240 is formed by drying and firing.

또한, 상기 샌드 블라스팅법을 이용하여 상기 격벽(240)을 형성할 경우 상기 충진재(Filler)가 혼합된 모상 유리를 상기 하판 유전층(230) 상에 증착하고, 상기 증착된 모상 유리 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 샌딩블라스트하여 상기 격벽(240)을 형성한다.In addition, when the partition wall 240 is formed using the sand blasting method, a mother glass mixed with the filler is deposited on the lower dielectric layer 230, and a photoresist is deposited on the deposited mother glass. Apply and dry. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then sandblasted to form the partition wall 240.

또한, 상기 감광성 페이스트법을 이용하여 상기 격벽(240)을 형성할 경우, 상기 충진재(Filler) 및 감광성 물질이 혼합된 모상 유리를 상기 하판 유전층(230) 상에 인쇄 및 코팅한 후 건조한다. 이후, 상기 코팅된 모상 유리 위에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 다시 건조 및 소성하여 상기 격벽(240)을 형성한다.In addition, when the partition wall 240 is formed by using the photosensitive paste method, the mother glass mixed with the filler and the photosensitive material is printed and coated on the lower plate dielectric layer 230 and then dried. Thereafter, a photo mask on which a predetermined pattern is formed is placed on the coated mother glass and is exposed to light by irradiation. After the exposure process, the uncured portion is developed and then dried and baked again to form the partition wall 240.

또한, 상기 직접 에칭법을 이용하여 상기 격벽(240)을 형성할 경우, 상기 충진재(Filler)가 혼합된 모상 유리를 상기 하판 유전층(230) 상에 증착하고, 상기 증착된 모상 유리 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 격벽(240)을 형성한다.In addition, when the partition wall 240 is formed using the direct etching method, a mother glass having the filler mixed thereon is deposited on the lower dielectric layer 230, and a photoresist is formed on the deposited mother glass. Apply and dry. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the partition wall 240.

도 1 및 도 2에는 스트라이프형(stripe-type) 격벽(240)이 도시되어 있으나, 그 밖에도 웰형(well-type), 또는 델타형(delta-type)일 수 있다.Although the stripe-type partition wall 240 is illustrated in FIGS. 1 and 2, in addition, the stripe-type partition wall 240 may be well-type or delta-type.

또한, 상기 격벽(240)을 형성 시, 상기 격벽 재료상에 블랙 탑 재료를 도포할 수 있다. 여기서, 상기 블랙 탑 재료는, 솔벤트와 무기 파우더 및 첨가제를 포함하여 이루어진다. 그리고, 무기 파우더는 글래스 프릿과 블랙 안료를 포함하여 이루어진다.In addition, when the partition wall 240 is formed, a black top material may be coated on the partition material. Here, the black top material comprises a solvent, an inorganic powder and an additive. The inorganic powder includes a glass frit and a black pigment.

이어서, 상기 격벽 재료와 상기 블랙 탑 재료를 패터닝하여, 상기 격벽(240)과 블랙 탑을 형성한다. 이때, 상기 패터닝 공정은 마스크를 씌우고 노광한 후, 현 상하여 수행된다. 즉, 어드레스 전극(220)과 대응되는 부분에 마스크를 위치시키고 노광하면, 현상 및 소성 공정 후에는 빛을 조사받은 부분만이 남아서 격벽(240)과 블랙 탑을 형성할 수 있다.Subsequently, the partition material and the black top material are patterned to form the partition wall 240 and the black top. In this case, the patterning process is carried out after the mask is exposed and exposed. That is, when the mask is positioned and exposed to a portion corresponding to the address electrode 220, only the portion irradiated with light remains after the development and firing process to form the partition wall 240 and the black top.

여기서, 상기 블랙 탑 재료에 포토 레지스트(photoresist) 성분을 포함하면, 상기 격벽(240) 및 상기 블랙 탑 재료의 패터닝을 용이하게 수행할 수 있다. 또한, 블랙 탑 재료와 격벽(240) 재료를 함께 소성하면, 상기 격벽 재료 내의 저융점 글라스는 블랙 탑 재료 내의 무기 파우더 등과 결합력이 증대되어 내구성의 강화를 기대할 수 있다.Here, when the photoresist component is included in the black top material, the partition 240 and the black top material may be easily patterned. In addition, when the black top material and the partition 240 material are fired together, the low melting glass in the partition material may increase the bonding strength of the inorganic powder or the like in the black top material, and thus, durability may be expected to be enhanced.

상기와 같이 형성된 격벽(240)의 사이에는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 형광체층(250)이 형성된다(S225).The phosphor layer 250 of red (R), green (G), and blue (B) is formed between the partition walls 240 formed as described above (S225).

이때, 상기 형광체층(250)은 각각의 방전 셀에 따라 R,G,B의 형광체가 차례로 도포되는데, 스크린 인쇄법이나 감광성 페이스트법으로 도포된다.At this time, the phosphor layer 250, R, G, B phosphors are sequentially applied according to each discharge cell, it is applied by a screen printing method or a photosensitive paste method.

통상적으로, 상기 적색(R) 형광체로 (Y, Gd)BO3:Eu3+ 을 사용하고, 녹색(G) 형광체로는 Zn2SiO4:Mn2+ 을 사용하고, 청색(B) 형광체로는 BaMgAl10O17:Eu2+ 의 형광체를 많이 사용한다.Typically, (Y, Gd) BO 3 : Eu 3+ is used as the red (R) phosphor, Zn 2 SiO 4 : Mn 2+ is used as the green (G) phosphor, and BaMgAl is used as the blue (B) phosphor. 10 O 17: to use a lot of the phosphor of the Eu2 +.

상기 S211 ~ S215 단계에 의해 형성된 상부 기판(110)과 상기 S221 ~ S225 단계에 의해 형성된 하부 기판(210)을 합착 및 실링한다(S231). The upper substrate 110 formed by the steps S211 to S215 and the lower substrate 210 formed by the steps S221 to S225 are bonded and sealed (S231).

이후, 상기 합착된 상부 기판(110)과 하부 기판(210) 사이의 존재하는 내부의 불순물 등을 배기한 후, 상기 격벽(240)내에 Xe+Ne 또는 Xe+He 또는 Xe+Ne+He의 방전 가스를 주입한 후 봉입하여 플라즈마 디스플레이 패널을 완성한다(S232).Subsequently, after exhausting impurities and the like existing between the bonded upper substrate 110 and the lower substrate 210, discharge of Xe + Ne or Xe + He or Xe + Ne + He in the partition wall 240 is performed. After the gas is injected, the gas is sealed to complete the plasma display panel (S232).

상기와 같이 완성된 플라즈마 디스플레이 패널의 전면에는 전면 필터가 구비되는데, 상기 전면 필터는 전자파(EMI, Electro Magnetic Interference; 이하 'EMI'로 약칭함)와, 근적외선(Near Infrared Rays; 이하 'NIR'로 약칭함)을 차폐하고 색보정 및 외부에서 입사되는 빛의 반사를 방지하는 역할 등을 한다.The front surface of the plasma display panel completed as described above is provided with a front filter, the front filter is an electromagnetic wave (EMI, abbreviated as 'EMI'), and Near Infrared Rays (hereinafter referred to as 'NIR') Abbreviated), and serves to prevent color correction and reflection of light incident from the outside.

상기와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널이 완성되면, 하부 기판(210) 상의 어드레스 전극(220)과 상부 기판(110) 상의 투명 전극(120) 및 버스 전극(130)이 교차하는 지점이 각각 방전 셀을 구성하는 부분이 된다.As described above, when the plasma display panel is completed, discharge cells are formed at points where the address electrode 220 on the lower substrate 210 intersects the transparent electrode 120 and the bus electrode 130 on the upper substrate 110. To become a part.

이때, 어드레스 전극(220)과 하나의 투명 전극(120) 및 버스 전극(130) 사이에 어드레스 전압을 인가하여 어드레스 방전을 행함으로써, 방전이 일어난 셀에 벽 전압을 형성하고 다시 유지 전압을 인가함으로써 벽 전압이 형성된 셀에 유지 방전을 발생시킨다.At this time, the address discharge is performed by applying an address voltage between the address electrode 220, one transparent electrode 120, and the bus electrode 130, thereby forming a wall voltage in the discharged cell and applying a sustain voltage again. A sustain discharge is generated in the cell in which the wall voltage is formed.

상기 유지 방전에 의해 발생하는 진공 자외선이 해당 형광체를 여기 및 발광시킴으로써 투명한 상부 기판(110)을 통하여 가시광이 방출되어 플라즈마 디스플레이 패널의 화면이 구현된다.As the vacuum ultraviolet rays generated by the sustain discharge excite and emit the corresponding phosphors, visible light is emitted through the transparent upper substrate 110 to implement the screen of the plasma display panel.

이하, 표 1을 참조하여 본 발명의 구체적 실시예를 비교함으로써 본 발명의 효과를 구체적으로 살펴보도록 한다.Hereinafter, the effect of the present invention will be described in detail by comparing specific embodiments of the present invention with reference to Table 1.

표 1은 본 발명에 따른 유전층 조성물의 실시예별 특성을 나타낸 표이다.Table 1 is a table showing the characteristics of the dielectric layer composition according to the embodiment of the present invention.

Bi2O3 Bi 2 O 3 SiO2 SiO 2 Al2O3 Al 2 O 3 B2O3 B 2 O 3 ZnOZnO R2OR 2 O ℃℃ εε %% 1One 00 1919 66 4343 3030 22 590 이하590 or less 6.96.9 8787 22 1One 1515 88 4343 3030 33 560 이하560 or less 7.27.2 9494 33 1One 1515 1010 4040 2828 66 550 이하550 or less 7.17.1 9797 44 22 1515 1010 4141 2828 44 550 이하550 or less 7.47.4 9999 55 22 1212 1212 4040 2828 66 540 이하540 or less 7.57.5 101101 66 33 1212 1212 3939 2828 66 540 이하540 or less 7.97.9 101101

실시예Example 1 One

표 1을 참조하면, 본 발명에 따른 유전층 조성물을 제조하기 위하여 Bi2O3, SiO2, Al2O3, B2O3, ZnO, R2O의 중량비가 0 : 19 : 6 : 43 : 30 : 2가 되도록 혼합하였다.Referring to Table 1, in order to prepare the dielectric layer composition according to the present invention, the weight ratio of Bi 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, R 2 O is 0: 19: 6: 43: Mix so that it was 30: 2.

상기와 같이, Bi2O3, SiO2, Al2O3, B2O3, ZnO, R2O를 혼합하였을 경우, 소성 온도는 590℃ 이하가 되고, 유전율은 6.9이 되고, 내 에칭성은 87%가 된다.As described above, when Bi 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, and R 2 O are mixed, the firing temperature is 590 ° C. or lower, the dielectric constant is 6.9, and the etching resistance 87%.

이때, 상기 내 에칭성은 표준 양상 유연품 대비 잔존율을 표기한 것이다.In this case, the etching resistance is a representation of the residual ratio compared to the standard aspect flexible product.

실시예Example 2 2

또한, 본 발명에 따른 유전층 조성물을 제조하기 위하여 Bi2O3, SiO2, Al2O3, B2O3, ZnO, R2O의 중량비가 1 : 15 : 8 : 43 : 30 : 3이 되도록 혼합하였다.In addition, in order to prepare the dielectric layer composition according to the present invention, the weight ratio of Bi 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, R 2 O is 1: 15: 8: 43: 30: 3. Mix as much as possible.

상기와 같이, Bi2O3, SiO2, Al2O3, B2O3, ZnO, R2O를 혼합하였을 경우, 소성 온도는 560℃ 이하가 되고, 유전율은 7.2이 되고, 내에칭성은 94%가 된다.As described above, when Bi 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, and R 2 O are mixed, the firing temperature is 560 ° C. or lower, the dielectric constant is 7.2, and the etching resistance 94%.

실시예Example 3 3

또한, 본 유전체 조성물을 제조하기 위하여 Bi2O3, SiO2, Al2O3, B2O3, ZnO, R2O의 중량비가 1 : 15 : 10 : 40 : 28 : 6이 되도록 혼합하였다.In addition, in order to prepare the dielectric composition, the weight ratio of Bi 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, and R 2 O was mixed to be 1: 15: 10: 10: 40: 28: 6. .

상기와 같이, Bi2O3, SiO2, Al2O3, B2O3, ZnO, R2O를 혼합하였을 경우, 소성 온도는 550℃ 이하가 되고, 유전율은 7.1이 되고, 내에칭성은 97%가 된다.As described above, when Bi 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, and R 2 O are mixed, the firing temperature is 550 ° C. or lower, the dielectric constant is 7.1, and the etching resistance is 97%.

실시예Example 4 4

또한, 본 발명에 따른 유전층 조성물을 제조하기 위하여 Bi2O3, SiO2, Al2O3, B2O3, ZnO, R2O의 중량비가 2 : 15 : 10 : 41 : 28 : 4가 되도록 혼합하였다.In addition, in order to prepare the dielectric layer composition according to the present invention, the weight ratio of Bi 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, R 2 O is 2: 15: 10: 41: 28: 4 Mix as much as possible.

상기와 같이, Bi2O3, SiO2, Al2O3, B2O3, ZnO, R2O를 혼합하였을 경우, 소성 온도는 550℃ 이하가 되고, 유전율은 7.4가 되고, 내에칭성은 99%가 된다.As described above, when Bi 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, and R 2 O are mixed, the firing temperature is 550 ° C. or lower, the dielectric constant is 7.4, and the etching resistance 99%.

실시예Example 5 5

또한, 본 발명에 따른 유전층 조성물을 제조하기 위하여 Bi2O3, SiO2, Al2O3, B2O3, ZnO, R2O의 중량비가 2 : 12 : 12 : 40 : 28 : 6이 되도록 혼합하였다.In addition, in order to prepare the dielectric layer composition according to the present invention, the weight ratio of Bi 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, R 2 O is 2: 12: 12: 40: 28: 6. Mix as much as possible.

상기와 같이, Bi2O3, SiO2, Al2O3, B2O3, ZnO, R2O를 혼합하였을 경우, 소성 온도는 540℃ 이하가 되고, 유전율은 7.9가 되고, 내에칭성은 101%가 된다.As described above, when Bi 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, and R 2 O are mixed, the firing temperature is 540 ° C. or lower, the dielectric constant is 7.9, and the etching resistance 101%.

실시예Example 6 6

또한, 본 발명에 따른 유전층 조성물을 제조하기 위하여 Bi2O3, SiO2, Al2O3, B2O3, ZnO, R2O의 중량비가 3 : 12 : 12 : 39 : 28 : 6이 되도록 혼합하였다.In addition, in order to prepare the dielectric layer composition according to the present invention, the weight ratio of Bi 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, R 2 O is 3: 12: 12: 39: 28: 6 Mix as much as possible.

상기와 같이, Bi2O3, SiO2, Al2O3, B2O3, ZnO, R2O를 혼합하였을 경우, 소성 온도는 540℃ 이하가 되고, 유전율은 7.9가 되고, 내에칭성은 101%가 된다.As described above, when Bi 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, and R 2 O are mixed, the firing temperature is 540 ° C. or lower, the dielectric constant is 7.9, and the etching resistance 101%.

이상, 본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다. 예를 들면, 본 기술분야의 당업자에게는 전술한 실시예들을 서로 조합하여 사용하는 것도 매우 용이할 것이다. 따라서, 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit and essential features of the present invention. For example, it will be very easy for those skilled in the art to use the above-described embodiments in combination with each other. Accordingly, the above detailed description should not be construed as limiting in all aspects and should be considered as illustrative. The scope of the invention should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the invention are included in the scope of the invention.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 일 실시예 구조도이다.1 is a structural diagram showing an embodiment of a plasma display panel according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 과정을 나타낸 일 실시예 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a plasma display panel according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 유전층 제조 과정을 나타낸 일 실시예 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a dielectric layer of a plasma display panel according to the present invention.

<도면의 주요 부호에 대한 설명><Description of Major Symbols in Drawing>

110 : 상부 기판 120 : 투명 전극110: upper substrate 120: transparent electrode

130 : 버스 전극 140 : 상판 유전층130: bus electrode 140: top dielectric layer

150 : 보호막 210 : 하부 기판150: protective film 210: lower substrate

220 : 어드레스 전극 230 : 하판 유전층220: address electrode 230: lower dielectric layer

240 : 격벽 250 : 형광체240: partition 250: phosphor

Claims (15)

5 내지 45 중량%의 ZnO;5 to 45 weight percent ZnO; 0 내지 55 중량%의 B2O3;0-55% B 2 O 3 ; 5 내지 30 중량%의 SiO2;5-30% by weight of SiO 2 ; 2 내지 20 중량%의 Al2O3; 및2 to 20 weight percent Al 2 O 3 ; And 0 내지 3 중량%의 Bi2O3;를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물.A dielectric composition for a plasma display panel comprising 0 to 3% by weight of Bi 2 O 3 ; 제1 항에 있어서,According to claim 1, 0 내지 5 중량%의 BaO;0-5% by weight of BaO; 0 내지 15 중량%의 K2O5;0-15 weight% K 2 O 5 ; 0 내지 15 중량%의 Na2O;0-15 weight% Na 2 O; 1 내지 20 중량%의 Li2O;1-20% by weight of Li 2 O; 0 내지 10 중량%의 R2O; 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물.0-10% by weight of R 2 O; Dielectric composition for a plasma display panel further comprises at least one of. 제1 항에 있어서,According to claim 1, CoO, CuO, Cr2O3, MnO, FeO 및 NiO 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물.A dielectric composition for plasma display panel, further comprising at least one of CoO, CuO, Cr 2 O 3 , MnO, FeO, and NiO. 제1 항에 있어서,According to claim 1, TiO2, MgO, SrO, CaO, 및 P2O5 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물.A dielectric composition for plasma display panel, further comprising at least one of TiO 2 , MgO, SrO, CaO, and P 2 O 5 . 제1 항에 있어서,According to claim 1, CeO2, Er2O3, Nd2O3 및 Pr2O3 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널용 유전체 조성물.A dielectric composition for a plasma display panel further comprising at least one of CeO 2 , Er 2 O 3 , Nd 2 O 3, and Pr 2 O 3 . 투명 전극 및 버스 전극이 형성된 기판; 및A substrate on which the transparent electrode and the bus electrode are formed; And 상기 전극들을 덮도록 상기 기판상에 형성된 유전층을 포함하되,A dielectric layer formed on the substrate to cover the electrodes, 상기 유전층은 5 내지 45 중량%의 ZnO과, 0 내지 55 중량%의 B2O3와, 5 내지 30 중량%의 SiO2와, 2 내지 20 중량%의 Al2O3와, 0 내지 3 중량%의 Bi2O3를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.The dielectric layer is 5 to 45 wt% ZnO, 0 to 55 wt% B 2 O 3 , 5 to 30 wt% SiO 2 , 2 to 20 wt% Al 2 O 3 , 0 to 3 wt% A plasma display panel comprising% Bi 2 O 3 . 기판; 및Board; And 상기 기판상에 형성된 격벽을 포함하되,Including a partition formed on the substrate, 상기 격벽은 5 내지 45 중량%의 ZnO과, 0 내지 55 중량%의 B2O3와, 5 내지 30 중량%의 SiO2와, 2 내지 20 중량%의 Al2O3와, 0 내지 3 중량%의 Bi2O3를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.The partition wall is 5 to 45 wt% ZnO, 0 to 55 wt% B 2 O 3 , 5 to 30 wt% SiO 2 , 2 to 20 wt% Al 2 O 3 , 0 to 3 wt% A plasma display panel comprising% Bi 2 O 3 . 어드레스 전극이 형성된 기판; 및A substrate on which address electrodes are formed; And 상기 기판상에 형성된 백색 유전층을 포함하되,A white dielectric layer formed on the substrate, 상기 백색 유전층은 5 내지 45 중량%의 ZnO과, 0 내지 55 중량%의 B2O3와, 5 내지 30 중량%의 SiO2와, 2 내지 20 중량%의 Al2O3와, 0 내지 3 중량%의 Bi2O3를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.The white dielectric layer comprises 5 to 45 wt% ZnO, 0 to 55 wt% B 2 O 3 , 5 to 30 wt% SiO 2 , 2 to 20 wt% Al 2 O 3 , 0 to 3 the plasma display panel comprises a% of Bi 2 O 3 by weight. 5 내지 45 중량%의 ZnO과, 0 내지 55 중량%의 B2O3와, 5 내지 30 중량%의 SiO2와, 2 내지 20 중량%의 Al2O3와, 0 내지 3 중량%의 Bi2O3의 혼합물과, 비히클(Vehicle)이 포함된 유전층 재료를 준비하는 단계;5 to 45 wt% ZnO, 0 to 55 wt% B 2 O 3 , 5 to 30 wt% SiO 2 , 2 to 20 wt% Al 2 O 3 , 0 to 3 wt% Bi Preparing a dielectric layer material comprising a mixture of 2 O 3 and a vehicle; 상기 유전층 재료를 투명 전극 및 버스 전극이 형성된 기판상에 도포하는 단계; 및Applying the dielectric layer material onto a substrate on which transparent and bus electrodes are formed; And 상기 유전층 재료를 소성하는 단계를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.Firing the dielectric layer material. 제9 항에 있어서, 상기 유전층 재료는,The method of claim 9, wherein the dielectric layer material is 0 내지 5 중량%의 BaO와, 0 내지 15 중량%의 K2O5와, 0 내지 15 중량%의 Na2O와, 1 내지 20 중량%의 Li2O와, 0 내지 20 중량%의 R2O 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.0 to 5 wt% BaO, 0 to 15 wt% K 2 O 5 , 0 to 15 wt% Na 2 O, 1 to 20 wt% Li 2 O, 0 to 20 wt% R A method of manufacturing a plasma display panel further comprising at least one of 2 O. 제9 항에 있어서, 상기 유전층 재료는,The method of claim 9, wherein the dielectric layer material is CoO, CuO, Cr2O3, MnO, FeO 및 NiO 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.A method of manufacturing a plasma display panel further comprising at least one of CoO, CuO, Cr 2 O 3 , MnO, FeO, and NiO. 제9 항에 있어서, 상기 유전층 재료는,The method of claim 9, wherein the dielectric layer material is TiO2, MgO, SrO, CaO, 및 P2O5 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.A method of manufacturing a plasma display panel further comprising at least one of TiO 2 , MgO, SrO, CaO, and P 2 O 5 . 제9 항에 있어서, 상기 유전층 재료는,The method of claim 9, wherein the dielectric layer material is CeO2, Er2O3, Nd2O3 및 Pr2O3 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.A method of manufacturing a plasma display panel further comprising at least one of CeO 2 , Er 2 O 3 , Nd 2 O 3, and Pr 2 O 3 . 5 내지 45 중량%의 ZnO과, 0 내지 55 중량%의 B2O3와, 5 내지 30 중량%의 SiO2와, 2 내지 20 중량%의 Al2O3와, 0 내지 3 중량%의 Bi2O3의 혼합물과, 비히클(Vehicle)이 포함된 격벽 재료를 준비하는 단계;5 to 45 wt% ZnO, 0 to 55 wt% B 2 O 3 , 5 to 30 wt% SiO 2 , 2 to 20 wt% Al 2 O 3 , 0 to 3 wt% Bi Preparing a barrier material including a mixture of 2 O 3 and a vehicle; 상기 격벽 재료를 어드레스 전극이 형성된 기판상에 도포하는 단계; 및Applying the barrier material onto a substrate on which an address electrode is formed; And 상기 격벽 재료를 소성하는 단계를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.Calcining the barrier rib material. 5 내지 45 중량%의 ZnO과, 0 내지 55 중량%의 B2O3와, 5 내지 30 중량%의 SiO2와, 2 내지 20 중량%의 Al2O3와, 0 내지 3 중량%의 Bi2O3의 혼합물과, 비히클(Vehicle)이 포함된 백색 유전층 재료를 준비하는 단계;5 to 45 wt% ZnO, 0 to 55 wt% B 2 O 3 , 5 to 30 wt% SiO 2 , 2 to 20 wt% Al 2 O 3 , 0 to 3 wt% Bi Preparing a white dielectric layer material comprising a mixture of 2 O 3 and a vehicle; 상기 백색 유전층 재료를 어드레스 전극이 형성된 기판상에 도포하는 단계; 및Applying the white dielectric layer material onto a substrate having an address electrode formed thereon; And 상기 백색 유전층 재료를 소성하는 단계를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.Firing the white dielectric layer material.
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