KR20090035211A - Plasma diplay panel and method for fabricating in thereof - Google Patents

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KR20090035211A
KR20090035211A KR1020070100353A KR20070100353A KR20090035211A KR 20090035211 A KR20090035211 A KR 20090035211A KR 1020070100353 A KR1020070100353 A KR 1020070100353A KR 20070100353 A KR20070100353 A KR 20070100353A KR 20090035211 A KR20090035211 A KR 20090035211A
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present
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조원기
송문봉
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엘지전자 주식회사
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    • HELECTRICITY
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    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems

Abstract

A plasma display panel and manufacturing method thereof are provided to increase the discharge efficiency by increasing the amount of the secondary electrons emitted by controlling the shape, size and distribution of the crystalline powder. An upper substrate is formed by milling and cleaning a glass for a display substrate(S211). A bus electrode is formed to lower the resistance value of a transparent electrode(S212). An upper plate dielectric layer is formed on the upper substrate(S214). A protective film is formed on the upper plate dielectric layer(S215). A lower substrate is formed by milling and cleaning the glass for the display substrate(S221). An address electrode is formed at one side of the lower substrate in the direction intersecting with the transparent electrode(S222). A white lower-plate dielectric layer is formed on the address electrode(S223). A partition is formed on the lower plate dielectric layer(S224).

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법{Plasma diplay panel and Method for fabricating in thereof}Plasma display panel and method for manufacturing the same

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 특성 향상을 위한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma display panel, and more particularly, to a plasma display panel for improving the discharge characteristics of the plasma display panel.

일반적으로, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 'PDP'라 함)은 He+Xe 또는 Ne+Xe 가스의 방전시 발생하는 147nm의 자외선이 형광체를 여기시켜 발생하는 빛을 이용하여 문자 또는 그래픽을 표시하는 디스플레이로서, 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 화질이 크게 향상되고, 비용 경쟁력을 갖게 됨에 따라 차세대 디스플레이로서 주목을 받고 있다.In general, a plasma display panel (hereinafter referred to as 'PDP') uses characters generated by 147 nm ultraviolet rays generated by discharging a He + Xe or Ne + Xe gas to excite phosphors to display characters or graphics. As a display to be displayed, it has been attracting attention as a next-generation display as it is not only easy to thin and large in size but also greatly improves image quality and becomes cost competitive thanks to recent technology development.

상기 PDP는 화소들이 매트릭스 형태로 배치되고 각 화소셀들은 적색, 녹색, 청색의 신호를 발생하기 위한 적색, 녹색, 청색 3개의 서브 방전셀로 조합된다.In the PDP, pixels are arranged in a matrix, and each pixel cell is combined into three sub discharge cells of red, green, and blue to generate red, green, and blue signals.

상기 PDP는 그 구동방식에 따라 크게 대향 방전을 하게 되는 직류(DC)형과 면 방전을 하게 되는 교류(AC)형으로 대별된다.The PDP is roughly classified into a direct current (DC) type having a large opposite discharge and an alternating current (AC) type having a surface discharge according to its driving method.

상기 교류방식의 PDP는 직류방식에 비하여 저소비전력과 라이프 타임이 큰 장점이 있기 때문에 주목을 받고 있는 구동방식이다. The PDP of the AC method is a driving method that has attracted attention because it has a great advantage of low power consumption and life time compared to the DC method.

상기 PDP는 상부 기판에 구비된 상판 유전층 상에 보호막을 형성하는데, 상기 보호막은 (+) 이온의 충격에 잘 견디고 2차 전자 방출 계수가 높은 산화마그네슘(MgO)을 코팅하여 형성한다.The PDP forms a passivation layer on the upper dielectric layer provided on the upper substrate. The passivation layer is formed by coating magnesium oxide (MgO), which is resistant to the impact of (+) ions and has a high secondary electron emission coefficient.

본 발명의 제1 목적은, 다면체 또는 구형 형상의 결정형 분말을 상부 기판의 보호막 위에 형성함으로써, 종래에 비해 방전 효율 및 방전 개시 전압을 낮출 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.A first object of the present invention is to provide a plasma display panel and a method of manufacturing the same, which are capable of lowering discharge efficiency and discharge start voltage compared to the prior art by forming a polyhedral or spherical crystalline powder on a protective film of an upper substrate. have.

본 발명의 제2 목적은, 20 내지 5000㎚ 크기의 결정형 분말을 상기 보호막 위에 형성함으로써, 종래에 비해 방전 효율 및 방전 개시 전압을 낮출 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.A second object of the present invention is to provide a plasma display panel and a method for manufacturing the same, which can lower the discharge efficiency and the discharge start voltage as compared with the prior art by forming a crystalline powder having a size of 20 to 5000 nm on the protective film. .

본 발명의 제3 목적은, 결정형 분말을 상기 보호막 위에 형성하되, 투명 전극 위에 상기 결정형 분말이 분포되는 비율이 20 내지 50%되도록 형성함으로써, 종래에 비해 방전 효율 및 방전 개시 전압을 낮출 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.A third object of the present invention is to form a crystalline powder on the protective film, but to form a 20 to 50% distribution of the crystalline powder on the transparent electrode, thereby reducing the discharge efficiency and discharge start voltage compared to the conventional It is an object of the present invention to provide a display panel and a method of manufacturing the same.

상기 본 발명의 제1 목적을 달성하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널은, 상부 기판에 형성되는 다수의 투명 전극과; 상기 투명 전극들 위에 형성되는 유전층과; 상기 유전층 위에 형성되는 보호막과; 상기 보호막 위에 형성되어 단면의 형상이 육면체 이상인 결정형 분말을 포함하여 이루어진다.A plasma display panel for achieving the first object of the present invention, a plurality of transparent electrodes formed on the upper substrate; A dielectric layer formed on the transparent electrodes; A protective film formed on the dielectric layer; It is formed on the protective film and comprises a crystalline powder whose shape of the cross section is more than a hexahedron.

또한, 본 발명의 제1 목적을 달성하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 단면의 형상이 육면체 이상의 결정형 분말과 용매를 혼합하는 단계와; 상기 혼합된 물질을 상부 기판의 보호막 위에 도포하는 단계와; 상기 도포된 물질 을 건조 및 소성하는 단계를 포함하여 이루어진다.In addition, a method of manufacturing a plasma display panel for achieving the first object of the present invention comprises the steps of mixing a crystalline powder and a solvent having a hexahedral shape or more in cross section; Applying the mixed material onto the protective film of the upper substrate; Drying and firing the applied material.

또한, 본 발명의 제2 목적을 달성하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널은, 상부 기판에 형성되는 다수의 유지 전극과; 상기 유전 전극들 위에 형성되는 유전층과; 상기 유전층 위에 형성되는 보호막과; 상기 보호막 위에 형성되는 20 내지 5000㎚ 크기의 결정형 분말을 포함하여 이루어진다.In addition, a plasma display panel for achieving the second object of the present invention, a plurality of sustain electrodes formed on the upper substrate; A dielectric layer formed over the dielectric electrodes; A protective film formed on the dielectric layer; It comprises a crystalline powder of 20 to 5000nm size formed on the protective film.

또한, 본 발명의 제2 목적을 달성하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 20 내지 5000㎚ 크기의 결정형 분말과 용매를 혼합하는 단계와; 상기 혼합된 물질을 상부 기판의 보호막 위에 도포하는 단계와; 상기 도포된 물질을 건조 및 소성하는 단계를 포함하여 이루어진다.In addition, a method of manufacturing a plasma display panel for achieving the second object of the present invention comprises the steps of mixing a crystalline powder and a solvent of 20 to 5000nm size; Applying the mixed material onto the protective film of the upper substrate; Drying and firing the applied material.

또한, 본 발명의 제3 목적을 달성하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널은, 상부 기판에 형성되는 다수의 투명 전극과; 상기 투명 전극들 위에 형성되는 유전층과; 상기 유전층 위에 형성되는 보호막과; 상기 보호막 위에 형성되는 결정형 분말을 포함하되, 상기 투명 전극 위에 상기 결정형 분말이 분포되는 비율은 0.1 내지 20%인 것을 특징으로 한다.In addition, a plasma display panel for achieving the third object of the present invention, a plurality of transparent electrodes formed on the upper substrate; A dielectric layer formed on the transparent electrodes; A protective film formed on the dielectric layer; It includes a crystalline powder formed on the protective film, the ratio of the crystalline powder is distributed on the transparent electrode is characterized in that 0.1 to 20%.

또한, 본 발명의 제3 목적을 달성하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 상부 기판에 다수의 투명 전극을 형성하는 단계와; 상기 투명 전극들 위에 유전층을 형성하는 단계와; 상기 유전층 위에 보호막을 형성하는 단계와; 상기 보호막 위에 결정형 분말을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 투명 전극 위에 상기 결정형 분말이 분포되는 비율이 0.1 내지 20%가 되도록 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, a method of manufacturing a plasma display panel for achieving the third object of the present invention includes the steps of forming a plurality of transparent electrodes on the upper substrate; Forming a dielectric layer over the transparent electrodes; Forming a protective film on the dielectric layer; Forming a crystalline powder on the protective film, characterized in that formed on the transparent electrode so that the ratio of the crystalline powder is distributed to 0.1 to 20%.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법은, 결정형 분말의 형상, 크기 및 분포를 조절하여 2차 전자의 방출량을 증가시킴으로써, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 효율이 증대되고, 방전 개시 전압을 낮출 수 있는 효과가 있다.In the plasma display panel and the manufacturing method thereof according to the present invention, the discharge efficiency of the plasma display panel can be increased and the discharge start voltage can be decreased by increasing the emission amount of secondary electrons by adjusting the shape, size and distribution of the crystalline powder. It works.

본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 설명된다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention, in which the above object can be specifically realized, are described with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타냈으며, 도면에 나타난 각 층간의 두께 비가 실제 두께 비를 나타내는 것은 아니다.In the accompanying drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity.

한편, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 형성 또는 위치한다고 할 때, 이는 다른 부분의 바로 위에 형성되어 직접 접촉하는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 존재하는 경우도 포함하는 것을 이해하여야 한다.On the other hand, when a part such as a layer, film, region, plate, etc. is formed or positioned on another part, it is formed directly on the other part and not only in direct contact but also when another part exists in the middle thereof. It should also be understood to include.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 일 실시예 구조도이다.1 is a structural diagram showing an embodiment of a plasma display panel according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 과정을 나타낸 일 실시예 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a plasma display panel according to the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 디스플레이 기판용 글라스를 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 상부 기판(110)을 형성한다(S211).1 and 2, the upper substrate 110 is formed through a process such as milling and cleaning the glass for a display substrate (S211).

이후, 상기 형성된 상부 기판(110)상에 한 쌍의 유지 전극으로 이루어지는 투명 전극(120)을 형성한다.Thereafter, a transparent electrode 120 including a pair of sustain electrodes is formed on the formed upper substrate 110.

즉, 상기 투명 전극(120)은 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링(sputtering)에 의한 포토에칭(photoetching)법과, 이온 도금법(Ion Plating) 및 진공 증착법등을 이용하여 형성하거나 또는 SnO2를 CVD에 의한 리프트 오프(lift-off)법으로 형성할 수 있다.That is, the transparent electrode 120 is formed by photoetching by sputtering ITO (Indium Tin Oxide), ion plating (Ion Plating) and vacuum deposition, or by using SnO 2 in CVD It can be formed by a lift-off method.

상기 ITO(Indium Tin Oxide)를 포토에칭법을 이용하여 상기 투명 전극(120)을 형성할 경우 ITO를 상부 기판(110) 상에 증착하고, 상기 증착된 ITO 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 투명 전극(120)을 형성한다.When indium tin oxide (ITO) is formed using the photoetching method, ITO is deposited on the upper substrate 110, and a photoresist is applied and dried on the deposited ITO. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the transparent electrode 120.

또한, 상기 SnO2를 리프트 오프법을 이용하여 상기 투명 전극(120)을 형성할 경우 상부 기판(110) 상에 포토레지스트를 도포한 후, 상기 도포된 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한다. 이후 상기 현상 공정을 거친 후에 SnO2를 증착한 후 상기 포토레지스트를 박리하여 상기 투명 전극(120)을 형성한다.In addition, when using the SnO 2 to a lift-off method to form the transparent electrode 120 and then a photoresist is applied onto the upper substrate 110, the coating of photo photomask having a predetermined pattern on the resist Put it on and irradiate it with light. After the exposure process, the uncured portion is developed. Thereafter, after the development process, SnO 2 is deposited and the photoresist is peeled off to form the transparent electrode 120.

또한, 상기 투명 전극(120)에는 블랙 매트릭스가 형성될 수 있는데, 저융점 유리와 흑색 안료 등을 포함하여 이루어진다.In addition, a black matrix may be formed on the transparent electrode 120, and includes a low melting glass and a black pigment.

또한, 상기 투명 전극의 저항값을 낮추기 위해 버스 전극(130)을 형성한다(S212).In addition, the bus electrode 130 is formed to lower the resistance of the transparent electrode (S212).

상기 버스 전극(130)은 은(Ag)을 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법등을 이용하여 형성하거나 또는 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 스퍼터링에 의한 포토에칭법을 이용하여 형성할 수 있다.The bus electrode 130 may be formed of silver (Ag) using a screen printing method, a photosensitive paste method, or the like, or Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr using a photoetching method by sputtering. .

상기 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 버스 전극(130)을 형성할 경우 스크린 마스크를 통해 은(Ag)등의 도전성 물질 페이스트를 상부 기판(110) 상에 인쇄한 후, 건조 및 소성하여 형성한다.When the bus electrode 130 is formed using the screen printing method, a conductive material paste such as silver (Ag) is printed on the upper substrate 110 through a screen mask, and then dried and baked.

또한, 감광성 페이스트법을 이용하여 상기 버스 전극(130)을 형성할 경우 감광성 은(Ag)을 상부 기판(110) 상에 인쇄 및 코팅한 후 건조한다. 이후, 상기 코팅된 은(Ag) 위에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 다시 건조 및 소성하여 상기 버스 전극(130)을 형성한다.In addition, when the bus electrode 130 is formed using the photosensitive paste method, photosensitive silver (Ag) is printed and coated on the upper substrate 110 and dried. Subsequently, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the coated silver and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then dried and baked again to form the bus electrode 130.

상기 포토에칭법을 이용하여 상기 버스 전극(130)을 형성할 경우 상기 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 상기 상부 기판(110) 상에 증착하고, 상기 증착된 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 버스 전극(130)을 형성한다.When the bus electrode 130 is formed using the photoetching method, the Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr is deposited on the upper substrate 110, and the deposited Cr / Cu / Cr or The photoresist is applied and dried on Cr / Al / Cr. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the bus electrode 130.

상기와 같이 투명 전극(120)과 버스 전극(130)이 형성된 상부 기판(110) 상에 상판 유전층(140)을 형성한다(S214).As described above, the upper dielectric layer 140 is formed on the upper substrate 110 on which the transparent electrode 120 and the bus electrode 130 are formed (S214).

상기 상판 유전층(140)은 저융점 글라스 페이스트를 스크린 인쇄법, 코터(coater)법 및 그린 시트를 라미네이팅하는 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 코터법은 롤(Roll) 또는 슬럿(Slot)의 두가지 방식 중 어느 하나의 방식을 이용할 수 있다.The upper dielectric layer 140 may be formed using a screen printing method, a coater method, and a method of laminating a green sheet. The coater method may use any one of two methods, a roll or a slot.

이후, 상기와 같이 형성된 상판 유전층(140) 상에 보호막(150)을 형성한다(S215).Thereafter, the passivation layer 150 is formed on the upper dielectric layer 140 formed as described above (S215).

상기 보호막(150)은 산화마그네슘인 MgO를 전자빔(Electron Beam) 증착법, 스퍼터링법, 이온 도금법(Ion Plating), 스크린 인쇄법 등을 이용하여 형성할 수 있다.The protective film 150 may be formed of MgO, which is magnesium oxide, by using an electron beam deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a screen printing method, or the like.

또한, 상기 보호막(150) 상에는 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 결정형 분말층(160)이 형성되어, 방전 시 (+) 이온의 충격으로부터 상판 유전층(140)을 보호하고, 2차 전자 방출을 증가시켜 방전 효율을 높히고, 방전 개시 전압을 낮춘다.In addition, as shown in FIG. 3, the crystalline powder layer 160 according to the present invention is formed on the passivation layer 150 to protect the top dielectric layer 140 from the impact of (+) ions during discharge. The electron emission is increased to increase the discharge efficiency and to lower the discharge start voltage.

본 발명에 따른 결정형 분말층(160) 대해서는 이하 상세히 후술한다.The crystalline powder layer 160 according to the present invention will be described later in detail.

디스플레이 기판용 글라스를 밀링(milling) 및 클리닝(cleaning) 등의 가공을 통하여 하부 기판(210)을 형성한다(S221).The lower substrate 210 is formed through a process such as milling and cleaning the glass for the display substrate (S221).

이후, 하부 기판(210)의 일면에는 상기 투명 전극(120)과 교차하는 방향을 따라 어드레스 전극(220)이 형성된다(S222).Thereafter, an address electrode 220 is formed on one surface of the lower substrate 210 along a direction crossing the transparent electrode 120 (S222).

상기 어드레스 전극(220)은 은(Ag)을 스크린 인쇄법 또는 감광성 페이스트법등을 이용하여 형성하거나 또는 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 스퍼터링에 의한 포토에칭법을 이용하여 형성할 수 있다.The address electrode 220 may be formed of silver (Ag) using a screen printing method, a photosensitive paste method, or the like, or Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr using photoetching method by sputtering. .

상기 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 어드레스 전극(220)을 형성할 경우 스크린 마스크를 통해 은(Ag)등의 도전성 물질 페이스트를 상기 하부 기판(210) 상에 인쇄한 후, 건조 및 소성하여 형성한다.When the address electrode 220 is formed using the screen printing method, a conductive material paste such as silver (Ag) is printed on the lower substrate 210 through a screen mask, and then dried and baked.

또한, 감광성 페이스트법을 이용하여 상기 어드레스 전극(220)을 형성할 경우 감광성 은(Ag)을 하부 기판(210) 상에 인쇄 및 코팅한 후 건조한다. 이후, 상기 코팅된 은(Ag) 위에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 다시 건조 및 소성하여 상기 어드레스 전극(220)을 형성한다.In addition, when the address electrode 220 is formed using the photosensitive paste method, photosensitive silver (Ag) is printed and coated on the lower substrate 210 and then dried. Subsequently, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the coated silver and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then dried and baked again to form the address electrode 220.

상기 포토에칭법을 이용하여 상기 어드레스 전극(220)을 형성할 경우 상기 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr을 상기 하부 기판(210) 상에 증착하고, 상기 증착된 Cr/Cu/Cr 또는 Cr/Al/Cr 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 어드레스 전극(220)을 형성한다.When the address electrode 220 is formed using the photoetching method, the Cr / Cu / Cr or Cr / Al / Cr is deposited on the lower substrate 210, and the deposited Cr / Cu / Cr or The photoresist is applied and dried on Cr / Al / Cr. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the address electrode 220.

이후, 상기와 같이 형성된 어드레스 전극(220) 상에 백색의 하판 유전층(230)이 형성된다(S223).Subsequently, a white lower dielectric layer 230 is formed on the address electrode 220 formed as described above (S223).

상기 하판 유전층(230)의 저융점 유리와 TiO2 충진재(Filler)를 스크린 인쇄법, 코터(coater)법 및 그린 시트를 라미네이팅하는 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 코터법은 롤(Roll) 또는 슬럿(Slot)의 두가지 방식 중 어느 하나의 방식을 이용할 수 있다.The low melting point glass and the TiO 2 filler of the lower dielectric layer 230 may be formed using a screen printing method, a coater method, and a laminating method of a green sheet. The coater method may use any one of two methods, a roll or a slot.

이후, 상기와 같이 형성된 하판 유전층(230) 위로 각각의 어드레스 전극(220) 사이에 배치되도록 격벽(240)을 형성한다(S224).Thereafter, the partition wall 240 is formed on the lower dielectric layer 230 formed as described above to be disposed between the address electrodes 220 (S224).

상기 격벽(240)의 재료는, 저융점 유리와 충진재(filer)를 포함하여 이루어진다. 상기 저융점 유리는 PbO와 SiO2와 B2O3 및 Al2O3를 포함하여 이루어지고, 상기 충진재는 TiO2 및 Al2O3를 포함하여 이루어질 수 있다.The material of the partition wall 240 includes a low melting point glass and a filler. The low melting glass may include PbO, SiO 2 , B 2 O 3, and Al 2 O 3 , and the filler may include TiO 2 and Al 2 O 3 .

즉, 상기 격벽(240)은 상기 충진재(Filler)가 혼합된 저융점 글라스 페이스트를 스크린 인쇄법, 샌드 블라스팅법, 감광성 페이스트법, 감광성 페이스트법, 직접 에칭법 등을 이용하여 형성할 수 있다.That is, the partition wall 240 may be formed by screen printing, sand blasting, photosensitive paste, photosensitive paste, direct etching, etc., in which the filler is mixed.

이때, 상기 스크린 인쇄법을 이용하여 상기 격벽(240)을 형성할 경우, 상기 하판 유전층(230) 상에 상기 충진재(Filler)가 혼합된 저융점 글라스 페이스트를 스크린 마스크를 통해 소정 횟수만큼 반복 인쇄한 후, 건조 및 소성하여 상기 격벽(240)을 형성한다.In this case, when the partition wall 240 is formed by using the screen printing method, the low melting glass paste in which the filler is mixed on the lower plate dielectric layer 230 is repeatedly printed a predetermined number of times through a screen mask. Thereafter, the partition wall 240 is formed by drying and firing.

또한, 상기 샌드 블라스팅법을 이용하여 상기 격벽(240)을 형성할 경우 상기 충진재(Filler)가 혼합된 저융점 글라스 페이스트를 상기 하판 유전층(230) 상에 증착하고, 상기 증착된 저융점 글라스 페이스트 상에 포토레지스트를 도포 및 건조 한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 샌딩블라스트하여 상기 격벽(240)을 형성한다.In addition, when the partition wall 240 is formed using the sand blasting method, a low melting glass paste in which the filler is mixed is deposited on the lower plate dielectric layer 230, and the deposited low melting glass paste phase is formed on the partition 240. The photoresist is applied and dried. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then sandblasted to form the partition wall 240.

또한, 상기 감광성 페이스트법을 이용하여 상기 격벽(240)을 형성할 경우, 상기 충진재(Filler) 및 감광성 물질이 혼합된 저융점 글라스 페이스트를 상기 하판 유전층(230) 상에 인쇄 및 코팅한 후 건조한다. 이후, 상기 코팅된 저융점 글라스 페이스트 위에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 다시 건조 및 소성하여 상기 격벽(240)을 형성한다.In addition, when the partition wall 240 is formed using the photosensitive paste method, a low melting glass paste in which the filler and the photosensitive material are mixed is printed and coated on the lower plate dielectric layer 230 and then dried. . Subsequently, a photomask having a predetermined pattern is placed on the coated low melting glass paste and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then dried and baked again to form the partition wall 240.

또한, 상기 직접 에칭법을 이용하여 상기 격벽(240)을 형성할 경우, 상기 충진재(Filler)가 혼합된 저융점 글라스 페이스트를 상기 하판 유전층(230) 상에 증착하고, 상기 증착된 저융점 글라스 페이스트 상에 포토레지스트를 도포 및 건조한다. 이후, 상기 포토레지스트 상에 소정 패턴이 형성된 포토 마스크를 올려놓고 빛을 조사하여 노광한다. 상기 노광 공정을 거친 이후, 경화되지 않은 부분을 현상한 후 에칭하여 상기 격벽(240)을 형성한다.In addition, when the partition wall 240 is formed using the direct etching method, a low melting glass paste in which the filler is mixed is deposited on the lower dielectric layer 230, and the deposited low melting glass paste is deposited. The photoresist is applied and dried on it. Thereafter, a photo mask having a predetermined pattern is placed on the photoresist and exposed to light. After the exposure process, the uncured portion is developed and then etched to form the partition wall 240.

도 1 및 도 2에는 스트라이프형(stripe-type) 격벽(240)이 도시되어 있으나, 그 밖에도 웰형(well-type), 또는 델타형(delta-type)일 수 있다.Although the stripe-type partition wall 240 is illustrated in FIGS. 1 and 2, in addition, the stripe-type partition wall 240 may be well-type or delta-type.

또한, 상기 격벽(240)을 형성 시, 상기 격벽 재료상에 블랙 탑 재료를 도포할 수 있다. 여기서, 상기 블랙 탑 재료는, 솔벤트와 무기 파우더 및 첨가제를 포함하여 이루어진다. 그리고, 무기 파우더는 글래스 프릿과 블랙 안료를 포함하여 이루어진다.In addition, when the partition wall 240 is formed, a black top material may be coated on the partition material. Here, the black top material comprises a solvent, an inorganic powder and an additive. The inorganic powder includes a glass frit and a black pigment.

이어서, 상기 격벽 재료와 상기 블랙 탑 재료를 패터닝하여, 상기 격벽(240)과 블랙 탑을 형성한다. 이때, 상기 패터닝 공정은 마스크를 씌우고 노광한 후, 현상하여 수행된다. 즉, 어드레스 전극(220)과 대응되는 부분에 마스크를 위치시키고 노광하면, 현상 및 소성 공정 후에는 빛을 조사받은 부분만이 남아서 격벽(240)과 블랙 탑을 형성할 수 있다.Subsequently, the partition material and the black top material are patterned to form the partition wall 240 and the black top. In this case, the patterning process is performed by putting a mask on and exposing and then developing. That is, when the mask is positioned and exposed to a portion corresponding to the address electrode 220, only the portion irradiated with light remains after the development and firing process to form the partition wall 240 and the black top.

여기서, 상기 블랙 탑 재료에 포토 레지스트(photoresist) 성분을 포함하면, 상기 격벽(240) 및 상기 블랙 탑 재료의 패터닝을 용이하게 수행할 수 있다. 또한, 블랙 탑 재료와 격벽(240) 재료를 함께 소성하면, 상기 격벽 재료 내의 저융점 글라스는 블랙 탑 재료 내의 무기 파우더 등과 결합력이 증대되어 내구성의 강화를 기대할 수 있다.Here, when the photoresist component is included in the black top material, the partition 240 and the black top material may be easily patterned. In addition, when the black top material and the partition 240 material are fired together, the low melting glass in the partition material may increase the bonding strength of the inorganic powder or the like in the black top material, and thus, durability may be expected to be enhanced.

상기와 같이 형성된 격벽(240)의 사이에는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 형광체층(250)이 형성된다(S225).The phosphor layer 250 of red (R), green (G), and blue (B) is formed between the partition walls 240 formed as described above (S225).

이때, 상기 형광체층(250)은 각각의 방전 셀에 따라 R,G,B의 형광체가 차례로 도포되는데, 스크린 인쇄법이나 감광성 페이스트법으로 도포된다.At this time, the phosphor layer 250, R, G, B phosphors are sequentially applied according to each discharge cell, it is applied by a screen printing method or a photosensitive paste method.

통상적으로, 상기 적색(R) 형광체로 (Y, Gd)BO3:Eu3+ 을 사용하고, 녹색(G) 형광체로는 Zn2SiO4:Mn2+ 을 사용하고, 청색(B) 형광체로는 BaMgAl10O17:Eu2+ 의 형광체를 많이 사용한다.Typically, (Y, Gd) BO 3 : Eu 3+ is used as the red (R) phosphor, Zn 2 SiO 4 : Mn 2+ is used as the green (G) phosphor, and BaMgAl is used as the blue (B) phosphor. 10 O 17: to use a lot of the phosphor of the Eu2 +.

상기 S211 ~ S215 단계에 의해 형성된 상부 기판(110)과 상기 S221 ~ S225 단계에 의해 형성된 하부 기판(210)을 합착 및 실링한다(S231). The upper substrate 110 formed by the steps S211 to S215 and the lower substrate 210 formed by the steps S221 to S225 are bonded and sealed (S231).

이후, 상기 합착된 상부 기판(110)과 하부 기판(210) 사이의 존재하는 내부의 불순물 등을 배기한 후, 상기 격벽(240)내에 Xe+Ne 또는 Xe+He 또는 Xe+Ne+He의 방전 가스를 주입한 후 봉입하여 플라즈마 디스플레이 패널을 완성한다(S232).Subsequently, after exhausting impurities and the like existing between the bonded upper substrate 110 and the lower substrate 210, discharge of Xe + Ne or Xe + He or Xe + Ne + He in the partition wall 240 is performed. After the gas is injected, the gas is sealed to complete the plasma display panel (S232).

상기와 같이 완성된 플라즈마 디스플레이 패널의 전면에는 전면 필터가 구비되는데, 상기 전면 필터는 전자파(EMI, Electro Magnetic Interference; 이하 'EMI'로 약칭함)와, 근적외선(Near Infrared Rays; 이하 'NIR'로 약칭함)을 차폐하고 색보정 및 외부에서 입사되는 빛의 반사를 방지하는 역할 등을 한다.The front surface of the plasma display panel completed as described above is provided with a front filter, the front filter is an electromagnetic wave (EMI, abbreviated as 'EMI'), and Near Infrared Rays (hereinafter referred to as 'NIR') Abbreviated), and serves to prevent color correction and reflection of light incident from the outside.

상기와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널이 완성되면, 하부 기판(210) 상의 어드레스 전극(220)과 상부 기판(110) 상의 투명 전극(120) 및 버스 전극(130)이 교차하는 지점이 각각 방전 셀을 구성하는 부분이 된다.As described above, when the plasma display panel is completed, discharge cells are formed at points where the address electrode 220 on the lower substrate 210 intersects the transparent electrode 120 and the bus electrode 130 on the upper substrate 110. To become a part.

이때, 어드레스 전극(220)과 하나의 투명 전극(120) 및 버스 전극(130) 사이에 어드레스 전압을 인가하여 어드레스 방전을 행함으로써, 방전이 일어난 셀에 벽 전압을 형성하고 다시 유지 전압을 인가함으로써 벽 전압이 형성된 셀에 유지 방전을 발생시킨다.At this time, the address discharge is performed by applying an address voltage between the address electrode 220, one transparent electrode 120, and the bus electrode 130, thereby forming a wall voltage in the discharged cell and applying a sustain voltage again. A sustain discharge is generated in the cell in which the wall voltage is formed.

상기 유지 방전에 의해 발생하는 진공 자외선이 해당 형광체를 여기 및 발광시킴으로써 투명한 상부 기판(110)을 통하여 가시광이 방출되어 플라즈마 디스플레이 패널의 화면이 구현된다.As the vacuum ultraviolet rays generated by the sustain discharge excite and emit the corresponding phosphors, visible light is emitted through the transparent upper substrate 110 to implement the screen of the plasma display panel.

이하, 본 발명에 따른 결정형 분말층(160)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the crystalline powder layer 160 according to the present invention will be described in detail.

도 3은 본 발명에 따른 결정형 분말층이 포함된 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a plasma display panel including a crystalline powder layer according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 결정형 분말층이 포함된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 과정을 나타낸 일 실시예 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a plasma display panel including a crystalline powder layer according to the present invention.

본 발명에서는 보호막(150) 상에 다면체 형상 또는 구형 형상의 결정형 분말층(160)을 형성함으로써, 종래의 MgO를 이용한 보호막보다 2차 전자의 방출량을 증가시켜 PDP의 방전 효율이 증대되고, 방전 개시 전압을 낮출 수 있는 것이다.In the present invention, by forming a polyhedral or spherical crystalline powder layer 160 on the protective film 150, the discharge efficiency of the PDP is increased by increasing the emission amount of secondary electrons than the conventional protective film using MgO, the discharge start It can lower the voltage.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 결정형 분말과 솔벤트 등의 용매를 혼합한다(S201).3 and 4, a solvent such as a crystalline powder and a solvent according to the present invention are mixed (S201).

이때, 결정형 분말은 단면의 형상이 적어도 육면체 이상의 다면체 또는 구형 형상을 가진다. 또한, 상기 결정형 분말의 입자 크기는 20 내지 5000㎚ 크기가 될 수 있고, 투명 전극(120) 위에 상기 결정형 분말이 분포되는 비율은 0.1 내지 20%가 될 수 있다.At this time, the crystalline powder has a polyhedral or spherical shape of at least a hexahedron having a cross-sectional shape. In addition, the particle size of the crystalline powder may be 20 to 5000nm size, the ratio of the crystalline powder is distributed on the transparent electrode 120 may be 0.1 to 20%.

상기 결정형 분말은 결정형 산화물, 결정형 질화물, 결정형 플루오르화물, 결정형 요오드물 중 적어도 하나가 될 수 있다.The crystalline powder may be at least one of crystalline oxide, crystalline nitride, crystalline fluoride, and crystalline iodine.

상기 결정형 산화물은 이차 전자 방출 계수가 큰 물질인 SiO2, TiO2, Y2O3, ZrO2, Ta2O5, ZnO, La2O3, CeO2, Eu2O3, Gd2O3 중 어느 하나가 될 수 있거나 또는 다른 전이 금속 산화물이 될 수도 있다.The crystalline oxide is SiO 2 , TiO 2 , Y 2 O 3 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , ZnO, La 2 O 3 , CeO 2 , Eu 2 O 3 , Gd 2 O 3 It may be either one or another transition metal oxide.

또한, 상기 결정형 산화물은 LiO2, Na2O, K2O, Rb2O, CsO 등의 알칼리 금속 산화물 또는 BeO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토금속 산화물이 될 수도 있다. In addition, the crystalline oxide may be an alkali metal oxide such as LiO 2 , Na 2 O, K 2 O, Rb 2 O, CsO, or an alkaline earth metal oxide such as BeO, CaO, SrO, or BaO.

상기 결정형 분말과 용매가 혼합된 물질을 보호막(150) 상에 도포한다(S202). 이후, 상기 도포된 물질을 일정 시간 동안 건조한 후(S203), 소성하여 본 발명에 따른 결정형 분말층(160)을 형성한다(S204).A material in which the crystalline powder and the solvent are mixed is coated on the protective film 150 (S202). Thereafter, the coated material is dried for a predetermined time (S203), and then fired to form a crystalline powder layer 160 according to the present invention (S204).

상기에서는 본 발명에 따른 결정형 분말층(160)을 인쇄법을 이용하여 형성하였으나, 코터(coater)법 및 라미네이트에 의한 그린 시트법등을 이용하여 형성할 수도 있다.In the above, the crystalline powder layer 160 according to the present invention is formed using a printing method, but may also be formed using a coater method, a green sheet method using a laminate, or the like.

도 5는 보호막 상에 본 발명에 따른 원형 형상의 결정형 분말층의 존재 여부에 따른 전계 해석 결과를 나타낸 설명도이다.5 is an explanatory view showing the result of the electric field analysis according to the presence or absence of a circular crystalline powder layer according to the present invention on the protective film.

도 5를 참조하면, (A)는 종래의 일반적인 상부 기판의 전계 해석 결과를 나타낸 도면이고, (B)는 보호막(150) 상에 본 발명에 따른 다면체 또는 구형 형상의 결정형 분말층(160)이 형성되었을 경우, 상부 기판의 전계 해석 결과를 나타낸 도면이다.Referring to FIG. 5, (A) is a view showing the electric field analysis results of a conventional general upper substrate, (B) is a polyhedral or spherical crystalline powder layer 160 according to the present invention on the protective film 150 When formed, it is a figure which shows the electric field analysis result of an upper board | substrate.

상기 (A)와 (B)를 비교하면, 본 발명에 따른 결정형 분말이 없을 때보다, 상기 결정형 분말이 ITO 전극과 맞닿는 곳에 있을 경우 전계가 집중됨을 알 수 있다.Comparing the above (A) and (B), it can be seen that the electric field is concentrated when the crystalline powder is in contact with the ITO electrode than when there is no crystalline powder according to the present invention.

즉, 같은 조건에서 전계가 집중되는 곳에 전자 방출이 많이 되고, 이로 인해 방전 효율이 높아지고, 방전 개시 전압이 낮아지는 것이다.That is, under the same conditions, the electrons are emitted where the electric field is concentrated, thereby increasing the discharge efficiency and lowering the discharge start voltage.

상기와 같이 결정형 분말이 상기 ITO 전극과 맞닿을 시에, 상기 결정형 분말이 보호막(150) 상에 맞닿는 부분의 면적이 최소화되었을 때, 더욱 전계가 집중이 된다.When the crystalline powder is in contact with the ITO electrode as described above, when the area of the portion where the crystalline powder is in contact with the protective film 150 is minimized, the electric field becomes more concentrated.

상기와 같이, 본 발명의 결정형 분말은 상기 보호막(150) 상에 맞닿는 부분 의 면적을 최소화하기 위해 적어도 육면체 이상의 다면체 형상을 가지고, 원형 형상이 가장 좋다.As described above, the crystalline powder of the present invention has a polyhedral shape of at least hexahedron or more in order to minimize the area of the contact portion on the protective film 150, the circular shape is best.

이때, 상기 결정형 분말이 다면체 형상일 경우 상기 다면체의 모서리 부분이 보호막(150) 상에 증착되는 것이 가장 좋다.In this case, when the crystalline powder has a polyhedron shape, the edge portion of the polyhedron may be deposited on the passivation layer 150.

또한, 상기 결정형 분말이 원형 형상일 경우 상기 원형 형상이 보호막(150) 상에 맞닿는 부분의 면적이 가장 작으므로, 본 발명에 따른 결정형 분말의 형상은 원형 형상이 가장 바람직하다.In addition, when the crystalline powder has a circular shape, since the area of the portion where the circular shape abuts on the protective film 150 is the smallest, the shape of the crystalline powder according to the present invention is most preferably circular.

도 6은 본 발명에 따른 결정형 분말의 크기에 따라 전계 해석 결과를 나타낸 설명도이다.6 is an explanatory view showing the results of the electric field analysis according to the size of the crystalline powder according to the present invention.

도 6을 참조하면, (A)는 본 발명에 따른 원형 형상의 결정형 분말의 입자의 직경이 0.5㎛일 때의 상부 기판의 전계 해석 결과를 나타낸 도면이고, (B)는 본 발명에 따른 원형 형상의 결정형 분말의 입자의 직경이 1㎛일 때의 상부 기판의 전계 해석 결과를 나타낸 도면이고, (C)는 본 발명에 따른 원형 형상의 결정형 분말의 입자의 직경이 2㎛일 때의 상부 기판의 전계 해석 결과를 나타낸 도면이다.Referring to Figure 6, (A) is a view showing the result of the electric field analysis of the upper substrate when the diameter of the particles of the circular crystalline powder of the present invention is 0.5㎛, (B) is a circular shape according to the present invention Is a diagram showing the results of the electric field analysis of the upper substrate when the diameter of the particles of the crystalline powder of 1 μm, (C) is the diameter of the upper substrate when the diameter of the particles of the circular crystalline powder of the present invention is 2 μm It is a figure which shows the result of an electric field analysis.

상기 (A) 내지 (C)를 비교하면, 본 발명에 따른 원형 형상의 결정형 분말의 직경이 커질수록 전계 집중 영역이 확대됨을 알 수 있다. 상기 전계 집중 영역이 확대됨에 따라 전자 방출이 많이 되고, 이로 인해 방전 효율이 높아지고, 방전 개시 전압이 낮아지는 것이다.Comparing the above (A) to (C), it can be seen that as the diameter of the circular crystalline powder according to the present invention increases in size, the electric field concentration region is enlarged. As the electric field concentration region expands, electron emission increases, thereby increasing the discharge efficiency and lowering the discharge start voltage.

그러나, ITO 전극의 폭, 도포 방법등의 공정 한계와 유한 방전 공간 때문에 상기 결정형 분말의 크기를 무조건 크게 할 수 없다. However, the size of the crystalline powder cannot be unconditionally increased due to process limitations such as the width of the ITO electrode, the coating method, and the finite discharge space.

따라서, 본 발명에 따른 결정형 분말의 크기는 20 내지 5000㎚ 크기에서 상기 전계 집중 영역이 가장 많이 발생된다.Therefore, the size of the crystalline powder according to the present invention is the most the field concentration region is generated in the size of 20 to 5000nm.

도 7은 유지 전극 위에 본 발명에 따른 결정형 분말이 분포되는 비율에 따라 전계 해석 결과를 나타낸 설명도이다.7 is an explanatory diagram showing the result of the electric field analysis according to the ratio of the crystalline powder according to the present invention on the sustain electrode.

도 7을 참조하면, (A)는 투명 전극(120) 위에 본 발명에 따른 원형 형상의 결정형 분말이 분포되는 비율이 100%인 것을 나타낸 도면이고, (B)는 투명 전극(120) 위에 본 발명에 따른 원형 형상의 결정형 분말이 분포되는 비율이 20%인 것을 나타낸 도면이고, (C)는 투명 전극(120) 위에 본 발명에 따른 원형 형상의 결정형 분말이 분포되는 비율이 10%인 것을 나타낸 도면이고, (D)는 투명 전극(120) 위에 본 발명에 따른 원형 형상의 결정형 분말이 분포되는 비율이 5%인 것을 나타낸 도면이다.Referring to FIG. 7, (A) is a view showing that the proportion of circular crystalline powder according to the present invention is distributed on the transparent electrode 120 is 100%, (B) is the present invention on the transparent electrode 120 According to the present invention, the ratio of the distribution of the circular crystalline powder according to the present invention is 20%, and (C) is a view illustrating the distribution of the circular crystalline powder according to the present invention on the transparent electrode 120 is 10%. (D) is a diagram showing that the proportion of the circular crystalline powder according to the present invention is distributed on the transparent electrode 120 is 5%.

상기 (A) 내지 (D)를 비교하면, 상기 투명 전극(120) 위에 본 발명에 따른 결정형 분말이 분포되는 비율은 상기 결정형 분말의 수가 많을수록 유리하지만, 너무 많으면 형광체(250)로부터 발생되는 가시광선의 투과율이 나빠져 오히려 휘도가 떨어지게 된다.Comparing the above (A) to (D), the ratio of the crystalline powder according to the present invention on the transparent electrode 120 is more advantageous the more the number of the crystalline powder, but too much of the visible light generated from the phosphor 250 The transmittance worsens and the luminance decreases.

상기 (A) 내지 (D)를 살펴보면, 상기 투명 전극(120) 위에 결정형 분말이 분포되는 비율이 (B)에 도시된 바와 같이 20% 이하에서부터 전계 집중 효과가 나타나기 시작하고, 상기 전계 집중 효과에 의해 전자 방출이 많이 되고, 이로 인해 방전 효율이 높아지고, 방전 개시 전압이 낮아지는 것을 알 수 있다.Looking at the (A) to (D), as shown in (B) the ratio of the crystalline powder is distributed on the transparent electrode 120, the electric field concentration effect starts to appear from 20% or less, This results in a large amount of electron emission, which leads to a high discharge efficiency and a low discharge start voltage.

따라서, 상기 투명 전극(120) 위에 결정형 분말이 분포되는 비율은 1 내지 20%가 될 수 있고, 1 내지 10%에서 전계 집중 효과가 가장 많이 발생된다.Therefore, the ratio of the crystalline powder is distributed on the transparent electrode 120 may be 1 to 20%, the electric field concentration effect is most generated at 1 to 10%.

이상, 본 발명에 따른 결정형 분말층(160)을 보호막(150) 상에 형성하는 과정에 대해 설명하였다, 그러나 본 발명에 대한 결정형 분말층(160)의 형성 위치를 이에 한정하는 것은 아니다.In the above, the process of forming the crystalline powder layer 160 according to the present invention on the protective film 150 has been described, but the formation position of the crystalline powder layer 160 according to the present invention is not limited thereto.

그 일 예로, 상기 결정형 분말층(160)을 상기 보호막(150)내에 형성할 수도 있다. 즉, 상기 보호막(150)내에 산화 마그네슘(MgO)와 본 발명에 따른 결정형 분말을 혼합한 후, 코팅하여 상기 결정형 분말을 포함한 보호막을 형성할 수도 있는 것이다.For example, the crystalline powder layer 160 may be formed in the passivation layer 150. That is, after the magnesium oxide (MgO) and the crystalline powder according to the present invention are mixed in the protective film 150, the protective film 150 may be coated to form a protective film including the crystalline powder.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의하여 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 일 실시예 구조도이다.1 is a structural diagram showing an embodiment of a plasma display panel according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 과정을 나타낸 일 실시예 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a plasma display panel according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 결정형 분말층이 포함된 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a plasma display panel including a crystalline powder layer according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 결정형 분말층이 포함된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 과정을 나타낸 일 실시예 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a plasma display panel including a crystalline powder layer according to the present invention.

도 5는 보호막 상에 본 발명에 따른 원형 형상의 결정형 분말층의 존재 여부에 따른 전계 해석 결과를 나타낸 설명도이다.5 is an explanatory view showing the result of the electric field analysis according to the presence or absence of a circular crystalline powder layer according to the present invention on the protective film.

도 6은 본 발명에 따른 결정형 분말의 크기에 따라 전계 해석 결과를 나타낸 설명도이다.6 is an explanatory view showing the results of the electric field analysis according to the size of the crystalline powder according to the present invention.

도 7은 유지 전극 위에 본 발명에 따른 결정형 분말이 분포되는 비율에 따라 전계 해석 결과를 나타낸 설명도이다.7 is an explanatory diagram showing the result of the electric field analysis according to the ratio of the crystalline powder according to the present invention on the sustain electrode.

<도면의 주요 부호에 대한 설명><Description of Major Symbols in Drawing>

110 : 상부 기판 120 : 투명 전극110: upper substrate 120: transparent electrode

130 : 버스전극 140 : 상판 유전층130: bus electrode 140: top dielectric layer

150 : 보호막 160 : 결정형 분말층150: protective film 160: crystalline powder layer

210 : 하부 기판 220 : 어드레스 전극210: lower substrate 220: address electrode

230 : 하판 유전층 240 : 격벽250 : 형광체230: lower plate dielectric layer 240: partition 250: phosphor

Claims (8)

상부 기판에 형성되는 다수의 투명 전극;A plurality of transparent electrodes formed on the upper substrate; 상기 투명 전극들 위에 형성되는 유전층;A dielectric layer formed on the transparent electrodes; 상기 유전층 위에 형성되는 보호막; 및A protective film formed on the dielectric layer; And 상기 보호막 위에 형성되어 단면의 형상이 육면체 이상인 결정형 분말을 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.And a crystalline powder formed on the passivation layer and having a sectional shape of at least one hexahedron. 상부 기판에 형성되는 다수의 투명 전극;A plurality of transparent electrodes formed on the upper substrate; 상기 투명 전극들 위에 형성되는 유전층;A dielectric layer formed on the transparent electrodes; 상기 유전층 위에 형성되는 보호막; 및A protective film formed on the dielectric layer; And 상기 보호막 위에 형성되는 20 내지 5000㎚ 크기의 결정형 분말을 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.And a crystalline powder having a size of 20 to 5000 nm formed on the passivation layer. 상부 기판에 형성되는 다수의 투명 전극;A plurality of transparent electrodes formed on the upper substrate; 상기 투명 전극들 위에 형성되는 유전층;A dielectric layer formed on the transparent electrodes; 상기 유전층 위에 형성되는 보호막; 및A protective film formed on the dielectric layer; And 상기 보호막 위에 형성되는 결정형 분말을 포함하되,It includes a crystalline powder formed on the protective film, 상기 투명 전극 위에 상기 결정형 분말이 분포되는 비율은 0.1 내지 20%인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The ratio of the crystalline powder is distributed on the transparent electrode is a plasma display panel, characterized in that 0.1 to 20%. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 결정형 분말은, 결정형 산화물, 결정형 질화물, 결정형 플루오르화물, 결정형 요오드물 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.The crystalline powder is at least one of a crystalline oxide, crystalline nitride, crystalline fluoride, crystalline iodine. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 결정형 분말은, 단면의 형상이 육면체 내지 구형을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And said crystalline powder has a hexahedron or spherical shape in cross section. 단면의 형상이 육면체 이상의 결정형 분말과 용매를 혼합하는 단계;Mixing a crystalline powder and a solvent having a hexahedral shape or more in cross section; 상기 혼합된 물질을 상부 기판의 보호막 위에 도포하는 단계; 및Applying the mixed material on the protective film of the upper substrate; And 상기 도포된 물질을 건조 및 소성하는 단계를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.Drying and firing the coated material. 20 내지 5000㎚ 크기의 결정형 분말과 용매를 혼합하는 단계;Mixing the solvent with a crystalline powder having a size of 20 to 5000 nm; 상기 혼합된 물질을 상부 기판의 보호막 위에 도포하는 단계; 및Applying the mixed material on the protective film of the upper substrate; And 상기 도포된 물질을 건조 및 소성하는 단계를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.Drying and firing the coated material. 상부 기판에 다수의 투명 전극을 형성하는 단계;Forming a plurality of transparent electrodes on the upper substrate; 상기 투명 전극들 위에 유전층을 형성하는 단계;Forming a dielectric layer over the transparent electrodes; 상기 유전층 위에 보호막을 형성하는 단계; 및Forming a protective film on the dielectric layer; And 상기 보호막 위에 결정형 분말을 형성하는 단계를 포함하되,Forming a crystalline powder on the protective film, 상기 투명 전극 위에 상기 결정형 분말이 분포되는 비율이 0.1 내지 20%가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.And a ratio of dispersing the crystalline powder on the transparent electrode so as to be 0.1 to 20%.
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