KR20090041837A - Gas bottle cabinet for semiconductor - Google Patents

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Abstract

A gas bottle cabinet for a semiconductor is provided to drain stagnant water by opening/closing a water drainage hole by flexible open/close tube. A recess part(19) comprises a bending part(19a) and a connection part(19b). The bending part is stepped-bent about a floor board(14). The connection part connects the bending part. A water drainage hole(19c) is penetrated in the bending part. An open/close plate(18) of flexible material is attached on an outer surface of the bending part. If water is collected in the recess part, an open/close tube opens the water drainage hole. If the water is completely drained, the open/close tube closes the water drainage hole.

Description

반도체용 가스 보틀 캐비넷{GAS BOTTLE CABINET FOR SEMICONDUCTOR}Gas bottle cabinet for semiconductors {GAS BOTTLE CABINET FOR SEMICONDUCTOR}

본 발명은 반도체용 가스 보틀 캐비넷에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조 공정에 사용되는 공정가스가 내장 보관된 가스 보틀의 외면에 결로 현상에 의해 생성되는 물방울이 전자저울을 안치하기 위한 요입부내로 고여질 때, 이 요입부내로 고여진 물을 신속하게 배수공을 통해 배수되도록 함과 아울러 물의 배수 완료후에는 배수공을 막아 가스 보틀로부터 누설되는 가스가 캐비넷의 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있도록 한 반도체용 가스 보틀 캐비넷에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas bottle cabinet for semiconductors, and more particularly, water droplets generated by condensation on an outer surface of a gas bottle in which process gases used in a semiconductor manufacturing process are stored. The semiconductor, which, when accumulated, allows the water accumulated in the recess to be quickly drained through the drain hole and, after completion of drainage, blocks the drain hole to prevent the gas leaking from the gas bottle from leaking out of the cabinet. It relates to a gas bottle cabinet.

일반적으로 식각(Etching) 또는 증착(CVD) 등의 반도체 제조공정에서는 공정에 필요한 공정가스를 사용하게 되는데, 일례로 증착 공정에 사용되는 공정가스로는 NH3 가스가 , 에칭 공정에 사용되는 공정가스로는 CL2 가스가 사용된다. 이러한 공정가스는 별도의 가스 보틀(Gas-Bottle)이라는 용기속에 내장된 상태에서, 가스 보틀의 배출구에 연결된 가스 이송라인을 통해 에칭 공정 또는 증착 공정이 진행되는 반도체 공정챔버로 공급되게 된다.In general, semiconductor manufacturing processes such as etching or CVD use process gases required for the process. For example, the process gas used for the deposition process is NH3 gas, and the process gas used for the etching process is CL2. Gas is used. Such a process gas is supplied to a semiconductor process chamber in which an etching process or a deposition process is performed through a gas transfer line connected to an outlet of the gas bottle in a state of being embedded in a container called a gas bottle.

그런데, 전술한 공정 가스는 가스 보틀의 배출구와 가스 이송라인의 접속 부분을 통해 외부로 누설되는 경우가 종종 발생하게 되는데, 이러한 누설 가스는 인 체에 유해한 성분이 많기 때문에 반도체 공장 내부로 확산되지 않도록 가스 보틀을 별도의 캐비넷의 내부에 배치하는 것이 일반적이다.However, the above-described process gas is often leaked to the outside through the outlet of the gas bottle and the connection portion of the gas transfer line, this leakage gas is not harmful to the human body because it contains a lot of harmful components in the semiconductor factory It is common to place gas bottles inside of separate cabinets.

도 1은 종래 기술에 의한 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 내부가 보이는 상태로 도시한 외관 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 바닥부가 보이도록 도시한 사시도이다. 1 is an external perspective view showing the inside of a gas bottle cabinet for semiconductors according to the prior art, and FIG. 2 is a perspective view showing the bottom of the gas bottle cabinet for semiconductors shown in FIG. 1.

도시된 바와 같이, 반도체용 가스 보틀 캐비넷(10)은 대략 직육면체의 박스 형상으로 형성되는 것으로, 그 구성은 좌우 측면판(11)(12)과 상면판(13)과 바닥면판(14)과 후면판(15)으로 이루어지되 전방부가 개방되어 있다.As shown, the gas bottle cabinet 10 for semiconductors is formed in a box shape of a substantially rectangular parallelepiped, and its configuration is made of the left and right side plates 11 and 12, the top plate 13, the bottom plate 14, and the rear surface. It consists of a plate 15, but the front part is open.

반도체용 가스 보틀 캐비넷(10)의 개방된 전방부에는 별도의 도어(미도시)가 탈부착 가능하게 설치됨으로써 캐비넷(10)의 내부 공간은 밀폐 상태가 된다.A separate door (not shown) is detachably installed at the open front portion of the gas bottle cabinet 10 for semiconductors, thereby leaving the interior space of the cabinet 10 sealed.

그리고, 후면판(15)의 전면에는 가스 보틀(17)이 수직으로 세워진 상태에서 지지되도록 가스 보틀 지지부(15a)가 돌출되게 설치되어 있으며, 바닥면판(14)에는 대략 사각 형상의 요입부(14a)가 형성되어 있다.In addition, a gas bottle support 15a is protruded on the front surface of the rear plate 15 so that the gas bottle 17 is supported in a vertical position, and the bottom plate 14 has a substantially rectangular concave portion 14a. ) Is formed.

이 요입부(14a)의 중앙에는 전자 저울(16)이 안치되어 있다The electronic scale 16 is settled in the center of this recessed part 14a.

이와 같은 상태에서 가스 보틀(17)을 수직으로 세워 요입부(14a)내에 안치된 전자 저울(16)위에 올려놓아 배치함과 아울러 가스 보틀 지지부(15a)에 접촉된 상태에서 지지되도록 한다. 이때, 가스 보틀 지지부(15a)에 지지된 가스 보틀(17)이 전복되지 않도록 고정 체인(미도시)의 한쪽을 가스 보틀 지지부(15a)의 한쪽에 연결한 상태에서 가스 보틀 지지부(15a)에 접촉되는 부분을 제외한 나머지 가스 보틀을 감싸도록 한 후, 고정 체인의 다른쪽을 가스 보틀 지지부(15a)의 다른쪽에 연결 한다.In such a state, the gas bottle 17 is placed vertically, placed on the electronic scale 16 placed in the recess 14a, and supported while being in contact with the gas bottle support 15a. At this time, the gas bottle support part 15a is in contact with the gas bottle support part 15a while one side of the fixing chain (not shown) is connected to one side of the gas bottle support part 15a so that the gas bottle 17 supported by the gas bottle support part 15a is not overturned. After wrapping the remaining gas bottle except the portion to be connected, the other side of the fixed chain is connected to the other side of the gas bottle support (15a).

여기서, 전자 저울(16)은 가스 보틀(17)내에 내장된 가스의 소모량을 체크하기 위한 역할을 한다.Here, the electronic scale 16 serves to check the consumption amount of gas contained in the gas bottle 17.

한편, 가스 보틀(17)의 배출구와 가스 이송라인간의 접속 부분(미도시)은 캐비넷(10)의 내부에 위치하도록 설치되는 것으로, 이 접속 부분을 통해 NH3 가스, CL2 가스가 누설되는 경우에 누설된 가스가 반도체 공장 내부로 확산되지 않도록 하기 위해 캐비넷(10)의 상면판(13)에 누설가스 배출덕트(13a)를 연장 형성하여 가스 정화장치(미도시)에 연결되도록 하고, 이 누설가스 배출덕트(13a)내에 배기팬(13b)을 형성한다.On the other hand, the connection portion (not shown) between the outlet of the gas bottle 17 and the gas transfer line is installed to be located inside the cabinet 10, and leaks when the NH3 gas and the CL2 gas leak through the connection portion. In order to prevent the gas from being diffused into the semiconductor factory, a leakage gas discharge duct 13a is formed in the upper plate 13 of the cabinet 10 so as to be connected to a gas purifier (not shown). An exhaust fan 13b is formed in the duct 13a.

이렇게 함으로써, 캐비넷(10)의 내부 공간에 가스가 누설되는 경우 배기팬(13b)의 강제 배기로 인해, 누설 가스를 가스 정화장치로 이송시킬 수 있게 되는 것이다.In this way, when the gas leaks into the internal space of the cabinet 10, the leaked gas can be transferred to the gas purifier due to the forced exhaust of the exhaust fan 13b.

한편, 전술한 증착 공정 또는 에칭 공정을 위해 NH3 가스 또는 CL2 가스를 사용하는 경우에 가스 보틀의 표면에 결로 현상에 의한 물방울이 생기게 되고, 시간이 경과함에 따라 물방울이 흘러 내려 바닥면판(14)에 형성된 요입부(14a)내에 저장된다.On the other hand, when NH3 gas or CL2 gas is used for the above-described deposition process or etching process, water droplets due to condensation are generated on the surface of the gas bottle, and as time passes, the water droplets flow down to the bottom plate 14. It is stored in the recessed part 14a formed.

상기 가스 보틀의 표면에 결로 현상이 생기는 과정을 좀더 구체적으로 설명하면, NH3 가스 또는 CL2 가스는 상온에서 액화 상태로 가스 보틀내부에 존재하게 되고, 증착 공정 또는 에칭 공정을 진행하기 위해 가스 보틀의 배출될 때에는 자연 기화되어 기체 상태로 반도체 공정챔버로 공급되게 된다.More specifically describing the process of the condensation phenomenon on the surface of the gas bottle, NH3 gas or CL2 gas is present in the gas bottle in a liquefied state at room temperature, the discharge of the gas bottle to proceed the deposition process or etching process When it is naturally vaporized it is supplied to the semiconductor process chamber in a gaseous state.

따라서, 전술한 바와 같이 NH3 가스 또는 CL2 가스는 기화 작용에 의해 가스 보틀의 내부 온도가 캐비넷의 내부 온도보다 낮게 되고, 그 온도 차이가 결로가 생기는 조건을 만족하면, 가스 보틀의 외면에 결로 현상에 의한 물방울이 생기게 되는 것이다.Therefore, as described above, when the NH3 gas or the CL2 gas has a condition that the internal temperature of the gas bottle becomes lower than the internal temperature of the cabinet due to vaporization, and the temperature difference satisfies the condition that condensation occurs, the condensation phenomenon on the outer surface of the gas bottle is prevented. Will cause water droplets.

그러나, 종래 기술에 의한 반도체용 가스 보틀 캐비넷에서는 다음과 같은 문제점이 발생하게 된다.However, the following problems arise in the gas bottle cabinet for semiconductors by the prior art.

즉, 가스 보틀의 표면에 결로 현상에 의한 물방울이 생기게 되고, 시간이 경과함에 따라 물방울이 흘러 내려 바닥면판(14)에 형성된 요입부(14a)내에 가득 고여지게 되는데, 이렇게 되면, 요입부(14a)내에 안치된 전자저울(16)의 고장을 발생되는 문제점이 있었다. 그 이유는 전자저울(16)이 방수가 되지 않는 상태로 제작되어 있기 때문에 요입부(14a)내에 물이 가득 고여 있는 상태인 경우에는 전자저울(16)의 내부로 침투하여 전자 부품을 전기적으로 쇼트시키게 된다.That is, water droplets due to condensation occur on the surface of the gas bottle, and as time passes, the water droplets flow down to fill up in the indentation portion 14a formed in the bottom plate 14, which results in the indentation portion 14a. There was a problem that the failure of the electronic scale 16 placed in the). The reason for this is that the electronic scale 16 is manufactured in a non-waterproof state, so when water is filled in the concave portion 14a, the electronic scale 16 penetrates into the electronic scale 16 to electrically short the electronic component. Let's go.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창출된 것으로. 반도체 제조 공정에 사용되는 공정가스가 내장 보관된 가스 보틀의 외면에 결로 현상에 의해 생성되는 물방울이 전자저울을 안치하기 위한 요입부내로 고여질 때, 이 요입부내로 고여진 물을 신속하게 배수공을 통해 배수되도록 함과 아울러 물의 배수 완료후에는 배수공을 막아 가스 보틀로부터 누설되는 가스가 캐비넷의 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있도록 한 반도체용 가스 보틀 캐비넷을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was created to solve the above problems. When water droplets generated by condensation form on the outer surface of the gas bottle containing the process gas used in the semiconductor manufacturing process and accumulate in the inlet to settle the electronic balance, the water collected in the inlet is rapidly drained. It is an object of the present invention to provide a gas bottle cabinet for semiconductors that can be drained through the water and, after completion of draining the water, prevents the gas leaking from the gas bottle from leaking out of the cabinet.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 좌우 측면판과 상면판과 바닥면판과 후면판으로 이루어지되 전방부가 개방되어 있고, 개방된 전방부에는 도어가 탈부착 가능하게 설치되어 내부 공간이 밀폐되며, 상기 바닥면판에 요입부가 형성되며, 상기 요입부내에 전자저울이 안치되며, 상기 내부 공간에는 상기 전자저울위에 반도체 공정 가스가 내장된 가스 보틀이 배치되고, 좌우 측면판과 상면판과 후면판중 어느 하나에 연장되게 누설 가스 배출덕트가 형성되어 구성된 반도체용 가스 보틀 캐비넷에 있어서, 상기 요입부는 상기 바닥면판에 대해 단차지게 절곡되는 절곡부와, 상기 절곡부를 연결하는 연결부로 이루어지고, 상기 절곡부에는 물 배수공이 관통 형성되며, 상기 요입부내에 물이 고여지면 상기 물 배수공을 개방하고, 물의 배출이 완료된 후에 자중에 의해 상기 물 배수공을 폐쇄하는 플렉시블한 재질 의 개폐판이 상기 절곡부의 외면에 부착 설치된 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object, consisting of the left and right side plate and the top plate and the bottom plate and the back plate, but the front part is open, the door is detachably installed in the open front part is sealed the inner space A recess is formed in the bottom plate, and an electronic balance is placed in the recess, and a gas bottle in which a semiconductor process gas is embedded is disposed on the electronic balance in the left and right side plates, the top plate, and the back plate. A gas bottle cabinet for semiconductors, wherein the leakage gas discharge duct is formed to extend in any one of the above, wherein the concave portion includes a bent portion bent stepwise with respect to the bottom plate, and a connecting portion connecting the bent portion. The water drain hole is formed through, and if water is accumulated in the concave portion, the water drain hole is opened, and the discharge of water is completed. After the opening by the own weight of the flexible material for closing the water drain hole plate is characterized in that provided attached to the outer surface of the bent portion.

본 발명에 따른 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 효과는 다음과 같다.Effects of the gas bottle cabinet for semiconductors according to the present invention are as follows.

즉, 반도체 제조 공정에 사용되는 공정가스가 내장 보관된 가스 보틀의 외면에 결로 현상에 의해 생성되는 물방울이 전자저울을 안치하기 위한 요입부내로 고여질 때, 이 요입부내로 고여진 물을 신속하게 배수공을 통해 배수되도록 함과 아울러 물의 배수 완료후에는 배수공을 막아 가스 보틀로부터 누설되는 가스가 캐비넷의 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있게 된다.In other words, when water droplets generated by condensation on the outer surface of the gas bottle containing the process gas used in the semiconductor manufacturing process are collected into the recesses for placing the electronic balance, the water accumulated in the recesses is rapidly In addition to being drained through the drain hole, after the drainage of water is completed, it is possible to prevent the gas leaking from the gas bottle to the outside of the cabinet by blocking the drain hole.

이하, 본 발명에 의한 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of a gas bottle cabinet for a semiconductor according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 의한 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 내부가 보이는 상태로 도시한 외관 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 바닥부가 보이도록 도시한 사시도이다.3 is an external perspective view showing the inside of the gas bottle cabinet for semiconductors according to the present invention in a visible state, and FIG. 4 is a perspective view showing the bottom portion of the gas bottle cabinet for semiconductors shown in FIG. 3.

도시된 바와 같이, 본 발명은 좌우 측면판(11)(12)과 상면판(13)과 바닥면판(14)과 후면판(15)으로 이루어지되 전방부가 개방되어 있고, 개방된 전방부에는 도어가 탈부착 가능하게 설치되어 내부 공간이 밀폐되며, 바닥면판(14)에 요입부(19)가 형성되며, 요입부(19)내에 전자저울(16)이 안치되며, 상기 내부 공간에는 전자저울(16)위에 반도체 공정 가스가 내장된 가스 보틀(17)이 배치되고, 좌우 측면판(11)(12)과 상면판(13)과 후면판(15)중 어느 하나에 연장되게 누설 가스 배출 덕트(13a)가 형성되어 구성된 반도체용 가스 보틀 캐비넷(10)에 적용된다.As shown, the present invention consists of the left and right side plate (11) 12 and the top plate 13, the bottom plate 14 and the back plate 15, the front part is open, the front door is open The inner space is sealed by attaching and detaching, and the recessed portion 19 is formed on the bottom plate 14, the electronic scale 16 is placed in the recessed portion 19, and the electronic scale 16 is disposed in the internal space. The gas bottle 17 having the semiconductor process gas therein is disposed thereon, and the leakage gas discharge duct 13a extends in any one of the left and right side plates 11 and 12, the top plate 13, and the back plate 15. Is applied to the semiconductor gas bottle cabinet 10 formed and formed.

여기서, 상기 누설 가스 배출덕트(13a)내에 배기팬(13b)을 설치하여 캐비넷(10)의 누설 가스를 가스 정화장치(미도시)측으로 이동되도록 할 수 있다.Here, an exhaust fan 13b may be installed in the leakage gas discharge duct 13a to move the leakage gas of the cabinet 10 to the gas purifier (not shown).

그리고, 다른 실시예로, 가스 정화장치의 내부에 배기팬(미도시)을 설치하여 누설 가스 배출덕트(13a)를 통해 캐비넷(10)내의 가스를 강흡 흡입할 수 있다.In another embodiment, an exhaust fan (not shown) may be installed inside the gas purifier to suck and suck the gas in the cabinet 10 through the leakage gas discharge duct 13a.

즉, 누설 가스 배출덕트(13a)는 상기 가스 정화장치와 별도의 이송 파이프드의 라인을 통해 연결되어 있기 때문이다.That is, the leakage gas discharge duct 13a is connected to the gas purifier through a line of a separate transport pipe.

이하 설명에서는 배기팬을 누설 가스 배출덕트(13a)내에 설치한 것을 예로 들어 설명하기로 한다.In the following description, the exhaust fan is installed in the leakage gas discharge duct 13a as an example.

한편, 본 발명의 요입부(19)는 바닥면판(14)에 대해 단차지게 절곡되는 절곡부(19a)와, 이 절곡부(19a)의 단부와 일체로 연결되는 연결부(19b)로 이루어진다.On the other hand, the concave portion 19 of the present invention consists of a bent portion (19a) bent stepped with respect to the bottom plate 14, and the connecting portion (19b) integrally connected to the end of the bent portion (19a).

그리고, 절곡부(19a)에는 물 배수공(19c)이 관통 형성된다.Then, the water drain hole 19c is formed through the bent portion 19a.

그리고, 요입부(19)내에 물이 고여지면 물 배수공(19c)을 개방하고, 물의 배출이 완료된 후에 자중에 의해 물 배수공(19c)을 폐쇄하는 플렉시블한 재질의 개폐판(18)이 절곡부(19a)의 외면에 부착 설치된다.(도 3 및 도 4 참조)Then, when water accumulates in the concave portion 19, the water drain hole 19c is opened, and the opening and closing plate 18 of a flexible material for closing the water drain hole 19c by its own weight after the discharge of water is completed is a bent portion ( It is attached to the outer surface of 19a) (refer FIG. 3 and FIG. 4).

여기서, 상기 개폐판(18)은 두께가 아주 얇은 비닐 또는 필름 재질로 이루어진다.Here, the opening and closing plate 18 is made of a very thin vinyl or film material.

그리고, 가스 보틀(17)내에 내장되는 공정 가스는 증착 공정에 사용되는 NH3 가스와 에칭 공정에 사용되는 CL2 가스중 어느 하나가 사용된다.As the process gas embedded in the gas bottle 17, any one of NH3 gas used for the deposition process and CL2 gas used for the etching process is used.

상기와 같이 구성된 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention configured as described above are as follows.

상기 누설 가스 배출덕트(13a)는 종래와 마찬가지로 가스 정화장치(미도시)에 연결되어 가스 보틀(17)의 배출구(미도시)와 가스 이송라인(미도시)간의 접속 부분(미도시)으로부터 캐비넷(10)의 내부로 누설되는 가스를 신속하게 배기하여 상기 가스 정화장치로 강제 이송함으로써, 누설된 가스가 반도체 공장 내부로 확산되지 않도록 한다.The leaking gas discharge duct 13a is connected to a gas purifier (not shown) as in the prior art and is connected to a cabinet from a connection part (not shown) between an outlet (not shown) and a gas transfer line (not shown) of the gas bottle 17. By quickly exhausting the gas leaking into the inside of the 10 and forcibly transported to the gas purifier, the leaked gas is not diffused into the semiconductor factory.

이때, 내부 공간이 밀폐 상태로 된 캐비넷(10)의 내부에는 배기팬(13b)의 가스 배기 작용에 의해 감압되는 상태가 된다. 즉, 캐비넷(10)의 외부보다 압력이 낮게 된다. 이로 인해 개폐판(18)은 항상 요입부(19)를 구성하는 절곡부(19a)의 외면에 밀착되어 물 배수공(19c)을 막아주는 상태를 유지하게 된다.At this time, the inside of the cabinet 10 in which the internal space is in a sealed state is in a state of being depressurized by the gas exhaust action of the exhaust fan 13b. That is, the pressure is lower than the outside of the cabinet 10. Therefore, the opening and closing plate 18 is always in close contact with the outer surface of the bent portion (19a) constituting the recessed portion 19 to maintain the state to block the water drain hole (19c).

한편, 가스 보틀(17)의 표면에는 결로 현상에 의해 물방울이 생기게 되는데, 이 물방울이 생기는 과정은 종래에서 설명한 것 마찬가지로, 공정가스로 사용되는 NH3 가스 또는 CL2 가스는 상온에서 액화 상태로 가스 보틀내부에 존재하게 되고, 증착 공정 또는 에칭 공정을 진행하기 위해 가스 보틀의 배출될 때에는 자연 기화되어 기체 상태로 반도체 공정챔버로 공급되게 된다.On the other hand, water droplets are generated on the surface of the gas bottle 17 due to condensation. The water droplet is generated in the gas bottle in a liquefied state at room temperature in the same manner as described above. When the gas bottle is discharged to proceed with the deposition process or the etching process, it is naturally vaporized and supplied to the semiconductor process chamber in a gaseous state.

따라서, 전술한 바와 같이 NH3 가스 또는 CL2 가스는 기화 작용에 의해 가스 보틀(17)의 내부 온도가 캐비넷(10)의 내부 온도보다 낮게 되고, 그 온도 차이가 결로가 생기는 조건을 만족하면, 가스 보틀(17)의 외면에 결로 현상에 의한 물방울이 생기게 되는 것이다.Therefore, as described above, when the NH3 gas or the CL2 gas has an internal temperature of the gas bottle 17 lower than the internal temperature of the cabinet 10 due to the vaporization action, and the temperature difference satisfies the condition that dew condensation occurs, the gas bottle On the outer surface of (17), water droplets due to condensation occur.

즉, 가스 보틀(17)의 표면에 결로 현상에 의한 물방울이 생기게 되고, 시간 이 경과함에 따라 물방울이 흘러 내려 바닥면판(14)에 형성된 요입부(19)내에 점차적으로 고여지게 된다.That is, water droplets due to condensation are generated on the surface of the gas bottle 17, and as time passes, the water droplets flow down and gradually accumulate in the concave portions 19 formed in the bottom plate 14.

이후, 요입부(19)내에 고여진 물은 물 배수공(19c)을 통해 배수되는데, 이 물 배수공(19c)을 통해 배수되는 물의 배수 압력에 의해 개폐판(18)이 도 3의 (b)그림에서와 같이 휘어지면서 물 배수공(19c)을 완전히 개방하게 된다.Thereafter, the water accumulated in the concave portion 19 is drained through the water drain hole 19c, and the opening and closing plate 18 is opened by the drain pressure of the water drained through the water drain hole 19c. As shown in the figure, the water drain hole 19c is completely opened.

이로써, 요입부(19)내에는 물이 존재하지 않기 때문에 전자저울(16)의 고장이 나는 것을 방지할 수 있게 된다.Thereby, since water does not exist in the recessed part 19, the failure of the electronic scale 16 can be prevented.

그리고, 물 배수공(19c)을 통해 물이 배수되어 요입부(19)내에 물이 존재하지 않게 되면, 개폐판(18)에 가해진 물의 배수 압력이 존재하지 않기 때문에 개폐판(18)은 도 3의 (a) 그림에서와 같이 원상태로 복귀되어 물 배수공(19c)을 막아주게 된다.Then, when water is drained through the water drain hole 19c and no water is present in the recess 19, since the drain pressure of the water applied to the opening and closing plate 18 does not exist, the opening and closing plate 18 is shown in FIG. 3. (a) As shown in the figure, it is returned to its original state to block the water drain hole 19c.

이때, 전술한 바와 같이 배기팬(13b)의 작동으로 인한 캐비넷(10)의 내부가 외부보다 압력이 낮은 감압 상태가 유지되기 때문에 캐비넷(10)의 외부에 물 배수공(19c)을 통해 빠른 속도로 공기가 흡입될 때 발생되는 흡입력에 의해서도 개폐판(18)이 물 배수공(19c)을 막아주는 상태로 용이하게 원상 복귀된다.At this time, as described above, since the inside of the cabinet 10 due to the operation of the exhaust fan 13b maintains a pressure-reduced state in which the pressure is lower than the outside, the water drain hole 19c is opened at the outside of the cabinet 10 at a high speed. Even when the air is sucked in, the opening and closing plate 18 easily returns to its original state in a state of blocking the water drain hole 19c.

도 1은 종래 기술에 의한 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 내부가 보이는 상태로 도시한 외관 사시도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is an external perspective view showing the inside of a gas bottle cabinet for semiconductors according to the prior art.

도 2는 도 1에 도시된 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 바닥부가 보이도록 도시한 사시도.FIG. 2 is a perspective view of the bottom of the gas bottle cabinet for semiconductors shown in FIG. 1.

도 3은 본 발명에 의한 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 내부가 보이는 상태로 도시한 외관 사시도.3 is an external perspective view showing the inside of the gas bottle cabinet for semiconductors according to the present invention as viewed.

도 4는 도 3에 도시된 반도체용 가스 보틀 캐비넷의 바닥부가 보이도록 도시한 사시도.4 is a perspective view showing the bottom of the gas bottle cabinet for semiconductor shown in FIG.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

11,12 : 좌우 측면판 13 : 상면판11, 12: left and right side plates 13: top plate

13a : 누설 가스 배출덕트 13b : 배기팬13a: leakage gas discharge duct 13b: exhaust fan

14 : 바닥면판 15 : 후면판14: bottom plate 15: back plate

16 : 전자저울 17 : 가스 보틀16: electronic scale 17: gas bottle

18 : 개폐판 19 : 요입부18: opening and closing plate 19: recessed part

19a : 절곡부 19b : 연결부19a: bend 19b: connection

19c : 물 배수공19c: water drain hole

Claims (2)

좌우 측면판(11)(12)과 상면판(13)과 바닥면판(14)과 후면판(15)으로 이루어지되 전방부가 개방되어 있고, 개방된 전방부에는 도어가 탈부착 가능하게 설치되어 내부 공간이 밀폐되며, 상기 바닥면판(14)에 요입부(19)가 형성되며, 상기 요입부(19)내에 전자저울(16)이 안치되며, 상기 내부 공간에는 상기 전자저울(16)위에 반도체 공정 가스가 내장된 가스 보틀(17)이 배치되고, 좌우 측면판(11)(12)과 상면판(13)과 후면판(15)중 어느 하나에 연장되게 누설 가스 배출덕트(13a)가 형성되어 구성된 반도체용 가스 보틀 캐비넷에 있어서,It consists of left and right side plates (11) and top plate (13), bottom plate (14) and back plate (15), and the front part is opened, and the door is detachably installed in the open front part. Is sealed, a recessed portion 19 is formed in the bottom plate 14, an electronic balance 16 is placed in the recessed portion 19, and a semiconductor process gas is disposed on the electronic scale 16 in the internal space. Gas bottle 17 is built-in, the leakage gas discharge duct (13a) is formed to extend to any one of the left and right side plates (11) (12), the top plate (13) and the back plate (15) In the gas bottle cabinet for semiconductors, 상기 요입부(19)는 상기 바닥면판(14)에 대해 단차지게 절곡되는 절곡부(19a)와, 상기 절곡부(19a)를 연결하는 연결부(19b)로 이루어지고,The recess 19 is formed of a bent portion 19a bent stepwise with respect to the bottom plate 14, and a connecting portion 19b for connecting the bent portion 19a, 상기 절곡부(19a)에는 물 배수공(19c)이 관통 형성되며,Water bent hole (19c) is formed through the bent portion (19a), 상기 요입부(19)내에 물이 고여지면 상기 물 배수공(19c)을 개방하고, 물의 배출이 완료된 후에 자중에 의해 상기 물 배수공(19c)을 폐쇄하는 플렉시블한 재질의 개폐판(18)이 상기 절곡부(19a)의 외면에 부착 설치된 것을 특징으로 하는 반도체용 가스 보틀 캐비넷.When water is accumulated in the concave portion 19, the water drain hole 19c is opened, and the opening and closing plate 18 of a flexible material for closing the water drain hole 19c by its own weight after the discharge of water is completed is bent. A gas bottle cabinet for semiconductors, which is attached to an outer surface of a portion 19a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 보틀(17)내에 내장되는 공정 가스는 NH3 가스와 CL2 가스중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체용 가스 보틀 캐비넷.The process gas contained in the gas bottle (17) is a gas bottle cabinet for semiconductors, characterized in that any one of NH3 gas and CL2 gas.
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