KR20090038966A - 패턴 임계치수의 균일도 검사장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 패턴 임계치수의 균일도 검사장치에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 구성이 단순하고 저가(低價)인 장비를 이용하면서도 검사속도 및 검사 정확도를 향상시킬 수 있는 패턴 임계치수의 균일도 검사장치를 제공함에 있다.

이를 위해 본 발명에 따른 패턴 임계치수의 균일도 검사장치는 단파장의 레이저 빔을 출사하는 광원; 상기 광원으로부터 출사된 레이저 빔을 다중으로 분리하는 빔 분리기; 상기 빔 분리기를 통해 분리된 빔이 주기적인 패턴을 갖는 시료에 조사된 후 반사될 때 상기 반사 빔의 주파수를 검출하는 검출기; 상기 검출기에서 검출한 반사 빔의 주파수와 상기 광원에서 출사된 기준 빔의 주파수를 비교하여 상기 시료에서 반사된 레이저의 진폭과 위상 신호를 측정하는 증폭기; 상기 증폭기를 통해 측정된 레이저의 진폭과 위상 신호를 분석하여 상기 시료 패턴 임계치수의 균일도를 검사하는 검사부를 포함한다.

패턴 임계치수(CD), 균일도, 레이저 빔

Description

패턴 임계치수의 균일도 검사장치{Apparatus for inspecting uniformity of critical dimension of pattern}

본 발명은 패턴 임계치수의 균일도 검사장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 헤테로다인(Heterodyne) 편광기술을 이용하여 포토마스크(photomask) 및 웨이퍼(wafer)에 전사된 주기적인 패턴의 임계치수 균일도를 높은 정확도를 유지하면서 고속으로 검사할 수 있는 패턴 임계치수의 균일도 검사장치에 관한 것이다.

초대규모 집적회로(Ultra Large Scale Integrated circuit : ULSI)와 관련된 고밀도 및 성능에 대해서는 현재 서브미크론 단위의 미세구조물, 증대된 트랜지스터 및 회로 속도 및 향상된 신뢰도를 필요로 하고 있다. 그러한 요구에 부응하기 위해서는 고정밀도 및 균일도를 갖는 반도체 미세구조물을 필요로 하며, 이는 결국 반도체 소자들을 반도체 웨이퍼 상에서 제조하는 동안의 반도체 소자들에 대한 빈번하고 상세한 검사를 포함하는 세심한 공정감시를 필요로 한다.

세심한 검사를 요하는 하나의 중요한 공정은 회로 패턴을 반도체 웨이퍼로 전사하는데 마스크가 사용되는 사진 평판 공정이다. 통상적으로 미리 결정된 연속 공정에 일련의 마스크들이 사용된다. 각각의 사진 평판 마스크들은 웨이퍼 상에 집적될 회로 성분에 대응하는 복잡한 패턴을 포함한다. 일련의 마스크 내에 있는 각각의 마스크들은 실리콘 웨이퍼상에 형성된 폴리실리콘 층 또는 금속층과 같은 층위에 미리 피복되어 있는 감광층(즉, 포토레지스트 층) 상에 대응패턴을 전사시키는데 사용된다. 마스크 패턴을 포토레지스트 층에 전사시키는 것은 통상적으로, 포토레지스트의 노출을 위해 광 또는 다른 방사선이 마스크를 투과할 수 있게 하는 스캐너 또는 스텝퍼와 같은 광노출기구에 의해 수행된다. 그 후에, 포토 레지스트는 포토 레지스트 마스크를 형성하도록 현상되며, 라인 또는 게이트와 같은 미세구조물을 형성하도록 하부의 폴리실리콘 또는 금속 층이 상기 마스크에 따라 선택적으로 에칭된다.

마스크의 제조는 가공 및 설계 한계에 따라 설정된 미리 결정된 설계기준을 따른다. 이러한 설계 기준들은 반도체 소자와 상호 연결된 라인 사이의 공간적 한계 및 라인 자체의 폭을 규정함으로써, 반도체 소자 또는 라인들이 바람직하지 않게 중복되거나 상호작용하는 것을 방지할 수 있게 한다. 이러한 설계기준 상의 제약을 임계치수(Critical Dimension : CD)라 지칭하며, 이는 반도체 소자들의 제조에 허용된 두 개의 라인들 사이의 최소 공간 또는 최소 회로선폭으로 정의된다. 초대규모 집적회로에의 적용을 위한 CD는 미크론 단위 정도이다.

설계 기준의 미세화 및 프로세스 윈도우(즉, 공정상의 에러 마진)의 소형화에 따라, 표면 미세구조물의 CD 및 횡단면 형상에 대한 검사와 측정의 중요성이 증대되었다. 미세구조물의 CD 및 프로파일에 대한 설계 치수로부터 편차는 최종 반도 체 장치의 성능에 악영향을 끼친다. 또한, 미세구조물의 CD 및 프로파일의 측정으로 과노출로 인한 포토레지스트의 손실 또는 스텝퍼의 초점 이탈과 같은 공정상의 문제점을 파악할 수 있다.

이와 같이, CD 및 프로파일의 수치와 설계치수로부터 미세구조물 CD의 편차는 포토레지스트 및 에칭 공정의 정확도와 안정성에 대한 중요한 지표이며, 그러한 편차를 감소시키기 위한 CD 제어는 반도체 처리공정에 있어서 중요한 부분이다.

이러한 패턴 임계치수의 균일도를 검사하는 방법으로 종래에는 전자현미경(Critical Dimension-Scanning Electron Microscope : CD-SEM) 방식이 이용되고 있었다.

도 1을 참조하여 종래 CD-SEM 방식의 균일도 검사방법을 간단히 살펴보면 먼저 웨이퍼를 시스템 로드락(loadlock)으로 이송한다(A).

이후 메인 챔버(Main chamber)와 동일한 수준의 진공도(10^-6 Torr)를 유지하기 위한 펌핑(pumping)을 수행한다(B).

다음으로 웨이퍼를 로드락 챔버로부터 측정이 이루어지는 메인 챔버로 이송한다(C).

이후 SEM에서 웨이퍼 패턴을 향해 전자빔을 조사한 후 되튀어 나오는 2차 전자(secondary electron)를 검출한다. 이 때 검출된 2차 전자 신호를 이용하여 수 나노급의 고분해능 이미지를 획득하게 된다(D).

다음으로 단계 D를 통해 획득된 이미지를 바탕으로 패턴간의 거리(Critical Dimension : CD)를 측정한다(E).

이후 상술한 단계 D, E를 반복하면서 웨이퍼 상의 수십 포인트를 측정하여 데이터 맵(CD 균일도 맵)을 구성한다(F).

그러나 종래의 CD-SEM 방식은 아래와 같은 문제점들을 내포하고 있다. 첫째, 하나의 웨이퍼 상의 CD 측정을 위해서 여러 단계(step)를 거쳐야 하고, 특히 전자 현미경의 특성상 챔버 내부의 고진공도 유지가 필수적이기 때문에 측정을 위한 시간 소요가 많다.

둘째, 고진공·고분해능 장비로 인해 시스템이 복잡하며, 장비의 가격이 고가이다.

셋째, 설비의 특성상 소모품이 많으며, 고진공 부품으로 가격이 고가이므로 유지 비용이 높다.

또한 CD-SEM 방식은 정확한 정량적 수치를 제공하기는 하나, 이미지 획득 후 패턴의 CD를 측정하는 방식이므로 속도의 한계를 보이며 이로 인해서 전체 공정을 대변할 수 있는 정보량에 한계를 보인다는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 구성이 단순하고 저가(低價)인 장비를 이용하면서도 검사속도 및 검사 정확도를 향상시킬 수 있는 패턴 임계치수의 균일도 검사장치를 제공함에 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 패턴 임계치수의 균일도 검사장치는 단파장의 레이저 빔을 출사하는 광원; 상기 광원으로부터 출사된 레이저 빔을 다중으로 분리하는 빔 분리기; 상기 빔 분리기를 통해 분리된 빔이 주기적인 패턴을 갖는 시료에 조사된 후 반사될 때 상기 반사 빔의 주파수를 검출하는 검출기; 상기 검출기에서 검출한 반사 빔의 주파수와 상기 광원에서 출사된 기준 빔의 주파수를 비교하여 상기 시료에서 반사된 레이저의 진폭과 위상 신호를 측정하는 증폭기; 상기 증폭기를 통해 측정된 레이저의 진폭과 위상 신호를 분석하여 상기 시료 패턴 임계치수의 균일도를 검사하는 검사부를 포함한다.

또한 상기 광원은 서로 수직 편광되어 있고, 주파수가 2.13㎒ 차이 나는 2개의 레이저 빔을 출사하는 제만 레이저이다.

또한 상기 검출기는 상기 시료에 조사된 후 반사되는 빔을 2.13㎒의 맥놀이 주파수로 검출한다.

또한 상기 증폭기는 상기 검출기에서 검출한 2.13㎒의 맥놀이 주파수를 이용하여 상기 제만 레이저와 위상 동기화된 신호만을 추출하여 레이저의 진폭과 위상 신호를 측정한다.

또한 상기 광원에서 출사된 레이저 빔의 스폿 크기를 조절하는 빔 조절기; 상기 빔 조절기에 의해 스폿 크기가 조절된 빔이 상기 빔 분리기를 통과한 후 상기 시료에 조사되도록 광로를 변환하고 상기 시료에 조사된 후 반사되어 나온 빔의 광로를 안내하는 광학계; 상기 시료에 조사된 후 상기 시료의 형상정보와 위상 결점 정보에 의해 편광정보가 변화된 반사 빔을 투과시켜 상기 검출기에 입사하는 편광 자를 더 포함한다.

또한 상기 빔 분리기를 통해 출력된 기준 빔의 보정을 위한 레퍼런스 블랙 미러(reference black mirror)를 더 포함한다.

본 발명에 따른 패턴 임계치수의 균일도 검사장치는 기존의 장비와는 달리 대기(atmosphere) 상태에서 검사하는 장비이므로 진공을 위한 시간이 제거되며, 또한 다중 레이저 빔을 적용함으로써 검사측정 시간을 단축하고, 생산성 향상을 기대할 수 있는 효과가 있다.

또한 본 발명에 의할 경우 기존 장비에 비해 진공을 위한 부분이 없으므로 장비 구성이 단순해지고, 이로 인해 저가의 장비 공급이 가능해지는 효과가 있다.

또한 기존의 CD-SEM 방식은 측정시간이 많이 소요되어 웨이퍼의 수십 포인트만을 측정하여 공정관리를 대변해 왔지만, 본 발명에 따른 패턴 임계치수의 균일도 검사장치는 고속 측정 방식으로 기존의 방식보다 많은 정보를 제공함으로써 웨이퍼의 CD 변동에 대한 정확도 향상이 기대되며 이로 인해 수율 향상에 기여할 수 있는 효과가 있다.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예를 상세하게 설명하도록 한다.

도 2는 본 발명에 이용되는 헤테로다인 편광측정기의 기본 원리를 설명하기 위한 도면이다.

도 2에 도시한 바와 같이 헤테로다인 편광측정기는 서로 수직 편광되어 있고 주파수가 2.13㎒ 차이 나는 2개의 빛을 포토마스크(또는 웨이퍼)와 같은 주기적인 패턴을 갖는 시료(10)에 조사하는 제만 레이저(20, Zeeman Laser: 광원)와, 시료(10)에 조사된 빛이 포토마스크(또는 웨이퍼)의 형상정보와 위상 결점 정보에 의해 편광정보가 변화된 반사 빔을 통과시키는 편광자(30, Polarizer)와, 편광자(30)를 통과한 반사 빔의 광량을 검출하는 검출기(40, 포토다이오드(photodiode) 또는 광증배관(Photo-multiplier tube : PMT))와, 검출기(40)에서 검출한 반사 빔의 광량과 제만 레이저(20)에서 조사된 빛의 기준 신호를 비교 증폭하여 제만 레이저(20)와 위상 동기화된 신호만 추출하여 시료(10)에서 반사된 레이저의 진폭(Amplitude)과 위상(Phase) 신호를 동시에 측정하는 Lock-in 증폭기(50, Lock-in amplifier)를 포함한다.

도 2에서 제안한 헤테로다인 편광측정기는 반도체 산업의 리소그래피 마스크 및 반도체 웨이퍼에 전사된 100㎚이하의 주기 패턴 균일도 검사, 그리고 약 100㎚ 크기의 메탈(metal) 패턴의 주기적인 배열에 의해 구성되는 광학소자인 WGP(Wire Grid Polarizer) 등 주기적인 패턴으로 구성되는 대면적 시료(10)의 균일도(패턴 크기 균일도 및 박막 두께 균일도 등)를 고속으로 검사할 수 있는 장치이다.

헤테로다인 기술은 서로 수직 편광되어 있고 주파수가 각기 다른 빔을 출사하는 제만 레이저(20)를 이용하여 시료(10)에서 반사된 레이저의 진폭(Amplitude)과 위상(Phase)을 동시에 측정함으로써 패턴의 CD 균일도 뿐만 아니라 시료(10)의 위상 쉬프트(phase shift)를 유발시키는 모든 위상 결점(phase defect) 정보를 동 시에 얻을 수 있는 강점도 있다. 이러한 원리를 이용한 2차원 균일도 맵(map)은 측정 대상물인 시료(10)의 point by point 스캐닝에 의하여 얻어진다.

이와 같이 본 발명은 시료(10)에서 반사된 레이저의 진폭(Amplitude)과 위상(Phase) 분석을 통하여 레이저 파장 이하의 미세형상과 시료(10)에 발생할 수 있는 예상치 않은 위상 결점 정보를 고속, 고정밀로 측정하는 방법을 구현하게 된다.

이러한 시료(10)의 주기 패턴 균일도를 검사하기 위한 장치의 보다 구체화된 개념도를 도 3에 제시하였으며, 도 1과 동일한 부분에 대해서는 동일부호를 병기한다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 패턴 임계치수의 균일도 검사장치의 개념도이다.

도 3에 도시한 바와 같이 패턴 임계치수의 균일도 검사장치는 서로 수직 편광되어 있고 주파수가 각기 다른 빔을 출사하는 제만 레이저(20)와, 제만 레이저(20)에서 출사된 레이저 빔의 스폿 크기를 조절하기 위한 빔 조절기(60, Iris)와, 빔 조절기(60)에 의해 스폿 크기가 조절된 빔을 다중으로 분리하는 빔 분리기(70, Beam splitter)와, 빔 분리기(70)를 통해 다중으로 분리된 빛이 시료(10)에 조사되도록 광로를 변환하고 시료(10)에 조사된 후 반사되어 나온 빔의 광로를 안내하는 광학계(80)와, 시료(10)에 조사된 빛이 포토마스크(또는 웨이퍼)의 형상정보와 위상 결점 정보에 의해 편광정보가 변화된 반사 빔을 투과시키는 편광자(30)와, 편광자(30)를 통과한 반사 빔의 광량을 2.13㎒의 맥놀이 주파수로 검출하는 검출기(40)와, 검출기(40)에서 검출한 반사 빔의 2.13㎒의 맥놀이 주파수와 제만 레 이저(20)에서 출사된 빔의 기준신호 주파수를 비교 증폭하여, 제만 레이저(20)와 위상 동기화된 신호만 추출하여 시료(10)에서 반사된 레이저의 진폭(Amplitude)과 위상(Phase) 신호를 동시에 측정하는 Lock-in 증폭기(50)와, Lock-in 증폭기(50)를 통해 측정된 레이저의 진폭과 위상 신호를 분석하여 시료(10) 패턴의 CD 균일도 뿐만 아니라 시료(10)의 위상 쉬프트를 유발시키는 모든 위상 결점 정보를 동시에 검사하는 검사부(90)를 포함한다.

제만 레이저(20)는 서로 수직 편광되어 있고 주파수가 2.13㎒ 차이 나는 단파장(약 632㎚)의 2개 빔을 출사하는 레이저 캐비티(21)와, 레이저 캐비티(21)에서 출사된 빔을 전기적 신호로 변환하여 기준신호 주파수를 Lock-in 증폭기(50)에 전달하는 기준주파수 변환부(22)를 포함한다.

빔 분리기(70)는 입사 빔을 2개 이상의 경로로 분할하기 위해 하나 이상의 거울이나 프리즘을 이용하는 광학 소자로, 제만 레이저(20)에서 출사된 레이저 빔을 다중으로 분리한다.

광학계(80)는 빔 조절기(60)에 의해 1차적으로 스폿 크기가 수십 ㎛ 크기까지 줄어든 빔이 빔 분리기(70)를 통해 다중으로 분리된 후 반사되어 시료(10)에 조사되도록 90도 아래로 빔의 방향을 바꾸고, 시료(10)에 조사된 후 반사되어 나온 빔이 다시 반사되어 편광자(30)를 통과하도록 빔의 방향을 바꾸는 프리즘(81)과, 프리즘(81)에서 반사된 빔을 집속하여 시료(10) 면에 레이저 빔의 초점을 맺게 하는 제 1 렌즈(82)와, 시료(10)에서 반사되어 나온 빛이 다시 제 1 렌즈(82)를 통과한 후 프리즘(81)에 의해 반사된 빛을 집광하는 제 2 렌즈(83)를 포함한다.

검사부(90)는 Lock-in 증폭기(50)를 통해 측정된 레이저의 진폭과 위상 신호를 분석하여 시료 패턴 임계치수의 균일도를 검사한다.

이하에서는 도 3, 도 4a 및 도 4b를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 패턴 임계치수의 균일도 검사장치의 동작과정을 설명하도록 한다.

도 3에 도시한 바와 같이 제만 레이저(20)에서 출사된 빔은 빔 조절기(60)에 의해 1차적으로 스폿 크기가 조절되어 스폿 직경이 줄어 들며, 스폿 직경이 줄어든 레이저 빔은 빔 분리기(70)를 통과하면서 도 4a에 도시한 바와 같이 다수개의 빔으로 분리된다.

이 때 제만 레이저(20)에서 출사되는 하나의 레이저 빔을 다중으로 분리하는 과정을 통해 시료(10)에 조사되는 각각의 레이저 빔의 파워는 당연히 줄어들게 된다.즉, 도 4b에서 빔 분리기(70)를 통해 분리된 5개의 빔들 중에서 오른쪽에 위치한 레이저 빔일수록 빔의 파워값이 줄어들게 된다. 이에 대한 신호의 보정(calibration)을 위해 웨이퍼 홀더(미도시)에 레퍼런스 블랙 미러(100, reference black mirror)를 장착하게 된다.

예를 들어 빔 분리기(70)를 통과한 첫번째 출력이 10이고, 두번째 출력이 5라고 가정할 때, 출력이 10인 레이저가 시료(10)에 조사된 후 반사되어 나오는 빛의 변화폭이 1% 변하면 패턴의 변동폭이 1%에 해당한다. 또한 출력이 5인 레이저가 시료(10)에 조사된 후 반사되어 나오는 빛이 변화폭이 a% 변하면 패턴의 변동폭이 a%에 해당한다.

즉, 출력이 10인 레이저가 시료(10)에 조사된 후 검출되는 변화량이 0.1인 경우와 출력이 5인 레이저가 시료(10)에 조사된 후 검출되는 변화량이 0.05인 경우의 전체 패턴의 변화폭은 일정하게 된다.

이 때, 만약 기준 신호로 보정하지 않고 10을 기준으로 한다면 출력값의 차이가 심해지게 되므로 레퍼런스 블랙 미러(100)를 이용하여 빔 분리기(70)를 통해 출력된 기준 빔을 보정한다.

빔 분리기(70)를 통과한 레이저 빔은 프리즘(81)에 의해 반사되어 90도 아래로 방향을 바꾼다. 프리즘(81)에서 반사된 빔은 제 1 렌즈(82)에 의해서 측정하고자 하는 시료(10) 면에 초점을 맺게 된다.

시료(10)에 조사된 후 반사되어 나온 빛은 다시 제 1 렌즈(82)를 통과하고 프리즘(81)에 의해 반사되어 45도로 회전되어 있는 편광자(30)로 입사된다. 이 때 편광자(30)로 입사된 빛은 시료(10)에 조사된 빔이 시료(10)의 형상정보와 위상결함 정보에 의해 편광정보가 변화된 반사 빔으로 편광자(30)를 통과하게 된다.

편광자(30)를 통과한 반사 빔은 2.13㎒의 맥놀이 주파수로 검출기(40a 내지 40e)를 통해 검출되고, 검출기(40a 내지 40e)에서 검출된 신호는 증폭기(42a 내지 42e)를 거쳐 증폭된다. 이후 필터(44a 내지 44e)를 거치면서 제만 레이저(20)의 주파수 대역인 약 2㎒ 대역 이외의 주파수 성분이 제거된 후, 다채널 Lock-in 증폭기(50a)로 입력되어 제만 레이저(20)에서 출사된 기준신호 주파수와 비교 증폭된다.

따라서, 다채널 Lock-in 증폭기(50a)는 제만 레이저(20)와 위상 동기화된 신호만 추출하게 되고, 여기서 시료(10)에서 반사된 레이저의 진폭(Amplitude)과 위 상(Phase) 신호를 동시에 측정할 수 있게 된다.

다채널 Lock-in 증폭기(50a)에서 측정된 레이저의 진폭과 위상 신호는 검사부(90)로 입력되고, 검사부(90)에서는 레이저의 진폭과 위상 분석을 통해 레이저 파장 이하의 미세 형상과 시료(10)에 발생할 수 있는 예상치 않는 위상 결점 정보를 고속, 고정밀로 검사하게 된다.

또한, 검사부(90)는 시간에 따른 레이저 기준 빔의 진폭과 위상 변화량을 실시간으로 모니터링하여 시스템의 검사 안정도를 보상하도록 한다.

도 1은 종래 전자현미경(CD-SEM)을 이용한 패턴 임계치수의 균일도 검사방법을 도시한 흐름도이다.

도 2는 본 발명에 이용되는 헤테로다인 편광측정기의 기본 원리를 설명하기 위한 도면이다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 패턴 임계치수의 균일도 검사장치의 개념도이다.

도 4a는 본 발명에 이용되는 다중 레이저 빔 광학계의 구성도이고, 도 4b는 도 4a의 광학계 이용시 레이저의 경로를 나타낸 도면이다.

*도면의 주요부분에 대한 부호 설명*

10 : 시료 20 : 제만 레이저(Zeeman laser)

30 : 편광자 40 : 검출기

50 : Lock-in 증폭기 60 : 빔 조절기

70 : 빔 분리기 80 : 광학계

81 : 프리즘 82, 83 : 제 1 및 제 2 렌즈

90 : 검사부

100 : 레퍼런스 블랙 미러(reference black mirror)

Claims (6)

1. 단파장의 레이저 빔을 출사하는 광원;

   상기 광원으로부터 출사된 레이저 빔을 다중으로 분리하는 빔 분리기;

   상기 빔 분리기를 통해 분리된 빔이 주기적인 패턴을 갖는 시료에 조사된 후 반사될 때 상기 반사 빔의 주파수를 검출하는 검출기;

   상기 검출기에서 검출한 반사 빔의 주파수와 상기 광원에서 출사된 기준 빔의 주파수를 비교하여 상기 시료에서 반사된 레이저의 진폭과 위상 신호를 측정하는 증폭기;

   상기 증폭기를 통해 측정된 레이저의 진폭과 위상 신호를 분석하여 상기 시료 패턴 임계치수의 균일도를 검사하는 검사부를 포함하는 패턴 임계치수의 균일도 검사장치
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 광원은 서로 수직 편광되어 있고, 주파수가 2.13㎒ 차이 나는 2개의 레이저 빔을 출사하는 제만 레이저인 패턴 임계치수의 균일도 검사장치
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 검출기는 상기 시료에 조사된 후 반사되는 빔을 2.13㎒의 맥놀이 주파수로 검출하는 패턴 임계치수의 균일도 검사장치
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 증폭기는 상기 검출기에서 검출한 2.13㎒의 맥놀이 주파수를 이용하여 상기 제만 레이저와 위상 동기화된 신호만을 추출하여 레이저의 진폭과 위상 신호를 측정하는 패턴 임계치수의 균일도 검사장치
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 광원에서 출사된 레이저 빔의 스폿 크기를 조절하는 빔 조절기;

   상기 빔 조절기에 의해 스폿 크기가 조절된 빔이 상기 빔 분리기를 통과한 후 상기 시료에 조사되도록 광로를 변환하고 상기 시료에 조사된 후 반사되어 나온 빔의 광로를 안내하는 광학계;

   상기 시료에 조사된 후 상기 시료의 형상정보와 위상 결점 정보에 의해 편광정보가 변화된 반사 빔을 투과시켜 상기 검출기에 입사하는 편광자를 더 포함하는 패턴 임계치수의 균일도 검사장치
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 빔 분리기를 통해 출력된 기준 빔의 보정을 위한 레퍼런스 블랙 미러(reference black mirror)를 더 포함하는 패턴 임계치수의 균일도 검사장치

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