KR20090038593A - 방사선전지의 전하량 증가방법과 이를 이용한 고효율 구조베타전지 - Google Patents

Abstract

본 발명은 방사선전지의 전하량 증가방법과 이를 이용한 고효율 구조 베타전지에 관한것으로, 그 목적은 기존 전지에 비해 구조를 개선함으로서 높은 효율의 안정적인 장수명의 방사선전지의 구현을 제공함에 있다.

본 발명은 실리콘 웨이퍼의 표면에 고효율 구조의 횡방향으로 구성된 미세간격의 빗살(Comb)형 pn접합 다이오드와 다이오드 전체 표면에 전지의 안정성을 향상시킨 절연체를 위치시키고, 절연체 위에 pn 접합 다이오드 상부에 해당하는 면적에 ⁶³Ni 등의 방사성 동위원소를 배치하도록 하여 동위원소층에서 발생된 방사선의 비준거리가 절연체와 하부의 pn접합 다이오드의 공핍층과 근사시킴으로서 방출 방사선에 의해 다이오드 내부에서 생성된 전하를 충분히 활용한 고효율의 방사선 전지를 구현한 것이다. 동위원소는 ⁶³Ni외에 ³H 등의 저에너지 베타선을 발생시키는 원소를 사용할 수 있게 하고, pn 층의 형성 방법에 있어 미세 간격의 빗살(Comb)형을 유지하며, 이 pn 층을 실리콘 웨이퍼 전후면에 이중으로 형성시킴으로서 방사선에 의한 전하의 생성을 최대화하기 위한 구조를 특징으로 한다.

방사선 동위원소, 베타선, 방사선 전지, 다이오드, pn 접합, 공핍층

Description

방사선전지의 전하량 증가방법과 이를 이용한 고효율 구조 베타전지{A Method for Power Increase in a Nuclear-Cell and A High Efficiency Beta-Cell Using It}

본 발명은 방사선전지의 전하량 증가방법과 이를 이용한 고효율 구조 베타전지에 관한 것으로, 자세하게는 동위원소의 방사선을 이용해 장시간 전류를 발생시킬 수 있는 방법 및 그 배터리구조에 관한 것이다.

동위원소는 방사선을 발생시키는데 이 방사선량이 반도체 소자 내에서 전하를 생성시키며 이 생성전하를 전력으로 사용하는 전지에 관한 연구가 미국 등에서 최근 많은 활용 연구가 이루어지고 있으며, 이러한 동위원소 방사선 전지는 그 수명이 수십-수백년에 이르는 큰 장점이 있다(도 2 참조).

그러나 생성 전력이 작다는 단점으로 인해 이를 개선하기 위한 많은 연구가 뒤따르고 있는데, 그 일환으로 최근 미국에서는 트랜치(Trench) 구조를 이용하여 생성 전력을 증가시키고자 하는 연구가 시도되었다(도 3 참조).

또한 기존 국내 특허인 등록특허 10-0592478에서는 핀 다이오드를 이용한 초 소형 동위원소 전지에서는 진성반도체인 실리콘으로 pn접합의 사이에 진성반도체kr 존재하도록 웨이퍼의 전체면에 pin 다이오드 구조를 형성시킨 후 다이오드 표면에 직접 ⁶³Ni을 접촉시켜 동위원소 배터리를 구현하도록 하였다(도 4 참조).

종래 방사선량이 반도체 소자 내에서 전하를 생성시켜 생성된 전하를 전력으로 사용하는 전지 구조 중 트랜치 구조는 소자제조에 많은 공정이 필요할 뿐 아니라 동위원소의 비준거리를 p형 또는 n형 불순물이 먼저 가로막게 되어 방사선량에 의한 효과를 현저히 감소시킨다는 문제점이 있고,

또한 핀 다이오드를 이용한 초소형 동위원소 전지는 공핍층에서 발생되는 전계가 낮아 전자-정공 쌍의 이동에너지가 낮을 뿐 아니라, 다이오드 pin 표면에 ⁶³Ni을 직접 접촉시킬 경우 ⁶³Ni을 통해 전류경로가 형성되어 pin은 다이오드가 아닌 일반 전극으로 형성되어 배터리로써 작동이 어려워질 수 있다는 문제점이 있다.

또한 pin 접합소자의 경우 진성실리콘 영역으로 공핍층이 넓게 형성되기는 하나 공핍층의 길이가 p형과 n형의 접합경계면에서 멀어질수록 전계ε 값의 감소가 급격히 저하되어 전자-정공 쌍의 에너지 전달이 약하게 되고 이로 인해 전류의 감소가 발생되게 된다는 구조적인 문제점이 있다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 기존 방사선전지의 구조적 문제를 개선하여 높은 효율의 안정적인 장수명의 방사선전지가 되도록 한 방사선전지의 전하량 증가방법과 이를 이용한 고효율 구조 베타전지를 제공하는 데 있다.

구체적인 본 발명의 목적은 실리콘 웨이퍼의 표면에 고효율 미세 구조의 횡방향 pn접합 다이오드와 다이오드 표면에 전지의 안정성을 향상시킨 절연체를 위치시키고, 절연체 위에 ⁶³Ni 등의 방사성 동위원소를 배치하도록 하여 동위원소층에서 발생된 방사선의 비준거리가 절연체와 하부의 pn접합 다이오드의 공핍층과 근사시킴으로서 방출 방사선에 의해 다이오드 내부에서 생성된 전하를 충분히 활용한 방사선전지의 전하량 증가방법과 이를 이용한 고효율 구조 베타전지를 제공하는 데 있다.

상기한 바와 같은 목적을 달성하고 종래의 결점을 제거하기 위한 과제를 수행하는 본 발명은 방사성 동위원소에서 발생되는 베타선을 반도체에 조사하여 전하를 생성하는 베타전지의 전하생성방법에 있어서,

실리콘 기판에 형성되는 p형 불순물과 n형 불순물로 이루어진 pn접합을 실리콘 기판 일측 또는 양측면 표면으로부터 내부쪽에 공핍층의 면적이 넓게 분포되도록 횡방향으로 복수개가 연속배열되고 동일 불순물간의 일측 끝단이 연결되어 빗살(Comb)구조로 형성시키고, 횡방향으로 형성된 pn접합의 표면 상부 전체 면적에 절연물층을 형성한 후, 그 상부에 pn 접합 영역에 해당하는 면적으로 방사선량을 발생하는 동위원소층을 형성시키되, pn접합의 깊이와 절연물층 두께의 합은 동위원소층으로부터 방출되는 방사선의 비준거리에 해당하도록 형성함으로써 횡방향으로 형성된 pn접합 다이오드의 공핍층 하부까지 방사선이 도달되어 전계ε 값의 감소 없이 전하 발생량을 증가시키는 방법을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법을 제공함으로써 달성된다.

또한 본 발명은 방사성 동위원소에서 발생되는 베타선을 반도체에 조사하여 전하를 생성하는 베타전지에 있어서,

실리콘 기판(Substrate)과;

실리콘 기판(Substrate)의 일측 또는 양측면 표면으로부터 내부쪽에 횡방향으로 형성된 p형 불순물과 n형 불순물로 pn접합을 형성하되, 공핍층의 면적이 넓게 분포되도록 복수개로 연속배열하고 동일 불순물간의 일측 끝단이 연결되어 빗살(Comb)구조로 형성된 pn접합다이오드와;

횡방향으로 형성된 pn접합 다이오드의 표면 상부 전체 면적에 형성된 절연물층과;

절연물층 상부에 pn 접합다이오드 영역에 해당하는 면적으로 방사선량을 발생하는 동위원소로 이루어진 동위원소층과;

상기 p형 불순물과 n형 불순물의 일측 끝단에 형성되어 금속전극과 접촉되도록 각각의 동일 불순물로 이루어진 패드부와;

패드부 일측단의 방사선물질이 도포되지 않은 부분에 형성하여 금속전극이 증착되도록 형성된 개구부와;

2개의 개구부에 각각 서로 다른 극성을 가지게 형성된 금속전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법을 이용한 고효율 구조 베타전지를 제공함으로써 달성된다.

본 발명은 실리콘 웨이퍼를 기판으로 하여 pn접합 다이오드를 웨이퍼의 표면에 횡방향으로 형성시키되 불순물 주입 깊이를 ⁶³Ni의 비준거리와 유사하게 형성하고, 형성된 pn접합 상부에 절연체를 도포하고 그 상부에 ⁶³Ni을 증착 또는 배치하여 ⁶³Ni에서 발생되는 비준거리를 pn접합부의 공핍층에서 충분히 포함되도록 하여 공핍층에서 발생되는 전자-정공 쌍의 이동에너지 손실 없이 p형과 n형으로 도달시켜 전류의 양을 증가시킬 수 있는 구조로 제조할 수 있다는 장점을 가진 유용한 발명으로 산업상 그 이용이 크게 기대되는 발명인 것이다.

본 발명은 전력 생성을 최대화하기 위한 구조로서 pn접합을 웨이퍼의 표면에 횡방향으로 형성시킴으로써, 도달 방사선의 범위가 pn접합 다이오드의 공핍층과 유사하도록 설계하였고, 이 방법을 통해 강 전계가 형성된 pn접합의 공핍층 영역에서 방사선에 의해 생성 전하를 최대한 포집할 수 있는 구조를 이루도록 하였다.

또한 pn접합 다이오드의 역할이 정상적으로 이루어지도록 pn접합 다이오드 표면에 절연체를 형성시킨 후 절연체 상부에 ⁶³Ni을 접촉시켜 전지의 안정적인 성능이 구현될 수 있도록 동위원소 배터리를 설계하였다.

또한 설계된 방사선 동위원소 배터리에서 발생되는 방사선이 외부로 유출되지 않도록 방사선원 ⁶³Ni의 외곽에 절연체를 방사선량보다 두껍게 형성하도록 하여 안정적이고 특성이 향상된 동위원소 배터리를 설계하였다.

이하 본 발명의 실시 예인 구성과 그 작용을 첨부도면에 연계시켜 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명 베타전지의 기본구조 단면도이고, 도 5는 본 발명 베타전지의 빗살(Comb) 형태 구조 단면도이고, 도 6은 발명 베타전지의 N, P 패턴층 입체 구조도이고, 도 7은 발명 베타전지의 측면 구조도이고, 도 8은 발명 베타전지의 평면 구조도이고, 도 9는 본 발명에 따른 양면 p-n 빗살(Comb) 형태의 고효율 베타전지의 구조도를 도시하고 있다.

먼저 도 1에 도시된 바에 따라 본 발명의 구성을 설명하면, 실리콘 기판(Substrate, 3)에 p형 불순물(1)과 n형 불순물(2)로 pn접합을 실리콘 기판 일측면 표면으로부터 내부쪽에 횡방향으로 형성시키고, 횡방향으로 형성된 pn접합의 표면상부 전체 면적에 절연물층(5)을 성장 또는 증착시킨 후, 그 상부에 pn 접합 영역에 해당하는 면적으로 방사선량을 발생하는 동위원소층(⁶³Ni)(4)을 형성시킨다.

상기에서 pn접합의 깊이와 절연물층(5)의 두께는 동위원소(⁶³Ni) 방출 방사선의 비준거리(6)에 해당하도록 설계되어야 한다.

또한 동위원소층(⁶³Ni)(4)의 상부에는 방사선이 외부로 유출되지 않도록 ⁶³Ni에서 발생되는 방사선량의 비준거리 보다 두꺼운 절연체 막(도 7참조)을 증착시켜 구성한다.

또한 본 발명의 구조는 도 5에 도시된 바와 같이 도 1의 실리콘 기판(Substrate, 3) 표면내부에 형성되는 pn접합 다이오드의 모양을 빗살(Comb)구조를 갖도록 설계되는 것이 바람직하다.

이때 p형 불순물(1)과 n형 불순물(2)간의 접합이 대칭 또는 비대칭으로 형성되도록 하되 공핍층의 면적이 넓게 분포되도록 구성하여 진성실리콘 영역이 없어야 한다. 즉, 빗살무늬 구조를 가지게 함으로써 공핍층이 반도체 표면 전체에 걸쳐 최대한 넓은 면적을 차지하게 분포시킬 수 있다. 종래의 수직 PN접합 구조 또는 단일 PN접합 구조로는 이러한 공핍층의 면적을 넓게 할 수 없다.

또한 도 6에 도시된 바와 같이 외부로 전류가 감지되어야 할 전극의 접촉이 이루어질 p형 불순물(1)과 n형 불순물(2)의 끝단에는 넓은 면적이 있는 패드부(7)가 형성되도록 설계되어야 한다. 특히 이때 패드부와 빗살구조의 간격은 최소한 짧게 형성되어야 한다. 여기서 간격이라는 것은 p-n 각 라인 자체의 간격 및 패드부 와 마지막 p, n 라인간의 간격을 모두 말한다. 간격의 최소기준은 좁게 라인 패터닝을 할 수록 유리하다.

또한 도 7에 도시된 바와 같이 상기 빗살(Comb)구조를 가진 pn접합 다이오드의 상부에는 패드부(7)의 일부를 제외한 pn접합 다이오드 전면에 절연체가 증착되는 구조를 갖도록 설계되는 것이 바람직하다. 이때 절연체는 SiO₂ 및 SiN등의 절연체를 사례로 들 수 있다. 이 때 절연체의 두께는 ⁶³Ni의 방사선 비준거리보다 짧은 두께를 갖도록 형성시켜 최소한 방사선량의 가장 끝부분이 pn접합의 공핍층에 닿도록 설계하되, 더욱 바람직한 설계는 절연체와 pn접합 다이오드의 공핍층의 깊이를 포함한 모든 거리가 ⁶³Ni의 비준거리에 해당하도록 설계되는 것이 바람직하다. 이 때 외부 전극과 p형 및 n형의 불순물 주입부가 만나는 패드부(7)의 일부는 개구부(8)가 형성되도록 제조 및 설계되는 것이 바람직하다.

상기 배터리 구조를 갖도록 하는 방사선원의 종류는 ⁶³Ni을 대표로 할 수 있으나 ³H, He 등의 여러 종류를 제시할 수 있다. 특히 본 발명에서는 ⁶³Ni을 일례로 지목하나 이는 다른 여러 종류의 방사선 동위원소로 대치할 수 있다. 이 때 ⁶³Ni은 호일(Foil) 형태의 것도 있으나 바람직한 방사선 동위원소층의 형성방법은 스퍼터링 또는 기상증착법(evaporation)등을 지목할 수 있다. 이는 절연체와 접촉되는 표면에서 발생될 수 있는 간극을 최소한 줄여 방사선량의 비준거리에 손실이 없도록 하기 위함이다.

또한 ⁶³Ni은 빗살(Comb) 구조를 가진 pn접합 다이오드 상부에 형성시키되 pn접합 다이오드의 면적보다 크도록 형성시키고, 특히 pn접합 다이오드 면적의 외곽부분에 형성된 공핍층보다 더 크게 형성되어야 한다. 또한 이때 pn 접합이 전극과 접촉되기 위한 패드부(7)에는 ⁶³Ni이 형성되어서는 안 될 것이다. 이는 ⁶³Ni과 금속전극(9)과 접촉시 소자의 단락(short)이 발생되기 때문이다.

상기 ⁶³Ni의 배터리 상단에는 방사선량의 외부 유출을 방지하기 위해 절연체를 증착하는 것이 바람직하다. 이 때 절연체의 종류는 SiO₂ 나 SiN을 동일하게 사용해도 된다. 절연체의 두께는 ⁶³Ni등의 방사선 동위원소가 발생시키는 방사선 비준거리보다 두꺼워야 한다. 이 때 절연체는 ⁶³Ni을 모두 덮도록 형성시키되, p형과 n형의 전극이 증착될 패드부(7)에는 개구부(8)가 되도록 형성되어야 한다. 또한 패드부(7)를 제외한 모든 소자와 ⁶³Ni 동위원소의 상부에는 절연체가 형성되어야 한다.

상기 ⁶³Ni을 이용한 동위원소 배터리의 절연체를 제외한 p형과 n형의 전극이 접촉될 패드부(7)는 개구부(8)로 형성되어 있어 금속전극(9)이 증착되어야 한다. 이 때 금속의 종류는 Al, Ti, Ni, Sn 등의 것을 사용할 수 있다. 이 때 전극은 p형과 n형에 각각 분리되도록 형성시키되 개구형성된 패드의 면적보다 넓게 제조되어 p형과 n형의 개구부(8)가 잔존되지 않도록 제조 및 설계되는 것이 바람직하다. 또 한 p형과 n형 의 패드에 형성된 패턴된 금속은 서로 접촉되지 않아야 한다.(도 7, 8참조)

상기 p형과 n형과 접촉된 금속상단에는 소자의 보호를 위해 절연체를 추가로 증착시킬 수 있다. 이 때 절연체의 두께는 금속전극(9)의 표면 일부를 보호하기 위한 것으로 1㎛이상이 되도록 설계하는 것이 바람직하다.

또한 본 발명은 도 9에 도시된 바와 같이 pn구조의 변형으로 실리콘 웨이퍼 전후면에 pn 접합을 이중으로 형성시킴으로서 웨이퍼 양면에서 동시에 방사능 방출 및 포집 가능한 구조를 형성시킴으로서 방사선에 의한 전하의 생성을 최대화하기 위한 구조도 가능하다. 즉, 상하 동일한 구조를 가지고, 이 두 부분사이는 직렬연결(도시없음)되어 전력이 증가되는 구조이다.

본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.

도 1은 본 발명 베타전지의 기본구조 단면도이고,

도 2는 기존의 베타전지 구조 단면도이고,

도 3은 미국 감도개선 베타전지 구조 단면도이고,

도 4는 기존 국내특허의 구조적 문제점 설명도이고,

도 5는 본 발명 베타전지의 빗살(Comb) 형태 구조 단면도이고,

도 6은 발명 베타전지의 N, P 패턴층 입체 구조도이고,

도 7은 발명 베타전지의 측면 구조도이고,

도 8은 발명 베타전지의 평면 구조도이고,

도 9는 본 발명에 따른 양면 p-n 빗살(Comb)구조 형태의 고효율 베타전지의 구조도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

(1) : p형 불순물 (2) : n형 불순물

(3) : 실리콘 웨이퍼 기판(Substrate) (4) : 동위원소층

(5) : 절연물층

(6) : 동위원소 방출 방사선의 비준거리

(7) : 패드부 (8) : 개구부

(9) : 금속전극 (12) : PN접합다이오드

Claims (16)

1. 방사성 동위원소에서 발생되는 베타선을 반도체에 조사하여 전하를 생성하는 베타전지의 전하생성방법에 있어서,

   실리콘 기판에 형성되는 p형 불순물과 n형 불순물로 이루어진 pn접합을 실리콘 기판 일측 또는 양측면 표면으로부터 내부쪽에 공핍층의 면적이 넓게 분포되도록 횡방향으로 복수개가 연속배열되고 동일 불순물간의 일측 끝단이 연결되어 빗살(Comb)구조로 형성시키고, 횡방향으로 형성된 pn접합의 표면 상부 전체 면적에 절연물층을 형성한 후, 그 상부에 pn 접합 영역에 해당하는 면적으로 방사선량을 발생하는 동위원소층을 형성시키되, pn접합의 깊이와 절연물층 두께의 합은 동위원소층으로부터 방출되는 방사선의 비준거리에 해당하도록 형성함으로써 횡방향으로 형성된 pn접합 다이오드의 공핍층 하부까지 방사선이 도달되어 전계ε 값의 감소 없이 전하 발생량을 증가시키는 방법을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 동위원소층은 ⁶³Ni, ³H, He 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 동위원소층의 형성은 호일(Foil) 접착에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 동위원소층의 형성은 스퍼터링 또는 기상증착법(evaporation)에 의해서 성장 또는 증착되어 절연물층과의 간격을 최소화시킨 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 p형 불순물과 n형 불순물로 이루어진 pn접합은 대칭 또는 비대칭으로 형성한 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법.
6. 방사성 동위원소에서 발생되는 베타선을 반도체에 조사하여 전하를 생성하는 베타전지에 있어서,

   실리콘 기판(Substrate, 3)과;

   실리콘 기판(Substrate, 3)의 일측 또는 양측면 표면으로부터 내부쪽에 횡방향으로 형성된 p형 불순물(1)과 n형 불순물(2)로 pn접합을 형성하되, 공핍층의 면적이 넓게 분포되도록 복수개로 연속배열하고 동일 불순물간의 일측 끝단이 연결되어 빗살(Comb)구조로 형성된 pn접합다이오드(12)와;

   횡방향으로 형성된 pn접합 다이오드(12)의 표면 상부 전체 면적에 형성된 절연물층(5)과;

   절연물층(5) 상부에 pn 접합다이오드(12) 영역에 해당하는 면적으로 방사선량을 발생하는 동위원소로 이루어진 동위원소층(4)과;

   상기 p형 불순물(1)과 n형 불순물(2)의 일측 끝단에 형성되어 금속전극과 접촉되도록 각각의 동일 불순물로 이루어진 패드부(7)와;

   패드부(7) 일측단의 방사선물질이 도포되지 않은 부분에 형성하여 금속전극이 증착되도록 형성된 개구부(8)와;

   2개의 개구부(8)에 각각 서로 다른 극성을 가지게 형성된 금속전극(9)으로 구성된 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법을 이용한 고효율 구조 베타전지.
7. 제 6항에 있어서,

   상기 pn접합다이오드(12)의 깊이와 절연물층(5)의 두께는 동위원소(⁶³Ni) 방 출 방사선의 비준거리(6)에 해당하도록 형성한 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법을 이용한 고효율 구조 베타전지.
8. 제 6항에 있어서,

   상기 절연물층(5)은 동위원소층(4)의 방사선이 외부로 유출되지 않도록 방사선물질에서 발생되는 방사선량의 비준거리 보다 두껍게, 패드부(7)의 일부를 제외한 형태로 동위원소층(4)을 덮어 형성한 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법을 이용한 고효율 구조 베타전지.
9. 제 6항에 있어서,

   상기 패드부는 타 불순물 또는 불순물이 복수개 배열된 빗살구조의 타 불순물과 최소한 짧게 형성된 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법을 이용한 고효율 구조 베타전지.
10. 제 6항에 있어서,

    상기 p형 불순물(1)과 n형 불순물(2)간의 접합이 대칭 또는 비대칭으로 형성된 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법을 이용한 고효율 구조 베타 전지.
11. 제 6항에 있어서,

    상기 절연물층(5)은 SiO₂ 또는 SiN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법을 이용한 고효율 구조 베타전지.
12. 제 6항에 있어서,

    상기 동위원소층(4)은 ⁶³Ni, ³H, He 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법을 이용한 고효율 구조 베타전지.
13. 제 6항에 있어서,

    상기 금속전극(9)을 구성하는 금속의 종류는 Al, Ti, Ni, Sn 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법을 이용한 고효율 구조 베타전지.
14. 제 6항에 있어서,

    상기 금속전극(9)은 개구부(8)가 형성된 패드부(7)의 면적보다 넓게 증착하여 p형불순물과 n형불순물의 개구부(8)가 잔존되지 않도록 증착한 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법을 이용한 고효율 구조 베타전지.
15. 제 5항에 있어서,

    상기 동위원소층의 형성은 호일(Foil) 접착에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법을 이용한 고효율 구조 베타전지.
16. 제 6항에 있어서,

    상기 동위원소층의 형성은 스퍼터링 또는 기상증착법(evaporation)에 의해서 성장 또는 증착되어 절연물층과의 간격을 최소화시킨 것을 특징으로 하는 방사선전지의 전하량 증가방법을 이용한 고효율 구조 베타전지.

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