KR20090034571A - 감광성 물질의 코팅을 이용한 폴리머 어레이의 제조 방법 - Google Patents

감광성 물질의 코팅을 이용한 폴리머 어레이의 제조 방법 Download PDF

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KR20090034571A
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Abstract

본 발명은 광 분해성 보호기 (photolabile protecting group) 함유 모노머를 기판 표면에 반응시켜 상기 모노머를 기판에 고정시킨 후, 상기 모노머가 고정된 기판 표면에 감광성 물질(photosensitizer)을 코팅 물질과 함께 코팅하고 노광을 통해 광화학 반응을 수행하는 포토리쏘그래피 방식에 의한 폴리머 어레이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 별도의 노광 장비 제작이나 화합물 합성 없이 기존의 반도체 장비와 화합물을 그대로 이용하여도, 적은 노광 에너지(짧은 시간)로서 효과적으로 포토리쏘그래피에 의한 폴리머 어레이를 제작할 수 있다.
감광성 물질, 코팅, 광 분해성 보호기, 폴리머 어레이

Description

감광성 물질의 코팅을 이용한 폴리머 어레이의 제조 방법{Method for preparing polymer array by employing coating of photosensitizer}
본 발명은 감광성 물질(photosensitizer)의 코팅을 이용한 폴리머 어레이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 분해성 보호기 함유 모노머를 기판 표면에 반응시킨 후, 감광성 물질을 코팅 물질을 이용해 코팅하고 노광을 통해 광화학 반응을 수행하는 포토리쏘그래피 방식에 의한 폴리머 어레이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 들어, DNA칩은 유전병 및 암의 진단, 돌연변이의 탐색, 병원균의 검출, 유전자 발현 분석, 신약 개발 등 폭넓은 분야에서 중요한 역할을 하고 있다. DNA칩이란 1평방 인치 미만의 작은 면적의 고체 기판 표면에 염기서열이 알려진 작게는 수 개, 크게는 수백 개의 염기 크기의 올리고뉴클레오티드 (oligonucleotide) 프로브(probe)를 수백 내지 수십만 개의 정해진 위치에 부착시켜 미세집적(microarray)시킨 것을 통칭한다. 이러한 DNA칩에 분석하고자 하는 표적 DNA(target DNA) 단편을 결합시키면, DNA칩에 부착되어 있는 프로브들과 표적 DNA 단편상의 염기서열의 상보적인 정도에 따라 각기 다른 혼성화 결합(hybridization) 상태를 이루게 되는 데, 이를 광학적인 방법 등을 통해 관찰 해석함으로써 표적 DNA의 염기서열을 분석할 수 있다.
DNA 칩은 크게 제작방법에 따라 포토리쏘그래피 칩과 스폿팅 칩으로 분류하기도 한다. 포토리쏘그래피 칩은 도1에서 보는 바와 같이 제조된다. 즉, 5'-말단이 UV 에 불안정한 (labile) 물질로 보호된 N-아실-디옥시뉴클레오시드-3'-포스포아미다이트 (N-acyl-deoxynucleoside-3'-phosphoramidites)로 칩 표면을 수식한 후, 특정 부분만을 UV로 쪼이면 그 부분의 광 분해성(photolabile) 물질은 분해되어 반응성이 있는 히드록시 기로 변하게 되고, 여기에 5'-말단이 광 분해성 물질로 보호된 뉴클레오티드를 반응시키는데, 이 과정을 반복적으로 수행하게 되면 원하는 염기서열을 갖는 프로브가 칩 표면에 합성된다. 도 1을 참조하면, 먼저 5＇-OH은 광분해성 물질 X로, 3＇-OH는 포스포아미다이트로 활성화된 모노머 1이 기판 상에 OH를 통하여 고정화된다. 여기에 마스크 1(M1)를 덮고 노광 (hv)하여 상기 모노머 1 중에서 선택적 부분만을 노광하여 상기 광분해성 물질 X를 절단한다. 다음으로, 마스크 1 (M1)를 제거하여, 여기에 활성화된 모노머 2, T-X를 반응시켜 선택적으로 노광된 부분의 모노머 1에 T-X를 연결시킨다. 여기에 다시 마스크 2를 덮고 노광시켜 선택적 영역만을 노광시킨다. 마스크 2를 제거하고, 선택적으로 노광된 부분에 모노머 3, C-X를 반응시켜, 모노머 1에 C-X를 연결시킨다. 이러한 과정을 반복함으로써, 다양한 서열을 가진 프로브를 기판 상에 합성할 수 있다.
상술한 포토리쏘그래피를 이용한 DNA칩 제작에서 에러율을 낮추고 제작 시간 단축을 위해서는, 광 분해성 보호기(photolabile protecting group)가 높은 수율로 서 적절한 시간(에너지)에 제거되어야만 한다. 광화학 반응 이론에 의하면, 이를 구현하기 위해선 광 분해성 보호기의 ε(특정 파장에서의 흡광계수) x φ(광화학 반응의 quantum yield) 값이 높아야 한다. 즉, 최대한 많은 빛을 흡수하거나 활성화된 광 분해성 보호기의 반응성이 우수해야 한다.
광 분해성 보호기의 광 반응 효율을 증가시키기 위하여, 감광성 물질(photosensitizer)를 이용한 예가 알려져 있다. 국제공개 특허(WO2004/089529)에는 광 분해성 보호기와 감광성 물질을 공유 결합으로 연결시킨 신규의 화학물질을 개시하고 있다. 또한, 미국 공개특허(US2005/0255403)에는 광 분해성 보호기와 감광성 물질의 용액상 접촉을 통한 광 반응 방법에 대해 나와 있으나, 액상을 통해 접촉을 유도하므로 액상을 유지할 수 있는 별도의 노광기가 필요하고 스폿(spot)의 피치 사이즈를 줄이는데 한계가 있다.
본 발명의 발명자들은 기존의 반도체 장비 및 합성 모노머를 그대로 이용하면서도 광 반응의 효율을 증대시키고자 노력한 결과, 광 분해성 보호기 함유 모노머를 기판 표면에 반응시킨 후, 감광성 물질을 코팅 물질을 이용해 코팅하고 하나의 파장을 이용한 노광을 통해 광화학 반응을 진행하면, 낮은 에너지에서 광분해성 보호기가 제거되는 것을 확인하고, 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명의 목적은 감광성 물질의 코팅을 이용한 폴리머 어레이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 감광성 물질의 코팅을 이용하여 광 분해성 보호기 함유 분자로부터 광 분해성 보호기를 절단하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 단계들을 포함하는 폴리머 어레이의 제조방법을 제공한다:
(i) 광 분해성 보호기 함유 모노머를 기판 표면에 반응시켜 상기 모노머를 기판에 고정화시키는 단계;
(ii) 상기 모노머가 고정화된 기판 표면을 감광성 물질과 코팅 물질을 함유한 용액으로 코팅시키는 단계;
(iii) 상기 감광성 물질과 코팅물질로 코팅된 기판 표면 상의 특정 부위에 선택적으로 전자기 조사 (electromagnetic irradiation)하여 상기 광분해성 보호기를 상기 모노머로부터 절단시키는 단계;
(iv) 상기 감광성 물질과 코팅 물질을 제거하여 상기 (III) 단계 전자기 조사에 의하여 광분해성 보호기가 절단된 모노머를 노출시키는 단계;
(v) 상기 노출된 광 분해성 보호기가 절단된 모노머와, 광 분해성 보호기 함유 모노머를 반응시켜 연결시키는 단계; 및,
(vi) (ii)~ (v) 단계를 반복한다.
본 발명은 광분해성 보호기 함유 모노머를 기판 표면에 반응시켜 상기 모노머를 기판에 고정화시키는 단계를 포함한다. 상기 모노머는 합성하고자 하는 폴리머가 핵산, PNA 및 펩티드인지에 따라 달라질 수 있다. 예를 들면, 상기 모노머는 뉴클레오티드 또는 뉴클레오시드, 아미노산이 될 수 있다. 광분해성 보호기는 상기 뉴클레오시드의 5＇0H 또는 3＇0H에 수식될 수 있다. 또한, 상기 보호기는 아미노산의 N 말단 또는 카로복실 말단에 수식될 수 있다. 이러한 수식되는 위치는 핵산을 5＇-> 3＇또는 3＇-> 5＇방향으로 합성할 것인지에 따라 달라진다. 모노머가 기판에 고정화되는 부분은 상기 보호기 수식된 부분과 다른 부분으로써, 예를 들면, 뉴클레오시드의 5＇OH에 수식되어 있는 경우, 3＇OH를 통하여, 또는 포스포아미다이트와 같은 물질을 수식시키고 그를 통하여 기판에 고정화될 수 있다. 이때 기판은 상기 보호기 함유 모노머와 반응하여 모노머를 고정화시킬 수 있도록 반응성기로 그 표면이 활성화되어 있는 것일 수 있다. 예를 들면,표면이 GAPTES와 같은 물질로 코팅되어, 표면이 아미노기로 활성화되어 있는 것일 수 있다.
상기 광분해성 보호기는 광 분해성 보호기가 MeNPOC(2-(3,4-메틸렌디옥시-2-니트로페닐)옥시카르보닐), NPPOC(2-(2-니트로페닐)프로필옥시카르보닐), NPES(2-(2-니트로페닐)에틸술포닐), NPPS(2-(2-니트로페닐)프로필술포닐), MeNPPOC(2-(3,4-메틸렌디옥시-2-니트로페닐)프로필옥시카르보닐), PhNPPOC(2-(5-페닐-2-니트로페닐)-프로필옥시카르보닐), DMBOC(디메톡시벤조이닐옥시카르보닐), 또는 DMT(디 메틸트리틸)일 수 있으나 이들 예에 한정되는 것은 아니다.
본 발명은 또한, 상기 모노머가 고정화된 기판 표면을 감광성 물질과 코팅 물질을 함유한 용액으로 코팅시키는 단계를 포함한다.
상기 감광성 물질 (photosensitizer)이란 전자기파 (electromagnetic radiation)를 흡수하여 이를 트리플릿-트리플릿 전이 (triplet-triplet transition)에 의해 다른 물질 (본 발명에서는 광분해성 보호기)로 전달할 수 있는 물질을 의미한다. 또한, 상기 "코팅 물질"은 상기 감광성 물질을 기판에 코팅시킬 수 있도록 접착력을 가진 물질을 의미한다.
상기 감광성 물질 (photosensitizer)에는, 아크리돈 (acridone), 10-메틸-9-아크리디논 (10-methyl-9-acridinone), 크산톤 (xanthone), 티오크산톤 (thioxanthone), 벤조페논 (benzophenone) 및 2-아세틸-나프탈렌 (2-acetyl-naphthalene)로 구성된 그룹으로부터 선택되는 1종 이상이 포함되나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다. 상기 코팅 물질은 감광성 물질로부터 광 분해성 보호기로의 에너지 전달에 방해를 주지 않는 것이면 어느 것이나 가능하다. 특히, 330~380nm의 전자기파를 사용하는 경우에는 사이클릭 올레핀과 아크릴레이트의 공중합체로 만들어진 수지 등이 가능하다.
상기 사이클릭 올레핀은, 하기 식 1로 표시도는 화합물일 수 있다.
Figure 112007071373844-PAT00001
(식 1)
식 중 n은 0 또는 1이고, m은 0 또는 1이고, R은 수소 또는 할로겐 원자, C1-C20의 포화 또는 불포화 사슬형 지방족 탄화수소, C3-C20의 고리형 지방족 탄화수소, 질소, 산소 또는 황을 가지는 고리형 5, 또는 6 원자로 구성된 헤테로 화합물이다.
또한, 상기 아크릴레이트는 하식 식 2로 표시되는 화합물일 수 있다.
Figure 112007071373844-PAT00002
(식 2)
식 중, R1, R2는 독립적으로 C1-C20의 포화 또는 불포화 사슬형 지방족 탄화수소, C3-C20의 고리형 지방족 탄화수소이다.
사이클릭 올레핀의 일 예로, 노르보르넨 (norbornene)이, 아크릴레이트의 예로는 메틸메타크릴레이트가 포함되나, 이들 예에 한정되는 것은 아니다.
상기 코팅은 당업계에 알려진 다양한 코팅 방법, 예를 들면 스핀 코팅이 사용될 수 있다
감광성 물질이 흡수한 에너지가 광 분해성 보호기에 전달되어 그 보호기가 절단되므로, 상기 전자기파는 감광성 물질의 흡광도가 최대로 되는 파장 범위를 가진다. 전자기파 조사 시, 광 분해성 보호기 및 감광성 물질은 동일 파장에서 최대 흡광도를 나타내는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한, 상기 감광성 물질과 코팅물질로 코팅된 기판 표면 상의 특정 부위에 선택적으로 전자기 조사 (electromagnetic irradiation)하여 상기 광분 해성 보호기를 상기 모노머로부터 절단시키는 단계를 포함한다. 상기 선택적 조사는 반도체에 제조에 통상적으로 사용되는 패턴화되어 있는 마스크를 사용함으로써 이루어질 수 있다.
전자기파의 파장은 사용하는 광 분해성 보호기 및 감광성 물질에 따라 선택될 수 있으나, UV/VIS 파장 영역, 특히 280~400nm 파장이 바람직하다. 특히, 사용되는 광 분해성 보호기가 MeNPOC(2-(3,4-메틸렌디옥시-2-니트로페닐)옥시카르보닐), NPPOC (2-(2-니트로페닐)프로필옥시카르보닐), NPES(2-(2-니트로페닐)에틸술포닐), NPPS(2-(2-니트로페닐)프로필술포닐), MeNPPOC(2-(3,4-메틸렌디옥시-2-니트로페닐)프로필옥시카르보닐), PhNPPOC(2-(5-페닐l-2-니트로페닐)-프로필옥시카르보닐) 또는 DMBOC(디메톡시벤조이닐옥시카르보닐)인 경우, 사용되는 감광성 물질이 아크리돈(acridone), 10-메틸-9-아크리디논(10-methyl-9-acridinone), 크산톤(xanthone), 티오크산톤(thioxanthone), 벤조페논(benzophenone) 또는 2-아세틸-나프탈렌(2-acetyl-naphthalene)인 경우, 전자기파는 330~380nm 파장을 가지는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 상기 감광성 물질과 코팅 물질을 제거하여 상기 (III) 단계 전자기 조사에 의하여 광분해성 보호기가 절단된 모노머를 노출시키는 단계를 포함한다. 상기 감광성 물질과 코팅 물질을 기판으로부터 제거하는 단계는, 상기 코팅물질을 용해시키는 용액으로 세척하는 것에 의하여 이루어질 수 있다. 예를 들면 상기 세척액은 PGMEA (propylene glycol methyl ether acetate) 및/또는 아세토니트릴이 될 수 있다. 상기 코팅물질을 제거함으로써, 노광에 의하여 보호기가 절단 에 의하여 제거된 모노머와 그렇지 않은 모노머가 노출된다.
본 발명은 상기 노출된 보호기가 절단에 의하여 제거된 모노머에, 광 분해성 보호기 함유 모노머를 반응시켜 모노머를 연결시키는 단계를 포함한다. 상기 광 분해성 보호기 함유 모노머는 기판에 고정화되어 있는 모노머와 동일하거나, 다른 모노머일 수 있다. 또한, 상기 광 분해성 보호기 함유 모노머는 노출된 모노머와 결합할 수 있도록 활성화되어 있는 것이다. 예를 들면, 노출된 5＇OH와 결합할 수 있도록 좋은 이탈 기로 활성화되어 있는 뉴클레오시드 또는 뉴클레오티드 유도체일 수 있다.
본 발명은, 상기한 바와 같은, 코팅단계, 노광단계, 코팅물질 제거 단계 및 반응단계를 반복하는 단계를 포함한다. 이러한 반복에 의하여, 2이상의 모노머가 연결된 중합체, 바람직하게는 생물중합체를 합성할 수 있다.
상기 폴리머는 DNA, RNA, LNA (locked nucleic acid), PNA (peptide nucleic acid) 또는 펩타이드 등이 가능하다.
본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 감광성 물질의 코팅을 이용하여 광 분해성 보호기 함유 분자로부터 광 분해성 보호기를 절단하는 방법을 제공한다. 즉, 본 발명은
(i) 광 분해성 보호기 함유 분자를 기판 표면에 반응시켜 상기 분자를 기판 표면에 고정화시키는 단계;
(ii) 상기 분자가 고정화된 기판 표면을 감광성 물질과 코팅 물질을 함유한 용액으로 코팅시키는 단계; 및,
(iii) 상기 감광성 물질 및 코팅물질로 코팅된 기판 표면 상의 특정 부위에 선택적으로 전자기파를 조사하여 광분해성 보호기 함유 분자로부터 광 분해성 보호기를 절단하는 단계를 포함한다.
상기 (i), (ii) 및 (iii)에 대하여는, 상기 폴리머 어레이 제조방법의 (i), (ii) 및 (iii)에 대하여 설명한 바와 동일하다. 단, 상기 분자는 중합체의 모노머 뿐만 아니라 일반적 화합물이 될 수 있다.
상기에서, 전자기파는 감광성 물질의 흡광도가 최대로 되는 파장 범위를 가진다. 전자기파 조사 시, 광 분해성 보호기 및 감광성 물질은 동일 파장에서 최대 흡광도를 나타내는 것이 바람직하다. 전자기파의 파장은 사용하는 광 분해성 보호기 및 감광성 물질에 따라 선택될 수 있으나, UV/VIS 파장 영역이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 노광 장비 제작이나 화합물 합성을 별도로 진행하지 않고 기존의 반도체 장비와 화합물을 그대로 이용하여, 적은 노광 에너지(짧은 시간)로서 효과적으로 포토리쏘그래피에 의한 폴리머 어레이를 제작할 수 있다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 구체적으로 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명을 예시적으로 설명하기 위한 것으로 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
제조예 1: 실리콘 기판 표면에 아민 작용기 도입
무수 에탄올(anhydrous ethanol) 28.5ml에 계면활성제 Fc4430 (Merck, USA) 2.25g을 넣고 2분간 볼텍싱하여 완전히 용해시킨 다음, 그를 에탄올 50ml에 넣고 이어서 GAPTES(γ-aminopropyl triethoxysilane) 20ml을 넣은 다음 20분간 더 교반한 뒤 10분간 초음파 처리하였다. 이렇게 제조된 용액 15ml을 실리콘 웨이퍼 표면에 도포한 뒤 2000rpm으로 10초간 스핀하고, 이 웨이퍼를 120도에서 40분간 베이킹하고 상온에서 10분간 냉각시켰다. 이후 증류수로 10분간 세척하고 15분간 초음파 처리한 뒤 다시 증류수로 10분간 세척하고 질소를 이용해 건조시켰다.
제조예 2: 광 분해성 보호기를 갖는 화합물의 기판 표면에 고정
　MeNPOC-TEG-Acid(2-(3,4-메틸렌디옥시-2-니트로페닐)옥시카르보닐-테트라에틸렌글릴콜산) 45mg을 10ml 아세토니트릴 (acetonitrile, ACN)에 용해시키고, 여기에 HATU(2-(1H-7-아자벤조트리아졸-1-일)-1,1,3,3-테르라메틸우로늄 헥사플루오로포스페이트 메탄 암모늄) 46mg과 TEA(triethylamine) 36ul를 넣고 30초간 볼텍싱하였다. 이렇게 제조된 용액을 실시예 1에서 제조된 실리콘 웨이퍼 표면에 고루 도포한 뒤 30분간 정치시켰다. 200ml ACN으로 웨이퍼 표면을 씻어준 뒤 2000rpm으로 스핀하면서 다시 ACN 300ml을 뿌려주며　세척하였다.
제조예 3: 감광성 물질의 코팅
아크릴계 코팅 물질 SB-7003 (금호석유화학, 한국) (Norbornene: Methylmethacrylate: Bicyclo[2,2,1]heptylmethacryalte =0.26:0.34 :0.40의 비율 로 중합) 5.16%(w/v)을 시클로헥사논에 녹인 뒤, 이 용액 10ml에 감광성 물질 아크리돈(acridone) 19mg 혹은 티오크산톤(thioxanthone) 25mg을 용해시켰다. 이렇게 제조된 코팅용액을 실시예 2에서 제조된 광 분해성 보호기를 갖는 화합물이 고정된 웨이퍼 표면에 골고루 도포한 뒤, 1500rpm으로 스핀하고 110˚C에서 60초간 베이킹하였다.
비교예로서 감광성 물질을 코팅하지 않은 웨이퍼를 별도로 준비하였다.
제조예 4: 노광, 및 코팅 물질/감광성 물질의 제거
실시예 3에서 감광성 물질이 코팅된 웨이퍼를 마스크가 장착된 스테퍼(ASML 200D)에 넣고, 웨이퍼 상 위치에 따라 다른　에너지(0~7000mJ)를 가해 노광하였다.
코팅 물질/감광성 물질을 제거하기 위해, 1500rpm으로 스핀하면서 PGMEA(propylene glycol methyl ether acetate) 100ml을 뿌리고 다시 ACN 200ml을 뿌려주었다.
비교예로서 감광성 물질을 코팅하지 않은 웨이퍼는 노광 후 ACN만으로 세척하였다.
제조예 5: 형광 세기 측정
25ml ACN에, ACN에 녹아있는 100mM 플루오레신 포스포아미다이트(fluorescein phosphoamidite) 용액 10ul, ACN에 녹아있는 100mM DMT(dimethyltrityl)-dT-CEP(cyanoethylphosphoamidite) 용액 15㎕, Activator 42(proligo사, 미국, 100mM) 용액 62.5ul를 순서대로 넣고　잘 혼합하였다. 코팅물질/감광성 물질이 제거된 웨이퍼를 1" x 3" 슬라이드로 다이싱한 다음, 각 슬라이드와 상기의 혼합용액을 30분간 반응시켰다. ACN으로 10분, 에탄올로 10분간 세척한 뒤 질소로 건조시켰다.　다시 각 슬라이드를 에틸렌디아민 50% 용액(in 에탄올)과 90분간 반응시킨 뒤 에탄올로 10분, 메탄올로 5분간 세척한 뒤 질소로 건조시키고 스캐너(ArrayWorx사, 미국)로 노광 부위의 형광　세기를 측정하였다.
실시예 1: 감광성 물질 아크리돈의 코팅에 의한 광 효율 증진
도 2에서 보듯이, 감광성 물질 아크리돈을 코팅한 웨이퍼(실시예)의 경우, 형광세기는 3000mJ에서 최고치를 나타내어 그 시점에서 광 반응이 완료되었음을 알 수 있는 반면에, 감광성 물질을 코팅하지 않은 웨이퍼(비교예)의 경우, 형광세기는 노광 에너지가 증가함에 따라 7000mJ이 될 때까지 꾸준히 증가한다. 따라서, 감광성 물질을 코팅하여 광 반응을 진행하면 반응 완료에 필요한 에너지(혹은 노광　시간)를 줄일 수 있다.
실시예 2: 감광성 물질 티오크산톤의 코팅에 의한 광 효율 증진
도 3은 감광성 물질의 종류를 달리하여 측정한 형광 세기의 그래프인데, 티오크산톤을 감광성 물질로 사용할 경우 최대 형광세기에 도달하는데 필요한 에너지를 1000~2000mJ로 더 줄일 수 있음을 알 수 있다(아크리돈 대비). 즉, 감광성 물질의 종류에 따라 최대　형광 세기에 도달하는데 필요한(반응을 완료시키는데 필요한) 에너지를 더 줄일 수 있을 것이다.
도 1은 포토리쏘그래피 방식에 의한 DNA칩 제작방법을 나타낸다.
도 2는 감광성 물질 아크리돈을 코팅한 경우와 그렇지 않은 경우 노광 에너지에 따른 광 분해성 보호기의 제거 정도를 형광세기로 나타내는 그래프이다.
도 3은 감광성 물질 티오크산톤, 아크리돈을 코팅한 경우와 그렇지 않은 경우 노광 에너지에 따른 광 분해성 보호기 제거 정도를 형광세기로 나타내는 그래프이다.

Claims (12)

  1. (i) 광 분해성 보호기(photolabile protecting group) 함유 모노머를 기판 표면에 반응시켜 상기 모노머를 기판에 고정화시키는 단계;
    (ii) 상기 모노머가 고정된 기판 표면을 감광성 물질(photosensitizer)과 코팅 물질을 함유한 용액으로 코팅시키는 단계;
    (iii) 상기 감광성 물질과 코팅물질로 코팅된 기판 표면 상의 특정 부위에 선택적으로 전자기 조사 (electromagnetic irradiation)하여 상기 광분해성 보호기를 상기 모노머로부터 절단시키는 단계;
    (iv) 상기 감광성 물질과 코팅 물질을 제거하여 상기 (iii) 단계 전자기 조사에 의해 광 분해성 보호기가 절단된 모노머를 노출시키는 단계;
    (v) 상기 노출된 광 분해성 보호기가 절단된 모노머와, 광 분해성 보호기 함유 모노머를 반응시켜 연결시키는 단계; 및,
    (vi) (ii)~ (v) 단계를 반복하는 것을 포함하는 폴리머 어레이 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 전자기 조사는 감광성 물질의 흡광도가 최대로 되는 파장을 가지는 전자기파로 조사하는 것을 특징으로 하는 폴리머 어레이 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 광분해성 보호기 및 상기 감광성 물질은 전자기 조사시 동일 파장 범위에서 최대 흡광도를 나타내는 것을 특징으로 하는 폴리머 어레이 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 폴리머는 DNA, RNA, LNA(locked nucleic acid), PNA(peptide nucleic acid) 및 펩타이드로 구성된 그룹으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 폴리머 어레이 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 전자기 조사는 UV/VIS 파장 영역을 가지는 전자기파로 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리머 어레이 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 전자기 조사는 280~400nm 파장을 가지는 전자기파 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리머 어레이 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 전자기 조사는 330~380nm 파장을 가지고, 상기 광 분해성 보호기는 MeNPOC(2-(3,4-메틸렌디옥시-2-니트로페닐)옥시카르보닐), NPPOC(2-(2-니트로페닐)프로필옥시카르보닐), NPES(2-(2-니트로페닐)에틸술포닐), NPPS(2-(2-니트로페닐)프로필술포닐), MeNPPOC(2-(3,4-메틸렌디옥시-2-니트로페닐)프로필옥시카르보닐), PhNPPOC(2-(5-페닐-2-니트로페닐)-프로필옥시카르보닐) 및 DMBOC(디메톡시벤조이닐옥시카르보닐)로 구성된 그룹으로부터 선택되는 1종 이상이고, 상기 감광성 물질은 아크리돈(acridone), 10-메틸-9-아크리디논 (10-methyl-9-acridinone), 크산톤(xanthone), 티오크산톤(thioxanthone), 벤조페논 (benzophenone) 및 2-아세틸-나프탈렌 (2-acetyl-naphthalene)로 구성된 그룹으로부터 선택되는 1종 이상 인 것을 특징으로 하는 폴리머 어레이 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 코팅 물질은 사이클릭 올레핀과 아크릴레이트의 공중합체로 만들어진 수지 인 것을 특징으로 하는 폴리머 어레이 제조방법.
  9. (i) 광 분해성 보호기(photolabile protecting group) 함유 분자를 기판 표면에 반응시켜 상기 분자를 기판 표면에 고정화시키는 단계;
    (ii) 상기 분자가 고정화된 기판 표면을 감광성 물질(photosensitizer)과 코팅 물질을 함유한 용액으로 코팅시키는 단계; 및,
    (iii) 상기 감광성 물질과 코팅물질로 코팅된 기판 표면 상의 특정 부위에 선택적으로 전자기파를 조사(electromagnetic irradiation)하여 광 분해성 보호기 함유 분자로부터 광 분해성 보호기를 절단하는 단계를 포함하는 광 분해성 보호기 함유 분자로부터 광 분해성 보호기를 절단하는 방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 전자기 조사는 상기 감광성 물질의 흡광도가 최대로 되는 파장 범위를 가지는 전자기파에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 분해성 보호기 함유 분자로부터 광 분해성 보호기를 절단하는 방법.
  11. 제 9항에 있어서, 상기 광분해성 보호기 및 상기 감광성 물질은 전자기 조사 시 동일 파장 범위에서 최대 흡광도를 나타내는 것을 특징으로 하는 광 분해성 보호기 함유 분자로부터 광 분해성 보호기를 절단하는 방법.
  12. 제 9항에 있어서, 상기 전자기 조사는 UV/VIS 파장 영역을 가지는 전자기파에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 분해성 보호기 함유 분자로부터 광 분해성 보호기를 절단하는 방법.
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