KR20090034539A - Method for fabricating photomask - Google Patents

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KR20090034539A KR1020070099812A KR20070099812A KR20090034539A KR 20090034539 A KR20090034539 A KR 20090034539A KR 1020070099812 A KR1020070099812 A KR 1020070099812A KR 20070099812 A KR20070099812 A KR 20070099812A KR 20090034539 A KR20090034539 A KR 20090034539A
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조병호
정주홍
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주식회사 하이닉스반도체
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Abstract

A method of manufacturing the photomask is provided to suppress the deviation of the pattern CD(Critical Dimension) per area of photomask by considering the variable of the mask-etching process and e-beam writing. The original pattern layout is designed. The first optical proximity correction is performed on data of layout(103). At this time, the accompanied first parameter is applied to the exposure processing. The second optical proximity correction is performed on layout data which are corrected by the first optical proximity effect(106). At this time, the accompanied second parameter is applied in the e-beam writing process for the photo mask process. By using layout data which are corrected the second optical proximity effect, the e-beam writing process is performed(107).

Description

포토마스크 제조 방법{Method for fabricating photomask}Method for fabricating photomask

본 발명은 리소그래피(lithography) 기술에 관한 것으로, 특히, 전자빔 쓰기(e-beam writing) 및 마스크 식각 과정을 고려한 포토마스크(photomask) 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to lithography technology, and more particularly, to a method of manufacturing a photomask in consideration of an e-beam writing and mask etching process.

반도체 소자를 웨이퍼(wafer) 상에 집적시키는 웨이퍼 공정은 리소그래피(lithography) 과정을 통해 웨이퍼 상에 집적 회로 패턴을 형성하는 과정을 포함하고 있다. 이러한 리소그래피 과정은 웨이퍼 상에 구현할 회로 패턴의 레이아웃(layout)을 설계하고, 이를 반영한 마스크 패턴을 투명한 석영 기판 상에 구현한 포토마스크를 제조하는 과정을 수반한다. 마스크 패턴을 형성하는 과정은 석영 기판 상에 크롬층이나 몰리브데늄(Mo) 합금층 등을 포함하는 마스크층을 형성하고, 마스크층을 패터닝할 전자빔 레지스트(resist) 패턴을 전자빔 쓰기 및 현상 과정으로 형성하는 과정을 수반한다. A wafer process for integrating a semiconductor device on a wafer includes forming an integrated circuit pattern on a wafer through a lithography process. This lithography process involves designing a layout of a circuit pattern to be implemented on a wafer, and manufacturing a photomask in which a mask pattern reflecting the pattern is reflected on a transparent quartz substrate. The process of forming a mask pattern includes forming a mask layer including a chromium layer or a molybdenum (Mo) alloy layer on a quartz substrate, and writing and developing an electron beam resist pattern to pattern the mask layer. Involves the process of formation.

전자빔 쓰기 과정은 설계된 레이아웃을 전자빔 쓰기 장비에서 인식할 수 있는 전자빔 쓰기 데이터(data)를 전환한 후, 전환된 데이터에 따라 전자빔 쓰기가 전자빔 레지스트층 상에 수행된다. 이때, 설계된 레이아웃은, 쓰기 데이터로 전환 되기 이전에, 후속되는 포토마스크를 이용한 웨이퍼 노광 및 식각 과정에서 공정에 영향을 미치는 변수들을 고려하여 수정하는 과정인 광근접효과보정(OPC: Optical Proximity Correction) 과정을 거치고 있다. 이때, 노광 시 영향을 주는 광학적 변수들 이외에 노광이 수행될 포토레지스트(photoresist)에 연관된 레지스트 변수들 또한 고려되고 있다. The electron beam writing process converts the electron beam writing data that can recognize the designed layout in the electron beam writing equipment, and then electron beam writing is performed on the electron beam resist layer according to the converted data. At this time, the designed layout is an optical proximity correction (OPC) process, which is a process of correcting the process affecting the process during wafer exposure and etching using a subsequent photomask before conversion to write data. I am going through the process. In this case, in addition to the optical parameters affecting the exposure, resist variables associated with the photoresist to be exposed are also considered.

반도체 소자의 회로 선폭, 즉, 패턴의 절반 피치(half pitch)가 감소되고 있어, 이러한 OPC 과정이 수행되고 있음에도 불구하고 설계된 원본 레이아웃을 웨이퍼 상에 구현하기가 점차 어려워지고 있다. 또한, 포토마스크를 제작할 때에도 마스크 패턴의 선폭(CD: Critical Dimension)이 영역 별로 변화되는 현상이 유발되고 있다. 예컨대, 포토마스크의 가장자리 모서리부에 위치하는 가장자리 마스크 패턴과 중심부에 위치하는 중심부 마스크 패턴 사이에 선폭 편차가 크게 유발되고 있다. 이러한 선폭 편차의 발생을 극복하기 위해서, 전자빔 쓰기 과정 중에 포깅에러수정(fogging error correction) 과정을 도입하고 있다. 이러한 노력에도 불구하고, 반도체 소자의 선폭이 감소됨에 따라, 선폭 편차의 발생이 완전하게 해소되기 어렵다. Since the circuit line width of the semiconductor device, that is, the half pitch of the pattern, has been reduced, it is increasingly difficult to implement the designed original layout on the wafer despite this OPC process being performed. In addition, when the photomask is manufactured, a phenomenon in which the line width (CD) of the mask pattern is changed for each region is caused. For example, there is a large variation in line width between the edge mask pattern positioned at the edge edge portion of the photomask and the central mask pattern positioned at the center portion. In order to overcome such occurrence of line width deviation, a fogging error correction process is introduced during the electron beam writing process. Despite these efforts, as the line width of the semiconductor element is reduced, it is difficult to completely eliminate occurrence of the line width deviation.

본 발명은 포토마스크의 영역 별 마스크 패턴의 선폭(CD) 편차를 줄일 수 있는 포토마스크 제조 방법을 제시하고자 한다. The present invention is to provide a photomask manufacturing method that can reduce the line width (CD) deviation of the mask pattern for each region of the photomask.

본 발명의 일 관점은, 웨이퍼 상에 노광 과정으로 구현할 원본 패턴 레이아웃(layout)을 설계하는 단계; 상기 레이아웃의 데이터(data)에 대해 상기 노광 과정에 수반될 제1공정 변수를 적용한 제1광근접효과보정(OPC)을 수행하는 단계; 상기 제1광근접효과보정된 레이아웃 데이터에 대해 포토마스크(photomask) 공정을 위한 전자빔 쓰기 과정에 수반될 제2공정 변수를 적용한 제2광근접효과보정을 수행하는 단계; 및 상기 제2광근접효과보정된 레이아웃 데이터를 이용하여 상기 전자빔 쓰기 과정을 수행하는 단계를 포함하는 포토마스크 제조 방법을 제시한다. One aspect of the present invention includes the steps of designing an original pattern layout to be implemented as an exposure process on a wafer; Performing first optical proximity effect correction (OPC) on the data of the layout by applying a first process variable to be involved in the exposure process; Performing second optical proximity effect correction on the first optical proximity effect corrected layout data by applying a second process variable to be involved in an electron beam writing process for a photomask process; And performing the electron beam writing process using the second optical proximity effect corrected layout data.

상기 제1공정 변수는 상기 노광 과정에 수반될 광학적 공정 변수, 상기 웨이퍼 상에서 도포될 포토레지스트 종류에 수반되는 공정 변수 및 상기 웨이퍼 상에 수행될 웨이퍼 식각 공정 변수를 포함하게 설정될 수 있다. The first process variable may be set to include an optical process variable to be involved in the exposure process, a process variable to be associated with the type of photoresist to be applied on the wafer, and a wafer etching process variable to be performed on the wafer.

상기 제2공정 변수는 상기 전자빔 쓰기 과정에 이용될 전자빔 쓰기 장비의 쓰기 방식, 전자빔의 스팟 크기(spot size), 상기 전자빔 쓰기가 수행될 전자빔 레지스트의 종류, 및 상기 포토마스크에 수행될 식각 공정에 수반되는 공정 변수들을 포함하게 설정될 수 있다. The second process variable may include a writing method of an electron beam writing apparatus to be used in the electron beam writing process, a spot size of the electron beam, a type of electron beam resist to be used for the electron beam writing, and an etching process to be performed on the photomask. It may be set to include the accompanying process variables.

상기 제1 또는 제2광근접효과보정(OPC)은 시뮬레이션 모델에 상기 제1 또는 제2 공정 변수를 입력하여 수행하는 모델 베이스 접근 방식으로 수행될 수 있다. The first or second optical proximity effect correction (OPC) may be performed in a model-based approach in which the first or second process variable is input to a simulation model.

본 발명의 실시예는 전자빔 쓰기(e-beam writing) 및 마스크 식각 과정의 변수를 고려하여 포토마스크를 제조하는 방법을 제시하여, 포토마스크의 영역 별 패턴 선폭(CD) 편차를 억제할 수 있다. 또한, 마스크 패턴을 목표한 레이아웃에 보다 부합되게 형성할 수 있으며, 마스크 패턴 불량을 억제하여 제작 수율 향상, 비용 절감 및 제작 기간을 줄일 수 있다. An embodiment of the present invention proposes a method of manufacturing a photomask in consideration of variables of an e-beam writing and mask etching process, thereby suppressing variation of pattern line width (CD) for each region of the photomask. In addition, the mask pattern can be formed to more closely match the target layout, and the mask pattern defect can be suppressed to improve production yield, reduce cost, and reduce production time.

본 발명의 실시예에서는, 원본 패턴 레이아웃을 제1광근접효과보정하고, 전자빔 쓰기를 위해 전자빔 쓰기 데이터(data)로 전환한다. 이후에, 전자빔 장비의 쓰기 방식이나, 전자빔 스팟 크기(spot size) 등과 같은 장비에 관련된 공정 변수와 전자빔 레지스트의 종류 및 현상 특성, 레지스트 패턴을 이용한 마스크층 식각 시의 식각 변수 등과 같은 마스크 공정 변수 변수 등을 적용하여 제2OPC를 수행한다. 이때, OPC 과정은 모델 베이스 접근 방식(model base approach)으로 수행될 수 있다. 이후에, 제2OPC된 레이아웃 데이터를 이용하여 전자빔 쓰기 과정을 수행한다. 필요에 따라, 제작된 포토마스크의 전체 선폭 균일도(CD uniformity)가 전체적으로 좋지 않을 경우, 포깅에러수정(fogging error correction) 과정을 적용할 수 있다. 이와 같은 본 발명의 실시예는 웨이퍼 상에서 요구되는 필드 CD 균일도 및 목표한 CD에 부합되는 결과를 보다 유효하게 만족시킬 수 있다. In an embodiment of the present invention, the original pattern proximity correction is performed on the original pattern layout, and is converted into electron beam writing data for electron beam writing. Subsequently, mask process variable variables such as process variables related to the writing method of the electron beam equipment, equipment such as the electron beam spot size, etc., types and development characteristics of the electron beam resist, and etching variables when etching the mask layer using the resist pattern Etc. to perform the second OPC. In this case, the OPC process may be performed by a model base approach. Thereafter, the electron beam writing process is performed using the second OPC layout data. If necessary, if overall CD uniformity of the fabricated photomask is not good overall, a fogging error correction process may be applied. Such an embodiment of the present invention can more effectively satisfy the field CD uniformity required on the wafer and the result meeting the target CD.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크 제조 방법을 설명하기 위해서 제시한 공정 흐름도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크 제조 방법은, 먼저, 웨이퍼(wafer) 상에 수행될 노광 과정 또는 노광 과정에 연이어 수행될 웨이퍼 식각 공정을 통해 구현될 원본 패턴 레이아웃(layout)을 설계하여 데이터베이스(DB; Data Base)를 구축한다(101). 이러한 원본 패턴 레이아웃은 실제 웨이퍼 상에 구현할 식각 대상층의 패턴 형상, 즉, 목표 패턴 레이아웃일 수 있다. 1 is a flowchart illustrating a photomask manufacturing method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a photomask manufacturing method according to an embodiment of the present invention may first include an original pattern layout to be implemented through an exposure process to be performed on a wafer or a wafer etching process to be performed subsequent to the exposure process. ) To build a database (DB) (101). The original pattern layout may be a pattern shape of an etching target layer to be implemented on an actual wafer, that is, a target pattern layout.

원본 패턴 레이아웃의 데이터(data)에 대한 레이아웃 수정 또는 OPC를 위해서, 노광 과정 또는 웨이퍼 식각 과정에 수반될 제1공정 변수를 추출한다(102). 제1공정 변수는 실질적으로 웨이퍼 상에서 수행되는 공정 과정들에 연관되어 유발될 수 있는 변수들을 고려한다. 예컨대, 노광 과정에 수반될 광학적 공정 변수를 고려하고, 또한, 웨이퍼 상에서 도포될 포토레지스트(photoresist) 종류를 변수로 고려할 수 있다. 이러한 포토레지스트의 노광 및 현상 과정에 수반될 공정 변수를 고려하고, 또한, 현상에 의해 형성된 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용한 식각 대상층의 식각 과정 수반되는 식각 공정 변수들을 고려할 수 있다. In order to modify the layout or OPC of the data of the original pattern layout, the first process variable to be involved in the exposure process or the wafer etching process is extracted 102. The first process variable considers variables that can be caused substantially in association with process processes performed on the wafer. For example, the optical process parameters to be involved in the exposure process may be considered, and the kind of photoresist to be applied on the wafer may be considered as a variable. The process variables involved in the exposure and development of the photoresist may be considered, and the etching process parameters involved in the etching process of the etching target layer using the photoresist pattern formed by the development as an etching mask may be considered.

이러한 제1공정 변수를 설정하여 원본 패턴 레이아웃 데이터에 대해 제1OPC를 수행한다(103). 이때, 제1OPC는 웨이퍼 상에 수행되는 포토레지스트 공정 과정이나 또는 웨이퍼 식각 과정, 또는 포토레지스트 과정 및 웨이퍼 식각 과정 모두를 전체적으로 모델링(modeling)한 시뮬레이션(simulation) 모델을 이용하여 수행될 수 있다. 예컨대, 이러한 시뮬레이션 모델을 이용한 모델 베이스 접근 방식을 이용하여, 설계된 원본 패턴 레이아웃에 대해 제1OPC를 수행한다. The first process variable is set to perform a first OPC on the original pattern layout data (103). In this case, the first OPC may be performed by using a photoresist process performed on a wafer, a wafer etching process, or a simulation model that models both the photoresist process and the wafer etching process. For example, using a model-based approach using such a simulation model, the first OPC is performed on the designed original pattern layout.

제1OPC된 레이아웃 데이터를 포토마스크 제조 과정에 수반되는 전자빔 쓰기 과정을 수행하는 데 요구되는 데이터 형식으로 전환하다(104). 설계된 레이아웃 데이터의 데이터 형식과 전자빔 쓰기 과정에 사용될 쓰기 장비에서 요구되는 데이터 형식이 다르므로, 데이터를 전환 과정이 요구된다. 이러한 데이터 전환 과정은 데이터 형식의 전환 및 레이아웃을 실제 전자빔 노광에서 쓰기 과정에 수행될 수 있는 형태의 레이아웃으로 전환하는 과정, 예컨대, 레이아웃을 보다 작은 폴리곤(polygon)들로 재구성하는 프랙처링(fracturing) 과정을 포함하여 수행될 수 있다. The first OPC layout data is converted into the data format required to perform the electron beam writing process involved in the photomask manufacturing process (104). Since the data format of the designed layout data and the data format required by the writing equipment to be used in the electron beam writing process are different, a data conversion process is required. This data conversion process converts the data format conversion and layout from the actual electron beam exposure to the type of layout that can be performed in the writing process, for example, fracturing to reconstruct the layout into smaller polygons. It can be carried out including the process.

이와 같이 프랙처링된 레이아웃 데이터에 대해 레이아웃 수정 또는 OPC를 위해서, 포토마스크(photomask) 공정을 위한 전자빔 쓰기 과정에 수반될 제2공정 변수를 추출한다(105). 제2공정 변수는 실질적으로 포토마스크를 제조하는 공정 과정에 수반될 때 고려될 수 있는 변수들로 설정된다. 예컨대, 투명한 석영 기판 상에 형성된 마스크층을 패터닝하기 위해서 도포된 전자빔 레지스트의 종류, 및 전자빔 레지스트의 층에 대해 전자빔 쓰기를 수행할 전자빔 쓰기 장비에 관련된 변수들을 고려한다. 전자빔 쓰기 방식이나 전자빔의 스팟 크기(spot size)에 따른 공정 변수를 고려할 수 있다. 또한, 전자빔 쓰기가 수행된 후 현상된 전자빔 레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 수행되는 마스크층에 대한 식각 과정에 수반될 수 있는 식각 공정 변수를 이러한 제2공정 변수로 설정할 수 있다. The second process variable to be involved in the electron beam writing process for the photomask process is extracted (105) for layout modification or OPC on the fractured layout data. The second process variable is substantially set to variables that can be considered when involved in the process of manufacturing the photomask. For example, the parameters related to the type of electron beam resist applied to pattern the mask layer formed on the transparent quartz substrate and the electron beam writing equipment to perform electron beam writing on the layer of the electron beam resist are considered. Process variables may be considered depending on the electron beam writing method or the spot size of the electron beam. In addition, an etching process variable that may be involved in the etching process for the mask layer performed by using the developed electron beam resist pattern after the electron beam writing is performed as an etching mask, may be set as the second process variable.

이후에, 전자빔 쓰기 데이터로 전화된 레이아웃 데이터에 대해 이러한 제2공정 변수를 적용하여 제2OPC를 수행한다(106). 이때, 제2OPC는 포토마스크 제조 시 수행되는 전자빔 쓰기 과정이나 전자빔 레지스트 과정 또는 마스크층 식각 과정을 모델링하거나, 또는 이러한 과정들을 전체적으로 모델링(modeling)한 시뮬레이션 모델을 이용하여 수행될 수 있다. 예컨대, 이러한 시뮬레이션 모델을 이용한 모델 베이스 접근 방식을 이용하여, 제2OPC되고 쓰기 데이터로 전환된 레이아웃에 대해 제2OPC를 수행한다. Thereafter, the second OPC is performed by applying this second process variable to the layout data converted to the electron beam write data (106). In this case, the second OPC may be performed by modeling an electron beam writing process, an electron beam resist process, or a mask layer etching process performed during photomask fabrication, or by using a simulation model that models these processes as a whole. For example, using a model-based approach using such a simulation model, the second OPC is performed on the second OPC and the layout converted to write data.

이와 같이 제2OPC된 레이아웃 데이터를 이용하여 전자빔 쓰기 과정을 수행한다(107). 이에 따라, 투명한 석영 기판 상의 마스크층 상에 도포된 전자빔 레지스트는 전자빔 노광되고, 전자빔 노광된 레지스트를 현상하여 레지스트 패턴을 형성한다. 이후에, 레지스트 패턴을 식각 마스크로 하부의 노출된 마스크층 부분을 선택적으로 식각하여 투명한 기판 상에 마스크 패턴을 형성하여 포토마스크가 실질적으로 완성된다. As described above, the electron beam writing process is performed using the second OPC layout data (S107). Accordingly, the electron beam resist applied on the mask layer on the transparent quartz substrate is subjected to electron beam exposure, and the electron beam exposed resist is developed to form a resist pattern. Thereafter, the portion of the lower exposed mask layer is selectively etched using the resist pattern as an etch mask to form a mask pattern on the transparent substrate, thereby substantially completing the photomask.

이와 형성된 마스크 패턴은 마스크 패턴을 형성하는 포토마스크 제조 과정의 변수들을 고려한 제2OPC 과정에 의해 형성되므로, 실질적으로 웨이퍼 상에 원본 설계된 레이아웃에 보다 부합된 웨이퍼 패턴을 전사하도록 형성될 수 있다. 즉, 웨이퍼 패턴의 균일도의 개선을 구현할 수 있으며, 또한, 웨이퍼 패턴이 목표한 원본 레이아웃에 보다 부합되게 구현할 수 있다. 이는 포토마스크 제작 과정에서 유발될 수 있는 패턴 불량을 제2OPC를 통해 보정할 수 있는 데 주로 기인한다. Since the mask pattern formed thereon is formed by the second OPC process taking into account the variables of the photomask fabrication process for forming the mask pattern, the mask pattern may be formed to transfer the wafer pattern on the wafer to be more compliant with the original designed layout. That is, the uniformity of the wafer pattern may be improved, and the wafer pattern may be more consistent with the target original layout. This is mainly due to the fact that the pattern defects that may be caused during the photomask fabrication process can be corrected through the second OPC.

한편, 필요에 따라, 제작된 포토마스크의 전체 선폭 균일도(CD uniformity)를 보다 더 개선하기 위해, 포깅에러수정(fogging error correction) 과정을 마스크 패턴 형성 후 수행할 수 있다. 이와 같이 본 발명의 실시예는 웨이퍼 상에서 요 구되는 필드 CD 균일도 및 목표한 CD에 부합되는 결과를 보다 유효하게 구현할 수 있다.Meanwhile, in order to further improve the overall CD uniformity of the fabricated photomask, a fogging error correction process may be performed after the mask pattern is formed. As described above, the embodiment of the present invention can more effectively implement the field CD uniformity required on the wafer and the result corresponding to the target CD.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크 제조 방법을 설명하기 위해서 제시한 공정 흐름도이다. 1 is a flowchart illustrating a photomask manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

Claims (5)

웨이퍼 상에 노광 과정으로 구현할 원본 패턴 레이아웃(layout)을 설계하는 단계;Designing an original pattern layout to be implemented by an exposure process on the wafer; 상기 레이아웃의 데이터(data)에 대해 상기 노광 과정에 수반될 제1공정 변수를 적용한 제1광근접효과보정(OPC)을 수행하는 단계;Performing first optical proximity effect correction (OPC) on the data of the layout by applying a first process variable to be involved in the exposure process; 상기 제1광근접효과보정된 레이아웃 데이터에 대해 포토마스크(photomask) 공정을 위한 전자빔 쓰기 과정에 수반될 제2공정 변수를 적용한 제2광근접효과보정을 수행하는 단계; 및Performing second optical proximity effect correction on the first optical proximity effect corrected layout data by applying a second process variable to be involved in an electron beam writing process for a photomask process; And 상기 제2광근접효과보정된 레이아웃 데이터를 이용하여 상기 전자빔 쓰기 과정을 수행하는 단계를 포함하는 포토마스크 제조 방법. And performing the electron beam writing process using the second optical proximity effect corrected layout data. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1공정 변수는 상기 노광 과정에 수반될 광학적 공정 변수, 상기 웨이퍼 상에서 도포될 포토레지스트 종류에 수반되는 공정 변수 및 상기 웨이퍼 상에 수행될 웨이퍼 식각 공정 변수를 포함하게 설정되는 포토마스크 제조 방법. Wherein the first process variable is set to include an optical process variable to be involved in the exposure process, a process variable to be associated with the type of photoresist to be applied on the wafer, and a wafer etching process variable to be performed on the wafer. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2공정 변수는 상기 전자빔 쓰기 과정에 이용될 전자빔 쓰기 장비의 쓰기 방식, 전자빔의 스팟 크기(spot size), 상기 전자빔 쓰기가 수행될 전자빔 레 지스트의 종류, 및 상기 포토마스크에 수행될 식각 공정에 수반되는 공정 변수들을 포함하게 설정되는 포토마스크 제조 방법. The second process variable may include a writing method of an electron beam writing apparatus to be used in the electron beam writing process, a spot size of the electron beam, a type of an electron beam register to be performed on the electron beam writing, and an etching process to be performed on the photomask. A method of manufacturing a photomask, the process comprising setting process parameters involved. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 또는 제2광근접효과보정(OPC)은 시뮬레이션 모델에 상기 제1 또는 제2 공정 변수를 입력하여 수행하는 모델 베이스 접근 방식으로 수행되는 포토마스크 제조 방법. Wherein said first or second optical proximity effect correction (OPC) is performed by a model-based approach in which the first or second process variables are input to a simulation model. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2광근접효과보정(OPC)을 수행하기 이전에,Before performing the second optical proximity effect correction (OPC), 상기 제1광근접효과보정된 레이아웃의 데이터를 상기 전자빔 쓰기에 요구되는 프랙처링(fracturing)된 레이아웃의 데이터로 전환시키는 단계를 더 포함하는 포토마스크 제조 방법. And converting data of the first optical proximity effect corrected layout into data of a fractured layout required for writing the electron beam.
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