KR20090023063A - Wet processing apparatus - Google Patents

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KR20090023063A
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준 마쯔이
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주식회사 케이씨텍
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    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Abstract

A wet processing apparatus of the single wafer type are provided to prevent the outflow of the processing liquid and the mist or the gas generated from the processing liquid. The wet processing apparatus comprises the first chamber(1) and the second chamber(2). The second chamber is positioned in the upward or the downward of the first chamber. Openings (1a,1b) are installed at the opposing position of chambers. The elevator unit(4) is raised to the maintaining mean(3) between the first chamber and the second chamber through the opening. The switching means opens and closes the opening of the first chamber. The first feeding means(6) supplies the processing liquid to the workpiece. The second feeding means(7) supplies the processing liquid to the workpiece.

Description

웨트 처리 장치{WET PROCESSING APPARATUS}Wet processing device {WET PROCESSING APPARATUS}

본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 글래스 기판 등의 피처리물을 회전시키면서 단계적으로 복수의 처리액을 공급하여 웨트 처리를 수행하는 매엽식(枚葉式)의 웨트 처리 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the single wafer type wet processing apparatus which performs a wet process by supplying several process liquid in steps, for example, rotating a to-be-processed object, such as a semiconductor wafer and a glass substrate.

예를 들어, 반도체 디바이스, 액정 표시 패널 등의 전자 기기의 분야에서는, 반도체 기판, 글래스 기판, 자성체 기판 등을 피처리물이라 하고, 세정, 성막(成膜), 박리, 현상, 에칭, 도금, 연마 등을 수행할 때에 피처리물을 처리액으로 처리하는 웨트 처리 장치가 널리 이용되고 있다.For example, in the field of electronic devices, such as a semiconductor device and a liquid crystal display panel, a semiconductor substrate, a glass substrate, a magnetic substrate, etc. are called to-be-processed object, and a washing | cleaning, film-forming, peeling, developing, etching, plating, The wet processing apparatus which processes a to-be-processed object with a process liquid at the time of performing grinding | polishing etc. is widely used.

웨트 처리에서는, 일련의 처리 공정에 있어, 황산, 암모니아-과산화수소 혼합액, 불소, 염산 등의 약액이나 순수한 물 등, 복수의 처리액이 각 공정에 맞게 단계적으로 이용되기 때문에, 웨트 처리 장치는 하나의 장치로 복수의 처리액을 취급할 수 있도록 하는 것이 요구된다.In the wet treatment, a plurality of treatment liquids, such as sulfuric acid, ammonia-hydrogen peroxide mixed liquid, chemical liquids such as fluorine and hydrochloric acid, pure water, and the like, are used step by step according to each process. It is required to be able to handle a plurality of processing liquids with an apparatus.

이러한 웨트 처리 장치는, 최근, 처리액을 저장하는 처리액조에 복수의 기판을 침지하는 침지식으로부터, 보다 고기능의 매엽식으로의 이행이 도모되고 있다.In recent years, such a wet processing apparatus has been shifted from an immersion type in which a plurality of substrates are immersed in a processing liquid tank that stores a processing liquid.

매엽식의 웨트 처리 장치는, 기판 등의 피처리물을 1매씩 처리하는 것이며, 피처리물을 회전시킨 상태에서 처리액을 공급하고, 웨트 처리를 수행한다.The single wafer type wet processing apparatus processes one to-be-processed object, such as a board | substrate, and supplies a process liquid in the state which rotated the to-be-processed object, and performs a wet process.

예를 들어, 특허 문헌 일본특허공개 평11-54475호 공보에는, 복수의 처리액을 이용하는 매엽식의 웨트 처리 장치가 개시되어 있다.For example, Japanese Patent Laid-Open No. 11-54475 discloses a single-sheet wet processing apparatus using a plurality of treatment liquids.

이러한 웨트 처리 장치는, 피처리물을 회전시키면서 복수의 처리액을 단계적으로 공급하는 매엽식을 채용하면서, 가동판 및 회전축 날밑에 의해 에칭 실을 구획하고, 구획된 영역마다 다른 처리액의 회수를 담당시켜, 에칭 처리 후의 처리액을 처리액마다 나누어서 회수하고 있다.Such a wet processing apparatus divides an etching chamber by the movable plate and the edge of a rotating shaft while employing a sheet type for gradually supplying a plurality of processing liquids while rotating the workpiece, and recovering the processing liquid for each of the partitioned regions. In charge, the process liquid after an etching process is divided and collect | recovered for every process liquid.

그런데, 웨트 처리에는 상술한 바와 같이 일련의 처리 공정에서 다양한 처리액이 이용되고, 예를 들어, 고휘발성, 가연성, 인화성, 폭발성, 반응성의 것이나, 유해 성분을 포함하는 극물(劇物)이나 독물이 사용되는 것도 많다.By the way, in the wet treatment, as described above, various treatment liquids are used in a series of treatment steps, and for example, highly volatile, flammable, flammable, explosive, reactive, and other substances or poisons containing harmful components. This is also used a lot.

이러한 처리액은, 그 처리액이 이용되는 영역의 외부(웨트 처리 장치 내에서 다른 처리액이 이용되는 영역이나, 웨트 처리 장치 이외의 영역)에 유출하거나, 다른 처리액이 유입하거나 하면, 피처리물, 웨트 처리 장치 자체, 인체 등에 악영향을 끼치거나, 인화나 폭발 등의 우려가 있다.Such a processing liquid flows out of an area (a region where another processing liquid is used in a wet processing apparatus or a region other than the wet processing apparatus) outside the region where the processing liquid is used, or when another processing liquid flows in. It may adversely affect water, the wet processing apparatus itself, the human body, or the like, or cause a fire or explosion.

특히, 최근 주류가 되어 있는 매엽식의 웨트 처리 장치에서는, 피처리물을 회전시키기 때문에, 피처리물에 공급된 처리액이 미스트(mist) 형상이나 기체 모양이 되어 유출하거나, 처리액이 비산하거나 하기 쉽다.In particular, in the single wafer type wet processing apparatus which has become the mainstream in recent years, the object to be processed is rotated, so that the processing liquid supplied to the processing object flows out into a mist or gaseous form, or the processing liquid is scattered. easy to do.

이로 인해, 매엽식의 웨트 처리 장치에서는, 상기 처리액이나 그 처리액으로부터 발생하는 미스트나 기체에 대해서, 외부로의 유출이나 다른 처리액의 유입을 방지 하려고 하는 강한 요구가 있다.For this reason, in the single wafer type wet processing apparatus, there is a strong demand to prevent the outflow to the outside or the inflow of other processing liquids to the processing liquids and mists and gases generated from the processing liquids.

그러나, 상기 특허 문헌 일본특허공개 평11-54475호의 매엽식의 웨트 처리 장치에서는, 만약 웨트 처리 장치에 상기 처리액을 도입했다고 가정하면, 가동판과 회전축 날밑 사이에는 간극이 발생하게 되기 때문에, 상기 간극으로부터, 처리액 및 처리액으로부터 발생하는 미스트나 기체의 유출 및 유입이 일어난다.However, in the single wafer processing apparatus of Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 11-54475, if assuming that the processing liquid is introduced into the wet processing apparatus, a gap is generated between the movable plate and the edge of the rotary shaft. From the gap, the outflow and inflow of mist or gas generated from the treating liquid and the treating liquid occurs.

또한, 피처리물의 위치를 고정한 상태에서 단계적으로 복수의 처리액을 공 급하기 때문에, 복수의 처리액에서 처리 영역을 공유하게 되고, 그 처리 영역에 잔존하는 처리액이나 미스트 등이 후속의 처리액에 유입할 가능성이 있다.In addition, since the plurality of processing liquids are supplied step by step while the position of the workpiece is fixed, the processing regions are shared by the plurality of processing liquids, and the processing liquids and mists remaining in the processing regions are subsequently processed. There is a possibility to flow in.

이로 인해, 상기 요구를 충분하게 만족시키지 못하는 것이 현재의 실상이다.For this reason, it is a present fact that it does not fully satisfy the said request.

또한, 상기 종래의 웨트 처리 장치는, 가동판과 회전축 날밑에 의해 처리액을 회수하고 있지만, 구획되는 영역마다 가동판과 회전축 날밑을 설치하지 않으면 안되어, 기구가 복잡하게 되고, 처리 공정에 맞춰서 각 가동판을 선택하면서 동작 시킬 필요가 있기 때문에 제어도 매우 번잡하다.In the conventional wet processing apparatus, the processing liquid is collected by the movable plate and the rotary shaft blade, but the movable plate and the rotary shaft blade must be provided for each area to be partitioned, and the mechanism becomes complicated. The control is also very complicated because it needs to be operated while selecting the movable plate.

또한, 상기 종래의 매엽식의 웨트 처리 장치에서는, 예컨대 피처리물이 유지되는 회전 홀더의 회전 속도를 저하시키게 되면, 공급되는 처리액은, 회전 홀더로부터 회전 홀더의 하면, 거기에 계속 이어지는 지지축 등의 부재를 타고 흐른다.Moreover, in the said conventional single wafer type | mold wet processing apparatus, when the rotation speed of the rotating holder which hold | maintains a to-be-processed object is reduced, for example, the processing liquid supplied will support the continuous support shaft which continues to the lower surface of the rotating holder from the rotating holder. It flows on the back member.

상기 타고 흐른 처리액은 장치를 부식시키고, 고장을 초래할 우려가 있다.The ride-through treatment liquid may corrode the device and cause a breakdown.

본 발명은, 복수의 처리액을 이용하는 매엽식의 웨트 처리 장치에 있어서, 고위험성의 처리액 등에 대해서는, 그 처리액 및 처리액으로부터 발생하는 미스트나 기체의 유출 및 기타의 처리액의 유입을 방지하는 것이 가능하며, 또한, 처리액을 회수하는 기구나 그 제어가 간단하고, 타고 흐르는 처리액에 의한 장치의 부식 등을 방지할 수 있는 웨트 처리 장치를 제안하는 것을 목적으로 한다.In the sheet type wet processing apparatus using a plurality of treatment liquids, the present invention prevents the outflow of mist or gas generated from the treatment liquid and the treatment liquid and the inflow of other treatment liquids from the treatment liquid and the treatment liquid. It is also an object of the present invention to propose a wet treatment apparatus capable of recovering a treatment liquid and a control device of which the control liquid is simple and which can prevent corrosion of the apparatus due to the flowing treatment liquid.

본 발명의 웨트 처리 장치는, 유지 수단에 유지된 피처리물을 회전시키면서 단계적으로 복수의 처리액을 공급하여 웨트 처리하는 매엽식의 웨트 처리 장치에 있어서, 제1 챔버와, 상기 제1 챔버의 상방 또는 하방에 위치하는 제2 챔버를 구비하고, 상기 양쪽 챔버에는 서로 대향하는 위치에 개구부가 설치되어 있고, 상기 제1 챔버와 제2 챔버의 사이에서 상기 두 개의 개구부를 통해서 상기 유지 수단을 승강시키는 승강 수단과, 상기 제1 챔버의 개구부를 개폐하는 개폐 수단과, 상기 제1 챔버 내에 상기 유지 수단이 위치 했을 때에 상기 유지 수단에 유지되는 피처리물에 처리액을 공급할 수 있는 제1 공급 수단과, 상기 제2 챔버내에 상기 유지 수단이 위치 했을 때에 상기 유지 수단에 유지되는 피처리물에 처리액을 공급할 수 있는 제2 공급 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.The wet processing apparatus of the present invention is a single wafer type wet processing apparatus for supplying a plurality of processing liquids in a stepwise manner while rotating the object to be held in the holding means, and wet processing the first chamber and the first chamber. And a second chamber located above or below, and openings are provided at positions opposite to each other, and the holding means is lifted through the two openings between the first chamber and the second chamber. Elevating means for discharging, opening and closing means for opening and closing the opening of the first chamber, and first supply means for supplying a processing liquid to the object to be held by the holding means when the holding means is located in the first chamber. And second supply means capable of supplying a processing liquid to a workpiece to be held by the holding means when the holding means is located in the second chamber. And that is characterized.

본 발명에 따르면, 위험성이 높은 처리액이나 반응성의 처리액 등과 같이, 장치, 피처리물, 인체 등에 악영향을 끼치는 처리액을 이용할 때에는, 유지 수단에 유지시킨 피처리물을 제1 챔버 내에 위치시키고, 제1 챔버의 개구부를 개폐하는 개폐 수단을 닫힘 상태로 해서 피처리물을 회전시키면서 제1 공급 수단으로부터 처리액을 공급한다.According to the present invention, when using a treatment liquid that adversely affects an apparatus, a workpiece, a human body, or the like, such as a treatment liquid with high risk or a reactive treatment liquid, the workpiece to be held by the holding means is placed in the first chamber. The processing liquid is supplied from the first supply means while rotating the object to be processed with the opening and closing means for opening and closing the opening of the first chamber being closed.

제1 챔버는 개폐 수단에 의해 내부와 외부가 차단되어, 제1 챔버 내의 처리액 및 처리액으로부터 발생하는 미스트나 기체가 외부에 유출하는 일이 없다.The inside and the outside of the first chamber are blocked by the opening and closing means so that the mist and gas generated from the processing liquid and the processing liquid in the first chamber do not flow out to the outside.

위험성의 낮은 처리액 등을 이용할 때에는, 유지 수단에 유지시킨 피처리물을 제2 챔버 내에 위치시키고, 제1 챔버의 개구부를 개폐하는 개폐 수단을 닫힘 상태로 해서 피처리물을 회전시키면서 제2 공급 수단으로부터 처리액을 공급한다.When using a low-risk treatment liquid or the like, the second supply is placed while the object to be processed held by the holding means is placed in the second chamber, and the opening and closing means for opening and closing the opening of the first chamber is closed to rotate the object to be processed. The processing liquid is supplied from the means.

제1 챔버의 개구는 개폐 수단에 의해 닫힘 상태가 되기 때문에, 제2 챔버 내로 처리액 등이 제1 챔버에 유입하는 일이 없다.Since the opening of the first chamber is closed by the opening and closing means, no processing liquid or the like flows into the second chamber into the second chamber.

이에 따라, 매엽식을 채용하면서도, 피처리물이 회전하기 때문에 처리액이 쉽게 비산하고, 처리액으로부터 미스트나 기체가 발생하여 유출, 유입이 쉽게 발생한다는 매엽식의 결점을 해소할 수 있다.As a result, while adopting a single leaf type, the processing liquid easily scatters because the object is rotated, and mist and gas are generated from the processing liquid, thereby eliminating the single leaf type defect.

제1 챔버와 제2 챔버 사이에서 피처리물을 이동시킬 때는, 각 공급 수단으로부터의 처리액의 공급을 정지하고, 제1 챔버의 개폐 수단을 열림 상태로 해서 승강 수단에 의해 유지 수단을 승강시킨다.When moving the object to be processed between the first chamber and the second chamber, the supply of the processing liquid from each supply means is stopped, and the holding means is lifted by the lifting means with the opening / closing means of the first chamber open. .

개폐 수단을 열림 상태로 하여도, 처리액의 공급은 정지해 있기 때문에, 제1 챔버로부터 처리액이 유출하거나, 다른 처리액이 유입하거나 하는 일은 없다.Even when the opening / closing means is opened, the supply of the processing liquid is stopped, so that the processing liquid does not flow out of the first chamber or other processing liquid flows in.

고위험성의 처리액 등에 의한 처리와 저위험성의 처리액 등에 의한 처리를 연속해서 수행하여도, 제1 챔버와 제2 챔버에 나누어서 처리할 수 있기 때문에, 선행하는 처리에서 잔류한 미스트나 기체가 후속의 처리액에 유입하기 어렵다.Even if the treatment with the high-risk treatment liquid or the like and the treatment with the low-risk treatment liquid are performed continuously, the treatment can be divided into the first chamber and the second chamber, so that the mist or gas remaining in the preceding treatment is followed. Is difficult to flow into the treatment liquid.

또한, 제1 챔버와 제2 챔버는, 각각 독립한 케이스로 구성되는 별체형이라도 무방하고, 하나의 케이스를 구획하고, 한쪽의 영역을 제1 챔버, 다른 쪽의 영역을 제2 챔버로서 구성되는 일체형이라도 무방하다.In addition, the first chamber and the second chamber may be separate bodies each composed of independent cases, and partition one case, and one region is configured as the first chamber and the other region is configured as the second chamber. It may be an integral type.

별체형으로 구성 함으로써, 제1 챔버와 제2 챔버와의 거리를 조정할 수 있고, 비록 한쪽의 챔버 내에 처리액의 미스트나 기체가 잔류하고 있다 하더라도, 상기와 같은 거리를 확보하는 것으로, 개폐 수단의 개폐 동작 시에도 미스트나 기체가 유입하기 어려워지는 동시에, 그 거리를 최소한으로 남기는 것으로 양 챔버간의 이동 시간을 억제할 수 있다.By constructing a separate body, the distance between the first chamber and the second chamber can be adjusted, and even if mist or gas of the processing liquid remains in one chamber, the distance as described above is ensured so that Even during the opening and closing operation, it is difficult for the mist and the gas to flow in, and the movement time between the two chambers can be suppressed by leaving the distance to a minimum.

또한, 제1 챔버에서는 강 산성의 처리액 등도 이용되기 때문에 부식 등이 발생하기 쉽지만, 별체형으로 함으로써, 제1 챔버 만을 교환하는 것도 가능하게 된다.In addition, since a strongly acidic treatment liquid or the like is also used in the first chamber, corrosion is likely to occur, but by making it separate, it is also possible to replace only the first chamber.

상기 제2 챔버는, 상기 제2 챔버 내에서의 상기 유지 수단의 이동 경로를 따라, 처리액을 회수하는 회수 수단이 복수 설치되고 있는 것을 특징으로 한다.The second chamber is characterized in that a plurality of recovery means for recovering the processing liquid are provided along the movement path of the holding means in the second chamber.

본 발명에 따르면, 제2 챔버 내에서 처리를 수행할 때에, 승강 수단에 의해 그 처리액의 회수를 담당하는 회수 수단의 부근에 피처리물을 위치 시킨 후에 그 처리액을 공급하고, 그것을 되풀이 함으로써 제2 챔버 내에서 복수의 처리액에 의한 처리를 연속해서 수행할 수 있다.According to the present invention, when the processing is performed in the second chamber, the processing liquid is placed by the elevating means in the vicinity of the collecting means responsible for the recovery of the processing liquid, and then the processing liquid is supplied and repeated. The process by a plurality of process liquids can be performed continuously in a 2nd chamber.

공급된 처리액은 회수 수단에 의해 처리액마다 회수된다.The supplied processing liquid is recovered for each processing liquid by the recovery means.

이에 의해, 위험성이 높은 처리액 등에 의한 처리는 제1 챔버에서 독립적으로 수행함으로써 안전성 등을 확보하는 한편, 위험성의 낮은 처리액 등에 의한 처리에 대해서는 제2 챔버 내에서 연속해서 수행함으로써 신속한 처리가 가능하게 된다.As a result, treatment with a high-risk treatment liquid or the like is independently performed in the first chamber to ensure safety and the like, while treatment with a low-risk treatment liquid or the like is continuously performed in the second chamber to enable rapid treatment. Done.

상기 유지 수단에는, 하면에 오목부 또는 볼록부가 설치되고 있는 것을 특징으로 한다.The said holding means is provided with the recessed part or convex part in the lower surface.

본 발명에 따르면, 피처리물에 공급된 처리액이 유지 수단을 타고 흘러도, 상기 타고 흐르는 처리액은, 유지 수단의 하면에 설치되는 볼록부 또는 오목부에 도달해서 낙하한다.According to this invention, even if the process liquid supplied to the to-be-processed object flows through a holding means, the process liquid which flows in and rides reaches and falls in the convex part or recessed part provided in the lower surface of a holding means.

이에 의해, 처리액이 유지 수단의 하면이나 하면에 연속해서 배치되는 승강 수단 등의 부재로 넓어지는 것을 억제할 수 있고, 타고 흐르는 처리액에 의한 장치 의 부식 등을 방지할 수 있다.As a result, the processing liquid can be prevented from being widened by members such as lifting means or the like disposed continuously on the lower surface or the lower surface of the holding means, and corrosion of the apparatus due to the flowing processing liquid can be prevented.

상기 제2 챔버는, 상기 제1 챔버의 상방에 위치하고 있어, 상기 개구부에 있어서 처리액을 회수 가능하게 하고 또한 상기 개구부를 폐쇄하는 방향 및 개방하는 방향으로 동작할 수 있는 가동식 회수 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.The second chamber is located above the first chamber and includes movable recovery means capable of recovering the processing liquid in the opening and operating in a direction of closing and opening the opening. It features.

본 발명에 따르면, 가동식 회수 수단을, 개구부를 폐쇄하는 방향으로 동작시켜서 위치 시키면, 제2 챔버 내의 처리액을 개구부로부터 유출 시키지 않게 회수할 수 있고, 또한, 개구부를 개방하는 방향으로 동작시켜서 위치 시키면, 개구부가 넓어져 유지 수단의 통과가 가능하게 된다.According to the present invention, when the movable recovery means is located in the direction of closing the opening, the movable liquid can be recovered so that the processing liquid in the second chamber does not flow out of the opening, and the operating recovery means is located in the direction of opening the opening. The opening is widened to allow passage of the holding means.

제2 챔버 내에서 사용되는 처리액이 복수이여도 가동식 회수 수단은 개구부에만 설치하여도 무방하고, 간단한 구성 및 제어로 처리액을 회수할 수 있다.Even if there are a plurality of treatment liquids used in the second chamber, the movable recovery means may be provided only in the opening portion, and the treatment liquid can be recovered by a simple configuration and control.

상기 유지 수단에는 하면에 오목부 또는 볼록부가 설치되고, 상기 제2 챔버는, 상기 제1 챔버의 상방에 위치하고 있어, 상기 개구부에서 처리액을 회수 가능하게 하고 또한 상기 개구부를 폐쇄하는 방향 및 개방하는 방향으로 동작할 수 있는 가동식 회수 수단을 구비하고, 상기 볼록부 또는 오목부는, 상기 가동식 회수 수단이 폐쇄하는 방향으로 동작해서 위치 했을 때에, 상기 가동식 회수 수단에 대향하는 위치에 설치되고 있는 것을 특징으로 한다.The holding means is provided with a concave portion or a convex portion at a lower surface thereof, and the second chamber is located above the first chamber so as to be able to recover the processing liquid from the opening portion and to close and open the opening portion. A movable recovery means capable of operating in a direction, wherein the convex portion or the recessed portion is provided at a position opposite to the movable recovery means when the movable recovery means is positioned and operated in the closing direction. do.

본 발명에 따르면, 가동식 회수 수단이 폐쇄하는 방향에 동작해서 위치 했을 때에, 유지 수단에는 가동식 회수 수단에 대향하는 위치에 볼록부 또는 오목부가 설치되어 있기 때문에, 타고 흐른 처리액은 볼록부 또는 오목부로부터 가동식 회수 수단으로 낙하해서 회수된다.According to the present invention, when the movable recovery means is positioned in the closing direction, the holding means is provided with a convex portion or a recess at a position opposite to the movable recovery means. Is dropped into the movable recovery means and recovered.

이에 의해, 타고 흐르는 처리액이 넓어지는 것을 방지하는 동시에, 그 처리액을 회수할 수 있다.Thereby, while spreading the process liquid flowing through, it can collect | recover the process liquid.

본 발명의 웨트 처리 장치에 의하면, 제1 챔버의 개폐 수단을 닫힘 상태로 하면, 제1 챔버 내부의 처리액 및 처리액으로부터 발생하는 미스트나 기체가 외부에 유출하거나, 제2 챔버의 처리액 등이 제1 챔버 내에 유입하는 사태를 방지할 수 있다.According to the wet processing apparatus of the present invention, when the opening / closing means of the first chamber is in the closed state, mist or gas generated from the processing liquid and the processing liquid inside the first chamber flows out to the outside, or the processing liquid of the second chamber, or the like. The situation which flows into this 1st chamber can be prevented.

이에 의해, 고휘발성, 가연성, 인화성, 폭발성, 반응성의 처리액이나 유해물질을 포함하는 처리액 등을 이용한 처리를 수행하는 경우에도, 이들 처리를 제1 챔버에서 수행함으로써, 피처리물, 웨트 처리 장치 자체, 인체로의 악영향을 방지할 수 있다.Thus, even in the case where the treatment using a highly volatile, flammable, flammable, explosive, reactive treatment liquid or a treatment liquid containing noxious substances is performed, these treatments are carried out in the first chamber, whereby the target object and the wet treatment are performed. It is possible to prevent adverse effects on the device itself and the human body.

예를 들어, 처리액이 유입해서 피처리물 표면에 불필요한 반응물이 생성되거나, 처리액이 외부 장치에 부착되어 인화나 폭발을 일으키거나, 유해 성분을 포함하는 처리액이 휘발해서 인체의 안전을 손상시키는 등의 사태가 방지된다.For example, the inflow of treatment liquid creates unnecessary reactants on the surface of the workpiece, the treatment liquid is attached to an external device to cause ignition or explosion, or the treatment liquid containing harmful components volatilizes, thereby impairing the safety of the human body. It is possible to prevent such a situation.

그리고, 본 발명은 매엽식을 채용해서 그 이점을 살리면서도, 피처리물의 회전에 의해 처리액이 쉽게 비산하거나, 처리액이 미스트나 기체가 되어서 유출/ 유입하기 쉽다는 결점을 해소하고 있어, 매엽식 웨트 처리 장치의 비약적인 성능 향상이 도모된다.In addition, the present invention eliminates the drawback that the process liquid is easily scattered due to the rotation of the processing object or the process liquid becomes a mist or a gas and easily flows out / inflows while taking advantage of the single leaf type. A drastic performance improvement of the lobe wet processing apparatus is aimed at.

또한, 본 발명은 침지식이 아닌 매엽식인 것에 의해, 상기 효과가 더 한층 발휘된다.Moreover, the said effect is further exhibited by this invention being a sheet type instead of an immersion type.

가령 제1 챔버와 제2 챔버에서의 웨트 처리를 침지식으로 하면, 이하와 같은 문제가 발생한다.For example, when the wet processing in the first chamber and the second chamber is immersed, the following problem occurs.

(1) 피처리물은, 제1 챔버 또는 제2 챔버에서 처리액에 침지되어, 그 처리액이 지나치게 부착된 상태 그대로 챔버로부터 반출되기 때문에, 지나친 처리액이 챔버 외부로 유출한다.(1) The to-be-processed object is immersed in the processing liquid in the first chamber or the second chamber, and is discharged from the chamber as the processing liquid is excessively attached, so that the excessive processing liquid flows out of the chamber.

(2) 이렇게 한쪽의 챔버의 처리액이 지나치게 부착된 상태 그대로의 피처리물을 다른 쪽의 챔버에 반입하면, 한쪽의 챔버의 처리액이 다른 쪽의 챔버에 유입한다.(2) When the to-be-processed object in the state in which the process liquid of one chamber was attached too much in this way to the other chamber, the process liquid of one chamber flows into the other chamber.

(3) 이러한 점을 회피하기 위해서, 피처리물을 방치해서 지나친 처리액을 휘발 제거시킨다면, 방치 시간의 분 만큼 처리 시간이 길어진다.(3) In order to avoid such a point, when the to-be-processed object is left to volatilize and remove the process liquid, the processing time becomes long by the minutes of the standing time.

이에 대하여 본 발명은, 각 챔버에서의 웨트 처리를 매엽식으로 하여 다음의 효과를 얻을 수 있다.In contrast, according to the present invention, the wet treatment in each chamber is a single sheet type, and the following effects can be obtained.

(1) 제1 챔버 및 제2 챔버 중 어느 쪽이라도, 피처리물의 회전에 의해 지나친 처리액이 제거되기 때문에, 각 챔버 외부로의 피처리물의 반출 시에 있어서 처리액의 지나친 유출을 방지할 수 있다.(1) In either of the first chamber and the second chamber, the excessive processing liquid is removed by the rotation of the processing target object, so that excessive discharge of the processing liquid at the time of carrying out the processing object to the outside of each chamber can be prevented. have.

(2) 또한, 상기 회전에 의한 지나친 처리액의 제거에 의해, 한쪽의 챔버의 처리액이 다른 쪽의 챔버에 지나치게 유입하는 사태도 방지된다.(2) Furthermore, the removal of the excessive process liquid by the said rotation prevents the situation which the process liquid of one chamber flows into the other chamber too much.

(3) 과잉의 처리액의 유출이나 유입이 회피되기 때문에, 피처리물을 방치 하는 시간도 불필요하게 되고, 처리 시간이 길어지는 일도 없다.(3) Since the outflow or inflow of excess treatment liquid is avoided, the time for leaving the object to be processed is unnecessary, and the processing time does not become long.

또한, 제2 챔버 내에 유지 수단의 이동 경로를 따라 복수의 회수 수단을 설 치함으로써, 고위험성의 처리액 등에 의한 처리에 대해서는 제1 챔버에서 독립적으로 수행하면서도, 다른 처리액에 의한 처리에 대해서는 제2 챔버에서 연속해서 수행할 수 있어, 처리 시간의 억제가 도모된다.In addition, by installing a plurality of recovery means along the movement path of the holding means in the second chamber, the treatment with the high-risk treatment liquid or the like is independently performed in the first chamber, while the treatment with the other treatment liquid is removed. It can carry out continuously in two chambers, and the processing time can be suppressed.

또한, 제2 챔버의 개구부에 가동식 회수수단을 마련함으로써, 개구부로부터의 처리액의 유출을 방지할 수 있다.Further, by providing the movable recovery means in the opening of the second chamber, it is possible to prevent the outflow of the processing liquid from the opening.

제2 챔버내에서 사용되는 처리액이 복수이여도 가동식 회수 수단은 개구부에만 설치하여도 무방하고, 간단한 구성 및 제어로 처리액을 회수할 수 있다.Even if there are a plurality of treatment liquids used in the second chamber, the movable recovery means may be provided only in the opening portion, and the treatment liquid can be recovered by a simple configuration and control.

또한, 유지 수단의 하면에 오목부 또는 볼록부를 형성하는 것으로, 타고 흐르는 처리액이 그 오목부 또는 볼록부에 도달해서 낙하하기 때문에, 타고 흐르는 처리액이 넓어지는 것을 억제할 수 있고, 처리액으로부터 장치를 보호해서 부식이나 고장 등의 발생을 방지할 수 있다.In addition, by forming a recessed portion or a convex portion on the lower surface of the holding means, since the process liquid flowing through reaches and falls to the recessed or convex portion, it is possible to suppress the spreading of the process liquid flowing through the process liquid. The device can be protected to prevent corrosion or breakdown.

제1 실시 형태First embodiment

이하, 피처리물로서 반도체 웨이퍼를 예시하여 본 실시 형태의 웨트 처리 장치(S1)에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the wet processing apparatus S1 of this embodiment is demonstrated in detail, exemplifying a semiconductor wafer as a to-be-processed object.

도 1(a), 도 1(b), 도 1(c)는, 본 발명의 웨트 처리 장치(S1)의 내부구조를 도시하는 도면이다.1 (a), 1 (b) and 1 (c) are diagrams showing the internal structure of the wet processing apparatus S1 of the present invention.

웨트 처리 장치(S1)는, 유지 수단(3)에 유지된 반도체 웨이퍼(W)를 회전시키면서 단계적으로 복수의 처리액을 공급하여 웨트 처리하는 매엽식의 웨트 처리 장치이며, 제1 챔버(1)와, 그 상측에 배치되는 제2 챔버(2)를 구비한다.The wet processing apparatus S1 is a single wafer type wet processing apparatus for supplying a plurality of processing liquids in a stepwise manner and wet processing while rotating the semiconductor wafer W held by the holding means 3, and the first chamber 1. And a second chamber 2 disposed above it.

또한, 유지 수단(3)을 하방으로부터 지지해서 승강시키는 승강 수단(4)과, 유지 수단(3)을 회전시키는 회전 수단(5)과, 제1 챔버(1)에서 처리액을 공급하는 제1 공급 수단(6)과, 제2 챔버(2)에서 처리액을 공급하는 제2 공급 수단(7)을 구비한다.Moreover, the elevating means 4 which supports and elevates the holding means 3 from below, the rotating means 5 which rotates the holding means 3, and the 1st process which supplies a process liquid from the 1st chamber 1, The supply means 6 and the 2nd supply means 7 which supply a process liquid from the 2nd chamber 2 are provided.

제1 챔버(1)는 상면부와 하면부와 측면부를 갖는 대략 원통 형상의 하우징이며, 제2 챔버(2)에 대향하는 위치, 즉 상면부의 중앙 부근에 개구부(1a)를 갖는다.The 1st chamber 1 is a substantially cylindrical housing which has an upper surface part, a lower surface part, and a side part, and has the opening part 1a in the position which opposes the 2nd chamber 2, ie near the center of an upper surface part.

개구부(1a)에는 그 개구부(1a)를 개폐하는 개폐 수단(1b)이 설치되어 있고, 닫힘 상태일 때에 제1 챔버(1)의 내부와 외부가 차단되어 제1 챔버(1) 내부가 밀폐 상태가 되고, 열림 상태일 때에 개구부(1a)를 개방해서 유지 수단(3)에 의해 유지된 반도체 웨이퍼(W)의 통과를 가능하게 한다.The opening part 1a is provided with the opening-closing means 1b which opens and closes the opening part 1a, and when it is closed, the inside and the exterior of the 1st chamber 1 are cut off, and the inside of the 1st chamber 1 is sealed. In the open state, the opening 1a is opened to allow passage of the semiconductor wafer W held by the holding means 3.

개폐 수단(1b)은, 양쪽 개방의 슬라이드식 셔터이지만, 예를 들어, 힌지에서 개폐하는 도어이더라도 무방하고, 그 형태는 임의이다.Although the opening / closing means 1b is a sliding shutter of both openings, it may be a door which opens and closes by a hinge, for example, and the form is arbitrary.

본 실시 형태와 같이, 승강 수단(4)이 유지 수단(3)을 하방으로부터 지지할 경우, 개폐 수단(1b)은, 닫힘 상태일 때에 승강 수단(4)을 관통시키는 관통 구멍(1c)을 형성하고, 상기 관통 구멍(1c)을 개폐하는 기구를 구비하는 것이 바람직하다.As in the present embodiment, when the elevating means 4 supports the holding means 3 from below, the opening and closing means 1b forms a through hole 1c that allows the elevating means 4 to penetrate when in the closed state. It is preferable to provide a mechanism for opening and closing the through hole 1c.

이를 실현하는 구체적 구성은 임의이며, 도 1 및 도 2는 그 일례이다.The specific structure which implements this is arbitrary, and FIG. 1 and FIG. 2 are an example.

도 2(a), 도 2(b), 도 2(c)는, 개폐 수단(1b)의 상면도이며, 도 2(a)는 관통 구멍(1c)을 열린 상태, 도 2(b)는 관통 구멍(1c)을 폐쇄한 상태, 도 2(c)는 개 구부(1a)를 개방했을 때의 상태를 도시한다.2 (a), 2 (b) and 2 (c) are top views of the opening and closing means 1b, and Fig. 2 (a) shows a state where the through hole 1c is opened, and Fig. 2 (b) shows that 2 (c) shows a state when the opening 1a is opened while the through hole 1c is closed.

개폐 수단(1b)은, 제1 개폐 수단(1b1)과 제2 개폐 수단(1b2)을 구비하고, 제1 개폐 수단(1b1)은 한쪽의 부재와 다른 쪽의 부재가 합쳐진 닫힘 상태 시에 중앙 부근에 관통 구멍(1c)을 형성하고, 제2 개폐 수단(1b2)은 제1 개폐 수단(1b1)의 상면에서 슬라이드 이동해서 관통 구멍(1)을 개폐하는 기능을 갖춘다.The opening-closing means 1b is equipped with the 1st opening-closing means 1b1 and the 2nd opening-and-closing means 1b2, and the 1st opening-and-closing means 1b1 is near the center in the closed state which the one member and the other member joined together. The through hole 1c is formed in the second opening, and the second opening and closing means 1b2 has a function of sliding the opening and closing hole 1 by moving on the upper surface of the first opening and closing means 1b1.

승강 수단(4)이 유지 수단(3)을 상방으로부터 현수하여 승강시키는 현수형(hanger)인 경우에는, 관통 구멍(1c)은 불필요하게 되고, 개폐 수단(1b)은 닫힘 상태 시에 개구부(1a)를 밀폐 가능한 것이면 어떠한 것이라도 무방하다.In the case where the lifting means 4 is a hanger that suspends and holds the holding means 3 from above, the through hole 1c becomes unnecessary, and the opening and closing means 1b opens in the closed state 1a. ) Can be sealed as long as it can be sealed.

제1 챔버(1)의 저부에는, 처리액을 배출하는 배출 수단(1d)을 구비한다.The bottom part of the 1st chamber 1 is equipped with the discharge means 1d which discharges a process liquid.

배출 수단(1d)으로부터 배출된 처리액은 리사이클용 탱크에 복귀되어서 재이용되어도 무방하다.The processing liquid discharged from the discharge means 1d may be returned to the recycling tank and reused.

배출 효율의 관점에서, 제1 챔버(1)의 하면부 내벽은 배출 수단(1d) 측으로 경사지는 것이 바람직하다.In view of the discharge efficiency, the inner wall of the lower surface portion of the first chamber 1 is preferably inclined toward the discharge means 1d.

또한, 제1 챔버(1)에는 내부 분위기를 배기해서 크린 상태로 하는 배기 수단(1e)이 설치되고 있는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the exhaust means 1e which exhausts an internal atmosphere and makes it the clean state is provided in the 1st chamber 1.

또한, 제1 챔버(1)는, 처리액에 대하여 내구성이 높은 부재, 예를 들어 고온의 강 산성 처리액에도 견딜 수 있는 내약품성, 내 고온도성이 있는 PFA 등 불소계 플라스틱 재료 등으로 구성되는 것이 바람직하다.Further, the first chamber 1 is composed of a member having high durability to the processing liquid, for example, a fluorine-based plastic material such as PFA having chemical resistance and high temperature resistance that can withstand high temperature and strong acid processing liquid. desirable.

제2 챔버(2)는, 제1 챔버(1)와 대략 동일한 직경의 원통 형상의 하우징이며, 제1 챔버(1)의 상방에 있어서 대략 동축이 되는 위치에 배치된다.The second chamber 2 is a cylindrical housing having a diameter substantially the same as that of the first chamber 1, and is disposed at a position that becomes substantially coaxial above the first chamber 1.

제1 챔버(1)에 대향하는 위치, 즉 하면부 중앙 부근에는 개구부(2a)가 설치되어 있고, 그것은 제2 챔버(2) 내에서 유지 수단(3)이 상하 방향으로 이동하기 위한 이동 경로(2b)와 이어지고 있다.The opening 2a is provided in a position facing the first chamber 1, that is, near the center of the lower surface portion, which is a movement path for the holding means 3 to move in the up and down direction in the second chamber 2 ( 2b).

제2 챔버(2)의 상면부에는, 이동 경로(2b)와 이어지는 상방 개구부(2e)가 설치되어 있고, 이 상방 개구부(2e)가 통기구의 기능을 완수하는 것에 의해, 내부 분위기를 고효율, 동시에 고레벨로 크린화 가능하게 되어 있다.The upper opening part 2e connected to the movement path 2b is provided in the upper surface part of the 2nd chamber 2, and this upper opening part 2e completes the function of an air vent, and makes an internal atmosphere high efficiency and simultaneously, It is possible to clean at a high level.

제2 챔버(2)에는 이동 경로(2b)에 따라, 처리액을 회수하는 회수 수단(2c)이 소정 간격으로 복수 설치되고 있다.A plurality of recovery means 2c for recovering the processing liquid are provided in the second chamber 2 at predetermined intervals along the movement path 2b.

회수 수단(2c)은, 처리액을 처리액마다 회수 가능한 것이면, 어떤 것이라도 무방하고, 본 실시 형태에서는, 제2 챔버(2)의 측면부 내벽으로부터 돌출되도록 평면 도넛 형상의 판 형상 부재가 동심원 형상으로 설치되어 구성되고 있다.The recovery means 2c may be any one as long as it can recover the processing liquid for each processing liquid. In this embodiment, the planar donut-shaped plate member is concentric in shape so as to protrude from the inner wall of the side part of the second chamber 2. It is installed and configured.

본 실시 형태에서는, 복수(3개)의 회수 수단(2c)이 설치되고, 이에 의해 제2 챔버(2) 내를 복수(3개)의 영역으로 구획하고, 그 영역마다 담당의 처리(예를 들어, 산성 처리액에 의한 처리, 알카리성 처리액에 의한 처리, 린스 처리 및 건조)가 정해져 있다.In this embodiment, plural (three) recovery means 2c are provided, thereby partitioning the inside of the 2nd chamber 2 into plural (three) areas, and the process in charge for each area | region (for example, For example, treatment with an acidic treatment liquid, treatment with an alkaline treatment liquid, rinse treatment and drying) are determined.

회수 수단(2c)은, 이동 경로(2b)측이 높아지도록 경사 시키고, 또한 이동 경로(2b) 측단부에 상향의 돌기를 형성해서 단면 L자형 모양으로 하고, 처리액이 이동 경로(2b)로 유출하기 어렵게 하는 것이 바람직하다.The recovery means 2c is inclined so that the movement path 2b side becomes high, and an upward protrusion is formed at the side end of the movement path 2b so as to have an L-shaped cross section, and the processing liquid is moved to the movement path 2b. It is desirable to make it difficult to spill.

또한, 각 회수 수단(2c)에 의해 회수된 처리액을 배출하는 배출 수단(도시 생략)을 구비하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to provide the discharge means (not shown) which discharges the process liquid collect | recovered by each collection means 2c.

또한, 판 형상의 각 회수 수단(2c)에, 구획되는 영역마다 혹은 복수 영역에 걸쳐서 내부 분위기를 배기하는 배기 수단(2d)을 구비하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to provide the exhaust means 2d which exhausts an internal atmosphere for each area | region divided or over several area | regions in each plate-shaped collection | recovery means 2c.

또한, 제1 챔버(1)와 제2 챔버(2)는 양 챔버(1, 2)의 위치를 고정하는 고정 수단(도시 생략)에 의해 위치가 결정되고 있어, 제1 챔버(1)와 제2 챔버(2) 사이에는 소정의 거리가 마련되고 있다.In addition, the position of the 1st chamber 1 and the 2nd chamber 2 is determined by the fixing means (not shown) which fixes the position of both chambers 1 and 2, and the 1st chamber 1 and the 1st chamber A predetermined distance is provided between the two chambers 2.

또한, 양 챔버(1, 2)는 고정 수단에 착탈 가능하게 설치되어 있는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that both chambers 1 and 2 are attached to the fixing means in a detachable manner.

이에 의해, 한쪽의 챔버(1 또는 2)를 교환하고 싶은 경우에는, 고정 수단으로부터 제거하기를 원하는 챔버(1 또는 2) 만을 교환하는 것이 가능하게 된다.Thus, when one chamber 1 or 2 is to be replaced, only the chamber 1 or 2 desired to be removed from the fixing means can be replaced.

특히, 제1 챔버는, 강 산성 처리액에 의한 부식 등이 쉽게 발생하여, 제2 챔버에 비해서 수명이 짧아지는 경향이 있지만, 이에 따라 제2 챔버(2)는 계속해서 사용하고, 제1 챔버(1) 만을 교환하는 것이 가능하게 된다.In particular, the first chamber tends to easily generate corrosion and the like due to the strong acid treatment liquid and have a shorter lifetime than the second chamber. However, the second chamber 2 continues to be used, and thus the first chamber is used. (1) It becomes possible to exchange only.

유지 수단(3)은, 반도체 웨이퍼(W)를 처리면이 노출되도록 하방으로부터 유지하는 기능을 갖춘다.The holding means 3 has a function of holding the semiconductor wafer W from below to expose the processing surface.

유지 수단(3)은, 본 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(W)와 대략 동일한 직경의 원반 형상이지만, 그 형상은 어떠한 것이라도 무방하다.Although the holding means 3 is a disk shape of the diameter substantially the same as the semiconductor wafer W in this embodiment, the shape may be anything.

승강 수단(4)은, 제1 챔버(1)와 제2 챔버(2)의 사이에서 두 개의 개구부(1a, 2a)를 통해서 반도체 웨이퍼(W)를 승강시키는 기능을 갖는다.The elevating means 4 has a function of elevating the semiconductor wafer W through the two openings 1a and 2a between the first chamber 1 and the second chamber 2.

상세하게는, 승강 수단(4)은, 지지축 형상이며, 제1 챔버(1)의 하방으로부터 제1 챔버(1)의 하면부를 관통하고, 유지 수단(3)의 하면 중앙을 축 지지하고, 신축(伸縮) 등에 의해 유지 수단(3)을 승강 가능하게 하고 있다.Specifically, the lifting means 4 has a support shaft shape, penetrates the lower surface portion of the first chamber 1 from below the first chamber 1, and axially supports the center of the lower surface of the holding means 3, The holding means 3 can be moved up and down by expansion and contraction.

제1 챔버(1)에서의 승강 수단(4)의 관통 개소는 빈틈없이 밀폐되고 있어, 처리액이나 기체가 누출할 일은 없다.The penetration point of the elevating means 4 in the first chamber 1 is sealed tightly, and no processing liquid or gas leaks out.

회전 수단(5)은, 지지축 형상의 승강 수단(4)의 아래쪽으로 배치되는 모터 등이며, 승강 수단(4)을 통해서 동력을 유지 수단(3)에 전달하는 것에 의해, 유지 수단(3)을 회전시키는 기능을 갖춘다.The rotation means 5 is a motor etc. which are arrange | positioned under the support shaft lifting means 4, The holding means 3 is transmitted by transmitting power to the holding means 3 via the lifting means 4. It has the ability to rotate.

제1 공급 수단(6)은, 유지 수단(3)이 제1 챔버(1)에 위치 했을 때에, 유지 수단(3)에 유지되는 반도체 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하는 기능을 구비하고, 제2 공급 수단(7)은, 유지 수단(3)이 제2 챔버(2)에 위치 했을 때에, 유지 수단(3)에 유지되는 반도체 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하는 기능을 갖춘다.The first supply means 6 has a function of supplying the processing liquid to the semiconductor wafer W held by the holding means 3 when the holding means 3 is located in the first chamber 1, The second supply means 7 has a function of supplying the processing liquid to the semiconductor wafer W held by the holding means 3 when the holding means 3 is located in the second chamber 2.

어느 쪽의 공급 수단(6, 7)도 챔버 외부로부터 내부에 도입되는 노즐로 구성되고 있다.Either supply means 6 and 7 are comprised by the nozzle introduce | transduced inside from the chamber exterior.

제1 공급 수단(6)은, 제1 챔버(1)를 관통하도록 설치되어 있고, 수평 방향에서의 위치나 처리액의 배출 타이밍을 제어 가능하게 되어 있다.The 1st supply means 6 is provided so that the 1st chamber 1 may penetrate, and it is possible to control the position in a horizontal direction, and the discharge timing of a process liquid.

관통 개소는 빈틈없이 밀폐되어, 미스트나 기체가 누출하지 않게 되어 있다.The penetration point is sealed tightly so that mist and gas do not leak.

제2 공급 수단(7)은, 제2 챔버(2)의 상방 개구부(2e)를 이용해서 내부에 삽입되고 있어, 높이 위치 및 배출되는 처리액의 종류나 배출 타이밍이 제어 가능하게 되어 있다.The 2nd supply means 7 is inserted inside using the upper opening 2e of the 2nd chamber 2, and the height position and the kind of discharged process liquid, and discharge timing are controllable.

웨트 처리 장치(S1)는, 다음과 같이 이용된다.The wet processing apparatus S1 is used as follows.

장치, 반도체 웨이퍼(W), 인체 등에 악영향을 끼칠 수 있는 처리액을 이용하는 처리는 제1 챔버(1)에서 수행하고(도 1(a)), 그 밖의 처리액을 이용하는 처리는 제2 챔버(2)에서 수행한다(도 1(b)).The processing using the processing liquid which may adversely affect the apparatus, the semiconductor wafer W, and the human body is performed in the first chamber 1 (Fig. 1 (a)), and the processing using the other processing liquid is performed in the second chamber ( 2) (FIG. 1 (b)).

제1 챔버(1)에서 이용하는 처리액으로서는, (1) 자연 발화성 및 금수성(禁水性)의 것(공기중에서 발화의 위험성을 갖는 것 또는 물과 접촉해서 발화되고, 혹은 가연성 가스를 발생하는 위험성을 갖는 것), (2) 인화성의 것, (3) 자기 반응성의 것(폭발의 위험을 갖는 것 또는 과열 분해가 심한 것), (4) 산화성의 것(액체이며 산화력의 잠재적인 위험성을 갖는 것) 등의 처리액을 예시할 수 있다.Examples of the treatment liquid used in the first chamber 1 include (1) spontaneous ignition and emphysema (risk of ignition in the air or the risk of igniting in contact with water or generating flammable gas). ), (2) flammable, (3) self-reactive (with risk of explosion or severe overheating), (4) oxidative (liquid and with potential risk of oxidizing power) Treatment liquids such as

또한, 인체의 건강을 저해하거나, 반도체 웨이퍼(W)나 장치를 변질되게 하는 등, 독물이나 극물로서 작용하는 성분을 포함하는 처리액을 예시할 수 있다.Moreover, the processing liquid containing the component which acts as a poison or a foreign substance, such as impairing the health of a human body or making the semiconductor wafer W or an apparatus deteriorate, can be illustrated.

이들에는, 적어도, 소방법에 정해지는 위험물이나, 유해화학물질관리법에 정해지는 독물이나 극물을 성분으로 하는 처리액이나, 화학물질의 심사 및 제조 등의 규제에 관한 법률 등에 정해지는 특정 화학물질을 성분으로 하는 처리액이 포함된다.These include, at least, certain dangerous substances determined by the Fire Services Act, treatment liquids composed of poisons and minerals determined by the Toxic Chemical Substances Control Act, and specific chemical substances determined by laws such as regulations on the examination and manufacture of chemical substances. The processing liquid to be contained is included.

또한, 다른 처리액과 반응해서 반응 생성물을 생성하고, 반도체 웨이퍼(W)나 장치를 오염시키는 처리액도 포함된다.Also included is a processing liquid that reacts with another processing liquid to produce a reaction product and contaminate the semiconductor wafer W or the device.

이들의 처리액을 이용하는 경우에는, 도 1(a)에 도시한 바와 같이 유지 수단(3)에 유지된 반도체 웨이퍼(W)를 제1 챔버(1) 내에 위치시켜, 개폐 수단(1b)을 닫힘 상태라고 한다.When using these process liquids, as shown to Fig.1 (a), the semiconductor wafer W hold | maintained by the holding means 3 is located in the 1st chamber 1, and the opening-closing means 1b is closed. It is called state.

개폐 수단(1b)이 관통 구멍(1c)을 형성할 경우에는 상기 관통 구멍(1c)도 닫힘 상태라고 한다.When the opening-closing means 1b forms the through hole 1c, the said through hole 1c is also called a closed state.

그 후에, 회전 수단(5)에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 제1 공급 수단(6)에 의해 처리액을 공급한다.Thereafter, the processing liquid is supplied by the first supply means 6 while rotating the semiconductor wafer W by the rotation means 5.

제1 챔버(1)는 개폐 수단(1b)에 의해 외부와 내부가 차단되어 있기 때문에, 제1 챔버(1) 내의 처리액 및 처리액으로부터 발생하는 미스트나 기체가 외부에 유출하는 일이 없다.Since the outside and the inside of the 1st chamber 1 are interrupted | blocked by the opening-closing means 1b, the mist and the gas which generate | occur | produce from the process liquid and process liquid in the 1st chamber 1 do not flow out.

기타의 처리액 등을 이용하는 경우에는, 도 1(b)에 도시한 바와 같이 유지 수단(3)에 유지된 반도체 웨이퍼(W)를 제2 챔버(2) 내에 위치시켜, 제1 챔버(1)의 개폐 수단(1b)을 닫힘 상태라고 한다.When using other processing liquids or the like, the semiconductor wafer W held by the holding means 3 is placed in the second chamber 2 as shown in FIG. The opening-closing means 1b of this is called closed state.

개폐 수단(1d)이 관통 구멍(1c)을 형성하는 경우에는, 제1 개폐 수단(1b1)은 닫힘 상태로 하고, 또한 제2 개폐 수단(1b2)은 열림 상태로 하여 승강 수단(4)을 관통 구멍(1c)으로 관통시킨다.When the opening / closing means 1d forms the through hole 1c, the first opening / closing means 1b1 is closed and the second opening / closing means 1b2 is opened. It penetrates through the hole 1c.

그 후에, 회전 수단(5)에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 제2 공급 수단(7)에 의해 처리액을 공급한다.Thereafter, the processing liquid is supplied by the second supply means 7 while rotating the semiconductor wafer W by the rotation means 5.

제1 챔버(1)는 개폐 수단(1b)에 의해 외부와 내부가 차단되어 있기 때문에, 제2 챔버(2) 내의 처리액 및 처리액으로부터 발생하는 미스트나 기체가 제1 챔버(1) 내에 유입하는 일이 없다.Since the outside and the inside of the first chamber 1 are blocked by the opening and closing means 1b, mist or gas generated from the processing liquid and the processing liquid in the second chamber 2 flows into the first chamber 1. There is nothing to do.

이때, 사용하는 처리액에 따라, 상기 처리액의 회수를 담당하는 회수 수단(2c)의 부근(상기 회수 수단(2c)을 하측의 구획으로 하는 영역의 부근)에 반도체 웨이퍼(W)를 가깝게 하고 나서 처리액의 공급을 수행한다.At this time, depending on the processing liquid to be used, the semiconductor wafer W is brought close to the vicinity of the recovery means 2c (the vicinity of the region where the recovery means 2c is the lower partition) responsible for the recovery of the processing liquid. Then, the processing liquid is supplied.

회수 수단(2c)에 반도체 웨이퍼(W)를 가까이 함에 따라, 처리액이나 처리액으로부터 발생하는 미스트를 정해진 회수 수단(2c)으로 회수할 수 있을 뿐만 아니라 동시에, 회수율을 높일 수 있다.By bringing the semiconductor wafer W closer to the recovery means 2c, not only can the mist generated from the processing liquid or the processing liquid be recovered by the predetermined recovery means 2c, but also the recovery rate can be increased.

또한, 배기 수단(2d)에 의해 내부 분위기를 배기함으로써, 제2 챔버(2) 내의 분위기를 크린 상태에 유지하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to keep the atmosphere in the second chamber 2 in a clean state by exhausting the internal atmosphere by the exhaust means 2d.

이때, 본 실시 형태의 제2 챔버(2)와 같이 상방 개구부(2e)를 갖는다면, 이것이 통기구의 역할을 수행하여 크린 상태를 고레벨 또한 고효율로 실현할 수 있다.At this time, if it has the upper opening 2e like the 2nd chamber 2 of this embodiment, this can act as a vent and can implement a clean state with high level and high efficiency.

또한, 비반응성이나 저휘발성 등의 처리액에 의한 처리를 연속해서 복수 수행하는 경우에는, 제2 챔버(2) 내에서 연속해서 수행한다.In addition, in the case where a plurality of treatments with a treatment liquid such as non-reactivity or low volatility are carried out continuously, the second chamber 2 is continuously performed.

예를 들어, 처리액 a 후에 처리액 b를 이용하는 경우, 반도체 웨이퍼(W)를, 우선 처리액 a의 회수를 담당하는 회수 수단(2c)의 부근에 배치해서 처리액 a를 공급하고, 다음에, 처리액 b의 회수를 담당하는 회수 수단(2c)의 부근에 배치해서 처리액 b를 공급한다.For example, when the processing liquid b is used after the processing liquid a, the semiconductor wafer W is first placed in the vicinity of the recovery means 2c that is responsible for the recovery of the processing liquid a, and then the processing liquid a is supplied. It arrange | positions in the vicinity of the collection | recovery means 2c which collect | recovers the process liquid b, and supplies the process liquid b.

이때의 반도체 웨이퍼(W)의 이동은 제2 챔버(2) 내의 상하 이동뿐이며, 고위험성의 처리액 등은 제1 챔버(1)에서 독립적으로 수행하면서도, 제2 챔버(2)내에서는 처리가 신속하게 수행되고 처리 시간의 억제가 도모된다.At this time, the movement of the semiconductor wafer W is only an up and down movement in the second chamber 2, while a high-risk treatment liquid or the like is independently performed in the first chamber 1, the processing is performed in the second chamber 2. It is performed quickly and suppression of processing time is achieved.

제1 챔버(1)와 제2 챔버(2) 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킬 때에는, 도 1(c)에 도시한 바와 같이 각 공급 수단(6, 7)으로부터의 처리액의 공급을 정지하고, 제1 공급 수단(6)을 반도체 웨이퍼(W)의 이동 경로로부터 벗어나는 위치에 이동시키고, 제1 챔버(1)의 개폐 수단(1b)을 열림 상태로 하여 유지 수단(3)을 승강시킨다.When the semiconductor wafer W is moved between the first chamber 1 and the second chamber 2, the supply of the processing liquid from the respective supply means 6, 7 as shown in FIG. 1C. It stops, moves the 1st supply means 6 to the position which deviates from the movement path of the semiconductor wafer W, and raises and lowers the holding means 3 with opening / closing means 1b of the 1st chamber 1 open. Let's do it.

개폐 수단(1b)을 열림 상태로 하여도, 처리액의 공급은 정지해 있기 때문에, 제1 챔버(1)로부터 처리액이 유출하거나, 다른 처리액이 유입하거나 하지는 않는다.Even when the opening / closing means 1b is in the open state, the supply of the processing liquid is stopped, so that the processing liquid does not flow out of the first chamber 1 or other processing liquid flows in.

또한, 고위험성의 처리액 등에 의한 처리와 저위험성의 처리액 등에 의한 처리를 연속해서 수행하는 경우에는, 반도체 웨이퍼(W)를 이동시켜서 다른 챔버(1, 2)에서 각각의 처리를 실행할 수 있기 때문에, 선행 처리의 잔류 미스트나 기체가 후속 처리에 유입하기 어렵다.In the case where the treatment with the high risk treatment liquid and the like and the treatment with the low risk treatment liquid are carried out continuously, the semiconductor wafer W can be moved to execute the respective treatments in the other chambers 1 and 2. Therefore, residual mist or gas of the preceding treatment is difficult to flow into the subsequent treatment.

또한, 본 실시 형태에서는, 제1 챔버(1)와 제2 챔버(2) 사이에 거리가 있기 때문에, 개폐 수단(1b)의 개폐 동작 시에도 잔류 미스트 등이 다른 쪽의 챔버(1, 2)에 유입하기 어렵다.In addition, in this embodiment, since there is a distance between the 1st chamber 1 and the 2nd chamber 2, even if the opening / closing operation | movement of the opening-closing means 1b, the residual mist etc. are different chambers 1 and 2 Hard to get into

또한, 그 거리를 최소한으로 남기는 것으로 양 챔버(1, 2) 사이에서 이동 시간의 억제가 도모되고 있다.In addition, by keeping the distance to a minimum, the movement time between the chambers 1 and 2 is suppressed.

제2 실시 형태2nd Embodiment

도 3은, 본 실시 형태의 웨트 처리 장치(S2)를 도시하는 도면이다.3 is a diagram illustrating the wet processing apparatus S2 of the present embodiment.

웨트 처리 장치(S2)는, 상기 실시 형태에 추가되어, 제2 챔버(2)에는 개구부(2a)에서 처리액을 회수하는 가동식 회수 수단(2f)이 설치되어 있고, 유지 수단(3)의 하면에는 볼록부(3a)가 설치되어 있다.In addition to the said embodiment, the wet processing apparatus S2 is provided with the movable collection means 2f which collect | recovers the process liquid from the opening part 2a in the 2nd chamber 2, and the lower surface of the holding means 3 The convex part 3a is provided in this.

이하, 제1 실시 형태와 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 이용하여 설명을 생략한다.Hereinafter, description of the same parts as in the first embodiment will be omitted using the same reference numerals.

가동식 회수 수단(2f)은, 제2 챔버(2)의 개구부(2a)에 설치되어 있고, 개구부(2a)를 폐쇄하는 A 방향과 개방하는 B 방향으로 동작 가능하게 되어 있다.The movable retrieval means 2f is provided in the opening part 2a of the 2nd chamber 2, and is operable in the A direction which closes the opening part 2a, and the B direction which opens.

본 실시 형태의 가동식 회수 수단(2f)은, 두 개의 판 형상 부재가 제2 챔버(2)의 하면부 외벽에 따라 수평으로 슬라이드 하는 것이나, 기타의 기구에 의해 실현되어도 무방하다.The movable recovery means 2f of the present embodiment may be realized by two plate members sliding horizontally along the outer wall of the lower surface of the second chamber 2 or by other mechanisms.

두 개의 판 형상 부재로 구성되는 가동식 회수 수단(2f)은, 각 판 형상 부재의 평면 형상이 반 도넛 형상이고, 폐쇄하는 A 방향을 향해서 이동시키면 양쪽 판 형상 부재가 합쳐져서 도넛 형상으로 되고, 중앙의 관통 구멍을 승강 수단(4)이 관통하는 구성으로 되고 있다.In the movable recovery means 2f composed of two plate-shaped members, the planar shape of each plate-shaped member is a semi-donut shape, and when the plate-like member is moved toward the closing A direction, both plate-shaped members are combined to form a donut shape. The lifting means 4 penetrates the through hole.

관통 구멍의 측의 단부는 돌기가 형성되어서 단면 L자 형상을 나타내고 있어, 회수된 처리액이 개구부(2a)에 유출되지 않게 된다.The end of the side of the through-hole is formed with a projection and has a cross-sectional L-shape, so that the recovered processing liquid does not flow into the opening 2a.

유지 수단(3)의 하면에는 볼록부(3a)가 설치되고 있다.The lower part of the holding means 3 is provided with the convex part 3a.

볼록부(3a)의 형상은 임의이지만, 본 실시 형태에서는 일정한 폭, 및 높이의 볼록부(3a)가 유지 수단(3)의 하면 단부 부근에 동심원 형상으로 설치되고 있다.Although the shape of the convex part 3a is arbitrary, in this embodiment, the convex part 3a of fixed width and height is provided in concentric shape near the lower end part of the holding means 3.

하면 단부 부근에 설치함으로써, 처리액이 타고 흐르는 범위를 좁게 할 수 있는 점에서 바람직하고, 또한 동심원 형상으로 설치함으로써, 승강 수단(4)을 에워싸서 처리액이 승강 수단(4)이나 그 연결 개소 등에 까지 도달하지 않도록 할 수 있다는 점에서 바람직하다.It is preferable in that it is possible to narrow the range in which the processing liquid rides by providing near the end of the lower surface, and it is provided in a concentric shape, so that the processing liquid surrounds the elevating means 4 and the elevating means 4 or its connecting point. It is preferable at the point that it can be made not to reach | attain etc.

또한, 볼록부(3a)의 위치는, 가동식 회수 수단(2f)을 폐쇄하는 A방향으로 이동시켰을 때에, 가동식 회수 수단(2f)에 대향하는 위치인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the position of the convex part 3a opposes the movable collection means 2f when it moves to the A direction which closes the movable collection means 2f.

이에 따라, 볼록부(3a)로부터 낙하한 처리액은 가동식 회수 수단(2f)에 의해 회수된다.As a result, the processing liquid dropped from the convex portion 3a is recovered by the movable recovery means 2f.

또한, 볼록부(3a)를 대신하여 오목부로 하여도 무방하고, 볼록부와 오목부를 조합한 것이라도 무방하다.The convex portion 3a may be a concave portion instead of the convex portion 3a, or a convex portion and the concave portion may be combined.

또한, 제1 챔버의 개폐 수단(1b)은, 상기 제1 실시 형태와 동일하여도 무방하지만, 가동식 회수 수단(2f)을 구비하는 경우에는, 도 4(a)에 도시한 바와 같이, 닫힘 상태로 했을 때에 통기 구멍(1c)을 형성하지 않고 개구부(1a)를 밀폐하는 것이라도 무방하다.In addition, although the opening / closing means 1b of the 1st chamber may be the same as the said 1st Embodiment, when it is equipped with the movable collection | recovery means 2f, as shown to Fig.4 (a), it is a closed state. In this case, the opening 1a may be sealed without forming the vent hole 1c.

다음으로, 웨트 처리 장치(S2)의 동작에 대해서 설명한다.Next, operation | movement of wet processing apparatus S2 is demonstrated.

도 3(a)에 도시한 바와 같이 제1 챔버(1)에서 처리를 수행할 때에는, 처리액이 반도체 웨이퍼(W)로부터 유지 수단(3)으로 타고 흐르나, 상기 타고 흐른 처리액은 볼록부(3a)에 도달해서 낙하한다.As shown in Fig. 3A, when the processing is performed in the first chamber 1, the processing liquid flows from the semiconductor wafer W to the holding means 3, but the processing liquid flows through the convex portion ( It reaches 3a) and falls.

이에 따라, 타고 흐르는 처리액의 확대를 억제하고, 유지 수단(3)의 하면이나 그것에 이어지는 승강 수단(4)을 처리액으로부터 보호할 수 있다.Thereby, expansion of the process liquid which rides on can be suppressed, and the lower surface of the holding means 3 and the elevating means 4 following it can be protected from a process liquid.

도 2(b)에 도시한 바와 같이 제2 챔버(2)에서 처리를 수행할 때에는, 제2 챔버(2)의 가동식 회수 수단(2f)을 폐쇄하는 A 방향으로 이동시키고, 개구부(2a)를 좁게 한다.As shown in Fig. 2 (b), when the processing is performed in the second chamber 2, the movable recovering means 2f of the second chamber 2 is moved in the A direction to close the opening 2a. Narrow it.

이때, 볼록부(3a)가 가동식 회수 수단(2f)에 대향하는 위치가 될 때까지 가동식 회수 수단(2f)을 동작시키는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable to operate the movable recovery means 2f until the convex portion 3a becomes a position facing the movable recovery means 2f.

이에 따라, 볼록부(3a)로부터 낙하하는 처리액은 확실하게 가동식 회수 수단(2f)에 회수되어, 제2 챔버(2)로부터 유출하지 않는다.Thereby, the process liquid falling from the convex part 3a is reliably collect | recovered by the movable collection means 2f, and does not flow out from the 2nd chamber 2. As shown in FIG.

가동식 회수 수단(2f)에 의해 회수된 처리액은 도시하지 않은 배출 수단에 의해 배출된다.The processing liquid recovered by the movable recovery means 2f is discharged by a discharge means not shown.

또한, 반도체 웨이퍼(W)의 회전이 고속일 경우에는 회수 수단(2c)에 의해 거의 회수되는 경향이 있고, 저속일 경우에는 처리액이 타고 흐르는 경향이 있기 때문에, 가동식 회수 수단(2f)은 저회전일 경우에만 폐쇄하는 A 방향으로 이동 시켜도 무방하다.In addition, when the rotation of the semiconductor wafer W is high speed, the recovery means 2c tends to be almost recovered, and when the rotation speed is low, the processing liquid tends to flow in and the movable recovery means 2f is low. It may be moved in the direction of A to close only in the case of rotation.

저속 회전은, (1) 정전기의 발생을 억제할 수 있다.The low speed rotation can (1) suppress generation of static electricity.

(2) 처리액이 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 체재하는 시간이 길어지는 등의 효과가 있어, 웨트 처리 장치(S2)에 의하면, 반도체 웨이퍼(W)를 저회전으로 하여 이러한 효과를 발휘시키면서도, 유지 수단(3)으로 타고 흐르는 처리액의 확대를 억제해서 장치의 부식 등을 방지할 수 있다.(2) There is an effect such that the processing liquid stays on the surface of the semiconductor wafer W for a long time, and according to the wet processing apparatus S2, the semiconductor wafer W is turned at low rotation, and the above effect is exerted. The expansion of the processing liquid flowing through the holding means 3 can be suppressed to prevent corrosion of the apparatus.

이때, 제1 개폐 수단(1b)은 닫힘 상태로 하고 있지만, 개폐 수단(1b)의 일방측 부재와 타방측 부재의 사이에 승강 수단(4)이 끼워져 있어, 도 4(b)에 도시한 바와 같이 그 폭 만큼의 간극이 발생한다.At this time, although the 1st opening / closing means 1b is in the closed state, the lifting means 4 is sandwiched between the one side member and the other side member of the opening and closing means 1b, as shown in FIG. 4 (b). Similarly, a gap of that width occurs.

그러나, 제2 챔버(2)의 처리액은 가동식 회수 수단(2f)에 의해 회수되기 때문에, 상기 간극으로부터 제2 챔버(2) 내에 유입할 가능성은 극히 낮다.However, since the processing liquid of the second chamber 2 is recovered by the movable recovery means 2f, the possibility of flowing into the second chamber 2 from the gap is extremely low.

이로 인해, 제1 개폐 수단(1b)을 열림 상태로 하는 것도 가능하다.For this reason, it is also possible to make the 1st opening / closing means 1b open.

다만, 개폐 수단(1b)을 폐쇄하는 A 방향으로 이동시키면, 만약 제2 챔버(2)로부터 미스트나 기체가 누출하는 사태가 발생한다하여도, 그 미스트나 기체가 제1 챔버(1)에 유입하기 어렵기 때문, 만전을 기하는 관점으로부터 바람직하다.However, if the opening / closing means 1b is moved in the direction A to close, even if a mist or gas leaks from the second chamber 2, the mist or gas will flow into the first chamber 1. Since it is difficult, it is preferable from the viewpoint of ensuring perfection.

또한, 제1 실시 형태와 같이 관통 구멍(1c)을 구비해서 개구부(1a)를 밀폐 가능하게 하는 것이 바람직하다.In addition, as in the first embodiment, the through hole 1c is preferably provided to enable the opening 1a to be sealed.

도 3(c)에 도시한 바와 같이 제1 챔버(1)와 제2 챔버(2)의 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 승강시킬 때에는, 가동식 회수 수단(2f)을 개방하는 B 방향으로 이동시키고, 개구부(2a)를 넓게 한다.As shown in FIG. 3C, when the semiconductor wafer W is lifted between the first chamber 1 and the second chamber 2, the movable recovery means 2f is moved in the direction B to open. The opening 2a is made wide.

이에 따라 반도체 웨이퍼(W) 및 유지 수단(3)의 통로가 확보되어 승강이 가능하게 된다.As a result, passages of the semiconductor wafer W and the holding means 3 are secured, and the lifting and lowering is possible.

또한, 웨트 처리 장치(S2)는, 볼록부(3a) 및 가동식 회수 수단(2f)의 어느 한쪽 만을 구비하는 것이라도 무방하다.In addition, the wet processing apparatus S2 may be provided with only one of the convex part 3a and the movable collection | recovery means 2f.

볼록부(3a) 만을 구비하는 경우라도, 타고 흐르는 처리액의 확대를 억제할 수 있다.Even when only the convex part 3a is provided, expansion of the process liquid which rides through can be suppressed.

다만, 이 경우는 개폐 수단(1b)을 제1 실시 형태의 것으로 하여, 낙하하는 처리액의 유입을 방지하는 것이 필요하다.In this case, however, it is necessary to make the opening and closing means 1b of the first embodiment, and to prevent the inflow of the processing liquid falling.

또한, 가동식 회수 수단(2f) 만을 구비하는 경우에도, 낙하하는 처리액을 회수해서 제1 챔버로의 유입을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.In addition, even when only the movable recovery means 2f is provided, an effect of recovering the falling processing liquid and preventing the inflow into the first chamber can be obtained.

제3 실시 형태Third embodiment

도 5(a), (b), (c)는 본 실시 형태의 웨트 처리 장치(S3)의 내부구조를 도시하는 도면이다.5 (a), 5 (b) and 5 (c) are diagrams showing the internal structure of the wet processing apparatus S3 of the present embodiment.

웨트 처리 장치(S3)는, 제1 챔버(1)가 제2 챔버(2)의 상방에 위치하는 구성을 취한다.The wet processing apparatus S3 has a structure in which the first chamber 1 is located above the second chamber 2.

이하, 상기 실시 형태와의 상이한 것만을 설명하고, 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다.Hereinafter, only the thing different from the said embodiment is demonstrated, the same code | symbol is attached | subjected about the same part, and description is abbreviate | omitted.

제1 챔버(1)의 개구부(1a)는 하면부의 중앙 부근에 설치되고, 제2 챔버(2)의 개구부(2a)는 상방 개구부(2e)가 그 역할을 겸임하고 있다.The opening portion 1a of the first chamber 1 is provided near the center of the lower surface portion, and the upper opening portion 2e serves as the opening portion 2a of the second chamber 2.

제1 챔버(1)의 개구부(1a)에는 제1 실시 형태와 마찬가지로 개폐 수단(1b)(1b1, 1b2)이 설치되고 있다.Opening and closing means 1b (1b1, 1b2) are provided in the opening 1a of the first chamber 1 similarly to the first embodiment.

제2 챔버(2)의 하면부는 개구하지 않고 승강 수단(4)이 관통할 만큼의 닫힘 상태가 되기 때문, 상기 실시 형태에서의 가동식 회수 수단(2f)은 불필요하다.Since the lower surface part of the 2nd chamber 2 is closed so that the lifting means 4 may penetrate without opening, the movable collection means 2f in the said embodiment is unnecessary.

제1 챔버(1)에서 처리를 수행할 때, 도 5(a)에 도시한 바와 같이 개폐 수단(1b)을 닫힘 상태로 해서 제1 챔버(1) 내의 처리액이나 미스트나 기체의 유출을 방지하는 점, 및 제2 챔버(2)에서 처리를 할 때, 도 5(b)에 도시한 바와 같이 개폐 수단(1b)(1b1, 1b2)을 닫힘 상태로 해서 제2 챔버(2) 내의 처리액이나 미스트나 기체가 제1 챔버(1)에 유입하는 것을 방지하는 점에 관해서는 상기 실시 형태와 동일하다.When the process is performed in the first chamber 1, as shown in FIG. 5 (a), the opening / closing means 1b is closed to prevent the outflow of the processing liquid, mist or gas in the first chamber 1. And the processing liquid in the second chamber 2 with the opening / closing means 1b (1b1, 1b2) closed, as shown in FIG. 5 (b) when processing in the second chamber 2. In addition, it is the same as that of the said embodiment regarding the point which prevents inflow of mist and gas into the 1st chamber 1. As shown in FIG.

또한, 개폐 수단(1b)은 제1 챔버의 내측에 설치하고, 배출 수단(1d)을 향해 서 계단 형상으로 낮아지도록 하고, 처리액이 흐르기 쉽도록 하고 있다.In addition, the opening-closing means 1b is provided inside the first chamber, is lowered stepwise toward the discharging means 1d, and the processing liquid flows easily.

반도체 웨이퍼(W)를 승강시킬 때에는, 도 5(c)에 도시한 바와 같이 제2 공급 수단(7)을 반도체 웨이퍼(W)의 이동 경로로부터 이탈시키고, 개폐 수단(1b)을 열림 상태로 한다.When raising and lowering the semiconductor wafer W, as shown in FIG. 5C, the second supply means 7 is separated from the moving path of the semiconductor wafer W, and the opening and closing means 1b is opened. .

배출 수단(1d)에 의해 배출되고 있어, 제1 챔버(1)의 처리액이 제2 챔버(2)로 유출하지는 않는다.It is discharged by the discharge means 1d, and the processing liquid of the first chamber 1 does not flow out to the second chamber 2.

제4 실시 형태Fourth embodiment

도 6은, 본 실시 형태의 웨트 처리 장치(S4)의 내부구조를 도시하는 도면이다.FIG. 6: is a figure which shows the internal structure of wet processing apparatus S4 of this embodiment.

웨트 처리 장치(S4)는, 하나의 케이스를 구획하여, 한쪽의 영역을 제1 챔버(1), 다른 쪽의 영역을 제2 챔버(2)로 구성되는 일체형이다.The wet processing apparatus S4 partitions one case, and is an integrated type comprised by the 1st chamber 1 in one area | region and the 2nd chamber 2 in the other area | region.

개폐 수단(1b)은 제1 챔버(1)의 상부 하면에 설치되어 있고, 가동식 회수 수단(1f)은 제2 챔버(2)의 하면부 내측(최하단의 회수 수단(2c1)의 상면)에 설치되고 있다.The opening-closing means 1b is provided in the upper lower surface of the 1st chamber 1, and the movable collection means 1f are installed in the lower surface part inside of the 2nd chamber 2 (upper surface of the lowest collection | recovery means 2c1). It is becoming.

양쪽 챔버(1, 2)는, 제2 챔버(2)의 최하단의 회수 수단(2c1) 및 개구부(1a)를 개폐하는 개폐 수단(1b)에 의해 구획된다.Both chambers 1 and 2 are partitioned by the recovery means 2c1 at the bottom of the second chamber 2 and the opening and closing means 1b for opening and closing the opening 1a.

양쪽 챔버(1, 2)를 하나의 케이스로 구성함으로써, 양쪽 챔버(1, 2)의 위치 결정의 조정이 불필요해진다.By configuring both chambers 1 and 2 in one case, adjustment of positioning of both chambers 1 and 2 is unnecessary.

동작은 제2 실시 형태와 거의 동일하기 때문에 설명은 생략한다.Since operation | movement is substantially the same as 2nd Embodiment, description is abbreviate | omitted.

다음으로, 상기 제2 실시 형태의 웨트 처리 장치(S2)를 이용하여, 반도체 웨이퍼(W)의 웨트 처리를 수행할 경우를 예로 들어 설명한다.Next, the case where the wet process of the semiconductor wafer W is performed using the wet processing apparatus S2 of the said 2nd Embodiment is demonstrated as an example.

반도체 웨이퍼에서의 웨트 처리는, 레지스트 제거, 전(前)세정, 폴리머 제거, 에칭의 4개의 공정으로 나눌 수 있다.Wet processing on a semiconductor wafer can be divided into four processes: resist removal, pre-cleaning, polymer removal, and etching.

(1) 레지스트 제거 공정(1) resist removal process

레지스트 제거시에는, 예를 들어, 황산, 과산화수소, 오존수, 및 그 화합물 중 적어도 하나를 성분으로 포함하는 처리액 등이 이용된다.In removing the resist, for example, a treating solution containing at least one of sulfuric acid, hydrogen peroxide, ozone water, and the compound as a component is used.

이것들은 독물이나 극물에 해당하는 것으로, 매우 위험성이 높다.These are poisons and dramas and are very dangerous.

특히, 황산은 약 100℃ 이상의 고온에서 이용되는 것이 많다.In particular, sulfuric acid is often used at a high temperature of about 100 ° C or higher.

또한, 고온 때문에, 처리액의 증기가 발생하기 쉽고, 인체에 악영향을 끼치는 동시에, 장치를 구성하는 부재(특히 메탈 부재)를 부식시킬 위험성이 있다.In addition, due to the high temperature, steam of the processing liquid is easily generated, adversely affecting the human body, and there is a risk of corroding the members (particularly metal members) constituting the apparatus.

그래서, 레지스트 제거 공정에서 이들 처리액을 이용할 경우, 특히 산성 처리액이 100℃ 이상의 온도에서 이용되는 경우에는, 제1 챔버(1)에서 수행한다.Thus, when these treatment liquids are used in the resist removal step, especially when the acidic treatment liquid is used at a temperature of 100 ° C. or higher, it is performed in the first chamber 1.

이 경우, 제1 챔버는, 내약품성, 내고온도성이 있는 PFA 등 불소계 플라스틱 재료 등으로 구성되는 것이 바람직하다.In this case, the first chamber is preferably made of a fluorine-based plastic material such as PFA having chemical resistance and high temperature resistance.

처리 공정을 도 7(a), (b)에 도시한다.The processing steps are shown in Figs. 7A and 7B.

도 7(a)에 도시한 바와 같이 우선, 제1 챔버에서 상기 레지스트 제거용 처리액에 의한 처리를 수행한다.As shown in Fig. 7A, first, the treatment with the resist removing treatment liquid is performed in the first chamber.

유지 수단(3)에 반도체 웨이퍼(W)를 유지시켜, 제1 챔버(1) 내에 배치한다.The semiconductor wafer W is held in the holding means 3 and placed in the first chamber 1.

개폐 수단(1b)은 닫힘 상태로 하여 제1 챔버(1)를 밀폐 상태로 한다.The opening-closing means 1b is made into the closed state, and the 1st chamber 1 is closed.

그 후, 회전 수단(5)에 의해 유지 수단(3)을 통해 반도체 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 제1 공급 수단(6)에서 상기 레지스트 제거용 처리액을 반도체 웨이퍼(W)에 공급하여, 레지스트 제거를 수행한다.After that, while rotating the semiconductor wafer W through the holding means 3 by the rotating means 5, the processing liquid for removing the resist is supplied to the semiconductor wafer W from the first supply means 6, Perform resist removal.

개폐 수단(1b)이 닫힘 상태이기 때문, 레지스트 제거용 처리액이 외부로 유출하지는 않는다.Since the opening-closing means 1b is in the closed state, the processing liquid for removing a resist does not flow out.

제거가 종료하면, 처리액의 공급 및 회전을 정지한다.When the removal is completed, the supply and rotation of the processing liquid are stopped.

회전 수단(4)에 의한 회전에 의해 처리액이 적절하게 제거되기 때문에, 침지식과 같이 반도체 웨이퍼(W)에 처리액이 지나치게 잔존하지 않아, 반도체 웨이퍼(W)를 제1 챔버(1) 외부로 반출하였을 때의 위험을 억제할 수 있다.Since the processing liquid is appropriately removed by the rotation by the rotating means 4, the processing liquid does not remain too much in the semiconductor wafer W as in the immersion type, so that the semiconductor wafer W is moved outside the first chamber 1. You can reduce the risk when you take them out.

또한, 사용된 처리액은 배출 수단(1d)에 의해 배출하고, 제1 챔버(1) 내의 분위기는 배기 수단(1e)에 의해 배기한다.In addition, the used process liquid is discharged by the discharge means 1d, and the atmosphere in the first chamber 1 is exhausted by the exhaust means 1e.

그 후에, 도 7(b)에 도시한 바와 같이 제2 챔버(2)에서 린스용 처리액에 의한 처리를 수행한다.Thereafter, as shown in Fig. 7B, the second chamber 2 performs the treatment with the rinse processing liquid.

우선, 개폐 수단(1b) 및 가동식 회수 수단(2f)을 열림 상태로 하여, 승강 수단(4)에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 제2 챔버(2)에 반입하고, 린스용 처리액(순수한 물 등)의 회수를 담당하는 회수 수단(2c)(여기서는 3단 구성의 최하 위치의 회수 수단)의 부근에 위치시킨다.First, the opening-closing means 1b and the movable recovery means 2f are left open, and the lifting means 4 carries the semiconductor wafer W into the second chamber 2 to rinse the treatment liquid (pure water). Etc.) is located in the vicinity of the recovery means 2c (here, the recovery means of the lowest position of the three-stage configuration) in charge of the recovery.

그 후에, 개폐 수단(1b)과 가동식 회수 수단(2f)을 닫힘 상태로 한다.Thereafter, the opening and closing means 1b and the movable recovery means 2f are placed in the closed state.

그리고, 회전 수단(3)에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 제2 공급 수단(7)에 의해 린스용 처리액을 공급한다.And the process liquid for rinse is supplied by the 2nd supply means 7, rotating the semiconductor wafer W by the rotation means 3. As shown in FIG.

공급된 린스용 처리액은 유지 수단(3)을 타고 흐르며, 볼록부(3a)에 도달해서 낙하하지만, 그 낙하한 린스용 처리액은 가동식 회수 수단(2f)에 의해 회수되기 때문에, 외부로 유출하지는 않는다.The supplied rinse processing liquid flows through the holding means 3 and reaches and drops the convex portion 3a. However, the dropped rinse processing liquid is recovered by the movable recovery means 2f, and thus flows out. It doesn't.

린스 처리가 종료하면, 회전을 계속하면서 처리액의 공급을 정지하고, 반도체 웨이퍼(W)로부터 처리액을 제거하여 건조 처리를 수행한다.When the rinse processing is completed, the supply of the processing liquid is stopped while the rotation is continued, and the processing liquid is removed from the semiconductor wafer W to perform a drying process.

(2) 폴리머 제거의 공정(2) process of polymer removal

드라이 에칭 처리 후에 수행되는 폴리머 제거 시에는, 예를 들어, 디메틸술폭시드(Dimethyl Sulfoxide, DMSO), 에탄올, 메탄올, 이소프로필알코올(isopropyl alcohol)의 알코올류 등의 유기 화합물이나, 히드록실아민(hydroxylamine), 불화 암모늄, 아민 등의 무기 화합물의 적어도 하나를 성분으로 포함하는 처리액이 이용된다.When the polymer is removed after the dry etching treatment, for example, organic compounds such as dimethyl sulfoxide (DMSO), ethanol, methanol, alcohols of isopropyl alcohol, and hydroxylamine (hydroxylamine). ), A treatment liquid containing at least one of inorganic compounds such as ammonium fluoride and amine as a component is used.

이들은 인화성, 자기반응성을 가지는 것이 많다.Many of these have flammability and self-reactivity.

예를 들어, 메탄올, 메탄올, 이소프로필알코올은 인화점이 실온도 이하로 낮기 때문에, 착화원이 될 수 있는 전기 배선 개소나 기계적인 구동, 마찰 개소와는 격리할 필요가 있다.For example, since methanol, methanol, and isopropyl alcohol have a flash point lower than room temperature degree, it is necessary to isolate it from the electrical wiring location, a mechanical drive, and a friction point which may be a source of ignition.

그래서, 인화점이 낮은 성분을 함유하기 때문에, 약액 전체적으로 인화점이 실온도 이하가 되는 폴리머 제거용 처리액을 이용하는 공정은 제1 챔버(1)에서 수행한다.Therefore, since it contains a component with a low flash point, the process using the polymer removal process liquid whose flash point becomes the room temperature degree or less as the whole chemical liquid is performed in the 1st chamber 1.

웨트 처리 장치(S2)의 동작은, 상기 레지스트 제거의 경우와 동일하지만, 제1 챔버(1) 내에 공급되는 처리액은 상기 폴리머 제거용의 처리액이 된다.The operation of the wet processing apparatus S2 is the same as in the case of removing the resist, but the processing liquid supplied into the first chamber 1 becomes the processing liquid for removing the polymer.

설명도면은 도 7(a), (b)와 동일하게 되기 때문에 생략한다.The explanatory drawing is omitted since it is the same as in Figs. 7 (a) and 7 (b).

(3) 세정 공정 및 에칭 공정(3) cleaning process and etching process

세정 공정이나 에칭 공정에서는, 반도체 웨이퍼(W)를, 희석 불화 수소 등을 함유하는 불소계 처리액으로 세정한 후에 순수한 물에 의한 린스 처리를 수행하고, 그 후에 이소프로필알코올(IPA) 함유의 처리액에 의한 건조 처리를 수행하는 케이스가 있다.In the cleaning step or the etching step, the semiconductor wafer W is washed with a fluorine-based treatment liquid containing dilute hydrogen fluoride or the like, followed by rinsing with pure water, followed by a treatment liquid containing isopropyl alcohol (IPA). There is a case of performing a drying treatment by.

불소계 처리액은 반도체 웨이퍼 표면의 SiO2를 완전하게 제거하고, 최종적으로는 웨이퍼 표면을 소수성(疏水性)으로 하기 때문에, 불소계 처리액에 의한 처리 종료 후에는 웨이퍼 표면에 린스시의 순수한 물(워터마크)이 잔류하기 쉬워진다.Since the fluorine-based treatment liquid completely removes SiO 2 from the surface of the semiconductor wafer and finally makes the wafer surface hydrophobic, pure water at the surface of the wafer after rinsing with the fluorine-based treatment liquid (watermark) ) Is likely to remain.

이로 인해, 불소계 처리액에 의한 처리 후, 워터마크 방지를 목적으로 하는 IPA 함유 처리액에 의한 건조가 수행된다.Therefore, after the treatment with the fluorine-based treatment liquid, drying with the IPA-containing treatment liquid for the purpose of watermark prevention is performed.

불소계 처리액 및 린스용 처리액은 비가연성이지만, IPA 함유 처리액은 인화점이 12℃로 낮은 인화성을 나타낸다.The fluorine-based treatment liquid and the rinse treatment liquid are nonflammable, but the IPA-containing treatment liquid has a flash point having a low flash point of 12 ° C.

이로 인해, IPA 함유 처리액이 비산하여 전기 계통이나 마찰, 마모가 발생하는 개소에 도달하는 경우에는, 인화 폭발하는 위험이 있다.For this reason, when an IPA containing process liquid scatters and reaches the place where an electrical system, friction, and abrasion generate | occur | produce, there exists a danger of ignition explosion.

그래서, 불소계 처리액을 이용하는 처리 및 린스 처리는 제2 챔버(2)에서 수행하고, IPA 함유 처리액을 이용하는 처리는 제1 챔버(1)에서 수행한다.Thus, the treatment and rinse treatment using the fluorine-based treatment liquid are performed in the second chamber 2, and the treatment using the IPA-containing treatment liquid is performed in the first chamber 1.

제1 챔버(1)를 구성하는 부재는, 인화원인이 될 수 있는 정전기를 발생하기 어려운 부재가 바람직하고, 예를 들어 스테인리스 스틸(stainless steel) 등이다.The member constituting the first chamber 1 is preferably a member that is less likely to generate static electricity which may cause a ignition, and is, for example, stainless steel or the like.

또한, 인화성의 처리액에 대해서는 인화점이 30℃ 이하의 것은 제1 챔버(1)에서 취급하는 것이 바람직하다.In addition, about the flammable process liquid, it is preferable to handle the thing with a flash point of 30 degrees C or less in the 1st chamber 1. As shown in FIG.

처리 공정을 도 8(a), (b), (c), (d)에 도시한다.The processing steps are shown in Figs. 8 (a), (b), (c) and (d).

각 챔버에서의 동작은 상기와 동일하기 때문에 상세한 설명은 생략한다.Since the operation in each chamber is the same as above, detailed description is omitted.

도 8(a)에 도시한 바와 같이 우선, 제2 챔버(2)에서, 반도체 웨이퍼(W)를 불소계 처리액의 회수를 담당하는 회수 수단(2c)(3단 구성 중 최상 위치의 회수 수단(2c))의 부근에 위치시켜, 불소계 처리액을 이용한 처리를 수행한다.As shown in Fig. 8 (a), first, in the second chamber 2, the recovery means 2c responsible for the recovery of the fluorine-based processing liquid from the semiconductor wafer W (the recovery means at the uppermost position in the three-stage configuration ( 2c)), the treatment using the fluorine-based treatment liquid is performed.

계속하여, 도 8(b)에 도시한 바와 같이 승강 수단(3)에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 하강시켜, 린스용 처리액의 회수 수단(2c)(3단 구성 중 최하 위치의 회수 수단(2c))의 부근에 위치시켜서 린스용 처리액을 이용한 처리를 수행한다.Subsequently, as shown in Fig. 8 (b), the semiconductor wafer W is lowered by the elevating means 3 to recover the rinse processing liquid 2c (collecting means at the lowest position in the three-stage configuration) 2c)) to perform the treatment using the rinse treatment liquid.

불소계 처리와 린스 처리는 제2 챔버(2) 내에서 이루어지기 때문에, 그 사이에서의 이동도 짧게 완료할 수 있고, 처리 시간의 단축이 도모하는 동시에 높은 린스 효과를 얻을 수 있다.Since the fluorine treatment and the rinse treatment are performed in the second chamber 2, the movement between them can be completed shortly, and the processing time can be shortened and a high rinsing effect can be obtained.

가동식 회수 수단(2f) 및 개폐 수단(2b)은 닫힘 상태이기 때문, 불소계 처리액이나 린스용 처리액이 제1 챔버(1)에 유입하지 않는다.Since the movable recovery means 2f and the opening and closing means 2b are in a closed state, the fluorine-based processing liquid and the rinse processing liquid do not flow into the first chamber 1.

계속해서, 도 8(c)에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(W)를 제1 챔버(1) 내에 위치시켜서 IPA 함유 처리액을 이용한 처리를 수행한다.Subsequently, as shown in FIG. 8C, the semiconductor wafer W is positioned in the first chamber 1 to perform a process using the IPA-containing processing liquid.

IPA 함유 처리액은 인화성이지만, 개폐 수단(1b)이 닫힘 상태이기 때문에, 반도체 웨이퍼(W)의 회전에 의해서도 IPA 함유 처리액이 외부로 비산하거나 미스트나 기체가 유출하지 않아, 안전이 확보된다.Although the IPA-containing processing liquid is flammable, since the opening / closing means 1b is in a closed state, the IPA-containing processing liquid does not scatter to the outside even when the semiconductor wafer W rotates, and mist or gas does not flow out, thereby ensuring safety.

그 후에, 도 8(d)에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼의 회전은 계속시킨 채, 제1 공급 수단에 의한 IPA 처리액의 공급을 멈추고, 제1 공급 수단의 위치를 반도체 웨이퍼(W)의 상방에서 이탈시킨다.Thereafter, as shown in Fig. 8 (d), the supply of the IPA treatment liquid by the first supply means is stopped while the rotation of the semiconductor wafer is continued, and the position of the first supply means is positioned above the semiconductor wafer W. Depart from

이 경우에도, 회전에 의해 IPA 함유 처리액이 비산하거나, 미스트나 기체가 발생하기 쉬운 상황이 되지만, 개폐 수단(1b)이 닫힘 상태이기 때문에, 외부로 유출하지 않고, 안전이 확보된다.Even in this case, the IPA-containing treatment liquid is likely to scatter or rotate due to mist and gas. However, since the opening / closing means 1b is in a closed state, safety is secured without flowing out.

이상, 본 실시 형태의 웨트 처리 장치(S2)를 이용한 실시예를 설명했지만, 실시되는 처리나 처리의 순서는 이것에 한정되는 것은 아니고, 적절히 변경 가능하다.As mentioned above, although the Example using wet processing apparatus S2 of this embodiment was described, the process to be performed and the order of a process are not limited to this, It can change suitably.

또한, 상기 실시 형태에서는 피처리물로서 반도체 웨이퍼를 이용했으나, 이것에 한정하지 않고, 예를 들어, 글래스 기판, 자성체 기판 등, 기판 형상의 것이면 무방하다.In addition, in the said embodiment, although the semiconductor wafer was used as a to-be-processed object, it is not limited to this, For example, as long as it is a board | substrate shape, such as a glass substrate and a magnetic substrate, it is good.

도 1은 제1 실시 형태의 웨트 처리 장치의 내부구조를 나타내는 도면이고, (a)는 제1 챔버에서 처리할 경우, (b)는 제2 챔버에서 처리할 경우, (c)는 제1 챔버와 제2 챔버 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킬 경우의 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the internal structure of the wet processing apparatus of 1st Embodiment, (a) when processing in a 1st chamber, (b) when processing in a 2nd chamber, (c) is a 1st chamber. It is a figure when the semiconductor wafer W is moved between and a 2nd chamber.

도 2는 상기 실시 형태의 웨트 처리 장치에 이용되는 개폐 수단의 상면도이며, (a)는 관통 구멍이 열려진 상태, (b)는 관통 구멍이 닫힌 상태, (c)는 개폐 수단이 열린 상태를 도시한다.2 is a top view of the opening and closing means used in the wet processing apparatus of the above embodiment, (a) a state where the through hole is opened, (b) a state where the through hole is closed, and (c) a state where the opening and closing means is open. Illustrated.

도 3은 제2 실시 형태의 웨트 처리 장치의 내부 구조를 나타내는 도면이고, (a)는 제1 챔버에서 처리할 경우, (b)는 제2 챔버에서 처리할 경우, (c)는 제1 챔버와 제2 챔버 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킬 경우의 도면이다.3 is a view showing the internal structure of the wet processing apparatus of the second embodiment, (a) when processing in the first chamber, (b) when processing in the second chamber, (c) is the first chamber It is a figure when the semiconductor wafer W is moved between and a 2nd chamber.

도 4는 상기 실시 형태의 웨트 처리 장치에 이용되는 개폐 수단의 상면도이며, (a)는 개구부를 밀폐하도록 개폐 수단을 폐쇄한 상태, (b)는 개폐 수단이 승강 수단에 접촉하는 정도로 폐쇄한 상태, (c)는 개폐 수단의 열린 상태를 도시한다.4 is a top view of the opening and closing means used in the wet processing apparatus of the above embodiment, (a) is a state in which the opening and closing means are closed to seal the opening, and (b) is closed so that the opening and closing means is in contact with the lifting means. State, (c) shows the open state of the opening and closing means.

도 5는 제3 실시 형태의 웨트 처리 장치의 내부구조를 나타내는 도면이고, (a)는 제1 챔버에서 처리할 경우, (b)는 제2 챔버에서 처리할 경우, (c)는 제1 챔버와 제2 챔버 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 이동시킬 경우를 설명하는 설명도이다.5 is a view showing the internal structure of the wet processing apparatus of the third embodiment, (a) when processing in the first chamber, (b) when processing in the second chamber, (c) is the first chamber It is explanatory drawing explaining the case where the semiconductor wafer W is moved between and a 2nd chamber.

도 6은 제4 실시 형태의 웨트 처리 장치의 내부구조를 도시하는 도면이다.It is a figure which shows the internal structure of the wet processing apparatus of 4th embodiment.

도 7은 실시예 1의 처리 공정을 설명하는 설명도이다.7 is an explanatory diagram for explaining a processing step of Example 1. FIG.

도 8 실시예 3의 처리 공정을 설명하는 설명도이다.It is explanatory drawing explaining the processing process of FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

S1 내지 S4 웨트 처리 장치S1 to S4 wet processing apparatus

1 제1 챔버1 first chamber

1a 개구부1a opening

1b 개폐 수단1b opening and closing means

1c 관통 구멍1c through hole

1d 배출 수단1d discharge means

1e 배기 수단1e exhaust means

2 제2 챔버2 second chamber

2a 개구부2a opening

2b 이동 경로2b breadcrumb

2c 회수 수단2c recovery means

2d 배기 수단2d exhaust means

2e 상방 개구부(통기구)2e upward opening (vent)

2f 가동식 회수 수단2f movable recovery means

3 유지 수단3 maintenance means

3a 볼록부3a convex

4 승강 수단4 lifting means

5 회전 수단5 rotating means

6 제1 공급 수단6 First supply means

7 제2 공급 수단7 Second supply means

Claims (6)

유지 수단에 유지된 피처리물을 회전시키면서 단계적으로 복수의 처리액을 공급하여 웨트(wet) 처리하는 매엽식(枚葉式)의 웨트 처리 장치에 있어서,In the single-sheet wet processing apparatus for supplying a plurality of processing liquids in a stepwise manner while rotating the object to be held in the holding means, for wet processing. 제1 챔버와, 상기 제1 챔버의 상방 또는 하방에 위치하는 제2 챔버를 구비하고, 상기 양쪽 챔버에는 서로 대향하는 위치에 개구부가 설치되어 있고,A first chamber and a second chamber positioned above or below the first chamber, and openings are provided at positions facing each other, 상기 제1 챔버와 제2 챔버의 사이에서 상기 두 개의 개구부를 통해서 상기 유지 수단을 승강시키는 승강 수단과,Elevating means for elevating the holding means through the two openings between the first chamber and the second chamber; 상기 제1 챔버의 개구부를 개폐하는 개폐 수단과,Opening and closing means for opening and closing the opening of the first chamber; 상기 제1 챔버 내에 상기 유지 수단이 위치 했을 때에 상기 유지 수단에 유지되는 피처리물에 처리액을 공급할 수 있는 제1 공급 수단과,First supply means capable of supplying a processing liquid to a workpiece to be held by the holding means when the holding means is located in the first chamber; 상기 제2 챔버 내에 상기 유지 수단이 위치 했을 때에 상기 유지 수단에 유지되는 피처리물에 처리액을 공급할 수 있는 제2 공급 수단Second supply means capable of supplying a processing liquid to a workpiece to be held by the holding means when the holding means is located in the second chamber; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨트 처리 장치.Wet processing apparatus comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 챔버는,The second chamber, 챔버 내에, 상기 유지 수단의 이동 경로를 따라, 처리액을 회수하는 회수 수단이 복수 설치되고 있는 것을 특징으로 하는 웨트 처리 장치.A plurality of recovery means for recovering a processing liquid are provided in the chamber along a moving path of the holding means. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 유지 수단에는,In the holding means, 하면에 오목부 또는 볼록부가 설치되고 있는 것을 특징으로 하는 웨트 처리 장치.The wet processing apparatus characterized by the recessed part or convex part provided in the lower surface. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제2 챔버는,The second chamber, 상기 제1 챔버의 상방에 위치하고 있어, 상기 개구부에서 처리액을 회수 가능하게 하고, 또한 상기 개구부를 폐쇄하는 방향 및 개방하는 방향으로 동작할 수 있는 가동식 회수 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨트 처리 장치.And a movable recovery means located above the first chamber and capable of recovering the processing liquid from the opening, and operable in a direction of closing and opening the opening. . 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 유지 수단에는 하면에 오목부 또는 볼록부가 설치되고,The holding means is provided with a concave portion or a convex portion on the lower surface thereof, 상기 제2 챔버는,The second chamber, 상기 제1 챔버의 상방에 위치하고 있어, 상기 개구부에서 처리액을 회수 가능하게 하고, 또한 상기 개구부를 폐쇄하는 방향 및 개방하는 방향으로 동작할 수 있는 가동식 회수 수단을 구비하고,It is located above the first chamber, and is provided with a movable recovery means capable of recovering the processing liquid from the opening, and operable in the direction of closing and opening the opening, 상기 볼록부 또는 오목부는,The convex portion or the concave portion, 상기 개구부의 가동식 회수 수단이 폐쇄하는 방향으로 동작하여 위치 했을 때에, 상기 회수 수단에 대향하는 위치에 설치되고 있는 것을 특징으로 하는 웨트 처리 장치.When the movable recovery means of the opening is located in the direction of closing, the wet processing device is provided at a position opposite to the recovery means. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제2 챔버는,The second chamber, 상기 제1 챔버의 상방에 위치하고 있어, 상기 개구부에서 처리액을 회수 가능하게 하고, 또한 상기 개구부를 폐쇄하는 방향 및 개방하는 방향으로 동작할 수 있는 가동식 회수 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨트 처리 장치.And a movable recovery means located above the first chamber and capable of recovering the processing liquid from the opening, and operable in a direction of closing and opening the opening. .
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