KR20090013536A - 반도체 제조장치 및 그 이용방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 제조장치 및 그 이용방법이 개시된다. 상기 장치는 기체 분사부 및 썩션부를 포함하고, 상기 기체 분사부 및 상기 썩션부는 캡 플레이트의 주위에 배열될 수 있다. 상기 방법은 썩션단계, 회전단계 및 기체 분사 단계를 포함하여, 공정 후 기판을 언로딩 및 로딩하는 동안 상기 캡 플레이트의 표면을 클리닝할 수 있다.
진공, 리크(leak), 기체, 썩션(suction), 이물질

Description

반도체 제조장치 및 그 이용방법{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF USING THE SAME}
본 발명은 디펙트가 없는 반도체 소자를 제조할 수 있는 반도체 제조장치 및 그 이용방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 다양한 제조 공정을 거쳐 형성된다. 반도체 소자의 제조공정들은 박막 형성 공정, 이온 주입 공정(ion implantation), 확산 공정(diffusion) 및 사진 식각 공정 등을 포함할 수 있다. 박막 형성 공정 및 확산 공정 등은 퍼니스(furnace) 내에서 수행될 수 있다.
퍼니스는 수평 퍼니스(horizontal furnace) 및 수직 퍼니스(vertical furnace)를 포함할 수 있다. 수평 퍼니스는 반도체 산업 초기에 열적 처리 공정에 사용되었으나, 작업자의 안전 및 미립자 오염의 감염 방지를 위해 수직 퍼니스로 대체되었다.
수직 퍼니스는 공정이 수행되는 공정실(process chamber)을 포함할 수 있다. 공정실은 석영 튜브(quartz tube), 가열 쟈켓(heating jacket), 가열 요소(heating element) 및 캡 베이스를 포함한다. 캡 베이스에 웨이퍼 보트가 장착되고 캡 베이 스는 석영 튜브의 오프된 말단에 장착되어 공정 환경을 형성한다.
예컨대, 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition:CVD) 공정이 퍼니스 내에서 수행될 수 있다. 화학 기상 증착 공정은 기상의 반응물을 이용하여 반도체 웨이퍼 상에 막을 형성하는 공정이다. 퍼니스 내에서 화학 기상 증착 공정이 수행되면, 막은 반도체 웨이퍼 상에 형성될 뿐만 아니라, 퍼니스의 석영 튜브 내벽에도 형성될 수 있다. 공정이 반복되는 동안, 퍼니스의 석영 튜브 내벽으로부터 화학 기상 증착막이 일부 이탈되어 캡 베이스로 떨어질 수 있다. 또는, 공정이 반복되는 동안, 기타 이물질이 캡 베이스로 떨어지거나, 작업자에 의한 이물질이 캡 베이스로 떨어질 수 있다.
공정실 내의 이물질은 진공 형성시 리크(leak)의 원인이 될 수 있고, 이는 공정의 지연 또는 공정의 불가능을 초래할 수 있다. 또한, 공정실 내의 이물질은 반도체 소자의 디펙트(defect)가 될 수 있고, 이는 반도체 소자의 불량을 초래할 수 있다.
본 발명의 과제는 청결한 반도체 제조장치 및 그 이용방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제는 리크(leak) 발생을 예방할 수 있는 반도체 제조장치 및 그 이용방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조장치는 바닥이 개구된 공정 챔버, 상기 공정 챔버의 상기 개구된 바닥에서 상기 공정 챔버와 착탈하는 캡 플레이트, 상기 캡 플레이트의 가장자리 주위의 기체 분사부 및 상기 기체 분사부와 이격되고, 상기 캡 플레이트의 상기 가장자리 주위에 배열되는 썩션부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 기체 분사부는 복수 개의 분사 노즐을 포함하고, 상기 썩션부는 복수 개의 썩션 노즐을 포함할 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 분사 노즐들 및 상기 썩션 노즐들은 서로 교대로 배치될 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 분사 노즐들 및 상기 썩션 노즐들은 상기 캡 플레이트의 상부면을 향해 기울어질 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 기체 분사부 및 상기 썩션부는 상기 캡 플레이트의 상기 가장자리를 둘러쌀 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 기체 분사부 및 상기 썩션부는 상기 캡 플레 이트의 상기 가장자리를 둘러싸되, 상기 썩션부가 상기 기체 분사부 보다 더 넓은 영역을 둘러쌀 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 캡 플레이트는 회전부를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 제조장치는 상기 캡 플레이트를 상하로 이동시키는 구동부, 및 상기 기체 분사부 및 상기 썩션부를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 제조장치는 공정 소스 제공부 및 배출구를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조장치의 이용방법은 i) 바닥이 개구된 공정 챔버, 상기 공정 챔버의 상기 개구된 바닥에서 상기 공정 챔버와 착탈하고 회전부를 포함하는 캡 플레이트, 상기 캡 플레이트의 가장자리 주위의 기체 분사부 및 상기 기체 분사부와 이격되고 상기 캡 플레이트의 상기 가장자리 주위에 배치되는 썩션부를 포함하는 반도체 제조장치를 제공하는 단계, ii) 상기 썩션부를 이용하여 썩션하는 단계, iii) 상기 캡 플레이트의 상기 회전부를 회전시키는 단계 및 iv) 상기 기체 분사부로부터 기체를 분사하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 기체를 분사하는 단계는 불활성 기체를 분사하는 단계를 포함할 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 방법은 상기 기체 분사를 정지하는 단계, 상기 캡 플레이트의 상기 회전부를 정지하는 단계 및 상기 썩션을 정지하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 반도체 제조장치를 제공하는 단계는 기판이 장착된 보트가 놓인 상기 캡 플레이트를 상기 공정 챔버에 장착하는 단계, 상기 기판을 처리하는 단계 및 상기 캡 플레이트를 상기 공정 챔버로부터 이탈시키는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 ii) 내지 iv) 단계를 수행하는 동안, 처리된 상기 기판은 상기 보트로부터 언로드되고 새로운 기판이 상기 보트로 로드될 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 기체 분사부는 복수 개의 분사 노즐을 포함하고, 상기 썩션부는 복수 개의 썩션 노즐을 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 분사 노즐들 및 상기 썩션 노즐들은 서로 교대로 배치될 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 분사 노즐들 및 상기 썩션 노즐들은 상기 캡 플레이트의 상부면을 향해 기울어질 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 기체 분사부 및 상기 썩션부는 상기 캡 플레이트의 상기 가장자리를 둘러쌀 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 상기 기체 분사부 및 상기 썩션부는 상기 캡 플레이트의 상기 가장자리를 둘러싸되, 상기 썩션부가 상기 기체 분사부 보다 더 넓은 영역을 둘러쌀 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 공정 챔버로부터 캡 플레이트가 분리되는 단계 마다 캡 플레이트 상의 이물질이 제거될 수 있다. 이물질은 기판의 로딩 및 언로딩이 수행되는 동안 제거될 수 있다. 따라서, 이물질을 제거하기 위한 부가적인 시간이 소요되지 않으므로 공정 시간이 지연되지 않을 수 있다. 또한, 매 박막 형성 공정마다 공정 챔버 내에 이동 가능한 이물질이 제거되어 기판의 디펙트 발생 및 공정 챔버의 리크 발생이 감소될 수 있다. 따라서, 공정수율이 향상될 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 설명한다. 본 발명의 목적(들), 특징(들) 및 장점(들)은 첨부된 도면과 관련된 이하의 실시 예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서 '및/또는'이라는 용어는 이 용어 앞뒤에 열거된 구성들 중 어느 하나 또는 모두를 가리키는 것으로 이해되어야 한다.
도 1 및 3 내지 6을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조장치가 설명된다.
도 1을 참조하면, 반도체 제조장치(1)는 공정 챔버(10)를 포함할 수 있다. 상기 공정 챔버(10)는 하부가 개방된 것으로써, 스텐인레스 또는 석영으로 형성될 수 있다.
상기 반도체 제조장치(1)는 캡 플레이트(cap plate)(150)를 포함할 수 있다. 상기 캡 플레이트(150)는 하부가 개방된 상기 공정 챔버(10)의 바닥을 이룰 수 있으며, 상기 캡 플레이트(150)에 의해 상기 공정 챔버(10) 내부는 외부로부터 차단될 수 있다. 상기 캡 플레이트(150)는 회전부(152)를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 회전부(152)는 상기 캡 플레이트(150)의 중앙부일 수 있다. 상기 캡 플레이트(150) 상의 가장자리에 오링(O-ring)(미도시)이 놓일 수 있다. 즉, 상기 캡 플레이트(150) 및 상기 공정 챔버(10) 간에 상기 오링이 개재될 수 있다. 상기 캡 플레이트(150)는 구동부(16)와 연결될 수 있다. 상기 구동부(16)는 상기 회전부(152)를 회전시킬 수 있는 모터(26) 및 상기 캡 플레이트(150)를 업.다운 시킬 수 있는 엘리베이터(46)를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 엘리베이터(46)는 스크류 또는 피스톤에 의해 상.하로 수직운동할 수 있다.
기판(미도시)이 상기 공정 챔버(10)의 상부에 탑재되거나, 상기 캡 플레이트(150) 상에 탑재될 수 있다. 상기 제조장치(1)는 공정 기체 제공부(미도시) 및 배기관(미도시)을 포함할 수 있으며, 화학 기상 증착을 위해 사용될 수 있다. 또는 상기 제조장치(1)는 공정 소스를 상기 공정 챔버(10) 내부에 탑재할 수 있으며, 증발법(evaporation)에 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 공정 소스는 고체 상태로 상기 공정 챔버(10) 내에 장착될 수 있다.
도 1 및 3을 참조하면, 상기 캡 플레이트(150)의 주위에 분사 노즐들(130) 및 썩션 노즐들(140)이 배열될 수 있다. 상기 분사 노즐들(130) 및 상기 썩션 노즐들(140)의 분사구는 상기 캡 플레이트(150)를 향할 수 있고, 상기 분사 노즐들(130) 및 상기 썩션 노즐들(140)은 각각 하나씩 교대로 배열될 수 있다. 또 는, 도 4를 참조하면, 상기 분사 노즐들(130)이 상기 캡 플레이트(150)의 가장자리를 따라 배열된 후, 상기 분사 노즐들(130)과 이격되어 상기 썩션 노즐들(140)이 배열될 수 있다. 상기 분사 노즐들(130) 및 상기 썩션 노즐들(140)은 상기 탑 플레이트(150)의 상부면의 연장선상과 동일한 평면상에 위치할 수 있다. 또는 상기 분사 노즐들(130) 및 상기 썩션 노즐들(140)은 상기 탑 플레이트(150) 상부면의 이물질을 효과적으로 제거하기 위해, 상기 탑 플레이트(150)의 상부면을 향해 기울어질 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 캡 플레이트(150) 주위에 기체 분사부(130) 및 썩션부(140)가 배치될 수 있다. 상기 분사부(130) 및 상기 썩션부(140)는 서로 이격되어 상기 캡 플레이트(150)의 가장자리를 연속적으로 둘러쌀 수 있다. 이때, 상기 분사부(130) 및 상기 썩션부(140)는 상기 캡 플레이트(150)의 가장자리를 등분하여 둘러쌀 수 있다. 예컨대, 상기 분사부(130) 및 상기 썩션부(140)는 상기 캡 플레이트(150) 방향으로 다수의 홀이 뚫린 파이프 형태일 수 있으며, 상기 캡 플레이트(150) 방향으로 전면이 개방된 파이프 형태일 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 분사부(130) 보다 상기 썩션부(140)가 상기 캡 플레이트(150)의 가장자리를 더 많이 둘러쌀 수 있다.
상기 분사부 또는 분사노즐들에서 불활성 기체가 분사될 수 있다. 상기 분사된 기체에 의해 상기 캡 플레이트 상의 이물질이 부양되고 부양된 이물질은 상기 썩션부 또는 썩션 노즐에 의해 썩션되어 제거될 수 있다. 예컨대, 상기 제조장치(1)에 의해, 상기 오링 상에 존재할 수 있는 이물질이 용이하게 제거될 수 있다. 따라서, 장치의 리크 발생이 예방될 수 있다.
상기 분사부(130) 및 상기 썩션부(140)는 제어부(43)와 연결될 수 있다. 상기 제어부(43)는 기체 분사 및 썩션의 시작 및 종료를 제어할 수 있다.
도 2 내지 6을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조장치가 설명된다. 앞서 설명된 내용과 동일한 내용은 생략될 수 있다.
도 2를 참조하면, 반도체 제조장치(100)는 공정 챔버(process chamber)(110)를 포함할 수 있다. 상기 공정 챔버(110)는 내부 튜브(inner tube)(112) 및 외부 튜브(outer tube)(114)를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 내부 튜브(112) 및 상기 외부 튜브(114)는 석영(quartz)을 포함할 수 있다. 상기 내부 튜브(112)는 그 상.하부가 개방된 원통형의 형상을 가질 수 있다. 상기 외부 튜브(114)는 하부가 개방된 종형(bell jar)일 수 있으며, 상기 내부 튜브(112)와 이격되어 상기 내부 튜브(112)를 감쌀 수 있다. 상기 외부 튜브(114)의 외부에 상기 공정 챔버(110)에 열을 제공하는 히팅 요소(heating element)(미도시)가 구비될 수 있다.
상기 반도체 제조장치(100)는 캡 플레이트(cap plate)(150)를 포함할 수 있다. 상기 캡 플레이트(150)는 하부가 개방된 상기 공정 챔버(110)의 바닥을 이룰 수 있으며, 상기 캡 플레이트(150)에 의해 상기 공정 챔버(110)는 외부로부터 차단될 수 있다. 상기 캡 플레이트(150)는 회전부(152)를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 회전부(152)는 상기 캡 플레이트(150)의 중앙부일 수 있다. 상기 캡 플레이트(150) 상의 가장자리에 오링(O-ring)(미도시)이 놓일 수 있다. 즉, 상기 캡 플레이트(150) 및 상기 공정 챔버(110) 간에 상기 오링이 개재될 수 있다. 또는 상기 공정 챔버(110) 및 상기 캡 플레이트(150) 간에 플랜지(155)가 개재되어 상기 오링은 상기 플랜지(155)와 닿을 수 있다. 상기 캡 플레이트(150) 상에 방열판(154)이 구비될 수 있고, 상기 방열판(154) 상에 기판(S)이 탑재된 보트(boat)(B)가 놓일 수 있다. 상기 플랜지(155)의 일측은 상기 공정 챔버(110)로 공정 소스를 제공하는 공정 소스 제공부(122)와 연결되고, 다른 일측은 상기 공정 챔버(110) 내에서 공정을 마친 기체를 배출하는 배출구(124)와 연결될 수 있다.
상기 캡 플레이트(150)는 구동부(160)와 연결될 수 있다. 상기 구동부(160)는 상기 회전부(152)를 회전시킬 수 있는 모터(162) 및 상기 캡 플레이트(150)를 업.다운 시킬 수 있는 엘리베이터(164)를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 엘리케이터(164)는 상기 공정 챔버(110)와 평행할 수 있다. 상기 엘리베이터(164)는 상기 캡 플레이트(150)를 지지하는 브라켓(미도시), 상기 브라켓을 상.하 이동시키는 스크류(미도시) 및 상기 스크류를 회전시키는 모터(미도시)를 포함할 수 있다. 또는, 상기 엘리베이터(164)는 상기 캡 플레이트(150)의 아래에 위치하는 피스톤(미도시)을 포함할 수 있다.
도 3 및 4를 참조하면, 상기 캡 플레이트(150)의 주위에 분사 노즐들(130) 및 썩션 노즐들(140)이 상기 캡 플레이트(150)를 향해 배열될 수 있다. 상기 분사 노즐들(130) 및 상기 썩션 노즐들(140)은 각각 하나씩 교대로 배열되거나, 동일 노즐별로 연달아 배열될 수 있다. 상기 분사 노즐들(130) 및 상기 썩션 노즐들(140)은 상기 탑 플레이트(150)의 상부면의 연장선상과 동일한 평면상에 위치하거나 상 기 상부면을 향해 기울어질 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 캡 플레이트(150) 주위에 기체 분사부(130) 및 썩션부(140)가 배치될 수 있다. 상기 분사부(130) 및 상기 썩션부(140)는 서로 이격되어 상기 캡 플레이트(150)의 가장자리를 등분하여 연속적으로 둘러쌀 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 분사부(130) 보다 상기 썩션부(140)가 상기 캡 플레이트(150)의 가장자리를 더 많이 둘러쌀 수 있다.
상기 분사부(130) 및 상기 썩션부(140)는 제어부(143)와 연결될 수 있다. 상기 제어부(143)는 기체 분사 및 썩션의 시작 및 종료를 제어할 수 있다.
예컨대, 상기 분사부(또는 분사 노즐들) 및 썩션부(또는 썩션 노즐들)는 상기 엘리베이터의 위치에 따라, 상기 캡 플레이트 주위의 일부 영역(A)을 노출할 수도 있다.(도 3)
도 7을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조장치의 이용방법이 설명된다.
앞서 설명된 반도체 제조장치가 제공될 수 있다(S 201). 상기 반도체 제조장치의 캡 플레이트 상에 보트가 제공될 수 있다(S202). 또는, 상기 반도체 제조장치의 공정 챔버 내부에 보트가 장착될 수 있다. 상기 보트에 기판이 장착될 수 있다.
상기 캡 플레이트가 업되어 공정 챔버에 장착될 수 있다(S203). 상기 캡 플레이트가 상기 공정 챔버에 장착됨으로써 상기 공정 챔버는 외부와 단절될 수 있다. 상기 캡 플레이트는 스크류 엘리베이터 또는 피스톤 엘리베이터에 의해 업될 수 있다. 예컨대, 상기 스크류 엘리베이터는 나선형의 스크류의 회전에 의해 이동할 수 있고, 상기 피스톤 엘리베이터는 기체의 압력에 의해 이동할 수 있다.
상기 기판이 처리될 수 있다(S204). 예컨대, 상기 처리는 상기 기판 상에 막을 형성하는 공정일 수 있다. 상기 막 형성 공정은 증발법과 같은 물리적 공정(physical process) 및 화학 기상 증착법과 같은 화학적 공정(chemical process)을 포함할 수 있다.
처리가 완료되면, 캡 플레이트가 다운될 수 있다(S205).
상기 캡 플레이트가 완전히 다운되면, 썩션부(또는 썩션 노즐)가 작동될 수 있다(S206). 상기 썩션부가 작동되면, 상기 캡 플레이트의 회전부가 회전할 수 있다(S207). 상기 회전부가 회전하면 기체 분사부(또는 기세 분사노즐)로부터 기체가 상기 캡 플레이트상으로 분사될 수 있다(S208). 상기 기체는 불활성 기체일 수 있으며, 예컨대, 질소일 수 있다.
기체 분사에 의해 상기 캡 플레이트 상의 이물질이 부유하고 부유된 이물질은 상기 썩션부의 진공 썩션에 의해 상기 썩션부로 빨려들어갈 수 있다. 이때, 상기 회전부의 회전에 의해 상기 캡 플레이트 상부면 전면에 대해 기체 분사 및 썩션이 수행될 수 있다. 기체 분사 및 썩션의 수행시간은 제어부에 의해 제거될 수 있고, 수행시간은 기판의 로드 및 언로드 시간에 포함될 수 있다.
수행시간이 종료되면, 기체 분사가 정지될 수 있다(S209). 기체 분사가 정지되면, 상기 회전부가 정지되고(S210), 회전이 정지되면 썩션이 정지될 수 있다(S211).
상기 썩션 단계부터 상기 썩션 정지 단계가 수행되는 동안, 상기 기판은 상기 보트로부터 언로드될 수 있다. 상기 기판이 언로드되면, 새로운 기판이 상기 보트로 로드될 수 있다(S212).
이후, 앞서 과정이 반복될 수 있다.
따라서, 막 형성공정이 수행될 때마다, 캡 플레이트가 클리닝되는 효과를 얻을 수 있고, 작업자에 의한 확인 과정 없이도 제조장치 내의 청결도가 유지될 수 있다. 또한, 캡 플레이트에 구비될 수 있는 오링(O-ring) 등에 이물질로 인한 진공 리크 발생이 예방될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1 및 2는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 제조장치의 단면도들이다.
도 3 내지 6은 도 1 및 2의 I-I'선을 포함하는 평면도들이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 다른 반도체 제조장치의 이용방법을 나타낸 흐름도이다.

Claims (19)

  1. 바닥이 개구된 공정 챔버;
    상기 공정 챔버의 상기 개구된 바닥에서 상기 공정 챔버와 착탈하는 캡 플레이트;
    상기 캡 플레이트의 가장자리 주위의 기체 분사부; 및
    상기 기체 분사부와 이격되고, 상기 캡 플레이트의 상기 가장자리 주위에 배열되는 썩션부를 포함하는 반도체 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 분사부는 복수 개의 분사 노즐을 포함하고, 상기 썩션부는 복수 개의 썩션 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 분사 노즐들 및 상기 썩션 노즐들은 서로 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 분사 노즐들 및 상기 썩션 노즐들은 상기 캡 플레이트의 상부면을 향해 기울어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 분사부 및 상기 썩션부는 상기 캡 플레이트의 상기 가장자리를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체 분사부 및 상기 썩션부는 상기 캡 플레이트의 상기 가장자리를 둘러싸되,
    상기 썩션부가 상기 기체 분사부 보다 더 넓은 영역을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 캡 플레이트는 회전부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 캡 플레이트를 상하로 이동시키는 구동부, 및 상기 기체 분사부 및 상기 썩션부를 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    공정 소스 제공부 및 배출구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  10. i) 바닥이 개구된 공정 챔버, 상기 공정 챔버의 상기 개구된 바닥에서 상기 공정 챔버와 착탈하고 회전부를 포함하는 캡 플레이트, 상기 캡 플레이트의 가장자리 주위의 기체 분사부 및 상기 기체 분사부와 이격되고 상기 캡 플레이트의 상기 가장자리 주위에 배치되는 썩션부를 포함하는 반도체 제조장치를 제공하는 단계;
    ii) 상기 썩션부를 이용하여 썩션하는 단계;
    iii) 상기 캡 플레이트의 상기 회전부를 회전시키는 단계; 및
    iv) 상기 기체 분사부로부터 기체를 분사하는 단계를 포함하는 반도체 제조장치의 이용방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기체를 분사하는 단계는:
    불활성 기체를 분사하는 단계를 포함하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 이용방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 기체 분사를 정지하는 단계;
    상기 캡 플레이트의 상기 회전부를 정지하는 단계; 및
    상기 썩션을 정지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 이용방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 반도체 제조장치를 제공하는 단계는:
    기판이 장착된 보트가 놓인 상기 캡 플레이트를 상기 공정 챔버에 장착하는 단계;
    상기 기판을 처리하는 단계; 및
    상기 캡 플레이트를 상기 공정 챔버로부터 이탈시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 이용방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 ii) 내지 iv) 단계를 수행하는 동안, 처리된 상기 기판은 상기 보트로부터 언로드되고 새로운 기판이 상기 보트로 로드되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 이용방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 기체 분사부는 복수 개의 분사 노즐을 포함하고, 상기 썩션부는 복수 개의 썩션 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 이용방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 분사 노즐들 및 상기 썩션 노즐들은 서로 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 이용방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 분사 노즐들 및 상기 썩션 노즐들은 상기 캡 플레이트의 상부면을 향해 기울어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 이용방법.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 기체 분사부 및 상기 썩션부는 상기 캡 플레이트의 상기 가장자리를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 이용방법.
  19. 제 10 항에 있어서,
    상기 기체 분사부 및 상기 썩션부는 상기 캡 플레이트의 상기 가장자리를 둘러싸되,
    상기 썩션부가 상기 기체 분사부 보다 더 넓은 영역을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 이용방법.
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