KR20090013405A - Apparatus for grinding wafer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 웨이퍼 연마장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 웨이퍼 후면 연마 공정의 각 공정들 사이의 시간 차이에 따라 전체적인 웨이퍼 후면 연마 공정 시간이 길어지는 것을 방지하여 택트타임을 감소시킬 수 있는 웨이퍼 연마장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer polishing apparatus, and more particularly, a wafer that can reduce the tact time by preventing the overall wafer backside polishing process time from being longer due to the time difference between the processes of the wafer backside polishing process. It relates to a polishing apparatus.
웨이퍼(wafer)의 활성면에 반도체 집적회로를 형성하는 웨이퍼 제조 공정에 있어서, 웨이퍼 제조 장치들 간의 이동이나 취급 시 발생되는 웨이퍼의 손상을 억제하기 위해 웨이퍼 제조 공정에 투입되는 웨이퍼는 실질적으로 반도체 패키지 제조 공정에 사용되는 웨이퍼에 비해서 상당히 두꺼운 상태로 제공된다.In the wafer fabrication process of forming a semiconductor integrated circuit on the active surface of the wafer, the wafers introduced into the wafer fabrication process in order to suppress damage of the wafer generated during movement or handling between the wafer fabrication apparatuses are substantially a semiconductor package. It is provided in a considerably thicker state than the wafers used in the manufacturing process.
따라서 웨이퍼 제조 공정 후에는 반도체 패키지 제조 공정에 제공되기 전에 불필요한 웨이퍼의 일면(후면)을 연마하는 공정이 수반된다. 웨이퍼의 후면 연마 공정을 통하여 반도체 칩의 부피를 줄일 수 있고 패키지화하여 사용할 때 양호한 열방출 특성을 확보할 수 있게 된다.Therefore, after the wafer fabrication process, a process of polishing one surface (rear surface) of the unnecessary wafer is involved before being provided to the semiconductor package fabrication process. Through the polishing of the back surface of the wafer, it is possible to reduce the volume of the semiconductor chip and to ensure good heat dissipation characteristics when packaged and used.
웨이퍼의 후면 연마를 위한 종래의 웨이퍼 연마장치는, 황삭(rough grinding), 정삭(fine grinding) 그리고 폴리싱(polishing) 공정 순으로 진행하여 웨이퍼 후면을 연마하는 장치이다.Conventional wafer polishing apparatus for polishing the back of the wafer is an apparatus for polishing the back of the wafer in the order of rough grinding, fine grinding and polishing processes.
이러한 종래의 웨이퍼 연마장치는, 회전 가능한 턴테이블(turn-table)과, 턴테이블 상에 마련되는 4개의 척 테이블(chuck table)과, 턴테이블의 일측으로 설치되는 공급용 웨이퍼 카세트와 수납용 웨이퍼 카세트를 구비한다. 그리고 척 테이블에 흡착된 웨이퍼에 대한 연마 공정을 진행하는 연마유닛이 3개의 척 테이블 위에 각각 설치된다.This conventional wafer polishing apparatus includes a turntable that is rotatable, four chuck tables provided on the turntable, a wafer cassette for supply and a wafer cassette for storage provided on one side of the turntable. do. A polishing unit that performs a polishing process on the wafer adsorbed on the chuck table is installed on each of the three chuck tables.
자세히 후술하겠지만, 척 테이블은 웨이퍼를 진공 흡착하는 부분으로서, 턴테이블의 원주 방향을 따라 가장자리 부분에 4개가 설치되며, 턴테이블의 회전에 따라서 턴테이블과 함께 소정 각도로 회전한다.As will be described in detail later, four chuck tables are provided for vacuum suction of wafers, and four chuck tables are provided at edge portions along the circumferential direction of the turntable, and rotate together with the turntable at predetermined angles as the turntable rotates.
이때 4개의 척 테이블은, 웨이퍼가 대기하는 대기 테이블, 황삭 공정이 진행되는 황삭 테이블, 정삭 공정이 진행되는 정삭 테이블, 그리고 폴리싱 공정이 진행되는 폴리싱 테이블로 구분된다.At this time, the four chuck tables are divided into a standby table on which the wafer waits, a roughing table in which the roughing process is performed, a finishing table in which the finishing process is performed, and a polishing table in which the polishing process is performed.
연마유닛은 웨이퍼가 공급되거나 취출되는 부분인 대기 테이블을 제외하고, 황삭 테이블, 정삭 테이블 및 폴리싱 테이블 상부에 설치된다. 연마유닛에 대해 간략하게 부연하면, 연마유닛은, 황삭 테이블 상부에 설치되어 초기의 웨이퍼 후면을 거칠게 연마하는 황삭 휠과, 정삭 테이블 상부에 설치되어 황삭 공정이 완료된 웨이퍼 후면을 정밀하게 연마하는 정삭 휠과, 폴리싱 테이블 상부에 설치되어 정삭 공정이 완료된 웨이퍼의 후면을 화학적 물리적 방법(CMP, Chemical Mechanical Polishing)으로 연마하는 폴리셔를 포함한다.The polishing unit is installed on the roughing table, the finishing table and the polishing table, except for the waiting table, which is a portion where the wafer is supplied or taken out. Briefly with respect to the polishing unit, the polishing unit is provided with a roughing wheel installed on the top of the roughing table to roughly polish the initial wafer rear surface, and a polishing wheel mounted on the top of the finishing table to precisely polish the back surface of the wafer where the roughing process is completed. And a polisher installed on the polishing table and polishing the back surface of the wafer, in which the finishing process is completed, by chemical mechanical polishing (CMP).
공급용 웨이퍼 카세트와 수납용 웨이퍼 카세트는 대기 테이블에 근접하게 설 치된다. 공급용 웨이퍼 카세트는 후면 연마 공정을 진행할 웨이퍼를 대기 테이블로 제공하고, 수납용 웨이퍼 카세트는 후면 연마 공정이 완료된 웨이퍼를 제공받는다.The supply wafer cassette and the storage wafer cassette are installed close to the waiting table. The supply wafer cassette provides a wafer to be subjected to the back polishing process to the waiting table, and the receiving wafer cassette is provided with a wafer on which the back polishing process is completed.
한편, 반도체 패키지의 경박화가 가속화됨에 따라서 웨이퍼의 후면 연마량이 점차 증가하고 있다.Meanwhile, as the thickness of the semiconductor package is accelerated, the back surface polishing amount of the wafer is gradually increased.
이와 같은 웨이퍼의 후면 연마량의 증가는 황삭 공정과 정삭 공정 시간의 증가를 불러오게 되는데, 턴테이블의 회전에 따라서 각각의 척 테이블에서의 시간 지연을 최소화하면서 웨이퍼 후면 연마 공정을 진행하기 위해서는 정삭량을 증가시킬 필요가 있다. 그런데 정삭량이 30㎛를 넘어갈 경우에는 웨이퍼 번닝(wafer burning)이 발생되어 웨이퍼 품질이 저하되는 문제가 발생되기 때문에 증가시킬 수 있는 정삭량은 제한될 수밖에 없다.Increasing the amount of backside polishing of the wafer leads to an increase in roughing and finishing time. In order to proceed with the backside polishing process while minimizing time delay at each chuck table as the turntable rotates, Need to be increased. However, when the finishing amount exceeds 30 μm, wafer burning occurs and the quality of the wafer is degraded. Therefore, the finishing amount that can be increased is limited.
이와 같은 문제를 고려하여 종래에는 황삭량만을 늘려 웨이퍼 후면 연마 공정을 진행한 예가 있다. 그렇지만 이와 같이 황삭량만을 늘리는 경우, 황삭 공정 시간이 다른 공정 시간에 비해 상대적으로 길어짐에 따른 전체적인 웨이퍼 후면 연마 공정 시간이 길어져 웨이퍼 후면 연마 장치의 생산 수율이 떨어지는 문제가 야기된다.In view of such a problem, there is an example in which the back surface polishing process is performed by increasing only the roughing amount. However, when only the roughing amount is increased in this way, the overall wafer backside polishing time becomes longer as the roughing process time becomes relatively longer than other process times, resulting in a problem that the production yield of the wafer backside polishing apparatus decreases.
따라서 웨이퍼 후면 연마 공정의 각 공정들 사이의 시간 차이에 따라 전체적인 웨이퍼 후면 연마 공정 시간이 길어지는 것을 방지하여 택트타임을 감소시키기 위한 구조의 개선이 요구된다. 다만, 단순하게 턴테이블의 크기를 증가시키거나 혹은 척 테이블의 수량을 증가시키는 구조 개선을 통해 웨이퍼 후면 연마 공정 시간이 길어지는 것을 방지하여 택트타임을 감소시키려 하는 경우, 턴테이블의 강성 및 진동 문제가 야기되어 오히려 웨이퍼에 대한 연마 품질이 저하될 수 있으므로 이에 대한 대책 역시 함께 강구되어야 할 것이다.Therefore, it is necessary to improve the structure to reduce the tact time by preventing the overall wafer backside polishing time from lengthening according to the time difference between the processes of the wafer backside polishing process. However, when attempting to reduce the tact time by preventing the length of the wafer backside polishing process by simply increasing the size of the turntable or improving the number of chuck tables, the stiffness and vibration of the turntable may occur. As a result, the polishing quality of the wafer may be deteriorated, so countermeasures should be taken together.
본 발명의 목적은, 웨이퍼 후면 연마 공정의 각 공정들 사이의 시간 차이에 따라 전체적인 웨이퍼 후면 연마 공정 시간이 길어지는 것을 방지하여 택트타임을 감소시킬 수 있는 웨이퍼 연마장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a wafer polishing apparatus which can reduce the tact time by preventing the overall wafer backside polishing time from lengthening according to the time difference between the processes of the wafer backside polishing process.
본 발명의 다른 목적은, 턴테이블의 강성 및 진동 문제로 인해 웨이퍼에 대한 연마 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 연마장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a wafer polishing apparatus which can prevent the polishing quality on the wafer from being degraded due to the problems of the stiffness and vibration of the turntable.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 회전 가능한 턴테이블; 상기 턴테이블 상의 어느 일측에 마련되어 웨이퍼(wafer)를 흡착하는 황삭 테이블과, 상기 황삭 테이블의 상부에 마련되어 상기 웨이퍼에 대한 황삭(rough grinding) 공정을 진행하는 황삭 휠을 구비한 황삭 연마부; 상기 턴테이블 상에 원주 방향을 따라 상기 황삭 테이블의 배후에 마련되어 상기 웨이퍼를 흡착하는 정삭 테이블과, 상기 정삭 테이블의 상부에 마련되어 상기 황삭 공정이 완료된 상기 웨이퍼에 대한 정삭(fine grinding) 공정을 진행하는 정삭 휠을 구비한 정삭 연마부; 상기 턴테이블 상에 원주 방향을 따라 상기 정삭 테이블의 배후에 마련되어 상기 웨이퍼를 흡착하는 폴리싱 테이블과, 상기 폴리싱 테이블의 상부에 마련되어 상기 정삭 공정이 완료된 상 기 웨이퍼에 대한 폴리싱(polishing) 공정을 진행하는 폴리셔를 구비한 폴리싱 연마부; 및 상기 황삭 연마부와 상기 정삭 연마부의 주변에 배치되어 상기 황삭 공정과 상기 정삭 공정 중에서 선택된 적어도 어느 한 공정을 추가로 더 진행하는 버퍼 연마부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마장치에 의해 달성된다.The object is, according to the present invention, a turntable rotatable; A roughing polishing unit having a roughing table provided on one side of the turntable to adsorb a wafer, and a roughing wheel provided on the roughing table to perform a rough grinding process on the wafer; A finishing table provided on the turntable in the circumferential direction behind the roughing table and adsorbing the wafer; and a finishing table provided above the finishing table to perform a fine grinding process on the wafer where the roughing process is completed. Finishing polishing unit having a wheel; A polishing table provided on the turntable in a circumferential direction behind the finishing table to adsorb the wafer, and a polishing table provided on an upper portion of the polishing table to perform a polishing process on the wafer where the finishing process is completed. A polishing polishing unit having a polisher; And a buffer polishing unit disposed around the rough polishing unit and the finishing polishing unit to further perform at least one process selected from the roughing process and the finishing process.
여기서, 상기 버퍼 연마부는, 상기 턴테이블 상에 마련되는 버퍼 테이블; 및 상기 버퍼 테이블의 상부에 마련되는 버퍼 휠을 포함할 수 있다.The buffer polishing unit may include: a buffer table provided on the turntable; And a buffer wheel provided at an upper portion of the buffer table.
상기 버퍼 테이블은, 상기 턴테이블의 원주 방향을 따라 상기 황삭 테이블과 상기 정삭 테이블의 사이 영역과, 상기 정삭 테이블과 상기 폴리싱 테이블의 사이 영역 중에서 선택된 적어도 어느 한 영역에 적어도 한 개 마련될 수 있다.At least one buffer table may be provided in at least one region selected from an area between the roughing table and the finishing table and an area between the finishing table and the polishing table in the circumferential direction of the turntable.
상기 버퍼 연마부는, 상기 턴테이블의 원주 방향을 따라 상기 황삭 연마부와 상기 정삭 연마부 사이에 마련되는 2차 황삭 연마부일 수 있다.The buffer polishing unit may be a secondary rough polishing unit provided between the rough polishing unit and the finishing polishing unit along the circumferential direction of the turntable.
상기 턴테이블 상의 어느 일측에 마련되어 상기 웨이퍼가 대기하는 대기 테이블을 더 포함할 수 있으며, 상기 대기 테이블, 상기 황삭 테이블, 상기 정삭 테이블, 상기 폴리싱 테이블 및 상기 버퍼 테이블은 상기 테이블의 원주 방향을 따라 상호 등간격으로 배열되는 상기 웨이퍼를 진공 흡착하는 척 테이블일 수 있다.The standby table may further include a standby table provided on one side of the turntable, and the standby table, the roughing table, the finishing table, the polishing table, and the buffer table are mutually along the circumferential direction of the table. It may be a chuck table for vacuum suction of the wafers arranged at intervals.
상기 턴테이블의 회전 축심을 형성하는 테이블축을 더 포함할 수 있으며, 상기 테이블축에는 크로스 롤러 베어링이 결합될 수 있다.It may further include a table shaft to form a rotation axis of the turntable, the table shaft may be coupled to the cross roller bearing.
상기 크로스 롤러 베어링은 상기 테이블축에서 서로 다른 위치에 적어도 2단으로 배치될 수 있다.The cross roller bearing may be arranged in at least two stages at different positions on the table shaft.
상기 황삭 테이블, 상기 버퍼 테이블, 상기 정삭 테이블 및 상기 폴리싱 테 이블 각각은, 진공라인이 형성된 테이블몸체; 상기 진공라인과 연통하는 다수의 기공을 가지며, 상기 테이블몸체의 상부에 마련되는 포로스(Porous) 척 몸체; 및 상기 포로스 척 몸체와 상기 웨이퍼 사이로 슬러지가 유입되는 것을 저지하기 위해 상기 포로스 척 몸체와 분리된 상태로 상기 포로스 척 몸체에 인접하게 마련되는 슬러지 유입 방지부를 포함할 수 있다.Each of the roughing table, the buffer table, the finishing table and the polishing table includes: a table body having a vacuum line formed thereon; Porous chuck body having a plurality of pores in communication with the vacuum line, is provided on the table body; And a sludge inflow prevention part provided adjacent to the porosity chuck body in a state separated from the porosity chuck body to prevent sludge from flowing between the porosity chuck body and the wafer.
상기 슬러지 유입 방지부는 기공이 형성되지 않은 슬러지 유입 방지링일 수 있으며, 상기 포로스 척 몸체는 상기 웨이퍼의 증착구간을 하부에서 지지하고, 상기 슬러지 유입 방지부는 상기 웨이퍼의 비증착구간을 하부에서 지지할 수 있으며, 상기 포로스 척 몸체는 상기 테이블몸체의 상면보다 작은 면적을 가질 수 있다.The sludge inflow prevention part may be a sludge inflow prevention ring having no pores formed therein, and the porosity chuck body may support the deposition section of the wafer from below, and the sludge inflow prevention part may support the non-deposition section of the wafer from below. The porosity chuck body may have an area smaller than an upper surface of the table body.
상기 슬러지 유입 방지부는, 상기 테이블몸체에 형성되어 상기 웨이퍼의 에지(edge) 영역으로 슬러지 유입 방지용 에어를 분사하는 에어분사공일 수 있다.The sludge inflow prevention part may be an air injection hole formed in the table body to inject air for preventing sludge inflow into an edge region of the wafer.
상기 황삭 테이블, 상기 버퍼 테이블, 상기 정삭 테이블 및 상기 폴리싱 테이블 사이 중에서 적어도 어느 일 영역에 마련되어 해당 영역을 지나는 웨이퍼를 클리닝하는 클리닝부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a cleaning unit disposed in at least one region among the roughing table, the buffer table, the finishing table, and the polishing table to clean the wafer passing through the region.
상기 클리닝부는, 상기 웨이퍼의 상부 영역에 배치되는 클리닝몸체부; 및 상기 클리닝몸체부에 형성되어 상기 웨이퍼의 연마면을 향해 물(water)과 공기(air) 중에서 선택된 어느 하나의 클리닝물질을 분사하는 분사부를 포함할 수 있다.The cleaning unit may include a cleaning body disposed at an upper region of the wafer; And an injection unit formed in the cleaning body to spray any one cleaning material selected from water and air toward the polishing surface of the wafer.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 후면 연마 공정의 각 공정들 사이의 시간 차이에 따라 전체적인 웨이퍼 후면 연마 공정 시간이 길어지는 것을 방지하여 택트타임을 감소시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to reduce the tact time by preventing the overall wafer backside polishing time from lengthening according to the time difference between the processes of the wafer backside polishing process.
또한 본 발명에 따르면, 턴테이블의 강성 및 진동 문제로 인해 웨이퍼에 대한 연마 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to prevent the polishing quality of the wafer from being degraded due to the rigidity and vibration problems of the turntable.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by explaining preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치의 구성도이고, 도 2는 도 1의 개략적인 종단면도이다.1 is a block diagram of a wafer polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention, Figure 2 is a schematic longitudinal cross-sectional view of FIG.
이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치는, 회전 가능한 턴테이블(10, turn-table)과, 1차 황삭(rough grinding) 공정을 진행하는 황삭 연마부(30)와, 2차 황삭 공정을 진행하는 버퍼 연마부(40)와, 정삭(fine grinding) 공정을 진행하는 정삭 연마부(50)와, 폴리싱(polishing) 공정을 진행하는 폴리싱 연마부(60)를 구비한다.As shown in these figures, the wafer polishing apparatus according to the present embodiment includes a
황삭 연마부(30), 버퍼 연마부(40), 정삭 연마부(50), 폴리싱 연마부(60)는 각기 턴테이블(10) 상에서 원주 방향을 따라 마련되어 해당 공정을 순차적으로 진행하면서 웨이퍼(W, Wafer)의 후면(일면 혹은 이면)을 연마한다.The
앞서도 기술한 바와 같이, 황삭 공정에서의 연마 가공량은 다른 공정에 비해 훨씬 많기 때문에 자연적으로 황삭에 소요되는 시간이 늘어나게 되는데, 만약 황삭량만을 늘려 웨이퍼(W) 후면 연마 공정을 진행하게 되면, 황삭 공정 시간이 다른 공정 시간에 비해 상대적으로 길어짐에 따른 전체적인 웨이퍼(W) 후면 연마 공정 시간이 길어져 웨이퍼(W) 후면 연마 장치의 생산 수율이 떨어지는 문제가 야기된다.As described above, since the amount of abrasive machining in the roughing process is much larger than other processes, the time required for roughing naturally increases. If only the roughing amount is increased, the roughing process of the wafer (W) rear surface is performed. As the process time is relatively longer than other process times, the overall wafer W backside polishing process time is long, resulting in a decrease in production yield of the wafer W backside polishing apparatus.
따라서 웨이퍼(W) 후면 연마 공정의 각 공정들 사이의 시간 차이에 따라 전체적인 웨이퍼(W) 후면 연마 공정 시간이 길어지는 것을 방지하여 택트타임을 감소시키기 위한 구조의 개선이 요구되는데, 이를 위해 본 실시예에서는 별도의 버퍼 연마부(40)를 더 마련하고, 버퍼 연마부(40)가 2차 황삭 공정 진행을 위한 2차 황삭 연마부로서의 역할을 수행하도록 하고 있다. 이와 같이, 연마 공정이 가장 긴 공정인 황삭 공정을 복수의 공정으로 수행함으로써 전체적으로 택트타임이 증가되는 것을 저지할 수 있게 되는 것이다.Therefore, it is required to improve the structure to reduce the tact time by preventing the overall wafer W backside polishing time from lengthening according to the time difference between the processes of the backside polishing process of the wafer W. In the example, a separate
버퍼 연마부(40)가 2차 황삭 공정을 진행할 수 있도록, 본 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치의 턴테이블(10)에는 모두 5개의 척 테이블(미도시, chuck table)이 마련되고, 5개의 척 테이블 중 대기 테이블(21)을 제외한 4개의 척 테이블 상부에 4개의 연마유닛(미도시)이 마련된다.Five chuck tables (not shown) are provided on the
참고로, 도면 참조부호가 부여되지 않은 5개의 척 테이블이란, 대기 테이블(21), 황삭 테이블(31), 버퍼 테이블(41), 정삭 테이블(51) 및 폴리싱 테이블(61)을 가리키고, 역시 도면 참조부호가 부여되지 않은 4개의 연마유닛은 황삭 휠(32), 버퍼 휠(42), 정삭 휠(52) 및 폴리셔(62)를 가리킨다.For reference, the five chuck tables without reference numerals refer to the waiting table 21, the roughing table 31, the buffer table 41, the finishing table 51, and the polishing table 61. The four polishing units, which are not given reference numerals, refer to the
이 때에, 5개의 척 테이블의 구조는 모두 동일하게 마련되며, 턴테이블(10)의 원주 방향을 따라 상호 등간격으로 마련된다. 이러한 5개의 척 테이블은 턴테이블(10)에 의해 회전하기 때문에, 실질적으로 5개의 척 테이블은 대기 테이블(21), 황삭 테이블(31), 버퍼 테이블(41), 정삭 테이블(51) 및 폴리싱 테이블(61)로서의 역할을 모두 수행한다. 다만, 본 실시예에서는 설명의 편의를 위해 황삭 휠(32), 버퍼 휠(42), 정삭 휠(52) 및 폴리셔(62) 영역에 위치되는 순간의 척 테이블을 각각 황삭 테이블(31), 버퍼 테이블(41), 정삭 테이블(51) 및 폴리싱 테이블(61)이라 하는 것이다.At this time, the structures of the five chuck tables are all provided in the same manner, and are provided at equal intervals along the circumferential direction of the
이러한 논리에 의해, 본 실시예의 경우에는 황삭 테이블(31) 및 황삭 휠(32)이 한 쌍을 이루어 황삭 연마부(30)를, 버퍼 테이블(41) 및 버퍼 휠(42)이 한 쌍을 이루어 버퍼 연마부(40)를, 정삭 테이블(51) 및 정삭 휠(52)이 한 쌍을 이루어 정삭 연마부(50)를, 그리고 폴리싱 테이블(61) 및 폴리셔(62)가 한 쌍을 이루어 폴리싱 연마부(60)를 이루게 된다. 각 구성들에 대해 순차적으로 설명한다.By this logic, in the present embodiment, the rough table 31 and the
턴테이블(10)은 5개의 척 테이블이 그 상면에서 원주 방향을 따라 지지되는 부분이다. 턴테이블(10)은 원반 형상으로 제작될 수 있다. 이러한 턴테이블(10)의 하부에는 턴테이블(10)의 회전 축심을 형성하는 테이블축(12)이 결합되어 있다.The
종래기술의 경우, 턴테이블(10) 상에 4개의 척 테이블이 마련되어 있었으나, 본 실시예의 경우에는 앞서도 기술한 바와 같이, 총 5개의 척 테이블이 마련된다. 따라서 본 실시예의 턴테이블(10)은 종래기술의 턴테이블(미도시)과는 달리 그 크 기가 커지면서 5개의 척 테이블로 인해 하중이 증가하게 된다.In the prior art, four chuck tables were provided on the
따라서 턴테이블(10)의 강성 및 진동 문제가 야기될 수 있으며, 이를 방치하는 경우, 웨이퍼(W)의 연마 품질이 저하될 우려가 있다. 이를 해결하기 위해 테이블축(12)에는 크로스 롤러 베어링(14)이 결합된다. 크로스 롤러 베어링(14)은 도 2에 도시된 바와 같이, 테이블축(12)에서 서로 다른 위치에 적어도 2단으로 배치되어 턴테이블(10)의 강성 및 진동 문제를 해소하고 있다.Therefore, the rigidity and vibration problems of the
참고로, 크로스 롤러 베어링(14)에 대해 부연한다. 자세히 도시하고 있지는 않지만, 크로스 롤러 베어링(14)의 구조와 특징을 살펴보면, 크로스 롤러 베어링(14)은 90도 의 V홈 형상의 구름면에 원통 롤러가 스페이서 리테이너 사이에 상호 직교 배열되어 있으므로 1개의 베어링으로 레이디얼 하중, 축방향 하중 및 모멘트 하중 등의 모든 방향의 하중을 부하하는 것이 가능하다. 내외륜의 치수는 최소한으로 콤팩트화 될 수 있으며 고강성이므로 본 실시예의 연마장치 외에도 공업용 로보트의 관절부나 선회부, 머시닝센터의 선회테이블, 메뉴플레이터의 회전부, 정밀로터리테이블, 의료기기, 계측기, IC제조 장치 등의 용도에 적합한 것으로 알려지고 있다.For reference, the
크로스 롤러 베어링(14)은, 직교 배열된 롤러 사이에 스페이서 리테이너가 배열됨으로써 롤러의 스큐 방지나 롤러끼리의 상호 마찰에 의한 회전 토오크의 증가를 방지할 수 있다. 또한 롤러의 편접촉 현상이나 록현상이 생기지 않고 예압을 부여한 상태에서도 안정된 회전이 얻어진다. 그리고 내륜 또는 외륜이 2분할 구조이므로 베어링의 클리어런스를 조정할 수 있고 예압을 부여하는 것도 가능하므로 고정도의 회전 운동이 얻어진다.The
크로스 롤러 베어링(14)은 조립 시 취급이 용이하며, 스페이서 리테이너에 의해 롤러는 항상 정규 위치에 유지되어 있으므로 롤러의 스큐(롤러의 어긋남)를 방지하고 롤러끼리의 상호 마찰이 없으므로 안정된 회전 성능이 얻어진다. 특히, 크로스 롤러 베어링(14)은, 롤러가 직교 배열되어 있으므로 박형 앵귤러 볼베어링이 복열로 사용되는 것에 비해 1개의 베어링으로 각 방향의 하중이 부하되어도 강성이 3배 내지 4배 이상으로 향상되는 것으로 알려지고 있다. 이와 같이, 턴테이블(10) 상에 5개의 척 테이블을 마련하면서 테이블축(12)에 크로스 롤러 베어링(14)을 적용함으로써 턴테이블(10)에 야기될 수 있는 강성 및 진동 문제를 적절하게 해소할 수 있게 된다.The
한편, 앞서도 기술한 바와 같이, 5개의 척 테이블은, 웨이퍼(W)가 대기하는 대기 테이블(21)과, 1차 황삭 공정이 진행되는 황삭 테이블(31)과, 2차 황삭 공정이 진행되는 버퍼 테이블(41)과, 정삭 공정이 진행되는 정삭 테이블(51)과, 폴리싱 공정이 진행되는 폴리싱 테이블(61)로 구분된다.On the other hand, as described above, the five chuck tables include a standby table 21 on which the wafer W waits, a roughing table 31 on which the first roughing process proceeds, and a buffer on which the second roughing process proceeds. It is divided into the table 41, the finishing table 51 which a finishing process advances, and the polishing table 61 which a polishing process advances.
5개의 척 테이블인 대기 테이블(21), 황삭 테이블(31), 버퍼 테이블(41), 정삭 테이블(51) 및 폴리싱 테이블(61)은 턴테이블(10) 상에서 원주 방향을 따라 가장자리 부분에 방사형으로 설치된다. 이 때, 턴테이블(10)은, 회전에 의해 임의의 척 테이블이, 이웃하는 척 테이블의 위치로 위치할 수 있도록 척 테이블들을 일괄적으로 회전 이동시키면서 동시에 웨이퍼(W) 후면 연마 공정의 각 공정이 진행될 수 있도록 한다. 즉, 5개의 척 테이블은 턴테이블(10)의 회전에 의해서 대기 테이 블(21), 황삭 테이블(31), 버퍼 테이블(41), 정삭 테이블(51) 및 폴리싱 테이블(61)로서의 역할을 수행하게 되는 것이다.Five chuck tables, the waiting table 21, the roughing table 31, the buffer table 41, the finishing table 51 and the polishing table 61 are radially installed at the edges along the circumferential direction on the
척 테이블을 위치별로 살펴보면, 시계방향으로 대기 테이블(21)과, 황삭 테이블(31), 버퍼 테이블(41), 정삭 테이블(51) 및 폴리싱 테이블(61)로 구분되며, 이들은 턴테이블(10) 중심에서 서로 72도를 이룰 수 있는 위치에 배치된다. 턴테이블(10)은 소정의 시간마다 72도씩 회전하는데, 턴테이블(10)의 회전 주기는 웨이퍼(W)의 연마 공정 중에서 제일 길게 진행되는 시간을 기준으로 설정될 수 있다.Looking at the chuck table by position, it is divided into a waiting table 21, a roughing table 31, a buffer table 41, a finishing table 51 and a polishing table 61 in a clockwise direction, which are centered on the
한편, 대기 테이블(21)에 인접한 턴테이블(10)의 일측에는 공급용 웨이퍼 카세트(15)와 수납용 웨이퍼 카세트(16)가 마련된다. 그리고 대기 테이블(21)과, 공급용 웨이퍼 카세트(15)와 수납용 웨이퍼 카세트(16) 사이에는 이송기(17)가 구비된다. 이러한 이송기(17)에 의해 연마 대상의 웨이퍼(W)는 공급용 웨이퍼 카세트(15)로부터 대기 테이블(21)로 이송될 수 있고, 반대로 연마 완료된 웨이퍼(W)는 대기 테이블(21)로부터 수납용 웨이퍼 카세트(16)로 이송될 수 있다. 참고로, 이송기(17)에 의해 연마 대상의 웨이퍼(W)는 공급용 웨이퍼 카세트(15)로부터 대기 테이블(21)로 이송될 때는, 카메라(미도시)와 같은 정렬 수단으로 웨이퍼(W)의 위치를 정렬하는 공정이 더 진행된 후에 대기 테이블(21)로 이송되는 것이 바람직할 것이다.On the other hand, the
4개의 연마유닛은 대기 테이블(21)을 제외한 나머지 황삭 테이블(31), 버퍼 테이블(41), 정삭 테이블(51) 및 폴리싱 테이블(61) 상부에 설치된다. 즉, 4개의 연마유닛은, 황삭 테이블(31)의 상부에 설치되어 초기의 웨이퍼(W) 후면을 1차로 거칠게 연마하는 황삭 휠(32)과, 버퍼 테이블(41)의 상부에 설치되어 웨이퍼(W) 후면을 2차로 거칠게 연마하는 버퍼 휠(42)과, 정삭 테이블(51)의 상부에 설치되어 황삭 공정이 완료된 웨이퍼(W) 후면을 정밀하게 연마하는 정삭 휠(52)과, 폴리싱 테이블(61)의 상부에 설치되어 정삭 공정이 완료된 웨이퍼(W)의 후면을 화학적 물리적 방법(CMP, Chemical Mechanical Polishing)으로 연마하는 폴리셔(62)를 포함한다.Four polishing units are provided on the roughing table 31, the buffer table 41, the finishing table 51 and the polishing table 61, except for the waiting table 21. That is, the four polishing units are provided on the roughing table 31 and are provided on the
황삭 테이블(31)과 더불어 황삭 연마부(30)를 형성하는 황삭 휠(32)은 300~350 메시(mesh), 예컨대 325 메시의 입도(粒度)를 가지고, 목표로 하는 웨이퍼(W)의 최종 두께보다 20~30㎛ 정도 두껍게 웨이퍼(W) 후면을 1차로 거칠게 연마한다.The
버퍼 테이블(41)과 더불어 버퍼 연마부(40)를 형성하는 버퍼 휠(42)은 황삭 휠(32)과 동일하게 적용되며, 2차로 웨이퍼(W) 후면을 거칠게 연마한다.The
정삭 테이블(51)과 더불어 정삭 연마부(50)를 형성하는 정삭 휠(52)은 1500~2500 메시, 예컨대 2000 메시의 입도를 가지고, 황삭 연마된 웨이퍼(W) 후면을 목표 두께까지 정밀하게 연마한다.The
그리고 폴리싱 테이블(61)과 더불어 폴리싱 연마부(60)를 형성하는 폴리셔(62)는, 폴리싱 연마 패드라 불리기도 하는데, 이러한 폴리셔(62)는 밑면이 천과 같은 재질로 덮여 있고, 내부에 슬러리(slurry) 공급부가 형성된 통상적인 구성을 갖는다. 폴리셔(62)는 슬러리를 이용하여 정삭 연마된 웨이퍼(W)의 후면을 최종 두께까지로 경면화한다.The
이러한 구성을 갖는 웨이퍼 연마장치의 작용에 대해 설명하면 다음과 같다.The operation of the wafer polishing apparatus having such a configuration will be described below.
우선, 이송기(17)가 공급용 웨이퍼 카세트(15)로부터 웨이퍼(W)를 파지하여 대기 테이블(21)로 이송시킨다. 이 때는, 앞서도 기술한 바와 같이, 카메라(미도시)와 같은 정렬 수단으로 웨이퍼(W)의 위치를 정렬하는 공정이 더 진행될 수 있다.First, the
웨이퍼(W)가 대기 테이블(21)에 위치되면, 테이블축(12)을 축심으로 하여 턴테이블(10)이 시계 방향으로 72도 회전한다. 턴테이블(10)의 회전에 의해 웨이퍼(W)가 황삭 테이블(31)에 위치되면, 황삭 휠(32)에 의해 웨이퍼(W)의 후면이 1차로 거칠게 연마되고(1차 황삭 공정), 이와 동시에 대기 테이블(21)에는 다시 새로운 웨이퍼(W)가 이송된다.When the wafer W is positioned on the standby table 21, the
황삭 휠(32)에 의해 웨이퍼(W)의 후면이 1차로 거칠게 연마되고 나면, 다시 턴테이블(10)이 72도 회전하여, 웨이퍼(W)가 버퍼 테이블(41)로 위치되고 이어 버퍼 휠(42)에 의해 웨이퍼(W)의 후면이 2차로 거칠게 연마된다(2차 황삭 공정).After the back surface of the wafer W is roughly polished primarily by the
그리고는 계속되는 턴테이블(10)의 공정적인 회전에 의해 정삭 휠(52)에 의한 정삭 공정 및 폴리셔(62)에 의한 폴리싱 공정이 진행된 후, 연마가 완료된 웨이퍼(W)는 다시 대기 테이블(21)로 위치된다. 대기 테이블(21)에 위치된 웨이퍼(W)는 최종적으로 이송기(17)를 통해 수납용 웨이퍼 카세트(16)로 이송되게 된다.Subsequently, after the finishing process by the
이와 같이, 본 실시예에서는 상대적으로 가공량이 많은 황삭 공정을 분할하여 진행함으로써, 웨이퍼(W) 후면 연마 공정의 각 공정들 사이의 시간 차이에 따라 전체적인 웨이퍼(W) 후면 연마 공정 시간이 길어지는 것을 방지하여 택트타임을 감 소시킬 수 있게 된다.As described above, in this embodiment, by dividing the roughing process having a relatively large amount of processing, the overall wafer W backside polishing time is lengthened according to the time difference between the processes of the backside polishing process of the wafer W. This can reduce the tact time.
또한 본 실시예에 따르면, 턴테이블(10)의 강성 및 진동 문제로 인해 웨이퍼(W)에 대한 연마 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다.In addition, according to the present embodiment, it is possible to prevent the polishing quality of the wafer W from deteriorating due to the rigidity and vibration problems of the
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치의 구성도이다.3 is a block diagram of a wafer polishing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
전술한 제1 실시예에서는 버퍼 연마부(40)를 2차 황삭 연마부로 적용함으로써 상대적으로 가공량이 많은 초기 황삭 가공을 분할하여 가공하였다.In the first embodiment described above, by applying the
하지만, 버퍼 연마부(40a)는 도 3에 도시된 바와 같이, 2차 정삭 연마부로 적용될 수도 있다.However, the
도 3과 같이, 버퍼 연마부(40a)가 2차 정삭 연마부로 적용되는 경우, 대기 테이블(21)에 위치된 웨이퍼(W)는 턴테이블(10)의 회전에 기초하여, 황삭 공정, 1차 정삭 공정, 2차 정삭 공정 및 폴리싱 공정을 거쳐 그 후면이 연마된다. 이 때는, 황삭 휠(32)의 가공 속도를 증가하여 고속 가공의 형태로 황삭 공정을 진행한 다음, 기존 방식보다 정삭 공정을 미세하게 가공하여 초정밀 가공을 수행하도록 하는 편이 유리할 수 있다.As shown in FIG. 3, when the
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치의 구성도이다.4 is a block diagram of a wafer polishing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
본 실시예의 경우, 버퍼 연마부(40,40a)는 2개가 마련되고 있다. 하나는 제1 실시예와 같은 2차 황삭 연마부로 적용되고 나머지는 제2 실시예와 같은 2차 정삭 연마부로 적용되고 있다.In the present embodiment, two
본 실시예의 경우, 가공량이 많은 초기 황삭 가공을 분할하여 가공할 수 있으며, 정삭 가공 역시 분할하여 기존 방식보다 미세 가공을 수행할 수 있는 이점이 있다.In the case of the present embodiment, the initial roughing process can be divided into a large amount of processing, there is an advantage that the fine machining can also be divided by performing fine machining than the conventional method.
결국, 도 3 및 도 4와 같이 구성하더라도, 웨이퍼(W) 후면 연마 공정의 각 공정들 사이의 시간 차이에 따라 전체적인 웨이퍼(W) 후면 연마 공정 시간이 길어지는 것을 방지하여 택트타임을 감소시킬 수 있는 효과를 제공하기에 충분한 것이다.3 and 4, the tact time can be reduced by preventing the entire wafer W backside polishing time from being longer depending on the time difference between the processes of the backside polishing process of the wafer W. It is enough to provide the effect.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치의 요부 구성도이다.5 is a configuration diagram of main parts of a wafer polishing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
도 1을 참조하여 함께 살펴보면, 황삭 연마부(30), 더미 연마부(40), 정삭 연마부(50) 및 폴리싱 연마부(60)에 의해 각각 1차 황삭, 2차 황삭, 정삭 및 폴리싱 공정이 진행될 때는 각 공정에 부합하는 연마재인 슬러지가 제공된다. 그런데, 만약 이러한 슬러지가 척 테이블과 그 위에 로딩된 웨이퍼(W) 사이로 유입될 경우에는, 웨이퍼(W)의 백 그라인드 테이프(BG Tape) 및 증착면에 오염을 유발시켜 불량(다이크랙)을 초래할 수 있으며, 또한 척 테이블의 기공이 막히는 현상이 발생될 수 있으므로 이를 저지할 필요가 있다. 이는 이하에서 설명될 도 5의 구조에 의해 해결될 수 있다. 참고로 도 5의 구조는, 대기 테이블(21), 황삭 테이블(31), 더미 테이블(41), 정삭 테이블(51) 및 폴리싱 테이블(61)의 모든 척 테이블에 공히 적용된다.Referring to FIG. 1, the first roughing, the second roughing, the finishing and the polishing process are performed by the
도 5에 도시된 바와 같이, 대기 테이블(21), 황삭 테이블(31), 더미 테이블(41), 정삭 테이블(51) 및 폴리싱 테이블(61)이 될 수 있는 척 테이블은, 크게 테이블몸체(71)와, 포로스(Porous) 척 몸체(73), 그리고 슬러지 유입 방지부(75)를 구비한다.As shown in FIG. 5, the chuck table, which may be the waiting table 21, the roughing table 31, the dummy table 41, the finishing table 51, and the polishing table 61, has a
테이블몸체(71)는 척 테이블의 하부 영역을 형성한다. 참고로 테이블몸체(71)를 형성하지 않는 대신에 턴테이블(10)의 일부 영역을 테이블몸체(71)로 활용할 수도 있다. 이러한 테이블몸체(71)의 중앙 영역에는 진공라인(71a)이 형성되어 있다. 진공라인(71a)을 통해 도 5의 (a) 방향으로 진공이 형성됨으로써 포로스 척 몸체(73)의 상면에 웨이퍼(W)가 흡착 지지될 수 있다.The
포로스 척 몸체(73)는 테이블몸체(71)의 상부 영역에 마련된다. 실질적으로 웨이퍼(W)는 포로스 척 몸체(73)의 상면에 흡착 지지된다. 웨이퍼(W)는 포로스 척 몸체(73)의 상면에 흡착 지지될 수 있도록 포로스 척 몸체(73)에는 진공라인(71a)과 연통하는 다수의 기공(73a)이 형성된다. 이에, 진공라인(71a)을 통해 도 5의 (a) 방향으로 진공이 형성되어 다수의 기공(73a)을 통해 공기를 (a) 방향으로 흡입함으로써 포로스 척 몸체(73)의 상면에 로딩(loading)된 웨이퍼(W)가 흡착될 수 있다. 이 때, 포로스 척 몸체(73)는 테이블몸체(71)의 상면보다 작은 면적을 갖도록 제작된다.The
한편, 슬러지 유입 방지부(75)는, 포로스 척 몸체(73)와 웨이퍼(W) 사이로 슬러지가 유입되는 것을 저지하기 위해 포로스 척 몸체(73)와 분리된 상태로 포로스 척 몸체(73)에 인접하게 마련된다. 포로스 척 몸체(73)에 다수의 기공(73a)이 형성되어 있는 반면에, 슬러지 유입 방지부(75)에는 기공(미도시)이 형성되지 않는다. 본 실시예에서 슬러지 유입 방지부(75)는 슬러지 유입 방지링(75)으로 적용된다.On the other hand, the sludge
이처럼 기공(73a)이 형성된 포로스 척 몸체(73)와, 기공(미도시)이 형성되지 않은 슬러지 유입 방지부(75)가 상호 분리된 상태로 제작된 상태에서 웨이퍼(W)를 지지하게 됨으로써, 슬러지가 포로스 척 몸체(73)와 웨이퍼(W) 사이로 유입되는 현상이 저지될 수 있게 된다.As such, the
특히, 웨이퍼(W)는 실질적으로 증착막이 형성될 부분인 증착구간(W1)이 포로스 척 몸체(73)의 상면에 지지되고, 비증착구간(W2)이 슬러지 유입 방지부(75)의 상면에 지지되기 때문에, 만약 슬러지가 웨이퍼(W)의 하부로 침투하더라도 상호 분리된 포로스 척 몸체(73)와 슬러지 유입 방지부(75) 사이로 낙하된다. 따라서 슬러지가 포로스 척 몸체(73)와 웨이퍼(W) 사이로 유입되는 현상이 저지될 수 있게 되어 불량 웨이퍼가 양산되거나 혹은 포로스 척 몸체(73)의 기공(73a)이 막히는 현상을 예방할 수 있게 되는 것이다.In particular, in the wafer W, the deposition section W1, which is a portion where the deposition film is to be formed, is supported on the upper surface of the
한편, 전술한 바와 같이, 기공(73a)이 형성된 포로스 척 몸체(73)와, 기공(미도시)이 형성되지 않은 슬러지 유입 방지부(75)가 상호 분리된 상태로 제작하는 것만으로도, 슬러지가 포로스 척 몸체(73)와 웨이퍼(W) 사이로 유입되는 현상은 저지될 수 있다.On the other hand, as described above, even if the
하지만, 위의 구조에 더하여, 테이블몸체(71)에 에어분사공(72)을 더 마련하는 경우, 슬러지가 포로스 척 몸체(73)와 웨이퍼(W) 사이로 유입되는 현상은 저지하는데 보다 유리할 수 있다.However, in addition to the above structure, when the
즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 에지(edge) 영역에 해당하는 위치의 테이블몸체(71)에 에어분사공(72)을 마련한 후, 연마 작업 시 도 5의 (b) 방향으로 에어를 분사하면, 분사되는 에어로 인해 슬러지는 포로스 척 몸체(73)와 웨 이퍼(W) 사이로 더더욱 유입되기 힘들게 된다.That is, as shown in Figure 5, after the
참고로, 본 실시예에서는 기공(73a)이 형성된 포로스 척 몸체(73)와, 기공(미도시)이 형성되지 않은 슬러지 유입 방지부(75)가 상호 분리된 구조와, 에어분사공(72)을 함께 적용하고 있다. 하지만 본 발명의 권리범위가 이에 제한되는 것은 아니므로, 기공(73a)이 형성된 포로스 척 몸체(73)와, 기공(미도시)이 형성되지 않은 슬러지 유입 방지부(75)가 상호 분리된 구조와, 에어분사공(72)은 각각 개별적으로 적용될 수도 있는 것이다.For reference, in this embodiment, the
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치의 요부 구성도이다.6 is a configuration diagram of main parts of a wafer polishing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
도 1을 참조하여 함께 살펴보면, 본 실시예의 경우, 1차 황삭, 2차 황삭, 정삭 및 폴리싱 공정 후 다음 공정으로의 이동 시 웨이퍼(W)의 표면을 클리닝하기 위한 클리닝부(80)를 더 마련하고 있다.Referring to FIG. 1, in the present embodiment, a
클리닝부(80)는, 해당 연마 공정을 마치고 다음의 연마 공정으로 향하는 웨이퍼(W)에 잔류 가능한 이물질을 제거하는 역할을 한다. 따라서 클리닝부(80)는 대기 테이블(21), 황삭 테이블(31), 버퍼 테이블(51), 정삭 테이블(51) 및 폴리싱 테이블(61) 사이 중에서 적어도 어느 일 영역에 마련되면 족하다.The
클리닝부(80)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 상부 영역에 배치되는 클리닝몸체부(81)와, 클리닝몸체부(81)에 형성되어 웨이퍼(W)의 연마면을 향해 클리닝물질을 분사하는 분사부(82)를 포함한다. 이때, 분사부(82)를 통해 분사되는 클리닝물질은, 물(water)과 공기(air) 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.As shown in FIG. 6, the
참고로 웨이퍼(W)는 원반 형상을 가지므로, 분사부(82)를 통해 분사되는 클 리닝물질 역시, 원반 형상의 웨이퍼(W)의 전 영역 모두에 분사되는 것이 바람직할 것이다. 따라서 자세히 도시하고 있지는 않지만, 클리닝부(80) 역시 웨이퍼(W)와 마찬가지의 원반 형상을 갖는 것이 바람직할 것이다.For reference, since the wafer W has a disc shape, it may be preferable that the cleaning material injected through the
하지만, 본 발명의 권리범위가 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 클리닝부(80)의 분사부(82)가 척 테이블들 사이에서 막대 형상으로 배치되고, 분사부(82)를 통해 분사되는 클리닝물질이 마치 에어 커튼 식으로 분사되도록 하여도 좋다. 이러한 구조를 갖는다 하더라도, 웨이퍼(W)는 분사부(82)를 지나면서 클리닝될 수 있게 된다.However, the scope of the present invention is not limited thereto. For example, the spraying
또한 클리닝부(80)의 설치 위치와 관련하여 간략하게 살펴보면, 클리닝부(80)는 웨이퍼(W)의 상부에서 하방으로 클리닝물질을 분사해야 한다. 따라서 클리닝부(80)는 황삭 휠(32), 정삭 휠(52) 및 폴리셔(62)에 간섭을 일으키지 않는 범위 내에서 대기 테이블(21), 황삭 테이블(31), 정삭 테이블(51) 및 폴리싱 테이블(61) 사이에 설치되는 것이 바람직할 것이다. 뿐만 아니라 클리닝의 효율을 높이기 위해 클리닝부(80)가 웨이퍼(W)에 대해 접근 및 이격되도록 한다면 보다 우수한 클리닝 효과를 제공할 수 있을 것이다.In addition, briefly referring to the installation position of the
이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the described embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention, which will be apparent to those skilled in the art. Therefore, such modifications or variations will have to be belong to the claims of the present invention.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치의 구성도이다.1 is a block diagram of a wafer polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 개략적인 종단면도이다.2 is a schematic longitudinal cross-sectional view of FIG. 1.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치의 구성도이다.3 is a block diagram of a wafer polishing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치의 구성도이다.4 is a block diagram of a wafer polishing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치의 요부 구성도이다.5 is a configuration diagram of main parts of a wafer polishing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 제5 실시예에 따른 웨이퍼 연마장치의 요부 구성도이다.6 is a configuration diagram of main parts of a wafer polishing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
10 : 턴테이블 12 : 테이블축10: turntable 12: table axis
14 : 크로스 롤러 베어링 15 : 공급용 웨이퍼 카세트14
16 : 수납용 웨이퍼 카세트 17 : 이송기16: storage wafer cassette 17: transfer machine
21 : 대기 테이블 30 : 황삭 연마부21: waiting table 30: rough grinding
31 : 황삭 테이블 32 : 황삭 휠31: roughing table 32: roughing wheel
40 : 버퍼 연마부 41 : 버퍼 테이블40: buffer polishing unit 41: buffer table
42 : 버퍼 휠 50 : 정삭 연마부42: buffer wheel 50: finishing polishing unit
51 : 정삭 테이블 52 : 정삭 휠51: finishing table 52: finishing wheel
60 : 폴리싱 연마부 61 : 폴리싱 테이블60: polishing polishing portion 61: polishing table
62 : 폴리셔 71 : 테이블몸체62: polisher 71: table body
73 : 포로스 척 몸체 75 : 슬러지 유입 방지부73: poros chuck body 75: sludge inflow prevention
80 : 클리닝부80: cleaning unit
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