KR20090012697A - Substrate supporting apparatus of noncontact type for semiconductor manufacturing equipment and method of the same - Google Patents

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Abstract

A substrate supporting apparatus of non-contact type for semiconductor manufacturing equipment and a method of the same are provided to improve the processing efficiency without forming the particles on the back side of substrate. A substrate supporting apparatus of non-contact type for semiconductor manufacturing equipment comprises a plate(110), a sound wave vibrator(114) and a chucking pin(112). The substrate(W) is settled in the plate. The sound wave vibrators isolate the substrate from the upper side of the plate to the prescribed distance by using the sound wave. The chucking pins are positioned at the edge of the plate and chuck the substrate.

Description

반도체 제조 설비의 무접촉 기판 지지 장치 및 그 방법{SUBSTRATE SUPPORTING APPARATUS OF NONCONTACT TYPE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT AND METHOD OF THE SAME}Non-contact substrate supporting device and method thereof in semiconductor manufacturing equipment {SUBSTRATE SUPPORTING APPARATUS OF NONCONTACT TYPE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT AND METHOD OF THE SAME}

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 식각, 세정 공정 등을 처리하는 반도체 제조 설비에서의 기판을 지지하기 위하여, 음파를 이용하는 무접촉 방식의 기판 지지 장치 및 그 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a non-contact substrate supporting apparatus using a sound wave and a method thereof for supporting a substrate in a semiconductor manufacturing facility that processes an etching process, a cleaning process, and the like.

반도체 제조 공정 중 예를 들어 세정, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 진행하는데 사용하는 매엽식 기판 지지 장치는 안착된 기판을 지지하기 위하여, 지지 플레이트 상부에 복수 개의 지지핀들을 구비한다.In the semiconductor manufacturing process, for example, a sheet type substrate support apparatus used to proceed a process while rotating a substrate, such as a cleaning or etching process, includes a plurality of support pins on a support plate to support a seated substrate.

예컨대, 스핀 척은 기판이 안착되는 스핀 헤드에 복수 개(예를 들어, 약 3 ~ 6 개 정도)의 지지핀들을 구비하고, 이들을 이용하여 지지 플레이트에 안착된 기판을 일정 높이로 지지한다. 또 스핀 척은 공정 처리 시, 기판을 회전시키기 위하여 스핀 모터로부터 발생된 회전력을 스핀 헤드 하부에 결합된 스핀들을 통해 전달받아서 스핀 헤드를 회전시킨다. 이 때, 회전되는 기판의 이탈을 방지하기 위하여 지지핀들 외주에서 기판 가장자리 측면을 척킹하는 복수 개의 척킹핀들을 더 포함한 다.For example, the spin chuck has a plurality of support pins (for example, about 3 to about 6) in the spin head on which the substrate is seated, and uses them to support the substrate seated on the support plate at a predetermined height. In addition, the spin chuck rotates the spin head by receiving the rotational force generated from the spin motor through the spindle coupled to the lower part of the spin head in order to rotate the substrate during the process. At this time, in order to prevent the separation of the rotating substrate further includes a plurality of chucking pins for chucking the substrate edge side from the outer periphery of the support pins.

이러한 기판 지지 장치는 기판 하부면과 지지핀들이 직접 접촉하여 기판을 지지하므로, 공정 처리시 이용되는 약액이 접촉 부위에 잔류하게 되어 파티클 발생의 원인이 된다.Since the substrate supporting apparatus directly contacts the lower surface of the substrate and the support pins to support the substrate, the chemical liquid used in the process treatment remains at the contact portion, causing particles.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 종래기술의 반도체 제조 설비(2)의 기판 지지 장치 예컨대, 스핀 척(10)은 챔버(4)의 내부 하단부에 위치하여 기판(W)이 안착되는 스핀 헤드(12)를 포함한다. 스핀 헤드(12)의 상부면 가장자리에는 복수의 척킹 핀(16)들이 균등한 간격으로 상부로 돌출되도록 설치되며, 그 안쪽에는 복수의 지지핀(14)들이 균등한 간격으로 상부로 돌출되도록 설치된다.1 to 3, a substrate support apparatus, for example, a spin chuck 10 of a semiconductor manufacturing facility 2 of the prior art is located at a lower end portion of an inner chamber 4 of a spin head on which a substrate W is seated. 12). A plurality of chucking pins 16 are installed at the upper edge of the spin head 12 so as to protrude upward at equal intervals, and a plurality of support pins 14 are installed at the inner side so as to protrude upward at equal intervals. .

지지핀(14)들은 안착된 기판(W)의 하부면에 직접 접촉하여 기판(W)을 지지하며, 척킹 핀(16)들은 기판(W)이 회전되는 스핀 헤드(12)로부터 이탈되는 것을 방지한다. 따라서 기판(W)은 스핀 헤드(12)의 지지핀(14)들에 지지된 상태에서 척킹 핀(16)들의 편심 회전동작에 의해 기판(W)의 가장자리 측면이 고정되거나 고정 상태가 해제된다.The support pins 14 directly contact the bottom surface of the seated substrate W to support the substrate W, and the chucking pins 16 prevent the substrate W from being disengaged from the rotating spin head 12. do. Accordingly, the substrate W is fixed or released from the edge side of the substrate W by the eccentric rotation of the chucking pins 16 while being supported by the support pins 14 of the spin head 12.

스핀 헤드(12)는 하부에 스핀들(18)과 결합되고, 스핀들(18)은 구동부(도 3의 20)의 회전력을 스핀 헤드(12)에 전달한다. 또 스핀 헤드(12)는 상부, 하부 및/또는 내부에 식각, 세정 공정을 처리하기 위해 필요한 약액들을 공급하거나 회수하는 배관 및 주변 장치들(미도시됨)이 제공된다.The spin head 12 is coupled to the spindle 18 at the bottom, and the spindle 18 transmits the rotational force of the drive unit 20 (FIG. 3) to the spin head 12. In addition, the spin head 12 is provided with piping and peripheral devices (not shown) for supplying or recovering chemical liquids necessary for processing an etching and cleaning process on the upper, lower and / or inside thereof.

이러한 스핀 척(10)은 식각, 세정 공정 등을 처리하는 반도체 제조 설비(2)의 공정 진행 시, 기판(W)의 하부면과 지지핀(14)들의 접촉 부분에 약액들이 잔류 하게 되어 파티클 발생의 원인으로 작용하고, 이로 인해 식각 또는 세정 등의 공정 효율이 저하되는 문제점을 갖는다.In the spin chuck 10, when the semiconductor manufacturing facility 2 processes the etching, the cleaning process, and the like, chemical liquids remain on the contact surface of the lower surface of the substrate W and the support pins 14 to generate particles. It acts as a cause, which causes a problem that process efficiency such as etching or cleaning is lowered.

본 발명의 목적은 무접촉 방식으로 기판을 지지하는 기판 지지 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a substrate supporting apparatus and method for supporting a substrate in a contactless manner.

본 발명의 다른 목적은 종래기술에 의한 기판 하부면과 지지핀들의 접촉에 의해 식각 및 세정 효율이 저하되는 것을 방지하기 위한 무접촉 방식의 기판 지지 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a non-contact substrate supporting apparatus and method for preventing etching and cleaning efficiency from being lowered due to the contact between the lower surface of the substrate and the support pins according to the prior art.

본 발명의 또 다른 목적은 음파를 이용하여 웨이퍼를 지지하는 기판 지지 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a substrate support apparatus and a method for supporting a wafer using sound waves.

상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 기판 지지 장치는 음파를 이용하여 기판을 지지하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 기판 지지 장치는 무접촉 방식으로 기판을 지지함으로써, 파티클 발생 원인을 제거하고, 이로 인해 공정 효율을 향상시킬 수 있다.In order to achieve the above objects, the substrate supporting apparatus of the present invention is characterized by supporting the substrate using sound waves. As described above, the substrate supporting apparatus supports the substrate in a non-contact manner, thereby eliminating the cause of particle generation, thereby improving the process efficiency.

본 발명의 기판 지지 장치는, 기판이 안착되는 플레이트와; 상기 플레이트의 상부면에 배치되어 상기 플레이트에 안착된 상기 기판의 하부면으로 음파를 발생시켜서 상기 기판과 상기 플레이트 사이의 간격을 일정 높이로 부양시켜서 상기 기판을 지지하는 복수 개의 음파 진동자 및; 상기 플레이트 가장자리에 구비되어 부양된 상기 기판의 가장자리를 척킹하는 복수 개의 척킹 핀들을 포함한다.A substrate supporting apparatus of the present invention includes a plate on which a substrate is seated; A plurality of sound wave oscillators disposed on an upper surface of the plate to generate sound waves to a lower surface of the substrate seated on the plate to support the substrate by raising a distance between the substrate and the plate to a predetermined height; And a plurality of chucking pins provided at the edge of the plate and chucking the edge of the substrate.

한 실시예에 있어서, 상기 기판 지지 장치는; 상기 음파 진동자들과 전기적 으로 연결되고, 상기 일정 높이에 대응하여 상기 음파의 파장을 조절하도록 하는 제어부를 더 포함한다.In one embodiment, the substrate support device; And a control unit electrically connected to the sound wave oscillators and configured to adjust the wavelength of the sound wave in response to the predetermined height.

다른 실시예에 있어서, 상기 기판 지지 장치는; 상기 지지 플레이트의 상부로 노출되는 복수 개의 기체 라인 및, 상기 기체 라인들에 연결되어 부양된 상기 기판과 상기 플레이트 사이의 기체 압력을 조절하여 상기 기판의 부양 상태를 유지시키는 압력 조절부를 더 포함한다.In another embodiment, the substrate support device; The apparatus further includes a plurality of gas lines exposed to the upper portion of the support plate, and a pressure adjuster connected to the gas lines to adjust the gas pressure between the substrate and the plate to maintain the support state of the substrate.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 압력 조절부는 부양된 상기 기판의 하부면과 상기 플레이트 사이로/로부터 기체를 공급/흡입하여 기체 압력을 조절한다.In another embodiment, the pressure regulator adjusts the gas pressure by supplying / suctioning gas between / from the lower surface of the raised substrate and the plate.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 압력 조절부는 상기 일정 높이에 대응하여 상기 제어부의 제어를 받아서 기체의 공급 또는 흡입 유량을 조절한다.In another embodiment, the pressure adjusting unit is controlled by the control unit corresponding to the predetermined height to adjust the supply or suction flow rate of the gas.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 기판이 안착되는 플레이트에 복수 개의 음파 진동자를 구비하고, 상기 음파 진동자로부터 음파를 발생시켜서 무접촉으로 기판을 지지하는 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 플레이트에 기판을 안착하고, 상기 플레이트에 설치된 복수 개의 음파 진동자로부터 안착된 상기 기판의 하부면으로 음파를 발생하여 상기 플레이트 상부로 기판을 부양하고, 이어서 부양된 상기 기판의 가장자리를 척킹하여 공정을 처리한다.According to another feature of the present invention, there is provided a method of supporting a substrate in a non-contact manner by providing a plurality of acoustic wave vibrators on a plate on which the substrate is mounted and generating sound waves from the acoustic wave vibrator. According to this method, a substrate is mounted on a plate, and a sound wave is generated from a plurality of acoustic wave oscillators provided on the plate to generate a sound wave to a lower surface of the substrate to support the substrate above the plate, and then the edge of the supported substrate is raised. Chuck to process the process.

한 실시예에 있어서, 상기 기판을 부양하는 것은; 상기 음파 진동자로부터 발생된 음파의 파장을 조절하여 상기 기판과 상기 플레이트 사이의 간격을 조절한다.In one embodiment, supporting the substrate comprises; The distance between the substrate and the plate is controlled by adjusting the wavelength of the sound wave generated from the sound wave oscillator.

다른 실시예에 있어서, 상기 기판 지지 방법은; 부양된 상기 기판과 상기 플 레이트 사이의 높이를 일정하게 유지하도록 상기 플레이트 상부로/로부터 기체를 공급/흡입한다.In another embodiment, the substrate support method; Gas is supplied / sucked into / from the plate to maintain a constant height between the raised substrate and the plate.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 기체를 공급/흡입하는 것은; 상기 기판과 상기 플레이트 사이의 높이에 대응하여 상기 플레이트 상부로/로부터 기체를 공급/흡입하는 유량을 조절한다.In yet another embodiment, supplying / suctioning the gas; The flow rate of supplying / suctioning gas to / from the upper plate is adjusted according to the height between the substrate and the plate.

상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 지지 장치는 매엽식으로 기판을 지지하는 플레이트에 복수 개의 음파 진동자를 구비함으로써, 무접촉 방식으로 기판을 지지할 수 있다.As mentioned above, the board | substrate supporting apparatus of this invention can support a board | substrate by a contactless method by providing a some sound wave vibrator in the plate which supports a board | substrate by a single | leaf type.

또 본 발명의 기판 지지 장치는 무접촉으로 기판을 지지함으로써, 접촉식에 의한 파티클 발생 등을 방지하므로 식각, 세정 공정 등의 공정 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the substrate supporting apparatus of the present invention supports the substrate in a non-contact manner, thereby preventing particles generated by the contact type and the like, thereby improving process efficiency such as etching and cleaning processes.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the components in the drawings, etc. have been exaggerated to emphasize a more clear description.

이하 첨부된 도 4 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 9.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 장치의 구성을 도시한 도면이다.4 is a diagram illustrating a configuration of a substrate supporting apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 기판 지지 장치(100)는 기판(W)이 안착되는 플레이트(110)와, 플레이트(110) 상부 가장자리에 균등하게 배치되는 복수 개의 척킹 핀(112)들과, 플레이크(110) 내부에 설치되어 플레이트(110) 상부로 음파를 발생하는 복수 개의 음파 진동자(114) 및, 음파 진동자(114)들과 전기적으로 연결되는 제어부(102)를 포함한다. 플레이트(110)는 하부에 회전축(108)과 결합되고, 제 1 구동부(104)의 회전력을 회전축(108)으로 통해 전달받아서 안착된 기판(W)을 회전시킨다. 또 척킹 핀(112)들은 제 2 구동부(106)에 의해 편심 회전하여 기판(W) 가장자리를 척킹하거나 해제한다. 제 1 및 제 2 구동부(108, 106)들은 공정 레시피에 대응하여 제어부(102)의 제어를 받아서 회전한다.Referring to FIG. 4, the substrate support apparatus 100 includes a plate 110 on which the substrate W is seated, a plurality of chucking pins 112 evenly disposed at an upper edge of the plate 110, and a flake 110. A plurality of sound wave vibrators 114 installed inside the plate 110 to generate sound waves above the plate 110, and a control unit 102 electrically connected to the sound wave vibrators 114. The plate 110 is coupled to the rotating shaft 108 at the bottom, and receives the rotational force of the first driving unit 104 through the rotating shaft 108 to rotate the seated substrate (W). In addition, the chucking pins 112 are eccentrically rotated by the second driver 106 to chuck or release the edge of the substrate (W). The first and second drivers 108 and 106 rotate under the control of the controller 102 in response to the process recipe.

플레이트(110)는 예를 들어, 스핀 헤드로서, 내부에 균등한 간격으로 복수 개의 음파 진동자(114)들이 설치된다.The plate 110 is, for example, a spin head, and a plurality of sound wave oscillators 114 are installed at even intervals therein.

척킹 핀(112)들은 기판(W)이 원심력에 의해 플레이트(110)로부터 이탈되는 것을 방지한다. 척킹 핀(112)들은 플레이트(110)에 기판(W)이 안착되고, 음파 진동자(114)들에 의해 플레이트 상부의 일정 높이로 기판(W)이 부양되면, 제어부(102)로부터 제 2 구동부(106)를 제어하여 기판(W)의 가장자리 측면이 척킹되도록 편심 회전한다.The chucking pins 112 prevent the substrate W from being separated from the plate 110 by centrifugal force. The chucking pins 112 are mounted on the plate 110 and the substrate W is supported by a sound wave vibrator 114 at a predetermined height above the plate. 106 is controlled to eccentrically rotate so that the edge side of the substrate W is chucked.

음파 진동자(114)는 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(W)을 플레이트(110) 상부로 부양하기 위하여, 복수 개가 플레이트(110)에 균일하게 배치되어 기판(W) 하부면으로 음파를 발생시킨다. 음파 진동자(114)로부터 발생된 음파는 플레이트(110) 상부면으로부터 기판(W) 하부면으로 전달되어 기판(W)을 플레이트(110)와 기판(W) 사이에서 일정 높이로 부양시킴으로써, 기판(W)이 무접촉 방식으로 지지된다.As shown in FIGS. 4 and 5, the acoustic wave oscillator 114 is disposed on the plate 110 to be uniformly disposed on the plate 110 so as to support the substrate W to the upper portion of the plate 110. Generate sound waves. The sound waves generated from the acoustic wave oscillator 114 are transferred from the upper surface of the plate 110 to the lower surface of the substrate W to lift the substrate W to a predetermined height between the plate 110 and the substrate W, thereby providing a substrate ( W) is supported in a contactless manner.

따라서 기판 지지 장치(100)는 플레이트(110)에 기판(W)이 안착되면, 음파 진동자(114)들로부터 기판(W) 하부면으로 음파를 발생시키고, 이를 통해 플레이트(110) 상부로 기판(W)이 부양하게 된다. 이 상태에서 기판(W)은 척킹 핀(112)들의 편심 회전 동작에 의해 기판(W)의 가장자리 측면이 척킹된다.Accordingly, when the substrate W is seated on the plate 110, the substrate support device 100 generates sound waves from the acoustic wave oscillators 114 to the lower surface of the substrate W, and thus, the substrate 110 may be disposed above the plate 110. W) is supported. In this state, the edge side of the substrate W is chucked by the eccentric rotation operation of the chucking pins 112.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 장치의 동작 수순을 도시한 흐름도이다. 이 수순은 제어부(102)가 처리하는 프로그램으로 제어부(102)의 메모리(미도시됨)에 저장된다.6 is a flowchart illustrating an operation procedure of a substrate supporting apparatus according to an embodiment of the present invention. This procedure is a program processed by the control unit 102 and stored in a memory (not shown) of the control unit 102.

도 6을 참조하면, 기판 지지 장치(100)는 단계 150에서 플레이트(110)에 기판이 안착되면, 단계 S152에서 복수 개의 음파 진동자(114)들로부터 기판(W) 하부면으로 음파를 발생한다. 이 때, 제어부(102)는 음파의 파장을 조절하여 기판(W)과 플레이트(110) 사이의 간격을 조절할 수 있다.Referring to FIG. 6, when the substrate is seated on the plate 110 in step 150, the substrate support apparatus 100 generates sound waves from the plurality of sound wave vibrators 114 to the lower surface of the substrate W in step S152. At this time, the controller 102 may adjust the distance between the substrate (W) and the plate 110 by adjusting the wavelength of the sound wave.

단계 S154에서 음파에 의해 기판(W)이 지지되도록 일정 높이로 부양시키고, 부양된 상태의 기판(W)을 척킹 핀(112)들이 편심 회전하여 기판(W)의 가장자리를 척킹한다. 이어서 단계 S156에서 척킹된 기판(W)을 회전시키고, 단계 S158에서 식각 또는 세정 공정을 처리한다.In step S154, the substrate W is supported at a predetermined height so as to be supported by sound waves, and the chucking pins 112 eccentrically rotate the substrate W in the supported state to chuck the edge of the substrate W. Subsequently, the chucked substrate W is rotated in step S156, and an etching or cleaning process is processed in step S158.

도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 지지 장치의 구성을 도 시한 도면이다.7 and 8 are views illustrating a configuration of a substrate supporting apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 7 및 도 8을 참조하면, 기판 지지 장치(200)는 플레이트(210) 내부에 제공되는 복수 개의 기체 라인(216)들과, 기체 라인(216)들과 연결되어 플레이트(210)와 기판(W) 사이의 압력을 조절하는 압력 조절부(220)를 구비한다. 그리고 기판 지지 장치(200)는 복수 개의 척킹 핀(212)들과, 복수 개의 음파 진동자(214)들과, 회전축(208)과, 제 1 및 제 2 구동부(204, 206)들을 포함하고, 이들 구성 요소들은 도 4에 도시된 실시예의 구성 요소들과 동일한 작용을 하므로, 여기서는 이들 구성 요소들에 대한 상세한 설명은 생략한다. 7 and 8, the substrate supporting apparatus 200 is connected to the plurality of gas lines 216 provided inside the plate 210 and the gas lines 216 to connect the plate 210 and the substrate ( It is provided with a pressure regulator 220 for adjusting the pressure between (W). The substrate support device 200 includes a plurality of chucking pins 212, a plurality of sound wave vibrators 214, a rotation shaft 208, and first and second drivers 204 and 206. Since the components have the same function as those of the embodiment shown in FIG. 4, detailed descriptions of these components are omitted here.

구체적으로, 이 실시예의 플레이트(210)는 상부면에 노출되어 플레이트(110) 상부로부터 기체를 흡입하거나, 플레이트(210) 상부로 기체를 공급하기 위한 복수 개의 기체 라인(216)들이 구비된다. 기체 라인(216)들은 플레이트(210) 상부로 기체를 공급하거나, 플레이트(210) 상부의 기체를 흡입하여 플레이트(210) 상부면과 기판(W) 하부면 사이의 높이를 유지하도록 하는 압력 조절부(220)에 연결된다.Specifically, the plate 210 of this embodiment is exposed to the upper surface is provided with a plurality of gas lines 216 for sucking the gas from the top of the plate 110, or to supply gas to the plate 210. The gas lines 216 supply pressure to the upper portion of the plate 210 or suck the gas from the upper portion of the plate 210 to maintain a height between the upper surface of the plate 210 and the lower surface of the substrate W. Connected to 220.

그리고 제어부(202)는 기체 라인(216)들을 통해 부양된 기판(W)의 하부면으로 기체를 공급하거나 기판(W)의 하부면으로부터 기체를 흡입하여 기체 압력을 조절하도록 압력 조절부(220)를 제어하고, 압력 조절부(220)는 기판(W)과 플레이트(210) 사이의 높이에 대응하여 제어부(202)의 제어를 받아서 기체의 공급 또는 흡입 유량을 조절한다.The controller 202 supplies pressure to the lower surface of the substrate W supported through the gas lines 216 or inhales gas from the lower surface of the substrate W to adjust the gas pressure. The pressure controller 220 controls the supply or suction flow rate of the gas under the control of the controller 202 in response to the height between the substrate W and the plate 210.

또한, 음파 진동자(214)들과 기체 라인(216)들은 플레이트(210)에 균등하게 배치되어 기판(W)을 균등하게 부양하거나 일정 높이를 유지시켜서 기판(W)을 지지 하도록 한다.In addition, the acoustic wave vibrators 214 and the gas line 216 are evenly disposed on the plate 210 to support the substrate W by supporting the substrate W evenly or maintaining a constant height.

상술한 바와 같이, 이 실시예의 기판 지지 장치(200)는 무접촉 방식으로 기판(W)을 지지하기 위하여, 음파 진동자(214)들을 이용하여 기판(W)을 부양시키고, 부가하여 기체 라인(216)들을 통해 기판(W)과 플레이트(210) 사이의 높이를 일정하게 유지시켜서 척킹한다.As described above, the substrate supporting apparatus 200 of this embodiment supports the substrate W by using the acoustic wave oscillators 214 and adds the gas line 216 to support the substrate W in a contactless manner. The chucking is performed by keeping the height between the substrate W and the plate 210 constant.

그리고 도 9는 도 7에 도시된 기판 지지 장치의 동작 수순을 도시한 흐름도이다. 이 수순 또한 제어부(202)가 처리하는 프로그램으로, 제어부(202)의 메모리(미도시됨)에 저장된다.9 is a flowchart showing the operation procedure of the substrate supporting apparatus shown in FIG. This procedure is also a program processed by the control unit 202 and is stored in a memory (not shown) of the control unit 202.

도 9를 참조하면, 단계 S250에서 기판 지지 장치(200)는 플레이트(210)에 기판(W)이 안착되면, 단계 S252에서 복수 개의 음파 진동자(214)들로부터 기판(W) 하부면으로 음파를 발생한다. 이 때, 제어부(202)는 음파의 파장을 조절하여 기판(W)과 플레이트(210) 사이의 높이를 조절할 수 있다.Referring to FIG. 9, when the substrate W is seated on the plate 210 in step S250, the substrate support apparatus 200 receives sound waves from the plurality of sound wave vibrators 214 to the lower surface of the substrate W in step S252. Occurs. At this time, the controller 202 may adjust the height between the substrate W and the plate 210 by adjusting the wavelength of the sound wave.

단계 S254에서 음파에 의해 기판(W)이 지지되도록 일정 높이로 부양시키고, 단계 S256에서 부양된 상태의 기판(W)을 일정 높이로 유지하도록 플레이트(210)와 기판(W) 사이의 압력을 조절한다. 즉, 제어부(202)는 기체 라인(216)들을 통해 기체를 공급하거나 흡입하여 플레이트(210)와 기판(W) 사이의 압력을 조절하도록 압력 조절부(220)의 유량을 제어한다.In step S254, the substrate W is supported at a predetermined height so as to be supported by sound waves, and in step S256, the pressure between the plate 210 and the substrate W is adjusted to maintain the substrate W in a supported state at a predetermined height. do. That is, the controller 202 controls the flow rate of the pressure regulator 220 to adjust the pressure between the plate 210 and the substrate (W) by supplying or sucking gas through the gas lines 216.

단계 S258에서 척킹 핀(214)들이 편심 회전하여 기판(W)의 가장자리를 척킹하고, 단계 S260에서 척킹된 기판(W)을 회전시킨다. 이어서, 단계 S262에서 식각 또는 세정 공정을 처리한다.In step S258, the chucking pins 214 are eccentrically rotated to chuck the edge of the substrate W, and in step S260, the chucked substrate W is rotated. Subsequently, the etching or cleaning process is processed in step S262.

이상에서, 본 발명에 따른 기판 지지 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.In the above, the configuration and operation of the substrate support apparatus according to the present invention is shown in accordance with the detailed description and drawings, which are merely described by way of example, and various changes and modifications may be made without departing from the spirit of the present invention. It is possible.

도 1은 종래기술의 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 기판 지지 장치의 구성을 도시한 사시도;1 is a perspective view showing the configuration of a substrate supporting apparatus of a semiconductor manufacturing facility according to an embodiment of the prior art;

도 2는 도 1에 도시된 기판 지지 장치의 기판 안착 상태를 나타내는 평면도;FIG. 2 is a plan view showing a substrate seating state of the substrate supporting apparatus shown in FIG. 1; FIG.

도 3은 도 2에 도시된 기판 지지 장치의 구성을 나타내는 단면도;3 is a cross-sectional view showing the configuration of the substrate supporting apparatus shown in FIG. 2;

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 장치의 구성을 도시한 도면;4 is a diagram showing the configuration of a substrate supporting apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 5는 도 4에 도시된 지지 플레이트의 구성을 도시한 사시도;FIG. 5 is a perspective view showing the configuration of the support plate shown in FIG. 4; FIG.

도 6은 도 4에 도시된 기판 지지 장치의 동작 수순을 도시한 흐름도;FIG. 6 is a flowchart showing an operation procedure of the substrate supporting apparatus shown in FIG. 4; FIG.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 지지 장치의 구성을 도시한 도면;7 illustrates a configuration of a substrate support apparatus according to another embodiment of the present invention;

도 8은 도 7에 도시된 지지 플레이트의 구성을 도시한 평면도; 그리고FIG. 8 is a plan view showing the configuration of the support plate shown in FIG. 7; FIG. And

도 9는 도 7에 도시된 기판 지지 장치의 동작 수순을 도시한 흐름도이다.FIG. 9 is a flowchart showing an operation procedure of the substrate supporting apparatus shown in FIG. 7.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100, 200 : 기판 지지 장치 102, 202 : 제어부100, 200: substrate support device 102, 202: control unit

104, 204 : 제 1 구동부 106, 206 : 제 2 구동부104, 204: first driver 106, 206: second driver

110, 210 : 플레이트 112, 212 : 척킹 핀110, 210: plate 112, 212: chucking pin

114, 214 : 음파 진동자 216 : 기체 라인114, 214: sound wave oscillator 216: gas line

220 : 압력 조절부220: pressure regulator

Claims (9)

기판 지지 장치에 있어서:In the substrate support device: 기판이 안착되는 플레이트와;A plate on which the substrate is seated; 상기 플레이트의 상부면에 배치되어 상기 플레이트에 안착된 상기 기판의 하부면으로 음파를 발생시켜서 상기 기판과 상기 플레이트 사이의 간격을 일정 높이로 부양시켜서 상기 기판을 지지하는 복수 개의 음파 진동자 및;A plurality of sound wave oscillators disposed on an upper surface of the plate to generate sound waves to a lower surface of the substrate seated on the plate to support the substrate by raising a distance between the substrate and the plate to a predetermined height; 상기 플레이트 가장자리에 구비되어 부양된 상기 기판의 가장자리를 척킹하는 복수 개의 척킹 핀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.And a plurality of chucking pins provided at the edge of the plate to chuck the edge of the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판 지지 장치는;The substrate support device; 상기 음파 진동자들과 전기적으로 연결되고, 상기 일정 높이에 대응하여 상기 음파의 파장을 조절하도록 하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.And a control unit electrically connected to the sound wave oscillators and configured to adjust the wavelength of the sound wave in response to the predetermined height. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판 지지 장치는;The substrate support device; 상기 지지 플레이트의 상부로 노출되는 복수 개의 기체 라인 및, A plurality of gas lines exposed to the top of the support plate, 상기 기체 라인들에 연결되어 부양된 상기 기판과 상기 플레이트 사이의 기 체 압력을 조절하여 상기 기판의 부양 상태를 유지시키는 압력 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.And a pressure control unit connected to the gas lines to maintain a support state of the substrate by adjusting a gas pressure between the substrate and the plate supported by the gas lines. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 압력 조절부는 부양된 상기 기판의 하부면과 상기 플레이트 사이로/로부터 기체를 공급/흡입하여 기체 압력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.And the pressure regulator controls gas pressure by supplying / suctioning gas between / from the lower surface of the raised substrate and the plate. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 압력 조절부는 상기 일정 높이에 대응하여 상기 제어부의 제어를 받아서 기체의 공급 또는 흡입 유량을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.The pressure regulator is a substrate support device, characterized in that for controlling the supply or suction flow rate of the gas under the control of the control unit corresponding to the predetermined height. 기판 지지 장치의 무접촉 방식으로 기판을 지지하는 방법에 있어서:In the method of supporting a substrate in a contactless manner of the substrate support device: 플레이트에 기판을 안착하고;Seating the substrate on the plate; 상기 플레이트에 설치된 복수 개의 음파 진동자로부터 안착된 상기 기판의 하부면으로 음파를 발생하여 상기 플레이트 상부로 기판을 부양하고; 이어서Generating a sound wave to a lower surface of the substrate seated from a plurality of sound wave oscillators installed on the plate to support the substrate above the plate; next 부양된 상기 기판의 가장자리를 척킹하여 공정을 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 방법.And processing the process by chucking the edge of the raised substrate. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 기판을 부양하는 것은;To support the substrate; 상기 음파 진동자로부터 발생된 음파의 파장을 조절하여 상기 기판과 상기 플레이트 사이의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.And controlling a distance between the substrate and the plate by adjusting a wavelength of sound waves generated from the sound wave oscillator. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,The method according to claim 6 or 7, 상기 기판 지지 방법은;The substrate support method; 부양된 상기 기판과 상기 플레이트 사이의 높이를 일정하게 유지하도록 상기 플레이트 상부로/로부터 기체를 공급/흡입하는 것을 더 포함하는 기판 지지 방법.And supplying / suctioning gas to / from the plate to maintain a constant height between the raised substrate and the plate. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 기체를 공급/흡입하는 것은;Supplying / inhaling the gas; 상기 기판과 상기 플레이트 사이의 높이에 대응하여 상기 플레이트 상부로/로부터 기체를 공급/흡입하는 유량을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 지지 방법.And controlling a flow rate of supplying / suctioning gas to / from the upper plate in correspondence with the height between the substrate and the plate.
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