KR20090012466A - Method and apparatus for developing a photoresist layer - Google Patents

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Abstract

A developing process and developer of the photoresist layer are provided to uniformly coat the developer on the front side of the photoresist layer while reducing the initial thickness of developer on the photoresist layer. A developing process of the photoresist layer comprises a step for forming a developer layer of the first thickness on the photoresist layer which covers a substrate; a step for forming the developer layer of the second thickness; and a step for washing the substrate. The first thickness is thicker than the second thickness in the same developer layer. A developer(100) of the photoresist layer comprises a developer showerhead(120) forming the developer layer of the first thickness on the photoresist layer, and a developer removal part(130) which forms the developer layer of the second thickness and reduces the first thickness and a cleaning liquid injection part(140).

Description

포토레지스트 막 현상 방법 및 장치{Method and apparatus for developing a photoresist layer}Photoresist film development method and apparatus

본 발명은 포토레지스트 막 현상 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 노광된 포토레지스트 막을 선택적으로 제거하기 위한 포토레지스트 막 현상 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photoresist film developing method and apparatus, and more particularly, to a photoresist film developing method and apparatus for selectively removing an exposed photoresist film.

일반적으로 반도체 소자는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(fabrication; Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 소자들의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting)공정과, 상기 반도체 소자들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 공정을 통해 제조된다.In general, semiconductor devices include a fabrication (fab) process for forming an electrical circuit on a silicon wafer used as a semiconductor substrate, and an electrical die sorting (EDS) process for inspecting electrical characteristics of the semiconductor devices formed in the fab process. And a package process for encapsulating and individualizing the semiconductor devices with an epoxy resin, respectively.

상기 팹 공정은 다양한 단위 공정들을 포함하며, 상기 단위 공정들 중에서 포토리소그래피 공정은 증착 공정을 통해 상기 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정에서 사용되는 포토레지스트 패턴을 상기 막 상에 형성하기 위해 수행된다.The fab process may include various unit processes, and among the unit processes, the photolithography process may include a photoresist pattern used in an etching process for forming a film formed on the silicon wafer into a pattern having electrical properties through a deposition process. To form on the film.

상기 포토리소그래피 공정은 상기 웨이퍼 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 포토레지스트 코팅 공정과, 상기 포토레지스트 막에 포함된 용제의 휘발(volatilization)과 상기 포토레지스트 막을 고체화(solidification)를 위한 소프트(soft) 베이크 공정과, 상기 소프트 베이크 공정을 통해 고체화된 포토레지스트 막 상에 포토 마스크 패턴(photo mask pattern)을 전사하기 위한 노광 공정과, 상기 노광 공정을 수행하는 동안 상기 반도체 기판으로 조사되는 광의 산란에 의한 해상도 저하를 방지하기 위한 노광 후 베이크(post exposure bake; 이하 'PEB'라 한다) 공정과, 상기 노광 처리된 포토레지스트 막을 부분적으로 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상 공정과, 상기 현상된 포토레지스트 패턴의 강화를 위한 하드(hard) 베이크 공정 등을 포함할 수 있다.The photolithography process includes a photoresist coating process for forming a photoresist film on the wafer, volatilization of a solvent contained in the photoresist film, and a soft bake for solidification of the photoresist film. An exposure process for transferring a photo mask pattern onto the photoresist film solidified through the soft bake process, and resolution due to scattering of light irradiated onto the semiconductor substrate during the exposure process. A post exposure bake process to prevent degradation, a development process for forming a photoresist pattern by partially removing the exposed photoresist film, and the developed photoresist It may include a hard bake process for strengthening the pattern.

상기 현상 공정은 상기 노광 처리된 포토레지스트 막에 현상액을 도포한 후, 세정액을 분사하여 상기 현상액 및 상기 현상액과 반응한 포토레지스트 막을 제거함으로써 상기 포토레지스트 패턴을 형성한다.In the developing step, after the developer is applied to the exposed photoresist film, the cleaning solution is sprayed to remove the developer and the photoresist film reacted with the developer to form the photoresist pattern.

종래 기술에 따르면, 상기 현상액을 상기 포토레지스트 막 상 충분히 도포하여 상기 현상액이 상기 포토레지스트 막 전체에 도포되도록 한다. 따라서, 상기 현상액은 필요한 양보다 과도하게 상기 포토레지스트 막 상에 도포된다. 상기 현상액은 상기 세정액 분사시 세정되어 폐수 처리된다. 상기 현상액이 과도하게 사용되며 재활용되지 않으므로 상기 현상액의 사용량이 늘어나며 상기 현상액이 소요되는 비용이 증가한다. According to the prior art, the developer is sufficiently applied on the photoresist film so that the developer is applied to the entire photoresist film. Thus, the developer is applied onto the photoresist film in excess of the required amount. The developer is washed at the time of spraying the cleaning solution and treated with wastewater. Since the developer is excessively used and is not recycled, the amount of the developer is increased and the cost of the developer is increased.

포토레지스트 막 상에 도포된 현상액을 회수할 수 있는 포토레지스트 막 현상 방법을 제공한다.A photoresist film developing method capable of recovering a developer applied on a photoresist film is provided.

포토레지스트 막 상에 도포된 현상액을 회수할 수 있는 포토레지스트 막 현상 장치를 제공한다.A photoresist film developing apparatus capable of recovering a developer applied on a photoresist film is provided.

본 발명에 따른 포토레지스트 막 현상 방법은 기판의 노광된 포토레지스트 막 상에 현상액을 도포하여 제1 두께를 갖는 현상액 층을 형성한다. 상기 현상액 층의 현상액을 일부 제거하여 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 현상액 층을 형성한다. 상기 현상액 층 및 상기 현상액 층과 반응하는 포토레지스트 막을 제거하여 상기 기판을 세정한다. The photoresist film developing method according to the present invention applies a developer on an exposed photoresist film of a substrate to form a developer layer having a first thickness. A part of the developer of the developer layer is removed to form a developer layer having a second thickness that is thinner than the first thickness. The substrate is cleaned by removing the developer layer and the photoresist film reacting with the developer layer.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 두께를 갖는 현상액 층의 형성은 상기 현상액 층을 가압하여 이루어질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the developer layer having the second thickness may be formed by pressing the developer layer.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 포토레지스트 막 현상 방법은 상기 일부 제거된 현상액을 회수할 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the photoresist film developing method may recover the partially removed developer.

본 발명에 따른 포토레지스트 막 현상 장치는 기판의 노광된 포토레지스트 막 상에 현상액을 도포하여 제1 두께의 현상액 층을 형성하는 현상액 분사부와, 상기 현상액 층의 현상액을 일부 제거하여 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 현상액 층을 형성하는 현상액 제거부 및 상기 현상액 층 및 상기 현상액 층과 반응하는 포토레지스트 막을 제거하여 상기 기판을 세정하는 기판 세정부를 포함한다.The photoresist film developing apparatus according to the present invention includes a developer spraying part for applying a developer on an exposed photoresist film of a substrate to form a developer layer having a first thickness, and partially removing the developer of the developer layer to form the first thickness. And a developer removing part for forming a developer layer having a thinner second thickness, and a substrate cleaner for removing the developer layer and the photoresist film reacting with the developer layer to clean the substrate.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 포토레지스트 막 현상 장치는 상기 현 상액 제거부의 하부에 구비되며, 상기 일부 제거된 현상액을 회수하는 현상액 회수부를 더 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the photoresist film developing apparatus may further include a developer recovering unit provided under the developer removing unit and recovering the partially removed developer.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 포토레지스트 막 현상 장치는 상기 기판을 상기 현상액 분사부, 상기 현상액 제거부 및 상기 기판 세정부로 이송시키기 위한 기판 이송부를 더 포함할 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the photoresist film developing apparatus may further include a substrate transfer unit for transferring the substrate to the developer spraying unit, the developer removing unit, and the substrate cleaning unit.

상기 기판 이송부는 다수의 제1 롤러들이며, 상기 현상액 제거부는 제2 롤러일 수 있다. 상기 제2 롤러는 상기 제1 롤러들에 의해 구동되는 종동 롤러일 수 있다. 상기 제1 롤러들 및 제2 롤러들은 테프론 수지를 포함할 수 있다. The substrate transfer part may be a plurality of first rollers, and the developer removing part may be a second roller. The second roller may be a driven roller driven by the first rollers. The first rollers and the second rollers may include Teflon resin.

롤러를 이용하여 포토레지스트 막 상에 도포된 현상액을 균일하게 분포시킬 수 있으며, 과도하게 제공된 현상액을 상기 포토레지스트 막으로부터 제거할 수 있다. 따라서, 상기 현상액의 사용량을 최소화할 수 있다.The roller can be used to distribute the developer applied on the photoresist film uniformly, and the excessively provided developer can be removed from the photoresist film. Therefore, the amount of the developer used can be minimized.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 막 현상 방법 및 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수 는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a photoresist film developing method and apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structure is shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 포토레지스트 막 현상 장치(100)를 설명 하기 위한 개략도이고, 도 2는 도 1에 도시된 제2 롤러(130)로 현상액(30)을 일부 제거하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic diagram illustrating a photoresist film developing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a process of partially removing the developer 30 with the second roller 130 shown in FIG. 1. A diagram for explaining.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 포토레지스트 막 현상 장치(100)는 기판 이송부(110), 현상액 분사부(120), 현상액 제거부(130), 세정액 분사부(140) 및 현상액 회수부(150)를 포함한다. 1 and 2, the photoresist film developing apparatus 100 may include a substrate transfer unit 110, a developer injection unit 120, a developer removal unit 130, a cleaning solution injection unit 140, and a developer recovery unit ( 150).

상기 기판 이송부(110)는 기판(10)을 지지하며 이동한다. 상기 기판(10) 상에는 포토레지스트 막(20)이 형성된다. 상기 포토레지스트 막(20)은 노광 공정이 수행된 상태이다.The substrate transfer part 110 supports and moves the substrate 10. A photoresist film 20 is formed on the substrate 10. The photoresist film 20 is in a state where an exposure process is performed.

상기 기판 이송부(110)는 다수의 제1 롤러들을 포함한다. 상기 제1 롤러들은 구동부(미도시)에 의해 회전하며, 상기 제1 롤러들의 회전에 의해 상기 기판(10)이 상기 현상액 분사부(120), 현상액 제거부(130) 및 세정액 분사부(140)로 이동한다.The substrate transfer part 110 includes a plurality of first rollers. The first rollers are rotated by a driving unit (not shown), and the substrate 10 is rotated by the first rollers so that the developer solution injection unit 120, the developer solution removal unit 130, and the cleaning solution injection unit 140 are rotated. Go to.

상기 제1 롤러들은 수지로 이루어질 수 있다. 상기 수지는 테프론 수지일 수 있다. 따라서, 후술하는 현상액(30)이 상기 제1 롤러들에 들러붙는 것을 방지할 수 있다. The first rollers may be made of resin. The resin may be a Teflon resin. Therefore, it is possible to prevent the developer 30 described later from sticking to the first rollers.

상기 현상액 분사부(120)는 상기 기판 이송부(110)의 상부에 구비되며, 상기 포토레지스트 막(20) 상으로 현상액을 분사한다. 상기 현상액은 상기 포토레지스트 막(20)을 전체적으로 균일하게 덮도록 충분히 분사된다. 상기 포토레지스트 막(20)으로 도포된 현상액은 제1 두께를 갖는 현상액 층(30)을 형성한다. The developer injection part 120 is provided on the substrate transfer part 110 and injects a developer onto the photoresist film 20. The developer is sufficiently sprayed to uniformly cover the photoresist film 20 as a whole. The developer applied to the photoresist film 20 forms a developer layer 30 having a first thickness.

상기 포토레지스트 막(20)은 광이 조사됨에 따라 변화되는 분자 반응에 따라서 포지티브 형(positive type)과 네거티브 형(negative type)으로 구분된다.The photoresist film 20 is classified into a positive type and a negative type according to a molecular reaction that changes as light is irradiated.

포지티브 형 포토레지스트 막의 경우, 광에 노출되는 부분의 고분자 화합물은 저분자 화합물로 변화되고, 노출되지 않은 부분에 비하여 상대적으로 높은 용해도를 갖게 된다. 상기 현상액 층(30)은 노출된 부분과 쉽게 반응하며, 노출되지 않은 부분과 쉽게 반응하지 않는다. 이와 반대로, 네거티브 형 포토레지스트 막은, 광에 노출되는 부분의 저분자 화합물은 고분자 화합물로 변화되고, 노출되지 않은 부분에 비하여 상대적으로 낮은 용해도를 갖게 된다. 상기 현상액 층(30)은 노출되지 않은 부분과 쉽게 반응하며, 상기 노출된 부분과 쉽게 반응하지 않는다. In the case of the positive photoresist film, the polymer compound in the part exposed to light is changed to a low molecular compound, and has a relatively high solubility compared to the part not exposed. The developer layer 30 easily reacts with the exposed portion and does not easily react with the unexposed portion. On the contrary, in the negative photoresist film, the low molecular weight compound in the part exposed to light is changed into a high molecular compound, and has a relatively low solubility compared to the part not exposed. The developer layer 30 easily reacts with the unexposed portions and does not easily react with the exposed portions.

상기 현상액 제거부(130)는 상기 기판 이송부(110) 상에 구비되며, 상기 포토레지스트 막(20) 상에 도포된 현상액 층(30)의 현상액을 일부 제거한다. 상기 현상액 제거부(130)는 상기 현상액을 일부 제거하여 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 현상액 층(30)을 형성한다.The developer removing unit 130 is provided on the substrate transfer unit 110, and partially removes the developer of the developer layer 30 applied on the photoresist film 20. The developer removing unit 130 partially removes the developer to form a developer layer 30 having a second thickness that is thinner than the first thickness.

상기 현상액 제거부(130)는 제2 롤러를 포함한다. 상기 제2 롤러는 상기 기판(10)보다 큰 폭을 갖는다. 상기 제2 롤러는 하단면이 상기 현상액(30)의 상부면보다 낮게 위치한 상태에서 회전하여 상기 현상액 층(30)의 현상액을 일부 제거한다. 상기 롤러가 상기 현상액 층(30)의 현상액을 균일하게 제거하여 상기 포토레지스트 막(20) 상에 도포된 현상액 층(30)의 두께를 최소화할 수 있다. 또한, 상기 롤러가 회전하면서 상기 현상액 층(30)의 현상액을 가압하므로 상기 포토레지스트 막(20) 상에 현상액이 미도포된 영역이 존재하는 경우, 상기 미도포 영역에도 상기 현상액 층(30)이 형성될 수 있다.The developer removing unit 130 includes a second roller. The second roller has a larger width than the substrate 10. The second roller is rotated while the bottom surface is positioned lower than the top surface of the developer 30 to remove a part of the developer of the developer layer 30. The roller may uniformly remove the developer of the developer layer 30 to minimize the thickness of the developer layer 30 applied on the photoresist film 20. In addition, when the roller rotates and pressurizes the developer of the developer layer 30, the developer layer 30 is also applied to the uncoated region when there is an uncoated area on the photoresist film 20. Can be formed.

상기 제2 롤러는 수지로 이루어질 수 있다. 상기 수지는 테프론 수지일 수 있다. 따라서, 상기 제2 롤러가 상기 기판(10) 및 상기 포토레지스트 막(20)을 손상시키는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 현상액 층(30)의 현상액이 상기 제2 롤러에 들러붙는 것을 방지할 수 있다. The second roller may be made of a resin. The resin may be a Teflon resin. Therefore, it is possible to prevent the second roller from damaging the substrate 10 and the photoresist film 20. In addition, the developer of the developer layer 30 may be prevented from sticking to the second roller.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 롤러는 상기 제1 롤러들에 의해 구동된다. 구체적으로, 상기 제1 롤러들과 상기 제2 롤러는 기어 또는 벨트 등으로 연결되며, 상기 제1 롤러들의 구동력에 의해 상기 제2 롤러는 구동된다. 이때, 상기 제1 롤러들의 회전 방향과 상기 제2 롤러의 회전 방향은 서로 반대일 수 있다.According to one embodiment of the invention, the second roller is driven by the first rollers. In detail, the first rollers and the second roller are connected by a gear or a belt, and the second roller is driven by the driving force of the first rollers. At this time, the rotation direction of the first roller and the rotation direction of the second roller may be opposite to each other.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 롤러는 상기 제1 롤러들에 의해 구동되지 않고, 상기 제2 롤러는 별도의 구동부에 의해 구동된다. 이때, 상기 제1 롤러들의 회전 방향과 상기 제2 롤러의 회전 방향은 서로 반대일 수 있다.According to another embodiment of the invention, the second roller is not driven by the first rollers, the second roller is driven by a separate drive unit. At this time, the rotation direction of the first roller and the rotation direction of the second roller may be opposite to each other.

상기에서는 현상액 제거부(130)로 제2 롤러가 사용되지만, 상기 현상액 제거부(130)로 스퀴저(squeezer) 또는 가압 플레이트가 사용될 수 있다. 상기 스퀴저는 상기 현상액 층(30)의 현상액을 긁어 상기 현상액의 일부를 제거할 수 있다. 상기 가압 플레이트는 상기 현상액 층(30)의 현상액을 눌러 상기 현상액의 일부를 제거할 수 있다. In the above, although the second roller is used as the developer removing unit 130, a squeezer or a pressure plate may be used as the developer removing unit 130. The squeezer may remove a part of the developer by scraping the developer of the developer layer 30. The pressing plate may remove a part of the developer by pressing the developer of the developer layer 30.

상기 세정액 분사부(140)는 상기 기판 이송부(110)의 상부에 구비되며, 상기 기판(10) 상으로 세정액을 분사한다. 상기 세정액은 상기 현상액 층(30) 및 상기 현상액 층(30)과 반응된 포토레지스트 막(20)을 제거한다. The cleaning liquid injection unit 140 is provided on the substrate transfer unit 110, and sprays the cleaning liquid onto the substrate 10. The cleaning solution removes the developer layer 30 and the photoresist film 20 reacted with the developer layer 30.

상기 포지티브 형 포토레지스트 막은 광에 노출되지 않은 부분이 상기 세정액에 의해 제거되지 않고 상기 기판(10) 상에 잔존하여 포토레지스트 패턴으로 형 성된다. 상기 네거티브 형 포토레지스트 막은 광에 노출되지 않은 부분이 상기 세정액에 의해 제거되지 않고 상기 기판(10) 상에 잔존하여 포토레지스트 패턴으로 형성된다.In the positive photoresist film, a portion not exposed to light is left on the substrate 10 without being removed by the cleaning liquid and formed into a photoresist pattern. In the negative photoresist film, a portion which is not exposed to light remains on the substrate 10 without being removed by the cleaning liquid and is formed as a photoresist pattern.

상기 현상액 회수부(150)는 상기 현상액 분사부(120) 및 상기 현상액 제거부(130)의 위치와 반대되는 상기 기판 이송부(110)의 하방에 구비된다. 상기 현상액 회수부(150)는 상기 현상액 분사부(120)에서 상기 포토레지스트 막(20)의 외부로 분사된 현상액 및 상기 포토레지스트 막(20)으로 분사된 후 외부로 흘러내리는 현상액을 수용한다. 또한, 상기 현상액 회수부(150)는 상기 현상액 제거부(130)에 의해 제거된 현상액을 수용한다. The developer recovery part 150 is provided below the substrate transfer part 110 opposite to the positions of the developer injection part 120 and the developer removal part 130. The developer recovery part 150 accommodates the developer injected from the developer injection part 120 to the outside of the photoresist film 20 and the developer flowing into the photoresist film 20 and then flowing down to the outside. In addition, the developer recovery unit 150 accommodates the developer removed by the developer removal unit 130.

상기 현상액 회수부(150)에 수용된 현상액은 재사용될 수 있다. 구체적으로, 상기 현상액 회수부(150)에 수용된 현상액은 필터링을 통해 이물질을 제거한 후 다시 현상액 분사부(120)로 제공될 수 있다. The developer contained in the developer recovery unit 150 may be reused. Specifically, the developer contained in the developer recovery unit 150 may be provided to the developer injection unit 120 after removing the foreign matter through filtering.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 포토레지스트 막 현상 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 3 is a flowchart illustrating a photoresist film development method according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 기판 이송부(110)인 제1 롤러들에 노광된 포토레지스트 막(20)이 형성된 기판(20)을 로딩한다. 상기 제1 롤러들을 구동시켜 상기 기판(20)을 이동한다.Referring to FIG. 3, the substrate 20 on which the photoresist film 20 exposed is loaded on the first rollers, which are the substrate transfer unit 110, is loaded. The substrate 20 is moved by driving the first rollers.

현상액 분사부(120)는 상기 포토레지스트 막(20) 상으로 현상액을 분사하여 제1 두께를 갖는 현상액 층(30)을 형성한다(S110). The developer injection unit 120 sprays a developer onto the photoresist film 20 to form a developer layer 30 having a first thickness (S110).

상기 현상액은 상기 포토레지스트 막(20)을 전체적으로 균일하게 덮도록 충 분히 분사된다. 분사된 현상액은 상기 포토레지스트 막(20) 상에 제1 두께를 갖는 현상액 층(30)을 형성한다. 이때, 현상액 회수부(150)는 상기 현상액 분사부(120)에서 상기 포토레지스트 막(20)으로 분사된 후 상기 기판(10)으로부터 흘러내리는 현상액을 수용한다.The developer is sufficiently sprayed to uniformly cover the photoresist film 20 as a whole. The injected developer forms a developer layer 30 having a first thickness on the photoresist film 20. In this case, the developer recovery part 150 accommodates the developer flowing from the substrate 10 after being injected from the developer injection part 120 into the photoresist film 20.

상기 현상액 층(30)의 현상액을 일부 제거하여 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 현상액 층(30)을 형성한다(S120).A part of the developer of the developer layer 30 is removed to form a developer layer 30 having a second thickness thinner than the first thickness (S120).

상기 현상액 층(30)의 현상액을 가압하여 상기 현상액을 일부 제거할 수 있다. 일 예로, 현상액 제거부(130)인 제2 롤러를 하단면이 상기 현상액 층(30)의 상부면보다 낮도록 위치시킨 상태에서 상기 제2 롤러를 회전시킨다. 상기 제2 롤러가 회전함에 따라 상기 현상액 층(30)의 현상액 일부가 제거되어 상기 현상액 층(30)은 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 갖게 된다. 따라서, 상기 포토레지스트 막(20) 상에 존재하는 현상액 층(30)의 두께를 최소화할 수 있다. 또한, 상기 제2 롤러가 회전하면서 상기 현상액 층(30)의 현상액을 가압하므로 상기 포토레지스트 막(20) 상에 현상액이 미도포된 영역이 존재하는 경우, 상기 미도포 영역에도 상기 현상액 층(30)이 균일하게 형성될 수 있다. Part of the developer may be removed by pressing the developer of the developer layer 30. For example, the second roller is rotated while the second roller, which is the developer removing unit 130, is positioned such that the bottom surface thereof is lower than the top surface of the developer layer 30. As the second roller rotates, a part of the developer of the developer layer 30 is removed, so that the developer layer 30 has a second thickness smaller than the first thickness. Therefore, the thickness of the developer layer 30 present on the photoresist film 20 can be minimized. In addition, when the second roller rotates to pressurize the developer of the developer layer 30, when there is an uncoated area on the photoresist film 20, the developer layer 30 is also applied to the uncoated area. ) May be formed uniformly.

다른 예로, 현상액 제거부(130)인 스퀴저(squeezer)로 상기 현상액 층(30)의 현상액을 긁어 상기 현상액의 일부를 제거할 수 있다. As another example, a part of the developer may be removed by scraping the developer of the developer layer 30 with a squeezer, which is the developer remover 130.

또 다른 예로, 현상액 제거부(130)인 플레이트로 상기 현상액 층(30)의 현상액을 눌러 상기 현상액의 일부를 제거할 수 있다. As another example, a part of the developer may be removed by pressing the developer of the developer layer 30 with the plate, which is the developer remover 130.

다음으로, 상기 일부 제거된 현상액을 회수한다(S130).Next, the partially removed developer is recovered (S130).

상기 현상액 제거부(130)에 의해 제거된 현상액은 상기 기판 이송부(110)의 하방으로 제공된다. 현상액 회수부(150)는 상기 현상액을 수용한다. 상기 현상액 회수부(150)에 수용된 현상액은 필터링하여 재활용될 수 있다.The developer removed by the developer removing unit 130 is provided below the substrate transfer unit 110. The developer recovery unit 150 accommodates the developer. The developer contained in the developer recovery unit 150 may be recycled by filtering.

상기 현상액 및 상기 포토레지스트 막을 선택적으로 제거하기 위해 상기 기판을 세정한다(S140).The substrate is cleaned to selectively remove the developer and the photoresist film (S140).

세정액 분사부(140)는 상기 현상액 층(30)이 형성된 기판(10)을 향해 세정액을 분사한다. 상기 세정액은 상기 현상액 층(30) 및 상기 현상액 층(30)과 반응된 포토레지스트 막(20)을 선택적으로 제거한다. 상기 포토레지스트 막(20)은 선택적으로 제거됨으로써 포토레지스트 패턴으로 형성된다.The cleaning solution sprayer 140 sprays the cleaning solution toward the substrate 10 on which the developer layer 30 is formed. The cleaning solution selectively removes the developer layer 30 and the photoresist film 20 reacted with the developer layer 30. The photoresist film 20 is selectively removed to form a photoresist pattern.

본 발명의 실시예에 따르면, 포토레지스트 막 현상 방법 및 장치를 이용하여 현상액을 포토레지스트 막에 도포한 후 최소량을 제외한 나머지를 회수하여 재사용할 수 있다. 따라서, 상기 포토레지스트 막 현상 공정에 사용되는 현상액의 사용량을 줄일 수 있어 상기 포토레지스트 막 현상 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다. 나아가 상기 포토레지스트 막 현상 공정을 포함하는 반도체 소자 제조 공정 또는 평판 표시 소자 제조 공정의 효율성을 향상시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, after the developer is applied to the photoresist film by using the photoresist film developing method and apparatus, the rest except the minimum amount may be recovered and reused. Therefore, the amount of the developer used in the photoresist film development process can be reduced, so that the efficiency of the photoresist film development process can be improved. Furthermore, the efficiency of the semiconductor device manufacturing process or the flat panel display device manufacturing process including the photoresist film development process may be improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 포토레지스트 막 현상 장치를 설명하기 위한 개략도이다.1 is a schematic view for explaining a photoresist film developing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 제2 롤러로 현상액을 일부 제거하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 2 is a view for explaining a process of partially removing the developer with the second roller shown in FIG. 1.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 포토레지스트 막 현상 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 3 is a flowchart illustrating a photoresist film development method according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100：포토레지스트 막 현상 장치 110 : 기판 이송부100: photoresist film developing apparatus 110: substrate transfer part

120 : 현상액 분사부 130 : 현상액 제거부120: developer injection unit 130: developer removal unit

140 : 세정액 분사부 150 : 현상액 회수부140: washing liquid injection unit 150: developer recovery portion

Claims (9)

기판의 노광된 포토레지스트 막 상에 현상액을 도포하여 제1 두께를 갖는 현상액 층을 형성하는 단계;Applying a developer on the exposed photoresist film of the substrate to form a developer layer having a first thickness; 상기 현상액 층의 현상액을 일부 제거하여 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 현상액 층을 형성하는 단계; 및Removing a part of the developer of the developer layer to form a developer layer having a second thickness thinner than the first thickness; And 상기 현상액 층 및 상기 현상액 층과 반응하는 포토레지스트 막을 제거하여 상기 기판을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 막 현상 방법.Removing the developer layer and the photoresist film reacting with the developer layer to clean the substrate. 제1항에 있어서, 상기 제2 두께를 갖는 현상액 층을 형성하는 단계는 상기 현상액 층을 가압하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 막 현상 방법.The method of claim 1, wherein the forming of the developer layer having the second thickness is performed by pressing the developer layer. 제1항에 있어서, 상기 일부 제거된 현상액을 회수하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 막 현상 방법.The method of claim 1, further comprising recovering the partially removed developer. 기판의 노광된 포토레지스트 막 상에 현상액을 도포하여 제1 두께의 현상액 층을 형성하는 현상액 분사부;A developer spraying part for applying a developer on the exposed photoresist film of the substrate to form a developer layer having a first thickness; 상기 현상액 층의 현상액을 일부 제거하여 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 현상액 층을 형성하는 현상액 제거부; 및A developer removing part which removes a part of the developer of the developer layer to form a developer layer having a second thickness thinner than the first thickness; And 상기 현상액 층 및 상기 현상액 층과 반응하는 포토레지스트 막을 제거하여 상기 기판을 세정하는 기판 세정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 막 현상 장치.And a substrate cleaner for removing the developer layer and the photoresist film reacting with the developer layer to clean the substrate. 제4항에 있어서, 상기 현상액 제거부의 하부에 구비되며, 상기 일부 제거된 현상액을 회수하는 현상액 회수부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 막 현상 장치.5. The photoresist film developing apparatus according to claim 4, further comprising a developer recovery part provided below the developer removal part to recover the partially removed developer. 제4항에 있어서, 상기 기판을 상기 현상액 분사부, 상기 현상액 제거부 및 상기 기판 세정부로 이송시키기 위한 기판 이송부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 막 현상 장치.5. The photoresist film developing apparatus according to claim 4, further comprising a substrate transfer unit for transferring the substrate to the developer injection unit, the developer removal unit, and the substrate cleaning unit. 제6항에 있어서, 상기 기판 이송부는 다수의 제1 롤러들이며, 상기 현상액 제거부는 제2 롤러인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 막 현상 장치.The apparatus of claim 6, wherein the substrate transfer unit is a plurality of first rollers, and the developer removal unit is a second roller. 제7항에 있어서, 상기 제2 롤러는 상기 제1 롤러들에 의해 구동되는 종동 롤러인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 막 현상 장치.8. The photoresist film developing apparatus according to claim 7, wherein said second roller is a driven roller driven by said first rollers. 제7항에 있어서, 상기 제1 롤러들 및 제2 롤러들은 테프론 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 막 현상 장치.8. The apparatus of claim 7, wherein the first rollers and the second rollers comprise Teflon resin.
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