KR20090008693A - 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물, 그 조성물을이용하여 코팅하는 방법 및 그 코팅방법에 의해 제조된탄성체 몰드 - Google Patents

Abstract

본 발명은 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물, 그 조성물을 이용하여 코팅하는 방법 및 그 코팅방법에 의해 제조된 탄성체 몰드에 관한 것으로, 하기 화학식 1로 표시되는 불화 탄소를 포함하는 반응성 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 모노머, 및 다관능성 아크리레이트 모노머를 포함하는 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물에 의하여, 그 코팅방법에 의해 제조된 탄성체 몰드에 형성된 코팅층의 지속성 및 내구성이 뛰어나고, 미세패턴의 제조 시 잔여물이 남지 않거나 남은 잔여물의 제거가 용이하여 우수한 미세패턴을 얻을 수 있다.

[화학식 1]

-C00(CH2)x(CF2)y-

(x는 0이상의 수이며, y는 1이상의 수)

탄성체 몰드, 미세패턴, 불소계, 코팅

Description

탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물, 그 조성물을 이용하여 코팅하는 방법 및 그 코팅방법에 의해 제조된 탄성체 몰드 { FLUORINATED COMPOSITION FOR COATING A SURFACE OF ELASTOMER MOLD, METHOD OF COATING USING THE COMPOSITION, AND ELASTOMER MOLD MANUFACTURED BY THE METHOD }

본 발명은 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물, 그 조성물을 이용하여 코팅하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 불소계 화합물을 포함하는 신규의 조성물 및 그 조성물을 이용하여 탄성체 몰드의 표면을 코팅하는 방법, 그 방법에 의하여 코팅되어 코팅제의 내구성이 향상되며 몰드 표면의 표면에너지가 낮아져서 충진된 물질의 잔류가 없거나 쉽게 제거가 가능한 탄성체 몰드에 관한 것이다.

리소그래피 기술은 지난 30년간 반도체 소자의 발전과 더불어 광 투사 리소그래피(Optical Projection Lithography) 기술을 중심으로 지속적인 발전을 거듭하였다. 그러나 반도체 기술은 앞으로 더욱 작은 선 폭을 형성할 수 있는 리소그래피 기술을 필요로 할 것이다. 반도체 기술 발전 로드맵인 ITRS 2004에 따르면 2005년을 기준으로 45 nm의 선 폭을 형성하는 리소그래피 기술에서 매년 3~5 nm 선 폭을 줄여가야 하는 기술적 요청이 있으나 명확한 기술 대안은 현재 나타나지 않은 상태이다. 그리고 웨이퍼는 점점 대형화 되는 추세로써 300 mm 이후에 450 mm기술이 대두될 것으로 예상된다. 이러한 선 폭 미세화와 웨이퍼 대형화는 현재 사용되고 있는 광 투사 리소그래피 관련 기술의 가격을 상승시키는 중요한 추세로써 미래 기술 발전에서 가장 먼저 해결해야 할 문제로 지적되고 있다. 또한 최근 급 부상하고 있는 나노 기술과 바이오 기술 등은 새로운 형태의 3차원 구조, 평탄하지 않은 기판, 깨지지 쉬운 기판 사용 등을 필요로 하여 기존의 광 투사 리소그래피 기술만으로는 해결하기 힘들다. 따라서 이러한 문제점들을 해결하기 위하여 여러가지 형태의 리소그래피 기술들이 제안되어 연구되고 있으며, 그 대체 기술로 무 마스크 리소그래피(Maskless Lithography), 스텝 플래시 임프린트 리소그래피(Step & Flash Imprint Lithography), 주형과 도장 방식을 이용한 나노 구조물 제작 등이 있다.

리소그래피는 반도체 집적 회로와 많은 광학적, 자기적, 초미세 기계적 장치들의 제조에서 미세패턴을 형성하는 핵심적인 공정이다. 일반적으로 리소그래피 공정을 시작하기 전에 웨이퍼 표면에 묻은 이물질을 제거하는 웨이퍼 세정공정과 감광막이 웨이퍼에 잘 접착하도록 웨이퍼의 표면을 처리하는 표면처리공정, 감광막을 웨이퍼에 원하는 두께로 균일하게 도포하는 감광막 도포공정, 마스크를 감광막이 도포된 웨이퍼 위에 위치시키고 마스크 위에서 노광시킴으로써 마스크 위에 그려진 회로가 웨이퍼 상에 형성되도록 하는 정렬/노광공정, 노광에 의해 변형된 감광막을 세정액을 통해 제거하는 현상공정으로 구성된다.

현재 리소그래피는 일반적으로 상기한 바와 같은 포토레지스트를 사용하여 수행되고 있다. 그러나 현재의 방법에서 적용되는 광원의 파장으로는 피쳐를 더 작게 하는데 있어 한계에 도달했다. 반도체 산업이 발전함에 따라서 마이크로미터 또는 나노미터 스케일 디바이스를 제조하기 위한 신뢰할 만한 기술이 요청됨에 따라서 다른 기본원리에 기초한 리소그래피를 이용하여 나노미터 스케일의 피쳐를 제공하고 높은 해상도, 높은 처리량, 낮은 비용, 및 넓은 면적의 적용 가능성을 갖는 기술이 연구되고 있다. 이와 관련하여 우수한 미세 패턴을 형성하기 위한 새로운 기술로서 전자 빔 라이팅이 이용되고 있지만 이 기술은 시간 및 비용이 많이 소요된다는 단점이 있다. 이와 다른 기술로서 나노 임프란팅 리소그래피가 적용되고 있다.

나노 임프란팅 리소그래피는 안정적으로 원하는 패턴을 형성할 수 있는 탄성체 몰드에 관한 연구가 진행되었는데, 얻고자 하는 패턴에 대해 음각의 프로파일을 갖는 스탬프를 제조함에 있어서 패턴 형성이 용이하면서도 비용이 저렴한 실리콘 소재가 주로 사용되었다. 초기에는 나노 임프란팅 리소그래피 공정이 고온과 압력이 가해지는 조건하에서 진행되었는데 이 경우 가열이 동반되는 열적 사이클링으로 인해 형성된 미세 패턴 또는 실리콘 스탬프의 패턴 부위 자체의 변형이 일어나는 경우가 빈번하였다. 뿐만 아니라 레지스트를 스탬프가 유리전이온도 이상의 온도에서 물리적으로 압인하고, 유리전이온도 이하에서 박리하는 과정에서 잔여 레지스트가 기판 상이 그래도 남기 때문에 별도의 반응성 이온 에칭을 실시해야 하는 문제점이 있었다.

이러한 문제점을 해결하기 위해 고안된 종래의 기술로는 음각의 탄성체 몰드 에 패턴하고자 하는 물질을 충진할 때, 스탬프 자체만을 사용하는 것이 있고, 미국 공개특허 제2005-0202350호는 탄성체 몰드의 표면 에너지를 낮추게 하기 위하여 불소계 화합물을 증착하는 방법을 사용하고, 한국 공개특허 제2005-0100607호는 몰드 자체를 불소계 화합물을 포함한 수지로 제작하는 등의 문제점의 해결을 꾀하고 있다. 그러나, 스탬프를 처리하지 않고 미처리된 상태로 사용하는 경우 스탬프의 돌출 부위(양각 패턴)에 의해 눌려진 부분에 잔류 물질이 남아 선택적인 충진과정이 용이하지 않고, 스탬프에 불소계 화합물을 증착하는 경우 증착하는 복잡한 공정을 포함하여야 하며, 불소계 화합물을 수지에 포함하여 스탬프를 제조하는 경우에는 스탬프의 표면 에너지는 낮출 수 있으나 스탬프의 탄성 부족으로 정각 접촉이 쉽지 않다는 단점이 있다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명은 불소계 화합물을 포함하는 신규의 조성물을 탄성체 몰드의 표면에 코팅하여 미세패턴의 제조시, 잔여물이 남지 않거나 남은 잔여물의 제거가 용이하도록 하며, 특히 탄성체 몰드의 표면 중 돌출된 부분에만 선택적으로 코팅처리하여, 처리된 부분과 미처리된 부분의 표면에너지 차이로 인해, 미세패턴의 제조시, 코팅된 부분에 잔여물이 남지 않아 우수한 미세패턴을 얻을 수 있도록 하는 탄성체 몰드 코팅용 불소계 조성물을 제공하는 데 그 목적이 있다.

본 발명의 다른 목적은 상기의 코팅 조성물을 이용하여 코팅된 탄성체 몰드가 미세패턴의 제조시 패턴 형성 물질이 박리된 후에도 탄성체 몰드의 코팅층이 지속되어 내구성이 뛰어난 탄성체 몰드 코팅용 불소계 조성물을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 상기의 코팅 조성물을 이용하여 간단한 공정으로 탄성체 몰드를 코팅하는 방법을 제공하는 데에 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 불화 탄소를 포함하는 반응성 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 모노머, 및 다관능성 아크리레이트 모노머를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 반응성 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 모노머는 하기 화학식 1로 표시되는 것을 포함하는 화합물인 것을 특징으로 한다.

[화학식 1]

-C00(CH2)x(CF2)y-

(x는 0이상의 수이며, y는 1이상의 수)

또한, 상기 조성물은 반응성 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 모노머 1~10 중량%, 다관능성 아크릴레이트 모노머 0.01~1 중량%, 개시제 0.1~5 중량%, 계면활성제 0.01~1 중량%, 기타 잔량으로서 용매를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 다관능성 아크릴레이트 모노머는 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트, 펜타 에리스리톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 또는 트리메틸렌 프로필 트리아크릴레이트 등의 2관능 이상의 아크릴레이트 중에서 선택된 것인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 용매는 알코올류, 아세테이트류, 케톤류, 또는 포화탄화소수류 중에서 선택된 것인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 조성물은 레벨링제, 및/또는 습윤제를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은 상기의 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물을 이용하여 코팅하는 방법을 제공한다.

또한, 상기 전면 코팅하는 방법은 롤 코팅, 블레이드 코팅, 딥 코팅, 또는 스핀 코팅 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 방법은 탄성체 몰드의 돌출부분(양각패턴부분)에 상기 조성물을 선택적 으로 코팅하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 선택적 코팅하는 방법은 스탬핑 방법인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은 상기의 방법에 의하여 제조된 불소계 조성물로 표면처리된 탄성체 몰드를 제공한다.

또한, 상기 탄성체 몰드의 표면 코팅의 두께가 0.01 ㎛ 이상인 것을 특징으로 한다.

본 발명 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물에 따르면, 미세패턴이 제조되고 패턴 형성 물질이 박리된 후에도 탄성체 몰드의 코팅층이 지속되어 내구성이 뛰어난 탄성체 몰드를 제공하고, 미세패턴의 제조시 잔여물이 남지 않거나 남은 잔여물의 제거가 용이하며, 특히 돌출된 부분만 선택적으로 코팅처리한 탄성체 몰드의 경우 돌출부분에 표면에너지의 차이로 인하여 잔여물이 남지 않아 우수한 미세패턴을 얻을 수 있다.

이하, 본 발명의 특징을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

본 발명은 음각 패터닝 된 탄성체 몰드에 충진용 물질이 잔류하지 않거나 잔류하는 충진용 물질의 제거 과정이 용이하도록 하기 위하여 상용의 불소계 아크릴 레이트 화합물를 함유하는 코팅 조성물을 제조하여 음각 패터닝된 탄성체 몰드를 코팅함으로써 선명한 미세 패턴 형성이 가능하도록 한다.

본 발명의 볼화 탄소를 함유하는 반응성 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 모노머는 다음의 하기 화학식 1로 표시되는 구성단위를 포함한다.

[화학식 1]

-C00(CH2)x(CF2)y-

(x는 0이상의 수이며, y는 1이상의 수)

그 모식도는 도 1에 나타나 있다.

상기의 화학식 1로 표시되는 구성단위를 포함하는 반응성 아크릴레이트 모노머는 탄화수소의 반복 단위(x)가 최소 0개이며, 불화탄소 반복 단위 (y)는 적어도 1개인 불소계 불포화 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 모노머인 것을 특징으로 한다. 구체적인 예로는 1H, 1H, 2H, 2H-헵타데카플루오로데실메타크릴레이트가 있다. 본 발명의 코팅 조성물에서의 함량비는 전체 조성물에 대하여 0.01 내지 10 중량%가 바람직하다. 0.01 중량 % 미만인 경우 표면 에너지를 낮추는 효과가 미비하고, 10 중량 %를 초과하는 경우 코팅 층의 도막 강도가 저하될 수 있어 바람직하지 못하다.

또한, 본 발명의 조성물에 사용되는 다관능성 아크릴레이트 모노머는 중합성 올리고머로써, 아크릴레이트 중합 반응의 경화도를 높여 코팅의 내구성을 향상시키는 역할을 한다. 그 구체적인 예로는 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 트리메틸렌 프로필 트리아크릴레이트 등의 2관능 이상의 아크릴레이트가 사용될 수 있다. 본 발명의 코팅 조성물에서의 함량비는 전체 조성물에 대하여 0.01 내지 1 중량%가 바람직하다. 0.01 중량% 미만인 경우 코팅 내구성 유지 위한 경화도를 형성하지 못하고, 1 중량 %를 초과하는 경우 경화도가 높아져 탄성체 스탬프의 유연성을 따라가지 못하므로 바람직하지 못하다.

본 발명 코팅 조성물에 사용되는 용매는 표면 에너지가 낮은 탄성체 몰드의 젖음 특성을 높이고, 또한 반응성 아크릴레이트 모노머의 표면 침투력을 향상 시키는 역할을 한다. 본 발명에서 용매는 알코올류, 아세테이트류, 케톤류, 포화탄화수소계 용매를 사용할 수 있고, 그 구체적인 예로는 메틸알코올, 에틸알코올, 이소프로필알코올, 부틸알코올, 에틸아세테이트, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 노말헥산 등이 있다. 본 발명의 코팅 조성물에서의 함량비는 전체 조성물에 대하여 30 내지 99.9 중량%가 바람직하다. 30 중량% 미만인 경우 높은 고형분으로 인하여 코팅층의 두께만 높아질 뿐만 아니라 불균일하게 코팅 된 경우 스탬프의 요철 크기를 변화시킬 수 있으며, 99.9 중량 %를 초과하는 경우 표면에 잔류하는 아크릴레이트기의 양이 적어 바람직하지 못하다.

본 발명에서 사용될 수 있는 개시제로는 모든 범용의 광개시제를 사용하는 것이 바람직하며, 그 구체적인 예로는 1-하이드록시싸이클로헥실페닐케톤, 페닐글라이옥실릭에시드메틸에스터, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)- 페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일다이페닐포스핀옥사이드가 있다.

본 발명의 코팅 조성물에서의 함량비는 전체 조성물에 대하여 0.1 내지 5 중량%가 바람직하다. 0.1 중량% 미만인 경우 코팅조성물의 중합 반응을 유도하지 못하고, 5 중량%를 초과하는 경우 고분자로의 중합 반응 과정 동안 물성 확보 위한 적당한 사슬의 길이에 미치지 못하기 때문에 바람직하지 못하다.

본 발명에서 사용될 수 있는 계면 활성제로는 코팅조성물이 탄성체의 표면에 균일하게 도포되기 위하여 젖음 특성을 부여하는 모든 계면활성제가 사용 가능하며, Tego glide 406, 410, 411, 415, 420, 450과 Tego flow 300, 425 등을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 코팅 조성물에서의 함량비는 전체 조성물에 대하여 0.01 내지 1 중량%가 바람직하다. 0.01 중량%미만인 경우 코팅 조성물의 균일 도포를 위한 게면활성제의 첨가 효과가 나타나지 않으며, 1 중량%를 초과하는 경우 코팅액과의 상용성이 떨어질수 있고 이로 인해 불균일한 코팅층 형성을 유도하여 바람직하지 못하다.

상기의 구성 물질 이외에도 본 발명 코팅 조성물을 제조하는 데에 있어서, 기타 필요에 따라 레벨링제, 습윤제 등의 첨가제를 더 포함하는 것이 가능하다.

상기와 같은 본 발명에 따른 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물을 이용하여 코팅하는 방법은 다음의 단계를 포함하여 구성되어 있다.

탄성체 몰드 제작단계

탄성체 몰드는 음각 패턴되어 제조된다. 일반적으로 PDMS 탄성체 몰드를 사용하여 음각 패턴을 갖도록 몰딩한다.

탄성체 몰드의 표면 활성화 및 친수성기 도입단계

탄성체 몰드의 젖음성(wetting)을 향상시키고, 탄성체 몰드와 코팅 조성물과의 공유결합을 형성하게 하기 위한 단계이다. 산소플라즈마를 이용하여 상기의 탄성체 몰드의 표면을 활성화시키고, 친수성기를 도입시킨다.

코팅 조성물 제조단계

상기에서 설명한 본 발명 코팅 조성물의 구성물질을 혼합, 교반하여 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물을 제조한다.

코팅단계

상기에서 제조된 코팅 조성물을 상기의 음각 패턴되어 활성화되어 있는 몰드 표면을 코팅한다.

몰드 표면의 전체를 코팅하는 방법의 예로는 롤 코팅, 블레이드 코팅, 스핀 코팅 등이 사용될 수 있다.

또한, 특히 상기에서 제조된 코팅 조성물을 상기의 음각 패턴되어 활성화되어 있는 몰드 표면 중 돌출되어 있는 부분, 즉 양각으로 패턴되어 있는 부분에만 선택적으로 코팅하는 것도 가능하다. 이러한 돌출부분에의 선택적인 코팅 방법이 용이하도록 하기 위하여 스탬핑 코팅 방법이 사용될 수 있다.

건조단계

상기 코팅된 탄성체 몰드를 50 ~ 60℃에서 수분간 건조한다. 이 단계에서 용매가 제거된다.

자외선 조사단계

상기 건조된 탄성체 몰드에 자외선을 조사하여 본 발명에 따른 탄성체 몰드 표면코팅용 불소계 화합물로 코팅된 탄성체 몰드가 제조된다.

상기와 같은 방법에 의하여 제조된 탄성체 몰드의 표면 처리 두께는 0.001㎛ 이상인 것이 바람직하다. 0.001㎛ 미만이면 불소계 표면 처리 효과가 발현되지 않아 바람직하지 않다.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시 예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이므로, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되지는 않는다.

실시예 1

코팅 조성물의 제조예

100ml의 유리제 반응기에 중합성 단량체로서 불화 탄소 반복 단위가 6개인 모노머 5 중량%, 중합성 올리고머로서 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트 또는 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트 0.5 중량%, 개시제 0.4 중량%, 계면활성제 0.1중량%와 노말헥산과 에틸아세테이트의 혼합 용매 94 중량%를 넣고 교반하여 코팅 조성물을 제조하였다.

실시예 2

전면 코팅 탄성체 몰드의 제조예

음각 패터닝 된 탄성체 몰드는 PDMS 전구체 (Sylgard TM 184, Dow Corning)을 이용하여 음각 패턴을 갖도록 몰딩하여 제조하였다. 이 스탬프를 산소 플라즈마를 이용하여 탄성체 몰드의 표면을 활성화시키고, 친수성기를 도입시킨다.

몰드의 전면에 코팅하기 위하여 실시예 1의 코팅 조성물을 도포하여 800 rpm, 30초 동안 스핀코팅 또는 딥코팅을 하였다. 60℃ 2분 이내의 건조 후 자외선을 조사하여 불소계 화합물로 표면 처리된 탄성체 몰드를 완성하였다.

FT-IR로 표면을 분석하여 불소계 화합물이 PDMS의 표면에 코팅되었음을 확인 하였다.

실시예 3

선택적 코팅 탄성체 몰드의 제조예

음각 패터닝 된 탄성체 몰드는 PDMS 전구체 (Sylgard TM 184, Dow Corning)을 이용하여 음각 패턴을 갖도록 몰딩하여 제조하였다. 이 스탬프를 산소 플라즈마를 이용하여 탄성체 몰드의 표면을 활성화시키고, 친수성기를 도입시킨다.

스탬프의 돌출된 부분에만 코팅하기 위하여 실시예 1의 코팅 조성물을 가지고 1~2㎛의 두께로 PET 필름 위에 바 코팅 직후, 필름의 코팅면 위에 탄성체 몰드를 접촉시킨 뒤, 정각 접촉 (conformal contact)을 위하여 980N/㎡의 압력을 1분 동안 가하였다. 다음에 60℃ 2분 이내의 건조 후 자외선을 조사하여 불소계 화합물로 표면 처리된 탄성 몰드를 완성하였다.

FT-IR로 표면을 분석하여 탄성체 몰드의 돌출 부분에 불소계 화합물의 선택적 코팅이 이루어졌음을 확인하였다.

실험예 1

불소계 화합물로 표면 처리된 탄성체 몰드의 코팅층의 지속성을 확인하기 위해서, 실시예 2 및 실시예 3에서 제조된 스탬프들을 가지고 최소 10차례 이상의 표면 문지름-세척-건조 반복 과정 진행 후 탄성체 몰드의 표면에 불소계 코팅층이 존재하고 있음을 FT-IR로 확인하였다.

실험예 2

실시예 2의 딥코팅으로 제조한 탄성체 몰드의 패턴 면에 고분자 수지액을 10m/min의 속도로 바코팅 하였다. 다음에, 탄성체 몰드를 유리 기재와 밀착시켜 압력을 가한 후 탄성체 몰드를 탈거함으로써 고분자수지의 미세 패턴을 유리 기재에 전사하였고, 그 결과를 도 2에 나타내었다.

실험예 3

실시예 3의 스탬핑 코팅으로 제조한 탄성체 몰드의 패턴 면에 고분자 수지액을 10m/min의 속도로 바코팅 하였다. 다음에, 탄성체 몰드를 유리 기재와 밀착시켜 압력을 가한 후 탄성체 몰드를 탈거함으로써 고분자수지의 미세 패턴을 유리 기재에 전사하였고, 그 결과를 도 3에 나타내었다.

비교예

불소계 코팅 조성물로 표면 처리 되지 않은 탄성체 몰드의 패턴 면에 고분자 수지액을 10m/min의 속도로 바코팅 하였다. 다음에, 탄성체 몰드를 유리 기재와 밀착시켜 압력을 가한 후 탄성체 몰드를 탈거함으로써 고분자수지의 미세 패턴을 유리 기재에 전사하였고, 그 결과를 도 4에 나타내었다.

도 2 및 도 3과 도 4를 비교해 보면 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 불소계 코팅 조성물로 표면이 코팅된 탄성체 몰드를 사용하여 미세 패턴을 유리에 전사하는 경우 비교예와 비교하여 잔사가 없는 우수한 패턴을 얻을 수 있었다.

도 1은 본 발명의 따른 조성물이 탄성체 몰드에 코팅되어 있는 것을 나타낸 모식도이다.

도 2는 본 발명에 따른 불소계 조성물로 표면처리된 탄성체 몰드를 이용하여 제작된 미세패턴이 유리기재에 전사된 그림이다.

도 3는 본 발명에 따른 불소계 조성물로 표면 중 돌출부분이 처리된 탄성체 몰드를 이용하여 제작된 미세패턴이 유리기재에 전사된 그림이다.

도 4은 본 발명에 비교예에 의해 제작된 미세패턴이 유리기재에 전사된 그림이다.

Claims (12)

1. 불화 탄소를 포함하는 반응성 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 모노머, 및 다관능성 아크리레이트 모노머를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 반응성 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 모노머는 하기 화학식 1로 표시되는 구성단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물.

   [화학식 1]

   -C00(CH2)x(CF2)y-

   (x는 0이상의 수이며, y는 1이상의 수)
3. 제 1 항에 있어서, 상기 조성물은

   반응성 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트 모노머 0.01~10 중량%

   다관능성 아크릴레이트 모노머 0.01~1 중량%

   개시제 0.1~5 중량%

   계면활성제 0.01~1 중량%

   기타 잔량으로서 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 다관능성 아크릴레이트 모노머는 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트, 펜타 에리스리톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 또는 트리메틸렌 프로필 트리아크릴레이트 등의 3관능 이상의 아크릴레이트 중에서 선택된 것인 것을 특징으로 하는 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 용매는 알코올류, 아세테이트류, 케톤류, 또는 포화탄화소수류 중에서 선택된 것인 것을 특징으로 하는 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물.
6. 제 1 항에 있어서, 상기 조성물은 레벨링제, 및/또는 습윤제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물.
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물을 이용하여 코팅하는 방법.
8. 제 7 항에 있어서, 상기 코팅하는 방법은 롤 코팅, 블레이드 코팅, 딥 코팅 또는 스핀 코팅 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물을 이용하여 코팅하는 방법.
9. 제 7 항에 있어서, 상기 방법은 탄성체 몰드의 돌출부분(양각패턴부분)에 상기 조성물을 선택적으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물을 이용하여 코팅하는 방법.
10. 제 9 항에 있어서, 상기 코팅하는 방법은 스탬핑 방법인 것을 특징으로 하는 탄성체 몰드의 표면코팅용 불소계 조성물을 이용하여 코팅하는 방법.
11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 하나의 방법에 의하여 제조된 불소계 조성물로 표면처리된 탄성체 몰드.
12. 제 11 항에 있어서, 상기 탄성체 몰드의 표면 코팅의 두께가 0.01 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 불소계 조성물로 표면처리된 탄성체 몰드.

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