KR20090005591A - Liquid crystal dispaly and driving method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 특히 출력 버퍼부의 게이트 전압이 증가되는 것을 방지할 수 있는 액정 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
액정 표시 장치는 전계를 이용하여 유전 이방성을 갖는 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다. 이를 위하여, 액정 표시 장치는 액정셀들이 액티브 매트릭스(Active Matrix) 형태로 배열된 액정 표시 패널과, 액정 표시 패널을 구동하기 위한 구동 회로를 구비한다.A liquid crystal display device displays an image by adjusting the light transmittance of a liquid crystal having dielectric anisotropy using an electric field. To this end, the liquid crystal display includes a liquid crystal display panel in which liquid crystal cells are arranged in an active matrix form, and a driving circuit for driving the liquid crystal display panel.
구동 회로는 액정 패널의 게이트 라인을 구동하기 위한 게이트 구동 회로와, 액정 패널의 데이터 라인을 구동하기 위한 데이터 구동 회로와, 액정셀의 공통 전극을 구동하기 위한 공통 전극 구동 회로를 포함한다.The driving circuit includes a gate driving circuit for driving the gate line of the liquid crystal panel, a data driving circuit for driving the data line of the liquid crystal panel, and a common electrode driving circuit for driving the common electrode of the liquid crystal cell.
공통 전극 구동 회로는 도 1에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 노드(n1,n2)의 충방전 상태를 제어하도록 다수의 PMOS 트랜지스터로 이루어진 노드 제어부와, 제1 노드(n1) 상의 전압에 따라 스위칭되는 제1 PMOS 트랜지스터(T1)와, 제2 노드(n2) 상의 전압에 따라 스위칭되는 제2 PMOS 트랜지스터(T2)로 이루어진다.As shown in FIG. 1, the common electrode driving circuit includes a node control unit including a plurality of PMOS transistors to control charge and discharge states of the first and second nodes n1 and n2 and a voltage on the first node n1. The first PMOS transistor T1 is switched and the second PMOS transistor T2 is switched according to the voltage on the second node n2.
여기서, 노드 제어부를 이루는 다수의 PMOS 트랜지스터와 제1 및 제2 PMOS 트랜지스터(T1,T2)는 자체 누설 전류가 크고, 채널이 광에 노출되면 포토 커런트 증가와 함께 문턱 전압이 포지티브 방향으로 쉬프트하게 되면, 노드 제어부를 이루는 다수의 트랜지스터에 의해 누설 전류가 증가하게 된다. 또한, 이러한 누설 전류로 인해 제1 및 제2 노드(n1,n2)의 전압이 변동, 즉 상승하게 되어 턴온 상태를 선택적으로 유지하여야 하는 제1 및 제2 PMOS 트랜지스터(T1,T2)가 턴오프되어 출력단이 오픈되는 문제점이 있다.Here, the plurality of PMOS transistors constituting the node control unit and the first and second PMOS transistors T1 and T2 have large leakage currents, and when the channel is exposed to light, when the threshold voltage shifts in the positive direction along with the increase in the photocurrent. The leakage current is increased by the plurality of transistors forming the node controller. In addition, the leakage current causes the voltages of the first and second nodes n1 and n2 to fluctuate, that is, rise, thereby turning off the first and second PMOS transistors T1 and T2 that must selectively maintain the turn-on state. There is a problem that the output stage is open.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 출력 버퍼부의 게이트 전압이 증가되는 것을 방지할 수 있는 액정 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display and a driving method thereof capable of preventing the gate voltage of the output buffer unit from increasing.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 액정셀을 가지는 액정 표시 패널과; 상기 액정셀에 공통 전압을 공급하는 공통 구동 회로를 구비하며, 상기 공통 구동 회로는 제1 및 제2 노드의 전압에 응답하여 상기 액정셀에 공통 하이 전압 및 공통 로우 전압을 선택적으로 공급하도록 다수의 트랜지스터로 이루어진 출력 버퍼부와; 상기 제1 및 제2 노드의 전압을 제어하는 노드 제어부와; 상기 출력 버퍼부의 다수의 트랜지스터의 게이트 단자 전압을 주기적으 로 리프레쉬하여 상기 게이트 단자 전압이 상승되는 것을 방지하는 리프레쉬부를 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, a liquid crystal display device according to the present invention includes a liquid crystal display panel having a liquid crystal cell; And a common driving circuit for supplying a common voltage to the liquid crystal cell, wherein the common driving circuit is configured to selectively supply a common high voltage and a common low voltage to the liquid crystal cell in response to voltages of first and second nodes. An output buffer section comprising a transistor; A node controller for controlling voltages of the first and second nodes; And refreshing the gate terminal voltages of the plurality of transistors of the output buffer unit periodically to prevent the gate terminal voltage from rising.
상기 노드 제어부는 상기 제1 노드과 게이트 로우 전압 사이에 직렬로 연결된 제1 및 제2 트랜지스터와; 상기 제1 노드와 게이트 하이 전압 사이에 접속되어 상기 제2 노드의 전압에 의해 제어되는 제3 트랜지스터와; 상기 제2 노드와 상기 게이트 로우 전압 사이에 직렬로 연결된 제4 및 제5 트랜지스터와; 상기 제2 노드와 상기 게이트 하이 전압 사이에 접속되어 상기 제1 노드의 전압에 의해 제어되는 제6 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 한다.The node controller includes first and second transistors connected in series between the first node and a gate low voltage; A third transistor connected between the first node and a gate high voltage and controlled by the voltage of the second node; Fourth and fifth transistors connected in series between the second node and the gate low voltage; And a sixth transistor connected between the second node and the gate high voltage and controlled by the voltage of the first node.
상기 출력 버퍼부는 상기 공통 라인과 상기 공통 로우 전압 사이에 접속되어 상기 제1 노드의 전압에 의해 제어되는 제7 트랜지스터와; 상기 공통 라인과 상기 공통 하이 전압 사이에 접속되어 상기 제2 노드의 전압에 의해 제어되는 제8 트랜지스터와; 상기 제8 트랜지스터와 공통 라인 사이에 접속된 제1 커패시터와; 상기 제7 트랜지스터와 공통 라인 사이에 접속된 제2 커패시터를 구비하는 것을 특징으로 한다.A seventh transistor connected between the common line and the common low voltage and controlled by a voltage of the first node; An eighth transistor connected between the common line and the common high voltage and controlled by the voltage of the second node; A first capacitor connected between the eighth transistor and the common line; And a second capacitor connected between the seventh transistor and the common line.
상기 리프레쉬부는 상기 게이트 로우 전압과 상기 제3 및 제4 노드 사이에 크로스 커플된 제9 및 제10 트랜지스터와; 상기 제3 노드와 제1 클럭 신호 사이에 접속된 제3 커패시터와; 상기 제4 노드와 제2 클럭 신호 사이에 접속된 제4 커패시터와; 상기 제1 노드와 제3 노드 사이에 다이오드 커넥션된 다수의 제11 트랜지스터와; 상기 제2 노드와 제4 노드 사이에 다이오드 커넥션된 다수의 제12 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 한다.The refresh unit includes ninth and tenth transistors cross-coupled between the gate low voltage and the third and fourth nodes; A third capacitor connected between the third node and a first clock signal; A fourth capacitor connected between the fourth node and a second clock signal; A plurality of eleventh transistors diode-connected between the first node and a third node; And a plurality of twelfth transistors diode-connected between the second node and the fourth node.
상기 리프레쉬부는 상기 제10 및 제11 트랜지스터를 통해 상기 제7 트랜지스터의 게이트 단자 전압이 상승되는 것을 방지하며, 상기 제9 및 제12 트랜지스터를 통해 상기 제8 트랜지스터의 게이트 단자 전압이 상승되는 것을 방지하는 것을 특징으로 한다.The refresh unit prevents the gate terminal voltage of the seventh transistor from rising through the tenth and eleventh transistors and prevents the gate terminal voltage of the eighth transistor from rising through the ninth and twelfth transistors. It is characterized by.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 액정셀을 가지는 액정 표시 패널과; 상기 액정셀에 공통 전압을 공급하는 공통 구동 회로를 구비하는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 구동 방법은 제1 및 제2 노드의 전압을 제어하는 단계와; 상기 제1 및 제2 노드의 전압에 응답하여 상기 액정셀에 공통 하이 전압 및 공통 로우 전압을 출력 버퍼부의 트랜지스터를 통해 선택적으로 공급하는 단계와; 상기 출력 버퍼부의 다수의 트랜지스터의 게이트 단자 전압을 리프레쉬부에서 주기적으로 리프레쉬하여 상기 게이트 단자 전압이 상승되는 것을 방지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, a liquid crystal display panel having a liquid crystal cell; A driving method of a liquid crystal display according to the present invention comprising a common driving circuit for supplying a common voltage to the liquid crystal cell, the method comprising: controlling voltages of first and second nodes; Selectively supplying a common high voltage and a common low voltage to the liquid crystal cell through transistors of an output buffer unit in response to voltages of the first and second nodes; And periodically refreshing gate terminal voltages of the plurality of transistors of the output buffer unit in the refresh unit to prevent the gate terminal voltage from increasing.
본 발명에 따른 액정 표시 장치 및 그 구동방법은 출력 버퍼부의 트랜지스터의 게이트 전압을 상승시키는 입력 전하들을 리프레쉬부를 통해 방전시킨다. 따라서, 출력 버퍼부의 트랜지스터의 게이트 전압이 상승되는 것이 방지되어 출력버퍼부가 오프되어 출력단이 오픈되는 현상이 방지된다.The liquid crystal display and the driving method thereof according to the present invention discharge the input charges for raising the gate voltage of the transistor of the output buffer section through the refresh section. Therefore, the gate voltage of the transistor of the output buffer unit is prevented from rising, thereby preventing the output buffer unit from turning off and the output terminal being opened.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 도 2 내지 도 6을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 6.
도 2는 본 발명에 따른 표시 장치의 공통 구동 회로를 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram illustrating a common driving circuit of a display device according to the present invention.
도 2에 도시된 공통 구동 회로는 제1 및 제2 노드(n1,n2)의 충방전을 제어하는 노드 제어부(110)와, 제1 및 제2 노드(n1,n2)의 상태에 따라 공통 하이 전압(VCOMH) 또는 공통 로우 전압(VCOML)을 출력하는 출력 버퍼부(120)와, 출력 버퍼부(120)의 게이트 전압의 상승을 방지하는 리프레쉬부(130)를 포함한다.The common driving circuit shown in FIG. 2 includes a
노드 제어부(120)는 제1 노드(n1)의 충방전을 제어하는 제1 내지 제3 트랜지스터(T1 내지 T3)와, 제2 노드(n2)의 충방전을 제어하는 제4 내지 제6 트랜지스터(T4 내지 T6)를 포함한다.The
제1 트랜지스터(T1)는 제1 클럭 신호(CLK)에 응답하여 게이트 로우 전압(VGL)을 제2 트랜지스터(T2)에 공급한다. 이를 위해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 단자는 제1 클럭 신호(CLK)에, 소스 단자는 게이트 로우 전압(VGL)에, 드레인 단자는 제2 트랜지스터(T2)의 소스 단자에 접속된다. The first transistor T1 supplies the gate low voltage VGL to the second transistor T2 in response to the first clock signal CLK. For this purpose, the gate terminal of the first transistor T1 is connected to the first clock signal CLK, the source terminal is connected to the gate low voltage VGL, and the drain terminal is connected to the source terminal of the second transistor T2.
제2 트랜지스터(T2)는 게이트 라인(GL)에 공급되는 전압에 응답하여 제1 트랜지스터(T1)를 통해 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)을 제1 노드(n1)에 공급한다. 이를 위해, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 단자는 게이트 라인(GL)에, 소스 단자는 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 단자에, 드레인 단자는 제1 노드(n1)에 접속된다.The second transistor T2 supplies the gate low voltage VGL supplied through the first transistor T1 to the first node n1 in response to the voltage supplied to the gate line GL. For this purpose, the gate terminal of the second transistor T2 is connected to the gate line GL, the source terminal is connected to the drain terminal of the first transistor T1, and the drain terminal is connected to the first node n1.
제3 트랜지스터(T3)는 제2 노드(n2)의 전압에 응답하여 게이트 하이 전압(VGH)을 제1 노드(n1)에 공급한다. 이를 위해, 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 단자는 제2 노드(n2)에, 소스 단자는 게이트 하이 전압(VGH)에, 드레인 단자는 제1 노드(n1)에 접속된다.The third transistor T3 supplies the gate high voltage VGH to the first node n1 in response to the voltage of the second node n2. For this purpose, the gate terminal of the third transistor T3 is connected to the second node n2, the source terminal is connected to the gate high voltage VGH, and the drain terminal is connected to the first node n1.
제4 트랜지스터(T4)는 제2 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 게이트 로우 전압(VGL)을 제5 트랜지스터(T5)에 공급한다. 이를 위해, 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 단자는 제2 클럭 신호(CLKB)에, 소스 단자는 게이트 로우 전압(VGL)에, 드레인 단자는 제5 트랜지스터(T5)의 소스 단자에 접속된다.The fourth transistor T4 supplies the gate low voltage VGL to the fifth transistor T5 in response to the second clock signal CLKB. For this purpose, the gate terminal of the fourth transistor T4 is connected to the second clock signal CLKB, the source terminal is connected to the gate low voltage VGL, and the drain terminal is connected to the source terminal of the fifth transistor T5.
제5 트랜지스터(T5)는 게이트 라인(GL)에 공급되는 전압에 응답하여 제4 트랜지스터(T4)를 통해 공급되는 게이트 로우 전압(VGL)을 제2 노드(n2)에 공급한다. 이를 위해, 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 단자는 게이트 라인에, 소스 단자는 제4 트랜지스터(T4)의 드레인 단자에, 드레인 단자는 제2 노드(n2)에 접속된다.The fifth transistor T5 supplies the gate low voltage VGL supplied through the fourth transistor T4 to the second node n2 in response to the voltage supplied to the gate line GL. For this purpose, the gate terminal of the fifth transistor T5 is connected to the gate line, the source terminal is connected to the drain terminal of the fourth transistor T4, and the drain terminal is connected to the second node n2.
제6 트랜지스터(T16)는 제1 노드(n1)의 전압에 응답하여 게이트 하이 전압(VGH)을 제2 노드(n2)에 공급한다. 이를 위해, 제6 트랜지스터(T16)의 게이트 단자는 제1 노드(n1)에, 소스 단자는 게이트 하이 전압(VGH)에, 드레인 단자는 제2 노드(n2)에 접속된다.The sixth transistor T16 supplies the gate high voltage VGH to the second node n2 in response to the voltage of the first node n1. For this purpose, the gate terminal of the sixth transistor T16 is connected to the first node n1, the source terminal is connected to the gate high voltage VGH, and the drain terminal is connected to the second node n2.
출력 버퍼부(120)는 제1 노드(n1)의 전압에 응답하여 공통 로우 전압(VCOML)을 공통 라인(CL)에 공급하는 제7 트랜지스터(T7)와, 제2 노드(n2)의 전압에 응답하여 공통 하이 전압(VCOMH)을 공통 라인(CL)에 공급하는 제8 트랜지스터(T8)와, 제8 트랜지스터(T8)의 게이트 단자와 공통 라인(CL) 사이에 접속되어 제8 트랜지스터(T8)의 부트스트랩핑동작을 원활하게 하는 제1 커패시터(C1)와, 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 단자와 공통 라인(CL) 사이에 접속되어 제7 트랜지스터(T7)의 부트스트랩핑 동작을 원활하게 하는 제2 커패시터(C2)를 포함한다.The
제7 트랜지스터(T7)의 게이트 단자는 제1 노드(n1)에, 소스 단자는 공통 로 우 전압(VCOML)에, 드레인 단자는 공통 라인(CL)에 접속된다. 제8 트랜지스터(T8)의 게이트 단자는 제2 노드(n2)에, 소스 단자는 공통 하이 전압(VCOMH)에, 드레인 단자는 공통 라인(CL)에 접속된다.The gate terminal of the seventh transistor T7 is connected to the first node n1, the source terminal is connected to the common low voltage VCOML, and the drain terminal is connected to the common line CL. The gate terminal of the eighth transistor T8 is connected to the second node n2, the source terminal is connected to the common high voltage VCOMH, and the drain terminal is connected to the common line CL.
리프레쉬부(130)는 제1 노드(n1)와 연결된 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 단자 전압의 상승분만큼 게이트 단자 전압을 하강시키며, 제2 노드(n2)와 연결된 제8 트랜지스터(T8)의 게이트 단자 전압의 상승분만큼 게이트 단자 전압을 하강시킨다. 이를 위해, 리프레쉬부(130)는 크로스 커플(Cross-coupled)된 제9 및 제10 트랜지스터(T9,T10)와, 제1 노드(n1)와 제3 노드(n3) 사이에 다이오드 커넥션된 다수의 제11 트랜지스터(T11)와, 제2 노드(n2)와 제4 노드(n4) 사이에 다이오드 커넥션된 다수의 제12 트랜지스터(T12)와, 제3 노드(n3)와 제1 클럭 신호(CLK) 사이에 형성된 제3 커패시터(C3)와, 제4 노드(n4)와 제2 클럭 신호(CLKB) 사이에 형성된 제4 커패시터(C4)를 구비한다.The
제9 트랜지스터(T9)는 제3 노드(n3)의 전압에 응답하여 게이트 로우 전압(VGL)을 제4 노드(n4)에 공급한다. 이를 위해, 제9 트랜지스터(T9)의 게이트 단자는 제3 노드(n3)에, 소스 단자는 게이트 로우 전압(VGL)에, 드레인 단자는 제4 노드(n4)에 접속된다.The ninth transistor T9 supplies the gate low voltage VGL to the fourth node n4 in response to the voltage of the third node n3. For this purpose, the gate terminal of the ninth transistor T9 is connected to the third node n3, the source terminal is connected to the gate low voltage VGL, and the drain terminal is connected to the fourth node n4.
제10 트랜지스터(T10)는 제4 노드(n4)의 전압에 응답하여 게이트 로우 전압(VGL)을 제3 노드(n3)에 공급한다. 이를 위해, 제10 트랜지스터(T10)의 게이트 단자는 제4 노드(n4)에, 소스 단자는 게이트 로우 전압(VGL)에, 드레인 단자는 제3 노드(n3)에 접속된다.The tenth transistor T10 supplies the gate low voltage VGL to the third node n3 in response to the voltage of the fourth node n4. For this purpose, the gate terminal of the tenth transistor T10 is connected to the fourth node n4, the source terminal is connected to the gate low voltage VGL, and the drain terminal is connected to the third node n3.
제11 트랜지스터(T11)는 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 단자로 공급되는 전하들을 제3 노드(n3)에 공급되도록 역다이오드 형태로 형성된다. 제12 트랜지스터(T12)는 제8 트랜지스터(T8)의 게이트 단자로 공급되는 전하들을 제4 노드(n4)에 공급되도록 역다이오드 형태로 형성된다. 이러한 제11 및 제12 트랜지스터(T11,T12)의 문턱전압값 및 개수에 따라 제7 및 제8 트랜지스터(T7,T8) 각각의 게이트 단자의 정상 상태 전압이 결정된다. The eleventh transistor T11 is formed in an inverted diode form so that electric charges supplied to the gate terminal of the seventh transistor T7 are supplied to the third node n3. The twelfth transistor T12 is formed in the form of an inverted diode such that electric charges supplied to the gate terminal of the eighth transistor T8 are supplied to the fourth node n4. The steady state voltages of the gate terminals of the seventh and eighth transistors T7 and T8 are determined according to the threshold voltage values and the number of the eleventh and twelfth transistors T11 and T12.
제3 커패시터(C3)는 제1 클럭 신호(CLK)와 제3 노드(n3) 사이에 접속되어 제1 클럭 신호(CLK)에 응답하여 충전 또는 방전한다. 제4 커패시터(C4)는 제2 클럭 신호(CLKB)와 제4 노드(n4) 사이에 접속되어 제2 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 충전 또는 방전한다. 이에 따라, 제3 및 제4 노드(n3,n4)는 게이트 로우 전압(VGL)과, 게이트 로우 전압(VGL)과 클럭 신호의 차전압(VGL-VCLK)을 반복하게 된다.The third capacitor C3 is connected between the first clock signal CLK and the third node n3 to charge or discharge in response to the first clock signal CLK. The fourth capacitor C4 is connected between the second clock signal CLKB and the fourth node n4 to charge or discharge in response to the second clock signal CLKB. Accordingly, the third and fourth nodes n3 and n4 repeat the gate low voltage VGL, the difference voltage VGL-VCLK between the gate low voltage VGL, and the clock signal.
즉, 제4 커패시터(C4)는 하이 논리의 제2 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 충전되고, 로우 논리의 제2 클럭 신호(CLKB)에 응답하여 방전된다.That is, the fourth capacitor C4 is charged in response to the second clock signal CLKB of the high logic and is discharged in response to the second clock signal CLKB of the low logic.
한편, 공통 구동 회로를 이루는 다수의 트랜지스터들(T1 내지 T12)은 도 2에 도시된 바와 같이 PMOS 트랜지스터로 형성된 경우를 예로 들어 설명하였지만 이외에도 도 3에 도시된 바와 같이 NMOS 트랜지스터로도 형성가능하다.Meanwhile, the plurality of transistors T1 to T12 constituting the common driving circuit have been described as an example of being formed of a PMOS transistor as shown in FIG. 2, but may also be formed of an NMOS transistor as shown in FIG. 3.
이와 같은 공통 구동 회로의 동작방법을 도 2 및 도 4를 결부하여 설명하기로 한다.An operation method of the common driving circuit will be described with reference to FIGS. 2 and 4.
제1 프레임(F1)의 제1 수평 기간(H1) 동안에 게이트 라인(GL)을 통해 제2 및 제5 트랜지스터(T2,T5)의 게이트 단자에 게이트 로우 전압(VGL)이 공급되면, 제2 및 제5 트랜지스터(T2,T5)는 턴온된다. 그리고, 제1 수평 기간(H1) 동안에 제1 클럭 신호(CLK)가 로우 논리 상태를 유지하고, 제2 클럭 신호(CLKB)가 하이 논리 상태를 유지하면, 제4 트랜지스터(T4)는 턴오프되고, 제1 트랜지스터(T1)는 턴온된다. 여기서, 제1 및 제2 클럭 신호(CLK,CLKB)는 1프레임 주기로 위상이 반전되며 2 수평 주기를 가진다. 제1 및 제2 클럭 신호(CLK,CLKB)는 서로 위상이 반전된 형태이다.When the gate low voltage VGL is supplied to the gate terminals of the second and fifth transistors T2 and T5 through the gate line GL during the first horizontal period H1 of the first frame F1, the second and The fifth transistors T2 and T5 are turned on. When the first clock signal CLK maintains a low logic state and the second clock signal CLKB maintains a high logic state during the first horizontal period H1, the fourth transistor T4 is turned off. The first transistor T1 is turned on. Here, the first and second clock signals CLK and CLKB are inverted in phase by one frame and have two horizontal periods. The first and second clock signals CLK and CLKB are in phased with each other.
이에 따라, 제1 노드(n1)에는 게이트 로우 전압(VGL)과 제1 및 제2 트랜지스터(T1,T2)의 문턱 전압(Vth) 간의 차전압, 즉 VGL+│2Vth│이 공급된다. 제1 노드(n1)에 공급된 VGL+│2Vth│에 응답하여 제6 트랜지스터(T6)가 턴온된다. 이에 따라, 제2 노드(n2)에는 게이트 하이 전압(VGH)과 제6 트랜지스터(T6)의 문턱 전압(Vth) 간의 차전압, 즉 VGH-│Vth│이 공급된다. 제2 노드(n2)에 공급된 VGH-│Vth│에 응답하여 제3 트랜지스터(T3) 및 제8 트랜지스터(T8)는 턴오프되며, 제1 노드(n1)에 충전된 VGL+│2Vth│에 응답하여 제7 트랜지스터(T7)가 턴온됨으로써 공통 라인(CL)에는 공통 로우 전압(VCOML)이 공급된다.Accordingly, the first node n1 is supplied with a difference voltage between the gate low voltage VGL and the threshold voltages Vth of the first and second transistors T1 and T2, that is, VGL + | 2Vth | The sixth transistor T6 is turned on in response to VGL + 2Vth | supplied to the first node n1. Accordingly, the second node n2 is supplied with a difference voltage between the gate high voltage VGH and the threshold voltage Vth of the sixth transistor T6, that is, VGH- | Vth |. In response to VGH- | Vth | supplied to the second node n2, the third transistor T3 and the eighth transistor T8 are turned off and respond to VGL + │2Vth | charged in the first node n1. As a result, the seventh transistor T7 is turned on so that the common low voltage VCOML is supplied to the common line CL.
이 후, 제2 수평 기간(H2) 동안에 게이트 라인(GL)를 통해 제2 및 제5 트랜지스터(T2,T5)에 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되면, 제2 및 제5 트랜지스터(T2,T5)는 턴 오프됨으로써 제1 노드(n1)는 플로팅 상태가 되어 제7 트랜지스터(T7)는 턴 온상태를 유지한다. 이 때, 제7 트랜지스터(T7)로 공통 로우 전압(VCOML)이 공급됨에 따라 플로팅된 제1 노드(n1)는 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 단자와 드레인 단자 사이에 형성된 내부 커패시터(Cgd)와 제2 커패시터(C2)의 영향 으로 부트 스트래핑된다. 이에 따라, 제1 노드(n1)의 전압이 더욱 상승하여 제7 트랜지스터(T7)는 확실하게 턴온됨으로써 공통 로우 전압(VCOML)이 공통 라인(CL)으로 빠르게 공급된다. 그리고, 제1 내지 제6 및 제8 트랜지스터(T1 내지 T6,T8)는 제1 수평 기간(H1)과 동일한 상태를 유지한다. 특히, 제1 노드(n1)의 전압이 제7 트랜지스터(T7)의 턴 오프 전압인 VGH-Vthp이상이 되기 전까지는 제6 트랜지스터(T6)는 턴 온 상태를 유지하므로 제8 트랜지스터(T8)는 턴 오프 상태를 유지한다.Subsequently, when the gate high voltage VGH is supplied to the second and fifth transistors T2 and T5 through the gate line GL during the second horizontal period H2, the second and fifth transistors T2 and T5. ) Is turned off so that the first node n1 is in a floating state, and the seventh transistor T7 is turned on. In this case, as the common low voltage VCOML is supplied to the seventh transistor T7, the floating first node n1 may have an internal capacitor Cgd formed between the gate terminal and the drain terminal of the seventh transistor T7. Bootstrapped by the influence of the second capacitor (C2). As a result, the voltage of the first node n1 further increases, so that the seventh transistor T7 is reliably turned on so that the common low voltage VCOML is rapidly supplied to the common line CL. The first to sixth and eighth transistors T1 to T6 and T8 maintain the same state as the first horizontal period H1. In particular, since the sixth transistor T6 is turned on until the voltage of the first node n1 becomes equal to or greater than VGH-Vthp, which is the turn-off voltage of the seventh transistor T7, the eighth transistor T8 is Keep off.
이 때, 턴오프 상태를 유지하여야 하는 제3 트랜지스터(T3)를 통해 제7 트랜지스터(T7)에 공급되는 전하들은 리프레쉬부(130)를 통해 방전시킨다. At this time, the charges supplied to the seventh transistor T7 through the third transistor T3, which must maintain the turn-off state, are discharged through the
구체적으로, 로우 논리의 제1 클럭 신호(CLK)에 응답하여 제9 트랜지스터(T9)는 턴온되며, 하이 논리의 제2 클럭 신호(CLKB)에 의해 제10 트랜지스터(T10)는 턴오프된다. 따라서, 제 3 트랜지스터(T3)를 통해 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 단자로 공급되는 전하들은 다수의 제11 트랜지스터(T11)를 통해 제3 커패시터(C3)에 충전된다. 그런 다음, 제3 수평 기간(H3) 동안 하이 논리의 제1 클럭 신호(CLK1)에 의해 제9 트랜지스터(T9)는 턴오프되며, 로우 논리의 제2 클럭 신호(CLKB)에 의해 제10 트랜지스터(T10)는 턴온된다. 따라서, 턴온된 제10 트랜지스터(T10)를 통해 제3 커패시터(C3)에 충전된 전압들은 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전하여 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전압이 상승되는 것을 방지한다. 이때, 제7 트랜지스터(T8)의 게이트 전압은 제3 트랜지스터(T3)를 통해 충전되는 전하와 리프레쉬부(130)를 통해 방전되는 전하가 일치하는 전압이어야 한다.In detail, the ninth transistor T9 is turned on in response to the first clock signal CLK of the low logic, and the tenth transistor T10 is turned off by the second clock signal CLKB of the high logic. Therefore, charges supplied to the gate terminal of the seventh transistor T7 through the third transistor T3 are charged to the third capacitor C3 through the plurality of eleventh transistors T11. Then, during the third horizontal period H3, the ninth transistor T9 is turned off by the high logic first clock signal CLK1 and the tenth transistor (by the low logic second clock signal CLKB). T10) is turned on. Therefore, the voltages charged in the third capacitor C3 through the turned-on tenth transistor T10 are discharged to the gate low voltage VGL to prevent the gate voltage of the seventh transistor T7 from rising. In this case, the gate voltage of the seventh transistor T8 should be a voltage at which the charge charged through the third transistor T3 and the charge discharged through the
제2 프레임(F2)의 제1 수평 기간(H1) 동안에 게이트 라인(GL)을 통해 제2 및 제5 트랜지스터(T2,T5)의 게이트 단자에 게이트 로우 전압(VGL)이 공급되면, 제2 및 제5 트랜지스터(T2,T5)는 턴온된다. 그리고, 제1 수평 기간(H1) 동안에 제1 클럭 신호(CLK)가 하이 논리 상태를 유지하고, 제2 클럭 신호(CLKB)가 로우 논리 상태를 유지하면, 제4 트랜지스터(T4)는 턴온되고, 제1 트랜지스터(T1)는 턴오프된다. 이에 따라, 제2 노드(n2)에는 게이트 로우 전압(VGL)과 제4 및 제5 트랜지스터(T4,T5)의 문턱 전압(Vth) 간의 차전압, 즉 VGL+│2Vth│이 공급된다. 제2 노드(n2)에 공급된 VGL+│2Vth│에 응답하여 제3 트랜지스터(T3)가 턴온된다. 이에 따라, 제1 노드(n1)에는 제3 트랜지스터(T3)를 통해 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)과 제3 트랜지스터(T3)의 문턱 전압(Vth) 간의 차전압, 즉 VGH-│Vth│이 공급된다. 제1 노드(n1)에 공급된 VGH-│Vth│에 응답하여 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7)는 턴오프되며, 제2 노드(n2)에 충전된 VGL+│2Vth│에 응답하여 제8 트랜지스터(T8)가 턴온됨으로써 공통 라인(CL)에는 공통 하이 전압(VCOMH)이 공급된다.When the gate low voltage VGL is supplied to the gate terminals of the second and fifth transistors T2 and T5 through the gate line GL during the first horizontal period H1 of the second frame F2, the second and The fifth transistors T2 and T5 are turned on. When the first clock signal CLK maintains a high logic state and the second clock signal CLKB maintains a low logic state during the first horizontal period H1, the fourth transistor T4 is turned on. The first transistor T1 is turned off. Accordingly, the second node n2 is supplied with a difference voltage between the gate low voltage VGL and the threshold voltages Vth of the fourth and fifth transistors T4 and T5, that is, VGL + | 2Vth | The third transistor T3 is turned on in response to VGL + | 2Vth | supplied to the second node n2. Accordingly, the first node n1 has a difference voltage between the gate high voltage VGH supplied through the third transistor T3 and the threshold voltage Vth of the third transistor T3, that is, VGH- | Vth | Supplied. The sixth transistor T6 and the seventh transistor T7 are turned off in response to VGH-│Vth│ supplied to the first node n1, and respond to VGL + │2Vth│ charged in the second node n2. The eighth transistor T8 is turned on to supply the common high voltage VCOMH to the common line CL.
이 후, 제2 수평 기간(H2) 동안에 게이트 라인(GL)를 통해 제2 및 제5 트랜지스터(T2,T5)에 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되면, 제2 및 제5 트랜지스터(T2,T5)는 턴 오프됨으로써 제2 노드(n2)는 플로팅 상태가 되어 제8 트랜지스터(T8)는 턴 온상태를 유지한다. 이 때, 제8 트랜지스터(T8)로 공통 하이 전압(VCOMH)이 공급됨에 따라 플로팅된 제2 노드(n2)는 제8 트랜지스터(T8)의 게이트 단자와 드레인 단자 사이에 형성된 내부 커패시터(Cgd)와 제1 커패시터(C1)의 영향 으로 부트 스트래핑된다. 이에 따라, 제2 노드(n2)의 전압이 더욱 상승하여 제8 트랜지스터(T8)는 확실하게 턴온됨으로써 공통 하이 전압(VCOMH)이 공통 라인(CL)으로 빠르게 공급된다. 그리고, 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 내지 T7)는 제1 수평 기간(H1)과 동일한 상태를 유지한다. 특히, 제2 노드(n2)의 전압이 제8 트랜지스터(T8)의 턴 오프 전압인 VGH-Vthp이상이 되기 전까지는 제3 트랜지스터(T3)는 턴 온 상태를 유지하므로 제7 트랜지스터(T7)는 턴 오프 상태를 유지한다.Subsequently, when the gate high voltage VGH is supplied to the second and fifth transistors T2 and T5 through the gate line GL during the second horizontal period H2, the second and fifth transistors T2 and T5. ) Is turned off, so that the second node n2 is in a floating state, and the eighth transistor T8 is turned on. In this case, as the common high voltage VCOMH is supplied to the eighth transistor T8, the floating second node n2 may have an internal capacitor Cgd formed between the gate terminal and the drain terminal of the eighth transistor T8. Bootstraped under the influence of the first capacitor C1. As a result, the voltage of the second node n2 further increases to ensure that the eighth transistor T8 is turned on reliably so that the common high voltage VCOMH is quickly supplied to the common line CL. The first to seventh transistors T1 to T7 maintain the same state as the first horizontal period H1. In particular, since the third transistor T3 remains turned on until the voltage of the second node n2 becomes equal to or greater than VGH-Vthp, which is the turn-off voltage of the eighth transistor T8, the seventh transistor T7 is turned on. Keep off.
이 때, 턴오프 상태를 유지하여야 하는 제6 트랜지스터(T6)를 통해 제8 트랜지스터(T8)에 공급되는 전하들은 리프레쉬부(130)를 통해 방전시킨다. At this time, the charges supplied to the eighth transistor T8 through the sixth transistor T6, which should maintain the turn-off state, are discharged through the
구체적으로, 하이 논리의 제1 클럭 신호(CLK)에 의해 제10 트랜지스터(T10)는 턴온되며, 로우 논리의 제2 클럭 신호(CLK)에 의해 제9 트랜지스터(T9)는 턴오프된다. 따라서, 제6 트랜지스터(T6)를 통해 제8 트랜지스터(T8)의 게이트 단자로 공급되는 전하들은 다수의 제12 트랜지스터(T12)를 통해 제4 커패시터(C4)에 충전된다. 그런 다음, 제3 수평 기간(H3) 동안 로우 논리의 제1 클럭 신호(CLK)에 의해 제10 트랜지스터(T10)는 턴오프되며, 하이 논리의 제2 클럭 신호(CLKB)에 의해 제9 트랜지스터(T9)는 턴온된다. 따라서, 턴온된 제9 트랜지스터(T9)를 통해 제4 커패시터(C4)에 충전된 전압들은 게이트 로우 전압(VGL)으로 방전하여 제8 트랜지스터(T8)의 게이트 전압이 상승되는 것을 방지한다. 이때, 제8 트랜지스터(T8)의 게이트 전압은 제6 트랜지스터(T6)를 통해 충전되는 전하와 리프레쉬부(130)를 통해 방전되는 전하가 일치하는 전압이어야 한다.In detail, the tenth transistor T10 is turned on by the first clock signal CLK of the high logic, and the ninth transistor T9 is turned off by the second clock signal CLK of the low logic. Accordingly, charges supplied to the gate terminal of the eighth transistor T8 through the sixth transistor T6 are charged to the fourth capacitor C4 through the plurality of twelfth transistors T12. Then, the tenth transistor T10 is turned off by the first clock signal CLK of low logic during the third horizontal period H3, and the ninth transistor (by the second clock signal CLKB of high logic). T9) is turned on. Therefore, the voltages charged in the fourth capacitor C4 through the turned-on ninth transistor T9 are discharged to the gate low voltage VGL to prevent the gate voltage of the eighth transistor T8 from rising. In this case, the gate voltage of the eighth transistor T8 should be a voltage at which the charge charged through the sixth transistor T6 matches the charge discharged through the
도 5a는 종래 및 본 발명에 따른 출력 버퍼부에 포함된 트랜지스터의 전압- 전류 특성을 나타내는 도면이며, 도 5b는 종래 출력 버퍼부에 포함된 트랜지스터 각각의 게이트 단자 전압 변화를 나타낸 도면이며, 도 5c는 본 발명에 따른 출력 버퍼부에 포함된 트랜지스터 각각의 게이트 단자 전압 변화를 나타낸 도면이다.FIG. 5A is a diagram illustrating voltage-current characteristics of transistors included in the output buffer unit according to the related art and the present invention, and FIG. 5B is a diagram illustrating the change of the gate terminal voltage of each transistor included in the conventional output buffer unit, and FIG. 5C. Is a view showing a voltage change of a gate terminal of each transistor included in an output buffer unit according to the present invention.
도 5a에 도시된 바와 같이 종래 및 본 발명에 따른 출력 버퍼부를 이루는 문턱 전압이 각각 -2.6V, -5V인 트랜지스터는 게이트-소스 단자 전압이 0V인 경우, 전류가 증가하게 된다. 이에 따라, 도 5b에 도시된 바와 같이 문턱 전압이 각각 -2.6V, -5V인 트랜지스터로 이루어진 종래 출력 버퍼부의 게이트 단자 전압은 시간이 경과하더라도 일정하지만, 문턱 전압이 -0.27V인 트랜지스터로 이루어진 종래 출력 버퍼부의 게이트 단자전압이 시간이 경과함에 따라서 계속 증가하게 되어 턴 온 상태를 유지하여야 하는 트랜지스터가 턴 오프되는 문제점이 있다. 반면에 도 5c에 도시된 바와 같이 문턱 전압이 각각 -0.27V, -2.6V, -5인 트랜지스터로 이루어진 본 발명에 따른 출력 버퍼부의 게이트 단자 전압은 시간이 경과하더라도 일정하므로 턴온 또는 턴오프 상태를 원하는 시간만큼 유지하게 된다. 즉, 문턱 전압이 각각 -0.27V, -2.6V, -5인 트랜지스터로 이루어진 본 발명에 따른 출력 버퍼부의 게이트 단자 전압은 제3 및 제6 트랜지스터(T3,T6)를 통해 공급되는 전하들에 의해 증가된 후 리프레쉬부(130)에 의해서 감소하게 되며 이를 반복하게 된다. As shown in FIG. 5A, the transistors having threshold voltages of -2.6V and -5V, respectively, of the output buffer part according to the related art and the present invention increase the current when the gate-source terminal voltage is 0V. Accordingly, as illustrated in FIG. 5B, the gate terminal voltage of the conventional output buffer unit including the transistors having the threshold voltages of -2.6 V and -5 V, respectively, is constant over time, but the conventional gate electrode having the threshold voltage of -0.27 V The gate terminal voltage of the output buffer part continues to increase as time passes, which causes the transistor to be turned on to be turned off. On the other hand, as shown in Fig. 5c, the gate terminal voltage of the output buffer unit according to the present invention, which is composed of transistors having threshold voltages of -0.27V, -2.6V, and -5, respectively, is constant over time, thereby turning on or turning off. Keep it for as long as you want. That is, the gate terminal voltage of the output buffer part according to the present invention, which is composed of transistors having threshold voltages of -0.27V, -2.6V, and -5, respectively, is caused by charges supplied through the third and sixth transistors T3 and T6. After the increase is reduced by the
도 6은 도 2에 도시된 공통 구동 회로를 가지는 액정 표시 장치를 나타내는 블럭도이다.FIG. 6 is a block diagram illustrating a liquid crystal display device having a common driving circuit shown in FIG. 2.
도 6에 도시된 액정 표시 장치는 화상을 표시하는 액정 패널(146)과, 액정 패널(146)의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 구동 회로(144)와, 액정 패 널(146)의 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 구동 회로(142)와, 액정 패널(146)의 공통 라인(CL)을 구동하는 공통 구동 회로(140)를 구비한다.The liquid crystal display shown in FIG. 6 includes a
액정 패널(146)에는 게이트라인들(GL)과, 그 게이트라인들(GL)과 절연되면서 교차하는 데이터라인들(DL)과, 게이트라인들(GL)과 데이터라인들(DL)의 교차로 마련되는 영역마다 형성된 박막 트랜지스터(TFT)와, 박막트랜지스터(TFT)와 접속된 액정셀(Clc)과, 액정셀(Clc)과 병렬로 접속된 스토리지 캐패시터(Cst)가 형성된다.The
액정 패널(146)의 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(GL)으로부터의 게이트 하이 전압에 의해 턴-온되어 데이터 라인(DL)의 데이터 신호가 액정셀(Clc)에 공급되어 액정셀(Clc)은 공통 전압(Vcom)과 데이터 신호와의 차만큼의 전압이 인가되고, 게이트 로우 전압에 의해 턴-오프되어 액정셀(Clc)에 인가된 전압이 유지되게 한다. 액정셀(Clc)은 인가된 전압에 따라 액정을 구동하여 광투과율을 조절함으로써 액정 패널(146)은 화상을 표시하게 된다.The thin film transistor TFT of the
게이트 구동 회로(144)는 타이밍 제어부(도시하지 않음)로부터의 제어 신호에 응답하여 게이트 하이 전압을 게이트 라인(GL)에 순차적으로 공급하고, 그 외의 기간에는 게이트 로우 전압을 공급한다.The
데이터 구동 회로(142)는 타이밍 제어부로부터의 제어 신호 및 감마 전압을 이용하여 디지털 데이터 신호를 아날로그 전압으로 변환하고, 변화된 아날로그 전압을 데이터 라인(DL)에 공급한다. The
공통 구동 회로(140)는 타이밍 제어부로부터의 제어 신호에 응답하여 액정셀(Clc) 및 스토리지 커패시터(Cst)에 공통 전압(Vcom)을 공급한다. 이 때, 액정 셀(Clc)에 공급되는 공통 전압과 스토리지 커패시터(Cst)에 공통 전압은 동일하거나 다를 수 있다. 두 전압이 다를 경우, 액정셀(Clc)에 공급되는 공통 전압(Vcom)을 생성하는 공통 구동 회로와, 스토리지 커패시터(Cst)에 공급되는 공The
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.
도 1은 종래 액정 표시 장치의 공통 구동 회로를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a common driving circuit of a conventional liquid crystal display.
도 2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 공통 구동 회로를 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram illustrating a common driving circuit of the liquid crystal display according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 공통 구동 회로의 다른 실시예를 나타내는 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating another embodiment of a common driving circuit of a liquid crystal display according to the present invention.
도 4는 도 2에 도시된 공통 구동 회로의 구동 파형도를 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating a driving waveform diagram of the common driving circuit illustrated in FIG. 2.
도 5a는 종래 및 본 발명에 따른 출력 버퍼부에 포함된 P형 트랜지스터의 전압-전류 특성을 나타내는 도면이며, 도 5b는 종래 출력 버퍼부에 포함된 트랜지스터 각각의 게이트 단자 전압 변화를 나타낸 도면이며, 도 5c는 본 발명에 따른 출력 버퍼부에 포함된 트랜지스터 각각의 게이트 단자 전압 변화를 나타낸 도면이다.FIG. 5A is a diagram illustrating voltage-current characteristics of a P-type transistor included in an output buffer unit according to the prior art and the present invention, and FIG. 5C is a view illustrating a change in gate terminal voltage of each transistor included in an output buffer unit according to the present invention.
도 6은 도 2에 도시된 공통 구동 회로를 가지는 액정 표시 장치를 나타내는 블럭도이다.FIG. 6 is a block diagram illustrating a liquid crystal display device having a common driving circuit shown in FIG. 2.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
110 : 노드 제어부 120 : 출력 버퍼부110: node controller 120: output buffer unit
130 : 리프레쉬부 140 : 공통 구동 회로130: refresh unit 140: common drive circuit
142 : 데이터 구동 회로 144 : 게이트 구동 회로142: data driving circuit 144: gate driving circuit
146 : 액정 패널146 liquid crystal panel
Claims (6)
Priority Applications (1)
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KR1020070068761A KR20090005591A (en) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | Liquid crystal dispaly and driving method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020070068761A KR20090005591A (en) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | Liquid crystal dispaly and driving method thereof |
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Publication Number | Publication Date |
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KR1020070068761A KR20090005591A (en) | 2007-07-09 | 2007-07-09 | Liquid crystal dispaly and driving method thereof |
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KR (1) | KR20090005591A (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110073821A (en) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | Apparatus and method for driving of liquid crystal display device |
WO2022082719A1 (en) * | 2020-10-23 | 2022-04-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Shift register unit, drive method, drive circuit, and display apparatus |
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2007
- 2007-07-09 KR KR1020070068761A patent/KR20090005591A/en not_active Application Discontinuation
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