KR20090002576A - 다층막 전계발광 소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 구현예들은 다층막 전계발광 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 휘도가 높은 측면(edge) 발광을 다층 구조로 형성하여 일정 면적의 면발광을 나타낼 수 있으며, 배선 및 구동방식이 단순한 다층막 전계발광 소자를 제공함으로써 높은 재연성 및 고휘도를 가진 소형의 저가 광원을 제공할 수 있다.
전계발광 소자, 측면 발광, 휘도, 다층막

Description

다층막 전계발광 소자 및 그의 제조방법{Multi-layered Electroluminescence Device and Preparation Method thereof}
본 발명의 구현예들은 다층막 전계발광 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 휘도가 높은 측면(edge) 발광을 다층 구조로 형성하여 일정 면적의 면발광을 나타낼 수 있으며, 배선 및 구동방식이 단순한 다층막 전계발광 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 전계발광 소자 (이하, "EL소자"라 함)의 휘도는 발광층의 깊이가 깊을수록 높으므로, 면(face) 발광 보다 측면(edge)의 발광의 휘도가 10 ~ 100 배 높다고 알려져 있으며, 이러한 성질을 이용하려는 많은 시도가 있었다. 예를 들면 미국특허 제4,535,341호는 단층의 박막 EL소자의 측면 발광을 이용한 프린터 광원에 대하여 개시하고 있으며, 그 외 일본에서도 프린터 광원으로 측면 발광을 이용한 박막 EL소자에 대한 많은 연구들이 있었다. 그러나 종래의 측면 발광을 이용한 박막 EL 소자는 단층구조로 수 ㎛ 두께의 선형태 발광을 나타내기 때문에 고휘도의 면발광을 구현하지 못하는 단점이 있었다. 이를 해결하기 위해 다층 구조를 적용한 박막 EL 소자의 경우도 연구되었으나, 전원에 대해 병렬 연결을 하는 경우 각 전극에 대한 배선의 양이 많으며 복잡한 구동 방법을 사용해야 하는 문제점이 있었다.
본 발명의 구현예들은 상술한 종래 기술의 문제점을 극복하기 위한 것으로, 본 발명의 하나의 목적은 측면 발광을 이용하면서도 일정 면적의 고휘도 면발광을 구현하며, 배선 및 구동방식이 단순한 전계발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 전계발광 소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 양상은 내부 전극 및 상기 내부 전극 상에 형성된 발광층을 포함하는 복합층이 일정 간격으로 교호로 다수 적층되고, 다수의 상기 복합층들의 내부 전극에 교대로 연결된 상기 복합층 양측의 외부전극을 포함하며, 교호로 적층된 다수의 상기 복합층 사이에 유전층을 포함하고, 상기 일측의 외부 전극에 연결된 상기 복합층들의 내부 전극은 타측의 외부 전극에 연결되지 않도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 다층막 전계발광 소자에 관한 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 양상은 (a) 내부 전극, 발광층, 유전층을 차례로 적층하는 단계; (b) 상기 (a)단계를 반복하여 다수의 층을 적층하는 단계로서, 상기 다수의 층의 각 내부 전극들이 다음 단계에서 외부 전극 형성시 양측 외부 전극에 닿지 않도록 일정한 간격을 두고 교호로 형성하는 단계; (c) 상기 (b)단계를 거친 층을 소결하는 단계; 및 (d) 전단계에서 수득한 다층 구조물의 양 측면 외측에 외부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 다층막 전계발광 소자의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 다층막 구조를 가짐으로써 휘도가 높은 측면(edge) 발광을 이용하면서도 선 발광이 아닌 일정 면적의 발광을 나타낼 수 있으며, 배선 및 구동방식이 단순한 다층막 전계발광 소자를 제공함으로써 높은 재연성 및 고휘도를 가진 소형의 저가 광원을 제공할 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 구현예들에 관하여 더욱 상세히 설명하고자 한다.
본 발명의 하나의 양상은 내부 전극 및 상기 내부 전극 상에 형성된 발광층을 포함하는 복합층이 일정 간격으로 교호로 다수 적층되고, 다수의 상기 복합층들의 내부 전극에 교대로 연결된 상기 복합층 양측의 외부전극을 포함하며, 교호로 적층된 다수의 상기 복합층 사이에 유전층을 포함하고, 상기 일측의 외부 전극에 연결된 상기 복합층들의 내부 전극은 타측의 외부 전극에 연결되지 않도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 다층막 전계발광 소자에 관계한다.
본 발명은 전계발광 소자의 측면발광 및 MLCC(multi-layer Ceramic Capacitor) 구조를 이용하여 일정 면적의 고휘도를 제공하는 것을 특징으로 한다. 즉, 본 발명의 다층막 전계발광 소자는 일정 간격으로 교호로 적층된 다수의 내부 전극과 상기 내부 전극 상에 형성된 발광층을 포함하는 복합층을 포함하며, 일정 간격으로 교호로 적층된 다수의 상기 복합층 사이에 유전층을 포함하며, 상기 복합층 양측에 위치한 외부전극을 포함한다. 상기 외부 전극은 상기 내부 전극과 교대로 연결되어 일측의 외부 전극에 연결된 상기 복합층들의 내부 전극은 타측의 외부 전극에 연결되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일구현예에 따른 다층막 전계발광 소자의 단면개략도이다.이를 참조하면, 본 발명의 일구현예에 따른 다층막 전계발광 소자는 상부에 발광층이 적층된 제 1 내부 전극과 일정 간격으로 교호로 적층된 제 2 내부 전극을 포함하며, 상기 제 1 내부 전극과 제 2 내부 전극 사이에는 유전층을 포함한다. 상기 제 2 내부 전극 상부에 발광층이 적층되고, 상기 제 2 내부 전극과 그 상부의 발광층을 포함하는 복합층과 일정 간격으로 교호로 적층된 제 3 내부 전극을 포함하며, 상기 제 2 내부 전극과 제 3 내부 전극 사이에는 유전층을 포함한다. 상기 소자의 양측에 위치한 두 개의 외부 전극 중 하나는 제 1 내부 전극 및 제 3 내부 전극과 연결되어 있으며, 나머지 다른 하나의 외부 전극은 제 2 내부 전극과 연결되어 있 다. 즉, 상기 외부 전극에는 상기 다수의 내부 전극이 교대로 연결되어 있다. 상기 외부 전극에 교류 구동을 설치하게 되면, 상기 제 2 내부 전극은 상기 제 1 내부 전극의 상대 전극의 역할을 하게 되어 상기 발광층이 발광할 수 있도록 한다. 상기 제 3 내부 전극은 상기 제 2 내부 전극에 대하여 상대 전극의 역할을 하게 된다.
본 발명의 구현예들에 의한 다층막 전계발광 소자는 일정 간격으로 교호로 적층된 n개의 내부 전극 및 상기 내부 전극 상부의 발광층을 포함하는 복합층을 포함하며, 상기 n개의 복합층 사이에 유전층을 포함하고, 소자의 양측에 상기 내부 전극과 교대로 연결된 외부 전극을 포함하는 다층막 구조를 도입함으로써, 상기 외부 전극에 교류 구동을 하게 되면, 다수의 발광층이 발광하게 되며, 상기 다수의 발광층의 측면 발광이 선 발광이 아닌 일정 면적의 발광을 나타나도록 할 수 있다. 또한, 다수의 전극을 사용하는 다층 구조를 가지고 있으나, 어긋나게 적층된 내부 전극에 교대로 연결된 외부 전극을 포함함으로써 배선 및 구동방식도 단순한 전계발광 소자를 제공할 수 있다.
따라서, 본 발명의 다층막 전계발광 소자에 의하면 휘도가 높은 측면 발광을 이용하면서도 배선 및 구동방식이 단순하여 고휘도의 저가 광원을 제공할 수 있다.
본 발명의 다층막 전계발광 소자는 상기 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광 소자 뿐만 아니라 유기 전계발광 소자에도 적용될 수 있다. 또한, 본 발명의 다층막 전계발광 소자는 박막 전계발광 소자, 후막 전계발광 소자, 하이브리드 전계발광 소자 모두에 적용될 수 있다.
본 발명의 구현예들에서 사용되는 상기 내부 전극 및 외부 전극은 당업계에서 통상적으로 사용하는 것을 사용할 수 있으며, 특별히 제한되지 않으나, 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 금속산화물, 금속황화물, 전도성 고분자, 유기 도전체, 나노구조제 및 크리스탈로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상을 용도에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. 상기 금속은 고온에서 반응성이 낮고 전도성이 좋은 금속인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 코발트, 니켈, 팔라듐, 주석, 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 알루미늄(Al)으로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전도성 고분자의 구체적인 예로는 폴리디페닐아세틸렌, 폴리(t-부틸)디페닐아세틸렌, 폴리(트리풀루오로메틸)디페닐아세틸렌, 폴리(비스트리플루오로메틸)아세틸렌, 폴리비스(T-부틸디페닐)아세틸렌, 폴리(트리메틸실릴) 디페닐아세틸렌, 폴리(카르바졸)디페닐아세틸렌, 폴리디아세틸렌, 폴리페닐아세틸렌, 폴리피리딘아세틸렌, 폴리메톡시페닐아세틸렌, 폴리메틸페닐아세틸렌, 폴리(t-부틸)페닐아세틸렌, 폴리니트로페닐아세틸렌, 폴리(트리플루오로메틸)페닐아세틸렌, 폴리(트리메틸실릴)페닐아세틸렌, 및 이들의 유도체와 같은 페틸폴리아세틸렌 폴리머를 포함한다. 기타 사용가능한 전도성 고분자로는 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리실란, 폴리스티렌, 폴리퓨란, 폴리인돌, 폴리아줄렌, 폴리페닐렌, 폴리피리딘, 폴리비피리딘, 폴리프탈로시아닌, 폴리(에틸렌디오시티오펜) 및 이들의 유도체들을 들 수 있다.
본 발명의 다층막 전계발광 소자의 상기 발광층은 무기 EL용 형광체, 유기 EL 용 형광체 또는 호스트 물질에 상기 형광체를 도펀트로 사용한 재료를 포함할 수 있다. 호스트/도펀트형 구성을 채용하는 경우에는, 상기 형광체 재료 중에서 적절히 호스트 및 도펀트를 선택하면 된다. 본 발명의 다층막 전계발광 소자가 무기 EL용 형광체를 포함하는 경우에는 무기 전계발광 소자에 해당하게 되며, 유기 EL용 형광체를 포함하는 경우에는 유기 전계발광 소자에 해당하게 되는 것이다.
상기 무기 EL 용 형광체로는 당업계에서 통상적으로 사용하는 것을 사용할 수 있으며, 특별히 제한되는 것은 아니나, 주기율표 12-16족, 13-15족, 14-14족으로 구성된 화합물 및 이들의 혼합물이 사용될 수 있으며, 발광파장에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 예를 들면, ZnS, ZnSe, GaAs, GaAlAs, GaAsP, AlGalnP, AlAs, GaP, AIP, SiC, GaN, GaInN, GaAlN, ZnS:Cu, ZnS:Mn, SrS:Ce, ZnS:Cu,Mn,Cl, ZnS:Cu,Al, ZnS:Cu,Cl, ZnS:Cu,I 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기 EL 용 형광체는 당업계에서 통상적으로 사용하는 것을 사용할 수 있으며, 특별히 제한되는 것은 아니나, 9,10-디아릴안트라센 유도체, 피렌 유도체, 코로넨 유도체, 페릴렌 유도체, 루브렌 유도체, 1,1,4,4-테트라페닐부타디엔, 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄 착물, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리노레이트)알루미늄 착물, 비스(8-퀴놀리노레이트)아연 착물, 트리스(4-메틸-5-트리플루오로메틸-8-퀴놀리노레이트)알루미늄 착물, 트리스(4-메틸-5-시아노-8-퀴놀리노레이트)알루미늄 착물, 비스(2-메틸-5-트리플루오로메틸-8-퀴놀리노레이트)[4-(시아노페닐)페놀레이 트]알루미늄 착물, 비스(2-메틸-5-시아노-8-퀴놀리노레이트)[4-(4-시아노페닐)페놀레이트]알루미늄 착물, 트리스(8-퀴놀리노레이트)스칸듐 착물, 비스〔8-(파라-토실)아미노퀴놀린]아연 착물 및 카드뮴 착물, 1,2,3,4-테트라페닐시클로펜타디엔, 펜타페닐시클로펜타디엔, 폴리-2,5-디헵틸옥시-파라-페닐렌비닐렌, 쿠마린계 형광체, 페릴렌계 형광체, 피란계 형광체, 안트론계 형광체, 포르피린계 형광체, 퀴나크리돈계 형광체, N,N'-디알킬치환 퀴나크리돈계 형광체, 나프탈이미드계 형광체, N,N'-디아릴치환 피롤로피롤계 형광체 등의 저분자 재료나, 폴리플루오렌, 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리티오펜 등의 고분자 재료, 기타 기존의 발광 재료로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
본 발명의 다층막 전계발광 소자가 유기 EL용 형광체를 포함하는 경우에는 유기물층과 전극과의 계면특성을 향상시키기 위하여 정공 주입 수송층, 전자 주입 수송층 등을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 다층막 전계발광 소자의 상기 유전층은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있으며, 상기 유전층은 당업계에서 통상적으로 사용하는 것을 사용할 수 있으며, 특별히 제한되는 것은 아니나, Y2O3, Li2O, MgO, CaO, BaO, SrO, Al2O3, SiO2, MgTiO3, CaTiO3, BaTiO3, SrTiO3, ZrO2, TiO2, B2O3, PbTiO3, PbZrO3, PbZrTiO3(PZT)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고유전율 재료를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 구현예는 (a) 내부 전극, 발광층, 유전층을 차례로 적층 하는 단계; (b) 상기 (a)단계를 반복하여 다수의 층을 적층하는 단계로서, 상기 다수의 층의 각 내부 전극들이 다음 단계에서 외부 전극 형성시 양측 외부 전극에 닿지 않도록 일정한 간격을 두고 교호로 형성하는 단계; (c) 상기 (b)단계를 거친 층을 소결하는 단계; 및 (d) 전단계에서 수득한 다층 구조물의 양 측면 외측에 외부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 상기 다층막 전계발광 소자의 제조방법에 관계한다.
상기 (a)단계는 당업계에서 통상적으로 사용하는 방법을 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들면, 페이스트 조성물을 이용한 스크린 프린팅 방법, 내부 전극 및 발광층을 인쇄한 그린 시트를 제작하여 적층하는 방법, 스퍼터링, 진공 증착, 물리적 기상 증착 방법, 화학적 기상 증착 방법, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition), 졸-겔(sol-gel)로 이루어진 군에서 선택된 방법을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 아니한다.
도 2는 본 발명의 일구현예에 따른 다층막 전계발광 소자의 제조방법의 공정흐름도이다. 도 2는 상기 (a)단계의 공정방법으로 페이스트 조성물을 이용한 스크린 프린팅 방법을 사용한 것으로, 구체적으로 설명하자면, 우선 제 1 내부 전극을 프린팅 한 뒤, 그 상부에 발광층을 프린팅하고, 제 1 내부 전극 및 발광층을 포함하는 복합층의 상부 및 상기 복합층의 왼쪽 말단 외측의 일정 부분까지 유전층을 프린팅하여 형성한 뒤, 상기 제 1 내부 전극과 어긋나게 상대 전극으로 제 2 내부 전극을 프린팅하여 적층한다. 상기 제 2 내부 전극의 상부에 프린팅으로 발광층을 형성하고, 상기 제 2 내부 전극 및 상부의 발광층을 포함하는 복합층의 상부 및 상기 복합층의 오른쪽 말단 외측으로 하부의 제 1 내부 전극의 상부에 해당하는 부분까지 유전층을 프린팅하여 형성한다. 상기 과정을 반복하여 일정 간격으로 교호로 다수의 내부 전극, 발광층 및 유전층을 형성하여 다층 구조를 형성한다. 이어서 상기 다층 구조를 소결하는 단계를 거쳐 상기 다수의 층이 압착되게 한다. 마지막으로 상기 다층 구조의 양측 외부에 공통전극으로 외부 전극을 형성하여 다층막 전계발광 소자를 제조한다.
본 발명의 제조방법에 따르면, 다층 구조를 가지면서도 배선 및 구동방식이 단순한 다층막 전계발광 소자를 제공할 수 있으며, 공정이 단순하고, 높은 재연성을 구현할 수 있다.
이하 본 발명의 바람직한 구현예를 실시예 등을 들어 더욱 상세하게 설명할 것이나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명의 보호범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
실시예 1
구리박(Cu foil)으로 된 제 1전극을 기판 위에 형성하고, 발광층으로 두께 20 um의 ZnS:Cu,Cl형광체를 코팅하고, 이어서 유전층인 두께 50 um의 알루미나 그린 시트(green sheet)를 적층한 뒤, 구리박으로 된 제 2 내부 전극을 상기 유전층 상부에 상기 제 1 전극과 어긋나게 제 2 내부 전극을 형성하였다. 상기 과정을 3회 반복한 뒤, 제조된 다층 구조를 130℃에서 건조하였다.
그런 뒤, 상기 다층 구조의 양측에 돌출된 구리박을 각각 연결하여 외부 전극을 형성하였다. 상기 실시예에서 수득한 소자의 발광 사진을 도 3에 나타내었다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 참고로 본 발명에 대해서 상세하게 설명하였으나, 이들은 단지 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일구현예에 따른 다층막 전계발광 소자의 단면개략도이고,
도 2는 본 발명의 일구현예에 따른 다층막 전계발광 소자의 제조방법의 공정흐름도이고,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 다층막 전계발광 소자의 발광 사진이다.

Claims (11)

  1. 내부 전극 및 상기 내부 전극 상에 형성된 발광층을 포함하는 복합층이 일정 간격으로 교호로 다수 적층되고, 다수의 상기 복합층들의 내부 전극에 교대로 연결된 상기 복합층 양측의 외부전극을 포함하며, 교호로 적층된 다수의 상기 복합층 사이에 유전층을 포함하고, 상기 일측의 외부 전극에 연결된 상기 복합층들의 내부 전극은 타측의 외부 전극에 연결되지 않도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 다층막 전계발광 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 내부 전극 및 외부 전극은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 금속산화물, 금속황화물, 전도성 고분자, 유기 도전체, 나노구조제 및 크리스탈로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 다층막 전계발광 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 금속은 고온에서 반응성이 낮고 전도성이 좋은 금속인 것을 특징으로 하는 다층막 전계발광 소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 코발트, 니켈, 팔라듐, 주석, 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 알루미늄(Al)으로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 다층막 전계발광 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 발광층은 무기 EL용 형광체 또는 유기 EL 용 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층막 전계발광 소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 무기 EL 용 형광체는 ZnS, ZnSe, GaAs, GaAlAs, GaAsP, AlGalnP, AlAs, GaP, AIP, SiC, GaN, GaInN, GaAlN, ZnS:Cu, ZnS:Mn, SrS:Ce, ZnS:Cu,Mn,Cl, ZnS:Cu,Al, ZnS:Cu,Cl, ZnS:Cu,I 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 다층막 전계발광 소자.
  7. 제5항에 있어서, 상기 유기 EL 용 형광체는 9,10-디아릴안트라센 유도체, 피렌 유도체, 코로넨 유도체, 페릴렌 유도체, 루브렌 유도체, 1,1,4,4-테트라페닐부타디엔, 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄 착물, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리노레이트)알루미늄 착물, 비스(8-퀴놀리노레이트)아연 착물, 트리스(4-메틸-5-트리플루오로메틸-8-퀴놀리노레이트)알루미늄 착물, 트리스(4-메틸-5-시아노-8-퀴놀리노레이트)알루미늄 착물, 비스(2-메틸-5-트리플루오로메틸-8-퀴놀리노레이트)[4-(시아노페닐)페놀레이트]알루미늄 착물, 비스(2-메틸-5-시아노-8-퀴놀리노레이트)[4-(4-시아노페닐)페놀레이트]알루미늄 착물, 트리스(8-퀴놀리노레이트)스칸듐 착물, 비스〔8-(파라-토실)아미노퀴놀린]아연 착물 및 카드뮴 착물, 1,2,3,4-테트라페닐시클로펜타디엔, 펜타페닐시클로펜타디엔, 폴리-2,5-디헵틸옥시-파라-페닐렌비닐렌, 쿠마린계 형광체, 페릴렌계 형광체, 피란계 형광체, 안트론계 형광체, 포르피린계 형 광체, 퀴나크리돈계 형광체, N,N'-디알킬치환 퀴나크리돈계 형광체, 나프탈이미드계 형광체, N,N'-디아릴치환 피롤로피롤계 형광체, 폴리플루오렌, 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리티오펜 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 다층막 전계발광 소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 유전층은 단층 또는 다층인 것을 특징으로 하는 다층막 전계발광 소자.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 유전층은 Y2O3, Li2O, MgO, CaO, BaO, SrO, Al2O3, SiO2, MgTiO3, CaTiO3, BaTiO3, SrTiO3, ZrO2, TiO2, B2O3, PbTiO3, PbZrO3, PbZrTiO3(PZT)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고유전율 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층막 전계발광 소자.
  10. (a) 내부 전극, 발광층, 유전층을 차례로 적층하는 단계;
    (b) 상기 (a)단계를 반복하여 다수의 층을 적층하는 단계로서, 상기 다수의 층의 각 내부 전극들이 다음 단계에서 외부 전극 형성시 양측 외부 전극에 닿지 않도록 일정한 간격을 두고 교호로 형성하는 단계;
    (c) 상기 (b)단계를 거친 층을 소결하는 단계; 및
    (d) 전단계에서 수득한 다층 구조물의 양 측면 외측에 외부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 다층막 전계발광 소자의 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 (a)단계는 페이스트 조성물을 이용한 스크린 프린팅 방법, 내부 전극 및 발광층을 인쇄한 그린 시트를 제작하여 적층하는 방법, 스퍼터링, 진공 증착, 물리적 기상 증착 방법, 화학적 기상 증착 방법, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition), 졸-겔(sol-gel)로 이루어진 군에서 선택된 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 다층막 전계발광 소자의 제조방법.
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