KR20080108729A - 발광 장치와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 애노드 전극을 안정적으로 형성할 수 있는 발광 장치와 이의 제조 방법 및 이 발광 장치를 광원으로 사용하는 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광 장치는 서로 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판에 형성된 전자 방출 유닛과, 제2 기판에 형성된 형광층과 애노드 전극을 포함하는 발광 유닛을 포함하며, 애노드 전극이 형광층에 대응하여 유효부를 형성하며 유효부는 복수의 핀홀들을 가질 때, 애노드 전극이 하기 조건을 만족하도록 형성된다.

0.05 ≤ P/A ≤ 0.30

여기서, A는 유효부의 면적을 나타내고, P는 유효부에 형성된 핀홀들의 면적을 나타낸다.

애노드전극, 형광층, 발광유닛, 유효부, 비유효부, 핀홀, 핀홀형성액

Description

발광 장치와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 장치 {LIGHT EMISSION DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF THE DEVICE, AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 부분 분해 사시도이다.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 부분 결합 단면도이다

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치 중 발광 유닛의 부분 저면도이다.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 제조 단계에서의 개략도이다.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 광원으로 사용하는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.

본 발명은 발광 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속의 애노드 전극을 구비하는 발광 장치에 관한 것이다. 그리고 본 발명은 이 발광 장치의 제조 방법 및 이 발광 장치를 광원으로 사용하는 표시 장치에 관한 것이다.

발광 장치로서, 제1 기판에 전자 방출부와 구동 전극을 구비하고, 제2 기판에 형광층과 애노드 전극을 구비하며, 전자 방출부에서 방출된 전자들로 형광층을 여기시켜 가시광을 방출하는 발광 장치가 알려져 있다. 이때 제1 기판과 제2 기판은 밀봉 부재에 의해 가장자리가 일체로 접합되고 내부 공간이 배기되어 진공 용기를 구성한다.

애노드 전극은 금속으로 제공되어 형광층 위에 형성될 수 있다. 애노드 전극은 형광층의 표면 굴곡에 의해 형광층 위에 직접 형성이 어려우므로, 중간막을 사이에 두고 형광층 위에 형성되는 것이 일반적이다. 여기서, 중간막은 소성으로 제거되는 물질로서 애노드 전극이 평탄하게 도포되도록 한다.

그런데 소성 과정에서 중간막의 분해 물질들이 애노드 전극 외부로 빠져나가지 못하는 경우, 중간막의 분해 물질들에 의해 애노드 전극에 부풀음이 발생하게 되며, 심한 경우 애노드 전극이 찢기는 문제가 발생하게 된다.

따라서 본 발명은 상기한 문제를 해소하기 위한 것으로서, 본 발명은 애노드 전극을 안정적으로 형성할 수 있는 발광 장치와 이의 제조 방법 및 이 발광 장치를 광원으로 사용하는 표시 장치를 제공하고자 한다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

서로 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판에 형성된 전자 방출 유닛과, 제2 기판에 형성된 형광층과 애노드 전극을 포함하는 발광 유닛을 포함하며, 애노드 전극이 형광층에 대응하여 유효부를 형성하며 유효부는 복수의 핀홀들을 가질 때, 애노드 전극이 하기 조건을 만족하는 발광 장치를 제공한다.

0.05 ≤ P/A ≤ 0.30

여기서, A는 유효부의 면적을 나타내고, P는 유효부에 형성된 핀홀들의 면적을 나타낸다.

상기 핀홀은 1㎛ 내지 20㎛의 폭을 가질 수 있다.

상기 애노드 전극은 제2 기판 상에 형광층이 형성되지 않은 영역에 대응하는 비유효부를 더욱 포함할 수 있고, 비유효부는 제2 기판에 접촉될 수 있다.

또한, 비유효부에 대응하여 제1 기판과 제2 기판 사이에는 스페이서가 배치될 수 있다.

상기 애노드 전극은 금속일 수 있다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

화상을 표시 하는 표시 패널과, 발광 장치를 포함하며, 발광 장치가 서로 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판에 형성된 전자 방출 유닛과, 제2 기판에 형성된 형광층과 애노드 전극을 포함하는 발광 유닛을 포함하며, 애노드 전극이 형광층에 대응하여 유효부를 형성하며 유효부는 복수의 핀홀들을 가질 때, 애노드 전극이 하기 조건을 만족하는 표시 장치를 제공한다.

0.05 ≤ P/A ≤ 0.30

여기서, A는 유효부의 면적을 나타내고, P는 유효부에 형성된 핀홀들의 면적을 나타낸다.

상기 표시 패널은 액정 표시 패널일 수 있다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

제2 기판 위에 형광층을 형성하고, 형광층 위에 중간막을 형성하고, 제2 기판과 중간막 위에 금속을 증착하여 애노드 전극을 형성하고, 애노드 전극에 핀홀 형성액을 분사하고, 중간막을 소성으로 제거하여 상기 애노드 전극에 핀홀을 형성하는 단계들을 포함하는 발광 장치의 제조 방법을 제공한다.

상기 핀홀을 형성하는 단계는 핀홀 형성액을 0.05 내지 0.2MPa의 압력에서 50 내지 150초 동안 분사하는 것으로 이루어질 수 있다.

상기 핀홀 형성액으로 알칼리 수용액을 사용할 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.

이하의 설명에서 설명에 불필요한 부분은 도면에 도시하지 않았으며, 각 실시예에서 있어 동일 또는 유사한 구성은 편의상 동일한 참조 부호를 붙였다.

또한, 본 발명의 실시예에서 언급된 발광 장치는 외부에서 볼 때 광이 출사된다는 것을 인식할 수 있는 모든 장치를 포함한다. 따라서, 기호, 문자, 숫자 및 영상 등을 표시하여 정보를 전달하는 모든 디스플레이 장치도 발광 장치에 포함된다. 이러한 발광 장치는 수광형 표시 패널에 광을 제공하는 광원으로 이용될 수 있다.

도 1과 도 2는 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 부분 분해 사시도와 부분 결합 단면도이다.

도 1과 도 2를 참고하면, 발광 장치의 외관을 형성하는 진공 용기는 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(10)과 제2 기판(12)을 포함한다. 제1 기판(10)과 제2 기판(12)은 그 가장자리가 밀봉 부재(도시하지 않음)에 의해 서로 접합되어 내부 공간을 갖는 용기로 구성된다. 이 용기는 발광 장치의 제조 과정에서 배기 공정을 거쳐 그 내부가 대략 10^-6 Torr의 진공도로 배기되어 진공 용기로 형성된다.

제2 기판(12)을 대향하는 제1 기판(10)의 일면에는 전자 방출 소자들로 이루어진 전자 방출 유닛(100)이 제공되고, 제1 기판(10)을 향한 제2 기판(12)의 일면에는 전자들을 제공받아 가시광을 방출하는 발광 유닛(110)이 제공된다.

이러한 전자 방출 유닛(100)과 발광 유닛(110)은 상기한 진공 용기와 더불어 발광 장치를 구성한다.

먼저, 상기한 전자 방출 유닛(100)은 제1 기판의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되는 캐소드 전극들(14)과, 절연층(16)을 사이에 두고 캐소드 전극들(14) 상부에서 캐소드 전극(14)과 교차하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들(18)과, 캐소드 전극(14)에 제공되는 전자 방출부들(20)을 포함한다.

캐소드 전극(14)과 게이트 전극(18) 중 어느 한 전극(일례로 게이트 전 극(18))이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극으로 기능하고, 다른 한 전극(일례로 캐소드 전극(14))이 데이터 구동 전압을 인가받아 데이터 전극으로 기능할 수 있다.

절연층(16)과 게이트 전극(18)은 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(18)의 교차 영역마다 다수의 개구부(161)(181)를 형성하며, 각각의 개구부(161)(181) 내측으로 캐소드 전극(14) 위에 전자 방출부(20)가 위치된다.

전자 방출부(20)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(20)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 풀러린(fullerene; C₆₀), 실리콘 나노와이어로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.

다른 한편으로, 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.

전술한 구조에서 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(18)의 교차 영역 하나가 발광 장치의 한 화소 영역에 대응하거나, 2개 이상의 교차 영역이 발광 장치의 한 화소 영역에 대응할 수 있다. 두 번째 경우 하나의 화소 영역에 위치하는 2개 이상의 캐소드 전극들 및/또는 게이트 전극들은 서로 전기적으로 연결되어 동일한 구동 전압을 인가받는다.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치 중 발광 유닛의 부분 저면도 이다.

발광 유닛(110)은 형광층(22)과, 형광층(22)의 일면에 위치하는 애노드 전극(24)을 포함한다. 형광층(22)은 적색과 녹색 및 청색 형광체가 혼합되어 백색광을 방출하는 혼합 형광체로 이루어질 수 있으며, 제2 기판(12)에 하나로 형성되거나, 화소 영역마다 소정의 패턴으로 분리되어 위치한다. 도 1 내지 도 3에서는 첫 번째 경우의 형광층(22)을 도시하였다.

애노드 전극(24)은 형광층(22) 표면을 덮는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어진다. 이러한 애노드 전극(24)은 형광층(22)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(10)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(12) 측으로 반사시켜 발광면의 휘도를 높인다.

도 3을 참고하면, 본 실시예에서 애노드 전극(24)은 형광층(22)에 대응하는 유효부(26)와, 제2 기판 상에 형광층(22)이 형성되지 않은 영역에 대응하는 비유효부(28)를 가진다. 유효부(26)와 형광층(22)은 동일한 면적을 가진다.

유효부(26)는 추후 제조 방법에서 설명하는 중간막에 의해 형광층(22)과의 사이에 소정 간격을 두고 위치하며, 표면에 복수의 핀홀(pinhole)(30)을 형성한다. 핀홀(30)들은 중간막의 분해 물질들이 외부로 빠져나가는 통로가 된다. 핀홀(30)은 1㎛ 내지 20㎛의 폭을 가질 수 있다. 한편, 핀홀(30)은 애노드 전극(24) 표면에 랜덤하게 형성되므로, 여러 개의 핀홀(30)이 중첩 형성되어 더 큰 폭을 가질 수도 있다.

그리고 비유효부(28)는 제2 기판에 접합될 수 있으며, 애노드 전극(24)을 제 2 기판(12)에 고정시켜 유효부(26)가 형광층(22)으로부터 일정한 간격을 유지하도록 한다.

본 실시예에서 애노드 전극(24)은 하기 조건을 만족하도록 형성된다.

0.05 ≤ P/A ≤ 0.30

여기서, A는 유효부(26)의 면적을 나타내고, P는 유효부(26)에 형성된 핀홀들(30)의 면적을 나타낸다.

유효부(26)에 대한 핀홀들(30)의 면적이 5% 미만인 경우에는 중간막 분해 물질들이 원활하게 애노드 전극(24)의 외부로 빠져나가지 못해 애노드 전극(24)에 부풀음 및 끊어짐이 발생된다. 따라서 애노드 전극(24)은 부풀거나 끊어진 부위에서 빛의 반사 효율이 낮아지므로, 휘도 및 휘도 균일도를 낮추게 된다.

그리고 유효부(26)에 대한 핀홀들(30)의 면적이 30% 이상인 경우 애노드 전극(24)은 빛을 반사시킬 수 있는 면적이 줄어든다. 따라서 애노드 전극(24)은 반사 효율이 낮아져 휘도 저하의 문제를 가져온다.

그리고 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고 두 기판(10)(12)의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서들(32)이 위치한다. 도 1과 도 2에서는 일례로 하나의 스페이서(32)를 도시하였다.

도 2를 참고하면, 스페이서(32)가 배치되는 제2 기판(12) 부위에는 형광층(22)이 형성되지 않는다. 즉, 애노드 전극(24)은 상기 스페이서(32)가 배치되는 부위에 비유효부(28)를 더욱 형성하며, 이에 따라 스페이서(32)는 제2 기판(12)에 수직하게 세워질 수 있다.

전술한 발광 장치는 캐소드 전극들(14)과 게이트 전극들(18)의 조합으로 복수의 화소들을 형성하며, 진공 용기의 외부로부터 캐소드 전극들(14)과 게이트 전극들(18)에 소정의 구동 전압을 인가하고, 애노드 전극(24)에 수천 볼트 이상의 양의 직류 전압을 인가하여 구동한다.

그러면 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(18)의 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(20) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출되고, 방출된 전자들은 애노드 전압에 이끌려 대응하는 형광층(22) 부위에 충돌함으로써 이를 발광 시킨다. 화소별 형광층(22)의 발광 세기는 해당 화소의 전자빔 방출량에 대응한다.

전술한 구성에 있어서, 본 실시예의 애노드 전극(24)은 최적의 핀홀(30) 면적을 확보하여 표면에 부풀음이 발생되거나 휘도가 저하되는 것을 방지하여 반사 효율을 높일 수 있다.

따라서 본 실시예에 따른 발광 장치는 애노드 전극(24)의 반사 효율 향상에 따라 휘도가 증가되며, 이에 따라 낮은 구동 전압에서 구동이 가능한 효과가 있다.

다음으로 도 4a 내지 도 4d을 참조하여 전술한 발광 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 제조 단계에서의 개략도이다.

먼저 도 4a에 도시한 바와 같이, 제2 기판(12) 위에 형광층(22)과 중간막(34)을 순차적으로 형성한다. 중간막(34)은 대략 430℃의 소성 온도에서 분해되 는 고분자 물질로 이루어지며, 소성 후에 중간막(34)이 형성됐던 부위는 빈 공간으로 남게 된다. 이에 따라, 중간막(34)은 추후 형성될 애노드 전극과의 사이에 간격이 필요한 형광층(22) 위에만 선택적으로 형성된다.

도 4a에서 36은 스페이서(32)를 배치하기 위한 부위를 나타내며, 추후 형성될 애노드 전극은 이 부위에서 비유효부를 형성하게 된다.

도 4b를 참고하면, 제2 기판(12)과 중간막(34) 위에 금속 물질 증기증착 또는 스퍼터링하여 애노드 전극(24)을 형성한다. 본 실시예에서 애노드 전극은 알루미늄을 사용하여 수백 내지 수천Å의 두께로 형성한다.

그리고 도 4c에 도시한 바와 같이, 애노드 전극(24) 위에 핀홀 형성액을 균일하게 분사하여 핀홀을 형성한다. 본 실시예에서 핀홀 형성액은 알칼리 수용액인 경우를 예로 들어 설명하며, 편의상 도 4c에서 핀홀 형성액의 분사를 화살표 38로 표시하였다.

애노드 전극의 표면에 핀홀 형성액을 분사하면, 알루미늄이 핀홀 형성액과의 반응을 통해 부식되고, 이로써 애노드 전극에 핀홀이 형성된다. 핀홀 형성액은 0.05 내지 0.2MPa의 압력에서 50 내지 150초 동안 분사될 수 있다.

이어서, 제2 기판(12)을 소성하여 중간막(34)을 제거하고, 도 4d에 도시한 발광 유닛(110)을 완성한다. 중간막(34)은 소성 온도에서 분해되고, 그 분해 물질이 핀홀(30)을 통해 애노드 전극(24)의 외부로 빠져나감으로써 완전히 제거된다.

따라서 애노드 전극(24)은 중간막이 제거된 부분, 즉 형광층(22)에 대응하여 유효부(26)를 형성하고, 형광층(22)이 형성되지 않은 부위, 일례로 스페이서(32)에 대응하여 비유효부(28)를 형성한다.

이와 같이 본 제1 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법은 소성 전에 애노드 전극(24)의 표면에 핀홀 형성액을 균일하게 분사함으로써 원하는 조건의 핀홀(30)을 형성할 수 있다.

따라서, 본 제조 방법에 따라 형성된 발광 장치는 전술한 핀홀(30) 면적을 확보하여 소성 과정에서 애노드 전극(24)의 부풀음을 방지할 수 있다.

한편, 상기한 구성의 발광 장치는 그 자체만으로 디스플레이의 기능을 갖는 것을 예로 들어 설명하였으나, 본 실시예의 발광 장치는 수광형 표시 장치의 면광원으로도 사용될 수 있다.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치를 광원으로 사용하는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 도 5에 도시한 표시 장치는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.

도 5를 참고하면, 표시 장치(50)는 발광 장치(52)와, 발광 장치(52)의 전방에 위치하는 표시 패널(54)을 포함한다. 발광 장치(52)와 표시 패널(54) 사이에는 발광 장치(52)에서 출사된 빛을 고르게 확산시켜 표시 패널(54)에 제공하는 확산판(56)이 위치할 수 있으며, 확산판(56)과 발광 장치(52)는 소정의 거리를 두고 이격된다.

그리고 표시 패널(54)의 전방과 발광 장치(52)의 후방에는 각각 탑 섀시(top chassis)(58)와 버텀 섀시(bottom chassis)(60)가 위치한다.

표시 패널(54)은 액정 표시 패널 또는 다른 수광형 표시 패널로 이루어진다. 아래에서는 일례로 표시 패널(54)이 액정 표시 패널인 경우에 대해 설명한다.

표시 패널(54)은 다수의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)로 이루어진 TFT 기판(62)과, TFT 기판(62) 상부에 위치하는 컬러필터 기판(64)과, 이들 기판(62)(64) 사이에 주입되는 액정층(도시하지 않음)을 포함한다. 컬러필터 기판(64)의 상부와 TFT 기판(62)의 하부에는 편광판(도시하지 않음)이 부착되어 표시 패널(54)을 통과하는 빛을 편광시킨다.

각 TFT의 소스 단자에는 데이터 라인이 연결되고, 게이트 단자에는 게이트 라인이 연결되며, 드레인 단자에는 투명 도전막으로 이루어진 화소 전극이 연결된다. 게이트 라인 및 데이터 라인에 각각 회로보드 어셈블리(66)(68)로부터 전기적인 신호를 입력하면, TFT의 게이트 단자와 소스 단자에 전기적인 신호가 입력되고, 신호 입력에 따라 TFT는 턴 온 또는 턴 오프되어 화소 형성에 필요한 전기적인 신호가 드레인 단자로 출력된다.

컬러필터 기판(64)은 빛이 통과하면서 소정의 색이 발현되는 색화소인 RGB 화소를 형성하며, 투명 도전막으로 이루어진 공통 전극을 전면에 형성하고 있다. TFT의 게이트 단자 및 소스 단자에 전원이 인가되어 TFT가 턴 온되면, 화소 전극과 공통 전극 사이에 전계가 형성된다. 이 전계에 의해 TFT 기판(62)과 컬러필터 기판(64) 사이에 주입된 액정의 배열각이 변화되고, 변화된 배열각에 따라 화소별로 광 투과도가 변화한다.

표시 패널(54)의 회로보드 어셈블리(66)(68)는 각각의 구동 IC 패키지(166)(168)와 접속한다. 표시 패널(54)을 구동하기 위하여, 게이트 회로보드 어 셈블리(66)는 게이트 구동 신호를 전송하고, 데이터 회로보드 어셈블리(68)는 데이터 구동 신호를 전송한다.

발광 장치(52)는 표시 패널(54)보다 적은 수의 화소들을 형성하여 발광 장치(52)의 한 화소가 2개 이상의 표시 패널(54) 화소들에 대응하도록 한다. 발광 장치(52)의 각 화소는 이에 대응하는 복수개의 표시 패널(54) 화소들 중 가장 높은 계조에 대응하여 발광할 수 있으며, 발광 장치(52)는 화소별로 2 내지 8비트의 계조를 표현할 수 있다.

편의상 표시 패널(54)의 화소를 제1 화소라 하고, 발광 장치(52)의 화소를 제2 화소라 하며, 하나의 제2 화소에 대응하는 복수의 제1 화소들을 제1 화소군이라 명칭한다.

발광 장치(52)의 구동 과정은 표시 패널(54)을 제어하는 신호 제어부(도시하지 않음)가 제1 화소군의 제1 화소들 중 가장 높은 계조를 검출하고, 검출된 계조에 따라 제2 화소 발광에 필요한 계조를 산출하여 이를 디지털 데이터로 변환하고, 이 디지털 데이터를 이용하여 발광 장치(52)의 구동 신호를 생성하는 단계들을 포함할 수 있다. 발광 장치(52)의 구동 신호는 주사 구동 신호와 데이터 구동 신호를 포함한다.

발광 장치(52)의 회로보드 어셈블리(도시하지 않음), 즉 주사 회로보드 어셈블리와 데이터 회로보드 어셈블리는 각각의 구동 IC 패키지(170)(172)와 접속한다. 발광 장치(52)를 구동하기 위하여, 주사 회로보드 어셈블리는 주사 구동 신호를 전송하고, 데이터 회로보드 어셈블리는 데이터 구동 신호를 전송한다. 전술한 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(18) 중 어느 한 전극이 주사 구동 신호를 인가받고, 다른 한 전극이 데이터 구동 신호를 인가받는다.

발광 장치(52)의 제2 화소는 대응하는 제1 화소군에 영상이 표시될 때 제1 화소군에 동기되어 소정의 계조로 발광한다. 이와 같이 발광 장치(52)는 화소별로 발광 세기를 독립적으로 제어하여 각 화소에 대응하는 표시 패널(54) 화소들에 적절한 세기의 광을 제공한다. 따라서 본 실시예의 표시 장치(50)는 화면의 동적 대비비(dynamic contrast)를 높일 수 있으며, 보다 선명한 화질을 구현할 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 발명에 의한 발광 장치는 중간막의 분해 물질 제거 및 애노드 전극의 반사 효율 증대를 위한 최적의 핀홀 면적을 가지며, 그 결과 애노드 전극의 손상이 방지되고 애노드 전극의 반사 효율 및 이에 따른 화면의 휘도가 높아지는 효과가 있다..

또한, 본 발명에 의한 발광 장치의 제조 방법은 애노드 전극의 소성 전에 핀홀 형성액을 분사하여 원하는 조건의 핀홀 면적을 확보함에 따라 애노드 전극의 부풀음을 억제할 수 있다.

또한, 본 발명에 의한 표시 장치는 발광 장치로부터 높은 휘도의 빛을 제공 받으므로 표시 품질이 개선될 수 있고, 발광 장치의 화소별 구동을 통해 화면의 동적 대비비를 높여 표시 품질을 향상시킬 수 있다.

Claims (11)

1. 서로 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판;

   상기 제1 기판에 형성된 전자 방출 유닛; 및

   상기 제2 기판에 형성된 형광층과 애노드 전극을 포함하는 발광 유닛

   을 포함하며,

   상기 애노드 전극이 상기 형광층에 대응하여 유효부를 형성하며 상기 유효부는 복수의 핀홀들을 가질 때, 상기 애노드 전극이 하기 조건을 만족하는 발광 장치.

   0.05 ≤ P/A ≤ 0.30

   여기서, A는 상기 유효부의 면적을 나타내고, P는 상기 유효부에 형성된 상기 핀홀들의 면적을 나타낸다.
2. 제1항에 있어서,

   상기 핀홀이 1㎛ 내지 20㎛의 폭을 가진 발광 장치.
3. 제1항에 있어서,

   상기 애노드 전극이 상기 제2 기판 상에 형광층이 형성되지 않은 영역에 대응하는 비유효부를 더욱 포함하는 발광 장치.
4. 제1항에 있어서,

   상기 비유효부가 상기 제2 기판에 접촉된 발광 장치.
5. 제4항에 있어서,

   상기 비유효부에 대응하여 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 스페이서가 배치된 발광 장치.
6. 제1항에 있어서,

   상기 애노드 전극이 금속인 발광 장치.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 발광 장치; 및

   화상을 표시 하는 표시 패널

   을 포함하는 표시 장치.
8. 제7항에 있어서,

   상기 표시 패널은 액정 표시 패널인 표시 장치.
9. 제2 기판 위에 형광층을 형성하고;

   상기 형광층 위에 중간막을 형성하고;

   상기 제2 기판과 상기 중간막 위에 금속을 증착하여 애노드 전극을 형성하 고;

   상기 애노드 전극에 핀홀 형성액을 분사하고;

   상기 중간막을 소성으로 제거하여 상기 애노드 전극에 핀홀을 형성하는 단계

   들을 포함하는 발광 장치의 제조 방법.
10. 제9항에 있어서,

    상기 핀홀을 형성하는 단계가,

    상기 핀홀 형성액을 0.05 내지 0.2MPa의 압력에서 50 내지 150초 동안 분사하는 것으로 이루어진 발광 장치의 제조 방법.
11. 제9항에 있어서,

    상기 핀홀 형성액으로 알칼리 수용액을 사용하는 발광 장치의 제조 방법.

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