KR20080102877A - Method for manufacturing a test sample for transmission electron microscope - Google Patents

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Abstract

A method for forming a sample for transmission electron microscope is provided to manufacture a sampled in a wedge shape and simplify the manufacturing method by using polishing instead of ion milling. A method for forming a sample(10c) for transmission electron microscope comprises a step of forming a second sample piece by attaching a cover glass with epoxy on one side of a first sample piece which is cut to include an inspection region of a semiconductor wafer; a step of adhering the second sample piece to a first fixture so that the cover glass contacts to the first fixture; a step of polishing from one side of the second sample piece to the inspection region by using a polishing apparatus; a step of separating the second sample piece from the first fixture, forming a third sample piece by slicing the second sample piece, adhering one side of the third sample piece to a second fixture by using wax so that the inspection region contact to the Pyrex, and polishing the other side of the third sample piece by using the polishing apparatus until the length of the third sample piece becomes 100~300mum; and a step of forming a wedge-shaped sample by controlling the polishing angle of the polishing apparatus with the polishing angle control unit and mirror-polishing one side of the third sample piece until the length of becomes below 50~150nm.

Description

투과전자현미경용 시편 제조방법{Method for Manufacturing A Test Sample for Transmission Electron Microscope}Method for Manufacturing A Test Sample for Transmission Electron Microscope

도 1은 종래의 투과전자현미경용 시편 제조방법을 나타낸 공정도,1 is a process chart showing a conventional method for manufacturing a specimen for transmission electron microscope,

도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 투과전자현미경용 시편제조방법을 나타낸 공정도,2a to 2h is a process chart showing a specimen manufacturing method for transmission electron microscope of the present invention,

도 3a 및 도 3d는 본 발명의 투과전자현미경용 시편 제조를 위한 연마장비의 구성을 개략적으로 나타낸 도. Figures 3a and 3d is a schematic view showing the configuration of the polishing equipment for producing a specimen for transmission electron microscope of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호설명 ** Explanation of Signs of Major Parts of Drawings *

10: 반도체 웨이퍼 10a: 제2샘플조각10: semiconductor wafer 10a: second sample piece

10b: 제3샘플조각 10c: 시편10b: third sample piece 10c: specimen

11: 제1샘플조각 12: 에폭시11: first sample piece 12: epoxy

13: 커버 글라스 20: 그리드13: cover glass 20: grid

100: 연마장비 110: 제1픽스처100: grinding machine 110: first fixture

120: 제2픽스처 130: 연마각도 조절부120: second fixture 130: polishing angle adjustment unit

131: 가동판 132: 고정판 131: movable plate 132: fixed plate

133: 고정 피봇축 134: 제1마이크로미터133: fixed pivot axis 134: first micrometer

135: 제2마이크로미터135: second micrometer

본 발명은 투과전자현미경용 시편 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 시편을 쐐기(wedge) 모양으로 제조하여 특정영역이나 검사하고자하는 관심 영역을 넓게 검사할 수 있는 투과전자현미경용 시편 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for manufacturing a specimen for transmission electron microscopy, and more particularly, to a method for manufacturing a specimen for transmission electron microscopy capable of inspecting a specific region or a region of interest to be inspected by preparing the specimen in a wedge shape. It is about.

투과전자현미경(Transmission Electron Microscope: TEM)은 반도체 웨이퍼에서 작업자가 원하는 특정영역이나 특정영역 이외의 넓은 영역에 대한 단면이나 평면상태를 검사하기 위해 사용된다. 투과전자현미경으로 검사하기 위해 별도의 시편을 제조하게 되며, 시편을 제조하는 방법으로는 이온 밀링(ion milling) 방법과 포커싱 이온 빔(focusing ion beam) 방법이 있다. 포커싱 이온 빔 방법은 특정영역의 단면이나 평면을 검사하고자 하는 경우에 주로 사용된다. 이온밀링 방법은 포커싱 이온 빔 방법과 다르게 특정영역에 해당하지 않는 넓은 영역의 단면이나 평면을 검사하기 위해 사용되며, 검사 목적에 따라 이온 밀링 방법은 단면시편(section test sample)을 제작하기 위한 방법과 평면시편(plane test sample)을 제작하기 위한 방법으로 분류된다.  Transmission Electron Microscope (TEM) is used to inspect the cross-sectional or planar state of a specific area or a wide area other than a specific area desired by a worker in a semiconductor wafer. A separate specimen is prepared for inspection by a transmission electron microscope, and methods of preparing the specimen include an ion milling method and a focusing ion beam method. The focusing ion beam method is mainly used to inspect a section or plane of a specific region. Unlike the focusing ion beam method, the ion milling method is used to inspect a section or a plane of a large area that does not correspond to a specific area. The ion milling method is a method for manufacturing a section test sample and It is classified as a method for producing plane test samples.

이온 밀링 방법을 이용한 단면검사를 위한 시편 제조방법은 도 1에 도시된 바와 같이 먼저, 검사하고자 하는 영역을 기준으로 반도체 웨이퍼를 두 개의 샘플조각(1)과 네 개의 더미(dummy)조각(2)으로 절단한다. 절단된 두개의 샘플조각(1)을 서로 마주보게 배치하고 각각의 양쪽 면에 두 개의 더미조각(2)을 접착시켜 복 수 개 층을 갖는 접합체(3)를 제조한다. 접합체(3)는 다시 절단장비(도시 않음)를 이용하여 절단하여 슬라이싱(slicing)체(4)를 형성한다. As shown in FIG. 1, a method for fabricating a specimen for cross-sectional inspection using an ion milling method is described below. First, a semiconductor wafer is divided into two sample pieces 1 and four dummy pieces 2 based on a region to be inspected. Cut with The cut two sample pieces 1 are arranged to face each other and two dummy pieces 2 are adhered to each side to prepare a conjugate 3 having a plurality of layers. The bonding body 3 is cut again using a cutting equipment (not shown) to form a slicing body 4.

슬라이싱체(4)가 형성되면 펀칭장비(도시 않음)를 이용하여 슬라이싱체(4)의 표면에 기재된 원모양으로 펀칭하여 복수개층을 갖는 원판체(5)를 형성한다. 원판체(5)가 형성되면 연마장비(도시 않음)를 이용하여 원판체(5)의 양쪽면의 두께가 100㎛ 이하가 되도록 연마한다. 원판체(5)의 연마가 완료되면 딤플러(dimpler)를 사용하여 원판체(5)의 중앙의 두께가 5㎛ 이하로 되도록 딤플링(dimpling)체(6)를 형성한다. 딤플링체(6)가 형성되면 딤플링체(6)의 이온밀러(ion miller)를 사용하여 아르곤과 같은 이온(Ar+)으로 딤플링체(6)의 양쪽면을 스퍼터링(Sputtering)하여 계면부근에 해당하는 시편의 중앙부에 구멍(7a)을 형성하는 이온밀링공정(Ion Milling Process)을 실시하여 단면검사를 위한 시편(7)을 형성하게 된다. 여기서, 원판체(5), 딤플링체(6) 및 시편(7)을 나타내는 사시도 상측에 위치한 도면은 각각의 단면도를 나타낸다. When the slicing body 4 is formed, it is punched in the circular shape described on the surface of the slicing body 4 using a punching equipment (not shown), and the disk body 5 which has several layers is formed. When the disk body 5 is formed, it grind | polishs so that the thickness of both surfaces of the disk body 5 may be 100 micrometers or less using a grinding | polishing apparatus (not shown). When polishing of the disk 5 is completed, a dimpler 6 is used to form a dimpled body 6 so that the thickness of the center of the disk 5 is 5 µm or less. When the dimpled body 6 is formed, sputtering both surfaces of the dimpled body 6 with ions Ar + such as argon using an ion miller of the dimpled body 6 corresponds to the vicinity of the interface. An ion milling process for forming holes 7a in the center of the specimen is performed to form the specimen 7 for cross-sectional inspection. Here, the figure located above the perspective view which shows the disc body 5, the dimpled body 6, and the test piece 7 shows each sectional drawing.

단면검사를 위한 시편 제조방법과 동일하게 평면검사를 위한 시편 제조방법은 평면검사를 위한 영역이 포함되도록 하나의 샘플조각을 형성한 후, 이 샘플조각을 펀칭장비, 딤플러 및 이온 밀러 등을 이용하여 단면 검사를 위한 시편 제조방법과 동일하게 제조한다. In the same way as the specimen manufacturing method for section inspection, the specimen production method for planar inspection is formed by forming one sample piece to include the area for plane inspection, and then using the punching equipment, the dimpler and the ion mirror. By the same method as the specimen manufacturing method for cross-sectional inspection.

종래와 같이 이온밀링방법을 이용하여 단면이나 평면시편을 제조하는 경우에 매우 얇고 우수한 시편을 얻을 수 있는 반면에 이온 밀링 작업을 통해 구멍을 형성한 후 구멍에 위치되는 평면이나 단면만을 검사함으로써 특정영역을 관찰 할 수 없 으며 관찰할 수 있는 영역이 매우 한정되며 이온 밀링 공정이 사용되므로 제조 공정이 복잡한 문제점이 있다. When manufacturing cross-section or planar specimen using ion milling method as in the prior art, very thin and excellent specimens can be obtained. On the other hand, after forming a hole through ion milling, inspect only the plane or cross-section located in the hole. It can not be observed and the area that can be observed is very limited and the manufacturing process is complicated because the ion milling process is used.

따라서 본 발명은 이러한 종래기술의 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 그 목적은 시편을 쐐기(wedge) 모양으로 제조하여 특정영역이나 검사하고자 하는 관심 영역을 넓게 검사할 수 있는 투과전자현미경용 시편 제조방법을 제공함에 있다.Therefore, the present invention has been made in view of the problems of the prior art, and its purpose is to prepare a specimen in the shape of a wedge (wedge), a method for manufacturing a specimen for transmission electron microscope that can inspect a specific area or a region of interest to be inspected widely. In providing.

본 발명의 다른 목적은 이온 밀링 공정 없이 연마공정을 이용하여 시편을 쐐기 모양으로 제조함으로써 제조방법을 단순화시켜 시편 제조방법의 생산성을 개선시킬 수 있도록 함에 있다.Another object of the present invention is to simplify the manufacturing method by improving the productivity of the specimen manufacturing method by manufacturing the specimen in a wedge shape using a polishing process without an ion milling process.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 투과전자현미경용 시편 제조방법은 반도체웨이퍼에서 검사할 관심영역이 포함되도록 절단된 제1샘플조각(sample)의 일측면에 에폭시(epoxy)를 이용해 커버 글라스(cover glass)를 접착시켜 제2샘플조각을 형성한 후 커버 글라스가 제1픽스처(fixture)에 접하도록 제2샘플조각을 제1픽스처에 접착시키는 과정과; 제2샘플조각이 제1픽스처에 접착되면 연마장비를 이용하여 제2샘플조각의 일단면에서 검사할 관심영역까지 연마하는 과정과; 제2샘플조각의 일단면의 연마가 완료되면 제2샘플조각을 제1픽스처에서 분리한 후 제2샘플조각을 슬라이스(slice)형상으로 절단하여 제3샘플조각을 형성하고, 제3샘플조각을 왁스를 이용하여 관심영역이 파이렉스(pyrex)에 접하도록 제3샘플조각의 일단면을 제2픽스처에 접착시킨 후 연마장비를 이용하여 제3샘플조각의 길이가 100 내지 300 ㎛가 될 때까지 제3샘플조각의 타단면을 연마하는 과정과; 제3샘플조각의 연마가 완료되면 연마장비의 연마각도 조절부를 이용해 연마각도를 조절하여 제3샘플조각의 일단면의 길이가 50 내지 150㎚이하가 될 때까지 경면 연마하여 쐐기(wedge)모양의 시편을 형성하는 과정으로 이루어짐을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a method for manufacturing a transmission electron microscope specimen of the present invention is a cover glass using epoxy on one side of a first sample cut to include a region of interest to be examined in a semiconductor wafer. bonding a second sample piece to the first fixture such that the cover glass is in contact with the first fixture after adhering the second sample piece to the glass; When the second sample piece is bonded to the first fixture, polishing the second sample piece from one end surface of the second sample piece to the region of interest to be examined by using a polishing device; When polishing of one side of the second sample piece is completed, the second sample piece is separated from the first fixture, and then the second sample piece is cut into a slice to form a third sample piece, and the third sample piece is One end surface of the third sample piece is bonded to the second fixture so that the region of interest is in contact with the pyrex using wax, and then, the polishing machine is used until the length of the third sample piece is 100 to 300 μm. Grinding the other end face of the three sample pieces; When the polishing of the third sample piece is completed, the polishing angle is adjusted by using the polishing angle adjusting unit of the polishing equipment so that the end surface of the third sample piece is mirror-polished until the length of one end of the third sample piece is 50 to 150 nm or less. Characterized in that the process of forming a specimen.

(실시예)(Example)

이하, 본 발명을 바람직한 실시예가 도시된 첨부도면을 참고하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings showing a preferred embodiment of the present invention will be described in more detail.

도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 투과전자현미경용 시편제조방법을 나타낸 공정도이다. 2a to 2h is a process chart showing a method for producing a specimen for transmission electron microscope of the present invention.

본 발명의 투과전자현미경용 시편을 제조하기 위해 먼저, 도 2a 및 도 2b에서와 같이 반도체웨이퍼(10)에서 검사할 관심영역(I: 도 2c에 도시됨)이 포함되도록 절단된 제1샘플조각(11)의 일측면에 에폭시(12)를 이용해 커버 글라스(13)를 접착시켜 제2샘플조각(10a)을 형성한다. 제2샘플조각(10a)이 형성되면 이 후 커버 글라스(13)가 제1픽스처(110: 도 3a 및 도 3b에 도시됨)에 접하도록 제2샘플조각(10a)을 제1픽스처(110)에 접착시키는 과정을 실시한다.In order to manufacture the transmission electron microscope specimen of the present invention, first, the first sample piece cut to include the region of interest (I: shown in Figure 2c) to be examined in the semiconductor wafer 10, as shown in Figures 2a and 2b The cover glass 13 is bonded to one side of 11 using an epoxy 12 to form a second sample piece 10a. When the second sample piece 10a is formed, the second sample piece 10a is brought into contact with the first fixture 110 (shown in FIGS. 3A and 3B) afterwards so that the second sample piece 10a is contacted with the first fixture 110. Adhesion process is carried out.

제2샘플조각(10a)을 제1픽스처(110)에 접착시키기 위해 반도체소자가 형성 중이거나 형성된 반도체웨이퍼(10)에서 검사할 관심영역(I: 도 2c에 도시됨)이 포함되도록 한 변의 길이가 2 내지 4㎜가 되며 다른 한 변의 길이가 5 내지 10㎜의 크기가 되도록 절단하여 제1샘플조각(11)을 형성한다. 반도체웨이퍼(10)의 절단은 쏘잉머신(sawing machine: 도시 않음)이나 다이아몬드 커터(diamond cuter: 도시 않음)를 이용하며 제1샘플조각(11)의 한 변의 길이는 바람직하게는 3㎜가 되도록 형성한다. Length of the side to include the region of interest (I: shown in FIG. 2C) to be inspected in the semiconductor wafer 10 in which the semiconductor device is being formed or formed to bond the second sample piece 10a to the first fixture 110. Is 2 to 4 mm and the length of the other side is cut to have a size of 5 to 10 mm to form a first sample piece (11). The semiconductor wafer 10 is cut using a sawing machine (not shown) or a diamond cutter (not shown), and the length of one side of the first sample piece 11 is preferably 3 mm. do.

반도체웨이퍼(10)에서 관심영역(I)이 포함되도록 제1샘플조각(10a)이 절단되면 제1샘플조각(11)의 일측면에 에폭시(12)를 이용하여 두께가 100 내지 300㎛인 커버 글라스(13)에 접착시켜 제2샘플조각(10a)을 형성한다. 제2샘플조각(10a)이 형성되면 도 3b에 도시된 바와 같이 제2샘플조각(10a)의 커버 글라스(13)가 제1픽스처(110)에 접하도록 왁스를 이용하여 제2샘플조각(10a)의 타측면을 제1픽스처(110)에 접착시킨다. When the first sample piece 10a is cut to include the region I of interest in the semiconductor wafer 10, a cover having a thickness of 100 to 300 μm using an epoxy 12 on one side of the first sample piece 11. The second sample pieces 10a are formed by adhering to the glass 13. When the second sample piece 10a is formed, as shown in FIG. 3B, the second sample piece 10a using wax so that the cover glass 13 of the second sample piece 10a contacts the first fixture 110. The other side of the) is bonded to the first fixture (110).

제2샘플조각(10a)이 제1픽스처(110)에 접착되면 도 2c에 도시된 바와 같이 연마장비(100)를 이용하여 제2샘플조각(10a)의 일단면에서 검사할 관심영역(I)까지 연마하는 과정을 실시한다. When the second sample piece 10a is bonded to the first fixture 110, the region of interest I to be inspected at one end surface of the second sample piece 10a using the polishing equipment 100 as shown in FIG. 2C. Carry out the polishing process.

제2샘플조각(10a)의 일단면에서 검사할 관심영역(I)까지 연마하기 위해 먼저, 제2샘플조각(10a)이 제1픽스처(110)에 접착되면 현미경(도시 않음)을 이용하여 제2샘플조각(10a)의 일단면에서 관심영역(I)까지의 길이를 측정한다. 현미경은 길이를 측정할 수 있는 현미경이 적용되고, 제2샘플조각(10a)의 일단면은 도 2c에 도시된 화살표 X축 방향을 기준으로 제2샘플조각(10a)의 좌측을 나타내며, 제2샘플조각(10b)의 타단면은 일단면과 서로 마주대하는 면을 나타낸다. 제2샘플조각(10a)의 일단면에서 관심영역(I)까지의 길이가 측정되면 연마장비(100)를 이용하여 제1픽스처(110)에 접착된 제2샘플조각(10a)의 일단면에서 관심영역(I)까지의 길이가 0.5 내지 2㎛가 남도록 연마한다. 제2샘플조각(10a)을 연마하기 위해 제2샘플조각(10a) 이 접착된 제1픽스처(110)를 연마장치(100)의 홀더(holder)(150)에 장착한다. 이 후 연마패드(140)로 연마액을 공급한 상태에서 연마패드(140)를 화살표 방향으로 회전시켜 제2샘플조각(10a)의 일단면을 연마한다. In order to grind from the one end surface of the second sample piece 10a to the region of interest I to be inspected, first, when the second sample piece 10a is attached to the first fixture 110, a microscope (not shown) is used. The length from one end of the two sample pieces 10a to the region of interest I is measured. The microscope is a microscope that can measure the length is applied, one end surface of the second sample piece (10a) shows the left side of the second sample piece (10a) relative to the arrow X-axis direction shown in Figure 2c, The other end surface of the sample piece 10b represents the surface which faces one end face mutually. When the length from one end surface of the second sample piece 10a to the region of interest I is measured, one end surface of the second sample piece 10a adhered to the first fixture 110 using the polishing equipment 100 is measured. Polish so that the length to the region of interest I is 0.5 to 2 mu m. In order to grind the second sample piece 10a, the first fixture 110 to which the second sample piece 10a is attached is mounted on a holder 150 of the polishing apparatus 100. Thereafter, the polishing pad 140 is rotated in the direction of the arrow while the polishing liquid is supplied to the polishing pad 140 to polish one end surface of the second sample piece 10a.

연마되는 부분은 도 2c에 점선으로 기재되었으며, 이 점선 부분을 연마공정을 이용하여 제거하여 제2샘플조각(10a)의 일단면에서 관심영역(I)까지의 길이가 0.5 내지 2㎛가 남도록 연마하며, 바람직하게는 제2샘플조각(10a)의 일단면에서 관심영역(I)에서까지의 길이가 1㎛가 남도록 연마한다. 여기서, 길이는 도 2c에 도시된 바와 같이 X축 방향으로의 길이를 나타내며, 이 후 길이는 모두 X축 방향으로의 길이는 나타냄을 미리 밝힌다. The part to be polished is described by a dotted line in FIG. 2C, and the dotted part is removed by a polishing process so that the length from one end surface of the second sample piece 10a to the region of interest I remains 0.5 to 2 μm. Preferably, the length from the end surface of the second sample piece 10a to the region of interest I is polished so that 1 µm remains. Here, the length indicates the length in the X-axis direction as shown in FIG. 2C, and the length thereafter reveals all the lengths in the X-axis direction.

제2샘플조각(10a)의 일단면에서 관심영역(I)까지의 길이가 0.5 내지 2㎛가 남도록 제2샘플조각(10a)의 일단면이 연마되면 제2샘플조각(10a)의 일단면이 평행하게 연마되었는지 여부를 확인하고, 일단면이 평행하게 연마되지 않으면 연마장비(100)의 연마각도 조절부(130)를 이용하여 제2샘플조각(10a)의 일단면이 평행하게 연마되도록 제2샘플조각(10a)의 연마각도를 조정한다. 연마각도 조정방법은 후술할 예정이다. 연마각도를 조절하여 제2샘플조각(10a)의 일단면이 평행하게 제2샘플조각(10a)의 일단면에서 관심영역(I)에서까지의 길이가 0.5 내지 2㎛가 남도록 연마되면 남은 제2샘플조각(10a)의 일단면에서 관심영역(I)까지의 길이를 경면연마를 실시하여 제2샘플조각(10a)의 일단면에서 점선으로 도시된 'a'부분을 연마하여 제거한다. When one end surface of the second sample piece 10a is polished so that the length from the one end surface of the second sample piece 10a to the region of interest I remains 0.5 to 2 μm, one end surface of the second sample piece 10a is polished. Check whether the surface is polished in parallel, and if one surface is not polished in parallel, the second surface is polished in parallel using the polishing angle adjusting unit 130 of the polishing equipment 100 so that one surface of the second sample piece 10a may be polished in parallel. The polishing angle of the sample piece 10a is adjusted. The polishing angle adjustment method will be described later. When the polishing angle is adjusted so that one end surface of the second sample piece 10a is parallel to one end surface of the second sample piece 10a, the length of the second sample piece 10a from the region of interest I remains 0.5 to 2 μm. Mirror-polishing the length from one end surface of the sample piece 10a to the region of interest I is removed by polishing the portion 'a' shown by the dotted line on one end surface of the second sample piece 10a.

제2샘플조각(10a)의 일단면의 연마가 완료되면 도 2d 및 도 2e에 도시된 바 와 같이 제2샘플조각(10a)을 제1픽스처(110)에서 분리한 후 제2샘플조각(10a)을 슬라이스 모양으로 절단하여 제3샘플조각(10b)을 형성하고, 제3샘플조각(10b)을 왁스를 이용하여 관심영역(I)이 파이렉스(121)에 접하도록 제3샘플조각(10b)의 일단면을 제2픽스처(120)에 접착시킨 후 연마장비(100)를 이용하여 제3샘플조각(10b)의 길이가 100 내지 300㎛가 될 때까지 제3샘플조각(10b)의 타단면을 연마하는 과정을 실시한다.When polishing of one end surface of the second sample piece 10a is completed, the second sample piece 10a is separated from the first fixture 110 as shown in FIGS. 2D and 2E, and then the second sample piece 10a is removed. ) Is cut into slices to form a third sample piece 10b, and the third sample piece 10b is contacted with the Pyrex 121 using the wax as the third sample piece 10b. The other end surface of the third sample piece (10b) until the length of the third sample piece (10b) is 100 to 300㎛ using the polishing equipment 100 after attaching one end surface of the second fixture 120 The process of polishing is carried out.

제3샘플조각(10b)의 길이가 100 내지 300㎛가 될 때까지 연마하기 위해 제2샘플조각(10b)의 경면연마가 완료되면 제1픽스처(110)를 세정한 후 제2샘플조각(10a)을 제1픽스처(110)에서 분리한다. 제2샘플조각(10a)이 제1픽스처(110)에서 분리되면 쏘잉머신이나 다이아몬드 커터(도시 않음) 중 어느 하나를 이용하여 제2샘플조각(10a)의 타측면을 절단하여 길이가 1 내지 2㎜가 되는 슬라이스 모양을 가지는 제3샘플조각(10b)을 형성한다. 제2샘플조각(10a)의 타측면을 절단 기준으로 하는 것은 반도체 제조 시 제조공정이 적용되지 않은 면을 이용하기 위함이다. After the mirror polishing of the second sample piece 10b is completed in order to grind the third sample piece 10b to 100 to 300 μm in length, the second sample piece 10a is cleaned after cleaning the first fixture 110. ) Is separated from the first fixture 110. When the second sample piece 10a is separated from the first fixture 110, the other side of the second sample piece 10a is cut by using one of a sawing machine or a diamond cutter (not shown). A third sample piece 10b having a slice shape of mm is formed. The other side of the second sample piece 10a is used as a cutting reference to use a surface to which a manufacturing process is not applied during semiconductor manufacturing.

제2샘플조각(10a)이 슬라이스 모양을 가지는 제3샘플조각(10b)으로 형성되면 스테레오 스코프(stereo scope: 도시 않음)를 이용하여 파이렉스(121)의 일단면과 제3샘플조각(10b)의 일측면이 단차가 이루어지지 않도록 확인하면서 도 3c에 도시된 바와 같이 왁스(wax)를 이용하여 제3샘플조각(10b)의 일단면이 파이렉스(121)의 밑면에 접하도록 제3샘플조각(10b)을 제2픽스처(120)에 접착시킨다. 제3샘플조각(10b)이 제2픽스처(120)에 접착되면 현미경(도시 않음)을 이용하여 제3샘플조각(10b)의 길이를 측정한다. 제3샘플조각(10b)의 길이가 측정되면 연마장비(100: 도 3a에 도시됨)를 이용하여 제3샘플조각(10b)의 길이가 100 내지 300㎛가 될 때까지 제3샘플조각(10b)의 타단면을 연마한다. 제3샘플조각(10b)의 타단면을 연마하기 위해 제3샘플조각(10b)이 접착된 제2픽스처(120)를 홀더(150: 도 3a에 도시됨)에 장착한 후 연마장비(100)를 이용하여 연마한다. When the second sample fragment 10a is formed as a third sample fragment 10b having a slice shape, the one end surface of the Pyrex 121 and the third sample fragment 10b are formed using a stereo scope (not shown). As shown in FIG. 3C, one side of the third sample piece 10b is in contact with the bottom surface of the Pyrex 121 using wax as shown in FIG. 3C while checking that one side is not formed. ) Is attached to the second fixture 120. When the third sample piece 10b is attached to the second fixture 120, the length of the third sample piece 10b is measured using a microscope (not shown). When the length of the third sample piece 10b is measured, the third sample piece 10b is used until the length of the third sample piece 10b becomes 100 to 300 μm using the polishing equipment 100 (shown in FIG. 3A). Polish the other end of). In order to polish the other end surface of the third sample piece 10b, the second fixture 120 to which the third sample piece 10b is attached is mounted on the holder 150 (shown in FIG. Polish with.

여기서, 제3샘플조각(10b)의 길이 방향은 제2샘플조각(10a)에서 슬라이스 모양으로 절단된 제3샘플조각(10b)을 Y축을 중심으로 90° 회전시킨 상태이며, 이 상태로 경면연마가 완료된 일단면을 제2픽스처(120)의 밑면에 접착시킨 후 연마되지 않은 타단면을 길이가 100 내지 300㎛가 될 때까지 연만하게 된다. 제3샘플조각(10b)의 타단면의 연마 시 바람직하게는 200㎛가 될 때까지 연마하여 도 2e에 도시된 것과 같이 길이'b'부분을 연마하여 제거한 후 길이'c'가 되도록 제3샘플조각(10b)의 타단면을 연마한다. Here, the length direction of the third sample piece 10b is a state in which the third sample piece 10b, which has been cut in a slice shape from the second sample piece 10a, is rotated by 90 ° about the Y axis, and is subjected to mirror polishing in this state. After the completed one side is bonded to the bottom of the second fixture 120, the other end surface is not polished until the length is 100 to 300㎛. When the other end surface of the third sample piece 10b is polished, it is preferably polished to 200 µm and polished to remove the length 'b' portion as shown in FIG. 2E, and then the third sample to have a length 'c'. The other end surface of the piece 10b is polished.

제3샘플조각(10b)의 연마가 완료되면 도 2f 내지 도 2h에 도시된 바와 같이 연마장비(100)의 연마각도 조절부(130)를 이용해 연마각도를 조절하여 제3샘플조각(10b)의 타단면의 길이가 50 내지 150㎚이하가 될 때까지 경면 연마하여 쐐기 모양의 시편(10c)을 형성한다.  When the polishing of the third sample piece 10b is completed, as shown in FIGS. 2F to 2H, the polishing angle is adjusted using the polishing angle adjusting unit 130 of the polishing device 100 to adjust the polishing angle of the third sample piece 10b. It is mirror polished until the length of the other end surface is 50 to 150 nm or less to form a wedge shaped specimen 10c.

쐐기 모양의 시편(10c)을 형성하기 위해 제3샘플조각(10b)의 길이가 100 내지 300㎛가 되도록 연마되면 연마장비(100)의 연마각도 조절부(130)를 이용하여 제3샘플조각(10b)의 일단면의 연마각도를 조절하여 제3샘플조각(10b)을 쐐기 모양으로 연마한다. 제3샘플조각(10b)을 쐐기 모양으로 연마 중 연마작업을 정시한 후 현미경(도시 않음)을 이용하여 제3샘플조각(10b)의 타단면이 평행하게 형성되었는지 여부를 확인하고, 도 2f에서와 같이 타단면이 각도 'd'만큼 경사지게 연마되어 평행하게 형성되지 않으면 연마장비(100)의 연마각도 조절부(130)를 이용하여 제3샘플조각(10b)의 연마각도를 조절한다. 연마 작업의 정시 시간은 8 내지 12초 동안 연마 후 정지하며 바람직하게는 10초간 연마한 후 정지하고, 정지 시간은 연마액의 종류와 연마패드의 회전속도 등과 같은 정보를 이용하여 산출된 연마속도를 이용한다. 또한, 연마각도는 연마각도 조절부(130)를 이용하여 0.5 내지 1°가 되도록 조절하여 제3샘플조각(10b)을 쐐기 모양으로 연마한다. When the third sample pieces 10b are polished to have a length of 100 to 300 μm in order to form the wedge-shaped specimens 10c, the third sample pieces (using the polishing angle adjusting unit 130 of the polishing equipment 100) are formed. The third sample piece 10b is polished in a wedge shape by adjusting the polishing angle of one end surface of 10b). After polishing the third sample piece 10b in the shape of a wedge, the microfiber (not shown) was used to check whether the other end surface of the third sample piece 10b was formed in parallel, and in FIG. 2F. If the other end surface is polished inclined by the angle 'd' and is not formed in parallel, the polishing angle of the third sample piece 10b is adjusted by using the polishing angle adjusting unit 130 of the polishing equipment 100. The scheduled time of the polishing operation is stopped after polishing for 8 to 12 seconds, preferably after 10 seconds of polishing, and the stopping time is based on the polishing rate calculated using information such as the type of polishing liquid and the rotational speed of the polishing pad. I use it. In addition, the polishing angle is adjusted to be 0.5 to 1 ° using the polishing angle adjusting unit 130 to polish the third sample piece 10b into a wedge shape.

제3샘플조각(10b)의 타단면이 도 2g에 도시된 것과 같이 각도 'e'로 평행하게 연마되면 제3샘플조각(10b)의 타단면의 길이가 50 내지 150㎚이하가 될 때까지 경면 연마하여 도 2h에 도시된 쐐기 모양의 시편(10c)을 형성한다. 시편(10c)은 도 2h에 도시된 바와 에폭시(12) 및 커버 글라스(13)를 연마과정에서 제거함과 아울러 제1샘플조각(11)을 쐐기 모양으로 연마하여 형성된다. 쐐기 모양의 시편(10c)이 형성되면 제2픽스처(120)를 연마장비(100)의 홀더(150)에서 분리한다. 제2픽스처(120)가 분리되면 제2픽스처(120)를 세정한 후 에폭시를 이용하여 그리드(grid)(20)를 쐐기 모양의 시편(10c)에 접착하고, 그리드(21)가 부착된 쐐기 모양의 시편(10c)을 아세톤을 이용하여 제2픽스처(120)에서 분리하여 투과전자현미경용 시편(10c)을 제고하게 된다. When the other end surface of the third sample piece 10b is polished in parallel with the angle 'e' as shown in FIG. 2G, the mirror surface is not until the length of the other end surface of the third sample piece 10b becomes 50 to 150 nm or less. Polishing to form the wedge shaped specimen (10c) shown in Figure 2h. The specimen 10c is formed by removing the epoxy 12 and the cover glass 13 from the polishing process as shown in FIG. 2H and polishing the first sample piece 11 in a wedge shape. When the wedge shaped specimen 10c is formed, the second fixture 120 is separated from the holder 150 of the polishing apparatus 100. When the second fixture 120 is separated, the second fixture 120 is cleaned and then the grid 20 is adhered to the wedge shaped specimen 10c by using epoxy, and the wedges to which the grid 21 is attached. The specimen 10c of the shape is separated from the second fixture 120 by using acetone to enhance the transmission electron microscope specimen 10c.

이와 같이 본 발명의 쐐기 모양의 시편(10c)을 제조하기 위해 도 3a에 도시된 연마장비(100)가 사용되며, 연마장비(100)는 제2샘플조각(10a) 및 제3샘플조각(10b)이 접착되는 제1 및 제2픽스처(110,120)를 지지하기 위한 홀더(150), 홀 더(150)를 승/하강시키기 위한 승강기구(160) 및 연마패드(140)가 구비되며, 연마패드(140)로 경면연마 또는 일반연마(여기서, 일반연마는 경면연마 보다 거칠게 연마되는 경우를 나타냄) 조건에 따라 연마액을 공급하는 노즐(도시 않음)이 구비된다. 연마장비(100)는 도 3d에 도시된 바와 같이 연마각도 조절부(130)가 구비되며, 연마각도 조절부(130)는 가동판(131), 고정판(132), 고정 피폿(pivot)축(133), 제1마이크로미터(micro meter)(134) 및 제2마이크로미터(135)로 구성된다. As such, the polishing equipment 100 shown in FIG. 3A is used to manufacture the wedge shaped specimen 10c of the present invention, and the polishing equipment 100 includes the second sample piece 10a and the third sample piece 10b. A holder 150 for supporting the first and second fixtures 110 and 120 to which the sheet is bonded, a lifting mechanism 160 and a polishing pad 140 for lifting / lowering the holder 150, and a polishing pad 140. At 140, a nozzle (not shown) for supplying a polishing liquid is provided according to mirror polishing or general polishing (wherein general polishing represents a case in which rough polishing is more rough than polishing). Polishing equipment 100 is provided with a polishing angle adjusting unit 130, as shown in Figure 3d, the polishing angle adjusting unit 130 is a movable plate 131, a fixed plate 132, a fixed pivot (pivot) shaft ( 133, a first micrometer 134, and a second micrometer 135.

제 1 및 제2마이크로미터(134,135)는 연마되는 제2샘플조각(10a) 및 제3샘플조각(10b)의 각각의 일단면이나 타단면의 연마가 평행하게 되지 않거나 쐐기 모양의 시편(10c)을 형성하는 경우에 연마각도를 조절하기 위해 사용된다. 이러한 제1 및 제2마이크로미터(134,135)를 각각 조정하는 경우에 가동판(132)은 고정 피봇축(133)과 각각의 제 1 및 제2마이크로미터(134,135)를 기준 즉, X축이나 Y축을 중심으로 회전되어 홀더(150)에 지지된 제1 및 제2픽스처(110,120)를 각각 틸트(tilt)시켜 제2샘플조각(10a)이나 제3샘플조각(10b)의 연마각도를 조정함으로써 각각을 평행하게 연마할 수 있다. 또한, 제3샘플조각(10b)을 쐐기 모양의 시편(10c)으로 제조 시 연마각도 조절부(130)를 이용하여 연마각도를 0.5 내지 1°가 되도록 조절하기 위해서는 제1마이크로미터(134)를 조정한다. 제1마이크로미터(134)를 조정하는 경우에 가동판(132)은 고정 피봇축(133)과 제2마이크로미터(135)를 기준 즉, Y축을 중심으로 회전되어 제3샘플조각(10b)의 연마각도를 0.5 내지 1°가 되도록 조절하여 쐐기 모양의 시편(10c)을 제조할 수 있게 된다.   The first and second micrometers 134 and 135 are not parallel to each other or wedge-shaped specimens 10c of the second sample piece 10a and the third sample piece 10b to be polished. It is used to adjust the polishing angle in the case of forming. In the case of adjusting the first and second micrometers 134 and 135, respectively, the movable plate 132 is based on the fixed pivot axis 133 and the respective first and second micrometers 134 and 135, that is, the X axis or the Y axis. Tilt the first and second fixtures 110 and 120 supported on the holder 150 by being rotated about the axis to adjust the polishing angles of the second sample piece 10a or the third sample piece 10b, respectively. Can be polished in parallel. In addition, when the third sample piece 10b is manufactured as a wedge-shaped specimen 10c, the first micrometer 134 may be adjusted to adjust the polishing angle to 0.5 to 1 ° using the polishing angle adjusting unit 130. Adjust In the case of adjusting the first micrometer 134, the movable plate 132 is rotated about the fixed pivot axis 133 and the second micrometer 135, that is, about the Y axis, so that the third sample piece 10b may be rotated. By adjusting the polishing angle to be 0.5 to 1 °, it is possible to produce a wedge shaped specimen 10c.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 투과전자현미경용 시편 제조방법은 시편을 쐐기(wedge) 모양으로 제조하여 특정영역이나 검사하고 자하는 관심 영역을 넓게 검사할 수 있으며, 이온 밀링 공정 없이 연마공정을 이용하여 시편을 쐐기 모양으로 제조함으로써 제조방법을 단순화시킴으로써 시편 제조방법의 생산성을 개선시킬 수 있는 이점을 제공한다.As described above, the method of manufacturing a specimen for transmission electron microscope according to the present invention can make a specimen in a wedge shape to inspect a specific region or a region of interest to be inspected widely, and use a polishing process without an ion milling process. By simplifying the manufacturing method by manufacturing the specimen in the wedge shape provides an advantage that can improve the productivity of the specimen manufacturing method.

Claims (5)

반도체웨이퍼에서 검사할 관심영역이 포함되도록 절단된 제1샘플조각의 일측면에 에폭시를 이용해 커버 글라스를 접착시켜 제2샘플조각을 형성한 후 커버 글라스가 제1픽스처에 접하도록 제2샘플조각을 제1픽스처에 접착시키는 과정과;After attaching the cover glass with epoxy to one side of the first sample piece cut to include the region of interest to be examined in the semiconductor wafer, the second sample piece is formed so that the cover glass is in contact with the first fixture. Bonding to the first fixture; 상기 제2샘플조각이 제1픽스처에 접착되면 연마장비를 이용하여 제2샘플조각의 일단면에서 검사할 관심영역까지 연마하는 과정과;When the second sample piece is bonded to the first fixture, polishing the second sample piece from one end surface of the second sample piece to a region of interest to be examined by using a polishing device; 상기 제2샘플조각의 일단면의 연마가 완료되면 제2샘플조각을 제1픽스처에서 분리한 후 제2샘플조각을 슬라이스 모양으로 절단하여 제3샘플조각을 형성하고, 제3샘플조각을 왁스를 이용하여 관심영역이 파이렉스(pyrex)에 접하도록 제3샘플조각의 일단면을 제2픽스처에 접착시킨 후 연마장비를 이용하여 제3샘플조각의 길이가 100 내지 300㎛가 될 때까지 제3샘플조각의 타단면을 연마하는 과정과;When polishing of one end surface of the second sample piece is completed, the second sample piece is separated from the first fixture, and the second sample piece is cut into slices to form a third sample piece, and the third sample piece is waxed. Attach one end of the third sample piece to the second fixture so that the region of interest is in contact with the pyrex, and then use the polishing equipment to make the third sample piece have a length of 100 to 300 μm. Polishing the other end face of the piece; 상기 제3샘플조각의 연마가 완료되면 연마장비의 연마각도 조절부를 이용해 연마각도를 조절하여 제3샘플조각의 일단면의 길이가 50 내지 150㎚이하가 될 때까지 경면 연마하여 쐐기 모양의 시편을 형성하는 과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 투과전자현미경용 시편 제조방법.When the polishing of the third sample pieces is completed, the wedge-shaped specimen is polished by mirror polishing until the length of one end surface of the third sample piece is 50 to 150 nm or less by adjusting the polishing angle using the polishing angle adjusting unit of the polishing equipment. Specimens manufacturing method for a transmission electron microscope, characterized in that made of a process. 제1항에 있어서, 상기 제2샘플조각을 형성한 후 커버 글라스가 제1픽스처에 접하도록 제2샘플조각을 제1픽스처에 접착시키는 과정은 반도체웨이퍼에서 검사할 관심영역이 포함되도록 한 변의 길이가 2 내지 4㎜가 되며 다른 한 변의 길이가 5 내지 10㎜의 크기가 되도록 절단하여 제1샘플조각을 형성하는 과정과; The process of claim 1, wherein after forming the second sample pieces, attaching the second sample pieces to the first fixtures so that the cover glass contacts the first fixtures may include a length of a side including the region of interest to be inspected in the semiconductor wafer. Is 2 to 4 mm and the length of the other side is cut to have a size of 5 to 10 mm to form a first sample piece; 상기 제1샘플조각의 일측면에 에폭시를 이용하여 두께가 100 내지 300㎛인 커버 글라스에 접착시켜 제2샘플조각을 형성하는 과정과;Forming a second sample piece by adhering to a cover glass having a thickness of 100 to 300 μm using an epoxy on one side of the first sample piece; 상기 제2샘플조각이 형성되면 제2샘플조각의 커버 글라스가 제1픽스처에 접하도록 왁스를 이용하여 제2샘플조각의 타측면을 제1픽스처에 접착시키는 과정으로 이루어지며, When the second sample pieces are formed, a process of adhering the other side of the second sample pieces to the first fixture using wax so that the cover glass of the second sample pieces contacts the first fixture, 상기 제1샘플조각을 형성하는 과정에서 바람직하게는 제1샘플조각의 한 변의 길이가 3mm가 되도록 형성함을 특징으로 하는 투과전자현미경용 시편 제조방법. In the process of forming the first sample pieces, preferably one side of the first sample pieces are formed so that the length of the 3mm specimens for transmission electron microscope, characterized in that formed. 제1항에 있어서, 상기 제2샘플조각의 일단면에서 검사할 관심영역까지 연마하는 과정은 제2샘플조각이 제1픽스처에 접착되면 현미경을 이용하여 제2샘플조각의 일단면에서 관심영역까지의 길이를 측정하는 과정과, The process of claim 1, wherein the polishing of the second sample pieces from the one end surface to the region of interest to be examined is performed from the one side surface of the second sample pieces to the region of interest using a microscope when the second sample pieces are bonded to the first fixture. Measuring the length of 상기 제2샘플조각의 일단면에서 관심영역까지의 길이가 측정되면 연마장비를 이용하여 제1픽스처에 접착된 제2샘플조각의 일단면에서 관심영역까지의 길이가 0.5 내지 2㎛가 남도록 연마하는 과정과; When the length from one side of the second sample piece to the region of interest is measured, the polishing equipment is polished so that the length from the one side of the second sample piece bonded to the first fixture to the region of interest remains 0.5 to 2 μm. Process; 상기 제2샘플조각의 일단면에서 관심영역까지의 길이가 0.5 내지 2㎛가 남도록 제2샘플조각의 일단면이 연마되면 제2샘플조각의 일단면이 평행하게 연마되었는지 여부를 확인하고, 일단면이 평행하게 연마되지 않으면 연마장비의 연마각도 조절부를 이용하여 제2샘플조각의 일단면이 평행하게 연마되도록 제2샘플조각의 연마각도를 조정하는 과정과, When one end surface of the second sample piece is polished such that the length from one end surface of the second sample piece to the region of interest remains 0.5 to 2 μm, it is checked whether one end surface of the second sample piece is polished in parallel and one end surface Adjusting the polishing angle of the second sample piece so that one end surface of the second sample piece is polished in parallel by using the polishing angle adjusting unit of the polishing equipment if the polishing is not performed in parallel; 상기 제2샘플조각의 일단면이 평행하게 제2샘플조각의 일단면에서 관심영역까지의 길이가 0.5 내지 2㎛가 남도록 연마되면 남은 제2샘플조각의 일단면에서 관심영역까지 경면연마를 실시하는 과정으로 이루어지며, When one end surface of the second sample piece is polished in parallel so that the length of one end surface of the second sample piece to the region of interest remains 0.5 to 2 μm, mirror polishing is performed from one end surface of the second sample piece to the region of interest. Process, 상기 제2샘플조각의 일단면에서 관심영역까지의 길이가 0.5 내지 2㎛가 남도록 연마하는 과정에서 바람직하게는 제2샘플조각의 일단면에서 관심영역까지의 길이가 1㎛가 남도록 연마함을 특징으로 하는 투과전자현미경용 시편 제조방법. In the process of polishing so that the length of the second sample piece from the one end surface to the region of interest remains, preferably, the surface from the one end surface of the second sample piece to the region of interest remains 1 μm. Method for producing a specimen for transmission electron microscope. 제1항에 있어서, 상기 제3샘플조각을 형성하고, 제3샘플조각을 왁스를 이용하여 관심영역이 파이렉스(pyrex)에 접하도록 제3샘플조각의 일단면을 제2픽스처에 접착시킨 후 연마장비를 이용하여 제3샘플조각의 길이가 100 내지 300㎛가 될 때까지 제3샘플조각의 타단면을 연마하는 과정은 제2샘플조각의 경면연마가 완료되면 제1픽스처를 세정한 후 제2샘플조각을 제1픽스처에서 분리하는 과정과, The method of claim 1, wherein the third sample piece is formed, and the third sample piece is bonded to one end surface of the third sample piece to the second fixture so that the region of interest contacts the pyrex using wax. Grinding the other end surface of the third sample piece until the length of the third sample piece is 100 to 300 μm by using the equipment is, when the mirror polishing of the second sample piece is completed, the second fixture is cleaned and then the second Separating the sample pieces from the first fixture, 상게 제2샘플조각이 제1픽스처에서 분리되면 쏘잉머신이나 다이아몬드 커터 중 어느 하나를 이용하여 제2샘플조각의 타측면을 절단하여 길이가 1 내지 2㎜가 되는 슬라이스 모양을 가지는 제3샘플조각을 형성하는 과정과, When the second sample piece is separated from the first fixture, a third sample piece having a slice shape having a length of 1 to 2 mm is cut by cutting the other side of the second sample piece using either a sawing machine or a diamond cutter. Forming process, 상기 제2샘플조각이 슬라이스 모양을 가지는 제3샘플조각으로 형성되면 스테레오 스코프(stereo scope)를 이용하여 파이렉스의 일단면과 제3샘플조각의 일측면이 단차가 이루어지지 않도록 확인하면서 왁스(wax)를 이용하여 제3샘플조각의 일단면이 파이렉스(pyrex)에 접하도록 제3샘플조각을 제2픽스처의 밑면에 접착시키는 과정과; When the second sample piece is formed as a third sample piece having a slice shape, wax is used while confirming that one side of the Pyrex and one side of the third sample piece are not formed using a stereo scope. Attaching the third sample piece to the bottom surface of the second fixture such that one end surface of the third sample piece is in contact with a pyrex by using; 상기 제3샘플조각이 제2픽스처에 접착되면 현미경을 이용하여 제3샘플조각의 길이를 측정하는 과정과;Measuring the length of the third sample piece by using a microscope when the third sample piece is attached to the second fixture; 상기 제3샘플조각의 길이가 측정되면 연마장비를 이용하여 제3샘플조각의 길이가 100 내지 300㎛가 될 때까지 제3샘플조각의 타단면을 연마하는 과정으로 이루어지며,When the length of the third sample piece is measured, a process of polishing the other end surface of the third sample piece until the length of the third sample piece is 100 to 300 µm by using a polishing device, 상기 제3샘플조각의 길이가 100 내지 300㎛가 될 때까지 제3샘플조각의 타단면을 연마하는 과정에서 제3샘플조각은 바람직하게는 200㎛가 될 때까지 연마됨을 특징으로 하는 투과전자현미경용 시편 제조방법. In the process of grinding the other end surface of the third sample piece until the length of the third sample piece is 100 to 300㎛, the transmission electron microscope, characterized in that the third sample piece is preferably polished to 200㎛ Method of preparing specimens. 제1항에 있어서, 상기 제3샘플조각의 타단면의 길이가 50 내지 150㎚이하가 될 때까지 경면 연마하여 쐐기 모양의 시편을 형성하는 과정은 제3샘플조각의 길이가 100 내지 300㎛가 되도록 연마되면 연마장비의 연마각도 조절부를 이용하여 제3샘플조각의 타단면의 연마각도를 조절하여 제3샘플조각을 쐐기 모양으로 연마하는 과정과; The process of claim 1, wherein the process of forming the wedge shaped specimen by mirror polishing until the length of the other end surface of the third sample piece is 50 to 150 nm or less has a length of 100 to 300 μm. Polishing the third sample piece in a wedge shape by adjusting the polishing angle of the other end surface of the third sample piece using the polishing angle adjusting unit of the polishing equipment when the polishing step is performed; 상기 제3샘플조각을 쐐기 모양으로 연마 중 연마작업을 정시한 후 현미경을 이용하여 제3샘플조각의 일단면이 평행하게 형성되었는지 여부를 확인하고, 평행하게 형성되지 않으면 연마장비의 연마각도 조절부를 이용하여 제3샘플조각의 연마각도를 조절하는 과정과; After polishing the third sample piece in the shape of a wedge, the polishing operation is determined and a microscope is used to check whether one end surface of the third sample piece is formed in parallel, and if it is not formed in parallel, the polishing angle adjusting unit of the polishing equipment. Adjusting the polishing angle of the third sample piece by using; 상기 제3샘플조각의 타단면이 평행하게 연마되면 제3샘플조각의 타단면의 길이가 50 내지 150㎚이하가 될 때까지 경면 연마하여 쐐기 모양의 시편을 형성하는 과정과;When the other end surface of the third sample piece is polished in parallel, mirror-polishing until the length of the other end surface of the third sample piece is 50 to 150 nm or less to form a wedge shaped specimen; 상기 쐐기 모양의 시편이 형성되면 제2픽스처를 세정한 후 에폭시를 이용하여 그리드(grid)를 쐐기 모양의 시편에 접착하고, 그리드가 부착된 쐐기 모양의 시편을 아세톤을 이용하여 제2픽스처에서 분리하는 과정으로 이루어지며,When the wedge shaped specimen is formed, the second fixture is cleaned, and then a grid is bonded to the wedge shaped specimen using epoxy, and the wedge shaped specimen having the grid attached thereto is separated from the second fixture using acetone. Is a process of 상기 연마장비의 연마각도 조절부를 이용하여 제3샘플조각의 타단면의 연마각도를 조절하여 제3샘플조각을 쐐기 모양으로 연마하는 과정에서 연마각도는 연마각도 조절부를 이용하여 0.5 내지 1°가 되도록 조절하여 제3샘플조각을 쐐기 모양으로 연마하고, 제3샘플조각의 타단면이 평행하게 형성되었는지 여부를 확인하고, 평행하게 형성되지 않으면 연마장비의 연마각도 조절부를 이용하여 제3샘플조각의 연마각도를 조절하는 과정에서 연마 작업의 정시 시간은 8 내지 12초 동안 연마 후 정지하며, 바람직하게는 10초간 연마한 후 정지함을 특징으로 하는 투과전자현미경용 시편 제조방법.In the process of grinding the third sample piece into the wedge shape by adjusting the polishing angle of the other end surface of the third sample piece using the polishing angle adjusting part of the polishing equipment, the polishing angle is 0.5 to 1 ° using the polishing angle adjusting part. Grind the third sample piece into a wedge shape, check whether the other end surface of the third sample piece is formed in parallel, and if it is not formed in parallel, polish the third sample piece using the polishing angle adjusting part of the polishing equipment. The time period of the polishing operation in the process of adjusting the angle is stopped after polishing for 8 to 12 seconds, preferably, the method for producing a specimen for transmission electron microscope, characterized in that the stop after polishing for 10 seconds.
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