KR20080102416A - Plasma display panel and front plate thereof - Google Patents

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KR20080102416A
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마사유끼 와다
후미아끼 요시노
다쯔히꼬 가와사끼
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히다찌 플라즈마 디스플레이 가부시키가이샤
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Abstract

A plasma display panel comprising magnesium oxide film (18) covering electrodes (X,Y) and exposed to discharge gas space (31). The magnesium oxide film (18) contains silicon and calcium as impurities, and the content of impurities in the magnesium oxide film (18) is in the range of 800 to 2050 wt.ppm. By controlling the total amount of silicon and calcium in the film at 800 to 2050 wt.ppm, the discharge starting voltage can be dropped by 20 volts or more.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 전면판{PLASMA DISPLAY PANEL AND FRONT PLATE THEREOF}Plasma display panel and its front panel {PLASMA DISPLAY PANEL AND FRONT PLATE THEREOF}

본 발명은, 전극을 피복하는 산화 마그네슘막을 가진 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 상세하게는 산화 마그네슘막의 개량에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a plasma display panel having a magnesium oxide film covering an electrode, and more particularly, to an improvement of a magnesium oxide film.

AC형의 플라즈마 디스플레이 패널은 전극을 피복하는 절연체를 구비한다. 절연체는 두께 10∼50㎛ 정도의 유전체층과 그 위에 적층된 두께 0.5∼1㎛ 정도의 보호막으로 구성된다. 유전체층은 충분한 양의 벽 전하를 대전시키기 위한 층이다. 보호막은 내스퍼터성이 우수한 재료로 이루어져, 방전 시의 이온 충돌에 의한 유전체층의 열화를 방지한다.AC type plasma display panels have an insulator covering the electrodes. The insulator is composed of a dielectric layer having a thickness of about 10 to 50 μm and a protective film having a thickness of about 0.5 to 1 μm stacked thereon. The dielectric layer is a layer for charging a sufficient amount of wall charge. The protective film is made of a material having excellent sputter resistance, and prevents deterioration of the dielectric layer due to ion collision during discharge.

일반적으로, 보호막은 산화 마그네슘(MgO:마그네시아)로 이루어진다. 산화 마그네슘은 고γ물질이므로, 산화 마그네슘으로 이루어지는 보호막은 이차 전자를 방출하기 쉬운 성질을 갖는다. 이차 전자의 방출에 의해 방전 개시 전압이 내려가 구동 전압 마진이 확대된다.In general, the protective film is made of magnesium oxide (MgO: magnesia). Since magnesium oxide is a high γ material, the protective film made of magnesium oxide has a property of easily emitting secondary electrons. The discharge start voltage is lowered by the emission of secondary electrons, and the driving voltage margin is expanded.

이와 같이 방전 특성에 영향을 미치는 보호막의 조성에 관하여, 실리콘(Si)을 500∼10000ppm의 비율로 함유하는 산화 마그네슘막이, 흑 노이즈라고 불리는 표시 불량의 발생율의 저감에 유효하다고 하는 보고가 일본 특허 제3247632호 공보에 있다.As described above, regarding the composition of the protective film that affects the discharge characteristics, a report that a magnesium oxide film containing silicon (Si) at a ratio of 500 to 10,000 ppm is effective for reducing the incidence of display defects called black noise is made in Japanese Patent. It is in the publication 3247632.

일본 특허 공개 제2003-109511호 공보에서는, 방전 특성을 향상시키는 수단으로서, 산화 마그네슘막에 실리콘을 500∼15000ppm의 비율로 함유시키고, 또한 다른 불순물인 칼륨(K), 칼슘(Ca), 철(Fe) 및 크롬(Cr)의 함유량을 가급적으로 적게 하는 것이 제안되어 있다.In Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-109511, as a means for improving the discharge characteristics, silicon oxide film is contained in a ratio of 500 to 15000 ppm, and other impurities such as potassium (K), calcium (Ca) and iron ( It is proposed to make content of Fe) and chromium (Cr) as small as possible.

한편, 일본 특허 공개 제2005-340206호 공보에서는, 산화 마그네슘막에 칼슘, 알루미늄(Al) 및 실리콘을 도핑하는 것이 제안되어 있다. 바람직한 도핑량으로서, Ca:100∼300ppm, Al:60∼90ppm, Fe:60∼90ppm, Si:40∼100ppm이 개시되어 있다.On the other hand, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2005-340206 proposes doping calcium, aluminum (Al) and silicon into a magnesium oxide film. As preferable doping amount, Ca: 100-300ppm, Al: 60-90ppm, Fe: 60-90ppm, Si: 40-100ppm are disclosed.

특허 문헌 1:일본 특허 제3247632호 공보Patent Document 1: Japanese Patent No. 3247632

특허 문헌 2:일본 특허 공개 제2003-109511호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open No. 2003-109511

특허 문헌 3:일본 특허 공개 제2005-340206호 공보Patent Document 3: Japanese Patent Laid-Open No. 2005-340206

<발명의 개시><Start of invention>

플라즈마 디스플레이 패널의 구동에 관한 과제로서 어드레싱의 고속화가 있다. 보다 고속의 어드레싱이 가능하게 되면, 현상의 어드레스 기간 내에 현상보다도 많은 표시 라인을 주사할 수 있으므로, 화면의 고해상도화를 실현할 수 있다. 또한, 표시 라인을 늘리는 대신에, 어드레싱의 고속화에 의해 소요 시간이 짧아지는 분만큼 서스테인 기간을 연장하면, 표시 방전의 횟수를 늘려 휘도를 높일 수 있다.As a problem related to the driving of the plasma display panel, addressing speed is increased. When faster addressing is possible, more display lines can be scanned than in the developing address period, so that the screen can be made higher in resolution. In addition, instead of increasing the display line, if the sustain period is extended by the time required for the addressing to be shortened, the number of display discharges can be increased to increase the luminance.

어드레싱의 고속화를 도모하는 데 있어서 요망되는 셀 구조는, 어드레스 펄 스의 펄스 폭을 짧게 하여도 어드레스 방전 미스가 발생하지 않는 구조이다. 어드레스 방전 미스는 펄스 인가로부터 방전이 시작될 때까지의 방전 지연 시간이 어드레스 펄스의 펄스 폭보다도 긴 경우에 발생한다. 어드레스 방전 미스의 발생 확률을 저감하기 위해서는, 현상보다도 방전 개시 전압이 낮아 방전이 일어나기 쉬운 셀이 필요하다.The desired cell structure for speeding up the addressing is a structure in which address discharge miss does not occur even if the pulse width of the address pulse is shortened. The address discharge miss occurs when the discharge delay time from the application of the pulse to the start of the discharge is longer than the pulse width of the address pulse. In order to reduce the probability of occurrence of an address discharge miss, a cell in which a discharge start voltage is lower than a phenomenon and which discharge is easy to occur is needed.

본 발명은, 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 방전이 일어나기 쉬운 셀을 갖는 표시 품질의 향상에 유용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제공을 목적으로 하고 있다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a plasma display panel which is useful for improving display quality having cells which are likely to cause discharge.

산화 마그네슘막의 불순물 함유량(이하에서 불순물 농도라고 하는 경우가 있음)과 방전 특성의 관계를 조사한 결과, 불순물로서 실리콘 및 칼슘을 함유하고 이들 함유량의 총합이 800∼2050ppm의 범위 내인 경우에서는 다른 경우와 비교하여 방전 특성이 양호한 것이 판명되었다. 본 발명은 이 사실에 기초하고 있다. As a result of examining the relationship between the impurity content (hereinafter sometimes referred to as impurity concentration) of the magnesium oxide film and the discharge characteristic, it is compared with other cases in the case of containing silicon and calcium as impurities and the total of these contents in the range of 800 to 2050 ppm. It turned out that the discharge characteristic is favorable. The present invention is based on this fact.

상기 목적을 달성하는 플라즈마 디스플레이 패널은 전극을 피복하고 또한 방전 가스 공간에 노출되는 산화 마그네슘막을 갖는다. 상기 산화 마그네슘막은 실리콘 및 칼슘을 불순물로서 함유하고, 그 산화 마그네슘막에서의 상기 불순물의 함유량이 800∼2050ppm이다. 본 명세서에서의 함유량의 단위인 [ppm]은 상세하게는 [중량ppm]이다.A plasma display panel which achieves the above object has a magnesium oxide film which covers the electrode and is exposed to the discharge gas space. The magnesium oxide film contains silicon and calcium as impurities, and the content of the impurities in the magnesium oxide film is 800 to 2050 ppm. [Ppm] which is a unit of content in this specification is [weight ppm] in detail.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 셀 구조의 일례를 도시하는 분해 사시도.1 is an exploded perspective view showing an example of a cell structure of a plasma display panel according to the present invention;

도 2는 실리콘 및 칼슘의 함유량의 총합과 방전 특성의 관계를 도시하는 그래프.2 is a graph showing the relationship between the sum total of the contents of silicon and calcium and the discharge characteristics;

도 3은 칼슘의 함유량과 방전 특성의 관계를 도시하는 그래프.3 is a graph showing the relationship between calcium content and discharge characteristics.

도 4는 실리콘의 함유량과 방전 특성의 관계를 도시하는 그래프.4 is a graph showing the relationship between the content of silicon and discharge characteristics.

<발명을 실시하기 위한 최량의 형태><Best Mode for Carrying Out the Invention>

본 발명은, 방전에 관한 산화 마그네슘막을 가진 각종 플라즈마 디스플레이 패널에 적용할 수 있다. 도 1에 도시한 플라즈마 디스플레이 패널(1)은 일례이다.The present invention can be applied to various plasma display panels having a magnesium oxide film related to discharge. The plasma display panel 1 shown in FIG. 1 is an example.

플라즈마 디스플레이 패널(1)은 전면판(10)과 배면판(20)을 구비한다. 도면에서는 내부 구조를 이해하기 쉽게 하기 위해 전면판(10)과 배면판(20)이 떨어져 있는 것처럼 도시되어 있지만, 실제는 이들은 당접한다. 전면판(10)은 글래스 기판(11), 제1 전극인 표시 전극 X, 제2 전극인 표시 전극 Y, AC 구동을 위한 유전체층(17) 및 유전체층(17)에 대한 스퍼터링을 막는 보호막으로서의 산화 마그네슘막(18)을 구비한다. 배면판(20)은 글래스 기판(21), 제3 전극인 어드레스 전극 A, 유전체층(22), 복수의 격벽(23), 적(R)의 형광체(27), 녹(G)의 형광체(28) 및 청(B)의 형광체(29)를 구비한다.The plasma display panel 1 includes a front plate 10 and a back plate 20. In the figure, the front plate 10 and the back plate 20 are shown separated from each other for easy understanding of the internal structure, but in reality they abut. The front plate 10 includes a glass substrate 11, a display electrode X as a first electrode, a display electrode Y as a second electrode, a dielectric layer 17 for AC driving, and a magnesium oxide as a protective film for preventing sputtering of the dielectric layer 17. Film 18 is provided. The back plate 20 includes a glass substrate 21, an address electrode A serving as a third electrode, a dielectric layer 22, a plurality of partitions 23, phosphors 27 of red (R), phosphors of green (G) 28, and the like. ) And blue (B) phosphor 29.

전면판(10)에서, 표시 전극 X 및 표시 전극 Y는 글래스 기판(11)의 내면에 교대로 또한 등간격으로 배열되어 있다. 이 배열에서의 모든 전극 간극이 면 방전 갭이며, 인접하는 표시 전극 X와 표시 전극 Y가 면 방전을 위한 전극쌍을 구성한다. 이들 표시 전극의 각각은, 굵은 띠 형상으로 패터닝된 투명 도전막(13)과, 가는 띠 형상으로 패터닝된 금속막(버스 도체)(15)으로 구성된다. 또한, 표시 전극 배열의 다른 예로서 매트릭스 표시의 각 행에 독립적으로 제어 가능한 전극쌍을 대응시키는 형식이 있다. 표시 전극 X 및 표시 전극 Y를 피복하는 유전체층(17)은 화면 전체로 퍼지는 두께 30㎛ 정도의 저융점 글래스층이다. 산화 마그네슘막(18)의 상세 내용은 후술한다.In the front plate 10, the display electrodes X and the display electrodes Y are alternately arranged at equal intervals on the inner surface of the glass substrate 11. All electrode gaps in this arrangement are surface discharge gaps, and adjacent display electrodes X and display electrodes Y constitute electrode pairs for surface discharge. Each of these display electrodes is composed of a transparent conductive film 13 patterned in a thick band shape and a metal film (bus conductor) 15 patterned in a thin band shape. In addition, as another example of the display electrode array, there is a form in which an independently controllable electrode pair is associated with each row of the matrix display. The dielectric layer 17 covering the display electrode X and the display electrode Y is a low-melting-point glass layer having a thickness of about 30 μm spreading over the entire screen. Details of the magnesium oxide film 18 will be described later.

배면판(20)에서, 어드레스 전극 A는 셀 배열 피치와 동일한 피치로 배열되어 있고, 표시 전극 X 및 표시 전극 Y와 교차한다. 이들 어드레스 전극 A와 전면판(10)의 표시 전극 Y가 어드레스 방전에 의한 셀 선택을 위한 전극 매트릭스를 구성한다. 격벽(29)은 어드레스 전극 배열의 전극 간극에 배치되어 있다. 격벽(29)에 의해 방전 가스 공간이 매트릭스 표시의 열마다 구획되어, 각 열에 대응한 열 공간(31)이 형성된다. 형광체층(27, 28, 29)은 유전체층(22)의 표면과 격벽(23)의 측면을 덮도록 배치되고, 방전 가스가 발하는 자외선에 의해 여기되어 발광한다.In the back plate 20, the address electrodes A are arranged at the same pitch as the cell arrangement pitch, and intersect with the display electrode X and the display electrode Y. These address electrodes A and the display electrode Y of the front plate 10 constitute an electrode matrix for cell selection by address discharge. The partition 29 is disposed in the electrode gap of the address electrode array. The partition 29 divides the discharge gas space for each column of the matrix display, and a column space 31 corresponding to each column is formed. The phosphor layers 27, 28, and 29 are disposed to cover the surface of the dielectric layer 22 and the side surfaces of the partition walls 23, and are excited and emitted by ultraviolet rays emitted by the discharge gas.

이상의 구성을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널(1)은, 전면판(10) 및 배면판(20)의 각각을 제작하는 공정, 봉착재에 의해 전면판(10)과 배면판(20)의 주변부끼리를 접합하는 공정, 접합에 의해 형성된 내부 공간에 잔류하는 가스를 배기하는 공정 및 배기에 의해 청정화된 내부 공간에 방전 가스를 충전하는 공정에 의해 제조된다.In the plasma display panel 1 having the above-described configuration, the front panel 10 and the back plate 20 are bonded to each other, and the peripheral portions of the front plate 10 and the back plate 20 are joined by a sealing material. And the step of evacuating the gas remaining in the internal space formed by the bonding, and the process of filling the discharge gas into the internal space cleaned by the exhaust.

전면판(10)의 제작 시에, 산화 마그네슘막(18)은 진공 증착법에 의해 형성된다. 진공 증착은 공업적으로 실적이 있어 양산에 적합하다. 여기서 말하는 진공 증착은 이온 플레이팅을 병용하는 증착을 포함한다.In manufacturing the front plate 10, the magnesium oxide film 18 is formed by a vacuum deposition method. Vacuum deposition is industrially well-suited and suitable for mass production. Vacuum vapor deposition here includes vapor deposition which uses ion plating together.

이하, 본 발명의 특징에 따른 산화 마그네슘막(18)의 불순물 농도에 대해서 설명한다.Hereinafter, the impurity concentration of the magnesium oxide film 18 according to the features of the present invention will be described.

방전 특성의 평가를 위한 시료로서, 산화 마그네슘막(18)의 불순물 농도가 상이한 것을 제외하고 동일한 구성을 갖는 복수의 플라즈마 디스플레이 패널(이하, 특성 시료라고 함)을 제조하였다. 이들 특성 시료의 각각의 산화 마그네슘막(18)의 성막에 앞서서, 99.95% 이상의 고순도의 산화 마그네슘 분말에 실리콘의 산화물 및 칼슘의 산화물을 첨가한 분말을 펠릿 형상으로 소결시켰다. 이 요령으로, 산화물의 첨가량이 상이한 복수의 증착 재료를 제작하였다. 이들 증착 재료를 이용하여 반응성 전자 빔 증착법에 의해 두께 약 800㎚의 산화 마그네슘막을 성막하였다.As samples for evaluating the discharge characteristics, a plurality of plasma display panels (hereinafter referred to as characteristic samples) having the same configuration except that the impurity concentrations of the magnesium oxide film 18 were different were manufactured. Prior to the formation of each magnesium oxide film 18 of these characteristic samples, a powder in which silicon oxide and calcium oxide were added to a high purity magnesium oxide powder of at least 99.95% was sintered into pellets. In this way, a plurality of vapor deposition materials having different amounts of oxides were prepared. Using these vapor deposition materials, a magnesium oxide film having a thickness of about 800 nm was formed by a reactive electron beam vapor deposition method.

성막 조건의 범위는 다음과 같다.The range of film formation conditions is as follows.

증착 압력:0.005∼0.15㎩Deposition pressure: 0.005 to 0.15 kPa

기판 온도:100∼300℃ Substrate temperature: 100-300 degreeC

반응 가스:산소Reaction gas: Oxygen

제작된 특성 시료에 구동 회로를 접속하고, 시험용 패턴을 표시시키는 시험을 행하였다. 시험용 패턴은 선택된 표시 라인의 1/3의 셀을 발광시키는 충분히 넓은 라인 간격을 갖는 단색의 스트라이프 패턴이다. 구동 시퀀스는 어드레싱과 그것에 계속되는 서스테인을 포함한다. 어드레싱에서는, 발광할 셀의 표시 전극 Y와 어드레스 전극 Y의 전극 사이에 어드레스 펄스를 인가하고, 그에 의해 벽 전하를 형성하기 위한 어드레스 방전을 일으킨다. 서스테인에서는 모든 셀의 표시 전극 X와 표시 전극 Y의 전극 사이에 서스테인 펄스를 인가한다. 서스테인 펄스는 어드레싱에서 올바르게 벽 전하가 형성된 셀만으로 표시 방전을 발생시킨다. 어드레스 방전 미스가 발생하지 않으면, 서스테인에서 시험용 패턴이 올바르게 표시된다.The drive circuit was connected to the produced characteristic sample, and the test which displays the test pattern was done. The test pattern is a monochromatic stripe pattern with a sufficiently wide line spacing that emits 1/3 of the cells of the selected display line. The drive sequence includes addressing and sustain following it. In addressing, an address pulse is applied between the display electrode Y of the cell to emit light and the electrode of the address electrode Y, thereby causing an address discharge for forming wall charges. In the sustain, a sustain pulse is applied between the display electrodes X of all the cells and the electrodes of the display electrodes Y. The sustain pulse generates display discharges only in cells in which wall charges are correctly formed in addressing. If no address discharge miss occurs, the test pattern is correctly displayed in the sustain.

시험에서는, 어드레스 펄스의 파고값을 서서히 올려, 발광할 셀이 모두 발광한 파고값을 어드레스 방전의 방전 개시 전압으로서 기록하였다. 각 특성 시료에 대해 동일한 시험을 복수회 행하고, 그들 결과의 평균값을 측정값으로 하였다.In the test, the peak value of the address pulse was gradually raised, and the peak value at which all cells to emit light emitted light was recorded as the discharge start voltage of the address discharge. The same test was done multiple times about each characteristic sample, and the average value of these results was made into the measured value.

시험 후, 각 특성 시료를 분해하여 전면판의 중앙 부분으로부터 10㎜×10㎜의 크기의 소편을, 불순물 농도의 평가를 위한 시료(이하, 농도 시료라고 함)로서 잘라내었다.After the test, each characteristic sample was decomposed and a small piece having a size of 10 mm x 10 mm was cut out from the central portion of the front plate as a sample for evaluating impurity concentration (hereinafter referred to as concentration sample).

농도 시료의 산화 마그네슘막(18)의 불순물 농도를 이차 이온 질량 분석계(Secondary Ionization Mass Spectrometer)에 의해 측정하였다.The impurity concentration of the magnesium oxide film 18 of the concentration sample was measured by a secondary ion mass spectrometer.

상기 시험 및 측정에 의해 도 2에 도시한 결과를 얻었다. 도 2의 그래프의 횡축은 불순물인 실리콘 및 칼슘의 농도의 합(불순물 총량)에 대응하고, 종축은 비교예와의 방전 개시 전압의 차에 대응한다. 여기서의 비교예는, 상기 고순도의 산화 마그네슘 분말로 이루어지는 증착 재료를 이용하여 성막된 불순물이 첨가되어 있지 않은 산화 마그네슘막을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널이다.The test and measurement resulted in the results shown in FIG. 2. The horizontal axis of the graph of FIG. 2 corresponds to the sum (concentration total amount) of the concentrations of silicon and calcium as impurities, and the vertical axis corresponds to the difference between the discharge start voltage and the comparative example. The comparative example here is a plasma display panel having a magnesium oxide film to which impurities formed by using a vapor deposition material made of the above high purity magnesium oxide powder are not added.

도 2에서, 예를 들면 불순물 총량이 800ppm인 경우의 방전 개시 전압은 비교예의 방전 개시 전압과 비교하여 약 23볼트 낮다. 도 2로부터는, 불순물 총량을 800∼2050ppm으로 제어함으로써, 방전 개시 전압이 20볼트 이상 낮아진다고 하는 방전 특성의 현저한 개선 효과가 얻어지는 것을 알 수 있다. In Fig. 2, for example, the discharge start voltage when the total amount of impurities is 800 ppm is about 23 volts lower than that of the comparative example. 2 shows that by controlling the total amount of impurities to 800 to 2050 ppm, a remarkable improvement effect of the discharge characteristics such that the discharge start voltage is lowered by 20 volts or more is obtained.

도 3은 실리콘 농도를 490ppm으로 하고 칼슘 농도를 10∼1000ppm의 범위에서 변화시킨 경우의 농도와 방전 개시 전압의 관계를 도시한다. 칼슘 농도를 10ppm으로 한 경우에 비해, 500ppm 이상으로 한 경우에는 방전 개시 전압이 약 10볼트 낮다. 도 3에서는 방전 특성을 개선하기 위해서는, 임의의 양 이상의 칼슘의 첨가가 필요한 것을 알 수 있다. 3 shows the relationship between the concentration and the discharge start voltage when the silicon concentration is 490 ppm and the calcium concentration is changed in the range of 10 to 1000 ppm. The discharge start voltage is about 10 volts lower when the calcium concentration is 10 ppm or more when the calcium concentration is 10 ppm or more. In FIG. 3, it is understood that addition of an amount of calcium or more is required in order to improve discharge characteristics.

도 4는 칼슘 농도를 500ppm으로 하고 실리콘 농도를 250∼1100ppm 정도의 범위에서 변화시킨 경우의 농도와 방전 개시 전압의 관계를 도시한다. 도 4로부터는, 실리콘 농도를 400∼1050ppm으로 제어함으로써, 방전 개시 전압이 20볼트 이상 낮아진다고 하는 방전 특성의 현저한 개선 효과가 얻어지는 것을 알 수 있다. 실리콘 농도가 400ppm 이하인 경우 및 1050ppm 이상인 경우에는 충분한 개선 효과는 얻어지지 않는다. Fig. 4 shows the relationship between the concentration and the discharge start voltage when the calcium concentration is 500 ppm and the silicon concentration is changed in the range of about 250 to 1100 ppm. From FIG. 4, it can be seen that by controlling the silicon concentration to 400 to 1050 ppm, a remarkable improvement effect of the discharge characteristics such that the discharge start voltage is lowered by 20 volts or more is obtained. When the silicon concentration is 400 ppm or less and 1050 ppm or more, a sufficient improvement effect is not obtained.

이상의 실시 형태에서, 플라즈마 디스플레이 패널(1)의 구성은 본 발명의 주지를 따르는 범위 내에서 적절히 변경할 수 있다. 산화 마그네슘막(18)의 두께는 500㎚ 이상, 예를 들면 500∼1000nm로 된다. 유전체층(17)은 소성 글래스에 한하지 않고, 기상 성장막이어도 된다. 격벽(23) 대신에 메쉬 패턴의 격벽을 채용할 수 있다.In the above embodiment, the configuration of the plasma display panel 1 can be appropriately changed within the scope of the present invention. The thickness of the magnesium oxide film 18 is 500 nm or more, for example, 500-1000 nm. The dielectric layer 17 is not limited to calcined glass, and may be a vapor phase growth film. Instead of the partition 23, a partition of a mesh pattern can be employed.

본 발명은, 플라즈마 디스플레이 패널의 성능의 향상에 공헌한다.This invention contributes to the improvement of the performance of a plasma display panel.

Claims (5)

전극을 피복하고 또한 방전 가스 공간에 노출되는 산화 마그네슘막을 가진 플라즈마 디스플레이 패널로서, A plasma display panel having a magnesium oxide film covering an electrode and exposed to a discharge gas space, 상기 산화 마그네슘막은 실리콘 및 칼슘을 불순물로서 함유하고, 불순물 함유량이 800∼2050ppm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.And said magnesium oxide film contains silicon and calcium as impurities and has an impurity content of 800 to 2050 ppm. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 산화 마그네슘막에서의 칼슘의 함유량이 400∼1000ppm인 플라즈마 디스플레이 패널.A plasma display panel having a calcium content of 400 to 1000 ppm in the magnesium oxide film. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 산화 마그네슘막에서의 실리콘의 함유량이 400∼1050ppm인 플라즈마 디스플레이 패널.A plasma display panel, wherein the content of silicon in the magnesium oxide film is 400 to 1050 ppm. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 산화 마그네슘막은 진공 증착막인 플라즈마 디스플레이 패널.And said magnesium oxide film is a vacuum deposition film. 플라즈마 디스플레이 패널의 전면판으로서, As the front panel of the plasma display panel, 글래스 기판과, 상기 글래스 기판 위에 배열된 전극과, 상기 전극을 피복하 는 유전체층과, 상기 유전체층에 적층된 산화 마그네슘막을 갖고, A glass substrate, an electrode arranged on the glass substrate, a dielectric layer covering the electrode, and a magnesium oxide film laminated on the dielectric layer, 상기 산화 마그네슘막은 실리콘 및 칼슘을 함유하고, 실리콘의 함유량은 400∼1050ppm이며, 칼슘의 함유량은 400∼1000ppm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면판.The magnesium oxide film contains silicon and calcium, the silicon content is 400-1050ppm, and the calcium content is 400-1000ppm.
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