KR20080101317A - 기판 처리 시스템 및 방법 - Google Patents

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KR20080101317A
KR20080101317A KR1020070047919A KR20070047919A KR20080101317A KR 20080101317 A KR20080101317 A KR 20080101317A KR 1020070047919 A KR1020070047919 A KR 1020070047919A KR 20070047919 A KR20070047919 A KR 20070047919A KR 20080101317 A KR20080101317 A KR 20080101317A
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Abstract

본 발명은 복수 매의 기판들을 연속적으로 공정 챔버로 로딩/언로딩하여 처리할 수 있는 기판 처리 시스템에 관한 것으로, 기판 처리 시스템은 제1 기판 출입구와, 적어도 하나의 기판 지지부와 상기 기판 지지부와 대향되게 배치되는 플라즈마 소스부를 포함하는 공정 챔버; 및 상기 공정 챔버의 내부에 설치되며, 상기 제1 기판 출입구와 상기 기판 지지부 사이에서 기판을 전달하는 제1 반송 장치를 포함한다.
기판, 반송, 챔버, 장벽

Description

기판 처리 시스템 및 방법{METHOD AND SYSTEM FOR SUBSTRATE PROCESSING}
본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 시스템의 전체 구성을 보여주는 도면이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 기판 처리 시스템에서 공정 챔버 내부를 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 전체 구성을 보여주는 도면이다.
도 5는 공정 챔버에 설치되는 플라즈마 감금 장벽을 보여주는 도면이다.
도 6 및 도 7은 플라즈마 감금 장벽이 대기 위치와 격리 위치로 동작된 상태를 보여주는 도면들이다.
도 8 및 도 9는 플라즈마 감금 장벽이 공정 챔버 상부에 설치된 예를 보여주는 도면들이다.
도 10 및 도 11은 2개의 플라즈마 감금 장벽이 공정 챔버 상부와 하부가 각각 설치된 예를 보여주는 도면들이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 전체 구성을 보여 주는 도면이다.
도 13 및 도 14는 장벽 부재가 대기 위치와 격리 위치로 동작된 상태를 보여주는 도면들이다.
도 15 및 도 16은 격벽에 전자석 또는 유도 코일이 설치된 예를 보여주는 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100: 인덱스 110 : 대기압 반송 로봇
120 : 캐리어 200 : 공정 챔버
210 : 기판 지지부 300 : 트랜스퍼 챔버
400 : 플라즈마 감금 장벽 400c : 장벽 부재
500 : 플라즈마 소스부 600 : 제1 반송 장치
본 발명은 기판 처리 시스템에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 복수 매의 기판들을 연속적으로 공정 챔버로 로딩/언로딩하여 처리할 수 있는 기판 처리 시스템 및 그 기판 처리 방법에 관한 것이다.
최근, 액정 디스플레이 장치, 플라즈마 디스플레이 장치, 반도체 장치들의 제조를 위한 기판 처리 시스템들은 복수 매의 기판을 일관해서 처리할 수 있는 클러스터 시스템이 일반적으로 채용되고 있다.
일반적으로, 클러스터(cluster) 시스템은 반송 로봇(또는 핸들러; handler)과 그 주위에 마련된 복수의 기판 처리 모듈을 포함하는 멀티 챔버형 기판 처리 시스템을 지칭한다.
클러스터 시스템은 반송실(transfer chamber)과 반송실내에 회동이 자유롭게 마련된 반송 로봇을 구비한다. 반송실의 각 변에는 기판의 처리 공정을 수행하기 위한 공정 챔버가 장착된다. 이와 같은 클러스터 시스템은 복수개의 기판을 동시에 처리하거나 또는 여러 공정을 연속해서 진행 할 수 있도록 함으로 기판 처리량을 높이고 있다. 기판 처리량을 높이기 위한 또 다른 노력으로는 하나의 공정 챔버에서 복수 매의 기판을 동시에 처리하도록 하여 시간당 기판 처리량을 높이도록 하고 있다.
그런데, 공정 챔버가 복수 매의 기판을 동시(또는 연속적으로)에 처리하더라도 공정 챔버에 처리 전후의 기판들이 효율적으로 교환되지 못하는 경우 시간적 손실이 발생하게 된다.
또한, 통상적인 클러스터 시스템은 6각형의 반송실을 구성하는 데 있어서(기본적으로 4개의 공정 챔버와 2개의 로드 락 챔버로 구성되는 경우), 반송실이 차지하는 면적 때문에 시스템전체의 면적은 물론, 제조 라인 내의 시스템배치에 있어서 중시되는 시스템 폭이 필요이상으로 증가되고, 반송실을 진공상태로 유지시키는 데 필요한 진공시스템의 규모가 증가되어 장치비 및 설치비가 증가하게 된다. 또한, 이러한 반송실의 면적은, 설치되는 공정챔버의 개수가 증가함에 따라서 더욱 가중된다. 또한, 공정 챔버 내부에서 복수 매의 기판을 처리하더라도, 인접한 기판 간 의 상호 플라즈마 간섭(공정 간섭)이 발생된다.
그럼으로 복수 매의 기판을 처리하는 공정 챔버에서 복수 매의 기판을 동시(또는 연속적으로)에 상호 플라즈마 간섭 없이 처리하는 것과 더불어 처리 전후의 기판들을 보다 효율적으로 교환할 수 있는 기판 처리 시스템이 요구되고 있다.
본 발명은 동일 개수의 프로세스 챔버를 구비하면서도 반도체 처리 장치가 평면상에 차지하는 면적을 획기적으로 감소시킬 수 있는 기판 처리 시스템 및 그 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 반도체 제조 공장 내의 공간상 레이아웃을 효율적으로 이용할 수 있는 기판 처리 시스템 및 그 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 불필요한 진공면적을 축소함으로써 장치비 및 설치비를 최소화할 수 있는 기판 처리 시스템 및 그 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 하나의 트랜스퍼 로봇에 대응하는 처리모듈의 개수를 줄여 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판 처리 시스템 및 그 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 효율적으로 기판을 처리할 수 있는 구조를 가지는 기판 반송 장치를 갖는 기판 처리 시스템 및 그 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 반송 시간을 감소시켜 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 반송 장치를 갖는 기판 처리 시스템 및 그 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 작은 구동 면적을 가지는 기판 반송 장치를 갖는 기판 처리 시스템 및 그 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 구조를 가지는 기판 처리 시스템 및 그 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정 챔버의 가동률을 향상시킬 수 있는 구조를 가지는 기판 처리 시스템 및 그 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 복수의 기판 지지부를 갖는 공정 챔버에서 기판 지지부들간의 상호 공정 간섭을 방지할 수 있는 기판 처리 시스템 및 그 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 기판 처리 시스템은 제1 기판 출입구와, 적어도 하나의 기판 지지부와 상기 기판 지지부와 대향되게 배치되는 플라즈마 소스부를 포함하는 공정 챔버; 및 상기 공정 챔버의 내부에 설치되며, 상기 제1 기판 출입구와 상기 기판 지지부 사이에서 기판을 전달하는 제1 반송 장치를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 반송 장치는 상기 트랜스퍼 챔버의 제2 반송 장치로부터 상기 공정 챔버의 대기 위치로 제공되는 복수의 기판들을 동시에 인계 받아 상기 공정 챔버에 설치된 복수의 기판 지지부들 상부로 이송하도록 펼쳐지는 그리고 상기 기판 지지부들 상부에서 각각 기판들을 인계받아 상기 공정 챔버의 대기 위치로 기판들을 이송하도록 접혀진다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 시스템은 상기 제1 기판 출입구에 연결되고, 제2 기판 출입구가 개설된 트랜스퍼 챔버; 및 상기 트랜스퍼 챔버에 설치되며, 상기 제1 기판 출입구와 상기 제2기판 출입구 사이에서 기판을 전달하는 제2 반송 장치를 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 반송 장치는 상기 제2 기판 출입구를 사이에 두고 양편으로 대칭되게 설치되는 제1 및 제2 반송부를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 시스템은 공정 진행시 기판이 놓여지는 상기 기판 지지부와 상기 플라즈마 소스부 사이의 플라즈마 처리 공간을 그 주변 공간으로부터 격리(밀폐)시키기 위해 상기 플라즈마 처리 공간을 둘러싸는(감싸는) 플라즈마 감금 장벽을 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 시스템은 상기 플라즈마 감금 장벽에 의해 격리된 상기 플라즈마 처리 공간을 상기 공정 챔버의 내부 압력과는 독립적으로 진공 제어하는 제1 진공 펌프 부재를 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 시스템은 상기 공정 챔버의 내부 압력을 제어하는 제2진공 펌프 부재를 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 감금 장벽은 상기 기판 지지부에/로부터 기판이 로딩/언로딩될 수 있도록 상기 기판 지지부의 주변을 개방할 수 있는 위치 에서 대기한다.
일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 감금 장벽은 상기 공정 챔버의 일면을 관통하여 설치되며, 상기 기판 지지부가 수용될 수 있는 개구를 갖는 관 형상의 격벽; 상기 격벽을 대기 위치 또는 격리 위치로 이동시키기 위한 구동부를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 공정 챔버는 상기 일면과 대응되는 타면에 상기 격벽이 대기 위치에서 격리 위치로 이동되었을 때 상기 격벽의 끝단이 삽입되는 삽입홈을 갖는다.
일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 감금 장벽은 상기 구동부와 연결되며 상기 격벽을 지지하는 지지링을 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 감금 장벽은 상기 격벽을 둘러싸며, 상기 격벽이 관통되는 상기 공정 챔버의 관통홀을 통해 진공이 누설되는 것을 방지하는 벨로우즈를 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 공정 챔버의 일면은 상기 기판 지지부가 위치하는 바닥면이고, 상기 플라즈마 감금 장벽은 상기 바닥면에 설치된다.
일 실시예에 있어서, 상기 공정 챔버의 일면은 상기 기판 지지부와 마주하는 플라즈마 소스부가 설치되는 상면이고, 상기 플라즈마 감금 장벽은 상기 공정 챔버의 상면에 설치된다.
일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 감금 장벽은 상기 공정 챔버의 일면과, 상기 일면과 마주하는 타면에 서로 대응되게 설치된다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 시스템은 상기 제1 반송 장치가 대기하 는 공간을 그 주변 공간으로부터 격리(밀폐)시키기 위해 상기 제1 반송 장치의 대기 공간을 둘러싸는(감싸는) 장벽 부재를 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 시스템은 상기 장벽 부재에 의해 격리된 상기 제1 반송 장치가 대기하는 공간을 상기 공정 챔버의 내부 압력과는 독립적으로 진공 제어하기 위한 제1 진공 펌프 부재를 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 진공 펌프 부재는 상기 장벽 부재에 의해 격리된 상기 제1 반송 장치가 대기하는 공간을 제2기압(로드락 챔버와 동일한 기압)에서 제1기압(공정 챔버의 내부와 동일한 기압) 또는 제1기압에서 제2기압으로 전환시킨다. 여기서, 제2기압은 대기압이고 제1기압은 진공인 것이 바람직하다.
일 실시예에 있어서, 상기 장벽 부재는 상기 기판 지지부에/로부터 기판이 로딩/언로딩될 수 있도록 제1 반송 장치의 기판 반송 높이보다 낮은 위치에서 대기한다.
일 실시예에 있어서, 상기 장벽 부재는 상기 공정 챔버의 일면을 관통하여 설치되며, 상기 제1 반송 장치가 수용될 수 있는 개구를 갖는 관 형상의 격벽; 상기 격벽을 대기 위치 또는 격리 위치로 이동시키기 위한 구동부를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 공정 챔버는 상기 일면과 대응되는 타면에 상기 격벽이 대기 위치에서 격리 위치로 이동되었을 때 상기 격벽의 끝단이 삽입되는 삽입홈을 갖는다.
일 실시예에 있어서, 상기 장벽 부재는 상기 구동부와 연결되며 상기 격벽을 지지하는 지지링과; 상기 격벽을 둘러싸며, 상기 격벽이 관통되는 상기 공정 챔버 의 관통홀을 통해 진공이 누설되는 것을 방지하는 벨로우즈를 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 공정 챔버의 일면은 상기 제1 반송 장치가 위치하는 바닥면이고, 상기 장벽 부재는 상기 바닥면에 설치된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판 출입구에 연결되고, 인덱스와 상기 트랜스퍼 챔버 사이에서 기판 반송을 담당하는 대기압 반송 로봇을 갖는 로드락 챔버를 더 포함한다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 기판 처리 시스템은 제1 기판 출입구와, 적어도 하나의 기판 지지부와 상기 기판 지지부와 대향되게 배치되는 플라즈마 소스부를 포함하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내부에 설치되며, 상기 제1 기판 출입구와 상기 기판 지지부 사이에서 기판을 전달하는 제1 반송 장치; 공정 진행시 기판이 놓여지는 상기 기판 지지부와 상기 플라즈마 소스부 사이의 플라즈마 처리 공간을 그 주변 공간으로부터 격리(밀폐)시키기 위해 상기 플라즈마 처리 공간을 둘러싸는(감싸는) 플라즈마 감금 장벽을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 처리 시스템은 상기 제1 반송 장치가 대기하는 공간을 그 주변 공간으로부터 격리(밀폐)시키기 위해 상기 제1 반송 장치의 대기 공간을 둘러싸는(감싸는) 장벽 부재를 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 감금 장벽에 의해 격리된 상기 플라즈마 처리 공간은 상기 공정 챔버의 내부 압력과는 독립적으로 압력이 제어된다.
일 실시예에 있어서, 상기 장벽 부재에 의해 격리된 상기 제1 반송 장치가 대기하는 공간은 제2기압(로드락 챔버와 동일한 기압)에서 제1기압(공정 챔버의 내 부와 동일한 기압) 또는 제1기압에서 제2기압으로 압력이 제어된다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 기판 처리 시스템에서의 기판 처리 방법은 공정 챔버의 기판 출입구를 통해 기판들이 반입되면, 공정 챔버에 설치된 제1반송장치가 반입된 기판들을 공정 챔버 내부에 설치된 복수의 기판 지지부들 각각으로 로딩하고, 기판 지지부들 각각에 기판이 놓여지면, 상기 기판 지지부와 마주하는 플라즈마 소스부 사이의 플라즈마 처리 공간을 그 주변 공간으로부터 격리시키기 위해 상기 기판 지지부와 상기 플라즈마 소스부를 제1 격벽으로 둘러싼 후 공정을 진행한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 격벽에 의해 격리된 상기 플라즈마 처리 공간의 압력은 상기 공정 챔버의 내부 압력과는 독립적으로 제어된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 반송 장치가 상기 기판 지지부 각각으로 기판들을 로딩할 때, 상기 제1 격벽은 상기 기판 지지부 주변을 개방할 수 있는 위치에서 대기한다.
일 실시예에 있어서, 상기 공정 챔버의 기판 출입구를 통해 기판들이 반입될 때, 상기 제1 반송 장치가 대기하는 공간은 제2 격벽에 의해 그 주변 공간으로부터 격리(밀폐)된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 격벽에 의해 격리된 상기 제1 반송 장치의 대기 공간의 압력은 상기 공정 챔버의 내부 압력과는 독립적으로 제어된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 격벽에 의해 격리된 상기 제1 반송 장치의 대기 공간의 압력은 기판 반입/반출을 위해 진공(공정 챔버의 내부와 동일한 제1기 압) 에서 로드락 챔버와 동일한 제2기압(대기압)으로 전환되고, 기판 반입/반출이 완료되면 대기압에서 진공으로 전환된다.
예컨대, 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 기판 처리 시스템을 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.
본 발명의 기본적인 의도는 바닥면적이 작은 기판 처리 시스템을 제공한다. 또한, 복수매의 기판 처리 능력을 구비한 기판 처리 시스템을 제공한다. 또한, 복수매의 기판을 처리할 때에는 기판 상호간의 공정 간섭을 방지할 수 있는 독립 공간을 제공하는 기판 처리 시스템을 제공한다. 또한, 효율적인 기판 교환 방식에 기반하여 보다 많은 매수의 기판을 동시에 처리할 수 있는 기판 처리 시스템을 제공 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 시스템의 전체 구성을 보여주는 도면이다. 도 2 및 도 3은 도 1의 기판 처리 시스템에서 공정 챔버 내부를 보여주는 단면도이다.
도면들을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 시스템(10)은 후방에 복수의 기판 지지부(210)가 설치된 공정 챔버(200)가 구비되고, 그 앞단으로 트랜스퍼 챔버(300)가 설치된다. 기판 처리 시스템(10)의 전방에는 캐리어(120)가 장착되는 인덱스(100)가 구비되며, 인덱스(100)와 트랜스퍼 챔버(300) 사이에는 로드 락 챔버(130)가 구비된다.
인덱스(100)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, 이하 EFEM)이라고도 하며 때로는 로드 락 챔버를 포괄하여 명칭 된다. 로드락 챔버(130) 또는 트랜스퍼 챔버(300)에는 필요에 따라 처리 후 기판을 냉각하기 위한 냉각 챔버(미도시됨)가 구비될 수 있다. 또는 트랜스퍼 챔버(300)가 냉각 처리 기능을 수행하도록 한다면, 별도의 냉각 챔버는 생략될 수도 있을 것이다. 공정 챔버(200)로 진행하는 기판에 대한 예열이 필요한 경우에도 별도의 예열 챔버를 구비하도록 할 수 있으며, 냉각 챔버 또는 트랜스퍼 챔버(300)가 예열 기능을 수행하도록 한다면 별도로 구비치 않을 수도 있다.
트랜스퍼 챔버(300)와 공정 챔버(200) 사이로 제1 기판 출입구(202)가 개설되어 있으며, 트랜스퍼 챔버(300)와 로드락 챔버(130) 사이에는 제2 기판 출입구(302)가 개설되어 있다. 제1 및 제2 기판 출입구(202, 302)는 각각 슬릿 밸브 (미도시)에 의해 개폐 작동된다.
로드 락 챔버(130)는 대기압에서 동작되는 대기압 반송 로봇(110)이 구비된다. 대기압 반송 로봇(110)은 트랜스퍼 챔버(300)와 캐리어(120) 사이에서 기판 이송을 담당하며 회동, 승강 및 하강이 가능하다. 대기압 반송 로봇(110)은 캐리어(120)로부터 일회 동작에 5장의 기판(W)을 반출하여 트랜스퍼 챔버(300)로 반입할 수 있다.
이를 위하여 대기압 반송 로봇(110)은 동시에 5장의 처리 전 기판과 5장의 처리 후 기판을 동시에 교환할 수 있도록 총 10개의 앤드 이펙터를 각각 구비한 더블 암 구조를 갖는 로봇으로 구성될 수 있다. 또는, 적어도 다섯 개의 엔드 이펙터(end effector)를 구비한 싱글 암 구조의 로봇을 사용할 수도 있다. 이와 같이 대기압 반송 로봇(110)은 본 실시예에서 보여주는 더블 암 또는 싱글 암 구조의 방식 이외에도 통상적인 반도체 제조 공정에서 사용되는 다양한 로봇들이 사용될 수 있다.
공정 챔버(200)에는 5개의 기판 지지부(210)가 방사형으로 배치되고 그 중심부에 제1 반송 장치(600)가 배치된다. 제1 반송 장치(600)는 10개의 회전 플레이트 암(810)을 갖으며, 다섯 개의 기판 지지부(210)는 회전 플레이트 암(810)들이 회전하는 경로 상에 배치된다. 공정 챔버(200)는 소정의 플라즈마 처리 공정을 수행하기 위한 진공 챔버로서, 플라즈마 소스(500)가 구비된다. 공정 챔버(200)는 다양한 기판 프로세싱 작동들을 수행하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 포토 레지스트를 제거하기 위해서 플라즈마를 이용하여 포토 레지스트를 제거하는 애 싱(ashing) 챔버일 수 있고, 절연막을 증착시키도록 구성된 CVD(Chemical Vapor Deposition) 챔버일 수 있고, 인터커넥트 구조들을 형성하기 위해 절연막에 애퍼쳐(aperture)들이나 개구들을 에치하도록 구성된 에치 챔버일 수 있다. 또는 장벽(barrier) 막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있으며, 금속막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있다.
본 기판 처리 시스템에서 처리되는 피 처리 기판(W)은 대표적으로 반도체 회로를 제조하기 위한 웨이퍼 기판이거나 액정 디스플레이를 제조하기 위한 유리 기판이다. 본 기판 처리 시스템의 도시된 구성 외에도 집적 회로 또는 칩의 완전한 제조에 요구되는 모든 프로세스를 수행하기 위해 다수의 프로세싱 시스템들이 요구될 수 있다. 그러나 본 발명의 명확한 설명을 위하여 통상적인 구성이나 당업자 수준에서 이해될 수 있는 구성들은 생략하였다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(200)에 설치된 제1 반송 장치(600)는 엔드 이펙터(611)를 갖고 회동되는 복수개의 회전 플레이트 암(610)을 구비한다. 예컨대, 제1 반송 장치(600)는 복수의 회전 플레이트 암(612,614)이 개별적으로 회전될 수 있도록 복수의 구동부와 각각의 구동부에 연결되는 복수의 스핀들을 가질 수도 있다. 이 실시예에서는 10개의 회전 플레이트 암(610)을 구비한다. 그러나, 회전 플레이트 암(610)의 개수는 공정 챔버(200)에 구비되는 기판 지지부(210)의 개수와 동일하게 구비되거나 또는 적어도 하나 이상 구비될 수 있으며, 이 경우 기판의 로딩/언로딩 시간이 상대적으로 길어질 수 있다. 회전 플레이트 암(610)은 하나의 스핀들(620)에 장착되어 회동 및 승하강 된다. 스핀들(620) 은 구동부(630)에 연결된다. 구동부(630)는 회전 플레이트 암(610)의 회전과 승/하강을 위한 구동력을 제공한다. 도면에는 구체적으로 도시하지 않았으나, 구동부(630)는 구동력을 발생하는 전기 모터와 발생된 구동력을 스핀들(620)로 전달하여 다수의 회전 플레이트 암(610)들이 원하는 동작을 수행하도록 하는 기어 어셈블리가 포함된다.
10개의 회전 플레이트 암(610)에서 5개는 기판을 제2 반송 장치(700)로부터 인계받아 기판 지지부(210)들 상부로 반송하기 위한 로딩 용도로 사용되고, 나머지 5개는 기판 지지부(210)로부터 기판을 인계받아 대기 위치에서 제2 반송 장치(700)로 인계하기 위한 언로딩 용도로 사용된다.
다시 도 1을 참조하면, 10개의 회전 플레이트 암(610)은 12시,10시 그리고 8시 방향에 위치하는 기판 지지부(210) 각각으로 기판을 로딩/언로딩하기 위해 좌측 방향(X1 방향)으로 펼쳐지는 6개의 제1 회전 플레이트 암과, 2시 그리고 4시 방향에 위치하는 기판 지지부(210) 각각으로 기판을 로딩/언로딩하기 위해 우측 방향(X2)방향으로 펼쳐지는 4개의 제2 회전 플레이트 암을 포함한다. 제1 및 제2 회전 플레이트 암은 교대적으로 배열된다. 그러나 순차적으로 배열되어도 무방하다. 도 2에 도시된 바와 같이, 회전 플레이트 암(610)들은 다시 로딩용 암(612)과 언로딩 암(614)으로 구분될 수 있다. 이때, 언로딩용 암(614)은 로딩용 암(612) 보다 낮게 배열되는 것이 바람직하다. 로딩용 암(612)과 언로딩용 암(614)은 각기 쌍을 이루게 되며, 일 실시예에서는 도시된 바와 같이 전체적으로 5쌍을 이루는 10개의 회전 플레이트 암이 구비된다. 복수의 회전 플레이트 암(610)은 도 1에서 도시된 바와 같이, 2,4,8,10,12 방향(부채꼴 형상)으로 펼쳐지도록 동작하며 회전 및 승강과 하강이 가능하다. 로딩용 암(612)과 언로딩용 암(614)들은 쌍을 이루어 동작한다.
도면에는 구체적으로 도시하지 않았으나, 구동부(630)는 회전력을 발생하는 전기 모터와 발생된 회전력을 스핀들(620)로 전달하여 다수의 회전 플레이트 암(610)들이 원하는 동작을 수행하도록 하는 기어 어셈블리가 포함된다. 그럼으로 다수의 회전 플레이트 암(610)들은 스핀들(620)에 장착되어, 도 1에 도시된 바와 같이, 서로 다른 회전 반경을 갖고 공정 챔버(200)의 제1출입구(202)를 마주보는 대기 위치(6시 방향)에서 좌우 방향으로 펼쳐지고 접혀지는 동작을 수행한다. 한편, 도 3에서와 같이 공정 챔버(200)에서 공정이 진행될 때 제1 반송 장치(600)는 기판 상부의 플라즈마 처리 영역으로부터 가능한 벗어나도록 기판 지지부(210)에 놓여지는 기판보다 낮게 위치됨으로써 되는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명에서는 제1 반송 장치(600)가 하나의 스핀들을 갖는 것으로 설명되었으나, 양측으로 각각 분리되어 반송 장치가 설치될 수 있다. 도면에 도시하지는 않았지만, 제1 반송 장치(600)는 로딩용 암과 언로딩용 암이 각기 분리되어 장착되는 상부와 하부로 독립된 스핀들과 이를 구동하는 상부와 하부로 분리 설치된 구동부를 구비할 수 도 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 트랜스퍼 챔버(300)에 설치된 제2 반송 장치(700)는 제2 기판 출입구(302)를 사이에 두고 양편으로 대칭되게 설치되는 제1 및 제2 반송부(700a, 700b)를 구비한다. 제1 및 제2 반송부(700a, 700b)는 각기 회전력을 제공하는 구동부, 구동부에 연결되는 스핀들, 그리고 스핀들에 연결되는 회전 플레이트 암(710)을 갖는다. 회전 플레이트 암(710)은 복수개의 엔드 이펙터를 갖는데 이 실시예에서는 5개가 구비된다. 5개의 엔드 이펙터는 플레이트 암(710)의 끝단에 장착되고, 회전 플레이트 암(710)의 다른 끝단은 스핀들에 연결된다. 5개의 엔드 이펙터는 대기압 반송 로봇(110)의 엔드 이펙터가 간섭되지 않고 진입할 수 있도록 턱지게 진입 통로가 마련될 수 있다.
좀 더 유연한 기판의 인수인계를 위하여 회전 플레이트 암(710)의 끝단에서 5개의 엔드 이펙터가 회동 가능한 구조를 갖도록 할 수도 있다. 이 실시예에서 두 개의 제1 및 제2 반송부(700a, 700b)를 사용하여 로딩/언로딩을 분할하여 담당하도록 하고 있으나 어느 하나만을 사용하여 순차적으로 로딩과 언로딩 동작을 수행하도록 담당하도록 할 수도 있다. 또는 10개의 엔드 이펙터를 하나의 플레이트 암에 장착하는 구조로의 변형도 가능하다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 전체 구성을 보여주는 도면이고, 도 5는 공정 챔버에 설치되는 플라즈마 감금 장벽을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 6 및 도 7은 플라즈마 감금 장벽이 대기 위치와 격리 위치로 동작된 상태를 보여주는 도면들이다.
도 4를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 시스템(10a)은 5개의 기판 지지부(210)와, 5개의 플라즈마 감금 장벽(400) 그리고 제1 반송 장치(600)가 제공되는 공정 챔버(200)가 배치되고, 그 앞단으로 로드락 챔버(130)가 배치되며, 기판 처리 시스템(10a)의 전방에는 캐리어(120)가 장착되는 인덱스(100) 가 배치된다. 그리고, 기판 처리 시스템(10a)은 플라즈마 감금 장벽(400)에 의해 제공되는 플라즈마 처리 공간(b)의 압력을 제어하는 제1진공 펌프 부재(810)와, 공정 챔버(200) 내부 압력을 제어하는 제2진공 펌프 부재(820)를 포함한다.
인덱스(100)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, 이하 EFEM)이라고도 하며 때로는 로드 락 챔버(130)를 포괄하여 명칭 된다. 로드락 챔버(130)에는 필요에 따라 처리 후 기판을 냉각하기 위한 냉각 챔버(미도시됨)가 구비될 수 있다. 공정 챔버(200)로 진행하는 기판에 대한 예열이 필요한 경우에도 별도의 예열 챔버를 구비하도록 할 수도 있다.
로드락 챔버(130)와 공정 챔버(200) 사이로 제1 기판 출입구(202)가 개설되어 있으며, 제1기판 출입구(202)는 슬릿 밸브(미도시)에 의해 개폐 작동된다.
로드 락 챔버(130)는 대기압에서 동작되는 대기압 반송 로봇(110)이 구비된다. 대기압 반송 로봇(110)은 공정 챔버(200)와 캐리어(120) 사이에서 기판 이송을 담당하며 회동, 승강 및 하강이 가능하다. 대기압 반송 로봇(110)은 캐리어(120)로부터 일회 동작에 5장의 기판(W)을 반출하여 공정 챔버(200)로 반입할 수 있다.
이를 위하여 대기압 반송 로봇(110)은 동시에 5장의 처리 전 기판과 5장의 처리 후 기판을 동시에 교환할 수 있도록 총 10개의 앤드 이펙터를 각각 구비한 더블 암 구조를 갖는 로봇으로 구성될 수 있다. 또는, 적어도 5개의 엔드 이펙터(end effector)를 구비한 싱글 암 구조의 로봇을 사용할 수도 있다. 이와 같이 대기압 반송 로봇(110)은 본 실시예에서 보여주는 더블 암 또는 싱글 암 구조의 방식 이외 에도 통상적인 반도체 제조 공정에서 사용되는 다양한 로봇들이 사용될 수 있다.
공정 챔버(200)에는 12시,2시,4시,8시,10시 방향에 배치되는 기판 지지부(210)와, 플라즈마 감금 장벽(400)가 방사형으로 배치되고 그 중심부를 회전축으로 하는 제1 반송 장치(600)가 6시 방향을 향해 배치된다. 제1 반송 장치(600)는 10개의 회전 플레이트 암(610)을 갖는데 다섯 개의 기판 지지부(210)는 회전 플레이트 암(610)들이 회전하는 경로 상에 배치된다. 공정 챔버(200)는 소정의 플라즈마 처리 공정을 수행하기 위한 진공 챔버로서, 기판 지지부(210)와 대향되는 상부에 플라즈마 소스(500)가 구비된다. 공정 챔버(200)는 다양한 기판 프로세싱 작동들을 수행하도록 구성될 수 있다.
본 기판 처리 시스템에서 처리되는 피 처리 기판(W)은 대표적으로 반도체 회로를 제조하기 위한 웨이퍼 기판이거나 액정 디스플레이를 제조하기 위한 유리 기판이다.
공정 챔버(200)에 설치된 제1 반송 장치(600)는 제1실시예와 동일한 구성과 기능을 갖는 것으로, 본 실시예에서는 설명을 생략한다.
도 4 및 도 6을 참조하면, 기판 지지부(210)는 기판(W)이 놓여지는 서셉터이다. 도시하지 않았지만, 기판 지지부(210)는 기판을 고정하는 정전척, 정전척 아래에 배치되는 하부전극, 기판을 정전척 위에 안착시키거나 정전척으로부터 기판을 이격시키는 3개의 리프트 핀 부재, 기판을 가열시키기 위한 가열 부재 등이 구비될 수 있다. 이처럼 기판을 고정하고, 기판을 가열하고, 기판에 고전압을 인가하고, 기판을 업다운 시키는 구성 및 방법은 통상적인 것으로써 당업자 수준에서 이해될 수 있기 때문에 그에 대한 구성들은 생략하였다.
도 6에 도시한 바와 같이, 기판 지지부(210)는 공정 챔버(200)의 바닥면(204)에 배치되도록 별도의 지지 구조물(290)에 의해 지지되며, 지지 구조물(290)은 공정 챔버(200)의 바닥면(204)에 고정될 수 있다.
플라즈마 감금 장벽(400)는 기판(W)이 놓여지는 기판 지지부(210)와 플라즈마 소스부(500) 사이의 플라즈마 처리 공간(b)(도 6에서 빗금 처리한 부분)을 그 주변 공간(a)으로부터 격리(밀폐)시키기 위해 기판 지지부(210)의 주변을 둘러싼다. 플라즈마 감금 장벽(400)는 원통형 격벽(410), 구동부(420) 그리고 벨로우즈(414) 등을 포함한다. 본 실시예에서는 기판 지지부(210)의 형상이 원판 형상이기 때문에 격벽(410)을 원통형으로 형성하였으나, 기판 지지부의 형상이 사각판 형상인 경우에는 격벽의 형상은 사각통형으로 형성될 수 있다.
원통형 격벽(410)은 공정 챔버(200)의 일면에 형성된 오프닝(206)에 관통되어 설치된다. 원통형 격벽(410)은 상단이 공정 챔버(200)의 내부에 위치되고, 하단이 공정 챔버(200)의 바닥면(204) 바깥쪽에 위치된다. 원통형 격벽(410)은 기판 지지부(210)와 플라즈마 소스부(500)가 수용될 수 있는 충분한 내부 공간을 제공한다. 지지 구조물(290)에 의해 지지되어 있는 기판 지지부(210)는 플라즈마 소스부(500)와 소정 간격 이격된 높이에서 원통형 격벽(410) 안쪽에 위치된다. 기판 지지부(210)와 원통형 격벽(410) 사이는 수평 플레이트(490)가 설치되며, 수평 플레이트(490)는 공정 챔버(200)의 바닥면(204)과 동일 선상에 위치된다. 수평 플레이트(490)에는 제1 진공 펌프 부재(810)의 진공라인(812)이 연결된다. 원통형 격 벽(410)은 하단에 개방된 통로(416)를 갖으며, 이 통로(416)를 통해 제1 진공 펌프 부재(810)의 진공 라인(812)이 수평 플레이트(490)에 연결되며, 지지 구조물(290)이 기판 지지부(210)를 지지하고, 기판 지지부(210)로 제공되는 다양한 라인(진공라인, 전원라인, 냉각라인 등)(미도시됨)들이 기판 지지부(210)와 연결된다.
한편, 도 15 및 도 16에 도시된 바와 같이, 플라즈마 감금 장벽(400)은 격벽(410)에 전자석(480) 또는 유도 코일(482)이 설치될 수 있다. 이처럼, 각각의 격벽(410)에 전자석(480) 또는 유도 코일(482)이 설치됨으로써 플라즈마의 밀도를 향상시키거나 또는 플라즈마 처리 공간에 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이러한 전자석(480) 또는 유도 코일(482)은 격벽(410) 안에 설치되는 것이 바람직하며, 이를 위해 격벽(410)은 이중 격벽 구조로 구성하여 그 이중 격벽 안에 설치된다. 참고로, 이중 격벽 구조에서 안쪽 격벽은 석영, 알루미나와 같은 유전체 창으로 이루어지는 것이 바람직하다.
지지링(412)은 원통형 격벽(410) 하단에 설치되어 격벽(410)을 지지한다. 지지링(412)은 구동부(420)와 연결되며, 구동부(420)는 원통형 격벽(410)을 대기 위치(도 6 참조)와 격리 위치(도 7 참조)로 이동시킨다. 구동부(420)는 유압 실린더와 같은 다양한 승강 부재가 적용될 수 있다.
벨로우즈(414)는 공정 챔버(200)의 외부로 노출되는 원통형 격벽(410)을 둘러싸도록 설치되어, 원통형 격벽(410)이 관통되는 공정 챔버(200)의 오프닝(206)을 통해 진공이 누설되는 것을 차단한다. 벨로우즈(414)의 상단은 공정 챔버(200)의 바닥면(204)과 수평 플레이트(490)에 밀착 설치되며, 하단은 지지링(412)에 밀착 설치된다. 벨로우즈(414)는 원통형 격벽(410)이 대기 위치(도 6 참조)에서 격리 위치(도 7 참조)로 이동하게 되면 수축 작용하며, 격리 위치에서 대기 위치로 이동하게 되면 팽창 작용하게 된다.
한편, 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(10a)은 플라즈마 감금 장벽(400)에 의해 격리된 플라즈마 처리 공간(b)(공정 챔버의 그 외 공간과는 구분됨)들이 제1 진공 펌프 부재(810)에 의해 독립적으로 진공 제어되며, 플라즈마 처리 공간(b)을 제외한 공정 챔버의 내부 공간(a)은 제2 진공 펌프 부재(820)에 의해 진공 제어된다는데 그 특징이 있다. 즉, 플라즈마 감금 장벽(400)는 공정 진행시 기판 지지부(210)들 간의 공정 간섭을 방지하여 각 기판 지지부(210)에 놓여진 기판(W)에 대한 균일하고 독립적인 공정 처리가 가능할 뿐만 아니라, 실제로 기판 처리가 이루어지는 플라즈마 처리 공간(b)을 그 주변과 격리시켜 내부 체적이 최소화됨에 따라 공정에 필요한 진공 상태를 유지하는데 필요한 진공 시스템의 규모를 줄이고, 진공 또는 대기압에 도달하는 시간을 단축할 수 있고, 공정에 필요한 공정 가스 등의 사용량을 경감시킬 수 있다.
예컨대, 본 발명은 제1진공 펌프 부재를 생략하고 제2 진공 펌프 부재(820)만 가지고 공정 챔버(100) 내부를 공정 처리가 가능한 진공압으로 조절할 수 있다. 이때에는 공정 챔버(100) 내부 압력이 공정 처리가 가능한 진공압으로 조절된 이후에 플라즈마 감금 장벽(400)에 의해 플라즈마 처리 공간(b)이 격리되어야 할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(10a)은 공정 처리 단 계에서 플라즈마 감금 장벽(400)에 의해 기판 처리를 위한 플라즈마 처리 공간이 독립된 공간으로 제공되며, 그 독립된 공간만을 별도로 진공 제어함으로써, 진공의 공정 챔버와, 대기압의 로드락 챔버 사이에 제공되어야 트랜스퍼 챔버를 생략할 수 있고, 기판 처리를 위한 고진공에 도달하는 시간을 단축시킬 수 있으며, 단일 챔버내에서 복수의 기판 처리가 가능한 각별한 효과를 갖는다.
도 6 및 도 7은 플라즈마 감금 장벽이 대기 위치와 격리 위치로 동작된 상태를 보여주는 도면들이다.
도 6에서와 같이, 원통형 격벽(410)은 제1 반송 장치(600)가 기판 지지부(210)에/로부터 기판이 로딩/언로딩될 수 있도록 기판 지지부(210)의 주변을 개방할 수 있는 대기 위치에서 대기한다. 대기 위치는 원통형 격벽(410)의 상단이 기판 지지부(210)의 상면보다 낮게 위치되는 것이 바람직하다.
도 7에서와 같이, 원통형 격벽(410)은 기판이 기판 지지부(210)에 놓이면(공정 진행시), 구동부(420)에 의해 격리 위치로 이동된다. 원통형 격벽(410)이 격리 위치로 이동되었을 때, 원통형 격벽(410) 상단은 공정 챔버(200)의 상면(205)에 형성된 삽입홈(208)에 삽입된다. 원통형 격벽(410)이 격리 위치로 이동됨으로써, 기판 지지부(210)와 플라즈마 소스부(500) 사이의 플라즈마 처리 공간(b)(기판의 상부 공간에 해당)은 그 주변 공간(a)으로부터 격리(밀폐)된다. 여기서, 플라즈마 소스부(500)는 원통형 격벽(410)에 의해 격리된 상부 공간(b) 안에 위치하게 된다.
이처럼, 본 발명의 기판 처리 시스템(10a)은 평면 및 측면 배치로 보면 공정 챔버(200)에 방사형으로 배치된 기판 지지부(210)들의 주변을 감싸도록 플라즈마 감금 장벽(400)가 배치됨으로써 공정 진행시 기판 지지부(210)들 간의 공정 간섭을 방지하여 각 기판 지지부(210)에 놓여진 기판(W)에 대한 균일하고 독립적인 공정 처리가 가능하다.
예컨대, 공정 챔버(200)는 대기압에서 로드락 챔버(130)의 대기압 반송 로봇(110)과 제1 반송 장치(600) 간의 기판 반송이 이루어진다. 대기압 반송 로봇(110)과 제1 반송 장치(600) 간의 기판 주고받는 작업이 완료되면, 제1 기판 출입구(202)가 닫히고, 공정 챔버(200)는 제2 진공 펌프 부재(810)에 의해 대기압에서 기설정된 진공압으로 전환될 수 있다. 한편, 기판들이 제1 반송 장치(600)에 의해 각각의 기판 지지부(210)에 놓여지면, 플라즈마 감금 장벽(400)가 대기 위치에서 격리 위치로 이동되어 독립된 플라즈마 처리 공간(b)이 제공된다. 이렇게 플라즈마 감금 장벽(400)에 의해 만들어진 독립된 플라즈마 처리 공간(b)은 제1 진공 펌프 부재(810)에 의해 플라즈마 처리를 위한 진공압에 도달할 때까지 펌핑된 후 기판에 대한 공정 처리가 진행된다. 여기서, 제2 진공 펌프 부재(820)에 의한 공정 챔버(200)의 진공 조절은 선택적으로 실시할 수 있다.
본 발명의 기판 처리 시스템에서 플라즈마 감금 장벽의 설치는 다음과 같은 대안적 변형예들로도 실시할 수 있다.
도 8 및 도 9는 플라즈마 감금 장벽이 공정 챔버 상부에 설치된 예를 보여주는 도면들이다.
도 8 및 도 9에서와 같이, 플라즈마 감금 장벽(400)는 기판 지지부(210)가 위치된 공정 챔버(200)의 하부가 아니라 플라즈마 소스부(500)가 위치된 공정 챔 버(200)의 상부(상면)에 설치될 수 있다. 플라즈마 감금 장벽(400)는 기판(W)이 놓여지는 기판 지지부(210)와 플라즈마 소스부(500) 사이의 공간(b)을 그 주변 공간(a)으로부터 격리(밀폐)시키기 위해 플라즈마 소스부(500)의 주변을 둘러싼다. 플라즈마 감금 장벽(400)는 도 6에서 언급한 동일한 원통형 격벽(410), 구동부(420) 그리고 벨로우즈(414) 등을 포함한다.
원통형 격벽(410)은 공정 챔버(200)의 상면(205)에 형성된 오프닝(207)에 관통되어 설치된다. 원통형 격벽(410)은 하단이 공정 챔버(200)의 내부에 위치되고, 상단이 공정 챔버의 상면(205) 밖에 위치된다. 원통형 격벽(410)은 기판 지지부(210)와 플라즈마 소스부(500)가 수용될 수 있는 충분한 내부 공간을 제공한다. 지지 구조물(290)에 의해 지지되어 있는 플라즈마 소스부(500)는 기판 지지부(210)와 소정 간격 이격된 높이에서 원통형 격벽(410) 안쪽에 위치된다. 기판 지지부(210)와 원통형 격벽(410) 사이는 수평 플레이트(490)가 설치되며, 수평 플레이트(490)는 공정 챔버(200)의 상면(205)과 동일 선상에 위치된다. 원통형 격벽(410)은 상단에 개방된 통로(416)를 갖으며, 이 통로(416)를 통해 지지 구조물(290)이 플라즈마 소스부(500)를 지지하고, 플라즈마 소스부(500)로 제공되는 다양한 라인(소스 가스 공급라인, 고주파 전원 라인 등)들이 플라즈마 소스부(500)와 연결된다.
도 8에서와 같이, 원통형 격벽(410)은 제1 반송 장치(600)가 기판 지지부(210)에/로부터 기판이 로딩/언로딩될 수 있도록 기판 지지부(210)의 주변을 개방할 수 있는 대기 위치로 이동될 수 있다. 대기 위치는 원통형 격벽(410) 하단이 기판이 로딩/언로딩되는 높이보다 높게 위치되는 것이 바람직하다.
도 9에서와 같이, 원통형 격벽(410)은 기판(W)이 기판 지지부(210)에 놓여지면(공정 진행시), 구동부(420)에 의해 격리 위치로 하강된다. 원통형 격벽(410)이 격리 위치로 이동되었을 때, 원통형 격벽(410) 하단은 공정 챔버(200)의 바닥면(204)에 형성된 삽입홈(208)에 삽입된다. 원통형 격벽(410)이 격리 위치로 이동됨으로써, 기판 지지부(210)와 플라즈마 소스부(500) 사이의 공간(b)은 그 주변 공간(a)으로부터 격리(밀폐)된다. 여기서, 기판 지지부(210)는 원통형 격벽(410)에 의해 격리된 공간(b) 안에 위치하게 된다.
도 10 및 도 11은 2개의 장벽 부재가 공정 챔버 상부와 하부가 각각 설치된 예를 보여주는 도면들이다.
도 10 및 도 11에서와 같이, 상부 플라즈마 감금 장벽(400a)와 하부 플라즈마 감금 장벽(400b)는 기판 지지부(210)가 위치된 공정 챔버(200)의 상부와, 플라즈마 소스부(500)가 위치된 공정 챔버(200)의 하부에 각각 마주보며 설치된다.
상부 플라즈마 감금 장벽(400a)와 하부 플라즈마 감금 장벽(400b)는 기판(W)이 놓여지는 기판 지지부(210)와 플라즈마 소스부(500) 사이의 공간(b)을 그 주변 공간(a)으로부터 격리(밀폐) 또는 개방시키기 위해 기판 지지부(210)와 플라즈마 소스부(500)의 주변을 둘러싼다. 상부 플라즈마 감금 장벽(400a)와 하부 플라즈마 감금 장벽(400b)는 앞에서 언급했던 바와 같은 동일한 기능을 갖는 제1,2 원통형 격벽(410a,410b), 제1,2 구동부(420a,420b) 그리고 제1,2 벨로우즈(414a,414) 등을 포함하며, 이들에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
다만, 제2 원통형 격벽(410b)은 공정 챔버(200)의 바닥면(204)에 형성된 오프닝(206)에 관통되어 설치되며, 도 6에 도시된 원통형 격벽(410)보다 그 길이가 절반 정도로 짧고, 그 이동 거리도 절반 정도로 짧다는 것이 특징이다. 제2 원통형 격벽(410b)은 상단이 공정 챔버(200)의 내부에 위치되고, 하단이 공정 챔버(200)의 바닥면(204) 밖에 위치된다. 제2 원통형 격벽(410b)은 기판 지지부(210)와 플라즈마 소스부(500)가 수용될 수 있는 충분한 내부 공간을 제공한다. 지지 구조물(290)에 의해 지지되어 있는 기판 지지부(210)는 플라즈마 소스부(500)와 소정 간격 이격된 높이에서 제2원통형 격벽(410b) 안쪽에 위치된다. 기판 지지부(210)와 제2원통형 격벽(410b) 사이는 수평 플레이트(490b)가 설치되며, 수평 플레이트(490b)는 공정 챔버(200)의 바닥면(204)과 동일 선상에 위치된다. 제2 원통형 격벽(410b)은 하단에 개방된 통로(416b)를 갖으며, 이 통로(416b)를 통해 지지 구조물(290)이 기판 지지부(210)를 지지하고, 기판 지지부(210)로 제공되는 다양한 라인들이 기판 지지부와 연결된다.
한편, 제1 원통형 격벽(410a)은 공정 챔버(200)의 상면(205)에 형성된 오프닝(207)에 관통되어 설치되며, 도 6에 도시된 원통형 격벽(410)보다 그 길이와 이동 거리가 절반 정도로 짧다는 것이 특징이다. 제1 원통형 격벽(410a)은 하단이 공정 챔버(200)의 내부에 위치되고, 상단이 공정 챔버(200)의 상면(205) 밖에 위치된다. 제1 원통형 격벽(410a)은 기판 지지부(210)와 플라즈마 소스부(500)가 수용될 수 있는 충분한 내부 공간을 제공한다. 지지 구조물(290)에 의해 지지되어 있는 플라즈마 소스부(500)는 기판 지지부(210)와 소정 간격 이격된 높이에서 제1 원통형 격벽(410a) 안쪽에 위치된다. 기판 지지부(210)와 제1 원통형 격벽(410a) 사이는 수평 플레이트(490a)가 설치되며, 수평 플레이트(490a)는 공정 챔버(200)의 상면(205)과 동일 선상에 위치된다. 제1 원통형 격벽(410a)은 상단에 개방된 통로(416a)를 갖으며, 이 통로(416a)를 통해 지지 구조물(290)이 플라즈마 소스부(500)를 지지하고, 플라즈마 소스부(500)로 제공되는 다양한 라인(소스 가스 공급라인, 고주파 전원 라인 등)들이 플라즈마 소스부(500)와 연결된다.
도 10에서와 같이, 제1,2 원통형 격벽(410a,410b)은 제1 반송 장치(600)가 기판 지지부(210)에/로부터 기판이 로딩/언로딩될 수 있도록 기판 지지부(210)의 주변을 개방할 수 있는 대기 위치에서 대기한다.
도 11에서와 같이, 제1,2 원통형 격벽(410a,410b)은 기판이 기판 지지부(210)에 놓여지면(공정 진행시), 제1,2 구동부(420a,420b)에 의해 격리 위치로 승,하강된다. 제1,2 원통형 격벽(410a,410b)이 격리 위치로 이동되었을 때 서로 맞붙게 되면서, 플라즈마 소스부(500)와 기판 지지부(210) 사이의 공간(b)을 밀폐시킨다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 전체 구성을 보여주는 도면이고, 도 13 및 도 14는 장벽 부재가 대기 위치와 격리 위치로 동작된 상태를 보여주는 도면들이다.
도 12를 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 시스템(10b)은 제2 실시예에 따른 기판 처리 시스템(10a)과 동일한 구성과 기능을 갖는 기판 지지부(210), 제1 밀폐부재(400), 제1 반송 장치(600)를 갖는 공정 챔버(200), 그리고 로드락 챔버(130)와 인덱스(100)를 포함한다.
다만 제3 실시예에서는, 제1 반송 장치(600)가 대기하는 공간을 그 주변 공간으로부터 격리(밀폐)시키기 위해 상기 제1 반송 장치(600)의 대기 공간을 둘러싸는(감싸는) 장벽 부재(400c)를 갖는다는데 그 특징이 있다. 장벽 부재(400c)에 의해 격리된 제1 반송 장치(600)가 대기하는 공간(c)은 제1 진공 펌프 부재(810)에 의해 공정 챔버(200)의 내부 압력과는 독립적으로 진공 제어된다. 즉, 장벽 부재(400c)에 의해 제공되는 제1 반송 장치(600)의 대기 공간(c)은 공정 챔버(200)의 진공 공간과, 로드락 챔버(130)의 대기압 공간 사이의 버퍼 공간으로 작용하게 된다.
장벽 부재(400c)는 제1 반송 장치(600)가 대기하는 공간(c)(도 12에서 빗금 처리한 부분)을 그 주변 공간(a)으로부터 격리(밀폐)시키기 위해 제1 반송 장치(600) 주변을 둘러싼다. 장벽 부재(400c)는 U자형 격벽(450), 구동부(420) 그리고 벨로우즈(414) 등을 포함한다.
U자형 격벽(450)은 공정 챔버(200)의 바닥면(204)에 형성된 오프닝(206a)에 관통되어 설치된다. U자형 격벽(450)은 상단이 공정 챔버(200)의 내부에 위치되고, 하단이 공정 챔버(200)의 바닥면(204) 바깥쪽에 위치된다. U자형 격벽(450)은 개구된 부분이 공정 챔버(200)의 측벽에 밀착된다. U자형 격벽(450)은 기판들이 놓여진 제1 반송 장치(600)가 수용될 수 있는 충분한 내부 공간을 제공한다. 지지 구조물(290)에 의해 지지되어 있는 제1 반송 장치(600)는 기판 지지부(290)들로의 기판 반송이 가능한 높이에서 U자형 격벽(450) 안쪽에 위치된다. 제1 반송 장치(600)와 U자형 격벽(450) 사이는 수평 플레이트(490)가 설치되며, 수평 플레이트(490)는 공정 챔버(200)의 바닥면(204)과 동일 선상에 위치된다. 수평 플레이트(490)에는 제1진공 펌프 부재(810)의 진공라인(812)이 연결된다. U자형 격벽(450)은 하단에 개방된 통로(416)를 갖으며, 이 통로(416)를 통해 제1 진공 펌프 부재(810)의 진공 라인(812)이 수평 플레이트(490)에 연결되며, 지지 구조물(290)이 제1 반송 장치(600)를 지지하고, 제1 반송 장치(600)로 제공되는 다양한 라인(미도시됨)들이 연결된다.
지지링(412)은 U자형 격벽(450) 하단에 설치되어 U자형 격벽(450)을 지지한다. 지지링(412)은 구동부(420)와 연결되며, 구동부(420)는 U자형 격벽(450)을 대기 위치(도 13 참조)와 격리 위치(도 14 참조)로 이동시킨다. 구동부(420)는 유압 실린더와 같은 다양한 승강 부재가 적용될 수 있다.
벨로우즈(414)는 공정 챔버(200)의 외부로 노출되는 U자형 격벽(450)을 둘러싸도록 설치되어, U자형 격벽(450)이 관통되는 공정 챔버(200)의 오프닝(206)을 통해 진공이 누설되는 것을 차단한다. 벨로우즈(414)의 상단은 공정 챔버(200)의 바닥면(204)과 수평 플레이트(490)에 밀착 설치되며, 하단은 지지링(412)에 밀착 설치된다. 벨로우즈(414)는 U자형 격벽(450)이 대기 위치(도 13 참조)에서 격리 위치(도 14 참조)로 이동하게 되면 수축 작용하며, 격리 위치에서 대기 위치로 이동하게 되면 팽창 작용하게 된다.
한편, 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(10b)은 장벽 부재(400c)에 의해 격리된 제1 반송 장치(600)의 대기 공간(c)(공정 챔버의 그 외 공간과는 구분됨)들 이 제1 진공 펌프 부재(810)에 의해 독립적으로 진공 제어되며, 제1 반송 장치(600)의 대기 공간(c)을 제외한 공정 챔버(200)의 내부 공간(a)은 제2 진공 펌프 부재(820)에 의해 진공 제어된다는데 그 특징이 있다. 즉, 장벽 부재(400c)는 공정 챔버(200)가 대기압(로드락 챔버와 동일한 기압)으로 전환되지 않고 공정 처리를 위한 진공압을 그대로 유지한 상태에서 제1기판 출입구(202)를 통한 기판 로딩/언로딩이 가능하기 때문에, 공정 챔버(200)의 진공압을 대기압으로 전환하지 않아도 되는 각별한 효과를 갖는다. 특히, 장벽 부재(400c)는 제1 반송 장치(600)가 기판들을 반송할 때에는 대기 위치로 이동하여 기판 반송을 위한 공간을 개방할 수 있다.
제3실시예에서는 로드락 챔버(130)와 공정 챔버(200)가 다이렉트로 연결된 구조로써, 기판 로딩/언로딩을 위해서는 공정 챔버(200)가 진공에서 로드락 챔버(130)과 동일한 기압(대기압)으로 전환되어야 한다. 하지만, 제1 기판 출입구(202)가 개방되기 전에 장벽 부재(400c)에 의해 제1 반송 장치(600)가 대기하는 공간(c)이 그 주변 공간으로부터 격리(밀폐)되기 때문에, 대기 공간(c)만 진공(공정 챔버의 내부 기압)에서 대기압으로 전환한 다음 제1 기판 출입구(202)를 통한 기판 로딩/언로딩 작업을 수행할 수 있다. 즉, 제1 반송 장치(600)의 대기 공간(c)을 진공에서 대기압으로 변환하는 것이 공정 챔버(200) 전체를 진공에서 대기압으로 전환하는 것보다 상대적으로 용이하다는 것을 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(10c)은 기판 로딩/언로딩 단계에서 장벽 부재(400c)에 의해 제1 반송 장치(600)가 대기하는 공간(c)이 독립된 공간으로 제공되며, 그 독립된 공간(c)만을 별도로 진공 제어함으로써, 공정 챔버(200)의 진공 상태를 그대로 유지할 수 있다. 즉, 공정 챔버(200)에는 제1기판 출입구(202)를 통한 기판 반입/반출 단계에서만 진공에서 대기압으로 전환될 수 있는 독립된 공간(c)이 제공되기 때문에, 진공의 공정 챔버(200)와, 대기압의 로드락 챔버(130) 사이에 필요한 트랜스퍼 챔버를 생략할 수 있고, 기판 처리를 위한 고진공에 도달하는 시간을 단축시킬 수 있고, 단일 챔버내에서 복수의 기판 처리가 가능한 각별한 효과를 갖는다.
도 13 및 도 14는 장벽 부재가 대기 위치와 격리 위치로 동작된 상태를 보여주는 도면들이다.
도 13에서와 같이, U자형 격벽(450)은 제1 반송 장치(600)가 기판 지지부(210)에/로부터 기판이 로딩/언로딩될 수 있도록 제1 반송 장치(600)의 주변을 개방할 수 있는 대기 위치에서 대기한다. 물론, 플라즈마 감금 장벽(400)의 원통형 격벽(410)도 대기위치에서 대기하게 된다. U자형 격벽(450)의 대기 위치는 상단이 제1 반송 장치(600)의 회전 플레이트 암(610) 보다 낮게 위치되는 것이 바람직하다.
도 14에서와 같이, U자형 격벽(450)은 제1 기판 출입구(미도시됨)를 통한 기판 반입/반출을 위해 격리 위치로 이동된다. U자형 격벽(450)이 격리 위치로 이동되어 제1 반송 장치(600)가 대기하는 공간(c)이 그 주변 공간으로부터 격리(밀폐)되면, 그 대기 공간(c)은 제1 진공 펌프 부재(810)에 의해 대기압으로 전환된다. 대기 공간(c)이 대기압으로 전환되면, 제1기판 출입구(202)가 개방되고, 개방된 제 1 기판 출입구(202)를 통해 대기압 반송 로봇(110)와의 기판 반송이 진행된다. 대기압 반송 로봇(110)와의 기판 반송이 완료되면, 제1기판 출입구(202)가 닫히고, 대기 공간(c)은 제1진공 펌프 부재(810)에 의해 공정 챔버(200)의 내부 진공압과 동일 진공압으로 전환된다. 대기 공간(c)의 진공 전환이 완료되면, U자형 격벽(450)이 대기 위치로 이동된다.
이처럼, 본 발명의 기판 처리 시스템(10c)은 평면 및 측면 배치로 보면 공정 챔버(200)에 방사형으로 배치된 기판 지지부(210)들의 주변을 감싸도록 플라즈마 감금 장벽(400)가 배치될 뿐만 아니라, 제1 반송 장치(600)가 대기하는 공간을 감싸도록 장벽 부재(400c)가 배치되고, 그 장벽 부재(400c)에 의해 형성될 대기 공간(c)의 압력을 독립적으로 제어하는 제1진공 펌프 부재(810)를 구비함로써, 공정 챔버(200)의 압력을 대기압으로 전환하지 않아도 공정 챔버(20) 안으로의 기판 반입/반출이 가능하다.
본 발명에 따른 기판 처리 시스템은 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다. 하지만, 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 공정 챔버에 나란하게 배치된 기판 지지부들의 주변을 감싸도록 플라즈마 감금 장벽이 배치됨으로써 공정 진행시 기판 지지부들 간의 공정 간섭을 방지하여 각 기판 지지부에 놓인 기판에 대한 균일하고 독립적인 공정 처리가 가능할 뿐만 아니라, 실제로 기판 처리를 위한 공간이 작게 하여 공정에 필요한 공정 가스 등의 사용량을 경감시킬 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 기판 지지부로 기판들을 반송하는 제1 반송 장치를 공정 챔버 내부에 배치한다는데 각별한 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 공정 챔버에 배치된 제1 반송 장치가 대기하는 공간을 독립적인 압력 제어가 가능한 공간으로 제공하기 때문에, 공정 챔버의 압력을 대기압으로 전환하지 않아도 공정 챔버 안으로의 기판 반입/반출이 가능한 각별한 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 복수 매의 기판을 동시에 또는 연속적으로 처리하는 기판 처리 시스템에서 처리 전/후의 기판 교환을 신속히 수행할 수 있어서 시스템의 처리율을 높여서 전체적인 기판의 생산성을 높일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판의 로딩과 언로딩을 동시에 수행하는 제1 반송 장치가 제공됨으로서 복수 매의 기판 처리를 위한 공정 챔버의 구현이 매우 용이하다.
또한, 본 발명은 기판의 반송 시간을 감소시켜 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명은 시스템의 면적 및 시스템 폭을 획기적으로 축소함으로써 장치비 및 설치비를 최소화할 수 있다.

Claims (37)

  1. 기판 처리 시스템에 있어서:
    제1 기판 출입구와, 적어도 하나의 기판 지지부를 포함하는 공정 챔버; 및
    상기 공정 챔버의 내부에 설치되며, 상기 제1 기판 출입구와 상기 기판 지지부 사이에서 기판을 전달하는 제1 반송 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반송 장치는
    상기 제1기판 출입구를 통해 상기 공정 챔버의 대기 위치로 제공되는 복수의 기판들을 동시에 인계받아 상기 공정 챔버에 설치된 적어도 하나의 기판 지지부 상부로 이송하도록 펼쳐지는 그리고 상기 적어도 하나의 기판 지지부 상부에서 각각 기판을 인계받아 상기 공정 챔버의 대기 위치로 기판들을 이송하도록 접혀지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판 처리 시스템은
    상기 제1 기판 출입구에 연결되고, 제2 기판 출입구가 개설된 트랜스퍼 챔버; 및
    상기 트랜스퍼 챔버에 설치되며, 상기 제1 기판 출입구와 상기 제2기판 출입구 사이에서 기판을 전달하는 제2 반송 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 반송 장치는 상기 제2 기판 출입구를 사이에 두고 양편으로 대칭되게 설치되는 제1 및 제2 반송부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판 처리 시스템은
    기판이 놓여지는 상기 기판 지지부를 둘러싸는 플라즈마 감금 장벽을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 플라즈마 감금 장벽은 상기 기판 지지부 상부의 플라즈마 처리 공간을 그 주변 공간으로부터 격리하며,
    상기 기판 처리 시스템은
    상기 플라즈마 감금 장벽에 의해 격리된 공간을 상기 공정 챔버의 내부 압력과는 독립적으로 진공 제어하는 제1 진공 펌프 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 기판 처리 시스템은 상기 공정 챔버의 내부 압력을 제어하는 제2진공 펌프 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 플라즈마 감금 장벽은
    상기 기판 지지부에/로부터 기판이 로딩/언로딩될 수 있도록 상기 기판 지지부의 주변을 개방할 수 있는 위치에서 대기하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  9. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 플라즈마 감금 장벽은
    상기 공정 챔버의 일면을 관통하여 설치되며, 상기 기판 지지부가 수용될 수 있는 공간을 갖는 관 형상의 격벽;
    상기 격벽을 대기 위치 또는 격리 위치로 이동시키기 위한 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 공정 챔버는
    상기 일면과 대응되는 타면에 상기 격벽이 대기 위치에서 격리 위치로 이동되었을 때 상기 격벽의 끝단이 삽입되는 삽입홈을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 플라즈마 감금 장벽은 상기 구동부와 연결되며 상기 격벽을 지지하는 지지링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 플라즈마 감금 장벽은
    상기 격벽을 둘러싸며, 상기 격벽이 관통되는 상기 공정 챔버의 관통홀을 통해 진공이 누설되는 것을 방지하는 수단을 더 포함하는 것을 기판 처리 시스템.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 플라즈마 감금 장벽은
    상기 격벽에 설치되는 전자석을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 플라즈마 감금 장벽은
    상기 격벽에 설치되는 유도 코일을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 격벽은 이중 격벽으로 이루어지며,
    상기 이중 격벽 사이에는 전자석 또는 유도 코일이 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 공정 챔버의 일면은 상기 기판 지지부가 위치하는 바닥면이고,
    상기 플라즈마 감금 장벽은 상기 바닥면에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  17. 제9항에 있어서,
    상기 공정 챔버의 일면은 상기 기판 지지부와 마주하는 플라즈마 소스부가 설치되는 상면이고,
    상기 플라즈마 감금 장벽은 상기 공정 챔버의 상면에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  18. 제9항에 있어서,
    상기 플라즈마 감금 장벽은 상기 공정 챔버의 일면과, 상기 일면과 마주하는 타면에 서로 대응되게 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 기판 처리 시스템은
    상기 제1 반송 장치가 대기하는 공간을 그 주변 공간으로부터 격리(밀폐)시키기 위해 상기 제1 반송 장치의 대기 공간을 둘러싸는(감싸는) 장벽 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 기판 처리 시스템은
    상기 장벽 부재에 의해 격리된 상기 제1 반송 장치가 대기하는 공간을 상기 공정 챔버의 내부 압력과는 독립적으로 진공 제어하기 위한 제1 진공 펌프 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제1 진공 펌프 부재는 상기 장벽 부재에 의해 격리된 상기 제1 반송 장치가 대기하는 공간을 대기압에서 진공 또는 진공에서 대기압으로 전환시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  22. 제19항 또는 제21항에 있어서,
    상기 장벽 부재는
    상기 기판 지지부에/로부터 기판이 로딩/언로딩될 수 있도록 상기 제1 반송 장치의 기판 반송 높이보다 낮은 위치에서 대기하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  23. 제19항 또는 제21항에 있어서,
    상기 장벽 부재는
    상기 공정 챔버의 일면을 관통하여 설치되며, 상기 제1 반송 장치가 수용될 수 있는 공간을 갖는 관 형상의 격벽;
    상기 격벽을 대기 위치 또는 격리 위치로 이동시키기 위한 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 공정 챔버는
    상기 일면과 대응되는 타면에 상기 격벽이 대기 위치에서 격리 위치로 이동되었을 때 상기 격벽의 끝단이 삽입되는 삽입홈을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 장벽 부재는 상기 구동부와 연결되며 상기 격벽을 지지하는 지지링과;
    상기 격벽을 둘러싸며, 상기 격벽이 관통되는 상기 공정 챔버의 관통홀을 통해 진공이 누설되는 것을 방지하는 수단을 더 포함하는 것을 기판 처리 시스템.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 공정 챔버의 일면은 상기 제1 반송 장치가 위치하는 바닥면이고,
    상기 장벽 부재는 상기 바닥면에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  27. 제1항에 있어서,
    상기 제2 기판 출입구에 연결되고, 인덱스와 상기 트랜스퍼 챔버 사이에서 기판 반송을 담당하는 대기압 반송 로봇을 갖는 로드락 챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  28. 기판 처리 시스템에 있어서:
    제1 기판 출입구와, 복수의 기판 지지부와 상기 기판 지지부와 대향되게 배치되는 플라즈마 소스부를 포함하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버의 내부에 설치되며, 상기 제1 기판 출입구와 상기 기판 지지부 사이에서 기판을 전달하는 제1 반송 장치; 및
    공정 진행시 기판이 놓여지는 상기 기판 지지부와 상기 플라즈마 소스부 사 이의 플라즈마 처리 공간을 그 주변 공간으로부터 격리(밀폐)시키기 위해 상기 플라즈마 처리 공간을 둘러싸는 플라즈마 감금 장벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템;
  29. 제28항에 있어서,
    상기 기판 처리 시스템은
    상기 제1 반송 장치가 대기하는 공간을 그 주변 공간으로부터 격리(밀폐)시키기 위해 상기 제1 반송 장치의 대기 공간을 둘러싸는 장벽 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  30. 제28항에 있어서,
    상기 플라즈마 감금 장벽에 의해 격리된 상기 플라즈마 처리 공간은 상기 공정 챔버의 내부 압력과는 독립적으로 압력이 제어되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  31. 제29항에 있어서,
    상기 장벽 부재에 의해 격리된 상기 제1 반송 장치가 대기하는 공간은 대기압에서 진공 또는 진공에서 대기압으로 압력이 제어되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  32. 기판 처리 시스템에서의 기판 처리 방법에 있어서:
    공정 챔버의 기판 출입구를 통해 기판들이 반입되면, 상기 공정 챔버에 설치된 제1 반송 장치가 반입된 기판들을 상기 공정 챔버 내부에 설치된 복수의 기판 지지부들 각각으로 로딩하고, 상기 기판 지지부들 각각에 기판이 놓여지면, 상기 기판 지지부와 마주하는 플라즈마 소스부 사이의 플라즈마 처리 공간을 그 주변 공간으로부터 격리시킨 후 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템에서의 기판 처리 방법.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 공간은 제1격벽에 의해 격리되며,
    상기 제1 격벽에 의해 격리된 상기 플라즈마 처리 공간의 압력은 상기 공정 챔버의 내부 압력과는 독립적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템에서의 기판 처리 방법.
  34. 제32항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 공간은 제1격벽에 의해 격리되며,
    상기 제1 반송 장치가 상기 기판 지지부 각각으로 기판들을 로딩할 때, 상기 제1 격벽은 상기 기판 지지부 주변을 개방할 수 있는 위치에서 대기하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템에서의 기판 처리 방법.
  35. 제32항에 있어서,
    상기 공정 챔버의 기판 출입구를 통해 기판들이 반입될 때, 상기 제1 반송 장치가 대기하는 공간은 제2 격벽에 의해 그 주변 공간으로부터 격리(밀폐)되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템에서의 기판 처리 방법.
  36. 제35항에 있어서,
    상기 제2 격벽에 의해 격리된 상기 제1 반송 장치의 대기 공간의 압력은 상기 공정 챔버의 내부 압력과는 독립적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템에서의 기판 처리 방법.
  37. 제35항에 있어서,
    상기 제2 격벽에 의해 격리된 상기 제1 반송 장치의 대기 공간의 압력은 기판 반입/반출을 위해 제1기압에서 제2기압으로 전환되고, 기판 반입/반출이 완료되면 상기 제2기압에서 상기 제1기압으로 전환되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템에서의 기판 처리 방법.
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