KR20080098234A - Plasma generator - Google Patents
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Abstract
플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 플라즈마 챔버를 제공하고 상하로 접합하는 상판구조 및 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하며 상판구조 및 하판구조는 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하고 상판구조 및 하판구조 중 하나는 상하로 관통하는 복수개의 유도관을 제공하는 샤워 헤드, 상판구조 및 하판구조 중 다른 하나와 유도관 사이의 틈을 차단하는 차단부, 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부, 및 샤워 헤드 내의 소스가스 이동공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부를 포함한다.The plasma generating apparatus includes a lower plate structure including a plasma generating unit, an upper plate structure disposed below the plasma generating unit, and providing a plasma chamber and joined up and down, and a plurality of source gas injection holes. The upper plate structure and the lower plate structure provide a source gas supply. A blocking portion that provides a source gas moving space for one of the upper and lower plate structures, and provides a plurality of induction pipes penetrating up and down to block a gap between the other one of the upper and lower plate structures and the induction pipe, Reaction gas supply unit for supplying the reaction gas to the plasma generating unit, and source gas supply unit for supplying the source gas to the source gas moving space in the shower head.
Description
도 1은 종래의 플라즈마 발생장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a conventional plasma generator.
도 2는 도 1의 유도관 및 하판구조 간의 관계를 설명하기 위한 확대 단면도이다.FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view for describing a relationship between the induction pipe and the lower plate structure of FIG. 1.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 4는 도 3의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다. 4 is an exploded perspective view illustrating a portion of the shower head of FIG. 3;
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
100:플라즈마 발생장치 110:플라즈마 발생부100: plasma generator 110: plasma generator
120:지지부 130:반응가스 공급부120: support part 130: reaction gas supply part
140:소스가스 공급부 150:샤워 헤드140: source gas supply part 150: shower head
160:상판구조 162:유도관160: top plate structure 162: induction pipe
170:하판구조 178:차단벽170: lower plate structure 178: barrier wall
본 발명은 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 보다 자세하게는, 표면처리 및 박막형성을 위해 플라즈마를 균일하게 발생할 수 있는 플라즈마 발생장치에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma generating apparatus, and more particularly, to a plasma generating apparatus capable of generating a plasma uniformly for surface treatment and thin film formation.
도 1은 종래의 플라즈마 발생장치를 설명하기 위한 단면도이며, 도 2는 도 1의 유도관 및 하판구조 간의 관계를 설명하기 위한 확대 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a conventional plasma generating apparatus, Figure 2 is an enlarged cross-sectional view for explaining the relationship between the induction pipe and the lower plate structure of FIG.
도 1 및 도 2를 참조하면, 종래의 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부(10), 반응가스 공급부(30), 소스가스 공급부(40) 및 샤워 헤드(50)를 포함하며, 이들 장치들은 지지부(20) 상에 장착이 된다. 플라즈마 발생부(10) 및 샤워 헤드(50) 사이에는 플라즈마를 형성하기 위한 플라즈마 챔버가 제공되며, 플라즈마 챔버에서 형성된 플라즈마는 샤워 헤드(50)에 형성된 다수의 반응가스 분사구(63)를 통해 샤워 헤드(50) 하부로 이동할 수 있다. 반응가스에 의한 플라즈마가 샤워 헤드(50)를 통과하면서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 등의 상태로 전환되고, 전환된 반응가스의 이온 또는 라디칼은 샤워 헤드(50)의 유도관(62)의 하단에서 하부로 분사될 수 있다. 1 and 2, a conventional plasma generator includes a
샤워 헤드(50)의 하부로는 처리공간이 제공되며, 처리공간에는 피처리물이 위치하여 박막 형성, 세정 등과 같은 플라즈마 가공이 진행될 수 있다. 플라즈마 발생장치 및 처리공간은 일반적으로 진공상태를 유지하고 있으며, 피처리물은 히터(미도시) 상에 장착될 수 있다. The lower portion of the
다시 도 1을 참조하면, 플라즈마 발생부(10)는 상부 플라즈마 플레이트(12) 및 하부 플라즈마 플레이트(14)로 구성되며, 상부 플라즈마 플레이트(12) 및 하부 플라즈마 플레이트(14)에 의해서 반응가스 공급부(30)의 유관 및 소스가스 공급부(40)의 유관이 형성될 수 있다. 반응가스 공급부(30)를 통해서 공급된 반응가스는 플라즈마 발생부(10)의 저면에 장착된 플라즈마 발생 전극(18)을 통과하면서 플라즈마 상태로 전환되며, 플라즈마 발생 전극(18)에는 다수의 홀이 형성되어 반응가스를 효과적으로 통과시킬 수 있다. Referring back to FIG. 1, the
종래의 플라즈마 발생장치에서 샤워 헤드(50)는 상판구조(60)와 하판구조(70)에 의해서 형성되며, 상판구조(60)에는 반응가스 분사구(63)를 정의하는 유도관(62)이 형성되고, 하판구조(70)에는 소스가스 분사를 위한 소스가스 분사구(74)가 형성된다. 반응가스 분사구(63)를 통과한 반응가스 이온 또는 라디칼은 소스가스 분사구(74)를 통과한 소스가스와 반응할 수 있으며, 상기 반응에 의해서 피처리물에는 박막 등이 형성될 수 있다.In the conventional plasma generator, the
하지만, 도 2에 도시된 바와 같이, 샤워 헤드(50)에서 유도관(62)과 하판구조(70) 사이에 미세한 틈(G)이 존재할 수 있으며, 이 틈(G)을 통해서 소스가스가 유출될 수 있으며, 반대로 반응가스가 샤워 헤드(50) 안으로 유입될 수도 있다. 소스가스가 틈(G)을 통해서 유출되면, 소스가스는 유도관(50)의 하단에서 반응가스와 반응을 시작할 수 있으며, 피처리물에 도달하기 전에 반응이 완료될 수가 있다. 또한, 반응가스가 틈(G)을 통해 유입되면, 역시 샤워 헤드(50) 안에서 반응이 일어나 버릴 수가 있다. However, as shown in FIG. 2, in the
그 결과, 종래의 플라즈마 발생장치에서는 소스가스 또는 반응가스가 과도하게 소비될 수 있으며, 형성되는 박막의 품질이 현저하게 저하될 수가 있다. As a result, in the conventional plasma generator, the source gas or the reaction gas may be excessively consumed, and the quality of the formed thin film may be significantly reduced.
본 발명은 샤워 헤드를 통해 공급되는 소스가스가 반응가스와 미리 반응하지 않고, 피처리물 처리에 효과적으로 사용될 수 있는 플라즈마 발생장치를 제공한다. The present invention provides a plasma generating apparatus that can be used effectively in the treatment of a workpiece without the source gas supplied through the shower head reacting with the reaction gas in advance.
본 발명은 소스가스와 반응가스 간의 분사구 조절이 가능하여 소스가스와 반응가스 간의 효율적인 혼합을 가능하게 하는 플라즈마 발생장치를 제공한다. The present invention provides a plasma generator that can control the injection hole between the source gas and the reaction gas to enable efficient mixing between the source gas and the reaction gas.
본 발명은 소스가스와 반응가스 간의 선반응을 효율적으로 차단할 수 있는 여러 방법을 제공한다. The present invention provides several methods that can effectively block the line reaction between the source gas and the reaction gas.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 샤워 헤드, 차단부, 반응가스 공급부 및 소스가스 공급부를 포함한다. 샤워 헤드는 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공할 수 있으며, 샤워 헤드는 상판구조 및 하판구조를 포함하며, 상판구조 및 하판구조는 상하로 접합하여 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공한다. 특히, 상판구조 및 하판구조 중 하나는 복수개의 유도관을 포함할 수 있으며, 차단부는 유도관과 다른 하나의 판구조 간의 틈새를 차단할 수 있다. According to a preferred embodiment of the present invention, the plasma generating apparatus includes a plasma generating unit, a shower head, a blocking unit, a reaction gas supply unit and a source gas supply unit. The shower head may be positioned below the plasma generator to provide a plasma chamber together with the plasma generator. The shower head includes an upper plate structure and a lower plate structure, and the upper plate structure and the lower plate structure are joined up and down to supply a source gas. Provide source gas movement space. In particular, one of the upper plate structure and the lower plate structure may include a plurality of guide tubes, the blocking portion may block the gap between the guide tube and the other plate structure.
즉, 유도관은 일반적으로 상판구조에 형성될 수 있고, 차단부는 하판구조와 일체로 형성되거나 따로 형성되어 하판구조의 관통홀과 유도관 사이의 틈을 차단할 수 있고, 다르게는 유도관이 하판구조에 형성되고 차단부는 상판구조와 일체로 형성되거나 따로 형성되어 상판구조의 관통홀과 유도관 사이의 틈을 차단할 수 있다.That is, the induction pipe may generally be formed in the upper plate structure, and the blocking portion may be formed integrally with the lower plate structure or separately formed to block a gap between the through hole of the lower plate structure and the induction pipe, otherwise the induction pipe may be the lower plate structure. The blocking portion may be integrally formed with the upper plate structure or separately formed to block a gap between the through hole of the upper plate structure and the guide tube.
상술한 바와 같이, 차단부는 상판구조 또는 하판구조와 일체로 형성될 수도 있으며 별도로 형성된 후 유도관 등에 장착될 수 있다. 그 결과 소스가스 또는 반응가스가 피처리물의 상면이 아닌 다른 의도하지 않는 영역에서 미리 반응하는 것을 예방할 수가 있다. As described above, the blocking portion may be formed integrally with the upper plate structure or the lower plate structure, and may be mounted separately to the induction pipe and the like. As a result, it is possible to prevent the source gas or the reactive gas from reacting in advance in an unintended region other than the upper surface of the workpiece.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따르면, 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하고, 아래를 향하여 형성된 복수개의 유도관을 포함하는 상판구조 및 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하며, 상판구조 및 하판구조는 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하고, 하판구조는 유도관의 외면을 감싸는 차단벽을 포함하는 샤워 헤드, 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부, 및 샤워 헤드 내의 소스가스 이동공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부를 포함한다. According to another preferred embodiment of the present invention, the plasma generating apparatus is provided with a plasma generating unit, a top plate structure including a plurality of induction pipes which are disposed below the plasma generating unit to provide a plasma chamber and formed downward; A lower plate structure including a plurality of source gas injection ports, the upper plate structure and the lower plate structure provide a source gas moving space for source gas supply, and the lower plate structure includes a shower head including a barrier wall surrounding an outer surface of the induction pipe; Reaction gas supply unit for supplying the reaction gas to the plasma generating unit, and source gas supply unit for supplying the source gas to the source gas moving space in the shower head.
상판구조에 유도관이 형성되고, 하판구조에는 유도관의 외면을 감싸면서 소스가스와 반응가스 간의 선반응을 차단하는 차단벽이 형성된다. 차단벽은 하판구조와 일체로 형성되어 조립 및 분리가 용이하며, 차단벽의 높이를 조절하여 소스가스 분사구의 높이와 반응가스의 높이를 매우 용이하게 조절할 수 있다.An induction pipe is formed on the upper plate structure, and a blocking wall is formed on the lower plate structure to block the linear reaction between the source gas and the reaction gas while covering the outer surface of the induction pipe. The barrier wall is formed integrally with the bottom plate structure to facilitate assembly and separation, and the height of the source gas injection hole and the height of the reaction gas can be adjusted very easily by adjusting the height of the barrier wall.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 상기 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. For reference, in the present description, the same numbers refer to substantially the same elements, and may be described by quoting the contents described in other drawings under the above rules, and the contents repeated or deemed apparent to those skilled in the art may be omitted.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이며, 도 4는 도 3의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다. 3 is a cross-sectional view of a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is an exploded perspective view showing a portion of the shower head of Figure 3 cut away.
도 3 및 도 4를 참조하면, 플라즈마 발생장치(100)는 플라즈마 발생부(110), 샤워 헤드(150), 차단벽(178), 반응가스 공급부(130) 및 소스가스 공급부(140)를 포함한다. 샤워 헤드(150) 및 플라즈마 발생부(110)는 지지부(120) 상에 장착되며, 지지부(120)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(110)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다. 3 and 4, the
플라즈마 발생부(110)는 상부 플라즈마 플레이트(112), 하부 플라즈마 플레이트(114), 스페이스 플레이트(116)를 포함한다. 상부 플라즈마 플레이트(112) 및 하부 플라즈마 플레이트(114)는 상하로 장착되며, 상부 플라즈마 플레이트(112) 및 하부 플라즈마 플레이트(114)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(130) 및 소스가스 공급부(140)의 가스 유로가 형성될 수 있다. The
플라즈마 발생부(110)는 플라즈마 발생 전극(118)를 포함하며, 플라즈마 발생 전극(118)는 하부 플라즈마 플레이트(114)의 저면에 장착된다. 반응가스 공급부(130)로부터 플라즈마 발생 전극(118) 위로 반응가스가 공급되며, 플라즈마 발생 전극(118)에는 다수의 홀이 형성되어 플라즈마 챔버로 반응가스를 통과시킬 수 있다. 플라즈마 발생부(110)는 ICP(Inductive Coupled Plasma) 또는 CCP(Capacitive Coupling Plasma)의 방식에 따라 플라즈마를 발생할 수 있으며, 일 예로 플라즈마 발생 전극(118)에는 RF 전원 등이 인가될 수 있다. The
하부 플라즈마 플레이트(114)의 저면으로 스페이스 플레이트(116)가 제공되 며, 스페이스 플레이트(116)는 하부 플라즈마 플레이트(114)와 샤워 헤드(150)가 일정 간격이상 이격되도록 하여 플라즈마 생성을 위한 챔버를 제공할 수 있다. 또한 스페이스 플레이트(116)는 절연부재로서 플라즈마 발생부(110)와 샤워 헤드(150)를 전기적으로 분리하기 위한 용도로도 사용될 수 있다. 이를 위해서 스페이스 플레이트(116)는 그 자체가 절연 재질을 이용하여 형성되거나 외면에서 절연 코팅을 형성하여 절연 특성을 가질 수 있다. A
도시된 바와 같이, 스페이스 플레이트(116)에도 소스가스 공급부(140)로서의 가스 유로가 형성될 수 있으며, 스페이스 플레이트(116)를 통해 소스가스 공급부(140)는 샤워 헤드(150)의 주변에 연결될 수가 있다. As illustrated, a gas flow path as the source
샤워 헤드(150)는 상판구조(160) 및 하판구조(170)를 포함한다. 상판구조(160)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(162)을 포함한다. 유도관(162)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(163)를 제공한다. 반응가스 분사구(163)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(150) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(170)는 상판구조(160)의 하부에 장착되며, 유도관(162)에 대응하는 하판 관통홀(172) 및 소스가스 분사구(174)를 포함한다. 하판 관통홀(172)을 통해 유도관(162)의 하단은 샤워 헤드(150) 하부로 노출될 수 있으며, 소스가스 분사구(174)는 하판 관통홀(172)의 주변 즉, 유도관(162)의 주변에 형성되어 소스가스를 분사할 수 있다. The
특히, 하판 관통홀(172)의 주변으로 위를 향해 차단벽(178)이 형성된다. 차 단벽(178)은 유도관(162)의 형상에 대응하여 원통형으로 형성되며, 차단벽(178)의 내면은 유도관(162)의 외면을 접하도록 거의 동일하거나 미세하게 큰 치수로 형성된다. 차단벽(178)에 의해서 소스가스 이동공간은 외부와 더 완벽하게 차단되며, 유도관(162) 및 하판 관통홀(172) 간의 틈에 의해서 가스가 출입하는 것은 방지될 수 있다. In particular, the blocking
도시된 바와 같이, 소스가스 공급부(140)에 의해서 샤워 헤드(150) 내로 소스가스가 공급되면, 소스가스는 하판구조(170)의 바닥에 형성된 소스가스 분사구(174)를 통해 분사될 수 있다. 분사된 소스가스는 반응가스 이온과 함께 피처리물 상에 박막 등을 형성할 수가 있다. 소스가스 분사구(174)는 하판 관통홀(172) 또는 차단벽(178) 사이에 형성되며, 그 개수 및 크기는 설계자의 의도에 따라 다양하게 선택될 수 있다.As shown, when source gas is supplied into the
도 4를 보면, 소스가스 공급부(140)가 샤워 헤드(150)의 외곽을 따라 동일한 간격으로 연결되며, 외곽으로부터 소스가스를 공급할 수 있다. 소스가스 공급부(140)로부터 공급된 소스가스는 상판구조(160)의 외곽을 통해 샤워 헤드(150) 내로 공급되며, 주변에서부터 공급된 소스가스는 소스가스 이동공간에 일시적으로 머물다가 소스가스 분사구(174)를 통해 하판구조(170) 하부로 분사된다. Referring to FIG. 4, the source
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 플라즈마 발생장치(200)는 플라즈마 발생부(210), 샤워 헤드(250), 차단벽(278), 반응가스 공급부(230) 및 소스가스 공급부(240)를 포함한다. 샤워 헤드(250) 및 플라즈마 발생부(210)는 지지부(220) 상에 장착되며, 지지 부(220)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(210)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다. Referring to FIG. 5, the
플라즈마 발생부(210)는 상부 플라즈마 플레이트(212), 하부 플라즈마 플레이트(214), 스페이스 플레이트(216)를 포함하며, 상부 플라즈마 플레이트(212) 및 하부 플라즈마 플레이트(214)는 상하로 장착된다. 상부 플라즈마 플레이트(212) 및 하부 플라즈마 플레이트(214)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(230) 및 소스가스 공급부(240)의 가스 유로가 형성된다. 플라즈마 발생부(210)는 플라즈마 발생 전극(218) 및 스페이스 플레이트(216)를 포함한다. The
샤워 헤드(250)는 상판구조(260) 및 하판구조(270)를 포함한다. 상판구조(260)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(262)을 포함한다. 유도관(262)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(263)를 제공한다. 반응가스 분사구(263)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(250) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(270)는 상판구조(260)의 하부에 장착되며, 유도관(262)에 대응하는 하판 관통홀(272) 및 소스가스 분사구(274)를 포함한다. 하판 관통홀(272)을 통해 유도관(262)의 하단은 샤워 헤드(250) 하부로 노출될 수 있으며, 소스가스 분사구(274)는 하판 관통홀(272)의 주변 즉, 유도관(262)의 주변에 형성되어 소스가스를 분사할 수 있다. The
특히, 하판 관통홀(272)의 주변으로 위를 향해 차단벽(278)이 형성된다. 차단벽(278)은 유도관(162)의 형상에 대응하여 원통형으로 형성되며, 차단벽(178)의 내면은 유도관(162)의 외면을 접하도록 거의 동일하거나 미세하게 큰 치수로 형성된다. 무엇보다도 차단벽(278)이 유도관(262)보다 길게 형성되며, 그 결과 소스가스 분사구(274)가 유도관(262)의 하단보다 낮은 위치에 있다. 이는 차단벽(278)이 단순히 소스가스 이동공간을 외부와 차단하기 위한 용도로 사용되는 것에 한정되지 아니하고, 소스가스 분사구의 위치를 조절하기 위한 용도로 사용될 수 있음을 의미한다. 여하튼, 차단벽(278)은 기본적으로 반응가스 분사구(263)를 통해 분사된 반응가스 이온 또는 라디칼이 샤워 헤드(250) 안으로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 반응가스와 소스가스가 의도하지 않은 영역에서 미리 반응하는 것을 방지할 수 있다. In particular, a blocking
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 플라즈마 발생장치(300)는 플라즈마 발생부(310), 샤워 헤드(350), 차단링(378), 반응가스 공급부(330) 및 소스가스 공급부(340)를 포함한다. 샤워 헤드(350) 및 플라즈마 발생부(310)는 지지부(320) 상에 장착되며, 지지부(320)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(310)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다. Referring to FIG. 6, the
플라즈마 발생부(310)는 상부 플라즈마 플레이트(312), 하부 플라즈마 플레이트(314), 스페이스 플레이트(316), 플라즈마 발생 전극(318)을 포함하며, 상부 플라즈마 플레이트(312) 및 하부 플라즈마 플레이트(314)는 상하로 장착된다. 상부 플라즈마 플레이트(312) 및 하부 플라즈마 플레이트(314)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(330) 및 소스가스 공급부(340)의 가스 유로가 형성되며, 플라 즈마 발생 전극(318)은 반응가스를 공급 받아 플라즈마를 형성할 수 있다.The
샤워 헤드(350)는 상판구조(360) 및 하판구조(370)를 포함한다. 상판구조(360)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(362)을 포함한다. 유도관(362)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(363)를 제공한다. 반응가스 분사구(363)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(350) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(370)는 상판구조(360)의 하부에 장착되며, 유도관(362)에 대응하는 하판 관통홀 및 소스가스 분사구(374)를 포함한다. 하판 관통홀을 통해 유도관(362)의 하단은 샤워 헤드(350) 하부로 노출될 수 있으며, 소스가스 분사구(374)는 하판 관통홀의 주변 즉, 유도관(362)의 주변에 형성되어 소스가스를 분사할 수 있다. The
특히, 하판 관통홀에 인접하게 유도관(362)의 주변으로 차단링(378)이 제공된다. 차단링(378)은 반응가스 및 소스가스와 반응을 하지 않는 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 유도관(362) 외면에 장착되어 반응가스 이온 또는 라디칼이 샤워 헤드(350) 안으로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 소스가스가 유도관(362) 및 관통홀 틈 사이로 유출되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 차단링(378)은 반응가스와 소스가스가 의도하지 않은 영역에서 미리 반응하는 것을 방지할 수 있다. 이 외에도, 차단부는 링 형태가 아니더라도 여러 가지 형태로 사용될 수 있으며, 유도관과 일체로 형성되는 돌기로도 차단부로서의 기능을 할 수가 있다. In particular, a blocking
본 발명의 플라즈마 발생장치는 샤워 헤드를 통해 공급되는 소스가스와 반응가스가 피처리물 상에서만 상호 반응하도록 할 수 있으며, 의도하지 않는 영역 즉, 유도관 출구 또는 샤워 헤드 내부 등에서 반응이 일어나는 것을 방지할 수 있다. 그 결과 소스가스가 무의미하게 소비되는 것을 예방할 수 있으며, 플라즈마 처리의 품질을 향상시킬 수가 있다. The plasma generating apparatus of the present invention allows the source gas and the reactant gas supplied through the shower head to react with each other only on the object to be treated, and prevents the reaction from occurring in an unintended area, that is, the outlet of the induction pipe or the inside of the shower head. can do. As a result, it is possible to prevent the source gas from being consumed insignificantly and to improve the quality of the plasma treatment.
또한, 본 발명의 플라즈마 발생장치는 차단구조의 높이 조절을 통해 소스가스와 반응가스 간의 분사구 높이 조절이 가능하며, 그 결과 소스가스와 반응가스를 효율적으로 이용 및 반응시킬 수 있는 최적의 조건을 찾을 수가 있다.In addition, the plasma generating apparatus of the present invention can adjust the height of the injection hole between the source gas and the reaction gas by adjusting the height of the blocking structure, and as a result, find the optimum conditions for efficiently using and reacting the source gas and the reaction gas. There is a number.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art various modifications and variations of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.
Claims (10)
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070043657A KR100874341B1 (en) | 2007-05-04 | 2007-05-04 | Plasma generator |
| TW97115806A TWI406600B (en) | 2007-04-30 | 2008-04-29 | Apparatus for generating plasma |
| CN2008100960814A CN101298668B (en) | 2007-04-30 | 2008-04-30 | Plasma generating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070043657A KR100874341B1 (en) | 2007-05-04 | 2007-05-04 | Plasma generator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080098234A true KR20080098234A (en) | 2008-11-07 |
| KR100874341B1 KR100874341B1 (en) | 2008-12-16 |
Family
ID=40285803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070043657A Active KR100874341B1 (en) | 2007-04-30 | 2007-05-04 | Plasma generator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100874341B1 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101027954B1 (en) * | 2008-12-22 | 2011-04-12 | 주식회사 케이씨텍 | Shower head and atomic layer deposition apparatus having the same |
| KR101503512B1 (en) | 2011-12-23 | 2015-03-18 | 주성엔지니어링(주) | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR102014877B1 (en) * | 2012-05-30 | 2019-08-27 | 주성엔지니어링(주) | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100419756B1 (en) * | 2000-06-23 | 2004-02-21 | 아넬바 가부시기가이샤 | Thin-film deposition apparatus |
| US6998014B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
-
2007
- 2007-05-04 KR KR1020070043657A patent/KR100874341B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100874341B1 (en) | 2008-12-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| D13-X000 | Search requested |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000 |
|
| D14-X000 | Search report completed |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121011 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130910 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140902 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151023 Year of fee payment: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 9 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171116 Year of fee payment: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 10 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181002 Year of fee payment: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191119 Year of fee payment: 12 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 12 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 13 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 14 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 15 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 16 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
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| PR1001 | Payment of annual fee |
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|
| U11 | Full renewal or maintenance fee paid |
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|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |