KR20080098234A - Plasma generator - Google Patents

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Abstract

플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 플라즈마 챔버를 제공하고 상하로 접합하는 상판구조 및 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하며 상판구조 및 하판구조는 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하고 상판구조 및 하판구조 중 하나는 상하로 관통하는 복수개의 유도관을 제공하는 샤워 헤드, 상판구조 및 하판구조 중 다른 하나와 유도관 사이의 틈을 차단하는 차단부, 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부, 및 샤워 헤드 내의 소스가스 이동공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부를 포함한다.The plasma generating apparatus includes a lower plate structure including a plasma generating unit, an upper plate structure disposed below the plasma generating unit, and providing a plasma chamber and joined up and down, and a plurality of source gas injection holes. The upper plate structure and the lower plate structure provide a source gas supply. A blocking portion that provides a source gas moving space for one of the upper and lower plate structures, and provides a plurality of induction pipes penetrating up and down to block a gap between the other one of the upper and lower plate structures and the induction pipe, Reaction gas supply unit for supplying the reaction gas to the plasma generating unit, and source gas supply unit for supplying the source gas to the source gas moving space in the shower head.

Description

플라즈마 발생장치 {APPARATUS FOR GENERATING PLASMA}Plasma Generator {APPARATUS FOR GENERATING PLASMA}

도 1은 종래의 플라즈마 발생장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a conventional plasma generator.

도 2는 도 1의 유도관 및 하판구조 간의 관계를 설명하기 위한 확대 단면도이다.FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view for describing a relationship between the induction pipe and the lower plate structure of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다. 4 is an exploded perspective view illustrating a portion of the shower head of FIG. 3;

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100:플라즈마 발생장치 110:플라즈마 발생부100: plasma generator 110: plasma generator

120:지지부 130:반응가스 공급부120: support part 130: reaction gas supply part

140:소스가스 공급부 150:샤워 헤드140: source gas supply part 150: shower head

160:상판구조 162:유도관160: top plate structure 162: induction pipe

170:하판구조 178:차단벽170: lower plate structure 178: barrier wall

본 발명은 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 보다 자세하게는, 표면처리 및 박막형성을 위해 플라즈마를 균일하게 발생할 수 있는 플라즈마 발생장치에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma generating apparatus, and more particularly, to a plasma generating apparatus capable of generating a plasma uniformly for surface treatment and thin film formation.

도 1은 종래의 플라즈마 발생장치를 설명하기 위한 단면도이며, 도 2는 도 1의 유도관 및 하판구조 간의 관계를 설명하기 위한 확대 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a conventional plasma generating apparatus, Figure 2 is an enlarged cross-sectional view for explaining the relationship between the induction pipe and the lower plate structure of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 종래의 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부(10), 반응가스 공급부(30), 소스가스 공급부(40) 및 샤워 헤드(50)를 포함하며, 이들 장치들은 지지부(20) 상에 장착이 된다. 플라즈마 발생부(10) 및 샤워 헤드(50) 사이에는 플라즈마를 형성하기 위한 플라즈마 챔버가 제공되며, 플라즈마 챔버에서 형성된 플라즈마는 샤워 헤드(50)에 형성된 다수의 반응가스 분사구(63)를 통해 샤워 헤드(50) 하부로 이동할 수 있다. 반응가스에 의한 플라즈마가 샤워 헤드(50)를 통과하면서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 등의 상태로 전환되고, 전환된 반응가스의 이온 또는 라디칼은 샤워 헤드(50)의 유도관(62)의 하단에서 하부로 분사될 수 있다. 1 and 2, a conventional plasma generator includes a plasma generator 10, a reaction gas supply unit 30, a source gas supply unit 40, and a shower head 50. 20) is mounted on. A plasma chamber for forming plasma is provided between the plasma generator 10 and the shower head 50, and the plasma formed in the plasma chamber is shower head through a plurality of reaction gas injection holes 63 formed in the shower head 50. 50 can be moved to the bottom. As the plasma by the reaction gas passes through the shower head 50, the plasma is converted into a state such as ions or radicals, and the ions or radicals of the converted reaction gas are lowered at the lower end of the induction pipe 62 of the shower head 50. Can be sprayed on.

샤워 헤드(50)의 하부로는 처리공간이 제공되며, 처리공간에는 피처리물이 위치하여 박막 형성, 세정 등과 같은 플라즈마 가공이 진행될 수 있다. 플라즈마 발생장치 및 처리공간은 일반적으로 진공상태를 유지하고 있으며, 피처리물은 히터(미도시) 상에 장착될 수 있다. The lower portion of the shower head 50 is provided with a processing space, and the processing space may be positioned to perform plasma processing such as thin film formation and cleaning. The plasma generating device and the processing space are generally maintained in a vacuum state, and the object to be processed may be mounted on a heater (not shown).

다시 도 1을 참조하면, 플라즈마 발생부(10)는 상부 플라즈마 플레이트(12) 및 하부 플라즈마 플레이트(14)로 구성되며, 상부 플라즈마 플레이트(12) 및 하부 플라즈마 플레이트(14)에 의해서 반응가스 공급부(30)의 유관 및 소스가스 공급부(40)의 유관이 형성될 수 있다. 반응가스 공급부(30)를 통해서 공급된 반응가스는 플라즈마 발생부(10)의 저면에 장착된 플라즈마 발생 전극(18)을 통과하면서 플라즈마 상태로 전환되며, 플라즈마 발생 전극(18)에는 다수의 홀이 형성되어 반응가스를 효과적으로 통과시킬 수 있다. Referring back to FIG. 1, the plasma generating unit 10 includes an upper plasma plate 12 and a lower plasma plate 14, and the reaction gas supply unit may be formed by the upper plasma plate 12 and the lower plasma plate 14. An oil pipe of 30 and an oil pipe of the source gas supply part 40 may be formed. The reaction gas supplied through the reaction gas supply unit 30 is converted into a plasma state while passing through the plasma generation electrode 18 mounted on the bottom of the plasma generation unit 10, and a plurality of holes are provided in the plasma generation electrode 18. Can be formed to effectively pass the reaction gas.

종래의 플라즈마 발생장치에서 샤워 헤드(50)는 상판구조(60)와 하판구조(70)에 의해서 형성되며, 상판구조(60)에는 반응가스 분사구(63)를 정의하는 유도관(62)이 형성되고, 하판구조(70)에는 소스가스 분사를 위한 소스가스 분사구(74)가 형성된다. 반응가스 분사구(63)를 통과한 반응가스 이온 또는 라디칼은 소스가스 분사구(74)를 통과한 소스가스와 반응할 수 있으며, 상기 반응에 의해서 피처리물에는 박막 등이 형성될 수 있다.In the conventional plasma generator, the shower head 50 is formed by the upper plate structure 60 and the lower plate structure 70, and the induction pipe 62 defining the reaction gas injection hole 63 is formed in the upper plate structure 60. The lower plate structure 70 is provided with a source gas injection port 74 for source gas injection. The reaction gas ions or radicals passing through the reaction gas injection port 63 may react with the source gas passing through the source gas injection port 74, and a thin film or the like may be formed on the object to be processed by the reaction.

하지만, 도 2에 도시된 바와 같이, 샤워 헤드(50)에서 유도관(62)과 하판구조(70) 사이에 미세한 틈(G)이 존재할 수 있으며, 이 틈(G)을 통해서 소스가스가 유출될 수 있으며, 반대로 반응가스가 샤워 헤드(50) 안으로 유입될 수도 있다. 소스가스가 틈(G)을 통해서 유출되면, 소스가스는 유도관(50)의 하단에서 반응가스와 반응을 시작할 수 있으며, 피처리물에 도달하기 전에 반응이 완료될 수가 있다. 또한, 반응가스가 틈(G)을 통해 유입되면, 역시 샤워 헤드(50) 안에서 반응이 일어나 버릴 수가 있다. However, as shown in FIG. 2, in the shower head 50, a minute gap G may exist between the induction pipe 62 and the lower plate structure 70, and the source gas flows out through the gap G. On the contrary, the reaction gas may flow into the shower head 50. When the source gas flows out through the gap G, the source gas may start reacting with the reaction gas at the lower end of the induction pipe 50, and the reaction may be completed before reaching the workpiece. In addition, when the reaction gas flows through the gap G, the reaction may occur in the shower head 50 again.

그 결과, 종래의 플라즈마 발생장치에서는 소스가스 또는 반응가스가 과도하게 소비될 수 있으며, 형성되는 박막의 품질이 현저하게 저하될 수가 있다. As a result, in the conventional plasma generator, the source gas or the reaction gas may be excessively consumed, and the quality of the formed thin film may be significantly reduced.

본 발명은 샤워 헤드를 통해 공급되는 소스가스가 반응가스와 미리 반응하지 않고, 피처리물 처리에 효과적으로 사용될 수 있는 플라즈마 발생장치를 제공한다. The present invention provides a plasma generating apparatus that can be used effectively in the treatment of a workpiece without the source gas supplied through the shower head reacting with the reaction gas in advance.

본 발명은 소스가스와 반응가스 간의 분사구 조절이 가능하여 소스가스와 반응가스 간의 효율적인 혼합을 가능하게 하는 플라즈마 발생장치를 제공한다. The present invention provides a plasma generator that can control the injection hole between the source gas and the reaction gas to enable efficient mixing between the source gas and the reaction gas.

본 발명은 소스가스와 반응가스 간의 선반응을 효율적으로 차단할 수 있는 여러 방법을 제공한다. The present invention provides several methods that can effectively block the line reaction between the source gas and the reaction gas.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 샤워 헤드, 차단부, 반응가스 공급부 및 소스가스 공급부를 포함한다. 샤워 헤드는 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공할 수 있으며, 샤워 헤드는 상판구조 및 하판구조를 포함하며, 상판구조 및 하판구조는 상하로 접합하여 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공한다. 특히, 상판구조 및 하판구조 중 하나는 복수개의 유도관을 포함할 수 있으며, 차단부는 유도관과 다른 하나의 판구조 간의 틈새를 차단할 수 있다. According to a preferred embodiment of the present invention, the plasma generating apparatus includes a plasma generating unit, a shower head, a blocking unit, a reaction gas supply unit and a source gas supply unit. The shower head may be positioned below the plasma generator to provide a plasma chamber together with the plasma generator. The shower head includes an upper plate structure and a lower plate structure, and the upper plate structure and the lower plate structure are joined up and down to supply a source gas. Provide source gas movement space. In particular, one of the upper plate structure and the lower plate structure may include a plurality of guide tubes, the blocking portion may block the gap between the guide tube and the other plate structure.

즉, 유도관은 일반적으로 상판구조에 형성될 수 있고, 차단부는 하판구조와 일체로 형성되거나 따로 형성되어 하판구조의 관통홀과 유도관 사이의 틈을 차단할 수 있고, 다르게는 유도관이 하판구조에 형성되고 차단부는 상판구조와 일체로 형성되거나 따로 형성되어 상판구조의 관통홀과 유도관 사이의 틈을 차단할 수 있다.That is, the induction pipe may generally be formed in the upper plate structure, and the blocking portion may be formed integrally with the lower plate structure or separately formed to block a gap between the through hole of the lower plate structure and the induction pipe, otherwise the induction pipe may be the lower plate structure. The blocking portion may be integrally formed with the upper plate structure or separately formed to block a gap between the through hole of the upper plate structure and the guide tube.

상술한 바와 같이, 차단부는 상판구조 또는 하판구조와 일체로 형성될 수도 있으며 별도로 형성된 후 유도관 등에 장착될 수 있다. 그 결과 소스가스 또는 반응가스가 피처리물의 상면이 아닌 다른 의도하지 않는 영역에서 미리 반응하는 것을 예방할 수가 있다. As described above, the blocking portion may be formed integrally with the upper plate structure or the lower plate structure, and may be mounted separately to the induction pipe and the like. As a result, it is possible to prevent the source gas or the reactive gas from reacting in advance in an unintended region other than the upper surface of the workpiece.

본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따르면, 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생부, 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하고, 아래를 향하여 형성된 복수개의 유도관을 포함하는 상판구조 및 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하며, 상판구조 및 하판구조는 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하고, 하판구조는 유도관의 외면을 감싸는 차단벽을 포함하는 샤워 헤드, 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부, 및 샤워 헤드 내의 소스가스 이동공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부를 포함한다. According to another preferred embodiment of the present invention, the plasma generating apparatus is provided with a plasma generating unit, a top plate structure including a plurality of induction pipes which are disposed below the plasma generating unit to provide a plasma chamber and formed downward; A lower plate structure including a plurality of source gas injection ports, the upper plate structure and the lower plate structure provide a source gas moving space for source gas supply, and the lower plate structure includes a shower head including a barrier wall surrounding an outer surface of the induction pipe; Reaction gas supply unit for supplying the reaction gas to the plasma generating unit, and source gas supply unit for supplying the source gas to the source gas moving space in the shower head.

상판구조에 유도관이 형성되고, 하판구조에는 유도관의 외면을 감싸면서 소스가스와 반응가스 간의 선반응을 차단하는 차단벽이 형성된다. 차단벽은 하판구조와 일체로 형성되어 조립 및 분리가 용이하며, 차단벽의 높이를 조절하여 소스가스 분사구의 높이와 반응가스의 높이를 매우 용이하게 조절할 수 있다.An induction pipe is formed on the upper plate structure, and a blocking wall is formed on the lower plate structure to block the linear reaction between the source gas and the reaction gas while covering the outer surface of the induction pipe. The barrier wall is formed integrally with the bottom plate structure to facilitate assembly and separation, and the height of the source gas injection hole and the height of the reaction gas can be adjusted very easily by adjusting the height of the barrier wall.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 상기 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. For reference, in the present description, the same numbers refer to substantially the same elements, and may be described by quoting the contents described in other drawings under the above rules, and the contents repeated or deemed apparent to those skilled in the art may be omitted.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이며, 도 4는 도 3의 샤워 헤드의 일부를 절개하여 도시한 분해 사시도이다. 3 is a cross-sectional view of a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is an exploded perspective view showing a portion of the shower head of Figure 3 cut away.

도 3 및 도 4를 참조하면, 플라즈마 발생장치(100)는 플라즈마 발생부(110), 샤워 헤드(150), 차단벽(178), 반응가스 공급부(130) 및 소스가스 공급부(140)를 포함한다. 샤워 헤드(150) 및 플라즈마 발생부(110)는 지지부(120) 상에 장착되며, 지지부(120)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(110)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다. 3 and 4, the plasma generator 100 includes a plasma generator 110, a shower head 150, a blocking wall 178, a reaction gas supply unit 130, and a source gas supply unit 140. do. The shower head 150 and the plasma generator 110 are mounted on the supporter 120, and the supporter 120 provides an empty hole in the center thereof, so that the plasma generated by the plasma generator 110 may provide an empty hole. Can be delivered to the workpiece.

플라즈마 발생부(110)는 상부 플라즈마 플레이트(112), 하부 플라즈마 플레이트(114), 스페이스 플레이트(116)를 포함한다. 상부 플라즈마 플레이트(112) 및 하부 플라즈마 플레이트(114)는 상하로 장착되며, 상부 플라즈마 플레이트(112) 및 하부 플라즈마 플레이트(114)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(130) 및 소스가스 공급부(140)의 가스 유로가 형성될 수 있다. The plasma generator 110 includes an upper plasma plate 112, a lower plasma plate 114, and a space plate 116. The upper plasma plate 112 and the lower plasma plate 114 are mounted up and down, and holes or grooves are formed in the upper plasma plate 112 and the lower plasma plate 114 so that the reaction gas supply unit 130 and the source gas supply unit ( A gas flow path of 140 may be formed.

플라즈마 발생부(110)는 플라즈마 발생 전극(118)를 포함하며, 플라즈마 발생 전극(118)는 하부 플라즈마 플레이트(114)의 저면에 장착된다. 반응가스 공급부(130)로부터 플라즈마 발생 전극(118) 위로 반응가스가 공급되며, 플라즈마 발생 전극(118)에는 다수의 홀이 형성되어 플라즈마 챔버로 반응가스를 통과시킬 수 있다. 플라즈마 발생부(110)는 ICP(Inductive Coupled Plasma) 또는 CCP(Capacitive Coupling Plasma)의 방식에 따라 플라즈마를 발생할 수 있으며, 일 예로 플라즈마 발생 전극(118)에는 RF 전원 등이 인가될 수 있다. The plasma generating unit 110 includes a plasma generating electrode 118, and the plasma generating electrode 118 is mounted on the bottom surface of the lower plasma plate 114. The reaction gas is supplied from the reaction gas supply unit 130 onto the plasma generation electrode 118, and a plurality of holes are formed in the plasma generation electrode 118 to allow the reaction gas to pass through the plasma chamber. The plasma generating unit 110 may generate plasma according to an inductive coupled plasma (ICP) or capacitive coupling plasma (CCP) scheme, and an RF power source or the like may be applied to the plasma generating electrode 118.

하부 플라즈마 플레이트(114)의 저면으로 스페이스 플레이트(116)가 제공되 며, 스페이스 플레이트(116)는 하부 플라즈마 플레이트(114)와 샤워 헤드(150)가 일정 간격이상 이격되도록 하여 플라즈마 생성을 위한 챔버를 제공할 수 있다. 또한 스페이스 플레이트(116)는 절연부재로서 플라즈마 발생부(110)와 샤워 헤드(150)를 전기적으로 분리하기 위한 용도로도 사용될 수 있다. 이를 위해서 스페이스 플레이트(116)는 그 자체가 절연 재질을 이용하여 형성되거나 외면에서 절연 코팅을 형성하여 절연 특성을 가질 수 있다. A space plate 116 is provided at a bottom of the lower plasma plate 114, and the space plate 116 is spaced apart from the lower plasma plate 114 and the shower head 150 by a predetermined interval to provide a chamber for plasma generation. can do. In addition, the space plate 116 may be used as an insulating member for electrically separating the plasma generator 110 and the shower head 150. To this end, the space plate 116 may itself be formed using an insulating material or may have an insulating property by forming an insulating coating on an outer surface thereof.

도시된 바와 같이, 스페이스 플레이트(116)에도 소스가스 공급부(140)로서의 가스 유로가 형성될 수 있으며, 스페이스 플레이트(116)를 통해 소스가스 공급부(140)는 샤워 헤드(150)의 주변에 연결될 수가 있다. As illustrated, a gas flow path as the source gas supply unit 140 may be formed in the space plate 116, and the source gas supply unit 140 may be connected to the periphery of the shower head 150 through the space plate 116. have.

샤워 헤드(150)는 상판구조(160) 및 하판구조(170)를 포함한다. 상판구조(160)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(162)을 포함한다. 유도관(162)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(163)를 제공한다. 반응가스 분사구(163)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(150) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(170)는 상판구조(160)의 하부에 장착되며, 유도관(162)에 대응하는 하판 관통홀(172) 및 소스가스 분사구(174)를 포함한다. 하판 관통홀(172)을 통해 유도관(162)의 하단은 샤워 헤드(150) 하부로 노출될 수 있으며, 소스가스 분사구(174)는 하판 관통홀(172)의 주변 즉, 유도관(162)의 주변에 형성되어 소스가스를 분사할 수 있다. The shower head 150 includes an upper plate structure 160 and a lower plate structure 170. The upper plate structure 160 is formed in a disk or other plate shape and includes a guide tube 162 protruding downward. The induction pipe 162 is formed to penetrate up and down to provide a reaction gas injection hole 163. The plasma may be delivered to the lower portion of the shower head 150 through the reaction gas injection hole 163, and the plasma may be converted into an ionic or radical state in the process of being delivered. The lower plate structure 170 is mounted on the lower portion of the upper plate structure 160 and includes a lower plate through hole 172 and a source gas injection hole 174 corresponding to the induction pipe 162. The lower end of the induction pipe 162 may be exposed to the lower portion of the shower head 150 through the lower plate through hole 172, and the source gas injection hole 174 may be around the lower plate through hole 172, that is, the induction pipe 162. It is formed in the vicinity of the source gas can be injected.

특히, 하판 관통홀(172)의 주변으로 위를 향해 차단벽(178)이 형성된다. 차 단벽(178)은 유도관(162)의 형상에 대응하여 원통형으로 형성되며, 차단벽(178)의 내면은 유도관(162)의 외면을 접하도록 거의 동일하거나 미세하게 큰 치수로 형성된다. 차단벽(178)에 의해서 소스가스 이동공간은 외부와 더 완벽하게 차단되며, 유도관(162) 및 하판 관통홀(172) 간의 틈에 의해서 가스가 출입하는 것은 방지될 수 있다. In particular, the blocking wall 178 is formed upwardly around the lower plate through hole 172. The blocking wall 178 is formed in a cylindrical shape corresponding to the shape of the induction pipe 162, and the inner surface of the blocking wall 178 is formed to have substantially the same or finer size to contact the outer surface of the induction pipe 162. The source gas moving space is more completely blocked from the outside by the blocking wall 178, and gas can be prevented from entering and leaving by a gap between the guide pipe 162 and the lower plate through hole 172.

도시된 바와 같이, 소스가스 공급부(140)에 의해서 샤워 헤드(150) 내로 소스가스가 공급되면, 소스가스는 하판구조(170)의 바닥에 형성된 소스가스 분사구(174)를 통해 분사될 수 있다. 분사된 소스가스는 반응가스 이온과 함께 피처리물 상에 박막 등을 형성할 수가 있다. 소스가스 분사구(174)는 하판 관통홀(172) 또는 차단벽(178) 사이에 형성되며, 그 개수 및 크기는 설계자의 의도에 따라 다양하게 선택될 수 있다.As shown, when source gas is supplied into the shower head 150 by the source gas supply unit 140, the source gas may be injected through the source gas injection hole 174 formed at the bottom of the lower plate structure 170. The injected source gas can form a thin film or the like on the workpiece with the reaction gas ions. The source gas injection hole 174 is formed between the lower plate through hole 172 or the blocking wall 178, and the number and size of the source gas injection hole 174 may be variously selected according to the designer's intention.

도 4를 보면, 소스가스 공급부(140)가 샤워 헤드(150)의 외곽을 따라 동일한 간격으로 연결되며, 외곽으로부터 소스가스를 공급할 수 있다. 소스가스 공급부(140)로부터 공급된 소스가스는 상판구조(160)의 외곽을 통해 샤워 헤드(150) 내로 공급되며, 주변에서부터 공급된 소스가스는 소스가스 이동공간에 일시적으로 머물다가 소스가스 분사구(174)를 통해 하판구조(170) 하부로 분사된다. Referring to FIG. 4, the source gas supply unit 140 may be connected at equal intervals along the outside of the shower head 150, and may supply the source gas from the outside. The source gas supplied from the source gas supply unit 140 is supplied into the shower head 150 through the outside of the upper plate structure 160, and the source gas supplied from the surroundings temporarily stays in the source gas moving space and then source gas injection holes ( 174 is injected into the lower plate structure 170 below.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 플라즈마 발생장치(200)는 플라즈마 발생부(210), 샤워 헤드(250), 차단벽(278), 반응가스 공급부(230) 및 소스가스 공급부(240)를 포함한다. 샤워 헤드(250) 및 플라즈마 발생부(210)는 지지부(220) 상에 장착되며, 지지 부(220)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(210)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다. Referring to FIG. 5, the plasma generator 200 includes a plasma generator 210, a shower head 250, a blocking wall 278, a reaction gas supply unit 230, and a source gas supply unit 240. The shower head 250 and the plasma generator 210 are mounted on the supporter 220, and the supporter 220 provides an empty hole at the center thereof, so that the plasma generated by the plasma generator 210 is empty. It can be delivered to the processed object through.

플라즈마 발생부(210)는 상부 플라즈마 플레이트(212), 하부 플라즈마 플레이트(214), 스페이스 플레이트(216)를 포함하며, 상부 플라즈마 플레이트(212) 및 하부 플라즈마 플레이트(214)는 상하로 장착된다. 상부 플라즈마 플레이트(212) 및 하부 플라즈마 플레이트(214)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(230) 및 소스가스 공급부(240)의 가스 유로가 형성된다. 플라즈마 발생부(210)는 플라즈마 발생 전극(218) 및 스페이스 플레이트(216)를 포함한다. The plasma generator 210 includes an upper plasma plate 212, a lower plasma plate 214, and a space plate 216, and the upper plasma plate 212 and the lower plasma plate 214 are mounted up and down. Holes or grooves are formed in the upper plasma plate 212 and the lower plasma plate 214 to form gas flow paths of the reaction gas supply unit 230 and the source gas supply unit 240. The plasma generator 210 includes a plasma generator electrode 218 and a space plate 216.

샤워 헤드(250)는 상판구조(260) 및 하판구조(270)를 포함한다. 상판구조(260)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(262)을 포함한다. 유도관(262)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(263)를 제공한다. 반응가스 분사구(263)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(250) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(270)는 상판구조(260)의 하부에 장착되며, 유도관(262)에 대응하는 하판 관통홀(272) 및 소스가스 분사구(274)를 포함한다. 하판 관통홀(272)을 통해 유도관(262)의 하단은 샤워 헤드(250) 하부로 노출될 수 있으며, 소스가스 분사구(274)는 하판 관통홀(272)의 주변 즉, 유도관(262)의 주변에 형성되어 소스가스를 분사할 수 있다. The shower head 250 includes an upper plate structure 260 and a lower plate structure 270. The upper plate structure 260 is formed in a disk or other plate shape, and includes a guide tube 262 protruding downward. The induction pipe 262 is formed to penetrate up and down to provide a reaction gas injection hole 263. The plasma may be delivered to the lower portion of the shower head 250 through the reaction gas injection hole 263, and in the process, the plasma may be converted into an ionic or radical state. The lower plate structure 270 is mounted below the upper plate structure 260 and includes a lower plate through hole 272 and a source gas injection hole 274 corresponding to the induction pipe 262. The lower end of the induction pipe 262 may be exposed to the lower portion of the shower head 250 through the lower plate through hole 272, and the source gas injection hole 274 may surround the lower plate through hole 272, that is, the induction pipe 262. It is formed in the vicinity of the source gas can be injected.

특히, 하판 관통홀(272)의 주변으로 위를 향해 차단벽(278)이 형성된다. 차단벽(278)은 유도관(162)의 형상에 대응하여 원통형으로 형성되며, 차단벽(178)의 내면은 유도관(162)의 외면을 접하도록 거의 동일하거나 미세하게 큰 치수로 형성된다. 무엇보다도 차단벽(278)이 유도관(262)보다 길게 형성되며, 그 결과 소스가스 분사구(274)가 유도관(262)의 하단보다 낮은 위치에 있다. 이는 차단벽(278)이 단순히 소스가스 이동공간을 외부와 차단하기 위한 용도로 사용되는 것에 한정되지 아니하고, 소스가스 분사구의 위치를 조절하기 위한 용도로 사용될 수 있음을 의미한다. 여하튼, 차단벽(278)은 기본적으로 반응가스 분사구(263)를 통해 분사된 반응가스 이온 또는 라디칼이 샤워 헤드(250) 안으로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 반응가스와 소스가스가 의도하지 않은 영역에서 미리 반응하는 것을 방지할 수 있다. In particular, a blocking wall 278 is formed upwardly around the lower plate through hole 272. The blocking wall 278 is formed in a cylindrical shape corresponding to the shape of the induction pipe 162, and the inner surface of the blocking wall 178 is formed to have substantially the same or finer size to contact the outer surface of the induction pipe 162. First of all, the barrier wall 278 is formed longer than the induction pipe 262, so that the source gas injection hole 274 is located at a lower position than the lower end of the induction pipe 262. This means that the barrier wall 278 is not limited to being simply used to block the source gas moving space from the outside, and may be used to adjust the position of the source gas injection hole. In any case, the blocking wall 278 basically prevents the reaction gas ions or radicals injected through the reaction gas injection hole 263 from entering the shower head 250, and the reaction gas and the source gas are not intended. It can be prevented from reacting in advance.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 플라즈마 발생장치(300)는 플라즈마 발생부(310), 샤워 헤드(350), 차단링(378), 반응가스 공급부(330) 및 소스가스 공급부(340)를 포함한다. 샤워 헤드(350) 및 플라즈마 발생부(310)는 지지부(320) 상에 장착되며, 지지부(320)는 중앙의 빈 홀을 제공하여 플라즈마 발생부(310)에 의해서 생성된 플라즈마 등은 빈 홀을 통해 피처리물로 전달될 수 있다. Referring to FIG. 6, the plasma generator 300 includes a plasma generator 310, a shower head 350, a blocking ring 378, a reaction gas supply unit 330, and a source gas supply unit 340. The shower head 350 and the plasma generating unit 310 are mounted on the supporting unit 320, and the supporting unit 320 provides a central empty hole so that the plasma generated by the plasma generating unit 310 may store the empty hole. Can be delivered to the workpiece.

플라즈마 발생부(310)는 상부 플라즈마 플레이트(312), 하부 플라즈마 플레이트(314), 스페이스 플레이트(316), 플라즈마 발생 전극(318)을 포함하며, 상부 플라즈마 플레이트(312) 및 하부 플라즈마 플레이트(314)는 상하로 장착된다. 상부 플라즈마 플레이트(312) 및 하부 플라즈마 플레이트(314)에는 홀 또는 홈이 형성되어 반응가스 공급부(330) 및 소스가스 공급부(340)의 가스 유로가 형성되며, 플라 즈마 발생 전극(318)은 반응가스를 공급 받아 플라즈마를 형성할 수 있다.The plasma generator 310 includes an upper plasma plate 312, a lower plasma plate 314, a space plate 316, and a plasma generating electrode 318, and the upper plasma plate 312 and the lower plasma plate 314. Is mounted up and down. Holes or grooves are formed in the upper plasma plate 312 and the lower plasma plate 314 to form gas flow paths of the reaction gas supply unit 330 and the source gas supply unit 340, and the plasma generating electrode 318 is the reaction gas. Can be supplied to form a plasma.

샤워 헤드(350)는 상판구조(360) 및 하판구조(370)를 포함한다. 상판구조(360)는 디스크 또는 다른 판형으로 형성되며, 아래로 돌출된 유도관(362)을 포함한다. 유도관(362)은 상하로 관통하는 형상으로 형성되어 반응가스 분사구(363)를 제공한다. 반응가스 분사구(363)를 통해서 플라즈마는 샤워 헤드(350) 하부로 전달될 수 있으며, 전달되는 과정에서 플라즈마는 이온 또는 라디칼 상태로 전환될 수 있다. 하판구조(370)는 상판구조(360)의 하부에 장착되며, 유도관(362)에 대응하는 하판 관통홀 및 소스가스 분사구(374)를 포함한다. 하판 관통홀을 통해 유도관(362)의 하단은 샤워 헤드(350) 하부로 노출될 수 있으며, 소스가스 분사구(374)는 하판 관통홀의 주변 즉, 유도관(362)의 주변에 형성되어 소스가스를 분사할 수 있다. The shower head 350 includes an upper plate structure 360 and a lower plate structure 370. The upper plate structure 360 is formed in a disk or other plate shape, and includes a guide tube 362 protruding downward. The induction pipe 362 is formed in a shape that penetrates up and down to provide a reaction gas injection hole 363. The plasma may be delivered to the lower portion of the shower head 350 through the reaction gas injection hole 363, and the plasma may be converted into an ionic or radical state in the process of being delivered. The lower plate structure 370 is mounted below the upper plate structure 360 and includes a lower plate through hole and a source gas injection hole 374 corresponding to the induction pipe 362. The lower end of the induction pipe 362 may be exposed to the lower portion of the shower head 350 through the lower plate through hole, and the source gas injection hole 374 may be formed around the lower plate through hole, that is, around the induction pipe 362. Can be sprayed.

특히, 하판 관통홀에 인접하게 유도관(362)의 주변으로 차단링(378)이 제공된다. 차단링(378)은 반응가스 및 소스가스와 반응을 하지 않는 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 유도관(362) 외면에 장착되어 반응가스 이온 또는 라디칼이 샤워 헤드(350) 안으로 유입되는 것을 방지할 수 있으며, 소스가스가 유도관(362) 및 관통홀 틈 사이로 유출되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 차단링(378)은 반응가스와 소스가스가 의도하지 않은 영역에서 미리 반응하는 것을 방지할 수 있다. 이 외에도, 차단부는 링 형태가 아니더라도 여러 가지 형태로 사용될 수 있으며, 유도관과 일체로 형성되는 돌기로도 차단부로서의 기능을 할 수가 있다. In particular, a blocking ring 378 is provided around the guide tube 362 adjacent to the lower plate through hole. The blocking ring 378 is preferably formed of a material that does not react with the reaction gas and the source gas, and is mounted on an outer surface of the induction pipe 362 to prevent the reaction gas ions or radicals from flowing into the shower head 350. The source gas may be prevented from flowing out between the induction pipe 362 and the through hole gap. That is, the blocking ring 378 can prevent the reaction gas and the source gas from reacting in advance in an unintended region. In addition, the blocking portion may be used in various forms, even if not in the form of a ring, and may function as a blocking portion even with a protrusion formed integrally with the induction pipe.

본 발명의 플라즈마 발생장치는 샤워 헤드를 통해 공급되는 소스가스와 반응가스가 피처리물 상에서만 상호 반응하도록 할 수 있으며, 의도하지 않는 영역 즉, 유도관 출구 또는 샤워 헤드 내부 등에서 반응이 일어나는 것을 방지할 수 있다. 그 결과 소스가스가 무의미하게 소비되는 것을 예방할 수 있으며, 플라즈마 처리의 품질을 향상시킬 수가 있다. The plasma generating apparatus of the present invention allows the source gas and the reactant gas supplied through the shower head to react with each other only on the object to be treated, and prevents the reaction from occurring in an unintended area, that is, the outlet of the induction pipe or the inside of the shower head. can do. As a result, it is possible to prevent the source gas from being consumed insignificantly and to improve the quality of the plasma treatment.

또한, 본 발명의 플라즈마 발생장치는 차단구조의 높이 조절을 통해 소스가스와 반응가스 간의 분사구 높이 조절이 가능하며, 그 결과 소스가스와 반응가스를 효율적으로 이용 및 반응시킬 수 있는 최적의 조건을 찾을 수가 있다.In addition, the plasma generating apparatus of the present invention can adjust the height of the injection hole between the source gas and the reaction gas by adjusting the height of the blocking structure, and as a result, find the optimum conditions for efficiently using and reacting the source gas and the reaction gas. There is a number.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art various modifications and variations of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (10)

플라즈마 발생부;A plasma generator; 상기 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 상기 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하고, 상하로 접합하는 상판구조 및 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하며, 상기 상판구조 및 상기 하판구조는 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하고, 상기 상판구조 및 상기 하판구조 중 하나는 상하로 관통하는 복수개의 유도관을 제공하는 샤워 헤드;Located below the plasma generating unit to provide a plasma chamber with the plasma generating unit, and includes a lower plate structure including a top plate structure and a plurality of source gas injection holes bonded up and down, the top plate structure and the bottom plate structure is a source A shower head providing a source gas moving space for supplying gas, wherein one of the upper plate structure and the lower plate structure provides a plurality of induction pipes penetrating up and down; 상기 상판구조 및 상기 하판구조 중 다른 하나와 상기 유도관 사이의 틈을 차단하는 차단부;A blocking unit for blocking a gap between the other of the upper plate structure and the lower plate structure and the induction pipe; 상기 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부; 및A reaction gas supply unit supplying a reaction gas to the plasma generation unit; And 상기 샤워 헤드 내의 상기 소스가스 이동공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부;를 구비하는 플라즈마 발생장치.And a source gas supply unit supplying a source gas to the source gas moving space in the shower head. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플라즈마 발생부는 하부에 장착된 플라즈마 발생 전극을 포함하며, 상기 플라즈마 발생 전극은 복수개의 홀을 포함하며, 상기 반응가스 공급부는 상기 플라즈마 발생 전극의 상부로 반응가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.The plasma generation unit includes a plasma generation electrode mounted below, the plasma generation electrode includes a plurality of holes, and the reaction gas supply unit supplies a reaction gas to the upper portion of the plasma generation electrode. Device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 차단부는 상기 상판구조 및 상기 하판구조 중 다른 하나와 일체 또는 분리된 상태로 제공되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.The blocking unit is characterized in that the plasma generating apparatus is provided in a state of being integral with or separate from the other of the upper plate structure and the lower plate structure. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상판구조 및 상기 하판구조 중 다른 하나는 상기 유도관을 노출시키기 위한 관통홀을 포함하며, 상기 차단부는 상기 유도관의 주변에 별도로 장착되어 상기 유도관과 상기 관통홀 간의 틈을 차단하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.The other one of the upper plate structure and the lower plate structure includes a through hole for exposing the induction pipe, and the blocking portion is mounted separately around the induction pipe to block a gap between the induction pipe and the through hole. Plasma generating device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상판구조 및 상기 하판구조 중 다른 하나는 상기 유도관을 노출시키기 위한 관통홀을 포함하며, 상기 차단부는 상기 관통홀의 주변에 일체로 형성되어 상기 유도관의 주변을 감싸는 차단벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.The other one of the upper plate structure and the lower plate structure includes a through-hole for exposing the induction pipe, the blocking portion is formed integrally with the periphery of the through-hole is characterized in that it comprises a blocking wall surrounding the periphery of the induction pipe Plasma generating device. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 차단벽은 상기 유도관보다 짧게 또는 길게 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.The blocking wall is plasma generating device, characterized in that formed shorter or longer than the induction pipe. 플라즈마 발생부;A plasma generator; 상기 플라즈마 발생부 하부에 위치하여 상기 플라즈마 발생부와 함께 플라즈마 챔버를 제공하고, 아래를 향하여 형성된 복수개의 유도관을 포함하는 상판구조 및 복수개의 소스가스 분사구를 포함하는 하판구조를 포함하며, 상기 상판구조 및 상기 하판구조는 소스가스 공급을 위한 소스가스 이동공간을 제공하고, 상기 하판구조는 상기 유도관의 외면을 감싸는 차단벽을 포함하는 샤워 헤드;Located above the plasma generating unit to provide a plasma chamber with the plasma generating unit, and includes a top plate structure including a plurality of induction pipe formed downward and a bottom plate structure including a plurality of source gas injection port, the top plate The structure and the lower plate structure provides a source gas moving space for source gas supply, the lower plate structure includes a shower head including a barrier wall surrounding the outer surface of the induction pipe; 상기 플라즈마 발생부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급부; 및A reaction gas supply unit supplying a reaction gas to the plasma generation unit; And 상기 샤워 헤드 내의 상기 소스가스 이동공간으로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부;를 구비하는 플라즈마 발생장치.And a source gas supply unit supplying a source gas to the source gas moving space in the shower head. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 플라즈마 발생부는 하부에 장착된 플라즈마 발생 전극을 포함하며, 상기 플라즈마 발생 전극은 복수개의 홀을 포함하며, 상기 반응가스 공급부는 상기 플라즈마 발생 전극의 상부로 반응가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.The plasma generation unit includes a plasma generation electrode mounted below, the plasma generation electrode includes a plurality of holes, and the reaction gas supply unit supplies a reaction gas to the upper portion of the plasma generation electrode. Device. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 차단벽은 상기 유도관의 길이보다 길게 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.The barrier wall is characterized in that the plasma generator is formed longer than the length of the induction pipe. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 차단벽은 상기 유도관의 길이보다 짧거나 동일하게 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.The blocking wall is plasma generating device, characterized in that formed shorter or the same as the length of the induction pipe.
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