KR20080094155A - 임피던스 매칭 방법 및 이 방법을 위한 매칭 시스템 - Google Patents
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Abstract
Description
V1 | V2 | |
V1 > Vmax | V1 = Vmax | V2 = Vmax X (V2/V1) |
V2 > Vmax | V1 = Vmax X (V1/V2) | V2 = Vmax |
현재 상태 | 이전 상태 | 매칭 여부 | |
Case I | P0 = P1 | Yes | |
Case II | P1 < P0 < P2 | P- = P1 | Yes |
Case III | P1 < P0 < P2 | P- > P1 | No |
Case IV | P0 = P2 | No | |
P0 | 현재의 상태 파라미터 | ||
P- | 이전 단계에서의 상태 파라미터 | ||
P1 | 상태 파라미터의 허용가능한 최소값 | ||
P2 | 상태 파라미터의 허용가능한 최대값 |
Claims (64)
- 부하, 전송선 및 매칭 시스템을 포함하는 전기 장치의 매칭 방법에 있어서,상기 전송선의 전기적 특성을 측정하는 단계상기 전송선의 전기적 특성으로부터 임피던스 매칭을 위한 제어 파라미터를 추출하는 단계 및상기 제어 파라미터를 사용하여 상기 매칭 시스템을 제어하는 단계를 포함하되,상기 제어 파라미터를 추출하는 단계는 상기 매칭 시스템의 전기적 특성과 상기 전송선의 전기적 특성을 정량적으로 관계짓는 분석 좌표계(analytic coordinate system)를 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 분석 좌표계는 상기 매칭 시스템의 전기적 특성과 상기 전송선의 전기적 특성 사이의 정량적 관계를 단사함수적(injectively)으로 매핑(mapping)하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 분석 좌표계의 좌표는 상기 매칭 시스템의 전기적 특성과 관련된 물리량들 중에서 선택되고,상기 제어 파라미터를 추출하는 단계는, 상기 분석 좌표계에서, 상기 측정된 전송선의 전기적 특성에 해당하는 점의 위치 및 크기를 분석함으로써, 상기 매칭 시스템의 매칭을 위해 요구되는 변위 벡터를 구하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 매칭 시스템은 가변적인 리액턴스(variable reactance)를 제공할 수 있는 적어도 두 개의 가변 리액티브 소자들(variable reactive elements)를 구비하고,상기 분석 좌표계의 좌표들은 상기 가변 리액티브 소자들의 전기적 특성을 소정의 변환 행렬(T)을 이용하여 변환함으로써 얻어지는 물리량인 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 변환 행렬 및 상기 분석 좌표계의 좌표들은 상기 매칭 시스템의 타입에 따라 선택되고,상기 변환 행렬은 경험적 데이터에 대한 분석, 이론적 접근을 통한 분석 및 컴퓨터를 사용하는 시뮬레이션 분석 중의 적어도 한가지 방법을 사용하여 준비되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 매칭 시스템은 L-형(L-type), 역 L-형(inverted L-type), T-형(T-type) 및 파이형 (π-type) 중의 한가지이되,상기 매칭 시스템이 가변 커패시터들로 구성되는 L-형(L-type)인 경우, 상기 분석 좌표계의 좌표들은 각각 상기 가변 커패시터들의 커패시턴스의 역수에 비례하는 물리량으로 선택되고,상기 매칭 시스템이 가변 커패시터들로 구성되는 역 L-형(inverted L-type)인 경우, 상기 분석 좌표계의 좌표들은 각각 상기 가변 커패시터들의 커패시턴스에 비례하는 물리량으로 선택되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 변환 행렬은 nXm 행렬(n≥2 및 m≥2)이되,n 및 m은 상기 분석 좌표들의 수 및 상기 가변 리액티브 소자들의 개수에 따라 선택되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 변환 행렬의 요소들(elements)은 -1 내지 1 사이의 값들 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 전송선의 전기적 특성을 측정하는 단계는 상기 전송선의 전압 크기, 전류 크기 및 이들 사이의 위상차를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어 파라미터를 추출하는 단계는상기 전송선의 전기적 특성을 규격화된 크기를 갖는 특성 벡터(characteristic vector with a normalized magnitude)로 변환하는 단계상기 분석 좌표계에서 상기 특성 벡터의 크기를 분석함으로써, 상기 매칭 시스템의 매칭을 위해 요구되는 변위 벡터를 구하는 단계 및상기 변위 벡터를 상기 매칭 시스템의 제어를 위한 제어 파라미터로 변환하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 전송선의 전기적 특성을 특성 벡터로 변환하는 단계는상기 전송선의 전기적 특성으로부터, 상기 전송선의 입력 임피던스를 계산하는 단계상기 입력 임피던스로부터 상기 전송선의 반사 계수를 계산하는 단계 및상기 반사 계수로부터 상기 전송선의 전기적 특성을 표현하는 특성 벡터를 계산하는 단계를 포함하되,상기 특성 벡터는 상기 전송선의 전기적 특성과 관련된 적어도 두 개의 독립된 물리량들을 그 성분으로 갖는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 특성 벡터는 상기 반사 계수의 실수부 및 허수부를 성분으로 갖는 2차원 벡터인것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 변위 벡터는, 상기 매칭 시스템의 매칭을 위해 요구되는, 상기 분석 좌표계에서의 좌표 이동의 방향 및 거리에 대한 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 매칭 시스템은, 적어도, 제 1 및 제 2 가변 리액티브 소자들(first and second variable reactive elements)를 구비하고,상기 분석 좌표계는 G1 및 G2를 좌표로 갖는 2차원 좌표계이고,상기 G1 및 G2는 각각 상기 제 1 및 제 2 가변 리액티브 소자들 각각의 전기적 특성을 소정의 변환 행렬(T)을 이용하여 변환함으로써 얻어지는 물리량들이고,상기 특성 벡터는 상기 전송선의 반사 계수의 실수부 및 허수부를 성분으로 갖는 2차원 벡터이되,상기 변위 벡터를 구하는 단계는 상기 G1 및 G2의 미분(differential)을 구하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 매칭 시스템이 L-형(L-type)인 경우, 상기 G1 좌표의 미분은 상기 반사 계수의 허수부의 음수이고, 상기 G2 좌표의 미분은 상기 반사 계수의 실수부이고,상기 매칭 시스템이 역 L-형(inverted L-type)인 경우, 상기 G1 좌표의 미분은 상기 반사 계수의 허수부의 음수이고, 상기 G2 좌표의 미분은 상기 반사 계수의 실수부의 음수인 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 매칭 시스템은 L-형(L-type), 역 L-형(inverted L-type), T-형(T-type) 및 파이형 (π-type) 중의 한가지이고,상기 변환 행렬 및 상기 분석 좌표계의 좌표들은 상기 매칭 시스템의 타입에 따라 선택되고,상기 변환 행렬은 경험적 데이터에 대한 분석, 이론적 접근을 통한 분석 및 컴퓨터를 사용하는 시뮬레이션 분석 중의 적어도 한가지 방법을 사용하여 준비되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 매칭 시스템이 가변 커패시터들로 구성되는 L-형(L-type)인 경우, 상기 G1 및 G2 좌표들은 각각 상기 가변 커패시터들의 커패시턴스의 역수에 비례하는 물리량으로 선택되고,상기 매칭 시스템이 가변 커패시터들로 구성되는 역 L-형(inverted L-type)인 경우, 상기 G1 및 G2 좌표들은 각각 상기 가변 커패시터들의 커패시턴스에 비례하는 물리량으로 선택되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 변환 행렬은 2X2 행렬이고,상기 변환 행렬의 요소들(elements)은 -1 내지 1 사이의 값들 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 변위 벡터를 제어 파라미터로 변환하는 단계는상기 분석 좌표계에서의 상기 변위 벡터를 상기 매칭 시스템을 구성하는 소자들의 전기적 특성의 크기로 변환하는 단계상기 변환된 변위 벡터를 이용하여 구동 벡터를 계산하는 단계 및상기 구동 벡터를 상기 제어 파라미터로 변환하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 구동 벡터를 계산하는 단계는 상기 변환된 변위 벡터에 기준 게인(standard gain) 및 제 1 게인 인수(first gain factor)를 곱하는 단계를 포함하되,상기 제 1 게인 인수는 상기 특성 벡터의 크기가 증가할수록 큰 값을 갖도록 정의되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 구동 벡터를 계산하는 단계는 매칭 궤적의 변화를 제공하는 제 2 게인 인수를 상기 변환된 변위 벡터와 곱하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 21 항에 있어서,상기 제 2 게인 인수는 상기 매칭 궤적이 상기 매칭 시스템의 허용되는 특성 범위 내인 경우 1이고, 상기 매칭 궤적이 상기 매칭 시스템의 허용되는 특성 범위를 벗어나는 경우 -1인 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 매칭 시스템은 제 1 및 제 2 제어 모터들의 동작에 의해 그 리액턴스들이 조절되는 제 1 및 제 2 가변 리액티브 소자들(first and second variable reactive elements)를 포함하되,상기 구동 벡터를 상기 제어 파라미터로 변환하는 단계는 상기 구동 벡터를 상기 제 1 및 제 2 제어 모터의 동작을 수치적으로 제어하기 위한 적어도 두 개의 제어 파라미터들로 변환하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 제어 파라미터는 상기 제 1 및 제 2 제어 모터의 동작 속도들이고,상기 제 1 및 제 2 제어 모터들의 동작 속도들은 상기 구동 벡터와 속력 인수(speed factor)의 곱으로 주어지는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 전송선의 전기적 특성을 상기 특성 벡터로 변환하는 단계는, 소정의 각도(θ)를 파라미터로 갖는 회전 행렬을 이용하여, 상기 특성 벡터를 회전 이동시키는 단계를 더 포함하되,상기 회전 행렬의 각도 파라미터(θ)는 -90도 내지 90도 중에서 선택되는 한 값인 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어 파라미터를 추출하기 전에, 상기 매칭 시스템이 허용가능한 매칭 상태에 있는지를 확인하는 매칭 상태 검사를 실시하는 단계를 더 포함하는 매칭 방법.
- 제 26 항에 있어서,상기 매칭 상태 검사는상기 전송선의 전기적 특성으로부터 상태 파라미터를 계산하는 단계상기 상태 파라미터가 허용가능한 범위에 있는지를 평가하는 단계 및상기 상태 파라미터가 상기 허용가능한 범위에 있는 경우, 상기 전송선의 전기적 특성을 다시 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 상태 파라미터(P)는 아래의 식에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.P=(1+S)/(1-S),(이때, 상기 S는 상기 전송선의 반사 계수의 절대값임.)
- 제 28 항에 있어서,상기 상태 파라미터(P)가 아래의 두 조건 중의 한가지에 해당하는 경우, 허용가능한 범위에 있는 것으로 평가되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.(1) P<=P1(2) P1<P<P2(이때, P1은 상기 상태 파라미터의 허용가능한 최소값이고, P2는 상기 상태 파라미터의 허용가능한 최대값임.)
- 제 1 항에 있어서,상기 전기적 특성을 측정하는 단계, 상기 제어 파라미터를 추출하는 단계 및 상기 매칭 시스템을 제어하는 단계로 이루어진 일련의 과정(procedure)을 반복하는 단계를 더 포함하되,상기 과정은 제어 파라미터의 추출 및 매칭 시스템의 제어를 위한 소정의 매칭 파라미터들에 기초하여 수행되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 30 항에 있어서,상기 과정들 사이에, 상기 매칭 파라미터들 중의 적어도 하나를 변경하는 단계를 더 포함하는 매칭 방법.
- 제 31 항에 있어서,상기 매칭 파라미터를 변경하는 단계는, 소정의 임계 회수 이상에서, 상기 전송선이 매칭된 상태에서 벗어난 임피던스를 갖는 경우에 선택적으로 실시되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 부하는 플라즈마 시스템, 핵자기 공명 시스템, 통신 시스템, 고주파 유도 가열 장치 및 송전선 중의 한가지인 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 부하, 전송선 및 매칭 시스템을 포함하는 전기 장치의 매칭 방법에 있어서,상기 전송선의 전기적 특성을 측정하는 단계상기 전송선의 전기적 특성으로부터 임피던스 매칭을 위한 제어 파라미터를 추출하는 단계 및상기 제어 파라미터를 사용하여 상기 매칭 시스템을 제어하는 단계를 포함하되,상기 매칭 시스템은 가변적인 리액턴스(variable reactance)를 제공할 수 있는 적어도 두 개의 가변 리액티브 소자들(variable reactive elements)를 구비하고,상기 매칭 시스템을 제어하는 단계에서, 상기 가변 리액티브 소자의 리액턴스의 변화량은 매칭 시스템의 매칭 정도(matching degree)에 의존적인 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 매칭 시스템을 제어하는 단계는 상기 전송선의 측정된 전기적 특성으로부터 계산되는 전송선의 반사 계수를 상기 매칭 시스템의 매칭 정도로 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 35 항에 있어서,상기 매칭 시스템을 제어하는 단계는 상기 전송선의 반사 계수가 증가할수록 상기 가변 리액티브 소자의 리액턴스의 변화량을 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 가변 리액티브 소자는상기 가변 리액티브 소자의 리액턴스의 변화를 제공하는 적어도 하나의 가변 전극 및상기 가변 전극에 연결되어 상기 가변 전극의 위치를 변화시키는 구동 장치를 포함하되,상기 매칭 시스템을 제어하는 단계는 상기 구동 장치의 구동을 통해 상기 가변 전극의 위치를 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 37 항에 있어서,상기 매칭 시스템을 제어하는 단계는 상기 전송선의 측정된 전기적 특성으로부터 계산되는 전송선의 반사 계수가 증가할수록 상기 가변 전극의 위치의 변화량을 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 제어 파라미터를 추출하는 단계는상기 전송선의 전기적 특성으로부터, 상기 전송선의 입력 임피던스를 계산하는 단계 및상기 입력 임피던스로부터 상기 전송선의 반사 계수를 계산하는 단계를 포함하되,상기 매칭 시스템은 적어도 제 1 및 제 2 가변 리액티브 소자들을 구비하고,상기 매칭 시스템을 제어하는 단계에서, 상기 제 1 가변 리액티브 소자의 리액턴스의 변화량은 상기 반사 계수의 허수부의 크기에 비례하고, 상기 제 2 가변 리액티브 소자의 리액턴스의 변화량은 상기 반사 계수의 실수부의 크기에 비례하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 제어 파라미터를 추출하는 단계는 상기 매칭 시스템의 전기적특성과 상기 전송선의 전기적 특성을 정량적으로 관계짓는 분석 좌표계(analytic coordinate system)를 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 40 항에 있어서,상기 분석 좌표계는 상기 매칭 시스템의 전기적 특성과 상기 전송선의 전기적 특성 사이의 정량적 관계를 단사함수적으로 매핑(mapping)하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 40 항에 있어서,상기 제어 파라미터를 추출하는 단계는, 상기 분석 좌표계에서, 상기 측정된 전송선의 전기적 특성에 해당하는 점의 위치 및 크기를 분석함으로써, 상기 매칭 시스템의 매칭을 위해 요구되는 변위 벡터를 구하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 제어 파라미터를 추출하는 단계는상기 전송선의 전기적 특성으로부터, 상기 전송선의 입력 임피던스를 계산하는 단계상기 입력 임피던스로부터 상기 전송선의 반사 계수를 계산하는 단계 및상기 전송선의 반사 계수로부터 게인 인수를 구하는 단계를 포함하되,상기 가변 리액티브 소자의 리액턴스의 변화량은 상기 게인 인수와 상기 매 칭 시스템의 매칭 정도의 곱에 비례하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 43 항에 있어서,상기 게인 인수를 구하는 단계는 소정의 기준 게인(standard gain) 및 제 1 게인 인수(first gain factor)를 곱하는 단계를 포함하되,상기 제 1 게인 인수는 상기 전송선의 반사 계수가 증가할수록 큰 값을 갖는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 43 항에 있어서,상기 게인 인수를 구하는 단계는 소정의 기준 게인, 제 1 게인 인수 및 제 2 게인 인수를 곱하는 단계를 포함하되,상기 제 1 게인 인수는 상기 전송선의 반사 계수가 증가할수록 큰 값을 갖고,상기 제 2 게인 인수는 임피던스 매칭을 위해 요구되는 상기 가변 리액티브 소자의 리액턴스의 변화량이 상기 매칭 시스템의 허용되는 특성 범위 내인 경우 1이고, 그렇지 않은 경우 -1인 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 제어 파라미터를 추출하기 전에, 상기 매칭 시스템이 허용가능한 매칭 상태에 있는지를 확인하는 매칭 상태 검사를 실시하는 단계를 더 포함하는 매칭 방 법.
- 제 46 항에 있어서,상기 매칭 상태 검사는상기 전송선의 전기적 특성으로부터 상태 파라미터를 계산하는 단계상기 상태 파라미터가 허용가능한 범위에 있는지를 평가하는 단계 및상기 상태 파라미터가 상기 허용가능한 범위에 있는 경우, 상기 전송선의 전기적 특성을 다시 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 전기적 특성을 측정하는 단계, 상기 제어 파라미터를 추출하는 단계 및 상기 매칭 시스템을 제어하는 단계로 이루어진 일련의 과정(procedure)을 반복하는 단계를 더 포함하되,상기 과정은 제어 파라미터의 추출 및 매칭 시스템의 제어를위한 소정의 매칭 파라미터들에 기초하여 수행되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 48 항에 있어서,상기 과정들 사이에, 상기 매칭 파라미터를 변경하는 단계를 더 포함하되,상기 매칭 파라미터를 변경하는 단계는 소정의 임계 회수 이상에서 상기 매칭 시스템이 매칭된 상태에 도달하지 못하는 경우에 선택적으로 실시되는 것을 특 징으로 하는 매칭 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 부하는 플라즈마 시스템, 핵자기 공명 시스템, 통신 시스템, 고주파 유도 가열 장치 및 송전선 중의 한가지인 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 부하, 전송선 및 매칭 시스템을 포함하는 전기 장치의 매칭 방법에 있어서,상기 전송선의 전기적 특성을 측정하는 단계상기 전송선의 전기적 특성을 특성 벡터로 변환하는 단계소정의 분석 좌표계에서 상기 특성 벡터의 크기를 분석함으로써, 상기 매칭 시스템의 매칭을 위해 요구되는 변위 벡터를 구하는 단계상기 변위 벡터를 상기 매칭 시스템의 제어를 위한 제어 파라미터로 변환하는 단계 및상기 제어 파라미터를 사용하여 상기 매칭 시스템을 제어하는 단계를 포함하되,상기 분석 좌표계는 상기 매칭 시스템의 전기적 특성과 상기 전송선의 전기적 특성 사이의 정량적 관계를 단사함수적 관계로 매핑(mapping)하도록 선택되고,상기 특성 벡터는 규격화된 크기를 갖도록 변환되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 51 항에 있어서,상기 분석 좌표계의 좌표는 상기 매칭 시스템의 전기적 특성과 관련된 물리량들 중에서 선택되고,상기 제어 파라미터를 추출하는 단계는, 상기 분석 좌표계에서, 상기 전송선의 측정된 전기적 특성에 해당하는 점의 위치 및 크기를 분석함으로써, 상기 매칭 시스템의 매칭을 위해 요구되는 변위 벡터를 구하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 51 항에 있어서,상기 매칭 시스템은 가변적인 리액턴스(variable reactance)를 제공할 수 있는 적어도 두 개의 가변 리액티브 소자들(variable reactive elements)를 구비하고,상기 분석 좌표계의 좌표들은 상기 가변 리액티브 소자들의 전기적 특성을 소정의 변환 행렬(T)을 이용하여 변환함으로써 얻어지는 물리량이고,상기 변환 행렬 및 상기 분석 좌표계의 좌표들은 상기 매칭 시스템의 타입에 따라 선택되고,상기 변환 행렬은 경험적 데이터에 대한 분석, 이론적 접근을 통한 분석 및 컴퓨터를 사용하는 시뮬레이션 분석 중의 적어도 한가지 방법을 사용하여 준비되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 53 항에 있어서,상기 매칭 시스템은 L-형(L-type), 역 L-형(inverted L-type), T-형(T-type) 및 파이형 (π-type) 중의 한가지이되,상기 매칭 시스템이 가변 커패시터들로 구성되는 L-형(L-type)인 경우, 상기 분석 좌표계의 좌표들은 각각 상기 가변 커패시터들의 커패시턴스의 역수에 비례하는 물리량으로 선택되고,상기 매칭 시스템이 가변 커패시터들로 구성되는 역 L-형(inverted L-type)인 경우, 상기 분석 좌표계의 좌표들은 각각 상기 가변 커패시터들의 커패시턴스에 비례하는 물리량으로 선택되는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 51 항에 있어서,상기 전송선의 전기적 특성을 특성 벡터로 변환하는 단계는상기 전송선의 전기적 특성으로부터, 상기 전송선의 입력 임피던스를 계산하는 단계상기 입력 임피던스로부터 상기 전송선의 반사 계수를 계산하는 단계 및상기 반사 계수로부터 상기 전송선의 전기적 특성을 표현하는 특성 벡터를 계산하는 단계를 포함하되,상기 특성 벡터는 상기 반사 계수의 실수부 및 허수부를 성분으로 갖는 2차원 벡터인 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 51 항에 있어서,상기 부하는 플라즈마 시스템, 핵자기 공명 시스템, 통신 시스템, 고주파 유도 가열 장치 및 송전선 중의 한가지인 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 부하, 전송선 및 매칭 시스템을 포함하는 전기 장치의 매칭 방법에 있어서,상기 전송선의 전기적 특성을 측정하는 단계상기 전송선의 전기적 특성으로부터 제어 파라미터를 추출하는 단계 및상기 제어 파라미터를 사용하여 상기 매칭 시스템을 제어하는 단계를 포함하되,상기 매칭 시스템은 가변적인 리액턴스를 제공할 수 있는 제 1 및 제 2 가변 리액티브 소자들을, 적어도, 구비하고,상기 제어 파라미터를 추출하는 단계는 상기 전송선의 반사 계수의 허수부 및 실수부를 계산하는 단계를 포함하고,상기 매칭 시스템을 제어하는 단계는 상기 반사 계수의 허수부 및 실수부의 크기들을 이용하여 상기 제 1 및 제 2 가변 리액티브 소자들의 리액턴스들의 변화량들을 각각 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 57 항에 있어서,상기 매칭 시스템을 제어하는 단계는, 상기 제 1 및 제 2 가변 리액티브 소자들의 리액턴스들이 소정의 구동 벡터를 상기 반사 계수의 허수부 및 실수부와 곱 한 크기들에 각각 비례하는 변화량들을 갖도록, 상기 제 1 및 제 2 가변 리액티브 소자들을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 57 항에 있어서,상기 부하는 플라즈마 시스템, 핵자기 공명 시스템, 통신 시스템, 고주파 유도 가열 장치 및 송전선 중의 한가지인 것을 특징으로 하는 매칭 방법.
- 제 1 항에 개시된 매칭 방법을 수행하는 매칭 시스템.
- 제 1 항에 개시된 매칭 방법을 수행하는 매칭 시스템.
- 제 1 항에 개시된 매칭 방법을 수행하는 매칭 시스템.
- 제 1 항에 개시된 매칭 방법을 수행하는 매칭 시스템.
- 전송선의 측정된 전기적 특성을 적어도 두 개의 규격화된 물리량들을 성분으로 갖는 특성 벡터로 표현하는 특성 벡터 추출부상기 특성 벡터로부터 임피던스 매칭을 위해 요구되는 리액턴스의 변화량을 표현하는 환산된 소자 벡터를 추출하는 환산된 소자 벡터 추출부 및상기 환산된 소자 벡터로부터 가변 리액티브 소자의 구동을 위한 구동 벡터 를 추출하는 구동 벡터 추출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 매칭 시스템.
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