KR20080091606A - 유기 전계 발광 소자 및 이의 구동 방법 - Google Patents

유기 전계 발광 소자 및 이의 구동 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전압으로 발광층의 휘도를 조절하며, 소자의 효율 및 수명을 증가시킬 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 이의 구동 방법에 관한 것이다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 기판 상에 형성된 제1 게이트 전극과; 상기 제1 게이트 전극과 제1 절연막을 사이에 두고 중첩되는 정공 수송층과; 상기 정공 수송층의 양단에 형성되는 제1 양극 및 제1 음극과; 상기 정공 수송층 상에 형성되어 광을 생성하는 발광층과; 상기 발광층 상에 형성되는 전자 수송층과; 상기 전자 수송층의 양단에 형성되는 제2 양극 및 제2 음극과; 상기 전자 수송층과 제2 절연막을 사이에 두고 중첩되는 제2 게이트 전극을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

유기 전계 발광 소자 및 이의 구동 방법{ORGANIC ELECTROLUMINESENCE DEVICE AND METHOD OF DRIVING THE SAME}
도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 제1 및 제2 게이트 전압 조절을 이용해서 높은 휘도를 나타내는 유기 전계 발광 소자의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 제1 및 제2 게이트 전압 조절을 이용해서 낮은 휘도를 나타내는 유기 전계 발광 소자의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 기판 110 : 제1 게이트 전극
120 : 제1 절연층 130 : 정공 수송층
132: 제1 양극 134 : 제1 음극
140 : 발광층 150 : 전자 수송층
152: 제2 음극 154 : 제2 양극
160 : 제2 절연층 170 : 제2 게이트 전극
본 발명은 게이트 전압을 이용해서 휘도를 조절할 수 있으며, 소자의 효율 및 수명을 증가시킬 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 이의 구동 방법에 관한 것이다.
유기 EL 소자(Organic Electroluminesence Device)는 양극과 음극 사이에 유기 박막층이 형성된다. 양극에서는 정공이 주입되며, 음극에서는 전자가 주입된다. 주입된 전공과 전자는 발광층인 유기 박막층에서 결합되어 엑시톤(exited state; exciton)이 생성되고, 생성된 엑시톤이 확산하며 광이 발생된다. 이렇게 생성된 빛은 양극 및 기판 방향으로 출사됨으로써 휘도가 표시된다. 한편, 유기 전계 발광 소자는 음극 및 양극에 주입되는 전류 양에 따라 휘도가 조절된다. 이에 따라, 종래 유기 전계 발광 소자를 구동하기 위해 사용했던 전류 구동 방식은 기존의 액정 표시 장치보다 구동하기 까다롭고 더욱 어렵다.
그리고, 종래 양극으로 사용되는 재질은 최고점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital : HOMO) 준위보다 크기 때문에 정공의 주입에 대한 장벽이 존재하며, 종래 음극으로 사용되는 재질은 최저비점유분자궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital : LUMO) 준위보다 작기 때문에 전자의 주입에 대한 장벽이 존재하게 된다. 이에 따라, 구동 전압의 증가, 소자의 효율 감소 및 수명이 감소된다.
또한, 양극 및 음극 중 어느 한쪽의 전극은 투명해야 발광층에서 발생된 빛을 출사시킬 수 있으므로 양극 및 음극의 재질 선택에 대한 제한이 많아진다.
따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 게이트 전압을 이용해서 휘 도를 조절할 수 있으며, 소자의 효율 및 수명을 증가시킬 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 이의 구동 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 기판 상에 형성된 제1 게이트 전극과; 상기 제1 게이트 전극과 제1 절연막을 사이에 두고 중첩되는 정공 수송층과; 상기 정공 수송층의 양단에 형성되는 제1 양극 및 제1 음극과; 상기 정공 수송층 상에 형성되어 광을 생성하는 발광층과; 상기 발광층 상에 형성되는 전자 수송층과; 상기 전자 수송층의 양단에 형성되는 제2 양극 및 제2 음극과; 상기 전자 수송층과 제2 절연막을 사이에 두고 중첩되는 제2 게이트 전극을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 광을 생성하는 발광층; 제1 게이트 전압을 이용하여 상기 발광층에 주입되는 정공의 양을 조절하는 정공 스위칭부; 및 상기 발광층 사이에 두고 정공 스위칭부와 마주보며, 제2 게이트 전압을 이용하여 상기 발광층에 주입되는 전자의 양을 조절하는 전자 스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 광을 생성하는 발광층, 상기 발광층을 사이에 두고 마주보는 정공 스위칭부 및 전자 스위칭부를 포함하는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 구동 방법은 상기 정공 스위칭부의 제1 게이트 전극에 공급되는 제1 게이트 전압에 따라 상기 발광층에 정공을 주입하는 단계와; 상기 전자 스위칭부의 제2 게이트 전극에 공급되는 제2 게이트 전압에 따라 상기 발광층에 전 자를 주입하는 단계와; 상기 발광층에 주입된 전자와 정공이 결합하여 발광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제 외에 본 발명의 다른 기술적 과제 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 1에 도시된 유기 전계 발광 소자는 발광층(140)과, 발광층(140)을 사이에 두고 마주하는 정공 스위칭부(T1) 및 전자 스위칭부(T2)를 구비한다.
정공 스위칭부(T1)는 정공 수송층(130), 제1 게이트 전극(110), 제1 양극(132) 및 제1 음극(134)을 포함한다.
제1 게이트 전극(110)은 제1 게이트 전극(110)에 공급되는 제1 게이트 전압에 따라 발광층(140)으로 모이는 정공의 양을 조절하여 휘도를 조절하므로 정공 스위칭부(T1)의 게이트 전극으로 이용된다. 여기서, 제1 게이트 전극(110)은 발광층(140)으로부터 생성된 광을 투과시키는 투명 도전성 물질, 예를 들어 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO) 등으로 기판(100) 상에 형성된다.
제1 절연층(120)은 제1 게이트 전극(110)과 정공 수송층(130) 사이에 형성되어 제1 게이트 전극(110)과 정공 수송층(130)을 절연한다. 다시 말하여, 제1 절연층(120)은 전자가 제1 게이트 전극(110)으로 흐르는 것을 방지하는 전자차단효과(electron blocking effect)를 나타내므로 정공과 전자의 재결합 확 률(recombination probability)을 증가시켜 발광 효율을 증가시킨다.
정공 수송층(130)은 제1 절연층(120) 상에 형성되며, 그 정공 수송층(130)의 일단은 제1 양극(132)과, 타단은 제1 음극(134)과 연결된다. 이러한, 정공 수송층의 양단에는 제1 양극(132) 및 제1 음극(134)을 통해 직류 전압이 공급된다. 이에 따라, 정공 수송층(130)은 다수의 캐리어가 정공인 정공 스위칭부(T1)의 반도체층이므로 정공이 주입이 많아진다.
제1 양극(132)은 직류 전원의 정극성 단자와 접속되어 정공 스위칭부(T1)의 소스 전극으로 이용되며, 제1 음극(134)은 직류 전원의 부극성 단자와 접속되어 정공 스위칭부(T1)의 드레인 전극으로 이용된다.
제1 양극(132)은 바람직하게는 최고점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital : HOMO) 준위에 근접한 일함수를 가지는 불투명 도전층인 금속 재질로 형성할 수 있다. 이때, 제1 양극(132)은 최고점유분자궤도(HOMO)와 근접한 준위를 가지는 재질을 사용함에 따라 장벽이 존재하지 않는다. 이에 따라, 정공 주입을 용이하게 됨으로써 소자의 효율 및 수명을 증가할 시킬 수 있다.
제1 음극(134)은 바람직하게는 최저비점유분자궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital : LUMO) 준위가 근접한 일함수를 가지는 금속 재질로 형성할 수 있다. 이때, 제1 음극(134)은 최저비점유분자궤도(LUMO)와 근접한 일함수를 가지는 불투명 도전층인 금속 재질을 사용함에 따라 장벽이 존재하지 않는다. 이에 따라, 전자 주입을 용이하게 됨으로써 소자의 효율 및 수명을 증가할 시킬 수 있다.
이러한 제1 양극(132) 및 제1 음극(134)은 발광층(140)에서 발생된 광이 투 과되는 영역 이외의 영역에 형성된다. 이에 따라, 제1 양극(132) 및 제1 음극(134)은 발광층(140)의 발광시 투과도를 고려하지 않아도 되므로 투명 도전층 또는 불투명 도전층의 도전성 재질로 형성된다. 불투명 도전층의 예로는 금(Au), 알루미늄(AL), 몰리브덴(MO), 크롬(Cr), 구리(Cu) 등이 이용된다. 투명 도전층의 예로는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : 이하,ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : 이하,IZO) 등이 이용된다.
이와 같은 정공 스위칭부(T1)는 제1 게이트 전극(110)에 정극성의 제1 게이트 전압이 공급되면, 정공 수송층(130)에 포함된 전자는 제1 절연층(120) 쪽으로 이동하고, 정공 수송층(130)에 포함된 정공은 발광층(140) 쪽으로 이동한다.
따라서, 정공 수송층(130)은 제1 게이트 전극(110)에 인가되는 정극성의 제1 게이트 전압에 의해 발광층(140)으로 이동하는 정공량과 제1 절연층(120)으로 이동하는 전자량이 조절된다.
전자 스위칭부(T2)는 전자 수송층(150), 제2 게이트 전극(170), 제2 양극(154) 및 제2 음극(152)을 포함한다.
제2 게이트 전극(170)은 그 제2 게이트 전극(170)에 공급되는 제2 게이트 전압에 따라 발광층(140)으로 모이는 전자의 양을 조절하여 휘도를 조절하므로 전자 스위칭부(T2)의 게이트 전극으로 이용된다. 여기서, 제2 게이트 전극(170)은 발광층(140)으로부터의 생성된 광을 반사시키기 위해 반사율이 높은 알루미늄(Al) 등의 금속 또는 둘 이상의 합금으로 제2 절연층(160) 상에 형성된다. 제2 게이트 전극(170)은 양면 발광층의 유기 발광 소자에 적용될 경우에 투명 전극 예를 들어 ITO로 형성될 수 있다.
제2 절연층(160)은 제2 게이트 전극(170)과 전자 수송층(160) 사이에 형성되어 제2 게이트 전극(170)과 전자 수송층(160)을 절연한다. 다시 말하여, 제2 절연층(120)은 정공이 제2 게이트 전극(170)으로 흐르는 것을 방지하는 정공차단효과(hole blocking effect)를 나타내므로 발광 효율을 증가시킨다.
전자 수송층(150)은 발광층(140) 상에 형성되며, 그 전자 수송층(150)의 일단은 제2 양극(154)과, 타단은 제2 음극(152)과 연결된다. 이러한, 전자 수송층(150)의 양단에는 제2 음극(152) 및 제2 양극(154)을 통해 직류 전압이 공급된다. 이에 따라, 전자 수송층(150)은 다수의 캐리어가 전자인 전자 스위칭부(T2)의 반도체층이므로 전자의 주입이 많아진다.
제2 양극(154)은 직류 전원의 정극성 단자와 접속되어 전자 스위칭부(T2)의 소스 전극으로 이용되며, 제2 음극(152)은 직류 전원의 부극성 단자와 접속되어 전자 스위칭부(T2)의 드레인 전극으로 이용된다.
제2 양극(154)은 바람직하게는 최고점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital : HOMO) 준위에 근접한 일함수를 가지는 불투명 도전층인 금속 재질로 형성할 수 있다. 이때, 제2 양극(154)은 최고점유분자궤도(HOMO)와 근접한 준위를 가지는 재질을 사용함에 따라 장벽이 존재하지 않는다. 이에 따라, 정공 주입이 용이하게 됨으로써 소자의 효율 및 수명을 증가시킬 수 있다.
제2 음극(152)은 바람직하게는 최저비점유분자궤도(LUMO) 준위가 근접한 일함수를 가지는 금속 재질로 형성할 수 있다. 이때, 제2 음극(152)은 최저비점유분 자궤도(LUMO)와 근접한 준위를 가지는 재질을 사용함에 따라 장벽이 존재하지 않는다. 이에 따라, 전자 주입이 용이하게 됨으로써 소자의 효율 및 수명을 증가시킬 수 있다.
이러한 제2 양극(154) 및 제2 음극(152)은 발광층(140)에서 발생된 광이 투과되는 영역 이외의 영역에 형성된다. 이에 따라, 제2 양극(154) 및 제2 음극(152)은 발광층(140)의 발광시 투과도를 고려하지 않아도 되므로 투명 도전층 또는 불투명 도전층의 도전성 재질로 형성된다. 불투명 도전층의 예로는 금(Au), 알루미늄(AL), 몰리브덴(MO), 크롬(Cr), 구리(Cu) 등이 이용된다. 투명 도전층의 예로는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO) 등이 이용된다.
이와 같은 전자 스위칭부(T2)는 제2 게이트 전극(170)에 부극성의 제2 게이트 전압이 공급되면, 전자 수송층(150)에 포함된 정공은 제2 절연층(160) 쪽으로 이동하고, 전자 수송층(150)에 포함된 전자는 발광층(140) 쪽으로 이동한다.
따라서, 전자 수송층(150)은 제2 게이트 전극(170)에 인가되는 부극성의 제2 게이트 전압에 의해 발광층(140)으로 이동하는 전자량과 제2 절연층(160)으로 이동하는 전자량이 조절된다.
발광층(140)은 정공 수송층(130)에서 공급된 정공과 전자 수송층(150)에서 공급된 전자가 결합하여 발생하는 광을 외부로 출사한다. 다시 말하여, 발광층(140)은 정공과 전자가 결합되어 엑시톤(exited state; exciton)이 생성되고, 생성된 엑시톤이 확산하며 광이 발생된다.
도 2는 본 발명에 따른 제1 및 제2 게이트 전압 조절을 이용해서 상대적으로 높은 휘도를 나타내는 유기 전계 발광 소자의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 본 발명에 따른 제1 및 제2 게이트 전압 조절을 이용해서 상대적으로 낮은 휘도를 나타내는 유기 전계 발광 소자의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 정공 수송층(130)과 연결된 제1 양극(132)에 정극성의 전압을 인가해줌으로써 정공 수송층(130)에는 정공 주입이 많아진다. 이때, 정공 수송층(130) 하부에 형성된 제1 게이트 전극(110)에 상대적으로 큰 정극성의 제1 게이트 전압(Vg11)을 인가해주면, 정공 수송층(130)의 다수의 정공은 발광층(140) 쪽으로 이동한다. 그리고, 정공 수송층(130)의 소수의 전자는 제1 게이트 전극(110)에 공급된 상대적으로 큰 정극성의 제1 게이트 전압(Vg11)에 의해 발광층(140) 반대 방향 쪽으로 이동한다. 다시 말하여, 정공 수송층(130)의 정공은 상대적으로 큰 정극성의 제1 게이트 전압(Vg11)에 의해 밀리게 됨으로써 다수의 정공이 발광층(140) 쪽으로 향하게 된다.
이와 동시에, 전자 수송층(150)과 연결된 제2 음극(152)에 부극성 전압을 인가해줌으로써 전자 수송층(150)에는 전자 주입이 많아진다. 이 때, 전자 수송층(150) 상부에 형성된 제2 게이트 전극(170)에 상대적으로 큰 부극성의 제2 게이트 전압(Vg12)을 인가해줌으로써 전자 수송층(150)의 다수의 전자는 발광층(140) 쪽으로 이동한다. 그리고, 전자 수송층(150)의 소수의 정공은 제2 게이트 전극(170)의 제2 게이트 전압(Vg12)에 의해 발광층(140)의 반대 방향으로 이동한다. 다시 말하여, 전자 수송층(150)의 전자는 부극성의 제2 게이트 전압(Vg12)에 의해 밀리게 됨으로써 다수의 전자가 발광층(140) 쪽으로 향하게 된다.
따라서, 제1 게이트 전극(110)에 인가된 상대적으로 큰 제1 게이트 전압(Vg11)으로 다수의 정공이 발광층(140)으로 주입되고, 제2 게이트 전극(170)에 상대적으로 큰 제2 게이트 전압(Vg12)으로 다수의 전자가 발광층(140)으로 주입됨으로써 발광층(140)에서 다수의 정공 및 전자가 결합되어 높은 휘도를 나타나게 될 수 있다.
반면에, 제1 게이트 전극에 도 2에 도시된 정극성의 제1 게이트 전압보다 낮은 제1 게이트 전압(Vg21)을 인가하며, 제2 게이트 전극에 도 2에 도시된 부극성의 전압보다 낮은 제2 게이트 전압(Vg22)을 인가할 경우를 설명하기로 한다.
도 3을 참조하면, 제1 게이트 전극(110)에 상대적으로 작은 제1 게이트 전압(Vg21)을 인가해주고, 제2 게이트 전극(170)에 상대적으로 작은 제2 게이트 전압(Vg22)을 인가해준다. 이에 따라, 정공 수송층(130)의 정공은 제1 게이트 전극(110)에 인가된 작은 양의 전압(Vg21)만큼만 발광층(130) 방향으로 밀리게 된다. 그리고, 전자 수송층(150)의 전자는 제2 게이트 전극(170)에 인가된 작은 제2 게이트 전압(Vg22)만큼만 발광층(140) 방향으로 밀리게 된다. 이에 따라, 발광층(140)은 정공 수송층(130)으로부터 주입된 정공의 양과 전자 수송층(150)으로부터 주입된 전자의 양이 적게 결합됨으로써 낮은 휘도를 표시하게 된다.
이와 같이, 제1 및 제2 게이트 전압(Vg11,Vg12,Vg21,Vg22)의 크기에 따라 정공 및 전자를 생성하여 발광층의 휘도를 조절할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이의 구동 방법은 제1 게이트 전극에 인가되는 제1 게이트 전압에 따라 정공 수송층의 정공을 조절하며, 제2 게이트 전극에 인가되는 제2 게이트 전압에 따라 전자 수송층의 전자를 조절한다. 이에 따라, 본 발명은 전압에 따라 전자와 정공의 양을 조절함으로써 발광층의 휘도를 조절할 수 있다.
또한, 제1 및 제2 양극과, 제1 및 제2 음극 각각은 각각의 일함수에 근접한 재질의 전극을 사용할 수 있다. 이에 따라, 소자의 효율 및 수명을 증가시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술된 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (17)

  1. 기판 상에 형성된 제1 게이트 전극과;
    상기 제1 게이트 전극과 제1 절연막을 사이에 두고 중첩되는 정공 수송층과;
    상기 정공 수송층의 양단에 형성되는 제1 양극 및 제1 음극과;
    상기 정공 수송층 상에 형성되어 광을 생성하는 발광층과;
    상기 발광층 상에 형성되는 전자 수송층과;
    상기 전자 수송층의 양단에 형성되는 제2 양극 및 제2 음극과;
    상기 전자 수송층과 제2 절연막을 사이에 두고 중첩되는 제2 게이트 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 양극과, 상기 제1 및 제2 음극은 상기 발광층에서 발생된 광이 투과되는 영역 이외의 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 음극은 최저비점유분자궤도에 근접한 일함수를 가지는 금속 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 양극은 최고점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital : HOMO) 준위에 근접한 일함수를 가지는 금속 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 게이트 전극에는 정극성 전압을 인가해주며, 상기 제2 게이트 전압에는 부극성 전압을 인가해주는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 게이트 전극 중 적어도 어느 하나는 투명 도전층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  7. 광을 생성하는 발광층;
    제1 게이트 전압을 이용하여 상기 발광층에 주입되는 정공의 양을 조절하는 정공 스위칭부; 및
    상기 발광층 사이에 두고 정공 스위칭부와 마주보며, 제2 게이트 전압을 이용하여 상기 발광층에 주입되는 전자의 양을 조절하는 전자 스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 정공 스위칭부는
    상기 제1 게이트 전압이 인가되며 기판 상에 형성되는 제1 게이트 전극;
    상기 제1 게이트 전극과 제1 절연막을 사이에 두고 중첩되게 형성되며 상기 제1 게이트 전압에 의해 상기 발광층의 주입되는 정공의 양을 조절하는 정공 수송층;
    상기 정공 수송층을 사이에 두고 마주보도록 형성되는 제1 양극 및 제1 음극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 음극은 최저비점유분자궤도에 근접한 일함수를 가지는 금속 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  10. 제7항 또는 제9항에 있어서,
    상기 전자 스위칭부는
    상기 제2 게이트 전압이 인가되는 제2 게이트 전극;
    상기 제2 게이트 전극과 제2 절연막을 사이에 두고 중첩되게 형성되며 상기 제2 게이트 전압에 의해 상기 발광층에 주입되는 전자의 양을 조절하는 전자 수송층;
    상기 전자 수송층을 사이에 두고 마주보도록 형성된 제2 양극 및 제2 음극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 양극은 최고점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital : HOMO) 준위에 근접한 일함수를 가지는 금속 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 제1 게이트 전압은 정극성 전압이며, 상기 제2 게이트 전압은 부극성 전압인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 게이트 전극 중 적어도 어느 하나는 투명 도전층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  14. 광을 생성하는 발광층, 상기 발광층을 사이에 두고 마주보는 정공 스위칭부 및 전자 스위칭부를 포함하는 유기 전계 발광 소자의 구동 방법에 있어서,
    상기 정공 스위칭부의 제1 게이트 전극에 공급되는 제1 게이트 전압에 따라 상기 발광층에 정공을 주입하는 단계와;
    상기 전자 스위칭부의 제2 게이트 전극에 공급되는 제2 게이트 전압에 따라 상기 발광층에 전자를 주입하는 단계와;
    상기 발광층에 주입된 전자와 정공이 결합하여 발광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 구동 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 발광층에 정공을 주입하는 단계에서,
    상기 정공 스위칭부의 정공 수송층에 상기 정공 스위칭부의 양극 및 음극을 통해 직류 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 구동 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 발광층에 전자을 주입하는 단계에서,
    상기 전자 스위칭부의 전자 수송층에 상기 전자 스위칭부의 양극 및 음극을 통해 직류 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 구동 방법.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 제1 게이트 전압은 부극성 전압을 인가해주며, 상기 제2 게이트 전압은 부극성 전압을 인가해주는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 구동 방법.
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