KR20080087410A - Supply equipment for gas and supply method for the gas - Google Patents

Supply equipment for gas and supply method for the gas Download PDF

Info

Publication number
KR20080087410A
KR20080087410A KR1020070029597A KR20070029597A KR20080087410A KR 20080087410 A KR20080087410 A KR 20080087410A KR 1020070029597 A KR1020070029597 A KR 1020070029597A KR 20070029597 A KR20070029597 A KR 20070029597A KR 20080087410 A KR20080087410 A KR 20080087410A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
pressure
gas supply
temperature
regulators
Prior art date
Application number
KR1020070029597A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101321455B1 (en
Inventor
이성섭
정근준
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020070029597A priority Critical patent/KR101321455B1/en
Publication of KR20080087410A publication Critical patent/KR20080087410A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101321455B1 publication Critical patent/KR101321455B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C13/00—Details of vessels or of the filling or discharging of vessels
    • F17C13/04—Arrangement or mounting of valves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
  • Pipeline Systems (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Abstract

A gas supply apparatus and a gas supply method thereof are provided to prevent an accident due to gas leakage by preventing a freezing effect of a gas supply tube. A gas vessel(11,12) is formed to store a process gas. A pressure control unit(20,30) reduces the pressure of the process gas supplied from the gas vessel in multiple steps and perform a temperature compensation process after a pressure-reducing process. A gas supply tube is formed to supply the pressure-controlled process gas through the pressure control unit. The pressure control unit includes a plurality of regulators(22,24,32,34) for performing pressure-reducing operations. A tube line is formed to connect the regulators with each other to compensate temperature by using external air.

Description

가스공급장치 및 방법{Supply equipment for gas and supply method for the gas}Supply equipment for gas and supply method for the gas

도 1은 본 발명 가스공급장치의 바람직한 실시예에 따른 배관 구성도이다.1 is a configuration diagram of a pipe according to a preferred embodiment of the present invention gas supply device.

도 2는 SiH4 가스의 압력과 온도 관계와 본 발명에 따른 가스공급장치를 이용한 감압시 온도 변화를 확인할 수 있는 그래프이다.Figure 2 is a graph that can determine the temperature change during the pressure and temperature relationship between the pressure and temperature of the SiH4 gas and the gas supply apparatus according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

11,12:제1 및 제2가스용기 20:제1압력조절부11, 12: the first and second gas container 20: the first pressure control unit

30:제2압력조절부 21,31:필터30: second pressure control unit 21, 31: filter

22,32:제1레귤레이터 23,33:밸브22, 32: 1st regulator 23, 33: valve

24,34:제2레귤레이터24,34: second regulator

본 발명은 가스공급장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 압력의 조절에 따라 급냉하는 특성의 가스를 공급하기 위한 가스공급장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply device and a method, and more particularly to a gas supply device and method for supplying a gas having a characteristic of quenching in accordance with the control of the pressure.

일반적으로, 반도체 제조공정 등에 사용하는 공정 가스는 캐비닛(cabinet)에 보관된 가스용기의 가스를 공정압력에 적당하도록 조정하여, 가스 배관을 통해 공정위치로 공급 된다.In general, the process gas used in the semiconductor manufacturing process and the like is adjusted to the process pressure of the gas of the gas container stored in the cabinet (cabinet), and is supplied to the process position through the gas pipe.

이러한 공정 가스의 공급압력 조절을 위하여 종래 가스공급장치에는 레귤레이터(regulator)를 사용하여 공정 가스를 정압으로 공급할 수 있게 된다.In order to control the supply pressure of the process gas, a conventional gas supply device may use a regulator to supply the process gas at a constant pressure.

그러나, SiH4, NF3, N2O 등과 같이 압력의 저하에 따라 온도가 급강하하는 가스는 상기 레귤레이터에서 압력의 조정에 따라 자체 온도가 낮아지고, 주위의 수분 응축과 동결현상이 발생하게 된다. 이러한 수분 응축에 의해 캐비닛 내부에 물 고임이 발생하며, 이를 주기적으로 점검하고 청소해야 하는 등 주기적인 관리가 필요한 문제점이 있었다. However, a gas whose temperature drops sharply as the pressure decreases, such as SiH4, NF3, N2O, etc., lowers its own temperature as the pressure is adjusted in the regulator, and condensation and freezing of ambient water occur. Water condensation occurs due to the water condensation, and there is a problem that requires periodic management such as periodic inspection and cleaning.

또한, 상기 동결현상에 의하여 상기 레귤레이터 내에 수분이 발생할 수 있으 며, 이는 내부 스프링을 부식시켜 가스를 정압으로 공급하기가 어려워지게 되어 가스 공급의 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있었다.In addition, moisture may occur in the regulator due to the freezing phenomenon, which makes it difficult to supply gas at a constant pressure by corroding the internal spring, thereby lowering the reliability of gas supply.

아울러 온도의 변화에 의해 레귤레이터 내부의 기계적 성질이 변화되어 가스 정압 공급의 신뢰성이 저하됨과 아울러 외관상의 문제로 지속적인 관리가 필요한 문제점이 있었다.In addition, the mechanical properties inside the regulator are changed by the change of temperature, which lowers the reliability of the constant pressure supply of gas, and there is a problem that requires continuous management due to appearance problems.

또한, 상기의 동결현상에 의해 레귤레이터가 외부로부터 기계적인 충격을 받게 되면, 쉽게 파손되어 공정가스가 누출될 수 있는 문제점이 있었다.In addition, when the regulator is subjected to mechanical shock from the outside by the freezing phenomenon, there is a problem that can easily be broken to leak the process gas.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은, 가스를 감압 공급할 때 공급로에 동결현상이 발생하지 않도록 하는 가스공급장치 및 방법을 제공함에 그 목적이 있다.In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a gas supply apparatus and a method for preventing freezing from occurring in a supply path when gas is supplied under reduced pressure.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 가스공급장치는, 공정가스를 저장하는 가스용기와, 상기 가스용기로부터 공급되는 공정가스의 압력을 다단계로 감압하여, 그 감압 후 온도 보상이 이루어질 수 있도록 하는 압력조절부와, 상기 압력조절부를 통해 압력이 조절된 공정가스를 공정장치를 공급하는 가스공급관을 포함한다.The gas supply device of the present invention for achieving the above object is to reduce the pressure of the gas container for storing the process gas and the process gas supplied from the gas container in multiple stages, so that the temperature compensation can be made after the decompression And a gas supply pipe for supplying a process device with a pressure adjusting unit and a process gas whose pressure is controlled through the pressure adjusting unit.

또한 본 발명 가스공급방법은 고압의 공정가스를 상대적으로 저압의 공정압 력으로 감압하여 공급하는 가스공급방법에 있어서, 상기 고압의 공정가스를 각각 시간 차를 가지는 다단계의 감압을 통해 공정압력으로 감압하며, 그 감압의 사이 시간에 그 감압된 공정가스가 외기에 의해 온도 보상되도록 구성된다.In addition, the gas supply method of the present invention in the gas supply method for supplying the high-pressure process gas to a relatively low pressure of the process pressure supply, the pressure of the high-pressure process gas is reduced to the process pressure through a multi-stage pressure reduction each having a time difference And the decompressed process gas is temperature compensated by outside air at a time between depressurization.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 이하의 실시예는 이 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the following embodiments are provided to those skilled in the art to fully understand the present invention, and may be modified in various forms, and the scope of the present invention is limited to the embodiments described below. It is not. Like numbers refer to like elements in the figures.

도 1은 본 발명 가스공급장치 바람직한 실시예에 따른 가스배관 구성도이다.1 is a configuration of a gas pipe according to a preferred embodiment of the present invention gas supply device.

도 1을 참조하면, 본 발명 가스공급장치 바람직한 실시예는 SiH4, NF3, N2O 등과 같이 압력의 저하에 따라 온도가 급강하하는 가스를 각각 저장하는 제1 및 제2가스용기(11,12)와, 상기 제1 및 제2가스용기(11,12)로부터 가스를 정압 인출하되 그 공정압력까지의 압력 조절이 다단계로 이루어지도록 하여 외부온도에 의해 그 공급되는 가스의 온도가 보상될 수 있도록 하는 제1 및 제2압력조절부(20,30)와, 다수의 밸브(V1,V2), (V3,V4)를 각각 포함하여 상기 제1 및 제2압력조절부(20,30)를 통해 압력이 조절된 공정가스를 공정위치로 공급하는 제1 및 제2가스공급라인(40,50)을 포함하여 구성된다.Referring to Figure 1, the preferred embodiment of the gas supply device of the present invention, the first and second gas containers (11, 12) for storing the gas, the temperature drops sharply as the pressure decreases, such as SiH4, NF3, N2O, and the like; The first to draw the gas from the first and second gas container (11, 12) in a constant pressure, but to control the pressure up to the process pressure in a multi-step so that the temperature of the supplied gas can be compensated by the external temperature And second pressure regulators 20 and 30, and a plurality of valves V1 and V2 and V3 and V4, respectively, to control pressure through the first and second pressure regulators 20 and 30, respectively. And first and second gas supply lines 40 and 50 for supplying the processed process gas to the process position.

미설명 부호 60은 상기 제1 및 제2압력조절부(20,30)와 상기 제1 및 제2가스 공급라인(40,50)을 정화하기 위한 퍼지(purge) 가스 공급라인이며, 70은 공정가스의 배기를 위한 배기라인이다.Reference numeral 60 denotes a purge gas supply line for purifying the first and second pressure regulating units 20 and 30 and the first and second gas supply lines 40 and 50, and 70 denotes a process Exhaust line for exhaust of gas.

상기 제1 및 제2압력조절부(20,30)는 각각 상기 제1 및 제2가스용기(11,12)에서 공급되는 가스를 필터링하는 필터(21,31)와, 상기 필터를 통해 정화된 가스를 1차 감압하는 제1레귤레이터(22,32)와, 상기 제1레귤레이터(22,32)를 통해 1차 감압된 가스를 공급제어하는 밸브(23,33)와, 상기 밸브(23,33)를 통해 공급된 1차 감압된 가스를 공정압력에 부합하도록 2차 감압하는 제2레귤레이터(24,34)를 포함하여 구성된다.The first and second pressure regulators 20 and 30 are filters 21 and 31 for filtering the gas supplied from the first and second gas containers 11 and 12, respectively, and purified through the filter. First regulators 22 and 32 for primary pressure reduction of gas, valves 23 and 33 for supply control of primary pressure-reduced gas through the first regulators 22 and 32, and the valves 23 and 33 It is configured to include a second regulator (24, 34) for reducing the secondary pressure to the primary pressure-reduced gas supplied through) to match the process pressure.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 가스공급장치 바람직한 실시예의 구성 및 작용을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the gas supply device according to the present invention configured as described above in more detail.

먼저, 제1 및 제2가스용기(11,12)에 저장된 가스는 SiH4, NF3, N2O, CO2, C2F6 등과 같이 압력의 저하에 따라 온도가 급강하하는 가스이다. 이와 같은 가스의 특성은 이후에 보다 상세히 설명하기로 한다.First, the gas stored in the first and second gas containers 11 and 12 is a gas whose temperature drops rapidly as the pressure decreases, such as SiH 4, NF 3, N 2 O, CO 2, and C 2 F 6. The characteristics of such a gas will be described later in more detail.

상기 제1 및 제2가스용기(11,12)에 저장된 가스는 상기 제1 및 제2압력조절부(20,30)을 통해 단계적으로 감압되어 최종 압력이 공정에 적당한 압력으로 조절되어 상기 제1 및 제2가스공급라인(30,40)을 통해 공정위치로 공급된다.Gases stored in the first and second gas containers 11 and 12 are gradually reduced in pressure through the first and second pressure adjusting units 20 and 30 so that the final pressure is adjusted to a pressure suitable for the process. And it is supplied to the process position through the second gas supply line (30, 40).

도 2는 SiH4 가스의 압력과 온도 관계와 본 발명에 따른 가스공급장치를 이용한 감압시 온도 변화를 확인할 수 있는 그래프이다.Figure 2 is a graph that can determine the temperature change during the pressure and temperature relationship between the pressure and temperature of the SiH4 gas and the gas supply apparatus according to the present invention.

도 2를 참조하면, 상기 제1 및 제2가스용기(11,12)에는 가스의 초기 압력이 20℃(68℉)에서 1200psig의 압력으로 공급된다.2, the first and second gas containers 11 and 12 are supplied with an initial pressure of gas at a pressure of 1200 psig at 20 ° C. (68 ° F.).

이때, 공정에 요구되는 가스의 압력이 75psig일 때, 다단계의 감압을 하지 않고 종래와 같이 하나의 레귤레이터를 사용하여 감압하는 경우, 감압된 가스의 온도는 약 -37℃(-34.6℉)가 되기 때문에 동결현상이 발생하게 된다.At this time, when the pressure of the gas required for the process is 75 psig, when the pressure is reduced by using one regulator as in the prior art without the multi-stage pressure reduction, the temperature of the reduced pressure becomes about -37 ° C (-34.6 ° F). As a result, freezing occurs.

그러나, 본 발명의 바람직한 실시예에서와 같이 다수의 레귤레이터들을 사용하여 다단계의 감압을 하게 되면, 각 감압으로 낮아진 온도가 대기온도에 의해 보상 되며, 따라서 동결이 발생하지 않게 된다.However, when the multi-stage pressure reduction is performed using a plurality of regulators as in the preferred embodiment of the present invention, the temperature lowered by each pressure reduction is compensated by the atmospheric temperature, and thus freezing does not occur.

이와 같은 다단계의 감압의 예를 들면, 상기 제1 및 제2압력조절부(20,30)에 각각 구비된 제1레귤레이터(22,32)는 필터(21,31)에 의해 정화된 20℃, 1200psig의 SiH4가스를 550psig로 감압하며, 이때의 온도는 -14℃ 정도가 된다.For example of such a multi-stage pressure reduction, the first regulators 22 and 32 provided in the first and second pressure regulating units 20 and 30, respectively, are purged by the filters 21 and 31 at 20 ° C, The pressure of 1200 psig SiH4 gas was reduced to 550 psig, and the temperature was about -14 ° C.

이와 같이 -14℃로 냉각된 SiH4가스는 상기 제1레귤레이터(22,32)에 심각한 피해를 주지 않는 정도이며, 그 SiH4가스는 밸브(23,33)를 포함하는 가스 관로를 지나면서 캐비닛 내부의 공기에 의해 승온되어 상기 제2레귤레이터(24,34)에 이를 때까지 7℃정도로 보상된다.The SiH 4 gas cooled to −14 ° C. thus does not cause serious damage to the first regulators 22 and 32, and the SiH 4 gas passes through the gas pipe including the valves 23 and 33. The temperature is increased by air and compensated to about 7 ° C. until the second regulators 24 and 34 are reached.

이때의 보상온도는 상기 캐비닛 내부 공기의 온도, 상기 제1 및 제2압력조절부(20,30)에 구비된 제1레귤레이터(22,23)와 제2레귤레이터(24,34) 까지 거리에 의해 변화될 수 있는 온도이다.The compensation temperature at this time is determined by the temperature of the air inside the cabinet and the distances between the first regulators 22 and 23 and the second regulators 24 and 34 provided in the first and second pressure regulating units 20 and 30. It is the temperature that can be changed.

이와 같이 1차 감압 후, 다시 2차 감압 때까지 공정 가스의 온도는 보상되며, 2차 감압의 압력 값이 줄어들어 온도 변화가 종래에 비해 크기 않기 때문에 2차 감압시에도 그 제2레귤레이터(24,34)에서 결빙이 발생하는 것을 방지할 수 있게 된다.As such, after the first pressure reduction, the temperature of the process gas is compensated until the second pressure reduction, and since the pressure change of the second pressure reduction decreases so that the temperature change is not large compared with the conventional method, the second regulator 24, It is possible to prevent the occurrence of freezing in 34).

상기 결빙을 방지하기 위해 상기 캐비닛 내부의 공기온도를 승온시키는 히터를 더 포함할 수 있으며, 이때 상기 온도보상 온도를 더욱 높일 수 있기 때문엔 결빙현상을 더욱 방지할 수 있게 된다.In order to prevent the freezing may further include a heater for raising the temperature of the air inside the cabinet, it is possible to further prevent the freezing phenomenon because the temperature compensation temperature can be further increased.

상기 제2레귤레이터(24,34)는 상기 1차 감압으로 550psig의 압력이 된 SiH4가스를 75psig의 압력으로 감압한다. 이와 같은 2차 감압에 의해 상기 SiH4가스는 보상된 7℃의 온도에서 공정압력인 75psig, -37℃의 온도가 되며, 이는 상기 제1 및 제2가스공급라인(30,40)을 지나면서 약 7℃의 온도로 보상된다.The second regulators 24 and 34 depressurize the SiH 4 gas, which has been at a pressure of 550 psig at the first decompression, to a pressure of 75 psig. By the second pressure reduction, the SiH 4 gas becomes a process pressure of 75 psig and −37 ° C. at a compensated temperature of 7 ° C., which is approximately passed through the first and second gas supply lines 30 and 40. Compensated with a temperature of 7 ° C.

상기와 같이 본 발명은 가스용기에서 공급되는 공정가스를 다단계의 감압을 통해 공정가스를 공정압력으로 낮추기 때문에 각 감압단계의 사이에서 압력이 유지된 상태로 온도가 보상될 수 있도록 함으로써, 동결이 발생하는 것을 방지할 수 있 게 된다.As described above, the present invention lowers the process gas to the process pressure through the multi-stage decompression of the process gas supplied from the gas container, so that the temperature can be compensated with the pressure maintained between the decompression stages, so that freezing occurs. Can be prevented.

상기 제1 및 제2가스용기(11,12)에는 동일한 가스가 저장되거나, 서로 다른 가스가 저장될 수 있으며, 밸브의 선택에 따라 제1 또는 제2가스용기(11,12)에 저장된 가스를 인출하여 사용하거나, 동시에 제1 및 제2가스용기(11,12)에 저장된 가스를 인출하여 사용할 수 있음은 당연하다.The same gas may be stored in the first and second gas containers 11 and 12, or different gases may be stored, and the gas stored in the first or second gas containers 11 and 12 may be stored according to the selection of the valve. Naturally, the gas stored in the first and second gas containers 11 and 12 can be taken out and used at the same time.

상기 제1 및 제2압력조절부(20,30)는 상기의 실시예와 다르게 보다 더 많은 수의 레귤레이터를 각각 더 포함할 수 있으며, 이는 가스의 감압을 보다 더 다단계로 하여 온도의 보상이 더 잘 이루어질 수 있도록 할 수 있으나, 캐비닛의 크기와 장치의 부가에 따른 비용의 증가를 고려하여 적당하게 선택하여야 한다.The first and second pressure regulators 20 and 30 may further include a larger number of regulators than in the above-described embodiment, respectively, which may further reduce the pressure of the gas, thereby further compensating the temperature. It can be done well, but it should be appropriately selected in consideration of the increase in the size of the cabinet and the cost of adding the device.

상기 제1 및 제2압력조절부(20,30)의 제1레귤레이터(22,32)는 고압레귤레이터를 사용하는 것이 바람직하며, 제2레귤레이터(24,34)는 대유량 레귤레이터를 사용함이 바람직하다.The first regulators 22 and 32 of the first and second pressure regulating units 20 and 30 preferably use high pressure regulators, and the second regulators 24 and 34 preferably use large flow regulators. .

이는 압력의 강하 특성을 향상시키고, 가스의 공급이 원활하게 이루어지도록 한 것이다. This is to improve the pressure drop characteristics, and to facilitate the supply of gas.

상기 필터(21,31)는 공정 가스를 정화하는 역할을 함과 아울러 약간의 압력을 낮추는 역할을 하며, 특히 그 필터(21,31)를 개스킷 타입으로 하여 상기 고압레 귤레이터인 제1레귤레이터(22,32)에 포함되도록 하였을 때 감압의 효과를 높이며, 장치의 소형화가 가능하게 된다.The filter (21,31) serves to purify the process gas and to lower the pressure a little, in particular, the filter (21,31) as a gasket type of the first regulator (high pressure regulator) ( 22, 32) to increase the effect of the reduced pressure, it becomes possible to miniaturize the device.

상기 개스킷 타입의 필터는 60LPM의 가스 유량에 대하여 약 8.7psig의 감압 효과가 있는 것으로 알려져 있다.The gasket type filter is known to have a decompression effect of about 8.7 psig for a gas flow rate of 60 LPM.

또한, 제2레귤레이터(24,34)를 유량이 큰 것으로 선택함으로써 감압이 보다 용이하고, 충분한 양의 공정가스를 공급할 수 있게 된다.In addition, by selecting the second regulators 24 and 34 as having a large flow rate, the pressure reduction is easier and a sufficient amount of process gas can be supplied.

이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예들을 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예들에 한정되지 않으며 본 발명의 개념을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능하다.The present invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above-described embodiments and has ordinary skill in the art to which the present invention pertains without departing from the concept of the present invention. Various changes and modifications are possible by the user.

상기한 바와 같이 본 발명은, 고압의 가스를 공정압력까지 감압하여 공급할 때, 그 감압이 다단계로 이루어지도록 하고, 각 감압단계 후 외부 공기에 의한 공급가스의 온도 보상이 이루어질 수 있도록 함으로써, 가스 공급관의 동결을 방지할 수 있게 된다.As described above, the present invention, when supplying a high-pressure gas by reducing the pressure to the process pressure, the pressure reduction is made in a multi-stage, after each pressure-reduction step to ensure the temperature compensation of the supply gas by the outside air, the gas supply pipe Can prevent freezing.

상기와 같이 동결이 방지됨으로써, 가스의 정압 공급 신뢰성을 확보할 수 있으며, 파손으로 인한 가스 누출사고를 방지할 수 있는 등의 효과가 있다.By preventing freezing as described above, it is possible to ensure the constant pressure supply reliability of the gas, it is possible to prevent the gas leakage accident due to breakage, and the like.

또한, 본 발명은, 고압 가스를 공정압력까지 다단계 감압을 통해 온도를 보 상하여 공급함으로써, 이송관로 표면에서 수분이 응축되지 않도록 하여 주기적인 청소가 요구되지 않기 때문에 관리의 효율성을 높일 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention, by supplying the high-pressure gas to the process pressure through the multi-stage pressure reduction to compensate the temperature, so that the condensation of moisture on the surface of the transfer pipe does not require periodic cleaning, it is effective to increase the efficiency of management have.

Claims (5)

공정가스를 저장하는 가스용기;A gas container storing a process gas; 상기 가스용기로부터 공급되는 공정가스의 압력을 다단계로 감압하여, 그 감압 후 온도 보상이 이루어질 수 있도록 하는 압력조절부; 및A pressure regulator which reduces the pressure of the process gas supplied from the gas container in multiple stages, so that temperature compensation can be made after the pressure reduction; And 상기 압력조절부를 통해 압력이 조절된 공정가스를 공정장치를 공급하는 가스공급관을 포함하는 가스공급장치.Gas supply device comprising a gas supply pipe for supplying a process device the pressure control gas through the pressure control unit. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 압력조절부는,The pressure control unit, 다수의 레귤레이터를 포함하여 각 레귤레이터에서 감압을 수행하며, 그 각 레귤레이터간을 연결하는 배관을 상기 공정가스가 지나는 동안 외기에 의해 온도가 보상되도록 구성하여 된 것을 특징으로 하는 가스공급장치.A gas supply apparatus comprising a plurality of regulators to perform a pressure reduction in each regulator, the pipe connecting the respective regulators is configured to compensate for the temperature by the outside air while the process gas passes. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 압력조절부의 상기 가스용기와 가장 인접한 레귤레이터는,The regulator closest to the gas container of the pressure regulator, 입력측에 필터를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.Gas supply device comprising a filter on the input side. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 외기 온도를 승온시키는 히터를 더 포함하는 가스공급장치.Gas supply device further comprises a heater for raising the ambient temperature. 고압의 공정가스를 상대적으로 저압의 공정압력으로 감압하여 공급하는 가스공급방법에 있어서,In the gas supply method for supplying a high pressure process gas to a relatively low pressure process pressure, 상기 고압의 공정가스를 각각 시간 차를 가지는 다단계의 감압을 통해 공정압력으로 감압하며, 그 감압의 사이 시간에 그 감압된 공정가스가 외기에 의해 온도 보상되도록 하여 공급하는 것을 특징으로 하는 가스공급방법.The high pressure process gas is depressurized to the process pressure through a multi-stage depressurization having a time difference, respectively, and the gas supply method characterized in that the decompressed process gas is supplied to the temperature compensated by the outside air at the time between the depressurization .
KR1020070029597A 2007-03-27 2007-03-27 Supply equipment for gas KR101321455B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070029597A KR101321455B1 (en) 2007-03-27 2007-03-27 Supply equipment for gas

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070029597A KR101321455B1 (en) 2007-03-27 2007-03-27 Supply equipment for gas

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080087410A true KR20080087410A (en) 2008-10-01
KR101321455B1 KR101321455B1 (en) 2013-10-25

Family

ID=40150061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070029597A KR101321455B1 (en) 2007-03-27 2007-03-27 Supply equipment for gas

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101321455B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101253508B1 (en) * 2011-12-13 2013-04-11 주식회사 케이씨텍 Heater control device and method for large amount of gas supply apparatus
WO2016187137A1 (en) * 2015-05-17 2016-11-24 Entegris, Inc. Gas cabinets

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2557753B2 (en) * 1991-04-02 1996-11-27 テイサン株式会社 Gas regulator flow prevention device for pressure regulator
US6857447B2 (en) * 2002-06-10 2005-02-22 Advanced Technology Materials, Inc. Pressure-based gas delivery system and method for reducing risks associated with storage and delivery of high pressure gases

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101253508B1 (en) * 2011-12-13 2013-04-11 주식회사 케이씨텍 Heater control device and method for large amount of gas supply apparatus
WO2016187137A1 (en) * 2015-05-17 2016-11-24 Entegris, Inc. Gas cabinets

Also Published As

Publication number Publication date
KR101321455B1 (en) 2013-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10748783B2 (en) Gas delivery module
US10675581B2 (en) Gas abatement apparatus
KR102618087B1 (en) Neon recovery/purification system and neon recovery/purification method
CA2204939A1 (en) Fluid control device
JP2007255666A (en) Gas supply device and gas supply method
KR101321455B1 (en) Supply equipment for gas
CN113677928B (en) Hydrogen gas supply device and hydrogen gas supply method
KR20120010640A (en) Apparatus for supllying nitrogen and method of controlling the same
JP6853116B2 (en) Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs
CN113631254A (en) Hydrogen gas supply device and hydrogen gas supply method
WO2017170983A1 (en) Pressure swing adsorption type gas manufacturing device
US20160172164A1 (en) Remote delivery of chemical reagents
JP2008281155A (en) Cylinder cabinet
US7290572B2 (en) Method for purging a high purity manifold
US7198056B2 (en) High purity chemical delivery system
KR20120009158A (en) Apparatus for supllying nitrogen
US11806660B2 (en) Carbon dioxide gas separation method and carbon dioxide gas separation apparatus
KR20180073014A (en) Gas supplying apparatus
CN112639352B (en) Method and apparatus for supplying fluorine-containing gas
US20200278084A1 (en) Gas supply method and gas supply system
JP5700646B2 (en) Hydrogen annealing treatment method and hydrogen annealing treatment apparatus
KR101403988B1 (en) Gas supply
US20230015341A1 (en) Methane Retention System
JP2020141039A (en) Gas supply system and gas supply method
KR100814574B1 (en) Treatment method of surface of gas pipe for supplying fluorine gas

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171107

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181017

Year of fee payment: 6