KR20080075602A - 배기장치 및 상기 배기장치의 배기방법, 그리고 상기배기장치를 구비하는 기판 처리 설비 - Google Patents

배기장치 및 상기 배기장치의 배기방법, 그리고 상기배기장치를 구비하는 기판 처리 설비 Download PDF

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Abstract

본 발명은 공정이 수행되는 장치의 배기를 수행하는 배기장치 및 상기 배기장치를 구비하여 기판을 처리하는 설비에 관한 것이다. 본 발명에 따른 배기장치는 공정시 장치 내 공기를 배기시키는 배기라인 내벽을 세정하는 세정유닛이 제공된다. 따라서, 본 발명은 공정시 배기라인 내부가 공정시 발생되는 흄에 의해 오염되는 현상을 방지한다.
반도체, 기판, 베스, 약액, 흄, 알칼리성, 산성, 세정, 린스, 배기, 노즐

Description

배기장치 및 상기 배기장치의 배기방법, 그리고 상기 배기장치를 구비하는 기판 처리 설비{EXHAUST APPARATUS AND METHOD FOR EXHAUSTING OF THE EXHAUST APPARATUS, AND FACILITY FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE SAME}
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 처리베스의 구성들을 보여주는 도면이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 처리베스의 구성들을 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 배기장치를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 배기장치의 구성들을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
1 : 기판 처리 설비 200 : 배기장치
10 : 기판 로딩부 210 : 배기라인
20 : 기판 세정부 220 : 세정유닛
30 : 기판 언로딩부 222 : 세정노즐
100 : 처리베스 224 : 분배라인
110 : 하우징 226 : 세정액 공급라인
120 : 처리액 분사부재 228 : 세정액 공급원
130 : 처리액 공급라인 229 : 제어기
140 : 처리액 배출라인
150 : 처리액 회수라인
본 발명은 배기장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 처리 공정을 수행하는 장치의 배기를 수행하는 배기장치 및 상기 배기장치를 구비하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
기판 처리 설비는 반도체 집적회로 칩 제조를 위한 웨이퍼 및 평판 디스플레이 제조를 위한 글라스 등의 기판을 처리하는 장치이다. 이러한 기판 처리 설비 중 습식 세정 장치는 처리액을 사용하여 기판 표면에 잔류하는 이물질을 세정하는 장치이다. 일반적인 웨이퍼의 습식 세정 장치는 일렬로 배치되는 복수의 처리베스들, 상기 처리베스들에 순차적으로 웨이퍼를 이송시키는 이송부재, 그리고 각각의 처리베스들의 배기를 수행하는 배기장치를 포함한다. 각각의 처리베스들에는 기판을 세정하기 위한 처리액들이 채워진다. 이송부재는 기판들을 상하로 수직하게 지지하여 처리베스들 각각에 기판들을 침지시킨다. 그리고, 배기장치는 공정시 처리베스들 내 공기를 외부로 배기시켜, 처리액으로부터 발생되는 흄(fume)을 처리베스 외부로 배출시킨다.
일반적인 처리베스들은 알칼리성 처리액이 채워지는 처리베스들과 산성 처리액이 채워지는 처리베스들을 포함한다. 따라서, 배기 장치는 알칼리성 처리액으로부터 발생되는 흄과 산성 처리액으로부터 발생되는 흄이 반응하여 장치를 오염시키는 것을 방지하도록, 알칼리성 처리액으로부터 발생되는 흄과 산성 처리액으로부터 발생되는 흄을 분리배기시켜야 한다. 그러나, 일반적인 배기 장치의 배기라인에는 알칼리성 처리액이 채워지는 처리베스들로부터 알칼리성의 흄을 배기하는 라인과 산성 처리액이 채워지는 처리베스들로부터 산성의 흄을 배기하는 라인이 서로 연결되는 부분이 제공될 수 있다. 이러한 연결 부분에서는 알칼리성의 흄과 산성의 흄이 만나서 배기라인의 내벽의 오염 정도가 크다. 배기라인 내부가 오염되면 흄의 효과적인 배기가 이루어지지 않아 장치로부터 흄이 누출되어 작업 환경의 안정성을 저해하고, 장치 내부를 오염시켜 공정 효율을 저하시킨다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 장치의 배기를 효율적으로 수행하는 배기장치 및 상기 배기장치를 구비하는 기판 처리 설비를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 장치의 배기를 수행하는 배기라인 내부가 오염되는 것을 방지하는 배기장치 및 상기 배기장치를 구비하는 기판 처리 설비를 제공하는 것을 목목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 배기장치는 공정이 수행되는 설비의 배기를 수행하는 배기라인 및 상기 배기라인의 내벽을 세정하는 세정유닛을 포함하되, 상기 세정유닛은 상기 배기라인의 내벽으로 세정액을 분사하는 세정노즐 및 세정액 공급원으로부터 상기 세정노즐로 세정액을 공급하는 세정액 공급라인을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배기라인은 알칼리성의 처리유체를 사용하여 공정을 수행하는 장치와 연결되는 제1 라인, 산성의 처리유체를 사용하여 공정을 수행하는 장치와 연결되는 제2 라인, 그리고 상기 제1 라인과 상기 제2 라인을 연결하는 연결라인을 포함하고, 상기 세정노즐은 상기 연결라인에 제공된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 세정노즐들은 복수개가 상기 연결라인의 내벽을 따라 환형으로 배치되고, 상기 세정유닛은 상기 연결라인의 내벽에 링형상으로 제공되며, 상기 세정액 공급라인으로부터 세정액을 공급받아 상기 세정노즐들로 세정액을 분배시키는 분배라인을 더 포함한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 설비는 내부에 처리액이 채워지는 공간을 가지고 공정시 상기 처리액이 채워진 공간에 기판을 침지시켜 기판을 처리하는 복수의 처리베스들, 상기 처리베스들로 기판을 이송시켜 상기 처리베스들에 기판을 침지시키는 이송부재, 그리고 상기 처리베스들의 배기를 수행하는 배기장치를 포함하되, 상기 처리베스들은 알칼리성의 처리액을 사용하여 기판을 세정하는 제1 베스 및 산성의 처리액을 사용하여 기판을 세정하는 제2 베스를 포함하고, 상기 배기장치는 상기 제1 베스 내 알칼리성의 흄을 배기시키는 제1 라인, 상기 제2 베스 내 산성의 흄을 배기시키는 제2 라인, 상기 제1 라인과 상기 제 2 라인을 연결하는 연결라인, 그리고, 상기 연결라인의 내벽을 세정하는 세정유닛을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 세정유닛은 복수개가 상기 연결라인의 내벽을 따라 환형으로 배치되는 세정노즐들을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 세정유닛은 세정액 공급원, 상기 세정액 공급원으로부터 상기 세정노즐들로 세정액을 공급하는 세정액 공급라인, 그리고 상기 연결라인의 내벽에 링 형상으로 제공되며, 상기 세정액 공급라인으로부터 세정액을 공급받아 상기 세정노즐들로 세정액을 분배시키는 분배라인을 더 포함한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 배기방법은 공정이 수행되는 설비에 연결되어 상기 설비의 배기를 수행하는 배기라인을 세정하되, 상기 배기라인의 세정은 상기 배기라인의 내벽에 복수의 세정노즐들을 배치하여 상기 세정노즐들로부터 상기 배기라인의 내벽으로 세정액을 공급하여 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 배기라인으로는 알칼리성의 흄과 산성의 흄의 배출이 함께 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 세정액은 주기적으로 공급된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 일 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 본 실시예에서는 반도체 기판을 습식으로 세정 하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 모든 기판 처리 장치에 적용이 가능하다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 설비의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 처리베스의 구성들을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 3은 다른 실시예에 따른 처리베스의 구성들을 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 설비(apparatus for treating substrate)(1)는 다양한 처리유체들을 사용하여 기판(W)을 세정하는 공정을 수행한다. 기판 처리 설비(1)는 기판 로딩부(substrate loading member)(10), 기판 세정부(substrate cleaning member)(20), 그리고 기판 언로딩부(substrate unloading member)(30)를 포함한다.
기판 로딩부(10)는 기판(W)을 로딩(loading)한다. 기판 로딩부(10)는 로드포트(load port)(12) 및 로더(loader)(12a), 그리고 이송로봇(14)이 구비된다. 로드 포트(12)는 복수의 기판들(W)을 수납하는 카세트(C)가 안착된다. 로더(12a)는 기판 세정부(20)로 기판(W)을 반입시키기 위해 카세트(C)를 대기시킨다. 이송로봇(14)은 로드 포트(12) 및 로더(12a) 상호간에 카세트(C)를 이동시킨다.
기판 세정부(20)는 기판(W)을 세정하는 공정을 수행한다. 여기서, 세정 공정은 약액으로 기판을 세정하는 약액 세정공정, 린스액으로 기판을 린스하는 린스공정, 그리고 건조유체로 기판을 건조하는 건조공정을 포함한다. 기판 세정부(20)는 복수의 처리베스들(100)을 포함한다. 처리베스들(100)은 일렬로 나란히 배치된다. 처리베스들(100) 각각은 공정시 처리유체를 사용하여 기판들(W)을 처리한다. 보통 각각의 처리베스들(100)은 서로 상이한 처리유체를 사용하여 기판들(W)을 처리한다. 예컨대, 처리베스들(100)은 약액 세정 공정을 수행하는 약액베스(22)와 린스 공정을 수행하는 린스베스(24), 그리고 건조공정을 수행하는 건조베스(26)로 나뉜다. 약액베스(22)는 복수개가 제공된다. 약액베스들(22)은 알칼리성의 약액들로 기판(W)을 세정하는 알칼리 베스들과 산성의 약액들로 기판(W)을 세정하는 산성 베스들을 포함한다. 린스베스(24)는 린스액으로 기판(W) 표면에 잔류하는 약액들을 린스하고, 건조베스(26)는 건조가스를 기판(W)을 건조한다. 각각의 처리베스들(100)의 구조 및 구성은 대체로 동일하다. 처리베스(100)의 구성에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.
또한, 기판 세정부(20)는 이송부재(transfer member)(28)를 포함한다. 이송부재(28)는 공정시 각각의 처리베스들(100)로 기판들(W)을 이동시킨다. 이송부재(28)는 복수의 이송암들(28a, 28b, 28c)을 가진다. 이송암들(28a, 28b, 28c)은 복수의 기판들(W)을 기판의 처리면이 대향보도록 상하로 수직하게 지지한다. 이송암들(28a, 28b, 28c) 각각은 가이드 레일(28')을 따라 할당된 개수의 처리베스들(100) 상호간에 이동 가능하도록 설치된다. 처리액이 채워진 처리베스들(100)의 내부에 기판들(W)을 침지시킨다. 또한, 기판 세정부(20)의 일측에는 보조설비공간(24)이 제공된다. 보조설비공간(24)에는 각종 유틸리티 배관들 및 기판 처리 설비(1)의 공정을 제어하기 위한 제어장치들, 그리고 처리베스들(100)의 배기를 수행 하는 배기부재(200)의 배기라인(도 4의 참조번호(210))들이 설치된다.
기판 언로딩부(30)는 기판 세정부(20)로부터 세정 공정이 완료된 기판들(W)을 언로딩(unloading)한다. 기판 언로딩부(30)는 언로드 포트(unload port)(32) 및 언로더(unloader)(32a), 그리고 반송로봇(34)을 포함한다. 언로드 포트(32)는 언로더(32a)로부터 세정공정이 완료된 기판들(W)을 수납한 카세트(C)를 반송받는다. 언로더(32a)는 세정공정이 완료된 기판들(W)을 수납하기 위한 카세트(C)가 대기되며, 공정이 완료된 기판들(W)은 언로더(32a)에 대기하는 카세트(C)에 수납된다. 반송로봇(34)은 언로더(32a)와 언로드 포트(32) 상호간에 카세트(C)를 이송한다.
계속해서, 본 발명에 따른 처리베스(100)의 구성들에 대해 상세히 설명한다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 처리베스(100)는 하우징(housing)(110), 처리액 분사부재(treating liquid injection member)(120), 처리액 공급라인(treaing liquid supply line)(130), 처리액 배출라인(treating liquid discharge line)(140), 그리고 처리액 회수라인(treating liquid collect line)(150)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 여기서, 상기 기판 처리 공정은 기판(W) 표면에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정이다. 하우징(110)은 내조(inner bath)(112) 및 외조(outer bath)(114)를 가진다. 내조(112)는 내부에 공정시 세정액이 채워지는 공간을 가진다. 상기 공간은 공정시 복수의 기판(W)들이 충분히 침지될 수 있는 용적을 가진다. 외조(114)는 내조(112) 외부에서 내조(112)의 측부 일부를 감싸도록 설치된다. 외조(114)는 공정시 내 조(112)로부터 넘쳐흐르는 세정액을 수용한다. 외조(114)는 상부가 개방되며, 개방된 상부는 공정시 기판(W)의 출입이 이루어지는 기판 출입구로 사용된다. 외조(114)의 개방된 상부는 개폐부재(미도시됨)에 의해 개폐가 이루어질 수 있다.
처리액 분사부재(120)는 공정시 내조(112) 내 공간에 위치된 기판들(W)로 세정액을 분사한다. 처리액 분사부재(120)는 측면에 다수의 분사홀들이 형성되는 배관 형상을 가진다. 각각의 분사홀들은 공정시 기판들(W)의 사이 공간으로 세정액을 분사하도록 제공된다. 세정액 공급라인(130)은 베스몸체(110)로 처리액을 공급한다. 처리액 배출라인(140)은 내조(112) 내 처리액을 내조(112)로부터 배출시킨다. 즉, 세정공정을 반복수행하면 베스몸체(110) 내 처리액은 기판들(W)로부터 제거되는 이물질에 의해 점차 오염된다. 따라서, 세정액 배출라인(140)은 베스몸체(110) 내 처리액이 일정 기준 이하로 오염되면 내조(112) 내 세정액을 외부로 배출시킨다. 그리고, 처리액 회수라인(150)은 세정공정시 내조(112)로부터 외조(114)로 넘쳐흐르는 처리액을 처리액 공급원(미도시됨)으로 회수한다.
상술한 구조의 처리베스(100)는 공정시 이송부재(28)가 복수의 기판들(W)을 처리액이 채워진 내조(112)에 침지시키면, 처리액 분사부재(120)가 기판들(W)을 향해 처리액을 분사시켜 기판들(W) 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다. 이때, 내조(112)로부터 외조(114)로 넘쳐흐르는 처리액은 처리액 회수라인(150)을 통해 회수된다. 세정 공정이 완료되면, 이송부재(28)는 기판들(W)을 내조(112)로부터 인출하여 후속 공정을 수행하는 처리베스(100)로 이동시킨다. 그리고, 처리액 배출라인(140)은 사용된 처리액을 내조(112)로부터 배출시킨다. 내조(112) 내 처리액이 모두 배출되면, 후술할 배기부재(200)의 배기라인(210)은 처리베스(100) 내 공기를 배기시켜 처리베스(100) 내부에 잔류하는 흄(fume)을 배기시킨다.
본 실시예에서는 내조(112) 및 내조(112)를 외부에서 감싸는 외조(114)를 구비하여 처리액을 사용하여 기판(W)을 처리하는 처리베스(100)를 예로 들어 설명하였으나, 처리베스(100)의 구조는 다양하게 변경 및 변형될 수 있다. 예컨대, 도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리베스(100')는 처리액에 의한 기판(W)의 처리와 처리가스에 의한 기판(W)의 처리가 가능한 구조를 가진다. 즉, 처리베스(100')는 세정베스(110a) 및 건조베스(160), 승강부재(170), 그리고 개폐부재(180)를 포함한다.
세정베스(110a)는 상술한 처리베스(100)의 구조와 대체로 유사한 구조를 가진다. 건조베스(160)는 세정베스(110a)의 상부에 배치된다. 건조베스(160)의 상부는 개방되며, 개방된 상부는 커버(162)에 의해 개폐된다. 커버(162)에는 건조공정시 건조베스(160)의 내부에 위치된 기판들(W)로 처리가스를 분사하는 분사노즐(164)이 설치된다. 처리가스로는 이소프로필 알코올(IPA:Isopropyl Alcohol) 가스가 사용될 수 있다. 승강부재(170)는 세정베스(110a)와 건조베스(160) 상호간에 기판들(W)을 이동시킨다. 승강부재(170)는 기판들(W)을 지지하는 보트(boat)(172) 및 보트(172)의 상하이동을 가이드 하는 가이드 부재(174)가 설치된다. 보트(172)는 가이드 부재(174)를 따라 상하로 승강되어 세정베스(110a)와 건조베스(160) 상호간에 이동된다. 그리고, 개폐부재(180)는 세정베스(110a)와 건조베스(160) 사이에 기판(W)이 이동되기 위한 통로를 개폐한다. 개페부재(180)는 슬라이딩 방식으로 좌우 이동가능한 제1 및 제2 도어(182, 184)를 구비한다.
상술한 구조를 가지는 처리베스(100')는 세정베스(110a)에서 처리액에 의한 기판(W)의 세정공정이 진행된 후 건조베스(160)에서 건조공정이 진행된다. 건조공정은 세정공정이 완료된 기판들(W)이 승강부재(170)에 의해 건조베스(160) 내부로 이동되면, 개폐부재(180)는 통로를 닫고, 분사노즐(164)은 기판들(W)로 건조가스를 분사하여 기판들(W)을 건조시킨다.
이하, 본 발명에 따른 배기장치(200)에 대해 상세히 설명한다. 도 4는 도 2에 도시된 배기장치를 보여주는 도면이고, 도 5는 도 4에 도시된 배기장치의 구성들을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 6은 도 4에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 배기장치(200)는 기판 세정부(20)의 처리베스들(100) 중 약액으로 기판들(W)을 세정하는 세정베스들(22)의 배기를 수행한다. 배기장치(200)는 배기라인(exhaust line)(210) 및 세정유닛(cleaning unit)(220)을 포함한다.
배기라인(210)은 처리베스들(100) 내 공기를 배기한다. 배기라인(210)은 제1 라인(first line)(212) 및 제2 라인(second line)(214), 그리고 연결라인(connect line)(216)을 포함한다. 제1 라인(212)은 처리베스들(100) 중 알칼리성 처리액을 사용하여 공정을 수행하는 베스(이하, '알칼리 베스'라 함)들의 배기를 수행하고, 제2 라인(214)은 처리베스들(100) 중 산성 처리액을 사용하여 공정을 수행하는 베스(이히ㅏ, '산성 베스'라 함)들의 배기를 수행한다. 그리고, 연결라인(216)은 제1 라인(212)과 제2 라인(214)을 연결하여 메인 배기 설비(미도시됨)로 배기시킨다.
세정유닛(220)은 배기라인(210)의 내벽을 세정한다. 특히, 세정유닛(220)은 배기라인(210)의 연결라인(216)의 내벽을 세정하도록 제공된다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 세정유닛(220)은 세정노즐(cleaning nozzle)(222), 분배라인(distribution line)(224), 세정액 공급라인(cleaning liquid supply line)(226), 세정액 공급원(cleaning liquid supply source)(228), 그리고 제어기(controller)(229)를 포함한다.
세정노즐(222)은 복수개가 연결라인(216)의 내벽을 따라 설치된다. 특히, 세정노즐(222)은 연결라인(216) 중 제1 라인(212)과 제2 라인(214)이 만나는 부분으로 세정액이 분사되도록 설치되는 것이 바람직하다. 이는 제1 라인(212)을 통해 배기되는 알칼리성 흄과 제2 라인(214)을 통해 배기되는 산성의 흄이 제1 라인(212)과 제2 라인(214)이 만나는 부분에서 서로 반응하여 배기라인(210)의 내벽을 집중적으로 오염시키기 때문이다. 따라서, 세정노즐들(222)은 이러한 알칼리성 흄과 산성의 흄이 만나는 부분에 세정액이 토출되도록 설치된다. 세정노즐들(222)의 세정액 분사각도, 세정노즐들(222)의 설치개수, 그리고 세정노즐들(222)의 배치는 다양하게 응용될 수 있다.
분배라인(224)은 각각의 세정노즐들(222)로 세정액을 분배한다. 분배라인(224)은 연결라인(216)의 외벽 또는 내벽을 따라 환형으로 설치된다. 세정액 공급라인(226)은 세정액 공급원(228)으로부터 분배라인(224)으로 세정액을 공급한다. 따라서, 분배라인(224)은 세정액 공급라인(226)으로부터 공급받은 세정액을 각각의 세정노즐들(222)로 균일하게 분배시킨다.
제어기(229)는 공정시 세정노즐(222)이 기설정된 공정조건으로 세정액을 분사하도록 세정유닛(220)을 제어한다. 일 실시예로서, 제어기(229)는 세정노즐들(222)이 일정한 주기로 일정량의 세정액을 분사하도록 제어한다. 즉, 제어기(229)는 일정 시간 간격으로 밸브(V)가 개폐되도록 제어한다. 따라서, 세정노즐들(222)은 일정 시간 간격으로 연결라인(212)의 내벽으로 일정량의 세정액을 분사시켜, 정기적으로 연결라인(212)의 내벽을 세정한다.
본 실시예에서는 제어기(229)가 세정노즐들(222)이 일정한 주기로 연결라인(212)의 내벽으로 세정액을 분사하도록 하여 배기라인(210)을 세정하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 세정노즐들(222)의 세정액 분사조건은 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대, 제어기(229)는 배기라인(210)의 배기량의 증감에 따라 세정액의 분사량이 증감되도록 세정유닛(220)을 제어할 수 있다. 즉, 제어기(229)는 배기라인(210)에 배기량을 측정하는 측정기를 설치한 후 배기라인(210)의 배기량이 증가하면 밸브(V)의 개폐시간을 증가시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 배기장치(200)는 공정시 처리베스들(100)의 배기를 수행하는 배기라인(210)의 내벽을 지속적으로 세정한다. 특히, 본 발명에 따른 배기장치(200)는 알칼리 베스들의 배기를 수행하는 제1 라인(212)과 산성 베스들의 배기를 수행하는 제2 라인(214)이 만나는 부분(연결라인(216))을 지속적으로 세정한다. 따라서, 종래의 설비의 배기를 수행하는 배기라인의 부분 중 알칼리성의 흄(fume)과 산성의 흄(fume)이 만나는 부분에서 알칼리성 흄과 산성의 흄이 서로 반응하여 배기라인의 내벽이 집중적으로 오염되는 현상을 방지한다. 따라서, 본 발명은 배기라인(210)의 배기 효율이 공정이 진행됨에 따라 저하되는 현상을 방지하여 기판 처리 공정의 효율을 향상시킨다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 배기장치 및 상기 배기장치를 구비하는 기판 처리 설비는 공정시 장치의 배기를 수행하는 배기라인을 지속적으로 세정함으로써, 공정시 배기라인 내부가 오염되는 것을 방지한다. 특히, 본 발명에 따른 배기장치는 알칼리성의 흄을 배기하는 라인과 산성의 흄을 배기하는 라인이 연결되는 부분에서 배기라인 내부에 부착되는 흄을 효과적으로 세정한다.

Claims (9)

  1. 공정이 수행되는 설비의 배기를 수행하는 배기라인과,
    상기 배기라인의 내벽을 세정하는 세정유닛을 포함하되,
    상기 세정유닛은,
    상기 배기라인의 내벽으로 세정액을 분사하는 세정노즐과,
    세정액 공급원으로부터 상기 세정노즐로 세정액을 공급하는 세정액 공급라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 배기장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기라인은,
    알칼리성의 처리유체를 사용하여 공정을 수행하는 장치와 연결되는 제1 라인과,
    산성의 처리유체를 사용하여 공정을 수행하는 장치와 연결되는 제2 라인, 그리고,
    상기 제1 라인과 상기 제2 라인을 연결하는 연결라인을 포함하고,
    상기 세정노즐은,
    상기 연결라인에 제공되는 것을 특징으로 하는 배기장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 세정노즐들은,
    복수개가 상기 연결라인의 내벽을 따라 환형으로 배치되고,
    상기 세정유닛은,
    상기 연결라인의 내벽에 링형상으로 제공되며, 상기 세정액 공급라인으로부터 세정액을 공급받아 상기 세정노즐들로 세정액을 분배시키는 분배라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배기장치.
  4. 기판을 처리하는 설비에 있어서,
    내부에 처리액이 채워지는 공간을 가지는, 그리고 공정시 상기 처리액이 채워진 공간에 기판을 침지시켜 기판을 처리하는 복수의 처리베스들과,
    상기 처리베스들로 기판을 이송시켜 상기 처리베스들에 기판을 침지시키는 이송부재와,
    상기 처리베스들의 배기를 수행하는 배기장치를 포함하되,
    상기 처리베스들은,
    알칼리성의 처리액을 사용하여 기판을 세정하는 제1 베스 및 산성의 처리액을 사용하여 기판을 세정하는 제2 베스를 포함하고,
    상기 배기장치는,
    상기 제1 베스 내 알칼리성의 흄을 배기시키는 제1 라인과,
    상기 제2 베스 내 산성의 흄을 배기시키는 제2 라인,
    상기 제1 라인과 상기 제2 라인을 연결하는 연결라인, 그리고,
    상기 연결라인의 내벽을 세정하는 세정유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 세정유닛은,
    복수개가 상기 연결라인의 내벽을 따라 환형으로 배치되는 세정노즐들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 세정유닛은,
    세정액 공급원과,
    상기 세정액 공급원으로부터 상기 세정노즐들로 세정액을 공급하는 세정액 공급라인, 그리고
    상기 연결라인의 내벽에 링 형상으로 제공되며, 상기 세정액 공급라인으로부터 세정액을 공급받아 상기 세정노즐들로 세정액을 분배시키는 분배라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.
  7. 공정이 수행되는 설비에 연결되어 상기 설비의 배기를 수행하는 배기라인을 세정하되,
    상기 배기라인의 세정은,
    상기 배기라인의 내벽에 복수의 세정노즐들을 배치하여 상기 세정노즐들로부터 상기 배기라인의 내벽으로 세정액을 공급하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 배기방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 배기라인으로는,
    알칼리성의 흄과 산성의 흄의 배출이 함께 이루어지는 것을 특징으로 하는 배기방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 세정액은,
    주기적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 배기방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN111921412A (zh) * 2020-07-24 2020-11-13 常州市新武机械有限公司 一种高浓度搅拌槽

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